TWM457964U - 晶圓減薄加工固定裝置 - Google Patents
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Description
本新型有關發光二極體晶圓，尤其關於發光二極體晶圓的固定裝置。
請參閱「圖1」與「圖2」所示，發光二極體晶圓1在製造完成之後，必須進行晶圓減薄加工，其包含研磨與拋光作業，以進行後續的晶圓切割、封裝等作業。
習知發光二極體晶圓1在減薄加工時，必須加以固定不動，由於發光二極體晶圓1的厚度相當的薄，為避免裂縫或破片，無法使用一般半導體製程使用的真空吸附固定裝置，習知為將複數發光二極體晶圓1利用固定臘2黏著固定於一圓盤3上，以進行研磨與拋光。然而此固定方式，在研磨及拋光作業完畢之後，必須使用鍬子將被固定臘2固定的發光二極體晶圓1翹出，此一作業若施力稍有不當，極易使發光二極體晶圓1產生破片或裂縫，其為目前發光二極體晶圓1提升製程良率的瓶頸之一。
請再參閱「圖3」所示，為解決上述習知固定方式的問題，已有人利用一真空產生裝置4以及一多孔性吸附隔墊5來吸附固定發光二極體晶圓1，其中該多孔性吸附隔墊5具有複數交錯且貫通的氣孔流道(圖未示)並被一固定環6所圍繞與固定，並該多孔性吸附隔墊5供放置該發光二極體晶圓1，據此利用該真空產生裝置4產生負壓，並藉由氣孔流道的分壓，於該多孔性吸附隔墊5產生均勻的吸力，而避免發光二極體晶圓1產生破片或裂縫。
然而，此一固定方式，由於該多孔性吸附隔墊5利用分散氣流來解決局部吸
力過強的問題，然而相對的其可以產生的氣流相當的薄弱，因此在進行研磨與拋光作業時，發光二極體晶圓1有可能會因高速移動或旋轉所產生的慣性力而偏移，其會造成製程上的困擾，而降低製程良率。
爰是，本新型的主要目的在於揭露一種晶圓減薄加工固定裝置，其可直接利用一般吸盤來吸附固定該晶圓，而可確實固定發光二極體，避免該發光二極體晶圓因慣性力而偏移。
基於上述目的，本新型為一種晶圓減薄加工固定裝置，用於固定至少一晶圓，其包含一膠膜、一鐵環與一吸盤，其中該膠膜具有一黏貼面與一底面，該膠膜的黏貼面固定於該鐵環下，並該膠膜的底面於該鐵環內形成一頂靠處，且該膠膜的黏貼面相對該頂靠處之區域形成至少一黏貼處，該至少一晶圓黏貼於該至少一黏貼處，該吸盤具有提供負壓的一吸附面，該吸附面為供接觸該頂靠處。
據此，本創作透過讓該至少一晶圓黏貼固定於該膠膜上，即可直接利用該吸盤來吸附該膠膜而間接固定該晶圓，其形成一種可快速固定及解除固定並兼具高良率的發光二極體晶圓固定裝置，而可供晶圓減薄加工時使用，以滿足使用上的需要。
1‧‧‧發光二極體晶圓
2‧‧‧固定臘
3‧‧‧工作台
4‧‧‧真空產生裝置
5‧‧‧多孔性吸附隔墊
6‧‧‧固定環
10‧‧‧晶圓
20‧‧‧膠膜
21‧‧‧黏貼面
211‧‧‧黏貼處
22‧‧‧底面
221‧‧‧頂靠處
23‧‧‧黏膠
30‧‧‧鐵環
40‧‧‧吸盤
401‧‧‧外環區域
402‧‧‧中心區域
41‧‧‧吸附面
圖1，為習知發光二極體晶圓結構圖。
圖2，為習知發光二極體晶圓固定示意圖。
圖3，為另一習知發光二極體晶圓固定示意圖。
圖4，為本新型結構組合剖視圖。
圖5，為本新型結構分解圖。
圖6，為本新型吸附晶圓示意圖。
圖7，為本新型實際實施示意圖。
有關本新型之詳細說明及技術內容，現就配合圖式說明如下：請參閱「圖4」、「圖5」與「圖6」所示，本創作為一種晶圓減薄加工固定裝置，用於固定至少一晶圓10，其包含一膠膜20、一鐵環30與一吸盤40，其中該膠膜20具有一黏貼面21與一底面22，而該膠膜20的黏貼面21固定於該鐵環30下，該膠膜20與該鐵環30可以為黏結固定在一起，並該膠膜20的底面22於該鐵環30內形成一頂靠處221。
該膠膜20的黏貼面21相對該頂靠處221之區域形成至少一黏貼處211，而該至少一晶圓10黏貼於該至少一黏貼處211，且該膠膜20的該黏貼面21塗佈有一黏膠23，以供黏貼該鐵環30與該晶圓10，其中該黏膠23的膠黏度為100~3000克/平方英吋，且膜厚度為5~500微米，可達到較佳的黏貼效果，且該黏膠23可以為UV膠、熱解膠、壓克力膠等等。
該吸盤40具有提供負壓的一吸附面41，該吸附面41為供接觸該頂靠處221，且該吸盤40具有位於外側的一外環區域401與一位於內側的一中心區域402，該外環區域401供置放該鐵環30，該中心區域402供設置該吸附面41，且該外環區域401的高度低於該中心區域402。並該外環區域401與該中心區域402的高度差，可以些微大於該鐵環30的厚度，可使該晶圓10平整的接觸該吸附面41，而外凸增加吸附效果。另，該吸盤40可以內藏空氣泵(圖未示)，以利用空氣泵排出氣體而達成真空狀態，以於該吸附面41提供負壓。
又請參閱「圖7」所示，為本創作的實際實施方式之一，其中本創作在進行包含研磨與拋光的減薄加工時，本創作的該膠膜20，其藉由黏膠23黏貼的複數晶圓10可以環繞分布黏貼於該膠膜20上並位於該鐵環30之內，如圖所示，為繪製4個為例加以說明，但本創作並不以此為限，其可讓多個晶圓10
，同時進行研磨與拋光作業。
如上所述，本創作為透過讓該至少一晶圓黏貼固定於該膠膜上，因而可以透過該膠膜的保護與黏貼固定，即可直接利用該吸盤來吸附固定該晶圓，其形成一種可快速固定及解除固定並兼具高良率的發光二極體晶圓固定裝置，可供晶圓減薄加工時使用，並滿足使用上的需要。
以上已將本新型做一詳細說明，惟以上所述者，僅為本新型之一較佳實施例而已，當不能限定本新型實施之範圍。即凡依本新型申請範圍所作之均等變化與修飾等，皆應仍屬本新型之專利涵蓋範圍內。
10‧‧‧晶圓
20‧‧‧膠膜
21‧‧‧黏貼面
211‧‧‧黏貼處
22‧‧‧底面
221‧‧‧頂靠處
23‧‧‧黏膠
30‧‧‧鐵環
40‧‧‧吸盤
41‧‧‧吸附面
Claims (6)
- 一種晶圓減薄加工固定裝置，用於固定至少一晶圓，其包含：一膠膜，該膠膜具有一黏貼面與一底面；一鐵環，該膠膜的黏貼面固定於該鐵環下，並該膠膜的底面於該鐵環內形成一頂靠處，且該膠膜的黏貼面相對該頂靠處之區域形成至少一黏貼處，該至少一晶圓黏貼於該至少一黏貼處；以及一吸盤，該吸盤具有提供負壓的一吸附面，該吸附面為供接觸該頂靠處。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓減薄加工固定裝置，其中該吸盤具有位於外側的一外環區域與一位於內側的一中心區域，該外環區域供置放該鐵環，該中心區域供設置該吸附面，且該外環區域的高度低於該中心區域。
- 如申請專利範圍第2項所述的晶圓減薄加工固定裝置，其中該外環區域與該中心區域的高度差，大於該鐵環的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓減薄加工固定裝置，其中該膠膜與該鐵環為黏結固定在一起。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓減薄加工固定裝置，其中該膠膜的黏貼面塗佈有一黏膠。
- 如申請專利範圍第5項所述的晶圓減薄加工固定裝置，其中該黏膠的膠黏度為100~3000克/平方英吋，且膜厚度為5~500微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102201356U TWM457964U (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 晶圓減薄加工固定裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102201356U TWM457964U (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 晶圓減薄加工固定裝置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM457964U true TWM457964U (zh) | 2013-07-21 |
Family
ID=49228454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102201356U TWM457964U (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 晶圓減薄加工固定裝置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWM457964U (zh) |
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2013
- 2013-01-22 TW TW102201356U patent/TWM457964U/zh not_active IP Right Cessation
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| MK4K | Expiration of patent term of a granted utility model |