TWM592964U - 檢測系統 - Google Patents

Abstract

本創作揭露一種檢測系統。檢測系統包括：檢測組件，其被配置為基於檢測光束來生成檢測光斑，檢測光斑包括探測區域，探測區域為線形；訊號收集組件，其被配置為收集檢測光斑經被測物散射後形成的訊號光，進而生成與檢測光斑相對應的檢測資訊；以及處理器組件，其被配置為基於探測區域獲取的檢測資訊來確定被測物上的缺陷特徵資訊。通過採用本創作的技術方案，節約了晶圓的移動時間，能明顯增加檢測速度和精度。

Description

檢測系統

本創作屬於檢測領域，尤其關於一種檢測系統。

晶圓缺陷檢測是指檢測晶圓中是否存在凹槽、顆粒、劃痕等缺陷以及缺陷位置。晶圓缺陷檢測應用十分廣泛：一方面，作為晶片基底，晶圓上存在缺陷將可能導致上面製作的昂貴製程失效，晶圓生產方常進行缺陷檢測確保產品合格率，晶圓使用方也需要在使用前確定晶圓的乾淨程度能保證產品合格率；另一方面，由於半導體加工對加工過程中附加污染控制十分嚴格，而直接監測加工過程中附加污染難度較大，人們常通過晶圓裸片加工前後缺陷對比來判斷該製程附加污染程度。因此，人們進行了各種晶圓缺陷檢測手段的探索。

目前常用晶圓缺陷檢測方法的主要包括電子束檢測和光學檢測兩大類。得益於電子波的極端波長，電子束檢測能直接成像且解析度可達到1至2奈米，然而它檢測所需的時間較長且檢測需要高真空環境，通常用來對少數關鍵電路環節抽樣檢查。光學檢測是利用光與晶片相互作用實現檢測的方法的總稱，其基本原理是通過掃描檢測入射光與缺陷散射光是否存在及其強度，判斷缺陷有無及大小。

本創作針對當前的光學測量方法存在耗時長、精度低的缺陷，提出一種能夠實現對晶圓進行多入射角檢測的系統。

本創作提出一種檢測系統，其包括：檢測組件，其被配置為基於檢測光束來生成檢測光斑；訊號收集組件，其被配置為線形地收集被測物在所述檢測光斑的作用下形成的訊號光，進而生成與所述檢測光斑相對應的檢測資訊；以及處理器組件，其被配置為基於所述檢測資訊來確定所述被測物上的缺陷特徵資訊。

通過採用本創作的技術方案，可以提升每次掃描的區域面積，節約了晶圓的移動時間，能明顯增加檢測速度。另外，還可以同時對待測物進行明暗場檢測，提升了效率。通過使用本創作的技術方案，可以使用同一波長的光源來對不同顆粒進行檢測。

在以下較佳的實施例的具體描述中，將參考構成本創作一部分的所附的圖式。所附的圖式通過示例的方式示出了能夠實現本創作的特定的實施例。示例的實施例並不旨在窮盡根據本創作的所有實施例。可以理解，在不偏離本創作的範圍的前提下，可以利用其他實施例，也可以進行結構性或者邏輯性的修改。因此，以下的具體描述並非限制性的，且本創作的範圍由所附的申請專利範圍所限定。

對於相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為說明書的一部分。

首先，對本創作所涉及到的術語進行闡述。檢測光束是指由光源組件產生最後形成檢測光斑的光束。入射角是指檢測光束與被測物(比如，晶圓)表面法線方向的夾角。探測區域則是探測器接收到的訊號光所對應的照明區域，例如，檢測光斑斑照射區域中光強相對較強的部分，該部分被探測器所接收，以對被測物進行分析。

發明人通過大量的研究發現，在光散射法檢測晶圓的過程中，如果使用點光源(即，將檢測光斑會聚到盡可能小，光斑直徑在幾十到幾百微米量級)進行點掃描檢測，由於該同一時刻只能探測點區域，因此為了提升對晶圓的檢測速度，往往需要加快晶圓的旋轉移動速度以及提高光電探測器取樣速率。然而承載晶圓的電動旋轉移動平台的移動軌跡需要精確控制，其旋轉速度往往受到制約。

另外，現有晶圓缺陷檢測的暗場檢測方法一般是易加工的利用反光杯來收集散射光。反光杯所收集的訊號中包含了來自晶圓的散射光以及晶圓表面的噪音。基於反光杯的原理可知，其被設計為能夠收集盡可能多的散射光，因此，反光杯所收集的訊號中混雜的噪音比較多。

再者，由於點光斑尺寸比較小，在檢測時點光斑所照射的區域之間需要重合或實際探測區域會部分地重合，如此造成了同一區域會被點光斑照射兩次，相應地，該區域的訊號光也會被收集兩次，從而導致訊號處理方法很複雜。

由於反光杯收集散射光的方式難以使不同點散射光匯聚於不同的點，從而導致現有的檢測方法只能利用點掃描方式進行檢測。

針對上述問題，本創作提出利用線掃描的方案實現晶圓缺陷檢測，相較於點掃描，增大了每次檢測的面積，線掃描同一時刻檢測為線區域，能顯著提高檢測速度，降低儀器成本。

根據入射光角度(例如，正入射還是斜入射，以及相應的斜入射角)、訊號光收集角度範圍(法向收集或非法向收集)，光散射法有多種實現方式，包括：(1)正入射照明法向收集；(2)正入射照明非法向收集；(3)斜入射照明法向收集；(4)以及斜入射照明非法向收集。

另外，取決於入射光角度及缺陷類型，散射光將呈現不同的分布特點。具體而言，對於晶圓上分布的凸起類缺陷(例如，顆粒)，當光正入射時，缺陷散射光比較平均地分布在法向和非法向收集通道；對於晶圓上分布的凹坑類缺陷，當光正入射時，缺陷散射光主要分布在法向收集通道，非法向收集通道所收集到缺陷散射光相對較弱。同理，對於晶圓上分布的凸起類缺陷，當光斜入射時，缺陷散射光主要分布在非法向收集通道；對於晶圓上分布的凹坑類缺陷，當光斜入射時，非法向收集通道所收集到的缺陷散射光較弱。可以理解的，對於斜入射，當光入射角產生變化時，相應的散射光分布也會隨之變化。可以理解的，收集通道與散射光的出射角相對應。

由上可知，對於凸起類缺陷，斜入射檢測靈敏度更高；對於凹坑類缺陷，正入射具有更高的檢測靈敏度。因此，基於檢測方式以及相應的訊號分布，可以進行缺陷類型分析。

圖1為依據本創作實施例的檢測系統架構圖。

如圖所示，檢測系統包括光源組件101、檢測組件102、訊號收集組件103以及處理器組件104，其中，光源組件101通過光生成器(例如一個或多個雷射器)來提供檢測光束。

檢測組件102用於基於所接收到的檢測光束而產生對應於指定入射角的檢測光斑。在一種實施方式中，檢測組件102可以產生多個檢測光斑。當晶圓處於被檢測時(即，檢測光斑照射到晶圓上)，晶圓將在檢測光斑的作用下產生(例如，通過散射或反射的方式)相應的訊號光。可以理解的，當檢測光斑照射到缺陷時，所產生的訊號光將根據缺陷的類型或其它參數而變化。檢測組件102還包括用於承載晶圓的機台，並且該機台在處理器組件104的控制下移動，進而可以按照指定軌跡移動晶圓，調整晶圓與檢測光斑的相對位置，實現掃描檢測。

訊號收集組件103包括對應於多個散射光的收集通道的探測支路，能夠以不同的角度來收集由線檢測光斑所產生的訊號光，進而產生相應的檢測資訊。

處理器組件104基於來自訊號收集組件103的檢測資訊，確定晶圓上缺陷特徵資訊，例如，缺陷的類型、位置以及其它參數。

圖2a為依據本創作實施例的檢測系統的光學架構圖。

如圖所示，光源201生成檢測光束，該檢測光束通過檢測組件中的整形鏡組2021到達晶圓表面，形成線形檢測光斑。可以理解的，該線形檢測光斑的寬度、長度可以由整形鏡組2021來控制。

在一種實施方式中，檢測組件還包括偏振片2022(例如，四分之一或二分之一波片)，以改變檢測光束的偏振態。例如，根據需求對不同的檢測光束實現不同偏振態，如：p光、s光、圓偏振光等。

當檢測光斑照射到晶圓表面時，大部分入射光將以與入射光相同的角度從另一側反射出去，當照明位置存在缺陷時，缺陷會導致部分光以散射光的形式向上方各個角度發出。因此，在不同位置設置多個散射光收集通道，實現不同角度散射光強探測，可以判斷線形檢測光斑的位置處的缺陷資訊。可以理解的，通過多個訊號收集通道來收集訊號光，可以提升檢測精度。

在本實施例中，根據收集角度範圍將訊號光收集通道分為法向收集通道P1與非法向收集通道P2、P3，其中法向收集通道P1對應的收集角度範圍為0°至20°，非法向收集通道P2、P3對應的收集角度範圍為20°至90°，例如，非法向收集通道P2對應的收集角度範圍為35°±10°，非法向收集通道P3對應的收集角度範圍為55°±10°。在本實施例中，對應於各收集通道的探測支路包括探測透鏡組以及探測器，以對訊號光實現成像式收集。當採用線探測器時，探測區域為線形。在一種實施方式中，探測區域的中心與探測檢測光斑的中心重合，且探測區域的長度小於探測光斑檢測光斑的長度。在實際應用中，探測光斑中心的光強較強，兩端光強較弱，兩端訊號光容易被雜訊淹沒，因此，通過將探測區域的長度設置為小於檢測光斑的長度能夠提高檢測精度。

圖2b為依據本創作實施例的成像式收集原理示意圖。

如圖所示，檢測光束照射到晶圓表面進而形成檢測光斑，當位置A處存在缺陷時，缺陷在檢測光斑的作用下所產生的散射光向晶圓上方各個方向傳播。在本實施例中，在法向方向、非法向方向設置多個收集通道，每個收集通道收集以一個散射角為中心空間分布於附近角度的散射光。

位置A處的缺陷在特定角度範圍內發出散射光經由探測透鏡組21投射到探測器TCa的指定位置處；同樣，當位置B處存在缺陷時，缺陷在檢測光斑B的作用下所產生的散射光經由探測透鏡組22投射到探測器TCb的指定位置處。位置A處缺陷的散射光經由探測透鏡組22將投射到探測器TCb旁邊位置，類似，位置B處缺陷的散射光經由探測透鏡組21將投射到探測器TCa旁邊位置。因此探測器TCa與TCb分別獨立收集A、B位置缺陷產生的散射光，互不干擾。

通過使得各個收集通道相互獨立，當需要對正入射、斜入射光斑分別進行法向及非法向收集時，可以實現對訊號光的多通道收集。

請再參閱圖2a，訊號收集組件包括第一至第三探測支路，其中，第一探測支路包括線探測器TC1和第一探測透鏡組TJ1，以收集晶圓在檢測光斑的作用下在法向收集通道P1上所產生的訊號光；第二探測支路包括線探測器TC2和第二探測透鏡組TJ2，以收集晶圓在檢測光斑的作用下在非法向收集通道P2上所產生的訊號光；第三探測支路包括線探測器TC3和第三探測透鏡組TJ3，以收集晶圓在檢測光斑在非法向收集通道P3上所產生的訊號光。

在一個實施方式中，可以將每個檢測光斑所對應的探測區域(即，線探測器所接收的部分)設置為每個檢測光斑中光強最強的部分(線形)。換而言之，探測器可以線形地收集訊號光。探測區域的中心與檢測光斑的中心重合，且探測區域的長度小於等於檢測光斑的長度。

在一種實施方式中，檢測光斑為線形，所述探測區的長度為所述檢測光斑長度的90%至95%。在一種實施方式中，檢測光斑的長度為5毫米至10毫米，寬度為5微米至100微米。

雖然圖2a中示出了三個探測支路，但在其他實施方式中，還可以根據晶圓的缺陷特徵來設置其它數目的探測支路，其中，每個探測支路對應於一個與其他探測支路不同的入射角。

由上可知，通過成像式收集，可以使得探測區域每一點所對應的訊號光經過探測透鏡組均會聚至線探測器上的指定位置處，從而線探測器上每點收集光相互獨立並與檢測光斑位置處的散射光直接相關。如此，通過探測透鏡組以及線探測器，可以獲取光斑照射區域中光強相對較強的部分，作為線形的探測區域。

圖3為依據本創作實施例的掃描軌跡示意圖。

如圖所示，檢測光斑沿晶圓的徑向延伸，如此可以按照同心圓的方式從外圈向內圈掃描。

在檢測初始狀態，通過機台的移動，使得檢測光斑位於晶圓最外側位置。可以理解的，本實施例是對整個晶圓進行檢測，如果待測區域是晶圓的一部分，則需要將檢測光斑移動至該待測區域的最外側處。然後，機台帶動晶圓旋轉，並通過訊號收集組件對晶圓散射出的訊號光同時進行法向收集和非法向收集。在沿第1同心圓轉完一圈後，機台帶動晶圓移動，使得檢測光斑在第一徑向上移動距離d(即相鄰的同心圓的中心的距離為d)進行下一圈掃描。以此類推，直至沿第N同心圓的檢測完成(此時，光斑照射至晶圓中心)，從而完成對晶圓的掃描，獲取與檢測光斑相對應的一組檢測資訊。可以理解的，每轉完一圈，即可完成一環狀區域的掃描。在一種實施方式中，移動距離d大於等於檢測光斑長度的80%，小於等於檢測光斑的長度。

在此實施例中，檢測光斑的探測區域在徑向上延伸，並且檢測光斑的掃描方向垂直於與檢測光斑的延伸方向。可以理解的，在另一實施方式中，檢測光斑的掃描方向與檢測光斑的延伸方向之間的夾角大於0°小於90°。

雖然上述實施例是從晶圓的外圈向內圈進行檢測，可以理解的，在另一實施方式中，也可以採用從內圈向外圈移動掃描。另外，檢測光斑可以沿晶圓的徑向延伸，也可以以其他方向延伸。晶圓的掃描路徑還可以是螺旋線形、Z形、S形、矩形等。例如，當採用螺旋線的軌跡掃描時，該掃描方式移動平台旋轉的同時緩慢向一個方向平移，完成整片區域掃描。

因此，在探測區域相互不重疊的情況下，可以設置多個檢測光斑來對晶圓進行檢測，該多個檢測光斑之間可以部分地重疊或是不重疊。

由前述可知，對於凹坑類缺陷，採用正入射的方式能實現更好的檢測精度，而斜入射光源檢測能實現凸起類缺陷的高精度檢測。因此，檢測系統不僅可以採用單獨的垂直入射、斜入射，還可以採用垂直光與斜入射光均進行檢測的方案。為了將垂直入射散射光與斜入射散射光相區分，可以採用分波長的方式，即垂直入射與斜入射探測採用不同波長的光源。

圖4為依據本創作另一實施例的檢測系統架構圖，通過該檢測系統，可以實現明場與暗場同步檢測。

如圖所示，第一光源組件410產生第一檢測光束，經由光闌431、偏振片432、分束器433到達晶圓表面，形成第一檢測光斑。第二光源組件420產生第二檢測光束，經由整形鏡組434到達晶圓表面，以形成與第一檢測光斑至少部分地重疊的第二檢測光斑。在一種實施方式中，第二檢測光斑為線形光斑，如此可以在暗場中盡可能地集中光強。

對於明場，晶圓在第一檢測光斑的作用下，產生相應的反射光，依次經由訊號光收集器435(例如，探測透鏡組或是其它具有成像式收集功能的元件)、分束器433到達分束器436。在法向上，第一濾光片437對來自分束器436的光束進行選擇性接收，以使得偏振線探測器440接收到基於第一檢測光斑所產生的反射光，以實現明場檢測。

對於暗場，晶圓在第二檢測光斑的作用下將在法向和非法向上產生散射光。在法向上所產生的散射光依次經由訊號光收集器435、分束器433到達分束器436，第二濾光片438對來自分束器436的光束進行選擇性接收，進而使得線探測器441接收到基於第二檢測光斑的法向散射光。在非法向上所產生的散射光，通過訊號光收集裝置439到達線探測器442。

可以理解的，當不需要對第二檢測光斑在法向所產生的產生散射光進行分析時，分束器436可以被移除。

由上可知，通過對法向上的反射光和散射光進行分束、選擇性接收，可以使得檢測系統400能夠同時實現明暗場同步檢測的實現光路，該方法中明場檢測與暗場檢測同時實現線掃描檢測，並且相同時刻檢測位置相同，通過明暗場採用不同波長光源的方法，實現了不同方案的獨立檢測。

雖然上述內容是以同時生成分別對應兩個波長且部分地重疊的檢測光斑為例，但是本領域技術人員可以理解的是，在其他實施例中，還可以生成對應多個波長且部分地重疊的檢測光斑，只需要設置相應的分束器和濾光片便可以對光束進行選擇性接收。例如，檢測系統400還可以包括第三光源組件(未示出)，其可以生成與第一檢測光束、第二檢測光束波長不同的第三檢測光束，並生成第三檢測光斑。通過設置相應的分束器以及濾光片，便可以對第三檢測光斑所產生的散射光或反射光進行選擇性接收。

本創作提出了一種檢測方法，包括：基於檢測光束，生成檢測光斑；線形地收集被測物在所述檢測光斑的作用下形成的訊號光，進而生成與所述檢測光斑相對應的檢測資訊；基於所述檢測資訊，確定所述被測物的缺陷特徵資訊。

本創作還提出了一種檢測方法，包括如下步驟：基於檢測光束，生成檢測光斑，該檢測光斑包括線形探測區域；收集所述檢測光斑經被測物的散射形成的訊號光，進而生成與檢測光斑相對應的檢測資訊；基於探測區域形成的檢測資訊，確定被測物的缺陷特徵資訊。

收集所述檢測光斑經被測物的散射形成的訊號光的步驟包括：通過使所述檢測光斑相對於被測物移動，對所述被測物的待測區進行掃描，並在所述掃描過程中，收集所述訊號光。

當被測物的待測區為圓形時，掃描的步驟包括：被測物繞待測區圓心旋轉；使被測物繞待測區圓心旋轉之後，使被測物相對於檢測光斑沿待測區直徑方向平移特定步長；重複上述步驟直至待測區均被檢測光斑覆蓋所述檢測區圓心。如此，旋旋轉和平移不同時進行，能夠提高系統的穩定性，提高成像品質，進而提高檢測精度。

在一種實施方式中，特定步長等於或小於探測區域在平移方向上的尺寸。

檢測方法還可以通過前述的檢測系統的執行。具體地，通過檢測組件基於檢測光束來生成檢測光斑，在處理器組件的控制下，通過訊號收集組件收集被測物在檢測光斑經被測物散射後形成的訊號光，進而生成與檢測光斑相對應的檢測資訊；以及通過處理器組件基於探測區域而獲取的檢測資訊來確定被測物的缺陷特徵資訊。

雖然上述實施例利用線光斑進行檢測，但本創作的檢測方法也可以採用點光斑或面光斑。可以理解的，當使用點/面光斑來檢測晶圓時，需要對整形鏡組進行調整，以形成點/面光斑。例如，可以通過螺旋線方式來使用點光斑來對晶圓進行檢測。

相較於傳統的檢測方法，本創作的檢測方法採用了線掃描，每次掃描的面積大，線探測器所接收的訊號也較為均勻，不僅節約了晶圓的移動時間，還能明顯增加檢測速度和精度。

因此，雖然參照特定的示例來描述了本創作，其中，這些特定的示例僅僅旨在是示例性的，而不是對本創作進行限制，但對於本領域普通技術人員來說顯而易見的是，在不脫離本創作的精神和保護範圍的基礎上，可以對所公開的實施例進行改變、增加或者刪除。

21:探測透鏡組 22:探測透鏡組 101:光源組件 102:檢測組件 103:訊號收集組件 104:處理器組件 201:光源 400:檢測系統 410:第一光源組件 420:第二光源組件 431:光闌 432:偏振片 433:分束器 434:整形鏡組 435:訊號光收集器 436:分束器 437:第一濾光片 438:第二濾光片 439:訊號光收集裝置 440:偏振線探測器 441:線探測器 442:線探測器 2021:整形鏡組 2022:偏振片 A、B:位置 P1:法向收集通道 P2、P3:非法向收集通道 TC1~TC3:線探測器 TCa、TCb:探測器 TJ1:第一探測透鏡組 TJ2:第二探測透鏡組 TJ3:第三探測透鏡組

參考圖式示出並闡明實施例。這些圖式用於闡明基本原理，從而僅僅示出了對於理解基本原理必要的方面。這些圖式不是按比例的。在圖式中，相同的元件符號表示相似的特徵。

圖1為依據本創作實施例的檢測系統架構圖；

圖2a為依據本創作實施例的檢測系統的光學架構圖；

圖2b為依據本創作實施例的類成像式收集原理示意圖；

圖3為依據本創作實施例的掃描軌跡示意圖；及

圖4為依據本創作另一實施例的檢測系統架構圖。

101:光源組件

102:檢測組件

103:訊號收集組件

104:處理器組件

Claims (14)

1. 一種檢測系統，包括： 檢測組件，其被配置為基於檢測光束來生成檢測光斑，所述檢測光斑包括探測區域，所述探測區域為線形； 訊號收集組件，其被配置為收集所述檢測光斑經被測物散射後形成的訊號光，進而生成與所述檢測光斑相對應的檢測資訊；以及 處理器組件，其被配置為基於所述探測區域獲取的檢測資訊來確定所述被測物上的缺陷特徵資訊。
2. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述訊號收集組件包括： 至少一個探測支路，每個所述探測支路包括訊號光收集器和線探測器，其中，所述訊號光收集器用於將所收集到的訊號光成像式地投射到所述線探測器。
3. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述訊號收集組件包括： 第一散射光探測支路，被配置為收集具有第一出射角的散射光； 第二散射光探測支路，被配置為收集具有第二出射角的散射光，所述第二出射角與所述第一出射角不相等。
4. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述檢測組件被配置為： 基於第一檢測光束來生成第一檢測光斑，其中，所述第一檢測光斑為線形光斑； 基於第二檢測光束來生成第二檢測光斑，其中，所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑部分地重疊，並且所述第一檢測光束的波長不同於所述第二檢測光束的波長。
5. 如請求項3所述之檢測系統，其中， 所述第一散射光探測支路包括第一訊號收集器和第一線探測器，其中，所述第一訊號光收集器用於將所收集到的訊號光成像式地投射到所述第一線探測器； 所述第二散射光探測支路包括第二訊號光收集器、第一分束器、第一濾光片和第二線探測器，其中，所述第二訊號光收集器用於將所收集到的訊號光成像式地投射到所述第二線探測器，所述第一濾光片經由所述第一分束器接收所述訊號光，並基於波長對所接收到的訊號光進行選擇性接收。
6. 如請求項5所述之檢測系統，其中，所述訊號收集組件還被配置為收集所述檢測光斑經被測物反射後形成的訊號光，所述訊號收集組件還包括： 第三探測支路，其包括第一濾光片和第三線探測器，其中，第二濾光片經由所述第一分束器接收所述訊號光，並基於波長對所接收到的訊號光進行選擇性接收。
7. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述處理器組件被配置為使得所述檢測組件以指定的探測軌跡來對所述被測物進行檢測， 其中，所述指定的探測軌跡為與所述檢測光斑對應的探測區域的中心相對於所述被測物表面的掃描軌跡，所述指定的探測軌跡包括在徑向上排列的多個同心圓。
8. 如請求項7所述之檢測系統，其中， 相鄰的所述同心圓半徑之差小於等於所述探測區域沿同心圓半徑方向的尺寸。
9. 如請求項5所述之檢測系統，其中，所述第一訊號光收集器和/或所述第二訊號光收集器是探測透鏡組。
10. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述檢測光斑的探測區域在徑向上延伸，並且所述檢測光斑的掃描方向與所述探測區域的延伸方向垂直，或者，所述檢測光斑的掃描方向與所述探測區域的延伸方向之間的夾角為銳角或鈍角。
11. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述檢測光斑為線形，所述檢測光斑的延伸方向與所述探測區域的延伸方向相同。
12. 如請求項11所述之檢測系統，其中，所述探測區域的中心與所述檢測光斑的中心重合，且所述探測區域的長度小於所述檢測光斑的長度。
13. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述探測區域的長度為所述檢測光斑長度的90%-95%。
14. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述檢測光斑的長度為5毫米至10毫米，所述檢測光斑的寬度為5微米至100微米。

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