CN109473866B - 一种具有加热功能的to-can发射组件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有加热功能的TO‑CAN发射组件，通过将加热电阻设置在凸台上靠近DML芯片在凸台侧面的投影区域位置设置，当环境温度低于低温极限温度时进行加热，将热量传导给DML芯片，使DML芯片温度上升到低温极限温度以上；当环境温度高于低温极限时，加热电阻停止发热，DML芯片通过热沉往外传导热量，最终使DML芯片能够在工业级温度范围内使用。本发明提出了一种新式的加热电阻设置结构，相比较现有的复杂的TEC控制方式，本发明适用于仅对TO‑CAN发射组件进行单向温度控制，只需给电阻供电，控制电路简单；相比较现有的在发射组件的底座外设置加热电阻片的方式而言，本发明的结构能够实现更快的温控响应。

Description

一种具有加热功能的TO-CAN发射组件
【技术领域】
本发明涉及激光器技术领域，特别是涉及一种具有加热功能的TO-CAN发射组件。
【背景技术】
现有的成熟通用的激光器管芯的输出波长存在一种温度特性，即输出波长随温度的变化发生漂移，漂移系数约为0.1nm/℃。在工业级全温度范围(-40～+85℃)内，相对室温25℃而言，高温波长漂移6nm，低温波长漂移6.5nm，同时室温波长自身偏差正负3nm，所以实际极限波长偏移高达9.5nm。而对于光纤通信系统来讲，为保证高质量的稳定通信，不同信道的波长之间需要有一定的间隔。稀疏波分复用CWDM(Coarse Wavelength DivisionMultiplexing，简写为CWDM)通信系统的波长间隔为20nm，因此是一种较低成本的光通信网络解决方案，为确保通道之间不能相互干扰，系统商通常要求单通道波长漂移不超过6.5nm。显然，现有激光器的实际极限波长漂移9.5nm远远不能满足系统商要求的6.5nm。为了解决上述激光器的这种温度特性在光通信系统的应用上带来的困难，需要对激光器工作时的环境温度进行控制，缩小温度范围。一种方案是给激光器发射组件添加热电制冷器TEC(Thermo Electric Cooler，简写为TEC)对激光器的工作进行双向控制，这种方案的光电器件体积大，功耗、成本高，同时在使用时需要对TEC增加控制电路和相应的驱动器，使得系统比较复杂，设计难度加大。另一种方案是用加热器替代TEC，在环境温度过低时控制电路给加热器供电使其发热，对激光器工作时的温度进行单项控制，达到缩小温度范围的目的。
目前，有利用在光电发射组件外部贴装加热薄片，缠绕加热电阻丝，通过热传导的方式将热量从器件外围传递到内部给激光器管芯加热的方案，这种方案热传导效率低功耗大。也有将加热装置集成在TO-CAN里面的方案，这种方案或者将加热装置放置在管帽的端面基板上，或者与激光器管芯一起放置在热隔离基板上。前者虽然将加热装置从组建外部引入到组件内部，但是与激光器管芯相距甚远，与外置加热器没有本质的区别；后者将加热器与激光器管芯放置在同一基板上，但是所采用的热隔离基板会阻碍管芯的散热，使得组件适应高温环境的工作能力降低。
鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本技术领域亟待解决的问题。
【发明内容】
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种具有加热功能的TO-CAN发射组件，其能够满足稀疏波分复用CWDM(Coarse Wavelength Division Multiplexing，简写为稀疏波分复用)通信系统的光电发射组件工业级宽温应用的需求，同时又兼容常规的TO-CAN封装，易于实现，成本低。
本发明采用如下技术方案：
本发明提供了一种具有加热功能的TO-CAN发射组件，包括金属基座、加热电阻、热沉、激光器芯片，所述金属基座上设置有凸台和两极管脚，所述热沉固定在所述凸台上且位于所述两极管脚和所述凸台之间，其中，所述热沉位于所述两极管脚侧的表面上的第一导电电极和第二导电电极，分别与所述两极管脚耦合相连；
所述加热电阻设置于所述凸台上，所述加热电阻靠近所述激光器芯片在所述凸台侧面的投影区域位置设置，所述加热电阻用于给所述激光器芯片加热。
优选的，所述凸台上表面为一平面时，所述加热电阻设置于所述凸台上，所述加热电阻靠近所述激光器芯片在所述凸台侧面的投影区域位置设置，具体包括：
所述加热电阻设置于所述凸台上表面，且所述加热电阻靠近所述凸台侧面的一边的中间位置，与所述激光器芯片在所述凸台侧面的投影区域的中间位置相对应。
优选的，所述凸台用于固定所述热沉的侧面上设置有第一凹槽时，所述加热电阻设置于所述凸台上，所述加热电阻靠近所述激光器芯片在所述凸台侧面的投影区域位置设置，具体包括：
所述加热电阻设置于所述凸台第一凹槽内，所述第一凹槽上表面为敞口，所述加热电阻的一电极与凸台耦合连接，另一个电极通过导线经由所述第一凹槽上表面与金属基座上的相应管脚连接，所述第一凹槽的深度满足上述加热电阻侧面与所述激光器芯片在所述凸台侧面的投影区域实现重合或者部分重合。
优选的，所述凸台用于固定所述热沉的侧面上设置有第二凹槽时，所述加热电阻设置于所述凸台上，所述加热电阻靠近所述激光器芯片在所述凸台侧面的投影区域位置设置，具体包括：
所述加热电阻设置于所述凸台第二凹槽内，所述加热电阻的一电极与凸台耦合连接，另一个电极与热沉上的、且位于所述凸台侧的第四导电电极耦合连接；
所述第二凹槽的深度满足上述加热电阻侧面与所述激光器芯片在所述凸台侧面的投影区域实现重合或者部分重合。
优选的，所述热沉具有由第一厚度部分和第二厚度部分构成的L型热沉结构；其中，第二厚度部分比所述第一厚度部分厚；
所述凸台一端的第一侧平面与管脚之间设置有第一间隙，所述第一间隙用于容纳固定在所述凸台侧面的L型热沉结构的第一厚度部分；
所述凸台侧面的另一端设置有第二侧平面，所述第二侧平面与管脚和管脚相邻，所述第一厚度部分与所述第二厚度部分相邻的表面分别于所述凸台的第一侧平面和所述第二侧平面贴合；所述第二厚度部分的大小使所述第二厚度部分正好位于所述管脚和管脚之间；其中，所述管脚和管脚分别与热沉上的第一导电电极和第三导电电极耦合连接；
所述热沉第一厚度部分背面固定在所述凸台的第一侧面耦合固定，且所述热沉垂直于所述第一厚度部分背面的第三侧平面与所述凸台的第二侧平面耦合固定，所述热沉第二厚度部分背面的第三导电电极与所述第二管脚耦合连接。
优选的，所述加热电阻侧面位于所述激光器芯片在所述凸台第一侧平面的投影区域，所述加热电阻分别与所述热沉第一厚度部分的背面耦合连接。
优选的，所述热沉为氮化铝陶瓷材料、氧化铝陶瓷材料、碳化硅陶瓷材料、氮化硼陶瓷材料、氧化铍陶瓷材料或者四氮化三硅陶瓷材料。
优选的，所述发射组件还包括监控芯片和陶瓷基板，所述监控芯片设置于所述陶瓷基板上，所述金属基座设置有凹槽，所述陶瓷基板位于所述金属基座的凹槽内。
优选的，所述加热电阻和所述热沉的耦合面之间填充有导热胶。
优选的，所述TO-CAN发射组件适用于TO封装，还包括盖帽，其中，所述盖帽与所述金属基座耦合，并且所述盖帽的出光口处设置有透镜。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明在金属基座的凸台上设置加热电阻，热沉位于所述凸台和金属基座的两极管脚之间，所述热沉上设置有激光器芯片，所述加热电阻靠近激光器芯片在凸台侧面的投影区域位置设置，所述加热电阻用于在环境温度低于激光器芯片工作低温极限时，进行加热通过热沉以热传导方式给激光器芯片加热，使激光器芯片温度上升到低温极限以上；当环境温度高于低温极限时，加热电阻停止发热，激光器芯片通过热沉往外传导热量，最终使激光器芯片能够在工业级温度范围内使用。本发明提出了一种新式的加热电阻设置结构，相比较现有的复杂的TEC控制方式，本发明适用于仅对TO-CAN发射组件进行单向温度控制，只需给电阻供电，控制电路简单；相比较现有的在发射组件的底座外设置加热电阻片的方式而言，本发明的结构能够实现更快的温控响应。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件的框架示意图；
图2是本发明实施例二提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件的结构示意图一；
图3是本发明实施例二提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件中热沉的正面结构示意图；
图4是本发明实施例二提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件各组件的管脚连接示意图；
图5是本发明实施例三提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件的结构示意图二；
图6是本发明实施例四提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件的结构示意图三；
图7是本发明实施例四提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件中金属基座的结构示意图；
图8是本发明实施例四提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件中热沉的正面结构示意图；
图9是本发明实施例四提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件中热沉的背面结构示意图；
图10是本发明实施例四提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件的管脚连接示意图；
图11是本发明实施例五提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件的封装结构示意图。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，术语“内”、“外”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不应当理解为对本发明的限制。
在本发明各实施例中，符号“/”表示同时具有两种功能的含义，例如“第二进/出光口”表明该端口既可以进光也可以出光。而对于符号“A和/或B”则表明由该符号连接的前后对象之间的组合包括“A”、“B”、“A和B”三种情况，例如“背向散射光和/或反射光”，则表明其可以表达单独的“背向散射光”，单独的“反射光”，以及“背向散射光和反射光”三种含义中的任意之一。
在本发明各实施例中，“耦合连接”表示具有导电连接的含义，“耦合固定”表示具有固定连接的含义。
此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
实施例一:
本发明实施例一提供了一种具有加热功能的TO-CAN发射组件，应用于CWDM光通信网络所用的光电发射组件，如图1所示，图1是本发明实施例一提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件的框架示意图，包括金属基座100、加热电阻200、热沉400、激光器芯片500、监控芯片600和陶瓷基板700，所述金属基座100设置有凸台300以及两极管脚(110,111)，所述热沉400固定在所述金属基座100上且位于所述两极管脚(110,111)和所述凸台300之间，所述热沉400位于所述两极管脚(110，111)侧的表面(正面)上的第一导电电极和第二导电电极，分别与所述两极管脚(110，111)耦合连接，所述监控芯片600位于所述陶瓷基板700上，所述陶瓷基板700设置于所述金属基座100上，所述激光器芯片500设置于所述热沉400正面设定区域，其中，所述热沉400正面设定区域为预置焊料区，用于将所述激光器芯片500贴装在热沉上。
上述激光器芯片500可以为直接调制半导体激光器DML芯片(Directly ModulatedSemiconductor Laser，简写为DML)，监控芯片600可以为监控探测器芯片MPD芯片(MonitorPhotodiode，简写为MPD)，以下分别以DML芯片500和MPD芯片600进行说明。
所述加热电阻200设置于所述凸台300上，所述加热电阻200靠近所述DML芯片500在所述凸台300侧面的投影区域设置，可以是位于所述投影区域的上方设置，也可以是所述加热电阻200的一个侧面位于所述DML芯片500在所述凸台300侧面的投影区域。
在发明实施例一中当环境温度低于预定温度时，预定温度是指市场上普遍使用的成熟激光器管芯的低温极限温度，加热电阻200进行发热，通过热沉400以热传导的方式间接给DML芯片500加热，使DML芯片500温度上升到低温极限温度以上；当环境温度高于低温极限时，低温极限指市场上普遍使用的成熟激光器管芯的低温极限温度，加热电阻200停止发热，DML芯片500通过热沉往外传导热量，最终使DML芯片500能够在工业级温度范围内使用。
本发明提出了一种新式的加热电阻设置结构，相比较现有的复杂的TEC控制方式，本发明适用于仅对TO-CAN发射组件进行单向温度控制，只需给电阻供电，控制电路简单；相比较现有的在发射组件的底座外设置加热电阻片的方式而言，本发明的结构能够实现更快的温控响应。
实施例二:
本发明实施例二提供了一种具有加热功能的TO-CAN发射组件，应用于CWDM光通信网络所用的光电发射组件，其中，加热电阻设置在金属基座凸台的上表面，靠近所述激光器芯片在所述凸台侧面的投影区域位置设置，目的是为了使加热电阻散发的热量能够高效的传导给激光器芯片。
结合图2、图3和图4进行说明，图2为本发明实施例二提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件的结构示意图，图3是本发明实施例二提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件中热沉的正面结构示意图，图4是本发明实施例二提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件各组件的管脚连接示意图。
本发明实施例二提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件包括金属基座100、加热电阻200、热沉400、激光器芯片500、监控芯片600和陶瓷基板700，其中，激光器芯片500可以为直接调制半导体激光器DML芯片(Directly Modulated Semiconductor Laser，简写为DML)，监控芯片600可以为监控探测器芯片MPD芯片(Monitor Photodiode，简写为MPD)，以下分别以DML芯片500和MPD芯片600进行说明。
所述金属基座100设置有凸台300以及两极管脚(110，111)，所述热沉400位于所述凸台300与两极管脚(110，111)之间，其中，所述热沉400位于所述两极管脚(110，111)侧的表面(正面)上的第一导电电极和第二导电电极，分别与所述两极管脚(110,111)耦合相连；所述加热电阻200设置在所述凸台300的上表面，所述凸台300的上表面为一平面，所述加热电阻200设置于所述凸台300上表面，且所述加热电阻200靠近所述凸台300侧面的一边的中间位置，与所述DML芯片500在所述凸台300侧面的投影区域的中间位置相对应。此时，加热电阻200工作散发热量传递到DML芯片500的路径为凸台300、热沉400到DML芯片500，因为，DML芯片500的表面需要打线，无法形成有效的直接加热区域，而DML芯片500与热沉400贴装的表面实现了有效的热耦合，外加热沉400具有很好的导热特性，因此，这是热传导效率最高的，其中，加热电阻200与凸台300上表面以导电银浆耦合连接。所述DML芯片500设置于所述热沉400正面设定区域上，其中，所述热沉400正面设定区域为预置焊料区，用于将所述DML芯片500贴装在热沉400上；所述MPD芯片600位于所述陶瓷基板700上，所述陶瓷基板700位于金属基座100上。
在本发明实施例二中，所述热沉400正面左侧410和右侧420嵌在金属基座100上，且位于凸台300和两极管脚(110,111)之间，热沉400的背面镀有接地导电层和金锡焊料层(图3中未示出)，用于与凸台300导电连接，热沉400的正面左侧410和右侧420分别于两极管脚(110，111)导电连接；其中，所述正面左侧410和右侧420分的导电层分别用于耦合DML芯片500的供电接口，使得所述两极管脚(110，111)与DML芯片500完成电器连接。其中，所述热沉400为矩形结构。
在本发明实施例二中，金属基座100的两级管脚(110，111)和凸台300之间插入带有薄膜电路的热沉400，用于传输DML芯片500的差分驱动信号；其中，热沉400采用氮化铝陶瓷材料、氧化铝陶瓷材料、碳化硅陶瓷材料、氮化硼陶瓷材料、氧化铍陶瓷材料或者四氮化三硅陶瓷材料，热沉400上设计薄膜金属电路，作为阻抗传输线。
所述陶瓷基板700设置于金属基座100上，以所述陶瓷基板700为氮化铝陶瓷基板700为例进行说明。所述MPD芯片600设置于所述氮化铝陶瓷基板700上，所述金属基座100上设置有凹槽，所述氮化铝陶瓷基板700位于所述凹槽内，所述MPD芯片600用导电银浆贴装在所述氮化铝陶瓷基板700上，所述MPD芯片600为矩形结构，所述MPD芯片600的光敏面外圆与所述MPD芯片600的矩形边相切，其中，所述MPD芯片600的一矩形边与所述热沉400的正面相平行。
在本发明实施例二中，所述热沉400背面连接所述凸台300一侧面，该凸台300侧面为一平面，所述凸台300的其它侧面可以是半圆面，也可以是椭圆面，也可是扇形面，也可以是多个不同面组成的侧面，在此不做过多限定，本领域技术人员在凸台300其它侧面所做的改进，均属于本发明保护范围之内。
在本发明实施例二中，所述热沉400正面预先设置有焊料区，所述DML芯片500采用共晶焊贴装在所述热沉400的预置焊料区。
如图3所示，所述热沉400正面左侧410和右侧420通过溅射生长有导电层，用于为固定在热沉400正面预置焊料区的DML芯片500提供驱动信号的导通路径。其中，存在一种可选的实现方式，热沉400正面和背面均预溅射焊料设计(除此以外，热沉400的背面也可以通过胶水粘连的方式固定在凸台300上)，通常正面焊料熔点高于背面焊料；在具体实现过程中，一般先将热沉400进行固定在两极管脚(110，111)和凸台300的操作，再将DML芯片500通过共晶焊和金丝键合固定在热沉400上。
所述热沉300制作的厚度正好满足嵌入在由两极管脚(110，111)和凸台300侧面构成的空间区域，这是因为加热电阻200要通过热沉400传导热量，以便于环境温度低于工作低温极限温度后，加热电阻200能够将热量通过热沉400传导给DML芯片500。其中，加热电阻200的覆盖面积可以适当设计，以对DML芯片500传导热量的效果、加热电阻的贴装效率和发射组件的成品率来评估。
在本发明实施例二中，氮化铝陶瓷基板700通过金丝键合与第三管脚130实现连接；MPD芯片600通过底面连接氮化铝陶瓷基板700上表面，再通过氮化铝陶瓷基板700上表面金丝键合第三管脚130实现导电连接，MPD芯片600上表面通过金丝键合方式与金属基座100实现接地连接；DML芯片500通过金丝键合与热沉400上的薄膜电路实现连接，间接实现与两极管脚(110，111)实现连接，所述两极管脚(110，111)用于为DML芯片500提供激光驱动信号；所述加热电阻200通过金丝键合与第二管脚120实现连接。其中，加热电阻200的接地极则是通过凸台300-金属底座100的导电通路完成。
在本发明实施例二提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件中，将加热电阻贴装在DML芯片在凸台侧平面投影区域的正上方，当环境温度低于工作低温极限温度时，加热电阻进行加热，将热量依次通过凸台、热沉传导给DML芯片，使DML芯片上升到低温极限温度以上；当环境温度高于低温极限时，加热电阻停止发热，DML芯片通过热沉往外传导热量，最终使DML芯片能够在工业级温度范围内使用。本发明实施例二提出了一种新式的加热电阻设置结构，相比较现有的复杂的TEC控制方式，本发明适用于仅对TO-CAN发射组件进行单向温度控制，只需给电阻供电，控制电路简单；相比较现有的在发射组件的底座外设置加热电阻片的方式而言，本发明的结构能够实现更快的温控响应。
实施例三:
本发明实施例三提供了一种具有加热功能的TO-CAN发射组件，应用于CWDM光通信网络所用的光电发射组件，其中，与本发明实施例二不同之处在于，加热电阻嵌入设置在金属基座凸台的第一凹槽内，位于激光器芯片在凸台侧平面的投影区域设置，相比于本发明实施例二，本发明实施例三中加热电阻给激光器芯片的热传导路径缩短了，能够使加热电阻散发的热量能够更加高效的传导给激光器芯片。
结合图3和图5进行说明，图5是本发明实施例三提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件的结构示意图二，包括金属基座100、加热电阻200、热沉400、激光器芯片500、监控芯片600和陶瓷基板700，其中，激光器芯片500可以为直接调制半导体激光器DML芯片(Directly Modulated Semiconductor Laser，简写为DML)，监控芯片600可以为监控探测器芯片MPD芯片(Monitor Photodiode，简写为MPD)，以下分别以DML芯片500和MPD芯片600进行说明。
所述金属基座100设置有凸台300以及两极管脚(110，111)，所述热沉400位于所述凸台300与两极管脚(110，111)之间，其中，所述热沉400位于所述两极管脚(110，111)侧的表面(正面)上的第一导电电极和第二导电电极，分别与所述两极管脚(110,111)耦合相连；所述加热电阻200设置在所述凸台300第一凹槽内，加热电阻200嵌入设置在金属基座100的凸台300的第一凹槽内，第一凹槽上表面为敞口，所述加热电阻200的一电极与凸台300耦合连接，另一个电极通过导线经由所述第一凹槽上表面与金属基座100上的第二管脚120连接，所述第一凹槽的深度满足上述加热电阻200侧面与所述DML芯片500在所述凸台侧面的投影区域实现重合或者部分重合。加热电阻200与热沉400耦合固定，此时，加热电阻200工作散发热量传递到DML芯片500的路径为热沉400到DML芯片500，这是热量传导的最短路径，热传导效率也是最高的，其中，加热电阻200底面与凸台300以导电银浆耦合连接。所述DML芯片500设置于所述热沉400正面设定区域上，其中，所述热沉400正面设定区域为预置焊料区，用于将所述DML芯片500贴装在热沉400上；所述MPD芯片600位于所述陶瓷基板700上，所述陶瓷基板700位于金属基座100上。
本发明实施例三中加热电阻200设置在凸台300的第一凹槽内，所述第一凹槽为敞口，便于安装加热电阻200以及其中一个供电极的引出。加热电阻200与热沉400的耦合面之间填充有导热胶，提高了加热电阻200工作时的热量利用率。
在本发明实施例三中，所述热沉400正面左侧410和右侧420嵌在金属基座100上，且位于凸台300和两极管脚(110,111)之间，热沉400的背面镀有接地导电层和金锡焊料层(图3中未示出)，用于与凸台300导电连接，热沉400的正面第一导电电极和第二导电电极分别于两极管脚(110,111)导电连接；其中，所述正面左侧410和右侧420分的导电层分别用于耦合DML芯片500的供电接口，使得所述两极管脚(110,111)与DML芯片500完成电器连接。其中，所述热沉400为矩形结构。
在本发明实施例三中，金属基座100的两极管脚(110,111)和凸台300之间插入带有薄膜电路的热沉400，用于传输DML芯片500的差分驱动信号；其中，热沉400采用氮化铝陶瓷材料、氧化铝陶瓷材料、碳化硅陶瓷材料、氮化硼陶瓷材料、氧化铍陶瓷材料或者四氮化三硅陶瓷材料，热沉400上设计薄膜金属电路，作为阻抗传输线。
所述陶瓷基板700设置于金属基座100上，以所述陶瓷基板700为氮化铝陶瓷基板700为例进行说明。所述MPD芯片600设置于所述氮化铝陶瓷基板700上，所述金属基座100上设置有凹槽，所述氮化铝陶瓷基板700位于所述凹槽内，所述MPD芯片600用导电银浆贴装在所述氮化铝陶瓷基板700上，所述MPD芯片600为矩形结构，所述MPD芯片600的光敏面外圆与所述MPD芯片600的矩形边相切，其中，所述MPD芯片600的一矩形边与所述热沉400的正面相平行。
在本发明实施例三中，所述热沉400背面连接所述凸台300一侧面，该凸台侧面为一平面，所述凸台300的其它侧面可以是半圆面，也可以是椭圆面，也可是扇形面，也可以是多个不同面组成的侧面，在此不做过多限定，本领域技术人员在凸台300其它侧面所做的改进，均属于本发明保护范围之内。
在本发明实施例三中，所述热沉400正面预先设置有焊料区，所述DML芯片500采用共晶焊贴装在所述热沉400的预置焊料区。
所述热沉400正面左侧410和右侧420通过溅射生长有导电层，用于为固定在热沉400正面预置焊料区的DML芯片500提供驱动信号的导通路径。其中，热沉400正面和背面均预溅射焊料设计，其中正面焊料熔点高于背面焊料；通常情况下，先将热沉400进行固定在两极管脚(110，111)和凸台300的操作，再将DML芯片500通过共晶焊和金丝键合固定在热沉400上。
所述热沉300制作的厚度正好满足嵌入在由两极管脚110和凸台300侧面构成的空间区域，这是因为加热电阻200要通过热沉400传导热量，以便于环境温度低于工作低温极限温度后，加热电阻200能够将热量通过热沉400传导给DML芯片500。
在本发明实施例三中，氮化铝陶瓷基板700通过金丝键合与第三管脚130实现连接；MPD芯片600通过底面连接氮化铝陶瓷基板700上表面，再通过氮化铝陶瓷基板700上表面金丝键合第三管脚130实现导电连接，MPD芯片600上表面通过金丝键合方式与金属基座110实现接地连接；DML芯片500通过金丝键合与热沉400上的薄膜电路实现连接，间接实现与两极管脚110实现连接，所述两极管脚(110,111)用于为DML芯片500提供激光驱动信号；所述加热电阻200通过金丝键合与第二管脚120实现连接。其中，加热电阻200的接地极则是通过凸台300-金属底座100的导电通路完成。
在本发明实施例三提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件中，将加热电阻嵌入贴装在靠近DML芯片在凸台侧平面投影区域位置，当环境温度低于工作低温极限温度时，加热电阻进行加热，将热量通过热沉传导给DML芯片，使DML芯片上升到低温极限温度以上；当环境温度高于低温极限时，加热电阻停止发热，DML芯片通过热沉往外传导热量，最终使DML芯片能够在工业级温度范围内使用。本发明提出了一种新式的加热电阻设置结构，相比较现有的复杂的TEC控制方式，本发明适用于仅对TO-CAN发射组件进行单向温度控制，只需给电阻供电，控制电路简单；相比较现有的在发射组件的底座外设置加热电阻片的方式而言，本发明的结构能够实现更快的温控响应。
实施例四:
本发明实施例四提供了一种具有加热功能的TO-CAN发射组件，应用于CWDM光通信网络所用的光电发射组件，其中，与本发明实施例二和实施例三不同之处在于，热沉横截面为L形结构，加热电阻设置在凸台第二凹槽内，加热电阻供电结构通过热沉背面导电层形成的通路与第二管脚实现耦合连接，而不是通过金丝键合的方式，相比于本发明实施例二和实施例三，本发明实施例四中加热电阻的供电结构无需金丝键合从而更加简单可靠。
结合图6、图7、图8、图9和图10进行说明，本发明实施例四提供了一种具有加热功能的TO-CAN发射组件，包括金属基座100、加热电阻200、热沉400、激光器芯片500、监控芯片600和陶瓷基板700，其中，激光器芯片500可以为直接调制半导体激光器DML芯片(DirectlyModulated Semiconductor Laser，简写为DML)，监控芯片600可以为监控探测器芯片MPD芯片(Monitor Photodiode，简写为MPD)，以下分别以DML芯片500和MPD芯片600进行说明。
金属基座100设置有凸台300以及两极管脚(110,111)，所述热沉400为具有由第一厚度部分460和第二厚度部分470构成的L型结构，其中，第二厚度部分470比所述第一厚度部分460厚，所述凸台300一端的第一侧平面310与管脚110之间设置有第一间隙，所述第一间隙用于容纳固定在所述凸台300侧面的L型热沉400结构的第一厚度部分460；所述凸台300侧面的另一端设置有第二侧平面320，所述第二侧平面320与管脚111和管脚120相邻，所述第一厚度部分460与所述第二厚度部分470相邻的表面分别于所述凸台300的第一侧平面310和所述第二侧平面320贴合；所述第二厚度部分470的大小使所述第二厚度部分470正好位于所述管脚111和管脚120之间；其中，所述管脚111和管脚120分别与热沉上的第一导电电极和第三导电电极耦合连接；所述热沉400第一厚度部分460背面在所述凸台300的第一侧面310耦合固定，且所述热沉400垂直于所述第一厚度部分460背面的第三侧平面480与所述凸台300的第二侧平面320耦合固定，所述热沉400第二厚度部分470背面与所述第二管脚120耦合连接。
凸台300用于固定所述热沉400的侧面上设置有第二凹槽，所述加热电阻200设置于所述凸台300第二凹槽内，所述加热电阻200侧面位于所述DML芯片500在所述凸台300第一侧平面310的投影区域，所述加热电阻200与所述热沉400第一厚度部分460背面的第四导电电极耦合连接。
所述第二凹槽的深度满足上述加热电阻200侧面与所述DML芯片500在所述凸台侧面的投影区域实现重合或者部分重合。此时，加热电阻200工作散发热量传递到DML芯片500的路径为热沉400到DML芯片500，这是热量传导的最短路径，热传导效率也是最高的，其中，加热电阻200底面与凸台300以导电银浆耦合连接。所述DML芯片500设置于所述热沉400正面设定区域上，其中，所述热沉400正面设定区域为预置焊料区，用于将所述DML芯片500贴装在热沉400上；所述MPD芯片600位于所述陶瓷基板700上，所述陶瓷基板700位于金属基座100上。其中，加热电阻200与热沉400的耦合面之间填充有导热胶。本发明实施例四中加热电阻200可以设置在凸台300的第二凹槽内，位于DML芯片在凸台300第一侧平面310的投影区域，加热电阻200通过热沉400以热传导方式给DML芯片500提供热量。进一步的，所述凹槽上表面还可以是封闭式的，在这种情况下，加热电阻200加热时产生的热量不会部分散发到空气中(如实施例三或者本实施例中所描述的敞口形式的)，热量损失较少，提高了加热电阻200工作时的热量利用率。
在本发明实施例四中，横截面为L形结构的热沉400的正面为平面，所述热沉400嵌在金属基座100上，且位于凸台300和两极管脚(110,111)之间，热沉400的背面镀有焊锡层440和导电层450，焊锡层440用于和凸台300耦合固定，导电层450用于和第二管脚120耦合连接，热沉400的正面左侧410和右侧420的第一导电电极和第二导电电极分别于两极管脚(110,111)导电连接；其中，所述正面左侧410和右侧420分的导电层分别用于耦合DML芯片500的供电接口，使得所述两极管脚110与DML芯片500完成电器连接。
加热电阻200设置在凸台300的第二凹槽内，所述第二凹槽三面敞口，方便加热电阻200的安装和供电极的引出，且加热电阻200一侧面位于DML芯片500在凸台300第一侧平面310的投影区域，其中，加热电阻200的覆盖面积可以适当设计，以对DML芯片500传导热量的效果、加热电阻的贴装效率和发射组件的成品率来评估。同时，加热电阻200分别与L形热沉400第一厚度部分410背面以及L形热沉400第二厚度部分420的第三侧平面480耦合固定。L形热沉400背面导电层450的第三导电电极用于连接第二管脚120为加热电阻200供电，L形热沉400背面导电层450的尺寸与加热电阻200的侧面尺寸的差异保证了加热电阻200的两个供电电极的隔离，无需采用金丝键合的供电结构，从而加热电阻的供电结构更加简单可靠。
在本发明实施例四中，金属基座100的两级管脚(110,111)和凸台300之间插入带有薄膜电路的L形热沉400，用于传输DML芯片500的差分驱动信号；其中，热沉400采用氮化铝陶瓷材料、氧化铝陶瓷材料、碳化硅陶瓷材料、氮化硼陶瓷材料、氧化铍陶瓷材料或者四氮化三硅陶瓷材料，热沉400上设计薄膜金属电路，作为阻抗传输线。
所述陶瓷基板700设置于金属基座100上，以所述陶瓷基板700为氮化铝陶瓷基板700为例进行说明。所述MPD芯片600设置于所述氮化铝陶瓷基板700上，所述金属基座100上设置有凹槽，所述氮化铝陶瓷基板700位于所述凹槽内，所述MPD芯片600用导电银浆贴装在所述氮化铝陶瓷基板700上，所述MPD芯片600为矩形结构，所述MPD芯片600的光敏面外圆与所述MPD芯片600的矩形边相切，其中，所述MPD芯片600的一矩形边与所述热沉400的正面相平行。
在本发明实施例四中，所述热沉400正面预先设置有焊料区430，所述DML芯片500采用共晶焊贴装在所述热沉400的预置焊料区430。
所述热沉400正面左侧410和右侧420通过溅射生长有导电层，用于为固定在热沉400正面预置焊料区的DML芯片500提供驱动信号的导通路径。其中，热沉400正面和背面均预溅射焊料设计，其中正面焊料熔点高于背面焊料；通常情况下，先将热沉400进行固定在两极管脚(110，111)和凸台300的操作，再将DML芯片500通过共晶焊和金丝键合固定在热沉400上。
在本发明实施例四中，氮化铝陶瓷基板700上表面通过金丝键合与第三管脚130实现连接；MPD芯片600通过底面连接氮化铝陶瓷基板700上表面，再通过氮化铝陶瓷基板700上表面金丝键合第三管脚130实现导电连接，MPD芯片600上表面通过金丝键合方式与金属基座110实现接地连接；DML芯片500通过金丝键合与热沉400上的薄膜电路实现连接，间接实现与两极管脚(110,111)实现连接，所述两极管脚(110,111)用于为DML芯片500提供激光驱动信号；所述加热电阻200通过L形热沉400背面的导电层450与第二管脚120实现连接。其中，加热电阻200的接地极则是通过凸台300-金属底座100的导电通路完成。
在本发明实施例四提供的一种具有加热功能的TO-CAN发射组件中，将加热电阻嵌入贴装在DML芯片在凸台侧平面投影区域，当环境温度低于工作低温极限温度时，加热电阻进行加热，将热量通过热沉传导给DML芯片，使DML芯片上升到低温极限温度以上；当环境温度高于低温极限时，加热电阻停止发热，DML芯片通过热沉往外传导热量，最终使DML芯片能够在工业级温度范围内使用。本发明实施例四提出了一种新式的加热电阻设置结构，相比较现有的复杂的TEC控制方式，本发明适用于仅对TO-CAN发射组件进行单向温度控制，只需给电阻供电，控制电路简单；相比较现有的在发射组件的底座外设置加热电阻片的方式而言，本发明的结构能够实现更快的温控响应。
进一步的，本发明实施例四中，加热电阻通过热沉背面的导电层实现与第二管脚连接，无需通过金丝键合方式连接，本发明实施例四中加热电阻的供电结构更加简单可靠。
实施例五:
结合本发明实施例一至实施例四，所述具有加热功能的TO-CAN发射组件适用于TO封装，如图11所示，还包括盖帽800，其中，盖帽800与所述金属基座100耦合，并且盖帽800的出光口处设置有透镜。其中，耦合处通过将透镜中心与金属基座100对齐进行电阻焊，将盖帽800与金属基座100连接在一起，完成TO-CAN封装。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种具有加热功能的TO-CAN发射组件，其特征在于，包括：金属基座(100)、加热电阻(200)、热沉(400)、激光器芯片(500)，所述金属基座(100)上设置有凸台(300)和两极管脚(110，111)，所述热沉(400)固定在所述凸台(300)上且位于所述两极管脚(110，111)和所述凸台(300)之间，其中，所述热沉(400)位于所述两极管脚(110，111)侧的表面上的第一导电电极和第二导电电极，分别与所述两极管脚(110,111)耦合相连；
所述加热电阻(200)设置于所述凸台(300)上，所述加热电阻(200)靠近所述激光器芯片(500)在所述凸台(300)侧面的投影区域位置设置，所述加热电阻(200)用于给所述激光器芯片(500)加热；
凸台(300)用于固定所述热沉(400)的侧面上设置有第二凹槽，所述加热电阻(200)设置于所述凸台(300)第二凹槽内，所述加热电阻(200)侧面位于所述激光器芯片(500)在所述凸台(300)第一侧平面(310)的投影区域，所述加热电阻(200)与所述热沉(400)第一厚度部分(460)背面的第四导电电极耦合连接；
横截面为L形结构的热沉(400)的正面为平面，所述热沉(400)嵌在金属基座(100)上，且位于凸台(300)和两极管脚(110,111)之间，热沉(400)的背面镀有焊锡层(440)和导电层(450)，焊锡层(440)用于和凸台(300)耦合固定，导电层(450)用于和第二管脚(120)耦合连接，热沉(400)的正面左侧(410)和右侧(420)的第一导电电极和第二导电电极分别于两极管脚(110,111)导电连接。
2.根据权利要求1所述的具有加热功能的TO-CAN发射组件，其特征在于，所述凸台(300)上表面为一平面时，所述加热电阻(200)设置于所述凸台(300)上，所述加热电阻(200)靠近所述激光器芯片(500)在所述凸台(300)侧面的投影区域位置设置，具体包括：
所述加热电阻(200)设置于所述凸台(300)上表面，且所述加热电阻(200)靠近所述凸台(300)侧面的一边的中间位置，与所述激光器芯片(500)在所述凸台(300)侧面的投影区域的中间位置相对应。
3.根据权利要求1所述的具有加热功能的TO-CAN发射组件，其特征在于，所述凸台(300)用于固定所述热沉(400)的侧面上设置有第一凹槽时，所述加热电阻(200)设置于所述凸台(300)上，所述加热电阻(200)靠近所述激光器芯片(500)在所述凸台(300)侧面的投影区域位置设置，具体包括：
所述加热电阻(200)设置于所述凸台(300)第一凹槽内，所述第一凹槽上表面为敞口，所述加热电阻(200)的一电极与凸台(300)耦合连接，另一个电极通过导线经由所述第一凹槽上表面与金属基座(100)上的相应管脚连接，所述第一凹槽的深度满足上述加热电阻(200)侧面与所述激光器芯片(500)在所述凸台侧面的投影区域实现重合或者部分重合。
4.根据权利要求1所述的具有加热功能的TO-CAN发射组件，其特征在于，所述凸台(300)用于固定所述热沉(400)的侧面上设置有第二凹槽时，所述加热电阻(200)设置于所述凸台(300)上，所述加热电阻(200)靠近所述激光器芯片(500)在所述凸台(300)侧面的投影区域位置设置，具体包括：
所述加热电阻(200)设置于所述凸台(300)第二凹槽内，所述加热电阻(200)的一电极与凸台(300)耦合连接，另一个电极与热沉(400)上的、且位于所述凸台(300)侧的第四导电电极耦合连接；
所述第二凹槽的深度满足上述加热电阻(200)侧面与所述激光器芯片(500)在所述凸台侧面的投影区域实现重合或者部分重合。
5.根据权利要求4所述的具有加热功能的TO-CAN发射组件，其特征在于，所述热沉(400)具有由第一厚度部分(460)和第二厚度部分(470)构成的L型热沉(400)结构；其中，第二厚度部分(470)比所述第一厚度部分(460)厚；
所述凸台(300)一端的第一侧平面(310)与管脚(110)之间设置有第一间隙，所述第一间隙用于容纳固定在所述凸台(300)侧面的L型热沉(400)结构的第一厚度部分(460)；
所述凸台(300)侧面的另一端设置有第二侧平面(320)，所述第二侧平面(320)与管脚(111)和管脚(120)相邻，所述第一厚度部分(460)与所述第二厚度部分(470)相邻的表面分别于所述凸台(300)的第一侧平面(310)和所述第二侧平面(320)贴合；所述第二厚度部分(470)的大小使所述第二厚度部分(470)正好位于所述管脚(111)和管脚(120)之间；其中，所述管脚(111)和管脚(120)分别与热沉(400)上的第一导电电极和第三导电电极耦合连接；
所述热沉(400)第一厚度部分(460)背面固定在所述凸台(300)的第一侧面(310)耦合固定，且所述热沉(400)垂直于所述第一厚度部分(460)背面的第三侧平面(480)与所述凸台(300)的第二侧平面(320)耦合固定，所述热沉(400)第二厚度部分(470)的第三导电电极与所述第二管脚(120)耦合连接。
6.根据权利要求4所述的具有加热功能的TO-CAN发射组件，其特征在于，所述加热电阻(200)侧面位于所述激光器芯片(500)在所述凸台(300)第一侧平面(310)的投影区域，所述加热电阻(200)与所述热沉(400)第一厚度部分(460)的背面耦合连接。
7.根据权利要求1-3任一所述的具有加热功能的TO-CAN发射组件，其特征在于，所述热沉(400)为氮化铝陶瓷材料、氧化铝陶瓷材料、碳化硅陶瓷材料、氮化硼陶瓷材料、氧化铍陶瓷材料或者四氮化三硅陶瓷材料。
8.根据权利要求1所述的具有加热功能的TO-CAN发射组件，其特征在于，所述发射组件还包括监控芯片(600)和陶瓷基板(700)，所述监控芯片(600)设置于所述陶瓷基板(700)上，所述金属基座(100)设置有凹槽，所述陶瓷基板(700)位于所述金属基座(100)的凹槽内。
9.根据权利要求3-5任一所述的具有加热功能的TO-CAN发射组件，其特征在于，所述加热电阻(200)和所述热沉(400)的耦合面之间填充有导热胶。
10.根据权利要求1所述的具有加热功能的TO-CAN发射组件，其特征在于，所述TO-CAN发射组件适用于TO封装，还包括盖帽(800)，其中，所述盖帽(800)与所述金属基座(100)耦合，并且所述盖帽(800)的出光口处设置有透镜。
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CN111834302B (zh) * 2020-07-28 2022-03-11 武汉邮埃服光电科技有限公司 一种晶体管管座及晶体管气密封装结构
CN111786256B (zh) * 2020-08-26 2021-10-29 广东瑞谷光网通信股份有限公司 一种光发射激光器的TO-can封装结构及其封装方法
CN112134623A (zh) * 2020-09-23 2020-12-25 北京安石科技有限公司 一种可实现高速信号传输且低损耗的链路设计
CN113745949B (zh) * 2021-09-05 2024-04-26 光惠（上海）激光科技有限公司 一种风冷光纤激光器
CN113960727A (zh) * 2021-09-13 2022-01-21 江苏奥雷光电有限公司 一种带升温功能的光器件
CN113839301A (zh) * 2021-09-23 2021-12-24 成都英思嘉半导体技术有限公司 高速光信号发射器件的壳体组件及高速光信号发射器件
CN114975753B (zh) * 2022-07-28 2022-11-04 东莞市湃泊科技有限公司 光芯片封装基座

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683565A (zh) * 2006-10-05 2012-09-19 三菱化学株式会社 使用GaN LED芯片的发光器件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168442A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板
US7463659B2 (en) * 2003-07-09 2008-12-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Can-type optical transmitting module utilizing a laser diode with impedance matching resistors
US20060203862A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Harmonic Inc. Method and apparatus for CWDM optical transmitter with extended operating temperature range
US8091876B2 (en) * 2008-07-10 2012-01-10 Applied Optoelectronics, Inc. Fixture for securing optoelectronic packages for wire and/or component bonding
CN106229809A (zh) * 2016-09-20 2016-12-14 大连艾科科技开发有限公司 用于半导体激光器的芯片载体
CN206820247U (zh) * 2017-05-14 2017-12-29 晋江市托美汀生物科技有限公司 Dfb激光器
CN107741618B (zh) * 2017-10-31 2019-02-12 武汉电信器件有限公司 一种高速dml发射组件
CN108390255A (zh) * 2018-02-22 2018-08-10 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光学次模块及光模块
CN207976618U (zh) * 2018-03-16 2018-10-16 广东瑞谷光网通信股份有限公司 一种高速率粗波分复用的光发射组件
CN108512017A (zh) * 2018-03-28 2018-09-07 武汉电信器件有限公司 一种具有正向温控功能的激光器组件

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683565A (zh) * 2006-10-05 2012-09-19 三菱化学株式会社 使用GaN LED芯片的发光器件

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Disk-shaped miniature heat pipe (DMHP) with radiating micro grooves for a TO can laser diode package;Arbab, Hossein等;《IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS AND PACKAGING TECHNOLOGIES》;20030930;第26卷(第3期);第569-574页 *
TO-CAN封装的半导体激光器的热分析及温控研究;韩文志;《•中国优秀硕士学位论文全文数据库》;20160215(第2期);全文 *

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