TWM500349U - 加熱裝置 - Google Patents

加熱裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWM500349U
TWM500349U TW103207351U TW103207351U TWM500349U TW M500349 U TWM500349 U TW M500349U TW 103207351 U TW103207351 U TW 103207351U TW 103207351 U TW103207351 U TW 103207351U TW M500349 U TWM500349 U TW M500349U
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heating
heating elements
contact
contact plates
plane
Prior art date
Application number
TW103207351U
Other languages
English (en)
Inventor
Pierre-Arnaud Bodin
Mark Edlef Oppen
Keith Allen
Hugo Silva
Original Assignee
Aixtron Se
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron Se filed Critical Aixtron Se
Publication of TWM500349U publication Critical patent/TWM500349U/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/26—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
    • H05B3/265—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base the insulating base being an inorganic material, e.g. ceramic
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/002—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/014—Heaters using resistive wires or cables not provided for in H05B3/54
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/016—Heaters using particular connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/022—Heaters specially adapted for heating gaseous material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/037—Heaters with zones of different power density

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Description

加熱裝置
本創作有關於一種裝置，具有至少一個導電的第一接觸板和至少一個導電的第二接觸板和分別具備有電阻加熱構件的加熱元件，該等電阻加熱構件藉由第一連接端與該第一接觸板相連接並且藉由第二連接端與該第二接觸板相連接。
用於加熱CVD(化學氣相沉積)反應器的基座之裝置由現有技術例如DE 10 2009 043 960 A1、DE 10 2007 009 145 A1、DE 103 29 107 A1、DE 10 2005 056 536 A1、DE 10 2006 018 515 A1或DE 10 2007 027 704 A1所熟知。
在已知的加熱元件中，熱量由流過電阻加熱構件的電流產生。電阻加熱構件具有第一和第二端部，在這些端部上設有第一和第二連接端。連接端相互平行地延伸，但是具有不同的長度。第一、較短的連接端與第一接觸板相連接，該接觸板由導電材料製成。但是，在第一接觸板的平行面內，第二電氣接觸板與電阻加熱構件有較大間距地延伸。兩個電氣接觸板一定程度上相疊地延伸。較長的第二連接端穿過第一接觸板的開口，並且由此與第二接觸板相連接。被第二連接端穿過的開口比第二連接端的直徑要大，因而在開口的邊緣和第二連接端之間存在間距。這種間距自由空間影響 第二連接端與第一接觸板的絕緣性。在屬於現有技術的電阻加熱構件加熱和冷卻加熱元件時會導致巨大的熱應力。這種機械應力能夠導致接觸板不可逆的變形。這會導致在長時間使用後和尤其在多次加熱和冷卻後，在第二連接端和導電的第一接觸板的開口之間形成短路。隨後，理論上這會導致整個加熱元件的毀壞。在此，在使用該裝置時，藉由金屬的揮發還會污染CVD反應器的處理室。
本創作所要解決的技術問題在於：在減少製造費用的情況下延長裝置的使用壽命。
藉由本創作在申請專利範圍中之指明解決上述之問題。
根據本創作，該等兩個接觸板處於共同的平面內。接觸板可以具有齒形相互咬合的凸起。在接觸板之間、尤其在凸起之間可以設置用於絕緣的間隔自由空間。但是，還可以設定，兩個接觸板藉由不導電的(尤其陶瓷的)間隔件永久地相互絕緣。根據本創作的改進方案還具有這樣的優點，即兩個連接端能夠是相同長度。該一個或多個電阻加熱構件可以位於共同的平面內。這些電阻加熱構件能夠沿著圓弧線或者沿著一條或多條螺旋線安置。較佳地第一連接端位於由兩個接觸板構成的、具有圓形輪廓的接觸板裝置的中央，該等第一連接端較佳地配屬於中央加熱元件。中央加熱元件具有在螺旋弧形上延伸的加熱構件。中央加熱元件構成加熱裝置最內側的加熱區域。在中央加熱元件的加熱構件上連接著多個分別較佳地在至少180°上延伸的外側加熱元件的加熱構件。但是，較佳地全部加熱構件中的多數設在共同的、多次繞著中心彎曲的螺旋弧線 上。兩個在螺旋弧線上相繼設置之加熱元件的直接並排安置的連接端配屬於共同的接觸板。由此，大量加熱元件(例如新加熱元件)連接技術上並聯連接。各個加熱元件的加熱功率可以藉由它的加熱構件的長度來確定。如果加熱元件相應地提供相同的加熱功率，則設定各個加熱元件的加熱構件的圓弧長度基本上相同。因此尤其可以設定加熱裝置的各個加熱元件具有配備基本上相同圓弧長度的加熱構件。這一方面提高了裝置的使用壽命，並且另一方面降低了製造成本。在本創作的改進方案中設定連接端沿著共同的第一平面的面法線方向突出。因此，連接端沿著第二平面的方向突出，電阻加熱構件位於第二平面內。這種平面構成加熱面，接觸板的平面與該加熱面相隔。在加熱面和接觸板的平面之間可以設置支撐板。該支撐板能夠具有與加熱構件相連接的支撐件。由此將加熱構件相互相對地固持在位置上。支撐件可以具有實值上Y型的結構。藉由兩個Y型側邊固持加熱構件。較佳地具有圓形剖面的加熱構件位於兩個Y型側邊之間。Y型支桿與支撐板固定連接。支撐件可以由板件衝壓而成，並且形狀接合地插入支撐板相應的開口中。每個支撐件可以具有兩個相互平行延伸的臂，在這兩個臂之間固持有圓形剖面的加熱構件。相對於裝置的中心向外指向的臂可以比向內指向的臂更長。總體上支撐件具有叉形的結構，其中，自由空間的底部在加熱構件的輪廓的兩個叉尖之間匹配。但是，支撐件還可以設計為j型。此外規定，支撐件只具有一個臂。加熱元件藉由一條或多條金屬線可以與支撐件相連接。支撐板由不導電的材料製成。支撐件可由金屬構成。但是，支撐板也可以由金屬製成，並且作為遮罩板之用。該支撐板朝向加熱元件的表面可反射熱量。導電的支撐件可以藉由 絕緣體與支撐板相連接。加熱元件較佳地由鎢或者鎢合金製成。每個加熱元件可以由加熱絲組成。該加熱絲是繞著加熱元件的圓弧形延伸方向的螺旋式捲繞的金屬線。較佳地兩個並排延伸的鎢絲是電氣並聯的。兩條加熱絲盤繞成雙股加熱絲。但是，還可以安置總體上螺旋形的多於兩條的加熱絲，以便提供具有三股加熱絲的加熱元件。
此外，還可以設置蓋板。這可以直接設置在接觸板的上方，並且設置在加熱面和接觸板的平面之間的間隔空間內。蓋板具有開口，連接端穿過該開口。該蓋板由不導電的材料構成。尤其當多個不同的加熱構件被相互隔離通電時，可以設置多於兩個的接觸板，從而能夠使得裝置的不同區域被加熱到不同的溫度。加熱裝置尤其是CVD反應器的組件。CVD反應器具有反應器殼體和安置於其內的進氣構件，藉由進氣構件能夠將處理氣體導入處理室內。處理室具有由基座構成的底部，在該基座上安置一個或多個基板，該基板由導入的處理氣體所覆層。之前所述的加熱元件用於將處理室或基座加熱到處理溫度。加熱元件如此安置在基座的下方，使得設置的加熱面平行於支承著基板的上側面或平行於基座的下側面。連接端在接觸板的平面內的最佳化佈置可以使每個接觸板具有凸起，該凸起嵌入相應其它接觸板的凹處內。因此，接觸板相互齒形地咬合。由此構成的接觸凸起支承連接端。CVD裝置的基座較佳地藉由具有多個加熱區域的加熱器來加熱。每個加熱區域較佳地由配屬於該區域的加熱裝置構成。根據本創作的變型方案的裝置具有多個加熱裝置，其中，中央加熱裝置由至少一個、較佳地由三個或多個加熱裝置所包圍。中央加熱裝置較佳地具有圓形輪廓。另外圍 繞中央加熱裝置的徑向外側的加熱裝置具有環形輪廓。其它外側加熱裝置可以同樣具有環形輪廓。至少一個徑向外側的加熱裝置較佳地具有兩個接觸板，它們被安置在共同的平面內，並且相互間且相對於其餘加熱裝置的接觸板被電性隔離。至少兩個加熱裝置可以相互隔離地通電。兩個加熱裝置的加熱元件可以同樣處於相同的平面內。在本創作的變型方案中設置最外側的加熱裝置，其中接觸板在第一平面內，第二接觸板在第二平面內。該等平面相互間隔。徑向最外側的加熱裝置可以具有一個或多個加熱元件，這些加熱元件在平面上方，內側加熱裝置或至少一個中央加熱裝置的加熱元件處於該平面內。徑向最外側的加熱裝置的加熱元件可以如此緊密地並排設置，使得它們相互接觸。對於徑向最外側的加熱裝置尤其規定，支撐件同時支撐多個加熱元件。並排延伸的加熱元件被支撐件在多個位置上支承。如果支撐件由金屬構成，則加熱元件也在多個位置上藉由支撐件相互電氣連接。設置連接件，其尤其在空間上配屬有絕緣件。連接件能夠使接觸板與蓋板或支撐板相連接。較佳地將連接件與接觸板形狀接合地連接。用於導電的接觸銷可以從接觸板中突出。
1‧‧‧加熱元件
2‧‧‧加熱元件
3‧‧‧加熱元件
4‧‧‧加熱元件
5‧‧‧加熱元件
6‧‧‧加熱元件
7‧‧‧加熱元件
8‧‧‧加熱元件
9‧‧‧加熱元件
1.1‧‧‧第一連接端
2.1‧‧‧第一連接端
3.1‧‧‧第一連接端
4.1‧‧‧第一連接端
5.1‧‧‧第一連接端
6.1‧‧‧第一連接端
7.1‧‧‧第一連接端
8.1‧‧‧第一連接端
9.1‧‧‧第一連接端
1.2‧‧‧第二連接端
2.2‧‧‧第二連接端
3.2‧‧‧第二連接端
4.2‧‧‧第二連接端
5.2‧‧‧第二連接端
6.2‧‧‧第二連接端
7.2‧‧‧第二連接端
8.2‧‧‧第二連接端
9.2‧‧‧第二連接端
1.3‧‧‧加熱構件
2.3‧‧‧加熱構件
3.3‧‧‧加熱構件
4.3‧‧‧加熱構件
5.3‧‧‧加熱構件
6.3‧‧‧加熱構件
7.3‧‧‧加熱構件
8.3‧‧‧加熱構件
9.3‧‧‧加熱構件
10‧‧‧加熱裝置
11‧‧‧接觸板
12‧‧‧接觸板
13‧‧‧縫隙
14‧‧‧蓋板
15‧‧‧支撐板
16‧‧‧螺母
17‧‧‧支撐件
19‧‧‧開口
20‧‧‧支腳
21‧‧‧基座
22‧‧‧進氣構件
23‧‧‧處理室
24‧‧‧CVD反應器殼體
25‧‧‧接觸銷
26‧‧‧加熱裝置
27‧‧‧連接件
28‧‧‧開口
29‧‧‧加熱裝置
30‧‧‧支撐件
31‧‧‧間隔保持件
32‧‧‧絕緣體
33‧‧‧絕緣體
34‧‧‧支腳
35‧‧‧缺口
36‧‧‧固定件
37‧‧‧栓
38‧‧‧加熱絲
39‧‧‧加熱絲
E1‧‧‧第一平面
E2‧‧‧第二平面
以下結合附圖對本創作的實施例進行說明。在附圖中：圖1示出CVD反應器的結構示意圖，圖2示出根據本創作的第一實施例的加熱裝置的俯視圖，圖3示出圖2所示加熱裝置的側視圖，圖4示出加熱裝置的仰視圖， 圖5示出加熱裝置的立體圖，圖6示出沿圖5中剖面線VI-VI剖面所得的剖面圖，圖7示出沿圖2中剖面線VII-VII剖面所得的剖面圖，圖8示出第二實施例的加熱裝置的俯視圖，圖9示出沿圖8中箭頭IX觀察所得的側視圖，圖10示出在圖8的俯視圖所示實施例中的仰視圖，圖11示出根據圖10中剖面線XI-XI剖面所得的三維視圖，圖12示出根據本創作的第三實施例的俯視圖，圖13示出根據圖12中的箭頭XIII觀察所得的側視圖，圖14示出圖12所示實施例的俯視圖的仰視圖，圖15示出根據圖14中剖面線XV-XV剖面所得的剖面圖，圖16示出根據圖14中剖面線XV-XV剖面所得的三維視圖，圖17示出根據本創作的第四實施例的俯視圖，圖18示出沿圖17的箭頭XVIII觀察所得的側視圖，圖19示出沿圖17的箭頭XIX觀察所得的另一側視圖，圖20示出根據圖17的剖面線XX-XX剖面所得的剖面圖，圖21示出根據圖17的剖面線XXI-XXI剖面所得的剖面圖，圖22示出根據圖21的剖面線XXII-XXII剖面所得的剖面圖，圖23示出剖面連接件所得的三維視圖，圖24示出三個加熱裝置合為多區域加熱器的仰視圖，圖25示出沿圖24中剖面線XXV-XXV剖面所得的剖面圖，圖26示出沿圖25中剖面線XXVI-XXVI剖面所得的剖面圖，圖27示出由兩個繞著加熱元件的延伸方向螺旋彎曲的加熱絲構成的加熱元件的示意圖， 圖28示出圖24所示的多區域加熱器的仰視圖的俯視圖，和圖29示出剖面加熱裝置所得的剖面圖，用於表示在接觸板的開口的圓錐形壁上的接觸銷的圓錐形抵靠面。
如圖1所示，根據本創作的加熱裝置較佳是CVD反應器的組件。CVD反應器具有CVD反應器殼體24，在CVD反應器殼體24內設有進氣構件22，藉由該進氣構件將處理氣體導入安置在進氣構件22下方的處理室23。處理室23的底部由支承待覆層的基板的基座21構成。在基座21下方設有具有多個加熱區域的加熱裝置10。
在圖1中僅示意性示出的加熱裝置10在圖2至6中被詳細地示出。
加熱裝置具有總共9個加熱構件1.3至9.3。加熱構件1.3至9.3被安置在平面E2內的螺旋線上。加熱構件1.3至9.3具有基本上統一的長度。但是，當加熱構件1.3至9.3需要提供不同的加熱功率時，加熱構件1.3至9.3的長度也能夠是各自不同的。
每個剖面呈圓形的加熱構件1.3至9.3由加熱元件1至9構成。在示圖中，將加熱構件1.3至9.3表示為安置在螺旋弧形軌跡上的圓形體。這是加熱構件1.3至9.3的結構設計的變型方案。但是，在本創作的較佳設計方案中，加熱元件1.9至9.3分別由一根或多根絲線(即加熱絲)製成。一根或多根絲線是螺旋形狀地繞著螺旋線的中心線捲繞，從而形成剖面呈圓形的空心體，它的外壁由加熱絲的纏繞構成。加熱元件1至9構成同軸的相互嵌合的加熱區域。中心加熱元件9構成中心加熱區域。大約在具有圓形輪廓 的加熱裝置的中心設有加熱元件9的第二連接端9.2。該第二連接端9.2與接觸板12相連接。另一個第一連接端9.1徑向地在中心外部與接觸板11相連接。接觸板11是第一接觸板，其分別與加熱元件1至9的第一連接端1.1、2.1、3.1、4.1、5.1、6.1、7.1、8.1、9.1相連接。相應的第二連接端1.2、2.2、3.2、4.2、5.2、6.2、7.2、8.2、9.2與第二接觸板12相連接。第一接觸板11和第二接觸板12由導電材料(例如金屬)構成，並且導電地與相應的第一連接端1.1至9.1及第二連接端1.2至9.2相連接。
第一連接端1.1至9.1及第二連接端1.2至9.2沿著面的法線方向突出，即沿著垂直於接觸板11、12的平面突出。第一連接端1.1至9.1具有與第二連接端1.2至9.2相同的長度。這會使得兩個接觸板11、12處於相同的平面E1內。加熱構件1.3至9.3在第二平面E2內，第一連接端1.1至9.1或第二連接端1.2至9.2垂直地從加熱構件1.3至9.3中突出。
由圖2和圖4可以看出，在較佳實施例中兩個連接端總是成對地並排地設置。在此涉及的或者是與第一接觸板11相連接的第一連接端，或者是分別與第二接觸板12相連接的第二連接端。
兩個接觸板11、12藉由絕緣間隙13相互間隔。絕緣間隙13足夠的大，使得在加熱裝置加熱和冷卻時，接觸板11、12可以輕微地移動，而不會使它們之間發生構成短路的碰觸或者在絕緣間隙13上構成電弧。絕緣間隔13在弧形線上延伸。因此，構成舌形的接觸凸起11’、12’，它們相應地嵌入相對地另一個接觸板11、12的凹處。
加熱元件1可由金屬構成。第一連接端1.1至9.1或第二連接端1.2至9.2與相應加熱元件的相應加熱構件1.3至9.3的材料相同地製造成型。每個第一連接端1.1至9.1及第二連接端1.2至9.2在其自由端部上具有支腳20，該支腳是可壓縮的，並且支撐在接觸板11、12上。從支腳20中突出的螺紋區段穿過接觸板11、12的開口。在螺紋區段上旋入螺母16。
規定由不導電材料(例如陶瓷材料)構成支撐板15，該支撐板位於在第一平面E1和第二平面E2之間的間隔空間內。支撐板15直接位於加熱構件1.3至9.3下方，並且藉由大量的支撐件17與各個加熱構件1.3至9.3相連接。因此，將加熱構件1.3至9.3固持在螺旋線上。第一連接端1.1至9.1和第二連接端1.2至9.2穿過支撐板15的開口19。
Y型支撐件可由金屬構成。該Y型支撐件的Y型支桿插入支撐板15的固定開口中。兩個Y型側邊向上突出。Y型側邊能夠相互平行地突出。它們被容納在加熱構件之間。圖7示出剖面支撐件所得的剖面圖並且由此示出它的輪廓。在加熱構件和支撐板15之間延伸的間隔板條固持著加熱構件，形成與支撐板15的限定間距。由衝壓件構成的支撐件17形狀接合地插入支撐板15的開口內。加熱元件1位於支撐件17的兩個臂之間，其中，在加熱元件1的輪廓的兩個臂之間的自由空間是匹配的。徑向外側的臂比徑向內側的臂要長。
設有由鉬構成的蓋板14，其直接位於在共同平面E1內的接觸板11、12上方。該蓋板由不導電的材料(例如陶瓷材料)製成，並且具有位於第一連接端1.1至9.1及第二連接端1.2至9.2 的支腳20的高度上的開口。第一連接端1.1至9.1和第二連接端1.2至9.2皆被導引穿過開口。
在未示出的實施例中，設有多於兩個的接觸板11、12。在此可變地為不同的加熱元件1至9進行通電。在該實施例所示的加熱裝置中，加熱元件1至9的加熱構件1.3至9.3相應並聯地接通。由在基座21上單獨的徑向區域輸出的加熱功率基本上與加熱構件1.3至9.3的長度有關。
在實施例中，大量的加熱元件位於螺旋型的曲線上。但是，這些加熱元件也能夠相互嵌合地位於圓弧形線上。此外，加熱元件還能夠被安置在多個相互嵌合地螺旋線上。
在圖2至7中示出的加熱裝置可以是多區域加熱裝置的中央加熱裝置。圖8至11示出多區域加熱裝置的中央加熱裝置10的另一實施例。
加熱裝置具有大量的相繼繞著圓形基礎面的中央且安置在螺旋線上的加熱元件1至9。在該實施例中，單個加熱元件1至9不是全部延伸超過至少360°弧線。它們比第一實施例設計得更短。當然，在第二實施例中加熱元件的全部數量要多於在第一實施例中的數量。加熱元件1至9基本上以相同的間距並排設置，其中，在幾個位置上在相互靠近延伸的加熱元件之間的間距自然要被擴大，因為在此設有貫穿相應接觸板11、12的開口28，藉由該開口能夠有推桿穿過，以便能夠使得基座21被抬高。
單個加熱元件1至9相應地由一根或兩根加熱絲38、39構成。如圖27所示，該加熱絲是呈螺旋型的。兩根加熱絲38、39以大致相同的間距在螺旋線上並排地沿著加熱元件的延伸方向 延伸。
在圖8至11所示的實施例中，全部加熱元件1至9位於共同的平面內，該平面平行於支撐板15而延伸。但是還可規定，徑向最外側的加熱元件在比徑向內側的加熱元件在更低的水平面上延伸，即更靠近接觸板11、12的平面。
加熱元件1至9被位於與支撐板15平行的平行面內的支撐件17所固持。支撐件17藉由在支撐板內的支腳被固定。為此，設有形狀接合件，其上下固持住支撐板15。
支撐板15與蓋板14藉由連接件27相連接。蓋板14可由金屬或者陶瓷製成。支撐板15較佳由金屬構成，並且因此憑藉其反射作用具有抵抗熱輻射的遮罩功能。
蓋板14藉由絕緣的連接件與接觸板11、12相連接。由此將接觸板11、12相互間隔地固持，從而在接觸板11、12之間形成縫隙13，該縫隙使得兩個接觸板11、12相互電絕緣。
多個接觸銷25從接觸板11、12的後側突出，能夠將接觸端子設置在該接觸銷上，以便將加熱元件1至8通電。全部的加熱元件1至9具有相同的弧長，即具有相同的歐姆電阻，並且被並聯接通。
在圖12至16中所示的實施例與之前所示實施例的基本區別在於基礎面。在此，基礎面同樣是圓形的，但是在中央具有孔，該孔的大小如此確定，使得在圖8至11中所示的實施例能夠被置入中央的自由空間中。在圖12至16中所示的加熱裝置26因此構成多區域加熱器的加熱區域。如果多區域加熱器只是由兩個加熱裝置組成，例如由圖8至11所示的和圖12至16所示的加熱裝 置組成，則該加熱裝置構成兩區域加熱器的外部加熱區域。
設有多個接觸板11、12。在此有關於兩個接觸板11、12，它們藉由縫隙13相互隔開。多個加熱元件1至9在一條螺旋線上繞著基礎面的中央延伸。加熱元件1至9具有相同的長度，並且被並聯接通。接觸板11、12具有分別從接觸板11、12的背側突出的接觸銷25。這些接觸銷25與未示出的端子接觸件相連接或者插入接觸插座中，以便為接觸板11、12單獨地提供電能。因此加熱裝置26相對於加熱裝置10能夠被獨立地通電。
圖15和16示出支腳20的特別結構設計，加熱元件1至9(即構成加熱元件的加熱絲38、39)藉由該支腳與接觸板11、12相連接。接觸板11、12具有圓錐形的孔，將支腳20的圓錐形區段插入該孔中。在支腳20的螺紋區段上旋入螺母16，該螺母16使支腳20的圓錐形面以較大面積接觸圓錐形孔的壁。螺母16藉由安全銷被固定不能轉動。螺紋區段連接在截錐體的截錐區段上。安全銷能夠穿過螺紋區段的孔。這種孔也可以處在與螺母16的壁的開口平齊的位置上，從而安全銷即穿過螺母也穿過螺紋桿。
在圖15和16所示的實施例中，徑向最外側的加熱元件在具有比徑向內側加熱元件離接觸板11、12更近的距離的平面內延伸，因此徑向內側的加熱元件在與比安置於徑向最外側的加熱元件的平面離接觸板11、12的平面相距更遠的平面內延伸。加熱元件的構成最外側螺旋線圈的加熱絲藉由支腳20與接觸板11、12相連接，因此該支腳20設計得比內側加熱元件與接觸板11、12相連接所借助的支腳20更短。
在圖17至23中所示的實施例示出徑向最外側的加熱 區域。在此，多個加熱元件1至5在局部接觸抵靠的情況下在共同的圓弧線上延伸。另外，與之前所述的實施例相比，這裡有兩個圓環形接觸板11、12相重疊。每個接觸板11、12能夠藉由與加熱元件1至5遠離的接觸銷25通電。這裡，接觸板11、12位於相互平行延伸和相互間隔的平面內。
另外，與之前所述的實施例相比，在此支撐件分別只支撐一個加熱元件，支撐件30在此一共支撐5個加熱元件。因為支撐件30由金屬構成，所以加熱元件1至5在支撐位置上相互連接。
支撐件30的支腳34穿過支撐板15的缺口35。設有從支腳34突出的搭邊，其在支撐板的下側和上側上延伸。
在該實施例中，支撐板15由不導電材料構成。支撐件30構成凹腔狀的槽，其中，每個凹腔狀的槽具有槽紋邊緣。在這種槽紋邊緣上設置在圖20至23中由於視線問題顯示為固體的加熱絲38、39上。
從圖20中可以看出，加熱元件1至5不在相同的平面內延伸。更確切地說加熱元件設在彼此不同的平面內。加熱元件1至5分別具有距離支撐板15或距離接觸板11、12不同的間距。徑向在加熱元件1外部延伸的加熱元件2比加熱元件1距離支撐板15更遠。徑向最外側的加熱元件3、4、5距離加熱裝置26的中心以大約相同的距離延伸，其中，加熱元件3和加熱元件1距離支撐板有大約相同的間距。但是，徑向最外側的加熱元件4、5則最靠近支撐板15。因此，徑向最外側的加熱元件4、5設在接觸板11或12的平面的最下面的平行面內。
此外，圖21至23還示出連接件27，該連接件將支撐板15與兩個接觸板11和12相連接。連接件27由固定在支撐板15開口內的金屬條製成。連接件27穿過兩個接觸板11、12的開口，並且在那分別藉由絕緣體32、33與接觸板11、12相連接。接觸板11、12藉由為絕緣材料製成的間距保持件31以一定間距所固持。間距保持件31是包圍連接件27的陶瓷套筒。藉由側向突出的且能夠抵靠在間距保持件31的內壁上的側翼，間距保持件31相對於連接件27定中心。絕緣體32、33是具有直徑減少區段的圓柱形陶瓷體。該直徑減少區段插入接觸板11、12的開口。直徑擴大區段支撐在接觸板11、12的寬側面上。絕緣體32、33的中軸具有缺口，連接件27穿過該缺口。從圖22可以看出，連接件的梯形凸起支撐在絕緣體32上，並且絕緣體33藉由固定件36固定在連接件27上，其中，固定件36具有穿過連接件27的開口的固定銷。
支撐板15由連接件27的側向突出的支撐臂所支承。連接件27的區段穿過支撐板15的開口。在那，固定件36的銷同樣插入開口內。
固定件36可由具有銷的固定薄板構成，該銷能夠穿過固定開口。
圖24和28示出之前所述的加熱裝置10、26、29，其佈置方式是將加熱裝置作為在基座21下的加熱器使用。單獨的加熱裝置10、26、29相互嵌合。當加熱裝置10和26的加熱元件1至9在相同的平面內延伸時，加熱元件1至5部分地位於該平面上方，但是部分位於該平面下方。徑向最內側的加熱裝置10的加熱元件全部處於相同的平面內。除了安置在徑向最外側的螺旋線圈上 的加熱元件外，中間的加熱裝置26的加熱元件都在該平面內延伸。徑向最外側的加熱元件在降低的水平面上延伸，該加熱元件比徑向內側的加熱元件在使用狀態下具有距離基座底面更大的間距。徑向最外側加熱裝置29的加熱元件部分比中央加熱裝置10的加熱元件處於更高的水平面。但是，最外側加熱裝置29的徑向最外側的加熱元件處於更低的水平面。尤其在徑向最外側加熱裝置29中比在徑向內側加熱裝置10、26中，設定各個加熱元件更加緊密地並排設置。在最外側加熱裝置29中比在兩個徑向內側加熱裝置10、26中於每個徑向長度單位上安置更多的加熱元件。
此外，從圖13中還可以看出，不只一個徑向最外側的螺旋線圈在降低的水平面上延伸。安置在多個徑向最外側的螺旋線圈上的加熱元件在更低的水平面上延伸。
圖25和26示出特別構造的接觸銷25，該接觸銷藉由螺紋連接與接觸板11導電地相連接。藉由螺紋區段而由螺母固定的栓37伸入空心的接觸銷25內。在此，栓37的橫向開口與空心的接觸銷25的橫向缺口相對齊。
還在此設定，接觸銷25藉由圓錐形接觸面抵靠在接觸板11內的開口的圓錐形壁上。例如圖29所示。
前述實施方式用於闡述包括本申請的創作，其藉由下述技術特徵組合相應獨立地改進了現有技術，即：一種裝置，其特徵在於，該兩個接觸板位於共同的第一平面內。
一種裝置，其特徵在於，該等加熱構件安置在與該第一平面平行的且在CVD反應器的處理室的基座下方的平面內。
一種裝置，其特徵在於，連接端1.1至9.1、1.2至9.2沿該第一平面的面法線方向延伸，該等連接端1.1至9.1、1.2至9.2與該等加熱元件的延伸方向呈90°夾角地延伸，其中尤其規定，該等電阻加熱構件1.3至9.3形成基本呈90°的彎曲，或者該等連接端1.1至9.2構成90°角。
一種裝置，其特徵在於，沿著螺旋線或圓弧線圍繞該裝置的中心安置該等電阻加熱構件，和/或尤其沿著圓弧線或螺旋線相繼地設置或相互嵌合地安置多個該等加熱構件1.3至9.3。
一種裝置，其特徵在於，該等兩個接觸板11、12以一個間距13相互間隔，其中，該間距13尤其設計為縫隙，其中尤其規定，該兩個由金屬構成的接觸板11、12藉由為絕緣體構成的間隔保持件31相互保持一個間距，其中，該間隔保持件31尤其可配屬於連接件27。
一種裝置，其特徵在於，該兩個位於共同的第一平面E1內的第一和第二接觸板11、12具有齒形的相互咬合的接觸凸起11’、12’。
一種裝置，其特徵在於，分別有兩個並排安置的第一連接端及第二連接端配屬於一個共同的接觸板11、12。
一種裝置，其特徵在於，平行於該等接觸板11、12安置具有支撐件17的支撐板15該支撐板15藉由該支撐件17支撐著該等加熱構件1.3至9.3，其中尤其設定該支撐件17固定該等加熱元件1至9與該支撐板15的間隔位置和該等加熱元件1至9相互間的間距，其中尤其規定該支撐板15被設計為至少在其朝向該加熱元件1的一側反射熱量。
一種裝置，其特徵在於，安置在該支撐板15和該等接觸板11、12之間的蓋板14構成開口，該等連接端1.1至9.2突出穿過該開口。
一種裝置，其特徵在於，具有該等加熱元件1至9的中央加熱裝置10由具有一個或多個加熱元件1至9的外側加熱裝置26、29圍繞，其中，該等加熱裝置10、26、29具有能相互獨立地通電的加熱元件1至9。
一種裝置，其特徵在於，該支撐板15藉由連接件27與該等接觸板11、12中的至少一個相連接，其中，該連接件27藉由絕緣體32、33與該等接觸板11、12相連接。
一種裝置，其特徵在於，該等多個加熱裝置10、26、29圓形地相互圍繞安置，其中，第一中央加熱裝置10具有圓形的輪廓，並且至少一個徑向外側的加熱裝置26、29具有圓環形的輪廓。
一種裝置，其特徵在於，徑向最外側的加熱裝置具有多個並排延伸的加熱元件，該等加熱元件藉由該支撐件相互電氣連接。
一種裝置，其特徵在於，該等加熱元件由螺旋形捲繞的加熱絲構成，其中，尤其該等加熱元件由雙股加熱絲構成。
所有公開的特徵(本身及其相互組合)都有創作意義或創作價值。在本申請的公開文件中，所屬/附屬的優先權文件(在先申請文件)的公開內容也被完全包括在內，為此也將該優先權文件中的特徵納入本申請的申請專利範圍中。申請專利範圍之附屬項的特徵都是對於現有技術有獨立創作意義或價值的改進設計，尤其可 以這些申請專利範圍之附屬項為基礎提出分案申請。
1‧‧‧加熱元件
1.1‧‧‧第一連接端
10‧‧‧加熱裝置
11‧‧‧接觸板
12‧‧‧接觸板
13‧‧‧縫隙

Claims (14)

  1. 一種裝置，具有至少一個導電的第一接觸板(11)和至少一個導電的第二接觸板(12)和分別具備電阻加熱構件(1.3至9.3)的加熱元件(1至9)，該等電阻加熱構件(1.3至9.3)藉由第一連接端(1.1至9.1)與該第一接觸板(11)相連接並且藉由第二連接端(1.2至9.2)與該第二接觸板(12)相連接，其特徵在於：該兩個接觸板(11、12)位於共同的第一平面(E1)內。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該等加熱構件(1.3至9.3)安置在與該第一平面(E1)平行的且在CVD反應器的處理室(23)的基座(21)下方的第二平面(E2)內。
  3. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中，該等連接端(1.1至9.1、1.2至9.2)沿該第一平面的面法線方向延伸，該等連接端(1.1至9.1、1.2至9.2)與該等加熱元件的延伸方向呈90°夾角地延伸，其中尤其規定，該等電阻加熱構件(1.3至9.3)形成基本上呈90°的彎曲，或者該等連接端(1.1至9.2)構成90°角。
  4. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，沿著螺旋線或圓弧線圍繞該裝置的中心安置該等電阻加熱構件(1.3至9.3)，和/或尤其沿著圓弧線或螺旋線相繼地設置或相互嵌合地安置多個該等加熱構件(1.3至9.3)。
  5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該兩個接觸板(11、12)以一個間距(13)相互間隔，其中，尤其該間距(13)設計為縫隙，其中尤其規定，該兩個由金屬構成的接觸板(11、12)藉由為絕緣體構成的間隔保持件(31)相互保持一個間距，其中，該間隔保持件(31)尤其可配屬於連接件(27)。
  6. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該兩個位於共同的第一平面(E1)內的第一和第二接觸板(11、12)具有齒形的相互咬合的接觸凸起(11’、12’)。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，分別有兩個並排安置的第一連接端及第二連接端配屬於一個共同的接觸板(11、12)。
  8. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，平行於該等接觸板(11、12)安置具有支撐件(17)的支撐板(15)，該支撐板(15)藉由該支撐件(17)支撐著該等加熱構件(1.3至9.3)，其中尤其設定，該支撐件(17)固定該等加熱元件(1至9)與該支撐板(15)的間隔位置和該等加熱元件(1至9)相互間的間距，其中尤其規定，該支撐板(15)被設計為至少在其朝向該加熱元件(1)的一側反射熱量。
  9. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，安置在該支撐板(15)和該等接觸板(11、12)之間的蓋板(14)構成開口，該等連接端(1.1至9.2)突出穿過該開口。
  10. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，一具有該等加熱元件(1至9)的中央加熱裝置(10)由具有一個或多個加熱元件(1至9)的外側加熱裝置(26、29)圍繞，其中，該等加熱裝置(10、26、29)具有能相互獨立地通電的加熱元件(1至9)。
  11. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，該支撐板(15)藉由連接件(27)與該等接觸板(11、12)中的至少一個相連接，其中，該連接件(27)尤其藉由絕緣體(32、33)與該等接觸板(11、12)相連接。
  12. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，多個加熱裝置(10、26、29)圓形地相互圍繞安置，其中，第一中央加熱裝置(10)具有圓形的輪廓，並且至少一個徑向外側的加熱裝置(26、29)具有圓環形的輪廓。
  13. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，一徑向最外側的加熱裝置(29)具有多個並排延伸的加熱元件(1至5)，該等加熱元件(1至5)藉由支撐件(30)相互電氣連接。
  14. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該等加熱元件(1至9)由螺旋形捲繞的加熱絲(38、39)構成，其中，尤其該等加熱元件(1至9)由雙股加熱絲(38、39)構成。
TW103207351U 2013-11-26 2014-04-28 加熱裝置 TWM500349U (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013113045.3A DE102013113045A1 (de) 2013-11-26 2013-11-26 Heizvorrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWM500349U true TWM500349U (zh) 2015-05-01

Family

ID=51951780

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103115144A TWI612177B (zh) 2013-11-26 2014-04-28 加熱裝置
TW103207351U TWM500349U (zh) 2013-11-26 2014-04-28 加熱裝置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103115144A TWI612177B (zh) 2013-11-26 2014-04-28 加熱裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10273580B2 (zh)
KR (1) KR102224630B1 (zh)
CN (2) CN104674196B (zh)
DE (1) DE102013113045A1 (zh)
GB (1) GB2536154B (zh)
TW (2) TWI612177B (zh)
WO (1) WO2015078704A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013113045A1 (de) * 2013-11-26 2015-05-28 Aixtron Se Heizvorrichtung
DE102014112645A1 (de) 2014-09-03 2016-03-03 Aixtron Se Heizeinrichtung
DE202016103834U1 (de) 2016-07-15 2017-10-19 Aixtron Se Vorrichtung zum Beheizen eines Suszeptors eines CVD-Reaktors
CN111910177B (zh) * 2019-05-08 2021-05-14 聚灿光电科技股份有限公司 金属有机化合物化学气相沉积反应装置
TWI710664B (zh) * 2019-11-06 2020-11-21 錼創顯示科技股份有限公司 加熱裝置及化學氣相沉積系統
US11542604B2 (en) 2019-11-06 2023-01-03 PlayNitride Display Co., Ltd. Heating apparatus and chemical vapor deposition system
TWI710298B (zh) * 2019-11-06 2020-11-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 具有加熱功能的轉接板以及電子裝置
CN110940695B (zh) * 2019-11-28 2022-04-26 航天特种材料及工艺技术研究所 一种热量汇聚装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE7518153U (de) * 1975-10-30 Elpag Ag Chur Rohrheizkörper
JPH0687463B2 (ja) * 1989-08-24 1994-11-02 株式会社東芝 半導体気相成長装置
WO2001078456A1 (fr) * 2000-04-07 2001-10-18 Ibiden Co., Ltd. Element ceramique chauffant
EP1220303B1 (en) * 2000-06-02 2004-09-08 Ibiden Co., Ltd. Hot plate unit
JP4009100B2 (ja) * 2000-12-28 2007-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法
WO2003007661A1 (fr) * 2001-07-09 2003-01-23 Ibiden Co., Ltd. Appareil de chauffage en ceramique et article en ceramique soude
DE10329107B4 (de) 2002-12-23 2015-05-28 Mattson Thermal Products Gmbh Verfahren zum Bestimmung wenigstens einer Zustandsvariablen aus einem Modell eines RTP-Systems
JP4761723B2 (ja) * 2004-04-12 2011-08-31 日本碍子株式会社 基板加熱装置
US20060185595A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Coll Bernard F Apparatus and process for carbon nanotube growth
US20100162956A1 (en) * 2005-08-05 2010-07-01 Seishi Murakami Substrate Processing Apparatus and Substrate Mount Table Used in the Apparatus
DE102005056536A1 (de) 2005-11-28 2007-05-31 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit widerstandsbeheiztem Suszeptor
DE102006018515A1 (de) 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit absenkbarer Prozesskammerdecke
DE102007009145A1 (de) 2007-02-24 2008-08-28 Aixtron Ag Vorrichtung zum Abscheiden kristalliner Schichten wahlweise mittels MOCVD oder HVPE
DE102007027704A1 (de) 2007-06-15 2008-12-18 Aixtron Ag Vorrichtung zum Beschichten von auf einem Suszeptor angeordneten Substraten
DE102009043960A1 (de) 2009-09-08 2011-03-10 Aixtron Ag CVD-Reaktor
DE102013113045A1 (de) * 2013-11-26 2015-05-28 Aixtron Se Heizvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
GB2536154B (en) 2021-03-17
US10273580B2 (en) 2019-04-30
US20170002462A1 (en) 2017-01-05
CN204162788U (zh) 2015-02-18
KR102224630B1 (ko) 2021-03-05
CN104674196A (zh) 2015-06-03
GB201609183D0 (en) 2016-07-06
GB2536154A (en) 2016-09-07
WO2015078704A1 (de) 2015-06-04
TW201520364A (zh) 2015-06-01
DE102013113045A1 (de) 2015-05-28
CN104674196B (zh) 2019-03-08
KR20160090383A (ko) 2016-07-29
TWI612177B (zh) 2018-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI612177B (zh) 加熱裝置
US8269150B2 (en) Electric heater
EP2667402B1 (en) Concentric coil infrared emitter lamp
TWI619839B (zh) Heating device for the susceptor of the CVD reactor
KR101967040B1 (ko) 고온 증발원용 히터
TWM522949U (zh) 加熱裝置
KR102690907B1 (ko) 조리대용 인덕션 가열기
US20240237155A1 (en) Electric heating device
JP5379024B2 (ja) 電気炉用インサート
JP2008534893A (ja) 効率的発熱を有し、機械的安定性を有する加熱素子構造
JP2015023152A (ja) 気相成長装置及び気相成長用加熱装置
JP5963950B2 (ja) リアクトル
US1142861A (en) Electrical heating unit.
US10880957B2 (en) Internal structure for an electrical heating device with heating element freely coiled at least in sections and electrical heating device
CN213786923U (zh) 一种新型发热盘
CN210899671U (zh) 易于卷曲定位的发热圈
JP6253289B2 (ja) 気相成長装置及び気相成長用加熱装置
KR20160003595U (ko) 열선 코일의 교체가 용이한 발열체
BR102012018888A2 (pt) Aperfeiçoamento em resistência elétrica para aparelhos de aquecimento de água
CN117158115A (zh) 护套加热器和具有该护套加热器的基板支撑装置
JP2014086290A (ja) ヒータ装置
BR102013011585A2 (pt) Resistência elétrica para aparelhos elétricos de aquecimento de água
JP2001313239A (ja) 半導体製造装置用ホットプレートユニット
JPH10162943A (ja) 抵抗加熱ヒータ用碍子および抵抗加熱ヒータ