TWI854544B - 化合物、包括其之塗覆組成物、化合物製備方法以及電子元件 - Google Patents
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Abstract
本說明書是有關於一種具有化學式1的化合物、包括其
之塗覆組成物、化合物製備方法以及電子元件：
Description
本說明書是有關於一種化合物、包括其之塗覆組成物、化合物製備方法以及電子元件。
＜相關申請案的交叉參考＞
本申請案主張於2022年3月25日在韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2022-0037305號的優先權及權益，所述韓國專利申請案的全部內容併入本案供參考。
含有全氟烷基的化合物已被廣泛用於表面塗覆劑領域中，乃因所述化合物因具有低的表面能而降低了膜中的表面抬升（surface lifting）及介電常數從而了降低整個組成物的介電常數，並且具有高耐熱性。在相關技術中，儘管已經使用格任亞試劑（Grignard reagent）及鹵化化合物或其衍生物藉由親核取代而獲得了所述化合物以便將全氟烷基引入至所述化合物中，但存在的缺點在於：反應複雜，可能會產生例如氯化物氣體等有毒氣體，並且反應對空氣及水分敏感。由於矽烷系化合物可用作藉由在玻璃或金屬的表面上形成強的物理-化學鍵來增強耐久性的塗覆組成物，因此當全氟烷基被引入至矽烷系化合物中時，可形成能夠在表面上賦予低介電性質同時增強黏附能力的塗覆膜。然而，就相容性而言，將全氟烷基直接引入至組成物中是不利的。
[引用文獻列表]（專利文獻1）韓國專利特許申請案第10-2014-0143327號
[技術問題]
本說明書提供一種化合物、包括其之塗覆組成物、化合物製備方法以及電子元件。
[技術解決方案]
本說明書的示例性實施例提供具有以下化學式1的化合物。
[化學式1]
在化學式1中，
R
1至R
3各自獨立地為烷基，
R
f為C
nF
2n+1，且n為1至20的整數。
本說明書的另一示例性實施例提供一種包含所述化合物的塗覆組成物。
本說明書的又一示例性實施例提供一種化合物製備方法，所述方法包括：藉由將烷氧基矽烷化合物與全氟烷基化合物進行混合來合成烷氧基矽烷中間物；以及藉由消除反應而將雙鍵引入至烷氧基矽烷中間物中。
本說明書的再一示例性實施例提供一種包含所述化合物或其固化產物的電子元件。
[有利效果]
藉由包括全氟烷基、矽烷基及乙烯基所有三種基團，根據本說明書的示例性實施例的化合物可容易地用作聚合物單體。此外，藉由在聚合物合成期間直接參與與其他可固化組成物的交聯，可合成具有期望性質的聚合物。
當用作聚合物單體時，根據本說明書的示例性實施例的化合物不需要例如高熱及高壓力等反應條件，參與反應的化合物及加成反應物易於移除，並且可容易地獲得高純度材料。
包含根據本說明書的示例性實施例的化合物的塗覆組成物具有低介電常數、高耐熱性及耐久性、以及優異的黏著力。
在下文中，將更詳細地闡述本說明書。
本說明書的示例性實施例提供一種具有以下化學式1的化合物。
[化學式1]
在化學式1中，
R
1至R
3各自獨立地為烷基，
R
f為C
nF
2n+1，且n為1至20的整數。
在本說明書的示例性實施例中，R
1至R
3各自獨立地為具有1至30個碳原子的烷基。
在本說明書的示例性實施例中，R
1至R
3各自獨立地為具有1至20個碳原子的烷基。
在本說明書的示例性實施例中，R
1至R
3各自獨立地為具有1至10個碳原子的烷基。
在本說明書的示例性實施例中，R
1至R
3各自獨立地為具有1至5個碳原子的烷基。
在本說明書的示例性實施例中，R
1至R
3可各自獨立地為甲基；乙基；丙基；丁基；或戊基。
在本說明書的示例性實施例中，R
1至R
3可各自獨立地為甲基；乙基；或丙基。
在本說明書的示例性實施例中，R
1至R
3可各自獨立地為甲基；或乙基。
在本說明書的示例性實施例中，R
1至R
3可各自獨立地為甲基。
在本說明書的示例性實施例中，R
1至R
3可各自獨立地為乙基。
在本說明書的示例性實施例中，n為1至20的整數。
根據本說明書的示例性實施例，當n在上述範圍內時，可製備具有各種分子量的化合物，乃因全氟烷基的鏈長容易調節。
儘管包含全氟烷基的化合物表現出低介電常數及高耐熱性的特性，但存在的問題在於：就相容性而言，難以製備所述化合物。然而，藉由包括全氟烷基、矽烷基及乙烯基所有三種基團，具有化學式1的化合物可容易地用作聚合物單體，並且藉由直接參與與其他可固化組成物的交聯，可合成期望的聚合物。
在本說明書的示例性實施例中，n可為3至20的整數、3至15的整數、3至12的整數、或者3至11的整數。
在本說明書的示例性實施例中，n可為4至20的整數、4至15的整數、4至12的整數、4至11的整數、或者4至8的整數。
在本說明書的示例性實施例中，氫連接至在化學式1的雙鍵中未指示取代基的部分。
根據本說明書的示例性實施例，化學式1可為自以下化合物中選擇的任一者。
根據本說明書的示例性實施例，化學式1包括具有化學式1的化合物的混合物。
具體而言，具有化學式1的化合物的混合物意指包含二或更多種具有化學式1的化合物，並且所述化合物的結構可彼此相同或不同。
在本說明書的示例性實施例中，所述化合物可具有為1.4或小於1.4的折射率，並且所述折射率的下限不受限制，但例如為1.2或大於1.2。
在本說明書的示例性實施例中，所述化合物可具有為1.3或小於1.3的折射率。
當在塗覆組成物中包含折射率在上述範圍內的化合物時，存在降低塗覆組成物的折射率及介電常數以及增強耐熱性及耐久性的效果。
在本說明書的示例性實施例中，使用RX-5000α（由愛宕公司（ATAGO）製造）在25℃下量測所述化合物的折射率。
本說明書的示例性實施例提供一種包括所述化合物的塗覆組成物。
根據本說明書的示例性實施例的塗覆組成物具有低折射率及低介電常數、以及高耐熱性及高耐久性。此外，根據本說明書的示例性實施例的塗覆組成物藉由提供優異的黏著力而被用作黏著塗覆劑。
在本說明書的示例性實施例中，塗覆組成物可更包含一或多種可固化化合物。
在本說明書的示例性實施例中，上述化合物可與可固化化合物交聯以形成聚合物。
由於根據本發明的示例性實施例的化合物包括雙鍵，所述化合物可直接參與與可固化化合物的交聯，且因此不需要例如高熱及高壓力等反應條件。此外，可容易地移除參與交聯的化合物及加成反應物，並且可獲得高純度聚合物。
在本說明書的示例性實施例中，可固化化合物不受限制，只要其包括乙烯基（即雙鍵）即可。
在本說明書的示例性實施例中，塗覆組成物可具有為1.5或小於1.5的折射率。
在本說明書的示例性實施例中，塗覆組成物可具有為1.5或小於1.5、或1.4或小於1.4的折射率，並且所述折射率的下限不受限制，但可為1.1或大於1.1。
在本說明書的示例性實施例中，使用RX-5000α（由愛宕公司製造）在25℃下量測塗覆組成物的折射率。
具有上述折射率範圍的塗覆組成物具有低介電常數，且因此可用作能夠實現在電子材料中使用的超高資料傳輸效率的材料。
本說明書的示例性實施例提供一種化合物製備方法，所述方法包括：藉由將烷氧基矽烷化合物與全氟烷基化合物進行混合來合成烷氧基矽烷中間物；以及藉由消除反應而將雙鍵引入至烷氧基矽烷中間物中。
在本說明書的示例性實施例中，烷氧基矽烷化合物可由以下化學式2表示。
[化學式2]
在化學式2中，
R
1至R
3各自獨立地為烷基。
對化學式2的R
1至R
3的具體說明與上述對化學式1的說明相同。
在本說明書的示例性實施例中，全氟烷基化合物可由以下化學式3表示。
[化學式3]
在化學式3中，
X為鹵素基，
R
f為C
nF
2n+1，且n為1至20的整數。
在本說明書中，鹵素基意指週期表的第17族元素，且具體而言，可為-F、-Br、-Cl或-I。
在本說明書的示例性實施例中，X可為-I。
在本說明書的示例性實施例中，烷氧基矽烷中間物可由以下化學式4表示。
[化學式4]
在化學式4中，
R
1至R
3各自獨立地為烷基，
X為鹵素基，
R
f為C
nF
2n+1，且n為1至20的整數。
在本說明書的示例性實施例中，在合成烷氧基矽烷中間物時，反應溫度為10℃至40℃，較佳地為20℃至40℃，且更佳地為30℃。
當在上述反應溫度範圍內實行合成時，反應條件並非棘手的而是溫和的，並且抑制了隨著溫度升高而出現的副反應，使得最終目標的產率得以提高。
在本說明書的示例性實施例中，在合成烷氧基矽烷中間物時，反應壓力是常壓。
在本說明書的示例性實施例中，在合成烷氧基矽烷中間物時，可使用自由基鏈反應。
在本說明書的示例性實施例中，自由基起始劑及溶劑可用於自由基鏈反應中。
在本說明書的示例性實施例中，自由基起始劑是偶氮起始劑。
在本說明書的示例性實施例中，自由基起始劑是選自偶氮二異丁腈（azobisisobutyronitrile，AIBN）、2,2'-偶氮二-(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮二(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、過氧化苯甲醯（benzoyl peroxide，BPO）或二第三丁基過氧化物（di-tert-butyl peroxide，DTBP）中的任意一或多者。
較佳地，自由基起始劑可為偶氮二異丁腈（AIBN）。
當使用自由基起始劑時，自由基反應可在低溫下被引發，使得優勢在於反應可在反應溫度及溫和的反應條件下進行。
在本說明書的示例性實施例中，溶劑是有機溶劑。
在本說明書的示例性實施例中，溶劑選自己烷、庚烷、甲苯、苯、二氯甲烷、二氯乙烷、三氯乙烷、氯仿、二氯仿（dichloroform）、硝基甲烷、二溴甲烷、環戊酮、環己酮、氟苯、溴苯、氯苯、二甲苯、1,3,5-三甲苯、乙酸乙酯或其任何混合物，但並非僅限於此，並且可使用在相關技術中使用的有機溶劑。
在本說明書的示例性實施例中，溶劑可為乙酸乙酯。
在本說明書的示例性實施例中，在將雙鍵引入至烷氧基矽烷中間物中時，反應溫度是室溫，並且可為例如10℃至30℃。
在本說明書的示例性實施例中，在將雙鍵引入至烷氧基矽烷中間物中時，反應壓力是常壓。
在本說明書的示例性實施例中，在將雙鍵引入至烷氧基矽烷中間物中時，使用了消除反應。
在本說明書的示例性實施例中，可在消除反應中使用鹼及溶劑。
在本說明書的示例性實施例中，鹼的實例包括1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯（1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene，DBU）、三甲胺、氫氧化鈉等，但並非僅限於此。
較佳地，鹼可為1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯（DBU）。
在本說明書的示例性實施例中，在消除反應中使用的溶劑與在合成烷氧基矽烷中間物時的溶劑的說明相同。
在本說明書的示例性實施例中，將雙鍵引入至烷氧基矽烷中間物中可更包括：除了消除反應之外，還對上清液與下清液進行分離；以及自上清液中移除副產物。
在本說明書的示例性實施例中，當消除反應完成時，液體被分離成上清液與下清液。液體被分離成上清液與下清液的時間點不限於消除反應完成後的時間點，並且在消除反應進行時可發生層分離。
在本說明書的示例性實施例中，在對上清液與下清液進行分離時，可使用此項技術中通常使用的分離方法。
在本說明書的示例性實施例中，最終目標化合物及副產物可包含於上清液中。
在本說明書的示例性實施例中，鹼及副產物可包含於下清液中。下清液中所包含的鹼與作為不參與反應的未反應鹼的上述鹼的說明相同。
在本說明書的示例性實施例中，副產物可為HF、HCl、HBr或HI。
在本說明書的示例性實施例中，自上清液中移除副產物可包括：對副產物進行沈澱；以及對經沈澱的副產物進行過濾。
在本說明書的示例性實施例中，在對副產物進行沈澱時，可使用己烷、庚烷、醚等，但並非僅限於此。
在本說明書的示例性實施例中，在對經沈澱的副產物進行過濾時，可使用此項技術中通常使用的過濾方法。
根據本說明書的示例性實施例，提供一種包含二或更多種化合物的混合物。
根據本說明書的另一示例性實施例，所述混合物中所包含的二或更多種化合物彼此相同或不同。亦即，其意指在具有化學式1的結構的情況下，所述二或更多種化合物彼此相同或不同。
根據本說明書的又一示例性實施例，所述混合物可更包含與具有化學式1的化合物不同的化合物。
根據本說明書的示例性實施例，提供一種自具有化學式1的化合物衍生的單分子。
在本說明書中，舉例而言，上述「自具有化學式1的化合物衍生的單分子」可意指其中具有化學式1的化合物的乙烯基形成自由基並引入附加取代基的單分子、或者具有化學式1的化合物本身。
根據本說明書的示例性實施例，提供一種包括自具有化學式1的化合物衍生的單體的聚合物。
熟習此項技術者會將在本說明書中闡述的術語「單體」理解為化合物進行聚合以連接至聚合物的主鏈的狀態。
在本說明書中，例如，「自具有化學式1的化合物衍生的單體」是構成聚合物中的主鏈的重複單元，並且意指具有化學式1的化合物的乙烯基可形成自由基以變為單體，並且可引入構成其他聚合物的主鏈的單體或端基。
根據本說明書的示例性實施例，聚合物可更包括額外的單體，並且所述額外的單體不受限制。
根據本說明書的示例性實施例，額外的單體可為自上述可固化化合物衍生的單體。
根據本說明書的示例性實施例，聚合物可為交替聚合物、嵌段聚合物或無規聚合物，但並非僅限於此。
此外，在本說明書中，即使在提及聚合物中所包含的單體時，單體亦不限於僅包括所提及的單體，並且在不背離本發明的目的的範圍內，除了上述單體之外，還可另外包括其他單體作為共聚單體（co-monomer）。
根據本說明書的示例性實施例的化合物及組成物、以及自所述化合物衍生的單分子及聚合物被用作電子材料、有機絕緣材料、基板材料及/或半導體材料，但並非僅限於此。
本說明書的示例性實施例提供一種包含所述化合物或其固化產物的電子元件。
本說明書的示例性實施例提供一種包含塗覆組成物的電子元件，所述塗覆組成物包含所述化合物。
根據本說明書的示例性實施例，提供一種包含塗覆組成物的電子元件，所述塗覆組成物包含所述化合物及可固化化合物。
[ 發明實施方式 ]
在下文中，將參照用於具體闡述本說明書的實例來詳細闡述本說明書。然而，根據本說明書的實例可以各種形式進行修改，並且不應解釋為本說明書的範圍僅限於以下詳細闡述的實例。提供本說明書的實例是為了向此項技術中具有通常知識者更完整地闡釋本說明書。
＜ 製備例 ＞ 化合物的製備＜實例1＞化合物1
在200毫升2頸圓底燒瓶中將46克乙烯基三甲氧基矽烷及53毫升九氟-1-碘丁烷溶解於15克乙酸乙酯中之後，將所得溶液在30℃下利用氮氣進行鼓泡達30分鐘。在向其中添加1.5克偶氮二異丁腈（AIBN）之後，藉由對所得混合物進行攪拌達3小時而合成了三甲氧基(3,3,4,4,5,5,6,6,6-九氟-1-碘辛基)矽烷。此後，向其中添加了100毫升乙酸乙酯，並向其中緩慢滴加了42毫升1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯（DBU）以進行消除反應。在反應完成之後，當在反應溶液之間發生分離時，移除作為下清液的DBU鹽層及HI鹽層。藉由利用己烷進行沈澱而移除了存留於上清液中的殘留副產物，從而獲得了以下化合物1。
作為化合物1的一氫核磁共振（
1H-nuclear magnetic resonance，
1H-NMR）的確認結果，
1H-NMR圖譜如下。
1H-NMR (500 MHz, CDCl
3, ppm TMS) δ: 3.59 (9H, S), 6.39 (2H, m)
化合物1的質譜（mass spectrum，MS）量測結果如下，並且是在GC/EI電離過程期間消除CH
3-(甲基)基團之後量測的。
電離模式=: APCI +: m/ z=351.0[M+H]+，精確質量：366.0
＜ 實例 2＞ 化合物 2
在200毫升2頸圓底燒瓶中將46克乙烯基三甲氧基矽烷及67毫升十三氟己基碘化物（tridecafluorohexyl iodide）溶解於15克乙酸乙酯中之後，將所得溶液在30℃下利用氮氣進行鼓泡達30分鐘。在向其中添加1.5克偶氮二異丁腈（AIBN）之後，藉由對所得混合物進行攪拌達3小時而合成了三甲氧基(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟-1-碘辛基)矽烷。此後，向其中添加了100毫升乙酸乙酯，並向其中緩慢滴加了42毫升1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯（DBU）以進行消除反應。在反應完成之後，當在反應溶液之間發生分離時，移除作為下清液的DBU鹽層及HI鹽層。藉由利用己烷進行沈澱而移除了存留於上清液中的殘留副產物，從而獲得了以下化合物2。
作為化合物2的
1H-NMR的確認結果，
1H-NMR圖譜如下。
1H-NMR (500 MHz, CDCl
3, ppm TMS) δ: 3.61 (9H, S), 6.39 (2H, m)
化合物2的氣相層析-質譜（Gas Chromatography-Mass Spectrometer，GC-MS）量測結果如下，並且是在GC/EI電離過程期間消除CH
3-(甲基)基團之後量測的。
電離模式=: APCI +: m/ z=451.0[M+H]+，精確質量：466.0
＜ 實例 3＞ 化合物 3
在200毫升2頸圓底燒瓶中將46克乙烯基三甲氧基矽烷及82毫升十七氟-1-碘丁烷溶解於15克乙酸乙酯中之後，將所得溶液在30℃下利用氮氣進行鼓泡達30分鐘。在向其中添加1.5克偶氮二異丁腈（AIBN）之後，藉由對所得混合物進行攪拌達3小時而合成了三甲氧基(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-十七氟-1-碘辛基)矽烷。此後，向其中添加了100毫升乙酸乙酯，並向其中緩慢滴加了42毫升1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯（DBU）以進行消除反應。在反應完成之後，當在反應溶液之間發生分離時，移除作為下清液的DBU鹽層及HI鹽層。藉由利用己烷進行沈澱而移除了存留於上清液中的殘留副產物，從而獲得了以下化合物3。
作為化合物3的
1H-NMR的確認結果，
1H-NMR圖譜如下。
1H-NMR (500 MHz, CDCl
3, ppm TMS) δ: 3.60 (9H, S), 6.40 (2H, m)
化合物3的MS量測結果如下，並且是在GC/EI電離過程期間消除CH
3-(甲基)基團之後量測的。
電離模式=: APCI +: m/ z=551.0[M+H]+，精確質量：566.0
＜ 實例 4＞ 化合物 4
在200毫升2頸圓底燒瓶中將59克乙烯基三甲氧基矽烷及53毫升九氟-1-碘丁烷溶解於15克乙酸乙酯中之後，將所得溶液在30℃下利用氮氣進行鼓泡達30分鐘。在向其中添加1.5克偶氮二異丁腈（AIBN）之後，藉由對所得混合物進行攪拌達3小時而合成了三乙氧基(3,3,4,4,5,5,6,6,6-九氟-1-碘丁基)矽烷。此後，向其中添加了100毫升乙酸乙酯，並向其中緩慢滴加了42毫升1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯（DBU）以進行消除反應。在反應完成之後，當在反應溶液之間發生分離時，移除作為下清液的DBU鹽層及HI鹽層。藉由利用己烷進行沈澱而移除了存留於上清液中的殘留副產物，從而獲得了以下化合物4。
作為化合物4的
1H-NMR的確認結果，
1H-NMR圖譜如下。
1H-NMR (500 MHz, CDCl
3, ppm TMS) δ: 1.24 (9H,m), 3.84 (6H, m), 6.41 (2H, m)
＜ 實例 5＞ 化合物 5
在200毫升2頸圓底燒瓶中將59克乙烯基三乙氧基矽烷及67毫升十三氟己基碘化物溶解於15克乙酸乙酯中之後，將所得溶液在30℃下利用氮氣進行鼓泡達30分鐘。在向其中添加1.5克偶氮二異丁腈（AIBN）之後，藉由對所得混合物進行攪拌達3小時而合成了三乙氧基(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟-1-碘己基)矽烷。此後，向其中添加了100毫升乙酸乙酯，並向其中緩慢滴加了42毫升1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯（DBU）以進行消除反應。在反應完成之後，當在反應溶液之間發生分離時，移除作為下清液的DBU鹽層及HI鹽層。藉由利用己烷進行沈澱而移除了存留於上清液中的殘留副產物，從而獲得了以下化合物5。
作為化合物5的
1H-NMR的確認結果，
1H-NMR圖譜如下。
1H-NMR (500 MHz, CDCl
3, ppm TMS) δ: 1.24 (9H,m), 3.85 (6H, m), 6.41 (2H, m)
＜ 實例 6＞ 化合物 6
在200毫升2頸圓底燒瓶中將59克乙烯基三乙氧基矽烷及82毫升十七氟正辛基碘化物溶解於15克乙酸乙酯中之後，將所得溶液在30℃下利用氮氣進行鼓泡達30分鐘。在向其中添加1.5克偶氮二異丁腈（AIBN）之後，藉由對所得混合物進行攪拌達3小時而合成了三乙氧基(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-十七氟-1-碘辛基)矽烷。此後，向其中添加了100毫升乙酸乙酯，並向其中緩慢滴加了42毫升1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯（DBU）以進行消除反應。在反應完成之後，當在反應溶液之間發生分離時，移除作為下清液的DBU鹽層及HI鹽層。藉由利用己烷進行沈澱而移除了存留於上清液中的殘留副產物，從而獲得了以下化合物6。
作為化合物6的
1H-NMR的確認結果，
1H-NMR圖譜如下。
δ: 1.24 (9H,m), 3.85 (6H, m), 6.41 (2H, m)
＜ 實驗例 ＞ 折射率的量測
使用RX-5000α（由愛宕公司製造）在25℃下量測了下表1中所示的在實例中製備的化合物的折射率及比較例化合物的折射率。
[表1]
| 化合物 | 折射率 | |
| 實例1 | 化合物1 | 1.372 |
| 實例2 | 化合物2 | 1.341 |
| 實例3 | 化合物3 | 1.298 |
| 實例4 | 化合物4 | 1.387 |
| 實例5 | 化合物5 | 1.375 |
| 實例6 | 化合物6 | 1.351 |
| 比較例1 | 乙烯基三甲氧基矽烷 | 1.391 |
| 比較例2 | 乙烯基三乙氧基矽烷 | 1.397 |
| 比較例3 | 異氰尿酸三烯丙酯（TAIC） | 1.511 |
根據表1，可證實，藉由在一個分子中同時包括矽烷基、乙烯基及全氟烷基，具有化學式1的化合物具有較不同時包括矽烷基、乙烯基及全氟烷基的比較例低的折射率。
具體而言，可證實，在將實例1至實例6與比較例1至比較例3進行比較時，具有化學式1的化合物藉由包括全氟烷基而具有低折射率。
無
無
Claims (13)
- 一種塗覆組成物，包括具有以下化學式1的化合物：
- 如請求項1所述的塗覆組成物，其中R1至R3各自獨立地為具有1至10個碳原子的烷基。
- 如請求項1所述的塗覆組成物，其中n為3至20的整數。
- 如請求項1所述的塗覆組成物，其中化學式1為選自以下化合物中的任一者：
- 如請求項1所述的塗覆組成物，其中所述化合物具有為1.45或小於1.45的折射率。
- 如請求項1所述的塗覆組成物，更包含一或多種可固化化合物。
- 如請求項1所述的塗覆組成物，其中所述塗覆組成物具有為1.5或小於1.5的折射率。
- 一種如請求項1至7中任一項所述的塗覆組成物的製備方法，所述方法包括：在自由基起始劑的存在之下，藉由將烷氧基矽烷化合物與全氟烷基化合物進行混合來合成烷氧基矽烷中間物；以及藉由消除反應將雙鍵引入至所述烷氧基矽烷中間物中。
- 如請求項8所述的方法，其中所述烷氧基矽烷化合物由以下化學式2表示：
- 如請求項8所述的方法，其中所述全氟烷基化合物由以下化學式3表示：[化學式3]X-R f 在化學式3中，X為鹵素基，Rf為CnF2n+1，且n為1至20的整數。
- 如請求項8所述的方法，其中在所述合成所述烷氧基矽烷中間物時，使用自由基鏈反應。
- 如請求項8所述的方法，其中以化學式1表示的所述化合物具有較所述烷氧基矽烷化合物低的折射率。
- 一種電子元件，包含如請求項1至7中任一項所述的塗覆組成物或其固化產物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220037305A KR20230139095A (ko) | 2022-03-25 | 2022-03-25 | 화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물, 화합물의 제조 방법 및 전자 소자 |
| KR10-2022-0037305 | 2022-03-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202348610A TW202348610A (zh) | 2023-12-16 |
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Family
ID=
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 期刊 Chen Qing-Yun and Yang Zhen-Yu, "Studies on Fluoroalkylation and Fluoalkoxylation. 4. Reaction of Fluoroalkyl Iodides with Vinyltrimethylsilane in the Presence of Copper and Stereospecific Synthesis of the Corresponding Olefins", ACTA CHIMICA SINICA, 44, Science Press, 1986, 265-269. |
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