TWM471030U - 電路板封裝結構 - Google Patents

Description

電路板封裝結構

本新型是有關一種電路板封裝結構。

一般而言，在電路板的製作過程中，需將特定的元件置入電路板預設的容置槽內，例如散熱用的銅塊、鐵芯等。其中鐵芯因具有磁性，可應用於變壓器(transformer)或扼流器(power choke)的結構。

習知四層封裝結構的電路板以銅箔基板(Copper Clad Laminate；CCL)為基板。在製作電路板時，可利用成型機於基板正面形成複數個互不連通的環形容置槽。接著，置入環形的鐵芯於容置槽中，並於容置槽中填入環氧樹脂固定鐵芯。之後，可將表面具銅箔的玻璃纖維(FR4)壓合於基板的正反兩面，並經由鑽孔、鍍銅等製程，形成可導通基板正反兩面銅箔的通道(via)。最後，圖案化銅箔並於基板正反兩面以環氧樹脂覆蓋。

成型機在基板形成容置槽時，刀具需先下降接觸基板，接著水平移動並切割出環形容置槽，在一個容置槽完成後，刀具上升，並移至下一個預計形成容置槽的基板位 置上方。上述步驟不斷重複才在基板形成複數個容置槽，會耗費大量刀具垂直移動(上升和下降)的時間。

此外，容置槽中的黏膠固化後會產生應力，使鐵芯的電感值降低，且電路板後續經表面貼合製程(Surface Mount Technology；SMT)時，雖然黏膠可具有散熱功能，但容置槽中的氣體仍可能於紅外線迴焊爐(IR reflow)受高溫而膨脹，使壓力無法宣洩，因此可能會造成覆蓋基板的玻璃纖維與環氧樹脂損壞。

本新型之一技術態樣為一種電路板封裝結構。

根據本新型一實施方式，一種電路板封裝結構包含基板、複數個環形磁力元件、支撐層與複數個第一導電層。基板具有相對的第一表面與第二表面、複數個第一環形凹槽與複數個第一開槽。第一環形凹槽與第一開槽位於第一表面。每一第一環形凹槽由至少一第一開槽連通至另一第一環形凹槽，且至少二第一環形凹槽由第一開槽連通至基板側面形成至少二開口。環形磁力元件分別位於第一環形凹槽中。支撐層位於基板的第一表面上，且覆蓋第一環形凹槽與第一開槽。支撐層與基板具有複數個穿孔，且穿孔相鄰第一環形凹槽。第一導電層分別位於支撐層與基板朝向穿孔的表面上。每一第一導電層具有相對的第一端部與第二端部，且第一端部延伸至支撐層相對基板的表面上，第二端部延伸至基板的第二表面上。

本新型之另一技術態樣為一種電路板封裝結構。

根據本新型一實施方式，一種電路板封裝結構包含基板、環形磁力元件、支撐層與複數個第一導電層。基板具有相對的第一表面與第二表面、環形凹槽與複數個開槽。環形凹槽與開槽位於第一表面。環形凹槽由開槽連通至基板的側面形成至少二開口。環形磁力元件位於環形凹槽中。支撐層位於基板的第一表面上，且覆蓋環形凹槽與開槽。支撐層與基板具有複數個穿孔，且穿孔相鄰環形凹槽。第一導電層分別位於支撐層與基板朝向穿孔的表面上。每一第一導電層具有相對的第一端部與第二端部，且第一端部延伸至支撐層相對基板的表面上，第二端部延伸至基板的第二表面上。

在本新型上述實施方式中，由於基板具有第一開槽與容置環形磁力元件的第一環形凹槽，且第一開槽連通於相鄰的第一環形凹槽，因此當以垂直第一開槽的方向切割電路板封裝結構後，第一開槽能在切割後的基板側面形成開口。如此一來，切割後的電路板封裝結構在經表面貼合製程時，雖然第一環形凹槽中的氣體會於迴焊爐受高溫而膨脹，但氣體可透過第一開槽流出，使壓力得以宣洩，可省略習知的黏膠，提高環形磁力元件的電感值。此外，電路板封裝結構在切割前，第一開槽由支撐層覆蓋不會露出，可避免切割電路板封裝結構前所使用的製程液體藉由第一開槽進入第一環形凹槽導致污染。

本新型之另一技術態樣為一種電路板封裝結構的 製造方法。

根據本新型一實施方式，一種電路板封裝結構的製造方法包含下列步驟：(a)提供基板。(b)形成複數個第一環形凹槽與複數個第一開槽於基板之第一表面，其中每一第一環形凹槽由至少一第一開槽連通至另一第一環形凹槽。(c)放置複數個環形磁力元件於第一環形凹槽中。(d)貼附支撐層於基板之第一表面上，使第一環形凹槽與第一開槽由支撐層覆蓋。(e)鑽複數個穿孔貫穿於支撐層與基板，且穿孔相鄰第一環形凹槽。(f)形成複數個導電層於支撐層與基板朝向穿孔的表面上、支撐層相對基板的表面上及基板的第二表面上。

在本新型上述實施方式中，由於在形成第一環形凹槽與第一開槽時，刀具可先下降進入基板，接著水平移動切割出第一環形凹槽與第一開槽，並於相連通的第一環形凹槽與第一開槽完成後，刀具才上升，因此能節省刀具垂直移動(上升和下降)的時間。

100‧‧‧電路板封裝結構

100a‧‧‧電路板封裝結構

100b‧‧‧電路板封裝結構

110‧‧‧基板

111‧‧‧表面

112‧‧‧第一表面

114‧‧‧第二表面

115‧‧‧銅箔

115a‧‧‧對位部

116‧‧‧第一環形凹槽

117‧‧‧銅箔

118‧‧‧第一開槽

119‧‧‧開口

126‧‧‧第二環形凹槽

128‧‧‧第二開槽

129‧‧‧開口

130‧‧‧環形磁力元件

130a‧‧‧環形磁力元件

140‧‧‧支撐層

141‧‧‧銅箔

142‧‧‧表面

144‧‧‧表面

145‧‧‧含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層

146‧‧‧含已固化環氧樹脂的玻璃纖維層

147‧‧‧第一含非固化環氧樹 脂的玻璃纖維層

148‧‧‧第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層

150‧‧‧穿孔

160‧‧‧第一導電層

150’‧‧‧穿孔

164‧‧‧第二端部

162‧‧‧第一端部

174‧‧‧第二保護層

172‧‧‧第一保護層

178‧‧‧第三保護層

176‧‧‧第三保護層

182‧‧‧第三端部

180‧‧‧第二導電層

210‧‧‧刀具

184‧‧‧第四端部

A1‧‧‧區域

2-2‧‧‧線段

D1‧‧‧方向

A2‧‧‧區域

d1~d4‧‧‧深度

D2‧‧‧方向

P1~P4‧‧‧路徑

L1~L8‧‧‧線段

W1~W4‧‧‧距離

S1~S6‧‧‧步驟

第1圖繪示根據本新型一實施方式之電路板封裝結構的上視圖。

第2圖繪示第1圖之電路板封裝結構沿線段2-2的剖面圖。

第3圖繪示第1圖之電路板封裝結構沿線段L2切割 後，從方向D1看的側視圖。

第4圖繪示根據本新型一實施方式之電路板封裝結構的製造方法的流程圖。

第5圖繪示第4圖之基板的剖面圖。

第6圖繪示第5圖之基板形成第一環形凹槽時的剖面圖。

第7圖繪示第6圖之刀具移動路徑的上視圖。

第8圖繪示第7圖之第一環形凹槽放置環形磁力元件後，且支撐層貼附於基板後的剖面圖。

第9圖繪示第8圖之支撐層與基板形成穿孔後的剖面圖。

第10圖繪示第9圖之支撐層與基板形成導電層後的剖面圖。

第11圖繪示根據本新型一實施方式之電路板封裝結構的上視圖。

第12圖繪示第11圖之電路板封裝結構沿線段L7切割後，從方向D2看的側視圖。

第13圖繪示根據本新型一實施方式之電路板封裝結構的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。

以下將以圖式揭露本新型之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本 新型。也就是說，在本新型部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第1圖繪示根據本新型一實施方式之電路板封裝結構100的上視圖。第2圖繪示第1圖之電路板封裝結構100沿線段2-2的剖面圖。同時參閱第1圖與第2圖，電路板封裝結構100包含基板110、複數個環形磁力元件130、支撐層140與複數個第一導電層160。其中，基板110具有相對的第一表面112與第二表面114、複數個第一環形凹槽116與複數個第一開槽118。第一環形凹槽116與第一開槽118位於基板110的第一表面112。每一第一環形凹槽116由至少一第一開槽118連通至另一第一環形凹槽116，且第一開槽118的長度方向D1均相同。

環形磁力元件130分別位於第一環形凹槽116中。支撐層140位於基板110的第一表面112上，且覆蓋第一環形凹槽116與第一開槽118。支撐層140與基板110具有複數個穿孔150，且穿孔150相鄰第一環形凹槽116的相對兩壁面。此外，第一導電層160分別位於支撐層140朝向穿孔150的表面142與基板110朝向穿孔150的表面111上。每一第一導電層160具有相對的第一端部162與第二端部164，且第一端部162延伸至支撐層140相對基板110的表面144上，第二端部164延伸至基板110的第二表面114上。

支撐層140可包括含非固化環氧樹脂的玻璃纖維 層(PP,b-stage)145與含已固化環氧樹脂的玻璃纖維層(FR4,c-stage)146。其中，含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層145位於支撐層140的下層，且覆蓋環形凹槽116與開槽118。含已固化環氧樹脂的玻璃纖維層146位於支撐層140的上層，且覆蓋下層的含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層145。

在本實施方式中，電路板封裝結構100還包含複數個第一保護層172、第二保護層174與第三保護層176。其中，第一保護層172分別位於穿孔150中。第二保護層174覆蓋於支撐層140相對基板110的表面144上與第一導電層160的第一端部162上。第三保護層176覆蓋於基板110的第二表面114上與第一導電層160的第二端部164上。當刀具沿線段L1、L2、L3、L4切割電路板封裝結構100後，區域A1的電路板封裝結構100可視為一個扼流器(power choke)。

第3圖繪示第1圖之電路板封裝結構100沿線段L1切割後，從方向D1看的側視圖。同時參閱第1圖與第3圖，由於基板110具有第一開槽118與容置環形磁力元件130的第一環形凹槽116，且第一開槽118的兩端連通於兩相鄰的第一環形凹槽118，因此當以垂直第一開槽118的方向(例如沿線段L1、L2)切割電路板封裝結構100後，第一開槽118能在切割後的基板110側面形成開口119，例如線段L1與第一開槽118的交界處會形成開口119，線段L2與第一開槽118的交界處也會形成開口119。如此一來，切割後的電路板封裝結構100在經表面貼合製程(Surface Mount Technology；SMT)時，雖然第一環形凹槽116中的氣體會於紅外線迴焊爐(IR reflow)受高溫而膨脹，但氣體可透過第一開槽118流出開口119外，使壓力得以宣洩，可省略習知的黏膠，提高環形磁力元件130的電感值。此外，電路板封裝結構100在切割前，第一開槽118由支撐層140覆蓋不會露出，可避免切割電路板封裝結構100前所使用的製程液體藉由第一開槽118進入第一環形凹槽116。

在本實施方式中，第一環形凹槽116的直徑均相同。每一第一環形凹槽116之相對兩內壁間的距離W1與每一第一開槽118之相對兩內壁間的距離W2相同，且每一第一環形凹槽116的深度d1與每一第一開槽118的深度d2相同。這樣的設計，當使用成型機在基板110形成第一環形凹槽116與第一開槽118時，由於成型機的刀具可固定在一垂直高度水平移動便可形成連通的第一環形凹槽116與第一開槽118(例如線段L3、L4之間的第一環形凹槽116與第一開槽118)，因此能減少形成第一環形凹槽116與第一開槽118的時間。

應瞭解到，已敘述過的元件連接關係將不在重複贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說明電路板封裝結構100的製造方法。

第4圖繪示根據本新型一實施方式之電路板封裝結構的製造方法的流程圖。首先在步驟S1中，提供基板。接著在步驟S2中，形成複數個第一環形凹槽與複數個第一開槽於基板之第一表面，其中每一第一環形凹槽由至少一 第一開槽連通至另一第一環形凹槽。之後在步驟S3中，放置複數個環形磁力元件於第一環形凹槽中。接著在步驟S4中，貼附支撐層於基板之第一表面上，使第一環形凹槽與第一開槽由支撐層覆蓋。之後在步驟S5中，鑽複數個穿孔貫穿於支撐層與基板，且穿孔相鄰第一環形凹槽。最後在步驟S6中，形成複數個導電層於支撐層與基板朝向穿孔的表面上、支撐層相對基板的表面上及基板的第二表面上。

在以下敘述中，將說明上述電路板封裝結構的製造方法各步驟。

第5圖繪示第4圖之基板110的剖面圖。基板110的第一表面112與第二表面114分別具有銅箔115、117，可以為包含玻璃纖維(FR4)的銅箔基板(Copper Clad Laminate；CCL)。基板110的銅箔115可經圖案化形成後續製程機台對位用的對位部115a(見第6圖)。本文指的圖案化可包含曝光、顯影或蝕刻等步驟，但不以上述方法為限。

第6圖繪示第5圖之基板110形成第一環形凹槽116時的剖面圖。第7圖繪示第6圖之刀具210移動路徑的上視圖。同時參閱第6圖與第7圖，接著可利用成型機的刀具210於基板110之第一表面112形成複數個第一環形凹槽116與複數個第一開槽118。由於刀具210在形成第一環形凹槽116與第一開槽118時，可下降進入基板110的第一表面112。接著刀具210可在固定的垂直高度下依序延路徑P1、P2、P3、P4水平移動，進而切割出寬度距離W1、 W2相同且深度d1、d2(見第3圖)相同的第一環形凹槽116與第一開槽118。

待相連通的第一環形凹槽116與第一開槽118完成後(例如第1圖線段L3、L4之間的所有第一環形凹槽116與第一開槽118)，刀具210才上升離開基板110。如此一來，不僅能節省刀具210於基板110垂直移動(上升和下降)的時間，且每一第一開槽118的兩端會連通於兩相鄰的第一環形凹槽116(如第1圖所示)。此外，第一環形凹槽116與第一開槽118的亦可使用紅外線雷射切割來形成，適用於線路較多的電路板封裝結構100(見第1圖)。

第8圖繪示第7圖之第一環形凹槽116放置環形磁力元件130後，且支撐層140貼附於基板110後的剖面圖。同時參閱第7圖與第8圖，待第一環形凹槽116與第一開槽118(見第7圖)形成於基板110後，可放置環形磁力元件130於第一環形凹槽116中。接著可將支撐層140貼附於基板110之第一表面112上，使第一環形凹槽116與第一開槽118由支撐層140覆蓋。在本實施方式中，支撐層140的表面具有銅箔141。

第9圖繪示第8圖之支撐層140與基板110形成穿孔150後的剖面圖。同時參閱第8圖與第9圖，待支撐層140貼附於基板110後，可於支撐層140與基板110鑽複數個穿孔150貫穿，且穿孔150相鄰第一環形凹槽116的相對兩壁面。

第10圖繪示第9圖之支撐層140與基板110形成 第一導電層160後的剖面圖。同時參閱第9圖與第10圖，待支撐層140與基板110形成穿孔150後，可利用電鍍的方式在銅箔141上、支撐層140朝向穿孔150的表面142上、基板110朝向穿孔150的表面111上與銅箔117上形成第一導電層160。第一導電層160的材質可以為銅，能與銅箔117、141相結合，使第一導電層160在支撐層140相對基板110的表面144上及基板110的第二表面114上。

接著，可於穿孔150中形成第一保護層172，使穿孔150由第一保護層172填滿。之後便可圖案化在支撐層140之表面144上的第一導電層160與在基板110之第二表面114上的第一導電層160，使第一導電層160具有第一端部162與第二端部164，而得到第10圖的結構。

同時參閱第2圖與第10圖，待圖案化第一導電層160後，可形成第二保護層174覆蓋支撐層140的表面144上與在支撐層140表面144上之第一導電層160的第一端部162，並形成第三保護層176覆蓋基板110的第二表面114上與在基板110的第二表面114上之第一導電層160的第二端部164。在本實施方式中，第一保護層172、第二保護層174與第三保護層176的材質可以包含環氧樹脂(epoxy)，如常使用之綠漆，但並不以限制本新型。

同時參閱第1圖與第2圖，待第二保護層174與第三保護層176形成後，能以垂直第一開槽118的方向(例如沿線段L1、L2)切割第二保護層174、支撐層140、基板110與第三保護層176，使切割後的每一第一開槽118在基板 110的側面形成開口119(見第3圖)。

第11圖繪示根據本新型一實施方式之電路板封裝結構100a的上視圖。第12圖繪示第11圖之電路板封裝結構100a沿線段L7切割後，從方向D2看的側視圖。同時參閱第11圖與第12圖，與第1圖、第3圖不同的地方在於：基板110還具有複數個第二環形凹槽126與複數個第二開槽128。第二環形凹槽126與第二開槽128位於基板110之第一表面112。每一第二開槽128的兩端連通於兩相鄰的第二環形凹槽126，且每一第二開槽128交錯且連通於第一開槽118的其中一者。在本實施方式中，第二開槽128的長度方向D2垂直於第一開槽118的長度方向D1。每一第二環形凹槽126之相對兩內壁間的距離W3小於每一第一環形凹槽116之相對兩內壁間的距離W1，且第二環形凹槽126中的環形磁力元件130a小於環形磁力元件130。

當刀具沿線段L5、L6、L7、L7切割電路板封裝結構100a後，區域A2的電路板封裝結構100可視為一個用於連接器的變壓器(transformer)。

當以垂直第二開槽128的方向(例如沿線段L7、L8)切割電路板封裝結構100a後，第二開槽128能在切割後的基板110側面形成開口129。如此一來，切割後的電路板封裝結構100a在經表面貼合製程(Surface Mount Technology；SMT)時，雖然第二環形凹槽126中的氣體會於紅外線迴焊爐(IR reflow)受高溫而膨脹，但氣體可透過第二開槽128流出開口129外，使壓力得以宣洩，可省略習 知的黏膠，提高環形磁力元件130a的電感值。此外，電路板封裝結構100a在切割前，第二開槽128由支撐層140覆蓋不會露出，可避免切割電路板封裝結構100a前所使用的製程液體藉由第二開槽128進入第二環形凹槽126。

在本實施方式中，每一第二環形凹槽126之相對兩內壁間的距離W3與每一第二開槽128之相對兩內壁間的距離W4相同，且每一第二環形凹槽126的深度d3與每一第二開槽128的深度d4相同。這樣的設計，當使用成型機在基板110形成第二環形凹槽126與第二開槽128時，由於成型機的刀具可固定在一垂直高度水平移動便可形成連通的第二環形凹槽126與第二開槽128(例如線段L5、L6之間的第二環形凹槽126與第二開槽128)，因此能減少形成第二環形凹槽126與第二開槽128的時間。

當刀具在基板110的第一表面112形成第一環形凹槽116與第一開槽118時，第二環形凹槽126與第二開槽128亦可透過刀具在基板110的第一表面112形成。由於電路板封裝結構100a的製造方法僅比電路板封裝結構100(見第1圖)的製造方法增加形成第二環形凹槽126與第二開槽128的步驟，其餘步驟雷同，因此不重複贅述。

第13圖繪示根據本新型一實施方式之電路板封裝結構100b的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。電路板封裝結構100b亦可具有如第1圖的第一環形凹槽116與第一開槽118，還可選擇性地具有如第11圖的第二環形凹槽126與第二開槽128。在本實施方式中，電路板封裝結構100b 除了包含基板110、環形磁力元件130、支撐層140與第一導電層160外，還包含第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層147、第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層148、第二導電層180、第二保護層174、第三保護層176與第四保護層178。

第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層147覆蓋於支撐層140相對基板110的表面上與第一導電層160的第一端部162上。第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層148覆蓋於基板110的第二表面114上與第一導電層160的第二端部164上。第二導電層180位於第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層147、第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層148、支撐層140與基板110朝向穿孔150’的表面上，且第二導電層180沿支撐層140相對基板110的表面垂直延伸至相鄰的第一端部162(未繪示)或沿基板110的第二表面114垂直延伸至相鄰的第二端部164(如第13圖所示)。

每一第二導電層180具有相對的第三端部182與第四端部184，且第三端部182延伸至第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層147相對支稱層140的表面上，第四端部184延伸至第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層148的第二表面114上。第二保護層174覆蓋於第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層147相對基板110的表面上與第二導電層180的第三端部182上。第三保護層176覆蓋於第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層148相對基板110的表面上與第二導電層180的第四端部184上。此外，第四保護層178分 別位於穿孔150’中。

因此，每一第二導電層180與一或多個第一導電層160形成之線路相連接後，第二導電層180位於封裝結構100b表面之第三端部182與第四端部184，在後續經表面貼合製程(Surface Mount Technology；SMT)時，可用於與電子元件(IC)作電性連接，以節省各第一導電層160形成之線路，於封裝結構100b表面延伸以作電性連接所需之空間。

電路板封裝結構100b的製作方法還包含：步驟S1，形成第一保護層於穿孔中。步驟S2，圖案化在支撐層相對基板之表面上與基板之第二表面上的導電層。步驟S3，貼附含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層和銅箔層於支撐層相對於基板的表面上，使支撐層由含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層覆蓋，且含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層由銅箔層覆蓋。步驟S4，貼附含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層和銅箔層於基板的第二表面上，使基板的第二表面由含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層覆蓋，且含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層由銅箔層覆蓋。步驟S5，鑽一或複數個穿孔貫穿於銅箔層、含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層、支撐層與基板，且穿孔相連步驟S2之圖案化導電層。步驟S6，形成導電層於步驟S5之穿孔的表面上、銅箔層相對基板的第一表面上及第二表面上。步驟S7，形成複數個第四保護層於穿孔中。步驟S8，圖案化步驟S3以及S4之銅箔層相對基板的第一表面上及第二表面上形成導電層。步驟S9，形成第二保護層以及第三保護層覆蓋步驟S8圖案化之導電 層。

雖然本新型已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本新型，任何熟習此技藝者，在不脫離本新型之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本新型之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧電路板封裝結構

110‧‧‧基板

116‧‧‧第一環形凹槽

118‧‧‧第一開槽

130‧‧‧環形磁力元件

2-2‧‧‧線段

A1‧‧‧區域

D1‧‧‧方向

L1~L4‧‧‧線段

W1~W2‧‧‧距離

Claims (24)

1. 一種電路板封裝結構，包含：一基板，具有相對的一第一表面與一第二表面、複數個第一環形凹槽與複數個第一開槽，該些第一環形凹槽與該些第一開槽位於該第一表面，每一第一環形凹槽由至少一第一開槽連通至另一第一環形凹槽，且至少二第一環形凹槽由該些第一開槽連通至基板側面形成至少二開口：複數個環形磁力元件，分別位於該些第一環形凹槽中；一支撐層，位於該基板的該第一表面上，且覆蓋該些第一環形凹槽與該些第一開槽，該支撐層與該基板具有複數個穿孔，且該些穿孔相鄰該些第一環形凹槽；以及複數個第一導電層，分別位於該支撐層與該基板朝向該些穿孔的表面上，每一該第一導電層具有相對的一第一端部與一第二端部，且該第一端部延伸至該支撐層相對該基板的表面上，該第二端部延伸至該基板的該第二表面上。
2. 如請求項1所述之電路板封裝結構，更包含：複數個第一保護層，分別位於該些穿孔中。
3. 如請求項1所述之電路板封裝結構，其中該支撐層更包含：一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層，位於該支撐層的下層，覆蓋該些環形凹槽與該些開槽；以及一含已固化環氧樹脂的玻璃纖維層，位於該支撐層的 上層，覆蓋下層的含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層。
4. 如請求項1所述之電路板封裝結構，更包含：一第二保護層，覆蓋於該支撐層相對該基板的表面上與該些第一導電層的該些第一端部上；以及一第三保護層，覆蓋於該基板的該第二表面上與該些第一導電層的該些第二端部上。
5. 如請求項1所述之電路板封裝結構，更包含：一第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層，覆蓋於該支撐層相對該基板的表面上與該些第一導電層的該些第一端部上；一第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層，覆蓋於該基板的該第二表面上與該些第一導電層的該些第二端部上；複數個第二導電層，分別位於該第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層、該第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層、該支撐層與該基板朝向該些穿孔的表面上，且沿該支撐層相對該基板的表面垂直延伸至相鄰的該第一端部或沿該基板的該第二表面垂直延伸至相鄰的該第二端部，每一該第二導電層具有相對的一第三端部與一第四端部，且該第三端部延伸至該第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層相對該支稱層的表面上，該第四端部延伸至該第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層的該第二表面上；一第二保護層，覆蓋於該第一含非固化環氧樹脂的玻 璃纖維層相對該基板的表面上與該些第二導電層的該些第三端部上；以及一第三保護層，覆蓋於該第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層相對該基板的表面上與該些第二導電層的該些第四端部上。
6. 如請求項5所述之電路板封裝結構，更包含：複數個第四保護層，分別位於該些穿孔中。
7. 如請求項1所述之電路板封裝結構，其中該些第一環形凹槽的直徑均相同。
8. 如請求項1所述之電路板封裝結構，其中該些第一開槽的長度方向均相同。
9. 如請求項1所述之電路板封裝結構，其中每一該第一環形凹槽之相對兩內壁間的距離與每一該第一開槽之相對兩內壁間的距離相同。
10. 如請求項1所述之電路板封裝結構，其中每一該第一環形凹槽的深度與每一該第一開槽的深度相同。
11. 如請求項1所述之電路板封裝結構，其中該基板具有複數個第二環形凹槽與複數個第二開槽，該些第二環 形凹槽與該些第二開槽位於該基板之該第一表面，每一該第二開槽的兩端連通於兩相鄰的該些第二環形凹槽。
12. 如請求項11所述之電路板封裝結構，其中該些第二開槽交錯且連通於該些第一開槽的其中一者。
13. 如請求項11所述之電路板封裝結構，其中該些第二開槽的長度方向垂直於該些第一開槽的長度方向。
14. 如請求項11所述之電路板封裝結構，其中每一該第二環形凹槽之相對兩內壁間的距離小於每一該第一環形凹槽之相對兩內壁間的距離。
15. 如請求項11所述之電路板封裝結構，其中每一該第二環形凹槽之相對兩內壁間的距離與每一該第二開槽之相對兩內壁間的距離相同。
16. 如請求項11所述之電路板封裝結構，其中每一該第二環形凹槽的深度與每一該第二開槽的深度相同。
17. 一種電路板封裝結構，包含：一基板，具有相對的一第一表面與一第二表面、一環形凹槽與複數個開槽，該環形凹槽與該些開槽位於該第一表面，環形凹槽由該些開槽連通至該基板的側面形成至少 二開口：一環形磁力元件，位於該環形凹槽中；一支撐層，位於該基板的該第一表面上，且覆蓋該環形凹槽與該些開槽，該支撐層與該基板具有複數個穿孔，且該些穿孔相鄰該環形凹槽；以及複數個第一導電層，分別位於該支撐層與該基板朝向該些穿孔的表面上，每一該第一導電層具有相對的一第一端部與一第二端部，且該第一端部延伸至該支撐層相對該基板的表面上，該第二端部延伸至該基板的該第二表面上。
18. 如請求項17所述之電路板封裝結構，更包含：複數個第一保護層，分別位於該些穿孔中。
19. 如請求項17所述之電路板封裝結構，其中該支撐層更包含：一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層，位於該支撐層的下層，覆蓋該環形凹槽與該些開槽；以及一含已固化環氧樹脂的玻璃纖維層，位於該支撐層的上層，覆蓋下層的含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層。
20. 如請求項17所述之電路板封裝結構，更包含：一第二保護層，覆蓋於該支撐層相對該基板的表面上與該些第一導電層的該些第一端部上；以及一第三保護層，覆蓋於該基板的該第二表面上與該些 第一導電層的該些第二端部上。
21. 如請求項17所述之電路板封裝結構，更包含：一第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層，覆蓋於該支撐層相對該基板的表面上與該些第一導電層的該些第一端部上；一第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層，覆蓋於該基板的該第二表面上與該些第一導電層的該些第二端部上；一或複數個第二導電層，分別位於該第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層、該第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層、該支撐層與該基板朝向該些穿孔的表面上，且沿該支撐層相對該基板的表面垂直延伸至相鄰的該第一端部或沿該基板的該第二表面垂直延伸至相鄰的該第二端部，每一該第二導電層具有相對的一第三端部與一第四端部，且該第三端部延伸至該第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層相對該支稱層的表面上，該第四端部延伸至該第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層的該第二表面上；一第二保護層，覆蓋於該第一含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層相對該基板的表面上與該些第二導電層的該些第三端部上；以及一第三保護層，覆蓋於該第二含非固化環氧樹脂的玻璃纖維層相對該基板的表面上與該些第二導電層的該些第四端部上。
22. 如請求項17所述之電路板封裝結構，其中該些開槽的長度方向均相同。
23. 如請求項17所述之電路板封裝結構，其中該環形凹槽之相對兩內壁間的距離與每一該些開槽之相對兩內壁間的距離相同。
24. 如請求項17所述之電路板封裝結構，其中該環形凹槽的深度與每一該些開槽的深度相同。