TWM493747U

TWM493747U - 晶片承載盤

Info

Publication number: TWM493747U
Application number: TW103215318U
Authority: TW
Inventors: Tzung-Lin Huang
Original assignee: Hwashu Entpr Co Ltd
Priority date: 2014-08-27
Filing date: 2014-08-27
Publication date: 2015-01-11

Description

晶片承載盤

本創作係關於一種晶片承載盤，尤其是一種可避免晶片被吸附的晶片承載盤。

近年來3C產品不僅愈來愈普及化且無不標榜其具有智慧(如智慧型手機、冷氣、烹飪機與冰箱等)。而IC晶片便是扮演3C產品可具有智慧功效的重要角色。而IC晶片製造過程中，先將高純度的矽製作成一矽晶圓，該矽晶圓經過蝕刻、沉積以及摻雜等晶圓製作過程可具備有電氣性質，再經晶圓測試後可切割並挑選出品質良好的晶片(良品)，最後將良品送至封裝廠進行晶片封裝的動作。

在將良品移送至封裝廠中常因路面顛簸使得晶片過度搖晃而受損，因此，勢必要有一可保護晶片之承載裝置，而一般承載方式係將良品置放於一晶片承載盤上。

請參照第1圖所示，一般習知晶片承載盤8具有相對之一承載部81及一疊合部82。該承載部81係用以承載數個晶片C，該疊合部82形成一凹槽821，該凹槽821具有一底面822。藉此，當數個晶片承載盤8相互堆疊時，其中一晶片承載盤之承載部81係可結合於相鄰的另一晶片承載盤之凹槽821中。

惟，在數個晶片承載盤8相互疊合時，由於其中一晶片承載盤8中的晶片C會與另一晶片承載盤8之該疊合部82之底面822貼附，因而產生一吸附之作用力。因此，在取下相鄰的的任一晶片承載盤8時，其中之一晶片承載盤8之承載部81上的晶片容易被吸附於另一晶片承載盤8之疊合部82之底面822。因此，該數個晶片C會受地心引力影響向下掉落而受產生損壞之情況。

本創作提供一種晶片承載盤，可避免在取下晶片承載盤的過程中，晶片被吸附於晶片承載盤。

本創作的晶片承載盤，係包含：相對之一承載部及一疊合部；該疊合部形成一凹槽；該凹槽具有一底面，該底面凸設有數個肋條，該數個肋條彼此之間具有一氣隙。

本創作之晶片承載盤，其中，該凹槽設有環繞該底面的一環周面。

本創作之晶片承載盤，其中，該肋條具有一自由端，該肋條之自由端與該凹槽之底面之間具有一第一垂直距離，該凹槽的環周面與該凹槽之底面之間間具有一第二垂直距離；其中，該第一垂直距離大於該第二垂直距離。

本創作之晶片承載盤，其中，該晶片承載盤之一角隅設有一切角。

本創作之晶片承載盤，其中，該承載部表面設置有數個固定槽。

本創作之晶片承載盤，其中，該數個肋條為平行設置。

本創作之晶片承載盤，其中，該數個肋條為交叉設置。

據此，本創作之晶片承載盤藉由該數個肋條彼此之間具有的氣隙之設計，可避免在取下相鄰的的任一晶片承載盤時，其中之一晶片承載盤之承載部上的晶片不會吸附於另一晶片承載盤之疊合部之底面，以防止晶片因地心引力向下掉落而產生受損之情形。

〔本創作〕

1‧‧‧晶片承載盤

11‧‧‧承載部

111‧‧‧固定槽

12‧‧‧疊合部

121‧‧‧凹槽

121a‧‧‧底面

121b‧‧‧環周面

13‧‧‧切角

14‧‧‧肋條

141‧‧‧氣隙

142‧‧‧自由端

C‧‧‧晶片

H1‧‧‧第一垂直距離

H2‧‧‧第二垂直距離

〔習知〕

8‧‧‧晶片承載盤

81‧‧‧承載部

82‧‧‧疊合部

821‧‧‧凹槽

822‧‧‧底面

C‧‧‧晶片

第1圖係習知晶片承載盤於疊合後之剖視圖。

第2圖係本創作晶片承載盤之立體外觀圖。

第3圖係本創作晶片承載盤之剖視圖。

第4圖係本創作晶片承載盤於疊合後之剖視圖。

為讓本創作之上述及其它目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉本創作之較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：請參照第2、3及4圖，本創作之晶片承載盤1設有相對之一承載部11及一疊合部12，該承載部11用以承載數個晶片C。其中，該承載部11表面更可設置數個固定槽111，當該數個晶片C置於於該承載部11表面時，可利用該固定槽111定位該數個晶片C。該疊合部12形成一凹槽121，藉由該凹槽121之設計，可使相鄰的數個晶片承載盤1彼此之間可相互堆疊；又，該晶片承載盤1於一角隅位置設有一切角13，該切角13係為在數個該晶片承載盤1於疊合時，可提供對位之作用。

請再參照第2及3圖所示，該晶片承載盤1之凹槽121具有一底面121a，且該凹槽121另設有環繞該底面121a的一環周面121b。其中該底面121a凸設有數個肋條14，該數個肋條14彼此之間具有一氣隙141；該數個肋條14的設置方式，可為如第2圖所示的交叉設置(如井字形等)，或者，亦可選擇將數個肋條14平行設置，亦可形成該氣隙141。

上述數個肋條14各具有一自由端142，該肋條16的自由端142與該凹槽121之底面121a之間具有一第一垂直距離H1；該凹槽 121的環周面121b與該凹槽121之底面121a間具有一第二垂直距離H2。其中，該第一垂直距離H1可大於該第二垂直距離H2。

請再參照第3、4圖所示，在本創作之晶片承載盤1於使用時，可將數個晶片承載盤1相互堆疊，其中一晶片承載盤1之承載部11係可結合於相鄰的另一晶片承載盤1之凹槽121中，藉由該數個肋條14之間形成氣隙141之設計，其中之一晶片承載盤1的數個晶片C會部份貼接於另一晶片承載盤1之肋條14之自由端142上，而不是完全貼接於該凹槽121之底面121a。藉此，在取下相鄰的的任一晶片承載盤1時，其中之一晶片承載盤1的數個晶片C不會吸附於另一晶片承載盤1上。

請再參照4圖所示，由於該第一垂直距離H1大於該第二垂直距離H2，因此，可提供更多空氣進入該相鄰肋條14間形成之氣隙141中。藉此，可提供更良好之空氣流動，進而達成讓該數個晶片C與該晶片承載盤1吸附情形更為降低之功效。

綜上所述，本創作之晶片承載盤1藉由該數個肋條14彼此之間具有之氣隙141之設計，可避免在取下相鄰的的任一晶片承載盤1時，其中之一晶片承載盤1之承載部11的晶片C不會吸附於另一晶片承載盤1之疊合部12之凹槽121之底面121a。以防止該數個晶片C因地心引力向下掉落而產生其受損之情形。

雖然本創作已利用上述較佳實施例揭示，然其並非用以限定本創作，任何熟習此技藝者在不脫離本創作之精神和範圍之內，相對上述實施例進行各種更動與修改仍屬本創作所保護之技術範疇，因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。