TWM456497U - 發光二極體模組 - Google Patents
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Description
本創作係關於光電部件領域，例如LED模組及光感測器。該罩蓋經設計以允許到達及/或來自部件之光的導引通道。
本創作亦關於製造該等罩蓋及附有該等罩蓋之LED模組的方法。
當前技術中，已為吾人所知的係以一基於熱固性樹脂之所謂球型頂罩蓋，罩於所謂COB(晶片直接封裝技術)LED模組上。此一球形頂罩通常裝配有一標準分配裝置。然而，擁有該球形頂罩蓋之LED模組的性能不能滿足不同應用領域之要求。最主要的缺點之一實際上是導引的特性，即寬大的發射角，不是充分地適於使用此一具有二次光學的LED模組，例如透鏡或光導。
為了使COB LED模組發射出較小角度之光，晶粒有時被置於具有反射壁之孔中。然而，由於球形頂照蓋上表面呈球狀，反射壁對反射角之貢獻作用不盡人意。
球形頂罩蓋之第二個缺點係LED模組之低機械穩定性，其同時也是LED模組之處理與安裝的缺點。在本文中，應注意的是，為了達到高紫外線穩定性，球形頂罩蓋通常使用矽樹脂。不幸的是，如果球形頂罩蓋的球狀被彎曲，則該等類橡膠原料會對連接導線施加高機械應力。
WO 2006/017484A1提出一種圍堰填充技術，以保護印刷電路板之零件不受短路電路之害。
因此，本創作之目的在提出一種適合光電部件之改良的罩蓋，其允許到達及/或來自該部件之光的導引通道。
該目的可經由獨立請求項之特徵來達到。附屬請求項更詳盡闡述本創作之中心思想。
根據本創作之第一態樣，提出一種光電部件之罩蓋，舉例而言，光電部件為發光二極體。該罩蓋允許到達及/或來自部件之光的通道，且最好是一導引通道。該罩蓋包括一個外側不透明且宜為反射性之圍堰及中心填充物，該中心填充物最好在圍堰製成後便已被很好地填充在圍堰內。圍堰與中心填充物分別由固化樹脂製成。中心填充物跨過介面與圍堰化學連接。
請注意"外側圍堰"並無形狀限制，只要該圍堰能作為環繞中心填充物之圍堰，並在未固化狀態下形狀穩定即可。
舉例而言，該樹脂可為矽樹脂。
圍堰可以包括反射粒子，例如白色顏料。該等反射粒子較好是在整個圍堰材料之中。因此，以液態實施之圍堰在基板上扮演反射器的角色。
圍堰可包括占10至60重量百分比之反射粒子。
圍堰及中心填充物之樹脂可具有相同的化學結構，例如，其可以是化學上完全相同的。
圍堰之樹脂可經選擇以在固前具有一超過1000 Pa之儲存模數。
圍堰之樹脂可經選擇以在固化前，當以1 l/s之剪切速率測量時，具有超過100 Pa*s之黏性。
圍堰材料可包括微粒材料，例如矽石，可使用該微粒狀材料或細粒化材料以設定未固化圍堰樹脂所需之流變特性。
圍堰高度可為1 mm或更高。
可根據最終元件之要求選擇圍堰之平均厚度。對於大約5 mm的直徑，厚度可為0.5 mm或更少。直徑較大時，厚度可調節至0.5 mm以上，直徑較小時，厚度可小於0.5 mm。
該圍堰之內徑可小至(例如)0.1-1 mm。
本創作亦關於具有該等罩蓋之光可抹除記憶體裝置，光敏感測器及LED模組。
本創作尤其可應用於一包括一安裝於基板上之LED晶片及一罩蓋的LED模組。該罩蓋包括一圍堰及中心填充物，在使圍堰於基板上環繞該LED晶片之後，該填充物填充進該圍堰及至少部分位於該LED晶片頂部。
中心填充物可由一透明樹脂製成，例如矽樹脂。
中心填充物可包括彩色轉換粒子，其將該LED晶片發射之光轉換成有一種具有第二、較低頻譜之光。
(例如)在晶片直接封裝技術中，圍堰內壁可遠離該LED晶片，使得圍堰與該LED晶片之間之空隙用中心填充物填滿，因此該中心填充物也與安置該LED晶片之基板接觸。
中心填充物能填滿由圍堰決定之整個空間，使得中心填充物之上表面處於與圍堰之最大高度相同的水平位準上。
圍堰宜比該LED晶片更高於該基板。
本創作亦關於一種製造電子或光電部件之罩蓋的方法。首先實施的係由一種液態樹脂製成之圍堰。接著，該圍堰由一種液態樹脂填充。最後，單一步驟完成圍堰樹脂與中心填充物樹脂之固化，並在其間形成一化學連接之介面，該介面能保證中心填充物與圍堰之間更牢固的粘附。
本創作之其他態樣、優點與目的，可佐以圖式及以下對本創作實施例之詳盡說明而獲進一步之了解。
首先說明一種根據本創作之製造光電部件之罩蓋的方法。
當該罩蓋具有作為一種光學元件的角色，從WO 2006/017484A1中得知，其精密度應遠遠超過單純之保護目的所需的精密度。
下列之方法將依據生產一種如圖1所示之LED模組之罩蓋的情況來說明。
第一步，一種液態樹脂之環形圍堰(圓環面)被安置在位於基板4上的LED晶片(發光二極體)1周圍。
宜使用一種無凹陷之平面基板，因為圍堰壁能發揮凹陷之壁的反射效果。
樹脂與矽樹脂之分配方法可從先前技術中獲知。由於分配技術，圍堰之橫截面呈錐形漸細至圍堰2之頂點10。因此，圍堰2之內面11傾斜且其上部較陡，從而對反射有利。
分配針之直徑、液態圍堰材料之流動特性及流動(分配)速度可控制圍堰2之橫截面形狀。
圖1所示之實例中，LED晶片1係按照晶片直接封裝(COB)技術安裝。參考數字5係連接導線。
液態樹脂之壁係環繞LED晶片1分配於基板4上，從而形成一個圍堰。
圍堰材料宜對可穿透圍堰內之中心填充物之光的波長是不透明的。
請注意本描述文與請求項中之"圍堰"並不構成對壁輪廓之限制，例如圍堰不一定係一球形，而可為一方形、一橢圓形、一矩形等。
如果只有一個單一光學活性元件置於圍堰內，則圓形較佳(見後)，然而當多個光學活性元件(如LEDs)以列之組態置於圍堰內時，則矩形或橢圓形較佳。
不同的基礎樹脂能為圍堰2所用。由於矽樹脂之高紫外線穩定性，其為較佳之樹脂。
用作圍堰2壁之液態樹脂材料的流變學特性應慎重選擇，使得在分配之後，未固化樹脂在其固化之前形狀是穩定的。
就此而言，儲存模量應相當高，例如至少1000 Pa。功耗因素應大約0.5。
液態樹脂之黏性應以高於200 Pa*s較佳(剪切速率為1 l/s下測試)。具有該等特性之液態樹脂適合用作高度大於1 mm，平均厚度少於0.5 mm之壁。
為了調整液態樹脂材料之流變學特性，矽石或其他微粒狀材料(細粒材料)可以添加進液態樹脂中。
從圖1可見，圍堰2宜遠離LED晶粒1。
再者，圍堰2之高度應高於LED晶粒1之高度。例如，圍堰2之高度可為LED晶粒1高度之兩倍或三倍。
若要求圍堰2之壁具有更高的光線反射性，則諸如白色顏料等反射物質可視情況添加進液態樹脂材料中。該等顏料可由TiO2、BaTiO3、BaSO4及/或ZrO2製成。
該等顏料添加進液態樹脂中之量以10-60重量百分比較佳。
因此，該圍堰之整個材料將不透明且宜呈白色之反射外觀。LED晶粒1發出之光線經反射到達圍堰2之內壁11，該內壁又將光反射至圍堰2內部並遠離LED晶粒1。
在製造過程之第二步驟中，液態中心填充物充滿由圍堰2之內壁所決定的空間。從圖1中可見，該中心填充物之頂層與圍堰2壁之頂層處於同一平面。由於填充樹脂呈液態，中心填充物3之頂面12宜平整。
總之，液態未固化樹脂填滿由未固化樹脂製成之自我穩定的圍堰決定的孔。該等未固化樹脂之化學性宜完全相同，但也可有相異之光學與機械特性(因為圍堰2之材料中可配有不同添加劑以作為中心填充物3)。
為了在兩種材料之間形成一層化學連接介面，圍堰材料與中心填充物之化學性必須一致，這樣能使用同一種固化機械裝置分別將兩種材料固化。
填充物覆蓋LED晶粒1之整個頂面。同時，該材料覆蓋LED晶粒1與圍堰2壁(如果存在)之間的空間，並通過LED晶粒1與圍堰2之間的縫隙接觸基板4。
中心填充物3之材料也係一種樹脂，例如可由矽樹脂材料製成。
製作中心填充物3樹脂之材料宜與圍堰2樹脂材料相同，使這些樹脂之化學性一致。
對於有色LED模組(如藍色、綠色、黃色和紅色)，中心填充物3之樹脂中不需要添加額外的填充劑。
另一方面，對於白色顏色轉換LED模組，中心填充物3中可添加顏色轉換粒子。從先前技術可知，顏色轉換粒子之類型與數量由LED模組之色溫決定。中心填充物頂部至底部之顏色轉換粒子宜呈一增長型濃度梯度，例如，可藉由允許顏色轉換粒子向填充物底部沉澱來達成該濃度梯度。
在第三步驟中，固化該液態樹脂，亦即中心填充物3與圍堰2之樹脂。經過一固化週期，兩種材料皆能固化並在其介面處化學連接。
以上略述之製造過程依靠外壁材料在未固化之液態狀態下具有相對高的機械穩定性。再者，為了達到液態狀態下的該機械穩定性，額外的中心填充物(例如矽石)可添加進圍堰2樹脂中。
圍堰2與該填充物之製作過程中皆使用一種電腦控制的分配裝置。
圖2與圖3顯示一具有根據本創作之罩蓋並以晶片直接安裝基板之技術安裝之LED模組的俯視圖(圖2)與透視圖(圖3)。這些實例中圍堰2之材料具有高反射性，因為圍堰2基礎材料中添加了白色顏料。
另一方面，中心填充物3之樹脂本質上係透明的，且連接導線5被中心填充物3環繞與固定。
以下將說明本創作並不限用於LED模組，同時也可應用於其他電子或光電部件中。
圖4係一個光可抹除記憶體裝置，例如所示為EEPROM 7。
根據本創作製成之罩蓋能保護該光可抹除記憶體裝置7外套之開口6，該開口係設計供光可抹除程序。
根據本創作製成之"圍堰與填充"罩蓋，能依據該抹除/程式化光束之要求，由高透明材料製成，因此能達到防止環境影響並完全適合該抹除/程式化之光源。對散射光與雜散光的防護，特別是根據本創作製成之圍堰與填充罩蓋的一大優點。因此圍堰不僅係一反射元件，也是一不透明的防護頂。
本創作亦可應用於光敏感測器，例如三原色(RGB)感測器、紅外感測器或CCD-感測器。
如以上解說之裝備有上述罩蓋之紅外發射器和光敏光線檢測裝置係本創作之額外的應用領域，特別是當感測器在COB或引線框架技術中以裸晶片出現時。
最後，圖5顯示根據本創作製成之罩蓋和光導與光纖連
接。
圍堰2材料具有機械穩定性，使得位於光源頂部之填充物3能作為一種流動性強且高度透明之合成樹脂。
在圖5顯示之實例中，圍堰2與光源1之間沒有縫隙，使得填充物只存在於光源1之頂部。
再者，填充物3並不完全充滿圍堰2壁之頂部。
參考標記8指示一條將傳送(橫穿中心填充物3)來自光源1之光線的光纖。
參考標記9指示一種光纖機械配件。
如圖5顯示之配置提供從光源至光纖的改良式光供給。
1‧‧‧晶粒
2‧‧‧圍堰
3‧‧‧中心填充物
4‧‧‧基板
5‧‧‧連接導線
6‧‧‧開口
7‧‧‧電可抹除唯讀記憶體
8‧‧‧光纖
9‧‧‧光纖機械裝置
10‧‧‧圍堰頂點
11‧‧‧圍堰內壁
12‧‧‧中心填充物頂面
圖1顯示一個裝有根據本創作製成之罩蓋的LED模組之側視圖。
圖2顯示一個裝有根據本創作製成之罩蓋的LED模組之俯視圖。
圖3顯示一個根據本創作製成之罩蓋的透視圖。
圖4顯示一個根據本創作製成之罩蓋應用於光可抹除記憶設備。
圖5顯示本創作與一個光源和一個光導管元件連用。
1‧‧‧晶粒
2‧‧‧圍堰
3‧‧‧中心填充物
4‧‧‧基板
5‧‧‧連接導線
10‧‧‧圍堰頂點
11‧‧‧圍堰內壁
12‧‧‧中心填充物頂面
Claims (42)
- 一種LED模組，其包括：一LED晶片及一罩蓋，該LED晶片及該罩蓋安裝於一基板上，其中該罩蓋包括一不透明外側圍堰(2)，及一中心填充物(3)，該中心填充物(3)填充至該外側圍堰(2)內，其中該外側圍堰(2)包括基於矽的固化樹脂，且該中心填充物(3)連接至該外側圍堰(2)形成一單一實體。
- 如請求項1之LED模組，其中該外側圍堰(2)之樹脂及該中心填充物(3)之樹脂具有相同的化學結構。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該外側圍堰(2)之樹脂及該中心填充物(3)之樹脂為化學上相同。
- 如請求項1或2之LED模組，其中至少該中心填充物(3)由一透明樹脂製成。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該中心填充物(3)包含色彩轉換粒子。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該外側圍堰(2)及/或該中心填充物(3)包含反射粒子。
- 如請求項6之LED模組，其中該反射粒子係由二氧化矽、TiO2、BaTiO3、 BaSO4及ZrO2之群組製成之白色顏料。
- 如請求項6之LED模組，其中該外側圍堰(2)包含占10-60重量百分比之反射粒子。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該外側圍堰(2)之樹脂在被固化之前的粘度在以1 l/s之剪切速率測量時大於100 Pa*s。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該LED晶片係依晶片直接封裝技術安裝於基板上。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該外側圍堰(2)之內壁遠離該LED晶片(1)，該外側圍堰(2)與該LED晶片(1)之間的距離由該中心填充物(3)填滿。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該中心填充物(3)填滿由該外側圍堰(2)界定之整個空間。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該外側圍堰(2)高於該LED晶片(1)。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該外側圍堰(2)之高度至少為待罩蓋之該LED晶片(1)之高度。
- 如請求項1或2之LED模組，其中至少該外側圍堰(2)之內壁係反射光的。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該外側圍堰(2)具有圓形、橢圓形或長方形的形狀。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該等LED晶片以列之組態置於該外側圍堰(2)內。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該外側圍堰(2)及/或中心填充物(3)係藉由分配製成。
- 如請求項1或2之LED模組，進一步包括連接導線(5)被該中心填充物(3)之材料固定。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該基板宜為一平坦基板。
- 如請求項1或2之LED模組，其中該圍堰(2)之內面(11)係傾斜的且該內面之上部宜為較陡的。
- 一種LED模組，其包括：一LED晶片及一罩蓋，該LED晶片及該罩蓋安裝於一基板上，其中該罩蓋包括一不透明且宜為反射性之外側圍堰(2)，及一中心填充物(3)，該中心填充物(3)填充至該外側圍堰(2)內，其中該外側圍堰(2)及該中心填充物(3)各由一固化樹 脂形成，且其中該外側圍堰(2)之樹脂及/或該中心填充物(3)之樹脂宜為基於矽之樹脂。
- 如請求項22之LED模組，其中該外側圍堰(2)之樹脂及該中心填充物(3)之樹脂具有相同的化學結構。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該外側圍堰(2)之樹脂及該中心填充物(3)之樹脂為化學上相同。
- 如請求項22或23之LED模組，其中至少該中心填充物(3)由一透明樹脂製成。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該中心填充物(3)包含色彩轉換粒子。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該外側圍堰(2)及/或該中心填充物(3)包含反射粒子。
- 如請求項27之LED模組，其中該反射粒子係由二氧化矽、TiO2、BaTiO3、BaSO4及ZrO2之群組製成之白色顏料。
- 如請求項27之LED模組，其中該外側圍堰(2)包含占10-60重量百分比之反射粒子。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該外側圍堰(2)之樹脂在被固化之前的粘度在以1 l/s之剪切速率測量時大於100 Pa*s。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該LED晶片係依晶片直接封裝技術安裝於基板上。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該外側圍堰(2)之內壁遠離該LED晶片(1)，該外側圍堰(2)與該LED晶片(1)之間的距離由該中心填充物(3)填滿。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該中心填充物(3)填滿由該外側圍堰(2)界定之整個空間。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該外側圍堰(2)高於該LED晶片(1)。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該外側圍堰(2)之高度至少為待罩蓋之該LED晶片(1)之高度。
- 如請求項22或23之LED模組，其中至少該外側圍堰(2)之內壁係反射光的。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該外側圍堰(2)具有圓形、橢圓形或長方形的形狀。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該等LED晶片以列之組態置於該外側圍堰(2)內。
- 如請求項22或23之LED模組， 其中該外側圍堰(2)及/或中心填充物(3)係藉由分配製成。
- 如請求項22或23之LED模組，進一步包括連接導線(5)被該中心填充物(3)之材料固定。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該基板宜為一平坦基板。
- 如請求項22或23之LED模組，其中該圍堰(2)之內面(11)係傾斜的且該內面之上部宜為較陡的。
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| NL1004651C2 (nl) * | 1996-11-29 | 1998-06-03 | Nedcard | Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager. |
| US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| EP1059678A2 (en) * | 1999-06-09 | 2000-12-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit device |
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| DE10024336A1 (de) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bauelementanordnung |
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| DE10245946C1 (de) * | 2002-09-30 | 2003-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Lichtquellenmoduls |
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| US7411222B2 (en) * | 2003-11-14 | 2008-08-12 | Harison Toshiba Lighting Corporation | Package for light emitting element and manufacturing method thereof |
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| DE102004053116A1 (de) * | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material |
| US7365371B2 (en) * | 2005-08-04 | 2008-04-29 | Cree, Inc. | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110349510A (zh) * | 2018-04-08 | 2019-10-18 | 北京环宇蓝博科技有限公司 | 一种用于led显示屏幕的幕罩 |
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