五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作係有關於—種發光二極體封裝結構，尤指一 種用於增加發光效率及散熱效果之晶圓級發光二極體封 裝結構。 ’ 【先前技術】 請參閱第一圖所示，習知發光二極體封裝結構包括 :一發光本體1 1 cl、兩個分別設置於該發光本體1 1 a上之正極導電層Pa及負極導電層Na、三層依序堆 疊在該發光本體1 1 a上且鄰近該正極導電層p a之ΓΓΟ 層、Si02層及Ti/Al/Ti/Au廣（反射層）、一形成於該正 極導電層P a及該負極導電層Na之間且包圍該正極導 電層Pa與該負極導電層1^3的外側邊之光阻層2 a ' 及兩個分別設置在該正極導電層P a及該負極導電層N a上端之導電層3 ^。然而，習知發光二極體封裝結構 的叙光效率及散熱效果皆不甚该想。 緣是’本創作人有感上述缺失之可改善，悉心觀察 且研究之，並配合學理之運伟，而提出一種設計合理且 有效改善上述缺失之本創作。 【新型内容】 本創作所要解決的技術問題，在於提供一種晶圓級 發光二極體封裝結構，其能夠有效的增加發光效率及散 熱效果。 為了解決上述技術問題，捧據本創作之其中一種方 案，提供一種晶圓級發光二極襻封裝結構，其包括：一 發光單元、一反射單元、一第導電單元及一第二導電 ίί本該發光單元具有—顧本體…設置在該 導電層本體、一成形於該發光本體上之正極 射單^右祕树光本體上之貞極導電層。該反 並::开:Γ 該正極導電層及該負極導電層之間 ΐ:Γ=?本體上以包圍該發光本體外側之反J 曰w #電早凡具有一成形於該正極導電層上之第 3 層負極導電層上之第-負極ί 上^第導電早70具有—成形於該第一正極導電層 之及—成形於該第一負極導電層上 之第一負極導電結構。 囚此 光阻〜使Γ:=益效果在於:本創作可省略習知 =層的㈣’而直接.透過絲而成形之分散 拉格反射層（Distributed Bmgg RefleetQr，職）來作^ 二用於反射光狀反鮮元，0此本創料但可以透過 为散式布拉格反射層的使用來增加發光效率（加 被該反射單元反射的機率），且本創作亦可因為省略 光阻層的制喊少導祕徑，糾增加散熱縣。° 為使能更進一步瞭解本創作之特徵及技術内容，往 · 參閱以下有關本創作之詳細說明與附圖，然· 僅提供參考與說明用，並非用來對本創作加以限制者/ 【實施方式】 - 請參閱第二圖、及第二Α圖至第二j圖所示，本創 作第一實施例提供一種晶圓級發光二極體封裝結構的製 作方法，其包括下列步驟： 步驟S100為：請配合第二圖及第二A圖所示，提供 具有多個發光單元1之晶圓w(圖式中只顯示出該晶 4/17 M394564 圓w上的其中一個發光單元丄），其中每一個發光單元1 具有一基板本體1 Q、ϋ在該基板本體1 Q上之發 光本體1卜—成形於該發光本®1 1上之正極導電層 Ρ (例如ρ型半導體材料層）、一成形於該發光本體1 1 上之負極導電層Ν (例如㈣半導體材料層）、及一成形 於戎發光本體11内之發光區域Α。 二此外，該基板本體1〇為一氧化鋁基板丄〇〇，且 ，么光本ϋ1 1具有—成形於該氧化鋁基板1 〇 〇上之 氮化鎵負電極層1 ] Q及—成形於該氮化鎵負電極屬1 1 0上之氣化錄正電極層1 1 1。此外，紅極導i層 P成形於該氮化鎵正電極層i i i上，該負極導電層N 成形於該氮化鎵負電極層i丄Q上，且該正極導電^ p 的上表面具有-正極導電區域ρι，該負極導電層^的 上表面具有一負極導電區域N1。另外，該發光區域A (光源被激發出來的地方）形成於該氮化鎵負電極層工 1 0與δ亥氮化蘇正電極層1 1 1之間。 步驟S102為··請配合第二圖及第二Β圖所示，切除 該發光本體1 1的-部分，以露出該基板本體】〇上表 面的外圍區域Η。換言之，如第圖所示，當該氮化 鎵負電極層11〇的—部分與該氮化鎵正電極層工11 的-部分被移除後，該氧化絲⑽上表 區域Η被外露出來。 Μ 步驟S104為：請配合第二圖、及第二〇圖至第二D 圖所示，成形-反射層2 〇 (例如該反射層2 〇可由反 射材料R經過㈣而成，如同第二c圖至第二〇圖的過 程所示），其位於該正極導電層P及該負極導電層]^之間 5/17 M394564 並且位於該基板本體1 0的外圍—H上以包圍該發光 本肢11的外側並露出該正極導電層p及該負極導電層 N。依據不_設計需*，該反料2 ◦可使用任何的 絕緣反射材料，例如：該反射層2 Q可為—透過電聚而 成形之分散式布拉格反射層。換言之，該反射層2 〇的 一部分成形於該氮化鎵負電極層i i ◦的部分上表面上 及該氮化鎵正電極層i i i的部分上表面上並且位於該 正極導電層P與該負極導電層N之間。另外，依據不同 的，計需求，該反射層2 Q的-部分可覆蓋於該正極導 電層P的-部分正極導電區域”上及該負極導電層N 的一部分負極導電區域N1上。 步驟S106為：請配合第二圖及第二E圖所示，成形 -第;-導電層Ml於每-個發光單w之該正極導電層 P、该負極導電層N及該反射層2〇上，其中 一: 電層Μ 1為-層透過無電鍍的方式（例如：物^ ¥ 化學蒸鍍或濺鍍等方法）以成形於每—個發光dd 、 該正極導電層P、該負極導電層N及該反^ = 1之 導電金屬層。 a d U上之 步驟S108為：請配合第二圖及第二F圖戶_ 部分之第一導電層M丄（例如透過蝕刻的^斤不:移除 述部分之第-導電層Ml )’以分別成形多個；：：：亡 元3於該些發光單元1上，其中每—伽堂、等电早 —導雷罝开q 具有一成形於每一個正極導電層p上之第一 干〜d 3 P及-成形於每-個負極導電層N上之帛極導電層 層3 N。換言之，該第一正極導電層3 ?與;土極導電 導電層3 N彼此絕緣，域第-正㈣第一負極 *電層3 P成形於 6/17 其餘的正極導電區域p i上及一部分反射屛 第-負極導電層3 N成形於其餘的負極導^域 —部分反射層20上。 丄及 —步驟S110為：請配合第二圖及第二G圖所示 -第二導電結構Μ2於每-個發光單w之—部分及料 層20上及位於每一個發光單元it 及第-負極導電層-上，其中該第二以 =2可透過無電艘的方式（例如：物理紐、化學蒸= 或濺鍍等方法）以成形於每一個發光單元i之—呷八= 射層2 0上及位於每一個發光單元丄上端之第； 電層3 P及第一負極導電層3n上。 立步驟S112為：請配合第二圖及第二η圖所示，移除 邛刀之第二導電結構Μ 2 (例如透過蝕刻的方式以移除 上述部分之第二導電、纟t#M2 )，以分職料 ς =元4於該些第-導電單U上，其中每—個第^ 電早7〇 4具有一成形於每一個第一正極導電層3 ρ上之 第-正極導電結構4 Ρ及-成形於每-個第—負極導 層3 Ν上之第二負極導電結構4 Ν。 ”舉例來說，該第二正極導電結構4ρ由至少三層導 電金屬層透過電鍍的方式相互堆疊所組成，且該第二負 極導電結構4 Ν由至少三層導電金屬層透過電鍍的方式 相互堆疊所組成，其中上述至少三層導電金屬層為一銅 層CU、—鎳層Ni及—金層或錫層Au/Sn ,該鎳層抓成 形於該鋼層Cu上，且該金層或錫層Au/Sn成形於該鎳 層Ni上。 ' 另外，依據不同的設計設求，該第二正極導電結構 7/17 由至少兩層導電金屬層透過電鍍的方式相互堆 豐所組成，且該第二負極導雷沾 導電全屬屛透過雷㈣…冓4亦可由至少層 曰、電㈣方式相互堆4所組成，其中上述 『少金屬層為-鎳層Μ及-金層或錫層Au/ η ’且11钱層Au/Sn細彡於該鎳層μ上。換言 f、:只要是由兩層以上的導電金屬層相互堆疊之第二正 及由兩層以上的導電金屬層相互堆疊之 弟二負極導電結構4Ν，皆為本創作所保護之範田壽。 將該 成形 透過 步驟S114為：請配合第二圖及第二ι圖所示 晶圓W翻轉’並置於—耐熱之高分子基板s上。 步驟S116為：請配合第二圖及第二I圖所示 一營光層5於每-個發光單元工的底端。換言之、〜 將該晶®W_的方式，以將該螢光層5·於該氧化 =基板1 Q Q的底面。此外，上述㈣光層5可依據不 5 =使用需求’而選擇為：由有與螢光粉所混合形成 ^光膠H《由〶氧樹脂與螢光粉所混合形成之榮光 勝體。 步驟sm為：請配合第二圖及第二】圖所示，延著 上了 I圖之X-X線以進行切割過程，以將該晶圓w切割 、'夕個设蓋有f ^層5之發光二極體封裝結構z，且透 ^少兩侧球B (_膏）以將每-個發光二極體封 電性連接於—電路板C上，其中每-個發光二 本=封I纟#構2從該發光區域A產生通過該榮光層5之 =^ ’以進行照明的需求。此外，有一部分從該發光 1°二丨所產生的光束1投向下方，且該些投向下方的光 又至-亥正極導電層p、該負極導電層N及該反射層2 8/17 0的反射而產生向上投光效果。 藉此’由上述第二J圖可知 [種曰曰圓級發光二極體封I结構Z，其包括：一發光 、-反射單元2、—第一導電單元3、一第二導 電單元4及一螢光層5。在去墙 ^ ^ - ±-r m,, 者，第一貫施例的晶圓級發 極，脰封裝結構Z透過至少兩層錫 電性連接於—電路板c上。 ) 八中3亥發光單元1具有一基板本體1 0、一設置 在该基板本體1 0上之發光本體1 1、= 1上之正極導電層P、—成形於該發光本體i i 之負極導電層N、及—成形於該發光本體i i内之發 =區域广。另夕卜，該基板本體10為一氧化紹基板10 且。玄發光本體1 1具有一成形於該氧化紹基板工〇 2之氮化鎵負電極層11Q及—成形於該氮化鎵負電 :二1 10上之氮化鎵正電極層1 1 1。此外，該正極 v電層P成形於該氮化鎵正電極層i丄丄上，該負極導 電層N成形於該氮化鎵負電極層i i 〇上，且該正極導 電層p的上表面具有一正極導電區KP1，該負極 層N的上表面具有一 負極導電區域N1。 再者’該反射單元2具有一成形於該正極導電層p 及该負極導電層N之間並且成形於該基板本體1〇上以 包圍該發光本體1 1外側之反射層2 〇。依據不同的設 十品求’該反射層2 〇可使用任何的絕緣反射材料，例 如·該反射層2 〇可為一透過電漿而成形之分散式布拉 反射層。另外，依據不同的設計需求，該反射層2 Q 、°卩刀覆盒_於該正極導電層P的一部分正極導電區域 9/17 M394564 P1上及該負極導電層N的一部分負本 。 、迦—電區域N1上 此外’該第-導電單S3具有-成形 層P上之第一正極導電層3卩及―成形、以正極V電 N上之第-負極導電層3N。另外，該笫j負極導電層 3 P與該第-負極導電層3N彼此絕^，If極=電層 導電層3P成形於其餘的正極導電區域p1上第，極 反射層2 0上’該第一負極導電層3 N成开二 極導電區域N1及一部分反射層2〇上。 、、 另外，該第f導電料4具有-成形於該第-正極 導電層3 P上之第二正極導電結構4 p及—成形於 -負極導電層3N上之第二負極導電結構❹。、〆 此外，該料層5成形於該發光單元i的底部。換 言之’該榮光層5成形於該發光單元1之氧化喊板工 〇 0的底部，以配合該發光區域A所產生之光束l來提 供白色光源田然’該螢光層5的上表面可形成一粗糖 的研磨表面，以增加光源的出光效率。 請參閱第二®所示.，賴作第二實_提供一種晶 圓級發極體封|結構z ’其包括：一發光單元工、 -反射早、-第—導電單元3、—第二導電單元4 及-螢光層5。由第三圖與第二】圖的比較可知，第二 實施例與第-實施例的差別在於：第二實施例可以省略 第一實施例的步驟_(如第二B圖所示，切除該發光 本脱1 1的邛刀，以露出該基板本體1 〇上表面的外 圍區域Η )’因此該氡化鎵負電極層1 1 〇的外圍不會被 切除另外"績光層5的下表面可形成―粗糙的研磨 10/17 M394564 表面，以增加光源的出光效率，亦即該螢光層5的下表 面為一位於該螢光層5和該基板本體1 0之間之粗糙表 面。 請參閱第四圖、及第四圖至第四C圖所示，本創作 第三實施例與第一實施例最大的差別在於：在第三實施 例中，於「將該晶圓W翻轉，並置於一对熱之高分子基 板S上」之步驟後，更進一步包括： 步驟S200為：請配合第四圖及第四A圖所示，切割 該晶圓τ /，以使得該晶圓W的上表面形成多個位於該些 發光單元1之間之凹槽G。 步驟S202為：請配合第四圖及第四Β圖所示，成形 螢光材料（圖未示）於該些凹槽G内及該些發光單元1 的上表面。此外，上述的螢光材料可依據不同的使用需 求，而選擇為：由矽膠與螢光粉所混合形成之螢光膠體 、或由環氧樹脂與螢光粉所混合形成之螢光膠體。 步驟S204為：請配合第四圖及第四Β圖所示，固化 該螢光材料，以形成一螢光層5於每一個發光單元1的 底端及周圍。 步驟S206為：請配合第四圖及第四Β圖所示，延著 第四Β圖之Υ-Υ線以切割位於該些凹槽G内之螢光層5 及位於該些凹槽G下方之晶圓W，以將該晶圓W切割成 多個發光二極體封裝結構Ζ。 步驟S208為：請配合第四圖及第四C圖所示，透過 至少兩個錫球Β (或錫膏）以將每一個發光二極體封裝 結構Ζ電性連接於一電路板C上，其中每一個發光二極 體封裝結構Ζ從該發光區域Α產生通過該螢光層5之光 11/17 M394564 束L，以進行照明的需求。 由上述第四c圖可知，本創作第三實施例血 ^貫_最大的差別在於：該螢光層5成形於該料 單兀1的底部及周圍，以配合該發光區域A所 束L來提供白色光源。 (九 清參閱第五圖所示，本創作第四實施例提供-種晶 圓級發光二極體封裝結構z，其包括：—發光單元工、曰 一反射單元2、—第—導電單S3 —第二導電單元4 及一螢光層5。由第五圖與第四C圖的比較可知，第四 貫施顺第三實施例的差別在於：在第四實施例中，該 氮化鍊負電極層1 1 Q的外圍不會被切除。另外 光層5的下表面可形成—姆的研磨表面，以增加= 的出光效率，亦即該營光層5的下表面為—位於該、 層5和錄板本體1 〇之間之粗链表面。 絲上所述，本創作晶圓級發光二極體封 製作方法的特點在於： 攝及其 本創作可省略習知光阻層的使用，而直接以— 透過電漿而成形之分散林拉格反射層來作為—用於反 射光源之反射單元2，目此本創作不但可以透過該分散 式布，格反射層的使絲增加發光效率（加強光源被“ 反射單元反射的機率）’且本創作亦可因為省略習知光阻 層的使用而減少導熱路徑，進而增加散熱效果。 2、舉例來說，該螢光層5可成形於該發光單元1 之氧化鋁基板1 〇 〇的底部，以配合該發光區域A所產 生之光束L來提供白色光源。以第二實施例而言，該螢 光層5成形於該發光單元丄的底部及周圍，以配合該發 12/17 M394564 光區域A所產生之光朿L來提供白色光源。 3、本創作之反射單元2之反射層2 0包圍該發光 單元1之發光本體1 1的外侧，以用於有效地保護該發 光單元1的外圍區域。當然，本創作反射單元2的反射 層2 0亦可不用包圍該發光單元1之發光本體1 1的外 侧。 以上所述僅為本創作之較佳可行實施例，非因此侷 限本創作之專利範圍，故舉凡運用本創作說明書及圖式 内容所為之等效技術變化，均包含於本創作之範圍内。 【圖式簡單說明】 第一圖為習知發光二極體封裝結構之結構示意圖； 第二圖為本創作製作方法之第一實施例之流程圖； 第二A圖至第二J圖分別為本創作製作方法之第一實施 例之製作流程示意圖； 第三圖為本創作第二實施例之側視示意圖； 第四圖為本創作製作方法之第三實施例之部分流程圖； 第四A圖至第四C圖分別為本創作製作方法之第三實施 例之部分製作流程示意圖；以及 第五圖為本創作第四實施例之側視示意圖。 【主要元件符號說明】 [習知] 發光本體 11a 正極導電層 Pa 負極導電層 Na 光阻層 2 a 導電層 3 a 13/17 M394564
[本創作] 晶圓 W 發光二極體封裝結構Z 發光單元 1 基板本體 10 氧化鋁基板 10 0 發光本體 1 1 氮化鎵負電極層 110 氮化鎵正電極層 111 正極導電層 P 正極導電區域 P 1 負極導電層 N 負極導電區域 N 1 發光區域 A 反射材料 R 反射單元 2 反射層 2 0 第一導電層 Ml 第一導電單元 3 第一正極導電層 3 P 第一負極導電層 3 N 苐二導電結構 M2 第二導電單元 4 第二正極導電結構 4 P 第二負極導電結構 4 N 螢光層 5 高分子基板 S 電路板 C 錫球 B 光束 L 14/17