TWM520192U - 用於電漿反應室元件表面處理之遮蔽裝置 - Google Patents

Description

用於電漿反應室元件表面處理之遮蔽裝置

本創作係關於一種遮蔽裝置，特別是關於一種用於電漿反應室元件表面處理之遮蔽裝置。

現今，電漿反應技術已被廣泛的應用在例如半導體製造工業、顯示面板製造工業、太陽能電池製造工業等各種產業中。電漿反應裝置係由複數個電漿反應室元件(材料包含鋁合金或不鏽鋼)所組成，並且利用許多方法生成及/或控制電漿密度、形狀以及反應腔體中的電氣特徵，使得電漿與反應氣體反應以沉積期望的材料層於基板上。

一般而言，電漿反應裝置在運作一段時間後必須進行定期的維修與保養，並且將電漿反應室元件的表面進行處理。表面處理的方法包含使用化學蝕刻、噴砂、拋磨或車銑等方式將在電漿反應室元件表面上的鍍層進行徹底的退除。然而，為避免在表面處理時傷害電漿反應室元件的局部構件，必須耗費工時將部分特殊購件拆除或者是將非處理區域進行適當的遮蔽。

舉例來說，當該電漿反應室元件包含外露的銅管時，必須 將該銅管拆除，以避免在使用化學性的方式進行表面處理時銅管與化學液體產生反應。又例如，當該電漿反應室元件為一靜電吸盤(chuck)時，亦必須先將該靜電吸盤上的陶瓷盤拆除。然而，此拆除的步驟需耗費一定的工時。

再者，電漿反應室元件通常包含用於與另一電漿反應室元件對接或組裝的組合基準面、氣密圈結合面...等，為避免減損組合基準面的尺寸或者是破壞結合面的表面，必須在表面處理前採用遮護膠帶或塗料的方式遮蔽電漿反應室元件之該等非處理區域。然而，若採用遮護膠帶的方式進行遮蔽，在表面處理完之後勢必會產生大量的廢棄物，造成環境的汙染。以及，若採用塗料的方式進行遮蔽，必須耗費大量工時在該等非處理區域重覆地塗覆多層的塗料，才得以形成具有足夠保護力的遮蔽膜。此外，當去除該遮蔽膜後同樣會產生大量的廢棄物，造成環境的汙染。

有鑑於此，有必要提供一種用於電漿反應室元件表面處理之遮蔽裝置，其可有效地保護電漿反應室元件上之部分特殊構件(例如銅管或陶瓷盤)，使得在表面處理前不需將該等特殊構件拆除，以及該遮蔽裝置能快速地將該與該電漿反應室元件結合，並且有效地遮蔽該電漿反應室元件之非處理區域。

為解決上述習知技術之問題，本創作之目的在於提供一種用於電漿反應室元件表面處理的遮蔽裝置，該遮蔽裝置包含多個遮蔽單元，用於分別遮蔽該電漿反應室元件之多個非處理區域，並且還包含至少一固定機構，用於將該遮蔽裝置與該電漿反應室元件結合，進而使該遮蔽裝置 能快速且有效地遮蔽該電漿反應室元件之非處理區域。

為達上述之目的，本創作提供一種用於電漿反應室元件表面處理的遮蔽裝置，該電漿反應室元件之表面具有一目標處理區域和至少一非處理區域，該遮蔽裝置設置在該電漿反應室元件之周圍，用於遮蔽該電漿反應室元件之該至少一非處理區域並且暴露該目標處理區域。

於本創作其中之一較佳實施例當中，該遮蔽裝置至少包含：一第一遮蔽單元，設置在該電漿反應室元件之一第一面，用於遮蔽一位於該第一面之第一非處理區域；一第二遮蔽單元，設置在該電漿反應室元件之相對於該第一面之一第二面，用於遮蔽一位於該第二面之第二非處理區域；以及一第一固定機構，用於將該第一遮蔽單元和該第二遮蔽單元分別與該電漿反應室元件結合。

於本創作其中之一較佳實施例當中，該第一固定機構包含複數個該螺絲，以及該電漿反應室元件、該第一遮蔽單元和該第二遮蔽單元分別包含至少一相對應的鎖固孔，藉由複數個該螺絲將該第一遮蔽單元和該第二遮蔽單元分別鎖固於該電漿反應室元件之相對應的該第一面或該第二面。

於本創作其中之一較佳實施例當中，該遮蔽裝置進一步包含一第三遮蔽單元以及一第二固定機構，該第三遮蔽單元設置在該第一遮蔽單元和該第二遮蔽單元之間，用於遮蔽一位於該第一面和該第二面之間的第三非處理區域，該第二固定機構用於使該等遮蔽單元互相結合。

於本創作其中之一較佳實施例當中，該第三遮蔽單元為從一垂直於該第一遮蔽單元或該第二遮蔽單元之方向延伸形成。

於本創作其中之一較佳實施例當中，該第二固定機構包含複數個該螺絲，該遮蔽裝置之該等遮蔽單元分別包含至少一相對應的鎖固孔，藉由複數個該螺絲將該等遮蔽單元互相鎖固。

於本創作其中之一較佳實施例當中，該等遮蔽單元與該電漿反應室元件互相結合的位置和該等遮蔽單元互相結合的位置分別包含一氣密元件。

於本創作其中之一較佳實施例當中，該遮蔽裝置進一步包含一第四遮蔽單元套設在該電漿反應室元件之一突出部，用於遮蔽一位於該突出部之第四非處理區域。

於本創作其中之一較佳實施例當中，該遮蔽裝置進一步包含一第三遮蔽單元設置於該電漿反應室元件之該第一面，用於遮蔽位於該電漿反應室元件的一突出部之一第三非處理區域，其中該突出部係從該電漿反應室元件之該第一面向外突伸形成。

於本創作其中之一較佳實施例當中，該遮蔽裝置包含一測試頭，用於測試該遮蔽裝置是否有漏氣現象。

10、20、30、40、50‧‧‧電漿反應裝置

11‧‧‧第一電漿反應室元件

12、16‧‧‧銅管

13‧‧‧組合基準面

14‧‧‧結合面

15‧‧‧第二電漿反應室元件

100、200、300、400、500‧‧‧遮蔽裝置

110、210、310、410、510‧‧‧第一遮蔽單元

120、220、320、420、520‧‧‧第二遮蔽單元

130、230、330、530‧‧‧第三遮蔽單元

112、122、212、222、322、342‧‧‧開口

114、116、124、126、422、412‧‧‧鎖固孔

214、224、226‧‧‧氣密元件

32‧‧‧突出部

340‧‧‧第四遮蔽單元

42‧‧‧突出部

44‧‧‧陶瓷盤

414‧‧‧凹陷部

424‧‧‧凹槽

A‧‧‧目標處理區域

A1‧‧‧第一目標處理區域

A2‧‧‧第二目標處理區域

B1‧‧‧第一非處理區域

B2‧‧‧第二非處理區域

B3‧‧‧第三非處理區域

B4‧‧‧第四非處理區域

W1‧‧‧測試頭

第1圖顯示一種電漿反應裝置。

第2圖顯示一種根據本創作之第一實施例之遮蔽裝置與電漿反應室元件的剖面組裝視圖。

第3圖顯示第2圖之遮蔽裝置之俯視圖。

第4圖顯示第2圖之遮蔽裝置之仰視圖。

第5圖顯示一種根據本創作之第二實施例之遮蔽裝置與電漿反應室元件的剖面組裝視圖。

第6圖顯示一種根據本創作之第三實施例之遮蔽裝置與電漿反應室元件的剖面視圖。

第7圖顯示一種根據本創作之第四實施例之遮蔽裝置與電漿反應室元件的剖面組裝視圖。

第8圖顯示一種根據本創作之第五實施例之遮蔽裝置與電漿反應室元件的剖面組裝視圖。

為了讓本創作之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂，下文將特舉本創作較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參照第1圖，其顯示一種電漿反應裝置10。該電漿反應裝置10包含不同構型的第一電漿反應室元件11和第二電漿反應室元件15。一般而言，該電漿反應裝置10在運作一段時間後必須進行定期的維修與保養，並且藉由化學性、物理性和機械性的方式將該第一電漿反應室元件11和該第二電漿反應室元件15中的目標處理區域進行表面處理。該目標處理區域可能位在該第一電漿反應室元件11和該第二電漿反應室元件15的內表面和/或外表面。

如第1圖所示，該第一電漿反應室元件11和該第二電漿反應室元件15分別包含一銅管12、16，該等銅管12、16的管路封閉在該第一電漿反應室元件11和該第二電漿反應室元件15之內，並且該等銅管12、16的 兩端口突伸出該等電漿反應室元件11、15之一側壁之外。因此，在將該等電漿反應室元件11、15進行表面處理前，必須遮蔽該等銅管12、16外露的端口，以避免在使用化學性的方式進行表面處理時銅管與化學液體產生反應。再者，該第一電漿反應室元件11還包含用於與另一電漿反應室元件相組合的組合基準面13以及結合面14。在該結合面14上可用於放置氣密元件(例如氣密環或墊片)，以確保該第一電漿反應室元件11能與該另一電漿反應室元件緊密結合。因此，為了避免在進行表面處理時減損該第一電漿反應室元件11之該組合基準面13的尺寸或者是破壞該結合面14的表面，必須將該等部位做適當地遮蔽。

請參照第2圖，其顯示一種根據本創作之第一實施例之遮蔽裝置100與該第一電漿反應室元件11的剖面組裝視圖。該第一電漿反應室元件11包含一腔體以及至少一位在該腔體內側的目標處理區域A。該遮蔽裝置100大部份設置在該第一電漿反應室元件11之周圍，包含一第一遮蔽單元110、一第二遮蔽單元120和一第三遮蔽單元130。該第一遮蔽單元110設置在該第一電漿反應室元件11之一第一面，用於遮蔽至少一位於該第一面之第一非處理區域B1，即該第一電漿反應室元件11之該組合基準面13和該結合面14之所在位置。並且，該第一遮蔽單元110在相對於該第一電漿反應室元件11之該等目標處理區域A的位置形成兩開口112，用於暴露該第一電漿反應室元件11之該等目標處理區域A。該第二遮蔽單元120設置在該第一電漿反應室元件11之相對於該第一面之一第二面，用於遮蔽至少一位於該第二面之第二非處理區域B2，並且，該第二遮蔽單元120在相對於該第一電漿反應室元件11之該等目標處理區域A的位置形成一開口122，用於 暴露該第一電漿反應室元件11之該等目標處理區域A。該第三遮蔽單元130設置在該第一遮蔽單元110和該第二遮蔽單元120之間，用於遮蔽至少一位於該第一面和該第二面之間的第三非處理區域B3，其中該第三非處理區域B3包含該第一電漿反應室元件11之外露的銅管12之端口(未標示)。因此，本創作藉由互相組合以環繞在該第一電漿反應室元件11之周圍的該遮蔽裝置100能有效地遮蔽該第一電漿反應室元件11之該等非處理區域B1、B2、B3並且暴露該目標處理區域A。此外，由於是藉由化學性、物理性和機械性的方式將該第一電漿反應室元件11的目標處理區域A進行表面處理，因此該遮蔽裝置100較佳地可由堅固且耐腐蝕性的材料所構成。惟需注意的是，於第2圖中雖顯示數個非處理區域B1、B2、B3，但不因此限定該等非處理區域B1、B2、B3的數量，最少可以為單一非處理區域B1、B2、B3；同樣的，本創作不限定該第一遮蔽單元110、該第二遮蔽單元120和該第三遮蔽單元130的使用數量。

如第2圖所示，該遮蔽裝置100之該第三遮蔽單元130還包含一測試頭W1，用於測試當該遮蔽裝置100組合至該電漿反應室元件11時，兩者之間是否有漏氣現象。應當理解的是，該測試頭W1亦可設置在該遮蔽裝置100之其他的遮蔽單元上，例如該第一遮蔽單元110或哥第二遮蔽單元120，惟不侷限此。同理，本創作之其他較佳實施例之遮蔽裝置同樣可包含該測試頭W1，在此不加以贅述。

請參照第3圖和第4圖，其分別顯示第2圖之該遮蔽裝置100之俯視圖和仰視圖，即顯示該第一遮蔽單元110和該第二遮蔽單元120之外表面。該遮蔽裝置100還包含一第一固定機構，其可為複數個該螺絲，以 及該第一遮蔽單元110和該第二遮蔽單元120之該等開口112、122的周圍分別形成複數個鎖固孔114、124，並且在該第一電漿反應室元件11上之該第一面或該第二面的相應位置上同樣設置有複數個鎖固孔。藉由該複數個該螺絲能將該第一遮蔽單元110和該第二遮蔽單元120分別鎖固於該第一電漿反應室元件11之相對應的該第一面或該第二面。應當注意的是，在該第一遮蔽單元110和該第二遮蔽單元120與該第一電漿反應室元件11的結合面可進一步包含一氣密元件(如氣密環或墊片)，使得該第一遮蔽單元110和該第二遮蔽單元120與該第一電漿反應室元件11之間能緊密的結合。

如第2圖至第4圖所示，該遮蔽裝置100還包含一第二固定機構，其可為複數個該螺絲，以及在該第一遮蔽單元110和該第二遮蔽單元120之外周圍形成複數個鎖固孔116、126，並且該第三遮蔽單元130上之相應位置同樣設置有複數個鎖固孔。藉由該複數個該螺絲將該第一遮蔽單元110和該第二遮蔽單元120分別與該第三遮蔽單元130一同鎖固。應當注意的是，在該第一遮蔽單元110和該第二遮蔽單元120與該第三遮蔽單元130的結合面可進一步包含一氣密元件(如氣密環或墊片)，使得該第一遮蔽單元110和該第二遮蔽單元120與該第三遮蔽單元130之間能緊密的結合。

請參照第5圖，其顯示一種根據本創作之第二實施例之遮蔽裝置200與電漿反應室元件20的剖面組裝視圖。該電漿反應室元件20包含至少一位在其腔體內側的目標處理區域A、至少一位於一第一面之第一非處理區域B1、至少一位於相對該第一面之第二面的第二非處理區域B2、以及至少一位在該第一面和該第二面之間的第三非處理區域B3。該遮蔽裝置200包含一第一遮蔽單元210和一第二遮蔽單元220。該第一遮蔽單元210設 置在該電漿反應室元件20之該第一面，用於遮蔽該第一非處理區域B1，並且該第一遮蔽單元210還包含一開口212，用於暴露該電漿反應室元件20之該目標處理區域A。該第二遮蔽單元220設置在該電漿反應室元件20之該第二面，用於遮蔽該第二非處理區域B2，並且該第二遮蔽單元220還包含一開口222，用於暴露該電漿反應室元件20之該目標處理區域A，其中該第二遮蔽單元220的外周圍朝一垂直的方向延伸形成一第三遮蔽單元230，用於遮蔽該第三非處理區域B3。

如第5圖所示，該第一遮蔽單元210和該第二遮蔽單元220包含一氣密元件214、224，設置在該第一遮蔽單元210和該第二遮蔽單元220與該電漿反應室元件20之結合面，使得該第一遮蔽單元210和該第二遮蔽單元220與該電漿反應室元件20之間能緊密的結合。以及，藉由該第二遮蔽單元220延伸所形成的該第三遮蔽單元230上還包含一氣密元件226，設置在該第三遮蔽單元230與該第一遮蔽單元210之結合面，使得該第一遮蔽單元210和該第三遮蔽單元230之間能緊密的結合。應當注意的是，該遮蔽裝置200還包含一第一固定機構和一第二固定機構。該第一固定機構用於將該第一遮蔽單元210和該第二遮蔽單元220與該電漿反應室元件20結合，以及該第二固定機構用於使該第一遮蔽單元210和該第二遮蔽單元220互相結合。該第一固定機構和該第二固定機構可包含如同本創作之第一較佳實施例中所述之複數個螺絲或者是一夾具。

請參照第6圖，其顯示一種根據本創作之第三實施例之遮蔽裝置300與電漿反應室元件30的剖面視圖。該電漿反應室元件30之第一面包含一突出部32，以及位在該突出部32之上表面的第一目標處理區域A1和 位於相對該第一面之第二面的第二目標處理區域A2。以及，該電漿反應室元件30還包含位在該第一面之第一非處理區域B1、位在該第二面的第二非處理區域B2、位在該的一面和該第二面之間的第三非處理區域B3、以及位在該突出部32的第四非處理區域B4。該遮蔽裝置300包含一第一遮蔽單元310、一第二遮蔽單元320、一第三遮蔽單元330、和一第四遮蔽單元340。該第一遮蔽單元310設置在該電漿反應室元件30之該第一面，用於遮蔽該第一非處理區域B1，並且該第一遮蔽單元310在對應該電漿反應室元件30之該突出部32的位置形成一開口。該第二遮蔽單元320設置在該電漿反應室元件30之該第二面，用於遮蔽該第二非處理區域B2，並且該第二遮蔽單元320還包含一開口322，用於暴露該電漿反應室元件30之該第二目標處理區域A2。第三遮蔽單元330設置在該第一遮蔽單元310和第二遮蔽單元320之間，用於遮蔽該第三非處理區域B3，其中該第三遮蔽單元330是由該第二遮蔽單元320的外周圍朝一垂直的方向延伸所形成。該第四遮蔽單元340套設在該電漿反應室元件30之該突出部30，用於遮蔽該第四非處理區域B4，並且該第四遮蔽單元340還包含一開口342，用於暴露該電漿反應室元件30之該第一目標處理區域A1。在該第三實施例中，藉由設置幾何構型的遮蔽單元，用以遮蔽在該電漿反應室元件30上之具有特殊構型的部位，使得本創作能有效地遮蔽該電漿反應室元件30之每一非處理區域。

請參照第7圖，其顯示一種根據本創作之第四實施例之遮蔽裝置400與電漿反應室元件40的剖面組裝視圖。該電漿反應室元件40為一靜電吸盤(chuck)，其第一面設置有一陶瓷盤44，以及在相對該第一面之一第二面包含一突出部42。當將該靜電吸盤40進行表面處理時，目標在於去 除該靜電吸盤40外側邊的膜層，即將第7圖中所示之目標處理區域A進行表面處理。並且，為避免表面處理時造成陶瓷盤44的損壞，需要將該陶瓷盤44的表面進行遮蔽，即遮蔽第7圖中所示之第一非處理區域B1。此外，該電漿反應室元件40還包含位於該第二面之具有幾何形狀的第二非處理區域B2。

如第7圖所示，該遮蔽裝置400包含一第一遮蔽單元410和一第二遮蔽單元420。該第一遮蔽單元410設置在該電漿反應室元件40之該第一面，並且該第一遮蔽單元410還包含一凹陷部414用於容納該靜電吸盤40之該陶瓷盤44，使得該第一遮蔽單元410不但能遮蔽該陶瓷盤44還能遮蔽位於該靜電吸盤40之該第一面的該第一非處理區域B1。該第二遮蔽單元420設置在該電漿反應室元件40之該第二面，並且在相對於該靜電吸盤40之該突出部42的位置包含一凹槽424，用於容納該突出部42，使得該第二遮蔽單元420能有效地遮蔽具有幾何形狀的該第二非處理區域B2。

如第7圖所示，該遮蔽裝置400之該第一遮蔽單元410和該第二遮蔽單元420還包含一第一固定機構，其可為複數個該螺絲，以及在該第一遮蔽單元410和該第二遮蔽單元420上形成複數個鎖固孔412、422，並且在該靜電吸盤40上之相應位置同樣設置有複數個鎖固孔。藉由複數個該螺絲將該第一遮蔽單元410和該第二遮蔽單元420分別鎖固於該靜電吸盤40之相對應的該第一面或該第二面。應當注意的是，在該第一遮蔽單元410和該第二遮蔽單元420與該靜電吸盤40的結合面可進一步包含一氣密元件(如氣密環或墊片)，使得該第一遮蔽單元410和該第二遮蔽單元420與該靜電吸盤40之間能緊密的結合。

請參照第8圖，其顯示一種根據本創作之第五實施例之遮蔽裝置500與電漿反應室元件50的剖面組裝視圖。該電漿反應室元件50包含位於一第一面之第一目標處理區域A1和第一非處理區域B1、位於相對該第一面之第二面的第二目標處理區域A2和第二非處理區域B2、以及位在該第一面和該第二面之間的第三非處理區域B3，其中該第三非處理區域B3包含該電漿反應室元件50之外露的銅管之端口(未標示)。該遮蔽裝置500包含一第一遮蔽單元510和一第二遮蔽單元520。該第一遮蔽單元510設置在該電漿反應室元件50之該第一面，用於遮蔽該第一非處理區域B1，並且該第一遮蔽單元510還包含一開口，用於暴露該電漿反應室元件50之位於該第一面的該第一目標處理區域A1。該第二遮蔽單元520設置在該電漿反應室元件50之該第二面，用於遮蔽該第二非處理區域B2，並且該第二遮蔽單元520亦包含一開口，用於暴露該電漿反應室元件50之位於該第二面的該第二目標處理區域A2，其中該第二遮蔽單元520的外周圍朝一垂直的方向延伸形成一第三遮蔽單元530，用於遮蔽位於該電漿反應室元件50之該第一面和該第二面之間的該第三非處理區域B3，進而有效地遮蔽位於該電漿反應室元件50外側邊的該外露的銅管之端口。

綜上所述，本創作藉由提供一種用於電漿反應室元件表面處理的遮蔽裝置，該遮蔽裝置包含多個遮蔽單元，用於分別遮蔽該電漿反應室元件之多個非處理區域，並且還包含至少一固定機構，用於該遮蔽裝置與該電漿反應室元件結合，進而使該遮蔽裝置能快速且有效地遮蔽該電漿反應室元件之非處理區域。

11‧‧‧第一電漿反應室元件

12‧‧‧銅管

13‧‧‧組合基準面

14‧‧‧結合面

100‧‧‧遮蔽裝置

110‧‧‧第一遮蔽單元

120‧‧‧第二遮蔽單元

130‧‧‧第三遮蔽單元

112‧‧‧開口

122‧‧‧開口

A‧‧‧目標處理區域

B1‧‧‧第一非處理區域

B2‧‧‧第二非處理區域

B3‧‧‧第三非處理區域

W1‧‧‧測試頭

Claims (10)

1. 一種用於電漿反應室元件表面處理之遮蔽裝置，該電漿反應室元件之表面具有至少一目標處理區域和至少一非處理區域，該遮蔽裝置設置在該電漿反應室元件之周圍，用於遮蔽該電漿反應室元件之該至少一非處理區域並且暴露該至少一目標處理區域。
2. 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽裝置，其中該遮蔽裝置至少包含：一第一遮蔽單元，設置在該電漿反應室元件之一第一面，用於遮蔽一位於該第一面之第一非處理區域；一第二遮蔽單元，設置在該電漿反應室元件之相對於該第一面之一第二面，用於遮蔽一位於該第二面之第二非處理區域；以及一第一固定機構，用於將該第一遮蔽單元和該第二遮蔽單元分別與該電漿反應室元件結合。
3. 如申請專利範圍第2項所述之遮蔽裝置，其中該第一固定機構包含複數個該螺絲，該第一遮蔽單元和該第二遮蔽單元分別包含至少一相對應的鎖固孔，藉由複數個該螺絲將該第一遮蔽單元和該第二遮蔽單元分別鎖固於該電漿反應室元件之相對應的該第一面或該第二面。
4. 如申請專利範圍第2項至第3項中任一項所述之遮蔽裝置，其中該遮蔽裝置進一步包含一第三遮蔽單元以及一第二固定機構，該第三遮蔽單元設置在該第一遮蔽單元和該第二遮蔽單元之間，用於遮蔽一位於該第一面和該第二面之間的第三非處理區域，該第二固定機構用於使該等遮蔽單元互相結合。
5. 如申請專利範圍第4項所述之遮蔽裝置，其中該第三遮蔽單元為從一垂 直於該第一遮蔽單元或該第二遮蔽單元之方向延伸形成。
6. 如申請專利範圍第4項所述之遮蔽裝置，其中該第二固定機構包含複數個該螺絲，該遮蔽裝置之該等遮蔽單元分別包含至少一相對應的鎖固孔，藉由複數個該螺絲將該等遮蔽單元互相鎖固。
7. 如申請專利範圍第4項所述之遮蔽裝置，其中該等遮蔽單元與該電漿反應室元件互相結合的位置和該等遮蔽單元互相結合的位置分別包含一氣密元件。
8. 如申請專利範圍第4項所述之遮蔽裝置，其中該遮蔽裝置進一步包含一第四遮蔽單元套設在該電漿反應室元件之一突出部，用於遮蔽一位於該突出部之第四非處理區域。
9. 如申請專利範圍第2項所述之遮蔽裝置，其中該遮蔽裝置進一步包含一第三遮蔽單元設置於該電漿反應室元件之該第一面，用於遮蔽位於該電漿反應室元件的一突出部之一第三非處理區域，其中該突出部係從該電漿反應室元件之該第一面向外突伸形成。
10. 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽裝置，其中該遮蔽裝置包含一測試頭，用於測試該遮蔽裝置是否有漏氣現象。