JPH116722A - 面状態測定装置 - Google Patents

面状態測定装置

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JPH116722A
JPH116722A JP17294497A JP17294497A JPH116722A JP H116722 A JPH116722 A JP H116722A JP 17294497 A JP17294497 A JP 17294497A JP 17294497 A JP17294497 A JP 17294497A JP H116722 A JPH116722 A JP H116722A
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JP
Japan
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light
detector
lens
sample
inclination
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Application number
JP17294497A
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English (en)
Inventor
Toyoki Kanzaki
豊樹 神▲崎▼
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Horiba Ltd
Original Assignee
Horiba Ltd
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Publication date
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Publication of JPH116722A publication Critical patent/JPH116722A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 測定対象面が連続しているときは勿論のこ
と、測定対象面が不連続であっても、その高さや傾き具
合を精度よく測定することができる面状態測定装置を提
供すること。 【解決手段】 測定対象物体2の表面にレーザ光4を二
次元的に走査しながら所定の角度で照射し、そのとき前
記表面において生ずる反射光9を径が小さくなるように
収束した後、二つの光路14,15に分岐し、一方の光
路14に前記反射光9の入射位置を検出するディテクタ
16を設け、他方の光路15にfθレンズ17およびこ
のfθレンズ17の焦点位置に検出面を有するディテク
タ18を設け、これら両ディテクタ16,18の出力に
基づいて前記表面における状態を測定するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、各種物体の表面
における高さや傾き具合を測定する面状態測定装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】例えばウェーハを製造する場合、ウェー
ハを吸着保持するためのウェーハチャック盤としては、
ウェーハとの接触面積を可及的に少なくするため、図4
に示すように、基台41の上面に同じ高さの突起42を
同心状に形成したものが用いられる。この場合、ウェー
ハを反りや歪みを生ずることなく吸着保持するため、ウ
ェーハと接触する突起42の上端面は、可及的に同一平
面に含まれることが要求される。そのため、このような
表面に凹凸があるウェーハチャック盤41の加工精度を
測定する必要がある。
【0003】従来、前記凹凸が表面に形成されている部
分の加工精度を測定する方法としては、探針を用いた接
触法や、顕微鏡の焦点検出を応用した手法がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記い
ずれの手法においても、測定対象面が広くなると、測定
用プローブまたは測定対象物体のいずれかを移動しなが
ら測定しなければならず、その結果、前記移動を行わせ
るための機構が必要になり、その機構の加工精度や組立
精度が前記測定精度に重大な影響を及ぼすこととなる。
【0005】これに対して、干渉やモアレ縞など平面測
定に用いられる手法を適用することが考えられるが、測
定対象が図4に示したような不連続なものである場合、
互いに離間した面相互における高さの相対的関係を検知
することができないといった問題がある。
【0006】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、測定対象面が連続しているとき
は勿論のこと、測定対象面が不連続であっても、その高
さや傾き具合を精度よく測定することができる面状態測
定装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の面状態測定装置は、測定対象物体の表面
にレーザ光を二次元的に走査しながら所定の角度で照射
し、そのとき前記表面において生ずる反射光を径が小さ
くなるように収束した後、二つの光路に分岐し、一方の
光路に前記反射光の入射位置を検出するディテクタを設
け、他方の光路にfθレンズおよびこのfθレンズの焦
点位置に検出面を有するディテクタを設け、これら両デ
ィテクタの出力に基づいて前記表面における形状を測定
するようにしている。
【0008】上記構成の面状態測定装置においては、一
方のディテクタによって反射光の位置および傾きに関す
る情報が得られ、他方のディテクタによって反射光の傾
きに関する情報が得られる。したがって、これらの情報
から反射面の高さ位置および傾きが判るので、測定対象
面の高さおよび傾き、すなわち、測定対象面における形
状など面状態を測定することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を図面を参照し
ながら説明する。図1〜図3は、この発明の一つの実施
の形態を示すものである。そして、図1は、この発明の
面状態測定装置の構成を概略的に示すもので、この図1
において、1は測定対象物体(以下、サンプルという)
2を載置する載置台である。3はサンプル2の上面にレ
ーザ光4を照射する光照射部で、レーザ光源5、レーザ
光4をサンプル2に対してその二次元方向に所定の入射
角で走査するための二次元走査ミラー6、走査されたレ
ーザ光4を平行光としてサンプル2に照射するためのレ
ンズ7とからなる。
【0010】なお、二次元走査ミラー6としては、1つ
のミラーを二次元的に振動させるようにしてあってもよ
く、また、2つのガルバノミラーを組み合わせたものを
それぞれ一次元的に振動させるようにしてあってもよ
い。
【0011】8は前記光照射部3によってサンプル2に
照射されたレーザ光4がサンプル2の表面において反射
した光9を集光するところの光縮小光学系で、サンプル
2の表面において反射した光9をその径を縮小して平行
光10にするレンズ11と、この縮小された平行光10
を平行な状態で後段に通過させるレンズ12とからな
る。
【0012】13は前記光縮小光学系8の後段に設けら
れる例えばハーフミラーよりなるビームスプリッタで、
光縮小光学系8からの縮小平行光10を二つに光路1
4,15に分岐させるものである。そして、一方の光路
(第1光路)14には、縮小された平行光10の位置を
検出するための第1ディテクタ16が設けられている。
また、他方の光路(第2光路)15には、fθレンズ1
7とこのfθレンズ17の焦点位置に検出面を有する第
2ディテクタ18が設けられている。
【0013】前記第1ディテクタ16および第2ディテ
クタ18は、いずれも例えばCCDを二次元的に配置し
た二次元ディテクタアレイよりなり、第1ディテクタ1
6には、反射面の位置およびその傾きの影響を受けた光
が入射する。
【0014】また、fθレンズ17は、図2に示すよう
に、入射する光19〜21は焦点fに等しい距離におい
て光軸23に対して垂直な面24上に結像させる性質を
有するとともに、光軸23に対して平行な光19,20
は光軸23と面24の交点25に結像するが、光軸23
に対して平行ではない光21,22は前記点25から距
離hだけ離れた面上の点26に結像するといった性質を
有している。このとき、光軸と光21,22のなす角度
θと、焦点距離fと前記距離hとの間には、 h=fθ という関係が成り立つ。
【0015】したがって、第2ディテクタ18によれ
ば、焦点距離fが予め既知であるので、距離hが判れ
ば、反射面の傾き(あるいは高さ位置)を求めることが
できる。
【0016】再び図1において、27は例えばパソコン
などの演算装置で、第1ディテクタ16および第2ディ
テクタ18の出力に基づいて演算を行い、サンプル2の
表面の形状を判別するもので、この演算装置27には、
二次元走査ミラー6に対する走査信号が入力され、前記
両ディテクタ16,18の出力信号と関連づけるように
構成されている。
【0017】次に、上記構成の動作について、図3をも
参照しながら説明する。レーザ光源5からのレーザ光4
を二次元走査ミラー6を用いて所定の入射角で、かつ、
サンプル2の表面を所定の間隔で二次元的に走査しなが
ら照射する。この走査間隔は、要求される測定データの
密度によって適宜設定される。
【0018】前記サンプル2の表面で反射した光9は、
光縮小光学系8で所定の径となるように縮小され、この
縮小された光10は、ビームスプリッタ13で二つの光
路14,15に分岐され、第1光路14を進む光は第1
ディテクタ16に入射し、第2光路を進む光はfθレン
ズ17を経て第2ディテクタ18に入射する。
【0019】そして、第2ディテクタ18から得られる
情報は、既に説明したように、fθレンズ17との光学
的関係から、サンプル2における反射光9の傾きであ
る。一方、第1ディテクタ16から得られる情報は、前
記反射光9の位置も含んでいる。したがって、前記両デ
ィテクタ16,18からの情報に基づいて演算すること
により、反射光9の反射点位置が一義的に定められる。
すなわち、第1ディテクタ16上の入射点(光点)が同
じであっても、光の傾きが異なれば、反射点の位置また
は傾きが異なる。逆に、反射光の傾きと位置が判れば、
反射面の位置と傾きが判る。これを図3を参照しながら
説明する。
【0020】図3は、第1ディテクタ16に入射する反
射光を模式的に表すもので、この図3において、ある平
行光30が反射点31において反射した平行光32が第
1ディテクタ16上の点33に入射したとする。このと
き、同じ点33に入射した光であっても、光軸23と平
行でなくある角度θで入射した光は、前記反射点31に
おいて反射したのではなく、前記平行光32と点33に
おいて角度θをなす線34と前記光30を直線的に延長
して交わった点35において反射したものである。
【0021】そして、平行光30が反射点31において
反射しても、その反射点31が仮想線31で示すように
傾いていた場合には、第1ディテクタ16において前記
点33と異なる位置に入射する。
【0022】このように、第2ディテクタ18から得ら
れるサンプル2における反射光9の傾きと、第1ディテ
クタ16から得られ反射光9の位置とによって反射光9
の反射点の位置およびその反射点の傾きが判る。したが
って、サンプル2に対してレーザ光4を走査しながら照
射することにより、サンプル2の表面における高さ位置
および傾き(図1において、サンプル2のX−X方向に
おける傾き)が判る。すなわち、レンズ7を通して走査
されるレーザ光4が照射されたサンプル2の全面におけ
る高さ状態および傾きを測定することができる。この場
合、両ディテクタ16,18で信号を採取した瞬間ごと
に三次元位置を独立して求めることができるので、図4
に示した不連続な面の高さの相対的関係を検知すること
ができる。
【0023】なお、理想光学系の場合、その測定系が持
つ座標系の中で三次元的な位置を完全に求めることがで
きるが、実際には光学系にはレンズの収差など測定要因
があるため、これらの影響を除去できるように予め補正
しておくことが必要である。
【0024】ところで、サンプル2の表面に入射するレ
ーザ光4の角度(図1における角度α)が小さいほど二
次元方向での分解能が高くなり、高さ方向における分解
能は低くなる。逆に、前記角度αが大きいと、二次元方
向での分解能が低くなり、高さ方向における分解能は高
くなる。したがって、その検査目的や用途に応じて、サ
ンプル2の表面に入射するレーザ光4の角度αを決定す
る必要がある。
【0025】上述したように、この発明の面状態測定装
置においては、サンプル2に対して機械的なプローブを
接触させたり、サンプル2を機械的構成によって二次元
的に移動させるのではなく、コヒーレントなレーザ光4
をサンプル2に対して二次元的に照射して、そのとき得
られる反射光の位置と光軸に対する傾きを求め、これら
のデータに基づいてサンプル2の表面の形状を測定する
ものであるから、広い範囲を高精度に測定することがで
きるとともに、不連続な小平面の高さを互いに相対的な
関係をもって測定することができる。
【0026】したがって、この発明の面状態測定装置
は、二次元的な広がりをもつ面積が比較的大きな平面や
鏡面における平坦度の測定に有用であるとともに、冒頭
に述べたウェーハチャックのように小平面が不連続な状
態で並ぶような物体の表面の測定にも有用である。
【0027】なお、上述の実施の形態においては、サン
プル2のX−X方向における傾きの検出について説明し
ているが、この発明はこれに限られるものではなく、前
記X−X方向と垂直な方向、つまり、サンプル2の紙面
に垂直な方向における傾きについても同様にして検出す
ることができる。
【0028】また、サンプル2の表面にレーザ光4を二
次元的に走査しながら照射する手法として、上記二次元
走査ミラー6に代えて、液晶シャッタアレイを用いても
よい。すなわち、図1において、レーザ光源5を二次元
走査ミラー6の位置に設け、このレーザ光源5とレンズ
7の間にビームエキスパンダを配置するとともに、レン
ズ7とサンプル2との間に液晶シャッタアレイを配置
し、レーザ光源5からのレーザ光4をサンプル2の大き
さに見合うように二次元的に拡大し、レンズ7で平行光
としたものを、液晶シャッタアレイを適宜開閉制御する
ことにより、サンプル2の表面にレーザ光4を二次元的
に照射するのである。
【0029】
【発明の効果】この発明の面状態測定装置によれば、測
定対象面が連続しているときは勿論のこと、測定対象面
が不連続であっても、その高さや傾き具合を精度よく測
定することができる。したがって、比較的広い面積の平
面は勿論のこと、表面に小平面が連続的にあるような物
体の表面形状を精度よく測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の面状態測定装置の構成の一例を概略
的に示す図である。
【図2】前記装置において用いるfθレンズの働きを説
明するための図である。
【図3】前記装置の測定原理を概略的に説明するための
図である。
【図4】前記装置によって測定されるウェーハチャック
盤の一例を示し、(A)は上面図、(B)は縦断面図で
ある。
【符号の説明】
2…測定対象物体、4…レーザ光、9…反射光、14,
15…分岐光路、16,18…ディテクタ、17…fθ
レンズ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 測定対象物体の表面にレーザ光を二次元
    的に走査しながら所定の角度で照射し、そのとき前記表
    面において生ずる反射光を径が小さくなるように収束し
    た後、二つの光路に分岐し、一方の光路に前記反射光の
    入射位置を検出するディテクタを設け、他方の光路にf
    θレンズおよびこのfθレンズの焦点位置に検出面を有
    するディテクタを設け、これら両ディテクタの出力に基
    づいて前記表面における形状を測定するようにしたこと
    を特徴とする面状態測定装置。
JP17294497A 1997-06-14 1997-06-14 面状態測定装置 Pending JPH116722A (ja)

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JP17294497A JPH116722A (ja) 1997-06-14 1997-06-14 面状態測定装置

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