TWI846356B - 發光裝置 - Google Patents
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Abstract
一種發光裝置，具有多個綁定區及位於多個綁定區之間的非綁定區，且包括：電路基板、多個發光元件以及紅外光截止層。多個發光元件設置於電路基板之上，且分別位於多個綁定區。紅外光截止層位於電路基板的非綁定區。
Description
本發明是有關於一種光電裝置，且特別是有關於一種發光裝置。
微型發光二極體（Micro-LED）顯示裝置具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。由於微型發光二極體的尺寸極小，目前製作微型發光二極體顯示裝置的方法是採用紅外光（IR）雷射來將微型發光二極體的電極與電路基板上的接墊接合，且連續式IR雷射掃描有利於縮短高畫素密度（pixels per inch, PPI）產品的製造時間。
然而，在多次的IR雷射掃描之後發現，微型發光二極體的電極與電路基板上的接墊的接合良率愈來愈差，推究其因發現，在利用IR雷射的熱將電極與接墊接合的過程中，熱效應同時會損傷承載電路基板的陶瓷載板，造成陶瓷載板的表面凹凸不平，導致微型發光二極體的電極無法接觸到電路基板上的接墊，因而生產良率不佳。
本發明提供一種發光裝置，具有提高的生產良率。
本發明的一個實施例提出一種發光裝置，具有多個綁定區及位於多個綁定區之間的非綁定區，且發光裝置包括：電路基板、多個發光元件以及紅外光截止層。多個發光元件設置於電路基板之上，且分別位於多個綁定區。紅外光截止層位於電路基板的非綁定區。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層的可見光穿透率大於80%，且紅外光截止層的紅外光穿透率小於5%。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層具有單層結構。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層包含硒化鋅、藍寶石或氟化鈣。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層具有多層結構。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層包含二氧化鋯、氧化鋁、五氧化二鉭、二氧化鈦、二氧化矽、銦錫氧化物中之至少兩者。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層位於電路基板的與多個發光元件同側的表面上。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層的面積為電路基板的面積的50%至85%。
在本發明的一實施例中，上述的發光裝置還包括多個接墊，分別位於多個發光元件與電路基板之間，且多個接墊分別電連接多個發光元件與電路基板，其中接墊與紅外光截止層之間的最小間距大於或等於3 μm。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層還位於綁定區。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層位於電路基板的背離多個發光元件的一側。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層的面積為電路基板的面積的95%至100%。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層位於電路基板中。
在本發明的一實施例中，上述的紅外光截止層的面積為電路基板的面積的50%至100%。
在本發明的一實施例中，上述的電路基板為透明電路板。
在本發明的一實施例中，上述的多個發光元件為微型發光二極體。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反地，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦接」可為二元件間存在其它元件。
應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的第一「元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」或表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包含」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。
考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制），本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1A是依照本發明一實施例的發光裝置10的局部上視示意圖。圖1B是沿圖1A的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖1A示意性繪示電路基板110、發光元件120、紅外光截止層（IR cut layer）130以及接墊PD，並省略其他構件。以下，配合圖1A至圖1B，繼續說明發光裝置10的各個元件的實施方式，但本發明不以此為限。
請參照圖1A至圖1B，發光裝置10具有多個綁定區BA及位於多個綁定區BA之間的非綁定區NA，且發光裝置10包括：電路基板110、多個發光元件120以及紅外光截止層130。多個發光元件120設置於電路基板110之上，且分別位於多個綁定區BA。紅外光截止層130位於電路基板110的非綁定區NA。
具體而言，發光裝置10的電路基板110可以包括設置於底板中的驅動電路結構。在一些實施例中，電路基板110為透明電路板。舉例而言，電路基板110的底板可以是透明底板，其材質可以是玻璃、高分子或其他適當材質。驅動電路結構可包括發光裝置10需要的元件或線路，例如驅動元件、開關元件、儲存電容、電源線、驅動訊號線、時序訊號線、電流補償線、檢測訊號線等等。
在一些實施例中，電路基板110還包括設置於其表面110T上的多個接墊PD，且多個接墊PD可以位於多個綁定區BA。接墊PD可用於綁定（bonding）後續置入的發光元件120。非綁定區NA可以位於多個綁定區BA之間，且非綁定區NA內不設置接墊PD。在一些實施例中，非綁定區NA與接墊PD之間的最小間距S1大於或等於3 μm。
在一些實施例中，多個接墊PD可以以陣列排列的方式設置於電路基板110的各個綁定區BA。在一些實施例中，發光裝置10需要的元件或線路可以設置於綁定區BA內且鄰近接墊PD。在一些實施例中，發光裝置10是透明顯示裝置，且非綁定區NA的透光率大於70%。在一些實施例中，各綁定區BA可以構成發光裝置10的一個畫素結構，且多個綁定區BA可以呈陣列排列。
在一些實施例中，多個接墊PD的圖案彼此分離，且接墊PD具有塊狀導電圖案。在某些實施例中，接墊PD可以具有單層結構或是多層的導電材料層疊的結構。舉例而言，接墊PD為鋁、鉬、鈦、銅等金屬的單層金屬層，但本發明不以此為限。在一些實施例中，接墊PD可以具有銅、鋁、鈦、鉬等金屬與銦錫氧化物（InSnO）、銦鋅氧化物（InZnO）、銦鎵鋅氧化物（InGaZnO）或其他適合的導電氧化物層疊的結構。
發光元件120可以包括第一電極121、第二電極122以及發光疊層123，且第一電極121及第二電極122可以分別電性連接發光疊層123中的不同子層。在一些實施例中，發光元件120為微型發光二極體，且發光元件120的第一電極121以及第二電極122位於發光疊層123的同一側，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一電極121以及第二電極122可以位於發光疊層123的不同側，例如兩相對側。在一些實施例中，發光元件120可以是垂直式（Vertical）微型發光二極體。
舉例而言，發光疊層123可以包括P型摻雜半導體層、多層量子井結構（Multiple Quantum Well, MQW）以及N型摻雜半導體層的疊層，其中多層量子井結構可以夾於P型摻雜半導體層與N型摻雜半導體層之間。P型摻雜半導體層的材料例如是P型Ⅱ-Ⅵ族材料（例如：鋅化硒（ZnSe））、P型Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料（例如：氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）、氮化銦（InN）、氮化銦鎵（InGaN）、氮化鋁鎵（AlGaN）或氮化鋁銦鎵（AlInGaN））或其疊層。N型摻雜半導體層的材料例如是N型Ⅱ-Ⅵ族材料、N型Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料或其疊層。多重量子井結構可以包括交替堆疊的多層Ⅱ-Ⅵ族材料以及多層Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料，但本發明不以此為限。
第一電極121以及第二電極122的材質例如可以包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層、或是其他低阻值的材料。在某些實施例中，第一電極121及第二電極122的材質包括錫（Sn）、錫鉛（SnPb）合金、鉍錫（BiSn）合金及/或銀錫（AgSn）合金。在一些實施例中，第二電極122的材質包括銦錫氧化物（InSnO）、銦鋅氧化物（InZnO）、鋁錫氧化物（AlSnO）、鋁鋅氧化物（AlZnO）、銦鎵鋅氧化物（InGaZnO）、奈米銀或其他適合的導電氧化物。
發光元件120的第一電極121及第二電極122可分別電連接對應的接墊PD。在一些實施例中，第一電極121及第二電極122位於對應的接墊PD與發光疊層123之間。在一些實施例中，第一電極121、發光疊層123以及對應的接墊PD於電路基板110的正投影相互重疊。在一些實施例中，第二電極122、發光疊層123以及對應的接墊PD於電路基板110的正投影相互重疊。在一些實施例中，第一電極121、第二電極122、發光疊層123以及對應的接墊PD於電路基板110的正投影相互重疊。
在一些實施例中，發光裝置10還包括連接件CP1及連接件CP2，且第一電極121及第二電極122可以分別透過連接件CP1及連接件CP2電連接至對應的接墊PD，以使多個接墊PD分別將多個發光元件120電連接至電路基板110。舉例而言，連接件CP1及連接件CP2可以包括金屬、合金、導電膠、焊料或其他導電材料。在一些實施例中，連接件CP1及連接件CP2的材質相同。舉例而言，連接件CP1及連接件CP2可以包括鎳金（NiAu）合金，且在IR雷射處理之後，連接件CP1及連接件CP2可以分別與第一電極121及第二電極122形成介於其間的共晶層。
在一些實施例中，發光裝置10還包括具有多個開口OP的絕緣層IS，絕緣層IS可以覆蓋電路基板110，且多個開口OP可以分別露出多個接墊PD，以便發光元件120的第一電極121以及第二電極122可以通過開口OP電連接對應的接墊PD。在一些實施例中，連接件CP1及連接件CP2可以位於對應的開口OP中，使得連接件CP1能夠電連接第一電極121與對應的接墊PD，且連接件CP2能夠電連接第二電極122與對應的接墊PD。
在一些實施例中，發光裝置10為顯示裝置，發光裝置10的多個發光元件120包括發光元件120A、發光元件120B以及發光元件120C，且發光元件120A、發光元件120B以及發光元件120C於電路基板110上的高度彼此相近似或實質上彼此相等。在一些實施例中，發光元件120A、發光元件120B以及發光元件120C皆為藍色發光二極體，且發光裝置10另包括分別設置於發光元件120B及發光元件120C上的色轉換層（圖未示），色轉換層可以包括螢光粉或類似性質的波長轉換材料，以讓藍色發光二極體所發出的藍色光線轉換成不同色彩的光線而實現全彩化的顯示效果。在其他的實施例中，發光元件120A可以是藍色發光二極體，發光元件120B可以是紅色發光二極體，且發光元件120C可以是綠色發光二極體，藉以實現全彩化的顯示效果。當發光元件120A、發光元件120B以及發光元件120C的發光色彩彼此不同時，前述的色轉換層可選擇性地被省略或是保留於發光裝置10中。在一些實施例中，發光元件120A、發光元件120B以及發光元件120C可以皆為白色發光二極體，而色轉換層可以是彩色濾光層，以實現全彩化的顯示效果。
紅外光截止層130具有濾除紅外光的功能。在一些實施例中，紅外光的波長約為950 nm至1,100 nm。在一些實施例中，紅外光截止層130的紅外光穿透率小於5%。在一些實施例中，發光裝置10為透明顯示裝置，且紅外光截止層130的可見光穿透率大於80%。在一些實施例中，可見光的波長約為300 nm至700 nm。在一些實施例中，紅外光截止層130具有85%、90%或95%的可見光穿透率，且紅外光截止層130具有4%、3%或2%的紅外光穿透率。
在一些實施例中，紅外光截止層130位於電路基板110的與發光元件120同側的表面上，且紅外光截止層130僅位於電路基板110的非綁定區NA。舉例而言，紅外光截止層130位於電路基板110的表面110T之上。在一些實施例中，紅外光截止層130與接墊PD的最小間距S2大於或等於3 μm，以免影響第一電極121以及第二電極122與接墊PD或連接件CP1、CP2之間的電連接。
紅外光截止層130的面積可以視發光裝置10的設計而調整，只要不影響第一電極121以及第二電極122與接墊PD之間的電連接即可。另外，紅外光截止層130的面積應足夠大，以使電路基板110上盡可能少的區域被紅外光穿透。在一些實施例中，紅外光截止層130的面積為電路基板110的面積的50%至85%，例如60%、70%或80%。
在一些實施例中，紅外光截止層130可以具有單層結構。在一些實施例中，紅外光截止層130的單層結構可以包含硒化鋅（ZnSe）、藍寶石（Sapphire）或氟化鈣（CaF
2）。在一些實施例中，紅外光截止層130可以具有多層結構，且紅外光截止層130可以包含二氧化鋯（ZrO
2）、氧化鋁（Al
2O
3）、五氧化二鉭（Ta
2O
5）、二氧化鈦（TiO
2）、二氧化矽（SiO
2）、銦錫氧化物中之至少兩者。舉例而言，紅外光截止層130可以包括多個膜層，且多個膜層分別包含選自二氧化鋯、氧化鋁、五氧化二鉭、二氧化鈦、二氧化矽及銦錫氧化物的材料。
圖1C是依照本發明一實施例的發光裝置10的製造方法的步驟流程的局部剖面示意圖。發光裝置10可以藉由下述的步驟流程製造，但本發明不以此為限。
首先，形成多個接墊PD於電路基板110的上表面110T。接著，可以形成絕緣層IS於電路基板110及多個接墊PD上，然後對絕緣層IS進行圖案化製程（例如微影製程及蝕刻製程），以於絕緣層IS中形成多個開口OP，且多個開口OP分別露出多個接墊PD。
接著，可以形成連接件CP1及連接件CP2於對應的開口OP中。在一些實施例中，使用電鍍製程於各個開口OP中且於接墊PD上形成連接件CP1或連接件CP2，且連接件CP1及連接件CP2分別電連接對應的接墊PD。
接著，可以形成紅外光截止層130於電路基板110上。舉例而言，可以形成紅外光截止層130於絕緣層IS上。在一些實施例中，紅外光截止層130與接墊PD的最小間距S2大於或等於3 μm，以免影響後續發光元件120與接墊PD的電連接。
接著，形成多個發光元件120於電路基板110之上。舉例而言，可以藉由巨量轉移製程先將形成於生長基板（例如藍寶石基板）上的多個發光元件120轉置於暫時載板TC上，且發光元件120可以藉由黏著層SA固定於暫時載板TC上。之後，使用例如取放接合（pick-up bonding）或直接壓合（direct bonding）的方式將暫時載板TC上的多個發光元件120分別放置於電路基板110上。在一些實施例中，可以將電路基板110放置於陶瓷載板CS上，且將暫時載板TC對置於電路基板110之上，使得發光元件120及接墊PD位於暫時載板TC與電路基板110之間，且接墊PD位於發光元件120與電路基板110之間，且使發光元件120的第一電極121對準連接件CP1，使發光元件120的第二電極122對準連接件CP2。之後，再將暫時載板TC及發光元件120下壓，使得第一電極121及第二電極122分別接觸連接件CP1及連接件CP2。
接著，可以進行熱處理HT，例如IR雷射處理，以使第一電極121及第二電極122分別與連接件CP1及連接件CP2形成電連接，如此一來，第一電極121及第二電極122可以分別通過連接件CP1及連接件CP2電連接至對應的接墊PD。由於電路基板110上設置有紅外光截止層130，且紅外光截止層130能夠阻止紅外光穿透電路基板110（例如電路基板110的非綁定區NA），進而防止紅外光損傷陶瓷載板CS而在後續製程中影響第一電極121與連接件CP1的接觸以及第二電極122與連接件CP2的接觸，因此能夠提高發光裝置10的生產良率。
在一些實施例中，在熱處理HT之後，第一電極121的部分成分遷移進入連接件CP1中，而形成位於第一電極121與連接件CP1之間的共晶層，且第二電極122的部分成分遷移進入連接件CP2中，而形成位於第二電極122與連接件CP2之間的共晶層。
以下，使用圖2至圖3繼續說明本發明的其他實施例，並且，沿用圖1A至圖1C的實施例的元件標號與相關內容，其中，採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明，可參考圖1A至圖1C的實施例，在以下的說明中不再重述。
圖2是依照本發明一實施例的發光裝置20的局部剖面示意圖。發光裝置20包括：電路基板110、多個發光元件120以及紅外光截止層130。發光元件120包括第一電極121、第二電極122以及發光疊層123，且第一電極121透過連接件CP1電連接電路基板110上對應的接墊PD，第二電極122透過連接件CP2電連接電路基板110上對應的接墊PD。
與如圖1A至圖1B所示的發光裝置10相比，圖2所示的發光裝置20的不同之處主要在於：發光裝置20的紅外光截止層130位於電路基板110的背離多個發光元件120的一側。舉例而言，紅外光截止層130位於電路基板110的表面110B上，且表面110B與表面110T相對。在一些實施例中，紅外光截止層130還位於發光裝置20的綁定區BA。舉例而言，紅外光截止層130可以覆蓋電路基板110的整個表面110B。在一些實施例中，紅外光截止層130的面積近似於電路基板110的面積。在一些實施例中，紅外光截止層130的面積為電路基板110的面積的約95%至100%。在一些實施例中，紅外光截止層130的面積實質上等於電路基板110的面積。如此一來，在圖1C所示的熱處理HT的過程中，紅外光截止層130能夠防止穿透電路基板110的紅外光損傷陶瓷載板CS。
圖3是依照本發明一實施例的發光裝置30的局部剖面示意圖。發光裝置30包括：電路基板110、多個發光元件120以及紅外光截止層130。發光元件120包括第一電極121、第二電極122以及發光疊層123，且第一電極121透過連接件CP1電連接電路基板110上對應的接墊PD，第二電極122透過連接件CP2電連接電路基板110上對應的接墊PD。
與如圖1A至圖1B所示的發光裝置10相比，圖3所示的發光裝置30的不同之處主要在於：發光裝置30的紅外光截止層130位於電路基板110中。舉例而言，電路基板110包括底板112以及導電結構114，且導電結構114設置於底板112中。在一些實施例中，導電結構114電連接一部分的接墊PD。紅外光截止層130可以設置於底板112中。在一些實施例中，紅外光截止層130部分重疊導電結構114。在一些實施例中，紅外光截止層130不重疊導電結構114的通孔部分VA。在一些實施例中，紅外光截止層130包括多個區段，且一部分的區段位於非綁定區NA，另一部分的區段位於綁定區BA。在一些實施例中，紅外光截止層130的面積為電路基板110的面積的約50%至100%，例如65%、75%或90%。如此一來，在圖1C所示的熱處理HT的過程中，紅外光截止層130能夠防止紅外光損傷陶瓷載板CS。
綜上所述，本發明的發光裝置藉由設置紅外光截止層來防止紅外光損傷承載電路基板的陶瓷載板的表面，使得發光元件的電極能夠與電路基板上的接墊形成良好的電連接，進而提高發光裝置的生產良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10,20,30:發光裝置
110:電路基板
110B,110T:表面
112:底板
114:導電結構
120,120A,120B,120C:發光元件
121:第一電極
122:第二電極
123:發光疊層
130:紅外光截止層
A-A’:剖面線
BA:綁定區
CP1,CP2:連接件
CS:陶瓷載板
HT:熱處理
IS:絕緣層
NA:非綁定區
OP:開口
PD:接墊
S1,S2:最小間距
SA:黏著層
TC:暫時載板
VA:通孔部分
圖1A是依照本發明一實施例的發光裝置10的局部上視示意圖。
圖1B是沿圖1A的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。
圖1C是依照本發明一實施例的發光裝置10的製造方法的步驟流程的局部剖面示意圖。
圖2是依照本發明一實施例的發光裝置20的局部剖面示意圖。
圖3是依照本發明一實施例的發光裝置30的局部剖面示意圖。
10:發光裝置
110:電路基板
120,120A,120B,120C:發光元件
130:紅外光截止層
A-A’:剖面線
BA:綁定區
NA:非綁定區
PD:接墊
S1,S2:最小間距
Claims (15)
- 一種發光裝置，具有多個綁定區及位於所述多個綁定區之間的非綁定區，且包括：電路基板；多個發光元件，設置於所述電路基板之上，且分別位於所述多個綁定區；以及紅外光截止層，位於所述電路基板的所述非綁定區，其中所述紅外光截止層的可見光穿透率大於80%，且所述紅外光截止層的紅外光穿透率小於5%。
- 如請求項1所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層具有單層結構。
- 如請求項2所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層包含硒化鋅、藍寶石或氟化鈣。
- 如請求項1所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層具有多層結構。
- 如請求項4所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層包含二氧化鋯、氧化鋁、五氧化二鉭、二氧化鈦、二氧化矽、銦錫氧化物中之至少兩者。
- 如請求項1所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層位於所述電路基板的與所述多個發光元件同側的表面上。
- 如請求項6所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層的面積為所述電路基板的面積的50%至85%。
- 如請求項6所述的發光裝置，還包括多個接墊，分別位於所述多個發光元件與所述電路基板之間，且所述多個接墊分別電連接所述多個發光元件與所述電路基板，其中所述接墊與所述紅外光截止層之間的最小間距大於或等於3μm。
- 如請求項1所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層還位於所述綁定區。
- 如請求項9所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層位於所述電路基板的背離所述多個發光元件的一側。
- 如請求項10所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層的面積為所述電路基板的面積的95%至100%。
- 如請求項9所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層位於所述電路基板中。
- 如請求項12所述的發光裝置，其中所述紅外光截止層的面積為所述電路基板的面積的50%至100%。
- 一種發光裝置，具有多個綁定區及位於所述多個綁定區之間的非綁定區，且包括：電路基板；多個發光元件，設置於所述電路基板之上，且分別位於所述多個綁定區；以及紅外光截止層，位於所述電路基板的所述非綁定區，其中所述電路基板為透明電路板。
- 如請求項1或14所述的發光裝置，其中所述多個發光元件為微型發光二極體。
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Citations (1)
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Patent Citations (1)
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