TWM565944U - 水平式光通訊次組件的散熱結構 - Google Patents

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Abstract

本創作提供一種水平式光通訊次組件的散熱結構，包括一T型管座、以及一散熱支持插件。該T型管座包括一基座、以及一設置於該基座一側並由該基座一側垂直延伸的舌座。該基座相應於該舌座上下兩側的位置分別具有一第一穿件孔、以及一第二穿件孔。該散熱支持插件包括一支持配重塊、以及一設置於該支持配重塊上並由該支持配重塊朝一側延伸的延伸部，該延伸部係插入該第二穿件孔以結合於該舌座的底側，並由該支持配重塊支撐該T型管座以令該T型管座上的舌座呈水平擺放。

Description

水平式光通訊次組件的散熱結構
本創作係有關於一種光通訊次組件散熱結構，尤指一種用以支持光通訊次組件水平放置並同時達到散熱效果的光通訊次組件散熱結構。
光纖通訊(Fiber-optic communication)是指一種利用光與光纖(optical fiber)傳遞資訊的一種方式，屬於有線通訊的一種。光經過調變(modulation)後便能攜帶資訊。
由於光纖具有高速傳輸以及低傳輸損失的特性，現在許多國家已普遍採用光纖作為網路系統主要的傳輸工具，在目前資訊傳輸量越來越大且使用者對網路要求更為快速的情形下，光纖的傳輸數據量已逐漸不敷使用。為了因應龐大的傳輸數據量，高頻傳輸的使用係為必然的趨勢。
然而，電子零件於高頻傳輸的條件下，容易產生大量的熱，尤其是雷射二極體(Laser Diode,LD)。雷射二極體於工作時係產生大量的熱，而這些熱如果未能夠即時的排除，容易造成熱累積使雷射二極體的溫度升高，而雷射二極體的特性曲線容易隨著溫度而變化，若未適時地將熱排除，則會導致雷射二極體 的接面溫度升高，使得自身元件的效能以及壽命降低，必然衍生出元件可靠度的問題，因此有必要針對散熱的問題進行處理藉以提升元件的可靠度。
本創作的主要目的，在於解決光通訊次組件於高頻傳輸時容易產生大量的熱導致元件的效能以及壽命降低的問題。
為達到上述目的，本創作提供一種水平式光通訊次組件的散熱結構，包括一T型管座、以及一散熱支持插件。該T型管座包括一基座、以及一設置於該基座一側並由該基座一側垂直延伸的舌座。該基座相應於該舌座上下兩側的位置分別具有一第一穿件孔、以及一第二穿件孔。該散熱支持插件包括一支持配重塊、以及一設置於該支持配重塊上並由該支持配重塊朝一側延伸的延伸部，該延伸部係插入該第二穿件孔以結合於該舌座的底側，並由該支持配重塊支撐該T型管座以令該T型管座上的舌座呈水平擺放。
進一步地，該第一穿件孔係供一電路板穿過，並於該第一穿件孔與該電路板間的間隙塗覆有密封膠。
進一步地，該T型管座內係包含有一設置於該舌座上或設置於該延伸部上的光發射器模組。
進一步地，所述的水平式光通訊次組件的散熱結構更進一步包括一覆蓋於該T型管座上的支持件、一設置於該支持件上的Z軸定位座、以及一設置於該Z軸定位座上並耦光至該T型管座內側光發射器模組的光纖插座。
進一步地，該基座的外周緣為圓形，該支持件係為 圓筒型以罩覆於該基座的外側，以構成圓對稱。
進一步地，該Z軸定位座的外周緣為圓形，並結合於該支持件的窗口上，以構成圓對稱。
進一步地，該光纖插座的外周緣為圓形，且該Z軸定位座上插槽的內周緣為圓形，以構成圓對稱。
進一步地，該光纖插座朝向該支持件的一側係具有一插槽、以及一設置於該插槽內的光隔離器。
進一步地，該光隔離器的一側係與該插槽切齊。
進一步地，該舌座上係具有一設置槽開放設置於該延伸部的上側，該光發射器模組係設置於該設置槽上並直接接觸該延伸部。
進一步地，該光發射器模組包括一設置於該延伸部上的致冷晶片、一設置於該致冷晶片上的光發射次模組、以及一設置於該致冷晶片上用以耦光的非球面鏡。
進一步地，該致冷晶片的熱面係貼附於該延伸部，該致冷晶片的冷面係用以承載該非球面鏡及該光發射次模組。
進一步地，光發射次模組包括一設置於該致冷晶片上的次基座、以及一設置於該次基座上的雷射二極體。
進一步地，該舌座包括一第一平面部、以及一第二平面部，該第一平面部係高於該第二平面部並與該第二平面部間具有階差，該電路板的訊號連接部係設置於該第一平面部上以電性連接至該光發射次模組，該電路板的電源連接部由該第一平面部延伸至該第二平面部並與該致冷晶片電性連接。
進一步地，該致冷晶片係以倒置方向封裝於該延伸 部上並經由饋入反向電源使該致冷晶片冷熱面上下逆反以將較大面積的熱面轉換為冷面供該光發射器模組設置，該致冷晶片於倒置後該致冷晶片的電源埠係向下與該電路板上側的電源連接部電性接觸以減少傳輸距離。
是以，本創作係比起習知技術具有以下優勢功效：
1.本創作可以有效改善光發射次模組的散熱問題，同時透過支持配重塊支撐光通訊次組件，使T型管座得以朝水平方向出光，並讓支持配重塊與光收發器殼體間的接觸面積增加進一步提升機構穩定度。
2.本創作的T型管座容易製作，減少習知傳統管座(TO Header)製造或購買的成本與高頻頻寬限制的問題。
3.本創作中光發射次模組與非球面鏡之間的距離可以允許微調，解決習知金屬罐型(TO-CAN)封裝結構中，光發射器與罩覆式透鏡間距離固定，無法再調整耦光距離的問題；此外，公規罩覆式透鏡的選擇較少，於供應鏈的選擇上經常會受到限制。
100‧‧‧光通訊次組件
10‧‧‧T型管座
11‧‧‧基座
111‧‧‧第一穿件孔
112‧‧‧第二穿件孔
12‧‧‧舌座
121‧‧‧設置槽
122‧‧‧第一平面部
123‧‧‧第二平面部
20‧‧‧散熱支持插件
21‧‧‧支持配重塊
22‧‧‧延伸部
30‧‧‧電路板
31‧‧‧尾部
32‧‧‧訊號連接部
33‧‧‧電源連接部
40‧‧‧光發射器模組
41‧‧‧致冷晶片
411‧‧‧電源埠
42‧‧‧光發射次模組
421‧‧‧次基座
422‧‧‧雷射二極體
43‧‧‧非球面鏡
44‧‧‧光感測器
45‧‧‧熱敏電阻
50‧‧‧支持件
51‧‧‧窗口
60‧‧‧Z軸定位座
61‧‧‧插槽
70‧‧‧光纖插座
71‧‧‧插槽
72‧‧‧光隔離器
圖1，本創作光通訊次組件的外觀示意圖。
圖2，本創作光通訊次組件的結構分解示意圖(一)。
圖3，本創作光通訊次組件的結構分解示意圖(二)。
圖4，本創作光通訊次組件的剖面示意圖。
圖5，本創作光通訊次組件的正面示意圖。
有關本創作之詳細說明及技術內容，現就配合圖式說明如下。本創作中的圖式及比例未必按照實際比例繪製，該等 圖式及比例並非用以限制本案的請求範圍，在此先行敘明。
請先參閱「圖1」，係本創作光通訊次組件的外觀示意圖，如圖所示：
本創作的光通訊次組件100係可應用於SWDM(Short Wavelength Division Multiplexing)、PSM4(Parallel Single Mode fiber 4-lane)、CWDM(Coarse Wavelength Division Multiplexing)、DWDM(Dense Wavelength Division Multiplexing)架構上，作為其中獨立的光發射器實施。本創作中光通訊次組件100整體可獨立的拆卸，於其中單顆光通訊次組件100故障時，可以將該光通訊次組件100作為單一零組件進行替換，而無須拆換整個模組。
有關於本創作光通訊次組件的詳細構造，請一併參閱「圖2」及「圖3」，係本創作光通訊次組件的結構分解示意圖(一)及結構分解示意圖(二)，如圖所示：
本創作提供一種水平式光通訊次組件100，包括一T型管座10、一散熱支持插件20、一電路板30、一光發射器模組40、一支持件50、一Z軸定位座60、以及一光纖插座70。
所述的T型管座10包括一基座11、以及一設置於該基座11一側的舌座12，該舌座12係由該基座11一側垂直延伸。 該基座11相應於該舌座12上下兩側的位置分別具有一第一穿件孔111、以及一第二穿件孔112。
所述的散熱支持插件20包括一支持配重塊21、以及一設置於該支持配重塊21上的延伸部22，該延伸部22係由該支持配重塊21朝一側方向延伸。該延伸部22係插入該第二穿件孔 112以結合於該舌座12的底側，並由該支持配重塊21支撐該T型管座10以令該T型管座10上的舌座12呈水平擺放。其中，為了配合T型管座10及支持件50圓對稱的需求，該延伸部22係大致呈半圓形的設計，使該延伸部22配合穿過該支持件50的圓筒狀空間，上側的平面則用以支持舌座12及光發射器模組40。該支持配重塊21可以為長方體、正方體、半圓柱體、四分之一圓柱體等或是其他任何於底側具有平衡用平面的特殊形狀之塊體，於本創作中不予以限制。於一較佳實施態樣中，該支持配重塊21較佳係具有導弧面之四分之一圓柱體，以供電路板30(例如軟板)配合導弧面順勢彎折。於較佳實施態樣中，散熱支持插件20的材料係可以為銅鎢(CuW)，藉以減少垂直堆疊方向及水平方向上因熱膨脹問題產生耦光偏移的問題，除了銅鎢外，該散熱支持插件20亦可以為陶瓷、金屬、合金、複合材料或高導熱低熱膨脹的材料，於本創作中不予以限制。
所述的電路板30係用以電性連接至該T型管件10內的光發射器模組40，其中，基座11上的第一穿件孔111係供該電路板30穿過，使該電路板30的末端形成該光通訊次組件100的尾部31(tail)，利用尾部31與光通訊裝置上的電路板電性連接，以接收光通訊裝置的電源及訊號；於一較佳實施態樣中，該尾部31可以透過連接器或焊接或導電膠等方式連接至光通訊裝置的電路板上，於本創作中不予以限制。為了達到密封的效果，該電路板30與第一穿件孔111之間的間隙可以填入密封膠以構成氣密。於一較佳實施態樣中，該電路板30係可以為印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)、軟性印刷電路板(Flexible Printed Circuit, FPC)、或陶瓷電路板(Ceramic PCB)等，於本創作中不予以限制。
所述的光發射器模組40設置於該舌座12上或設置於該延伸部22上。於本創作中光發射器模組40係指用以產生雷射光訊號所需的所有電子零件，該光發射器模組40係包括例如致冷晶片41(Thermoelectric Cooler,TEC)、光發射次模組42、非球面鏡43(Aspheric Lens)、光感測器44(Monitor Photodiode,MPD)、及熱敏電阻45(Thermistor)等，上述的零件於部分產品中可選擇性地刪減，於本創作中不予以限制。於本實施態樣中，該舌座12上係具有一設置槽121開放設置於該延伸部22的上側，該光發射器模組40(致冷晶片41)係設置於該設置槽121上並直接接觸該延伸部22。於另一較佳實施態樣中，該舌座12的表面係可以為平坦面或突起用以供該光發射器模組40(致冷晶片41)設置，於本實施態樣中，熱傳導路徑會先經過舌座12再傳導至延伸部22。
以下請一併參閱「圖4」，係本創作光通訊次組件的剖面示意圖，如圖所示：
所述的致冷晶片41係用以透過熱電效應(Thermoelectric effect)降低光發射次模組42的溫度，該致冷晶片41係具有冷面及熱面，可以透過控制致冷晶片41正負輸入，變更冷面及熱面的位置。致冷晶片41一側係具有電源埠411，使該致冷晶片41的正面及反面的面積不相同。於過去習知的技術中，均是面積較大的一面(反面作為熱面、面積較小的一面(正面作為冷面，此部分與熱交換效率的考量有關。於較佳實施態樣中，該致冷晶片41的熱面係直接貼附於該延伸部22，可以減少熱傳導 的路徑長度，增加散熱效率；該致冷晶片41的冷面則用以承載該非球面鏡43及該光發射次模組42；於該散熱支持插件20選用銅鎢的實施態樣中，可以有效減少垂直堆疊方向以及水平方向上因熱膨脹問題產生耦光偏移問題。
所述的光發射次模組42設置於該致冷晶片41上，更明確而言，係設置於該致冷晶片41的冷面上，藉由該致冷晶片41吸收光發射次模組42的熱能。於本實施態樣中，所述的光發射次模組42包括一設置於該致冷晶片41上的次基座421、以及一設置於該次基座421上的雷射二極體422，該雷射二極體422係透過次基座421上電路連接至該電路板30，以將該電路板30饋入的訊號轉換為光訊號輸出。於本創作中，所述的雷射二極體422係為邊射型雷射二極體(Edge Emitting Laser Diode)；於另一較佳實施態樣中，可以採用垂直腔面雷射二極體(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)，於此實施態樣中僅需變更次基座42的方向或是另外設置轉折光束的光學元件，透鏡的方向則是對準至軸向的位置上不變。
所述的非球面鏡43係設置於該致冷晶片41上，用以將該雷射二極體422的光訊號耦光至該光纖插座70。本創作採用非球面鏡43作為耦光的手段(或以金屬件支撐的球面透鏡)，並省去透鏡支持罩(圖未示)的設置，簡化習知雙層疊構的設計，減少光路的複雜度，並且克服習知雙層疊構方式對光學與機構容許度(Tolerance)小所衍生的製作困難問題；另一方面雷射二極體422於焊接或黏著在固定位置上時，可以利用非球面鏡43的位置調整，在封蓋前確定雷射二極體422與非球面鏡43間的距離，以增 加耦光良率。於另一較佳實施態樣中，透鏡亦可以放置在支持件50的窗口51上，於本創作中不予以限制。
所述的光感測器44及熱敏電阻45係設置於該雷射二極體422的一側，分別用以監控該雷射二極體422的輸出功率以及該雷射二極體422的溫度。該光感測器44及熱敏電阻45係用以將監控數據回傳至控制器(圖未示)，透過回傳的數據以控制雷射二極體422在較佳的輸出功率與操作溫度。於本實施態樣中，由於光發射次模組42(次基座421)與非球面鏡43係為共平面的設計(均設置於致冷晶片41的冷面上)，該雷射二極體422及該光感測器44則同設置於該次基座421上而為共平面的設計，一方面於固晶(Die Bond)時容易調整位置，另一方面共平面的設計可以有效的控制元件於堆疊高度方向上的公差值。另一方面共平面的設計可減少溫度變化時因材料熱膨脹係數不同而產生的位置誤差，上述結構上的配置非屬本創作所欲限制的範圍。於另一較佳實施態樣中，該光感測器44亦可以直接設置於該致冷晶片41上，於此實施態樣中，該光感測器44可為面收型光感測器，將其立起使收光面對準至該雷射二極體422的後側，另外於此實施態樣中，打線的電極墊較佳應在面收型光感測器44相對接著致冷晶片41的另一側，於打線時可以藉由該致冷晶片41作為憑靠，避免打線時光感測器44斷裂，於本創作中不予以限制。
以下請復一併參閱「圖1」至「圖4」，所述的支持件50係覆蓋並結合於該T型管座10上，該支持件50係用以設置該Z軸定位座60及該光纖插座70，以便利用光纖插座70與光纖(圖未示)進行連接。所述的Z軸定位座60係設置於該支持件50 的窗口51上，並於該Z軸定位座60上具有一插槽61，供該光纖插座70插入設置。所述的光纖插座70係耦光至該T型管座10內側的光發射器模組40，該光纖插座70朝向該支持件50的一側係具有一插槽71、以及一設置於該插槽71內的光隔離器72。於一較佳實施態樣中，該光隔離器72的一側係與該插槽71切齊，避免該光隔離器72相對該插槽71突出時影響Z軸定位座60於XY平面上的耦光。於另一較佳實施態樣中，可以將窗口51的空間配置的更大，增加光隔離器72於空間中的可移動範圍降低耦光難度，於本實施態樣中，光隔離器72的一側則不一定要與該插槽71切齊。於一較佳實施態樣中，為增加該支持件50的氣密性，於該支持件50內窗口51的位置上係可以設置玻璃片或濾波片以增加氣密效果。
於進行耦光校準時，先確定該雷射二極體422與非球面鏡43之間的距離，並於移動至最佳耦光位置時將該非球面鏡43固晶於該致冷晶片41的冷面上；於雷射二極體422及非球面鏡43之間的距離確定後，將支持件50與T型管座10做雷射焊接結合，然後該光纖插座70插入該Z軸定位座60的插槽61，並移動該Z軸定位座60至最佳的耦光位置(X、Y、Z軸方向先完成校準)並雷射或電阻焊接固定該光纖插座70及該Z軸定位座60(Z軸定位)；最後，將該光纖插座70與Z軸定位座60的組合體沿窗口51平面移動(X、Y軸方向完成校準)，以校準至最佳耦光位置，並執行Z軸定位座60與支持件50之間的雷射或電阻焊接(X、Y軸定位)。
為了便於雷射或電阻焊接，該T型管座10的基座11 的外周緣為圓形，該支持件50係為圓筒型以罩覆於該基座11的外側，藉以於焊接的位置上構成圓對稱；同樣地，該Z軸定位座60的外周緣亦可為圓形，於焊接的位置上構成圓對稱；該光纖插座70的外周緣為圓形，且該Z軸定位座60上插槽61的內周緣為圓形，於焊接的位置上構成圓對稱；於圓對稱的情況下，雷射或電阻焊接裝置於工作時與焊點之間可以維持相同間距，避免因為焊接功率強度不等導致溫度不均進一步造成結構不穩定的問題。
除了利用雷射焊接的方式外，為了增加支持件50與T型管座10結合接面的氣密性，亦可以採用電阻焊的方式將該支持件50結合於該T型管座10上。
請一併參閱「圖5」，係本創作光通訊次組件的正面示意圖，如圖所示：
為了減少電路板30與次基座421上元件之間的距離(以最短的距離連接線路)，該舌座12包括一第一平面部122、以及一第二平面部123，該第一平面部122係高於該第二平面部123並與該第二平面部123間具有階差。該電路板30相對該尾部31(如圖4所示)的一端係具有一訊號連接部32以及一電源連接部33，該訊號連接部32係設置於該第一平面部122上藉以與該次基座421(或該雷射二極體422(如圖4所示)、光感測器44、熱敏電阻45)齊平，並電性連接至該光發射次模組42的電子零件，經由上述的結構，可大幅地縮減與零件之間的距離，有助於解決打線(wire bond)或銲晶製程(die bond)下阻抗匹配以及RF干擾的問題；該電路板30的電源連接部33由該第一平面部122延伸至該第二平面部123並與該致冷晶片41電性連接；由於高頻訊號與直流訊 號分別走上下兩條不同的路徑(第一平面部122、第二平面部123)，可以使高頻訊號與直流訊號間保持分離並保持高頻訊號的完整性。於本實施態樣中，致冷晶片41係轉向左側方向的位置(相對圖2而言)，惟，所述的致冷晶片41依據配置的需求轉向右側或後側方向，於本創作中不予以限制。於轉向後側方向時，設置槽121必須配合致冷晶片41向後延伸，以便次基座421靠近於該電路板30的訊號連接部32。
於較佳的實施態樣中，為增加該支持件50內側的空間，同時增加致冷晶片41可放置零件的數量，該致冷晶片41係以倒置方向封裝並經由饋入反向電源使該致冷晶片41冷熱面上下逆反，以將較大面積的熱面轉換為冷面供該光發射器模組40設置。該致冷晶片41於倒置後其電源埠411係朝向下方的位置，透過設計該第二平面部123的高度，可以使該致冷晶片41的電源埠411稍微高於該電路板30的電源連接部33，藉此，可透過焊接或是透過導電材料將該電路板30的電源連接部33上側直接電性接觸於該致冷晶片41的電源埠411上，減少傳輸距離。
綜上所述，本創作可以有效改善光發射次模組的散熱問題，同時透過支持配重塊支撐該光通訊次組件，使該T型管座得以朝水平方向出光，並讓支持配重塊與光收發器殼體間的接觸面積增加進一步提升機構穩定度。此外，本創作的T型管座容易製作，減少習知傳統管座(TO Header)製造或購買的成本與高頻頻寬限制的問題。再者，本創作中光發射次模組與非球面鏡之間的距離可以允許微調，解決習知金屬罐型(TO-CAN)封裝結構中，光發射器與罩覆式透鏡間距離固定，無法再調整耦光距離的 問題；此外，公規罩覆式透鏡的選擇較少，於供應鏈的選擇上經常會受到限制。
以上已將本創作做一詳細說明，惟以上所述者，僅為本創作之一較佳實施例而已，當不能以此限定本創作實施之範圍，即凡依本創作申請專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應仍屬本創作之專利涵蓋範圍內。

Claims (15)

  1. 一種水平式光通訊次組件的散熱結構，包括：一T型管座，包括一基座、以及一設置於該基座一側並由該基座一側垂直延伸的舌座，該基座相應於該舌座上下兩側的位置分別具有一第一穿件孔、以及一第二穿件孔；以及一散熱支持插件，包括一支持配重塊、以及一設置於該支持配重塊上並由該支持配重塊朝一側延伸的延伸部，該延伸部係插入該第二穿件孔以結合於該舌座的底側，並由該支持配重塊支撐該T型管座以令該T型管座上的舌座呈水平擺放。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該第一穿件孔係供一電路板穿過，並於該第一穿件孔與該電路板間的間隙塗覆有密封膠。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該T型管座內係包含有一設置於該舌座上或設置於該延伸部上的光發射器模組。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，更進一步包括一覆蓋於該T型管座上的支持件、一設置於該支持件上的Z軸定位座、以及一設置於該Z軸定位座上並耦光至該T型管座內側該光發射器模組的光纖插座。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該基座的外周緣為圓形，該支持件係為圓筒型以罩覆於該基座的外側，以構成圓對稱。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該Z軸定位座的外周緣為圓形，並結合於該支持件的窗口上，以構成圓對稱。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該光纖插座的外周緣為圓形，且該Z軸定位座上插槽的內周緣為圓形，以構成圓對稱。
  8. 如申請專利範圍第4項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該光纖插座朝向該支持件的一側係具有一插槽、以及一設置於該插槽內的光隔離器。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該光隔離器的一側係與該插槽切齊。
  10. 如申請專利範圍第3項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該舌座上係具有一設置槽開放設置於該延伸部的上側，該光發射器模組係設置於該設置槽上並直接接觸該延伸部。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該光發射器模組包括一設置於該延伸部上的致冷晶片、一設置於該致冷晶片上的光發射次模組、以及一設置於該致冷晶片上用以耦光的非球面鏡。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該致冷晶片的熱面係貼附於該延伸部，該致冷晶片的冷面係用以承載該非球面鏡及該光發射次模組。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該光發射次模組包括一設置於該致冷晶片上的次基座、以及一設置於該次基座上的雷射二極體。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該舌座包括一第一平面部、以及一第二平面部，該第一平面部係高於該第二平面部並與該第二平面部間具有階差，該電路板的訊號連接部係設置於該第一平面部上以電性連接至該光發射次模組，該電路板的電源連接部由該第一平面部延伸至該第二平面部並與該致冷晶片電性連接。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的水平式光通訊次組件的散熱結構，其中，該致冷晶片係以倒置方向封裝並經由饋入反向電源使該致冷晶片冷熱面上下逆反以將較大面積的熱面轉換為冷面供該光發射器模組設置，該致冷晶片於倒置後該致冷晶片的電源埠係向下與該電路板上側的電源連接部電性接觸以減少傳輸距離。
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