TWM435722U - Power MOSFET - Google Patents

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TWM435722U
TWM435722U TW101205178U TW101205178U TWM435722U TW M435722 U TWM435722 U TW M435722U TW 101205178 U TW101205178 U TW 101205178U TW 101205178 U TW101205178 U TW 101205178U TW M435722 U TWM435722 U TW M435722U
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Chu-Kuang Liu
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Description

M435722 101-6-20 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作是有關於一種功率金氧半導體場效電晶體 (Power MOSFET)，且特別是有關於一種能提升崩潰電壓 (breakdown voltage)的功率金氧半導體場效電晶體。 【先前技術】 功率金氧半導體場效電晶體主是是應用在切換（p〇wer switch)元件’如各項電源管理裝置令提供電源開關切換 之用。 一般而言，功率金氧半導體場效電晶體的終端區100 為了維持元件週圍終端之崩潰電壓，會在終端區内設置多 個浮置的溝渠式導電環102，如圖i所示，美國專利 US6462379和美國專利公開號US2008/0179662都有類似 構想。 曰不過隨著功率金氧半導體場效電晶體之積集度的曰益 提升’功率金氧半導體場效電晶體之尺寸亦隨之縮小。因 =，如何在元件縮小的情形下，維持甚至是提升原本的崩 /貝電C已成為業者亟為重視的議題之一。 【新型内容】 本創作提供一種功率金氧半導體場效電晶體，能提升 崩潰電壓。 本創作另提供一種功率金氧半導體場效電晶體，能縮 4 101.pET~2iGr* 一· 101-6-20 減元件中終端區的面積。 本創作提出一種功率金氧半導體場效電晶體，具有一 主動區、一閘極母線(gatebus)區以及一終端區。這種功率 金氧半導體場效電晶體包括一基板、位於基板中的數個導 電溝渠、配置在基板内的數個井區、以及配置在導電溝渠 之表面的一介電層。所述功率金氧半導體場效電晶體還^ 括至少一終端結構，其包括至少一個上述導電溝渠、多個 配置在終端區内賴由導電溝渠互相電性隔離的所述井 區、一場效電板、一接觸栓塞與一重摻雜區。場效電板配 置在終端區内的所述導電溝渠與所述井區上，其中場效電 $是由「電板金屬與上述介電層所構成。接觸栓塞則穿過 ’I電層連接電板金屬與—個井區，使電板金屬透過接觸检 f而與被連接的賴等電位。而輕與導電溝渠藉由上述 =層而與電板金屬電_合。重摻雜區介於接觸检塞愈 被連接的井區之間。 /、 在本創作之-實施财，上述基板如為n型基板、井 品為P型井區以及重摻雜區為P+區。 區為ίίΓ之1施射’上述基板如為P型基板、井 馬η生井區以及重摻雜區為n+區。 橫跨實施财，上述細栓塞所連接的井區 、’、；k區、閘極母線區與主動區。 靠近之.，上述，結構的所述井區越 越高。接入低，而越祕主動區者，其電位 接觸仏塞所連接的絲例如是終栽構的所述井區 M435722 I-*. i 6. 2 0 ί -7 ^ 101-6-20 中電位最低者。 ，本創作之-實施例中，上述至少—終端結構的數量 大於1。 曰之:實施例中，上述功率金氧半導體場效電 a曰體還可包括一封環區包圍終端結構。 本創作之—實施例中’上述導電溝渠包括位在終端 、、、σ構與閘極母線區之間的基板中。 在本創作之-實_中，上料電溝渠包括位在終端 結構以外的基板中。 在本創作之一實施例中，上述功率金氧半導體場效電 晶體還可包括多個摻_ ’配置在井區與介電層之間，盆 中位於主減_上述摻純作為源極#雜區。 - 本創作提出另-種功率金氧半導體場效電晶體，具 -主動區、H極母線區以及—終端區。這種功率金 導體場效電晶體包括n位於基板中的數個導 渠、配置在基板内的數個井區、以及配置在導電溝渠之表 面的-介電層。所述功率金氧半導體場效電晶體還包括一 個第-終端結構與至少-個第二終端結構。第一终 包括位於閘極母線區内的一溝渠式閘極、位於溝渠 旁的至少-個導電溝渠、藉由導電溝渠互相電性隔ς的多 個井區、-第-場效電板與—第—接觸检塞。第二 士 構包括至少-個導電溝渠、多個配置在終端區内並藉由^ 電溝渠互相電性隔離的井區、一第二場效電板、一=_ 觸栓塞與-重摻雜區。上述第-場效電板配置在溝渠^ M435722
101-6-20 極、導電溝渠與井區上，其中第 電層所構成。第一接觸】^ 井區與導電溝渠藉由上述介電層而血第一 l = 合。上述第二場效電板配置在未被第—電板金屬^性輕 第一電 電層 上述 盖的井 屬 區與導電溝紅，其巾第二場 ==:井_位， 栓塞與被連接的井區之間。 疋"π弟一接觸 在本創作之另一實施例中 井區為ρ型賴以及重摻_為=基板如為η型基板、 在本創作之另一實施例中， 井區為η料區以及鱗_為=基板如為Ρ型基板、 在本創作之另一實施例 井區越靠近主動區者，上遮第二終端結構的所述 其電位越高。 、越低，而越遠離主動區者， 在本創作之另一實施例令 _ 的井區例如是第二終端結構的所述井觸栓塞所連接 在本創作之另一實施例中:中電位最低者。 量大於1。 上述第二終終端結構的數 在本創作之另一實施 、 電晶體還可包括多個摻雜區，’上述功率金氧半導體場效 其t位於主動區内的摻“作H在井區與介電層之間， 乍為源極摻雜區。 7 101-6-20 ]#* ^ -.7 i - *' 在本創作之另—實施例中，上述功率金氧半導體場效 電晶體還可包括-封環區包圍第-與第二終端2 基於上述’本創作之功率金氧半導體場效電晶體藉由 終，結構巾的場效電板之低f位與底下浮Ϊ的導電溝渠和 件區’在其間的介電層内形成電容(capadtor)，而導致井區 的空乏區(depletionregion)擴大，進一步提升崩潰電壓。另 外，本創作的功率金氧半導體場效電晶體中的終端結構還 能與閘極母線區的溝渠式閘極相結合，進崎減元件中終 端區的面積。 為讓本創作之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 圖2A疋依照本創作之第一實施例之一種功率金氧半 導體場效電晶體的部份上視圖；圖2B是圖2八之a_a， 段的剖面示意圖。 ’ 凊參照圖2A’第一實施例之功率金氧半導體場效電晶 體200具有一主動區202、一閘極母線區2〇4以及一終端 區206。一般而言，主動區202位在整個功率金氧半導體 場效電晶體200的中央部位，閘極母線區2〇4位在主動區 202的側邊，而終端區206圍繞著主動區2〇2和閘極母線 £ 204配置，因此本創作的圖式僅顯示一部份的構件，且 省略的部分可根據現有技術推知。 在圖2A與圖2B中，功率金氧半導體場效電晶體2〇〇 M435722
101-6-20 包括一基板208、位於基板208中的數個導電溝渠210、配 置在基板208内的數個井區212a〜e以及配置在導電溝渠 210之表面214的一介電層216。所述的導電溝渠210譬如 是由氧化層211和填入溝渠中的多晶矽或金屬所構成的結 構，當然本創作並不限於此。 第一實施例之功率金氧半導體場效電晶體200還有一 終端結構218，包括位於終端區206内的導電溝渠210、配 置在終端區206内並藉由導電溝渠210互相電性隔離的井 區212b〜e、一場效電板220、一接觸栓塞222與一重摻雜 區224。場效電板220配置在終端區206的導電溝渠210 與井區212b〜e上，其中場效電板220是由一電板金屬 226(如|呂、|呂銅合金、AlCu、AlCuSi、Ni/Ag、Al/NiAu、 AlCu/NiAu、AlCuSi/NiAu等)與介電層216(如氧化物)所構 成。接觸栓塞222則穿過介電層216連接電板金屬226與 一個井區212b，使電板金屬226透過這個接觸栓塞222而 與井區212b等電位。重摻雜區224則是介於接觸栓塞222 與被連接的井區212b之間。此外，在場效電板220與接觸 栓塞222下方通常設有阻障層223(如Ti/TiN)。 當基板208為η型基板’則井區212a〜e為p型井區以 及重摻雜區224為p+區；基板208背面可設置n+汲極 (drain)228。反之，當基板208為p型基板，則井區212a〜e 為η型井區以及重摻雜區224為n+區；基板208背面可設 置P+汲極228。在閘極母線區204則有閘極金屬230、閘 栓塞232和作為溝渠式閘極的一個導電溝渠234。 9 M435722 r-i · 101-6-20 (S. 2 0 .. .Ϊ 年 s，- / • '〆 以上井區212a~e可細分為位於主動區202之井區 212a，橫跨終端區206、閘極母線區204與主動區202的 井區212b;位於終端區且互相隔離之井區212c〜e，其電位 對應關係為 V(212a)=V(212b)<V(212c)<V(212d)<V(212e)，即 越靠近主動區202之井區，其電位越低；越遠離主動區202 之井區，其電位越高。所以，接觸栓塞222所連接的井區 212b為終端結構218的井區212b〜e中電位最低者。閘極 母線區204則有閘極金屬230、閘栓塞232和溝渠式閘極 234。所述的溝渠式閘極234譬如由氧化層211和填入溝渠 β 中的多晶石夕或金屬所構成的結構，當然本創作並不限於此。 在圖2Α與圖2Β中還顯示出一般的主動區2〇2内的構 件’如源極金屬236、源極糝雜區238、源極栓塞240和接 觸窗241。由於井區212b設有接觸窗241與源極金屬236 等電位，故電板金屬226透過接觸栓塞222連接井區212b 而與源極金屬236三者等電位。 當汲極電廢Voraii^Vl^OV且主動區202的源極電壓接 地(GND)時’由於電板金屬226與源極金屬236等電位、 _ 各個井區212c〜e與終端結構218的導電溝渠210均浮置， 所以電板金屬226會與井區212c〜e和導電溝渠210在介電 層216内形成電容，請見圖3。換言之，井區212c〜e與導 電溝渠210會藉由介電層216與電板金屬226電性耦合 (electrically coupling)。 在圖3中’由於介電層216内形成電容，庫倫力作用 下會導致井區212c〜e的電洞越往表面移動，使井區212c〜e 10 M435722 101 6. 2 0 厂 年月曰 y:.; ‘ ：Ti 101-6-20 一來，終端區206内的空乏區寬度w會擴大，且根據底下 公式可知，當空乏區寬度W增加，則vR也會隨之增加， 因而提升崩漬電壓。 FT = s (厂w + 匕) 叫1 e L Jl
上式中的G是指半導體的介電係數(pefmittivity) ; e是 指電子電荷(electronic charge); Vbi是指内建位能障(built_in potential barrier) ’ VR 是指反向偏壓(reverse_bias)電壓。队 與Nd則分別是井區212a〜e與基板208的摻雜濃度。 圖4、圖5與圖6是圖2B的三種變化例，並且使用與 圖2B相同的元件符號代表相同的構件。 在圖4中，在終端區2〇6的導電溝渠21〇除了被電板 金屬226覆蓋’還包括至少一個導電溝渠21〇位在終端結 構218與閘極母線區2〇4之間的基板2〇8中。
的空乏區往上移（圖3中以虛線表緣）。如此 在圖5=，在終端區206的導電溝渠21〇除了被電板 金屬226覆蓋’還包括至少一個導電溝渠21(H立在終端結 構218以外的基板208中。 、在圖6中，終端結構218的數量是2個，當然本創作 並不限於此。、終端結構218的數量可依照元件設計需求增 加。 圖7疋圖6的一種變化例’並且使用與圖6相同的元 件符號代表相同的構件。在圖7中比圖6多了配置在井區 212a〜e與介電層216之間的數個摻雜區700，井區212a〜e 如為P型井區’摻雜區7〇〇是n+摻雜區；反之亦然。而且， 11 Μ55Ί22
101-6-20 ，於主動d 202内的摻雜區· :=:能在_二道:=摻雜 元件符號代表相同的構 =8並^ 區。而且這個封環區獅除用在本例如 求設置在其餘實施例中。 在本A例，還可視需 !二:圖:D是圖8的幾種不同的封環區示意圖。 和重=:構封成環區是由導電封環 重摻電封環_、封環一 和導===環區是由導電封環刪、封環栓塞9〇2 =電顯構成，其中封·塞搬與導電溝渠· 導電=1= 區是由導電封環_、封環栓塞·、 等電溝渠904與導電溝渠9〇8構成， 導電溝渠不接觸。料其中封每栓塞902與 圖10是依照本_之第二實_之—種功率 導體場效電晶體的剖面示意圖。 ’ 請參照圖10,第二實施例之功率金氧半導體場效電晶 體1000與第-實施例同樣具有主動區聰、閉極 1004以及終祕1GG6，且财所省略主純聰内 件可參考第-實_。功率金氧轉體場效電晶體麵 12
M435722 包括基板1008、位於基板1008中的數個導電溝渠 1010a〜b、配置在基板1008内的數個井區i〇i2a〜h以及配 置在導電溝渠1010之表面的一介電層1014。功率金氧半 導體場效電晶體1000還包括一個第一終端結構1016以及 至少一第二終端結構1018。 第一終端結構1016包括位於閘極母線區1〇〇4内的— 溝渠式閘極1020、溝渠式閘極1〇2〇旁的導電溝渠1010a、 藉由這些導電溝渠1010a互相電性隔離的井區i〇i2a〜d、 一第一場效電板1022與一第一接觸栓塞1024。第一場效 電板1022配置在溝渠式閘極1〇2〇、導電溝渠1010a與井 區1012a〜d上，其中第一場效電板1〇22是由一第一電板金 屬1026與介電層1〇14所構成。第一接觸栓塞1〇24則穿過 介電層1014連接第一電板金屬1〇26與溝渠式閘極1〇2〇， 使第一電板金屬1026透過第一接觸栓塞1〇24而與溝渠式 閘極1020等電位。 由於閘極母線區1004内的溝渠式閘極1〇2〇在元件 Off(關）時是接地(GND) ’所以第一電板金屬1〇26仍處於接 地電位’能與井區l〇12a〜d和導電溝渠l〇l〇a在介電層 1014内形成電容’而導致崩潰電壓的提升。至於其餘構 件’可參知以上各圖中適用的部分，故不再贅述。 第二終端結構1018則包括位於終端區1006内的導電 溝渠1010b、配置在終端區1006内並藉由導電溝渠1010b 互相電性隔離的井區l〇12e〜h、一第二場效電板1028、一 第二接觸栓塞1〇3〇與一重摻雜區1〇32。第二場效電板1〇28 13 M435722
101-6-20 配置在終端區1006的導電溝渠i〇i〇b與井區l〇i2e〜h上， 其中第二場效電板1028是由一第二電板金屬1034與介電 層1014所構成。第二接觸栓塞1〇3〇穿過介電層1〇14連接 第二電板金屬1034與一個井區i〇i2e，使第二電板金屬 1034透過第二接觸栓塞1〇3〇而與井區i〇i2e等電位。重 摻雜區1032則是介於第二接觸栓塞1〇3〇與被連接的井區 1012e之間。 當基板1008為η型基板，井區i〇i2a〜h為p型井區、 重摻雜區1032為p+區；反之，當基板1〇〇8為p型基板， 井區1012a〜h為η型井區、重摻雜區1〇32為n+區。 以上井區1212a〜h可細分為橫跨終端區1〇〇6、閘極母 線£ 1004與主動區1〇〇2的井區l〇12a ;位於終端區且互 相隔離之井區l〇12b〜h ’其電位對應關係為v(l〇12a)< V(1012b)<V(l〇12c)<V(l〇12d)<V(1012e)<V(l〇12f)<V(l〇12g)< V(l〇12h)’即越靠近主動區1〇〇2之井區，其電位越低；越 遠離主動區1〇〇2之井區，其電位越高。因此，第二終端結 構1018和第一實施例的終端結構218 一樣，第二接觸栓塞 1030所連接的井區1〇12e為第二終端結構1〇18的井區 1〇12e〜h中電位最低者。此外，第二終端結構1018的數量 雖’、顯示1個，但本創作並不限於此，可依照元件設計需 求増加第二終端結構1018的數量。 圖U疋圖10的一種變化例，並且使用與圖1〇相同的 元件符號代表相同的構件。在圖11中比圖10多了配置在 井區1012a〜h與介電層1〇14之間的數個摻雜區11〇〇，且 14 M435722 101 β. 2 Ο 年 101-6-20 其是與主動區1002内的源極摻雜區一起形成，所以圖u 的結構不必為了遮住主動區1002以外的區域而在製程期 間多一道光罩製程。 綜上所述，本創作藉由結構上的設計，使位在場效電 板與底下浮置的導電溝渠和p型井區之間的介電層内形成 電容，而使井區的空乏區擴大，進一步提升崩潰電壓，而 且還具有縮減終端區面積的效果。 雖然本創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 =作之精神和朗内，當可作些許之更 創作之保護範圍當視後附之_請專利範圍所界定^為準 【圖式簡單說明】 種功率金氧半導體場效電晶體的終端 圖1是習知之 區的示意圖。 圖2Α是依照本創作之第 導體場效電晶體的部份上視圖。 彳之一種功率金氧半 圖2Β疋圖2八之α_α， 圖3是圖2Β之空乏區位置/面不思圖。 圖4、圖5與圖„扣& 圖7㈣的-種：的三種變化例。 1〇是依 ^是圖2Β的又一種變 圖9Α〜圖9D县阖。 圖10县佑阳丄:.’、種不同的封環區示意圖 種功率金氧半 15 M435722 101-6-20 導體場效電晶體的剖面示意圖。 圖11是圖10的一種變化例。 【主要元件符號說明】 100、206、1006 :終端區 102 :溝渠式導電環 200、1000 :功率金氧半導體場效電晶體 202、1002 :主動區 204、1004 :閘極母線區 208、1008 :基板 210、908、1010a、1010b :導電溝渠 211 :氧化層 212a〜e、1012a~h :井區 214 :表面 216、1014 :介電層 218 :終端結構 1016 :第一終端結構 220、1022、1028 :場效電板 222、1024、1030 :接觸栓塞 223 :阻障層 224、1032 :重摻雜區 226、1026、1034 :電板金屬 228 : n+汲極 230 :閘極金屬 M435722
101-6-20 232 :閘栓塞 234、1020 :溝渠式閘極 236 :源極金屬 238 :源極摻雜區 240 :源極栓塞 241 :接觸窗 700、1100 :摻雜區 800 :封環區 900 :導電封環 902 :封環栓塞 904 :重摻雜區 906 : n+區 1018 :第二終端結構 17

Claims (1)

  1. 0
    101-6-20 γ，申請專利範圍： 1.一種功率金氧半導體場效電晶體，具有一主動區、 γ閘極母線區以及一終端區，包括： 基板； 多數個導電溝渠，位於該基板中； 多數個井區，配置在該基板内；以及 ，介電層，配置在該些導電溝渠之表面， 所述功率金氧半導體場效電晶體更包括：至少一終端 結構’該至少一終端結構包括： 至少一個所述導電溝渠； 藉由該些導電溝 多個所述井區，配置在該終端區内並 渠互相電性隔離； 述共效ί板’配置在該終端區内的所述導電溝渠與所 構成 其中該場效電板是由—電板金屬與該介電層所 •接觸栓塞 區Α中夕―± 該介電層連接該電板金屬與該些井 該Ϊ區等心電板金屬透過該接觸栓塞而與被連接的 驗塞與錢躺料區之間。 電晶體，1項所述之功率金氧半導體場效 及該重摻雜型基板、該些賴為Ρ型井區以 申明專利範圍第1項所述之功率金氧半導體場效 18 M435722 年月曰
    101-6-20 电晶體，其令該基板為p型基板、該些井區為n型井區以 及該重摻雜區為n+區。 曰4.如申請專利範圍第1項所述之功率金氧半導體場效 電晶體，其_該接觸栓塞所連接的該井區橫跨該終端區、 該閘極母線區與該主動區。 、 曰5.如申請專利範圍第1項所述之功率金氧半導體場效 】晶體，其令該終端結構的所述井區越靠近該主動區者， 電位越低；而越遠離該主動區者，其電位越高。 6.如申請專利範圍第5項所述之功率金 其t該接觸栓塞所連接的該井區為該終端結構的 所返井區中電位最低者。 電曰L如^專職圍第1項所狀鱗金氧半導體場效 曰曰體，其中該至少一終端結構的數量大於1。 電^如^專利朗第1項所狀辨錢半導體場效 日日體’更包括-封環區包圍該至少一終端結構。 電晶9體如:項所述之功率錄半導體場效 該間極母線“該^括位在該至少-終端結構與 效電1 曰0專利範圍第1項所述之功率金氧半導體場 以“該些導電溝渠包括位在該至少-終端結構 敦雷1 曰^如申請專利範圍第1項所述之功率金氧半導體場 電^體’更包括多數個掺顏，配置在該些井區盥該介 電層之間’其中位於該主動區内的該些摻雜區作為源極ς 19 1 Λ-f e·窆 +H〜，
    - 一—J 101-6-20 12.—種功率金氧半導體場效電晶體，具有一主動區、 一閘極母線區以及—终端區，包括： 一基板； 多數個導電溝渠，位於該基板中； 多數個井區’配置在該基板内；以及 一介電層，配置在該些導電溝渠之表面， 所述功率金氧半導體場效電晶體更包括一第一終端結 搆與炙少一第二終端結構，其中 该第一終端結構包括： 一溝渠式閘極，位於該閘極母線區内； 至少一個所述導電溝渠，位於該溝渠式閘極旁； 多個所述井區，藉由該些導電溝渠互相電性隔離； 一第一場效電板，配置在該溝渠式閘極、所述導電 漭渠與所述井區上，其中該第一場效電板是由一第一電 板金屬與該介電層所構成；以及 第一接觸栓塞，穿過該介電層連接該第一電板金 肇 屬與該溝渠式閘極，使該第一電板金屬透過該第〆接觸 授#而與S亥溝渠式閘極等電位，而該些井區與該些導電 漭系藉由該介電層而與該第-電板金屬電性麵合； 该至少一第二終端結構包括： 至少一個所述導電溝渠； 多個所述井區i置在該終端區内並藉由該婆導電 漭渠互相電性隔離； 20 M435722 Ji 101-6-20 1〇1m 的所、十、ί二場效電板’配置在未被該第—電板金屬覆蓋 井區與所述導電溝渠上，其中該第二場效電板是 由一第二電板金屬與該介電層所構成； -第二接驗塞’穿顧介電層連接 f與該些井區其中之…使該第二電板金屬透過 接觸栓塞而與被連接的該井區等電位；以及u弟一 區之^重摻雜區’介於該第二接觸栓塞與被連接的該井 效二^如申^範圍第12項所述之功率金氧半導體場 效电曰曰體’其中該基板為n型基板、該些井區為P型并區 以及該重摻雜區為P+區。 ”、P井區 效電圍第Η項所狀解絲半導體場 效電曰曰體、、中該基板為p型基板、該些 以及該重摻纏為n+區。 αηι开 效電Ϊί顿叙解錢半導體場 > a 八中第一終端結構的所述井區越靠近該主動 區者Μ其1位越低；而越遠離該主動區者，其電位越高。 效電曰ί m範圍第15項所述之功率金氧半導體場 效電S曰體’"中韻二接觸栓塞所連接的 終端結構的所述井區中電位最低者。 斤L局这弟一 ^曰申^利範圍第12項所述之功率金氧半導體場 效電曰曰體，其中該至少一第二終終端結構的數量大於卜 μ mu®第12項㈣之辨錢半導體場 效電曰曰體’更包括多數個摻雜區，配置在該些井區盘該介 21 M435722 ΐϋΐ e. 101-6-20 電層之間，其中位於該主動區内的該些摻雜區作為源極摻 雜區。 19.如申請專利範圍第12項所述之功率金氧半導體場 效電晶體，更包括一封環區包圍該第一終端結構與該至少 一第二終端結構。 22 M435722
    年月曰 ；_ 修二.. 2 0 2012 A A，
    202+ 204 + 206 218
    216 800 212e 228
    圖8
    圖9A 圖9B 圖9C 圖9D M435722 101. 6 2 0 /7 ：： 年月 1002 θ——>1004<~~I
    1020 1010α 1012c 1012d 1010α 1012e 1030 1010b 圖10 1002 <H->1004<^| >1006 1016 1100 1018
    1012α 1012b 1012c 1012d 1012e 1012f 1012g 1000 圖11 上么.^ 6. '2ΤΓ my. 年 7 ' · 101-6-20 I * | and a dielectric layer. The power MOSFET further has at least one termination structure which includes at lest one of the conductive trenches，the plurality of well regions disposed within the termination area and mutually insulated by the conductive trenches, a field plate, a contact plug, and a heavily-doped region. The field plate including a plate metal and the dielectric layer is disposed on the well regions and the conductive trench within the termination area. The contact plug connects to the plate metal and one of the well regions through the dielectric layer whereby the plate metal has equal electrical potential with the connected well region via the contact plug. The well regions and the conductive trench are electrically coupling to the plate metal via the dielectric layer. The heavily-doped region is between the contact plug and the connected well region. 四、指定代表圓： (一） 本案之指定代表圖：圖2B (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 200 :功率金氧半導體場效電晶體 202 :主動區 204 :閘極母線區 206 :終端區 208 :基板 M435722 210 :導電溝渠 211 :氧化層 212 a〜e .井區 214 :表面 216 :介電層 218 :終端結構 220 :場效電板 222 :接觸栓塞 223 :阻障層 224 :重摻雜區 226 :電板金屬 228 : n+汲極 230 :閘極金屬 232 :閘栓塞 234 :溝渠式閘極 236 :源極金屬 238 :源極換雜區 240 :源極栓塞 241 :接觸窗
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