CN208889658U - 显示面板及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施方式公开了一种显示面板，包括基板和依次层叠在基板上的挡光层、器件阵列层及显示层，显示层能够在器件阵列层的驱动下显示画面，器件阵列层包括阵列排布的多个薄膜晶体管，各薄膜晶体管均包括有源层和栅极，有源层位于基板与栅极之间，挡光层包括阵列排布的多个挡光块，各挡光块均能够遮挡红外线，相邻的任意两个挡光块之间形成透光间隙，多个挡光块在基板上的投影一一对应地覆盖多个薄膜晶体管的有源层在基板上的投影。应用上述显示面板的电子设备的屏占比较高。本申请实施方式还公开一种电子设备。

Description

显示面板及电子设备

技术领域

本申请涉及电子产品技术领域，尤其涉及一种显示面板及电子设备。

背景技术

随着智能电子设备产品的快速发展，用户对电子设备产品显示效果的需求逐步提升。全面屏(即超窄边框)的外观设计已经是当前智能电子设备产品的潮流。

传统电子设备的屏幕包括盖板和显示面板。盖板包括中间的透光区域和围绕透光区域设置不透光的边缘区域。显示面板固定于透光区域，以通过透光区域进行显示。电子设备还包括主动光学器件。所谓主动光学器件，是指这些器件工作时会主动发射光束，并根据周围物体反射回的光信号来实现特定的功能。为了避免被用户察觉，这些器件发射的都是红外波段的信号。主动光学器件可排布在显示面板的周侧并靠近盖板的边缘区域设置，以通过盖板发射光线或接收光线。由于需要在边缘区域的正对主动光学器件的位置处设置一个出入光区域，导致边缘区域的宽度难以减小，电子设备的屏占比低。

实用新型内容

本申请实施方式提供一种能够提高屏占比的显示面板及电子设备。

第一方面，本申请提供一种显示面板。显示面板包括基板和依次层叠在所述基板上的挡光层、器件阵列层及显示层。所述显示层能够在所述器件阵列层的驱动下显示画面。所述器件阵列层包括阵列排布的多个薄膜晶体管。各所述薄膜晶体管均包括有源层和栅极。所述有源层位于所述基板与所述栅极之间。所述挡光层包括阵列排布的多个挡光块。各所述挡光块均能够遮挡红外线。相邻的任意两个所述挡光块之间形成透光间隙。所述透光间隙允许红外线穿过。所述多个挡光块在所述基板上的投影一一对应地覆盖所述多个薄膜晶体管的所述有源层在所述基板上的投影。

在本申请中，由于所述多个挡光块在所述基板上的投影一一对应地覆盖所述多个薄膜晶体管的所述有源层在所述基板上的投影，各所述挡光块均能够遮挡红外线，因此所述多个挡光块能够避免红外线从所述显示面板的下方照射到所述有源层上而引起光生载流子效应，使得所述多个薄膜晶体管的阈值电压较为准确且稳定，从而可靠地控制所述显示层进行显示，使得所述显示面板的显示质量较佳，降低所述显示面板因红外线照射有源层而引发光斑的风险。

由于来自所述显示面板下方的红外线对所述显示面板的显示质量的不良影响较小，并且相邻的任意两个所述挡光块之间形成透光间隙，因此可在所述显示面板下方设置主动光学器件，使得所述主动光学器件通过所述透光间隙传输光线。此时，应用所述显示面板的电子设备无需在其盖板的边缘区域预留用于出入光线的空间，使得盖板的边缘区域的宽度得以减小、甚至实现无边框，所述显示面板的显示区域得以增大，从而提高所述电子设备的屏占比(screen-to-body ratio)。一种实施例中，所述电子设备能够实现全面屏，所述电子设备的屏占比大于90％。

一种实施方式中，所述多个挡光块采用金属材料。所述金属材料包括但不限于钛(Ti)材料、铝(Al)材料、铜(Cu)材料或者镍(Ni)材料。

一种实施方式中，各所述薄膜晶体管还包括源极和漏极。所述源极和所述漏极均位于所述有源层朝向所述栅极的一侧。所述源极和所述漏极分别连接所述有源层的两端。所述多个挡光块一一对应地连接至所述多个薄膜晶体管的所述漏极。

在本实施方式中，通过所述多个挡光块一一对应地连接至所述多个薄膜晶体管的所述漏极，使所述多个挡光块与所述多个薄膜晶体管的所述漏极之间在电学上短接，从而消除所述多个挡光块与所述有源层之间的寄生电容，使所述多个薄膜晶体管的可靠性更高。

一种实施方式中，所述显示面板还包括缓冲层和第一绝缘层。所述缓冲层位于所述基板的一侧表面上。所述挡光层位于所述缓冲层远离所述基板的一侧。所述第一绝缘层位于所述缓冲层远离所述基板的一侧且覆盖所述多个挡光块。所述第一绝缘层设有多个一一对应的正对所述多个挡光块的第一孔。所述器件阵列层位于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧。各所述薄膜晶体管的所述漏极经所述第一孔连接所述挡光块。

一种实施方式中，所述器件阵列层还包括栅极绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层。所述栅极绝缘层位于所述栅极与所述有源层之间。所述栅极绝缘层在所述基板上的投影覆盖所述栅极在所述基板上的投影。所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧，且覆盖所述有源层、所述栅极及所述栅极绝缘层。所述第二绝缘层设有第二孔、第三孔及第四孔。所述第二孔正对所述有源层的一端。所述第三孔正对所述有源层的另一端。所述第四孔连通所述第一孔。所述源极位于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧、且通过所述第二孔连接至所述有源层。所述漏极位于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧。所述漏极通过所述第三孔连接至所述有源层，且通过所述第四孔和所述第一孔连接至所述挡光块。所述第三绝缘层位于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧，且覆盖所述源极和所述漏极，所述第三绝缘层设有正对所述漏极的第六孔，所述显示层经所述第六孔连接至所述漏极。

一种实施方式中，所述显示层包括阵列排布的多个发光单元。各所述发光单元均包括阳极层、有机发光层及阴极层。所述阳极层位于所述有机发光层朝向所述第三绝缘层的一侧。所述阴极层位于所述有机发光层背离所述阳极层的一侧。所述多个发光单元的所述阳极层一一对应地经所述第六孔连接至所述多个薄膜晶体管的所述漏极。

一种实施方式中，所述显示面板还包括平坦层、钝化层及偏光层。所述平坦层位于所述第三绝缘层与所述阳极层之间。所述平坦层设有连通所述第六孔的第七孔。所述阳极层经所述第七孔及所述第六孔连接至所述漏极。所述钝化层位于所述阴极层远离所述有机发光层的一侧。所述偏光层位于所述钝化层远离所述阴极层的一侧。

一种实施方式中，所述显示层包括阵列排布的多个微晶发光二极管，所述多个微晶发光二极管经所述第六孔连接至所述漏极。

一种实施方式中，单个所述挡光块在所述基板上的投影面积与对应的单个所述有源层在所述基板上的投影面积的比在1.0至1.2的范围内。本实施方式中，单个所述挡光块在所述基板上的投影面积略大于对应的单个所述有源层在所述基板上的投影面积，从而在保证遮挡效果的同时，避免因遮挡红外线而影响到所述显示面板的透过率，使得所述显示面板具有较佳的透过率。

一种实施方式中，在同一个所述薄膜晶体管中，所述有源层包括沟道区、两个轻掺杂区和两个重掺杂区。两个所述轻掺杂区分别连接于所述沟道区的相背两端。两个所述重掺杂区分别连接于两个所述轻掺杂区远离所述沟道区的两端。所述栅极在所述基板上的投影覆盖所述沟道区在所述基板上的投影。此时，所述栅极可遮挡自所述显示面板上方射向所述有源层的红外线，以进一步保证所述薄膜晶体管的正常工作。

一种实施方式中，所述显示面板为有机发光二极管面板或微晶发光二极管面板。所述显示面板具有较佳的透过率。

第二方面，本申请实施方式还提供一种电子设备。包括壳体、主动光学器件、盖板及上述显示面板。所述盖板安装在所述壳体上，且与所述壳体共同围设出收容空间。所述显示面板收容于所述收容空间且固定于所述盖板。所述主动光学器件收容于所述收容空间。所述主动光学器件能够通过所述显示面板的所述透光间隙传输红外线。

在本实施方式中，由于所述主动光学器件设于所述显示面板的下方，所述主动光学器件能够通过所述显示面板的所述透光间隙传输红外线，因此所述电子设备无需在所述盖板的边缘区域预留用于出入光线的空间，使得所述盖板的边缘区域的宽度得以减小、甚至实现无边框，所述显示面板的显示区域得以增大，从而提高所述电子设备的屏占比(screen-to-body ratio)。

一种实施方式中，所述主动光学器件与所述显示面板之间形成间隙。此时，所述电子设备能够防止因所述主动光学器件与所述显示面板相紧贴而造成损伤。

一种实施方式中，所述主动光学器件的发射光束在所述基板上形成覆盖区域。所述覆盖区域的中心与所述挡光块重叠。所述主动光学器件包括发射器和接收器。所述发射器向上射出发射光束，发射光束可以为红外光束。所述接收器能够接收被反射回的红外线。

在本实施方式中，由于所述发射光束的所述覆盖区域是大致呈圆形的，因此当所述覆盖区域的中心与所述挡光块重叠时，虽然所述覆盖区域的中心区域与所述挡光块重叠，然而所述覆盖区域的边缘区域与所述挡光块错开，所述覆盖区域的边缘区域覆盖于所述透光间隙，使得所述发射光束中更多的红外线能够经所述透光间隙射出所述显示面板，使得所述发射光束具有较高的出光率。并且，由于所述覆盖区域的边缘区域中的光线可直接射出，而与所述覆盖区域的中心区域重叠的所述挡光块与所述接收器之间的距离较大，因此也能够避免发生所述发射光束的红外线被所述挡光块直接反射至所述接收器，而导致所述接收器的检测功能受到不良影响(例如检测结果失真)，甚至造成所述接收器饱和、无法正常工作的现象。

一种实施方式中，所述主动光学器件包括接近光传感器、飞行时间传感器、虹膜识别传感器或人脸识别传感器中的一者或多者。人脸识别传感器用于识别人脸，人脸识别传感器包括点阵投射器(dot projector)和泛光照明器件(flood illuminator)等部件。

一种实施方式中，所述主动光学器件包括发射器和接收器，所述电子设备还包括挡光件。所述挡光件收容于所述收容空间且位于所述发射器与所述接收器之间。所述挡光件用于阻挡所述发射器发出的红外线经所述收容空间进入所述接收器。换言之，所述挡光件能够阻隔所述接收器和所述发射器，以避免所述发射器发出的红外线在所述电子设备内部直接被反射进所述接收器，而导致所述主动光学器件检测结果失真。

附图说明

图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图2是图1所示电子设备在A-A线处的部分结构的剖视图；

图3是图1所示电子设备的系统架构示意图；

图4是图3中B处结构在一种实施方式中的放大示意图；

图5是图2所示显示面板的部分结构示意图；

图6是图2所示显示面板在第一实施例中的部分结构示意图；

图7是图6所示结构的部分分解图；

图8是图2所示显示面板在第二实施例中的部分结构示意图；

图9是图3中B处结构在另一种实施方式中的放大示意图。

具体实施方式

下面结合本申请实施方式中的附图对本申请实施方式进行描述。

请一并参阅图1和图2，图1是本申请实施例提供的一种电子设备100的结构示意图，图2是图1所示电子设备100在A-A线处的部分结构的剖视图。

电子设备100可以是平板电脑、手机、电子阅读器、笔记本电脑、车载设备或可穿戴设备等。图1所示实施例以电子设备100是手机为例进行说明。

电子设备100包括壳体10、盖板20及显示面板30。盖板20安装在壳体10上，且与壳体10共同围设出收容空间40。壳体10可包括边框和后盖，后盖与盖板20分别位于边框的向背两侧。后盖可以与边框一体成型。显示面板30收容于收容空间40且固定于盖板20。显示面板30可以为有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)面板或微晶发光二极管(micro LED)面板。盖板20可以为玻璃盖板。

在本申请实施例中，定义显示面板30的发光方向(如图2中箭头所示)为“上”，与发光方向相反的方向为“下”。

电子设备100还包括主动光学器件50。主动光学器件50的数量可以为一个或多个。主动光学器件50包括接近光传感器、飞行时间传感器(time of flight，TOF)、虹膜识别传感器或人脸识别传感器中的一者或多者。人脸识别传感器可用于识别人脸。人脸识别传感器包括点阵投射器(dot projector)和泛光照明器件(flood illuminator)等部件。主动光学器件50能够发射和接收红外线。主动光学器件50收容于收容空间40。主动光学器件50位于显示面板30的下方。

电子设备100还包括主板60和设于主板60上的应用处理器(applicationprocessor，AP)601。主板60收容于收容空间40。主动光学器件50可安装于主板60上。显示面板30及主动光学器件50均电连接主板60。

一种实施方式中，主动光学器件50与显示面板30之间形成间隙S。此时，电子设备100能够防止因主动光学器件50与显示面板30相紧贴而造成损伤。

请参阅图3，图3是图1所示电子设备100的系统架构示意图。电子设备100以应用处理器601为中心。应用处理器601外接电子设备100的显示面板30、摄像头602、音频组件603、无线通信模块604、存储器605及传感器606等。显示面板30用于显示画面，例如呈现用户界面。摄像头602可用于拍照或录像。音频组件603包括扬声器和麦克风等用来播放或接收音频信号的器件。无线通信模块604包括长期演进(long term evolution，LTE)模块/无线保真(wIreless-fIdelity，WIFI)模块/蓝牙模块/全球定位系统(global positioningsystem，GPS)等模块。存储器605包括随机存取存储器(random access memory，RAM)和只读存储器(read-only memory，ROM)等用于保存应用处理器601运行所需的程序和数据的器件。传感器606用来检测电子设备100的姿态和周围环境等。例如，传感器606可以包括加速度传感器、陀螺仪、环境光传感器、接近光传感器、飞行时间传感器、指纹传感器、虹膜识别传感器、人脸识别传感器等。本申请实施例中的主动光学器件50可以为上述传感器606的一部分。

请参阅一并参阅图4和图5，图4是图3中B处结构在一种实施方式中的放大示意图，图5是图2所示显示面板30的部分结构示意图。

显示面板30包括基板1和依次层叠在基板1上的挡光层2、器件阵列层3及显示层4。显示层4能够在器件阵列层3的驱动下显示画面。器件阵列层3包括阵列排布的多个薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)31。显示面板30具有阵列排布的多个像素区301。多个薄膜晶体管31一一对应地位于多个像素区301中。薄膜晶体管31能够控制显示层4的位于同一个像素区301中的部分的显示动作。各薄膜晶体管31均包括有源层311和栅极312。有源层311位于基板1与栅极312之间。有源层311位于栅极312下方。挡光层2包括阵列排布的多个挡光块21。各挡光块21均能够遮挡红外线。多个挡光块21在基板1上的投影一一对应地覆盖多个薄膜晶体管31的有源层311在基板1上的投影。此时，多个挡光块21一一对应地位于多个像素区301中。位于同一像素区301中的挡光块21位于薄膜晶体管31的有源层311的下方。多个挡光块21一一对应地位于多个薄膜晶体管31的有源层311的下方。相邻的任意两个挡光块21之间形成透光间隙。也即，相邻的任意两个挡光块21之间彼此间隔设置，且两者之间形成间隙，该间隙为透光间隙。主动光学器件50能够通过显示面板30的透光间隙传输红外线。

在本申请中，由于多个挡光块21在基板1上的投影一一对应地覆盖多个薄膜晶体管31的有源层311在基板1上的投影，各挡光块21均能够遮挡红外线，因此多个挡光块21能够避免红外线从显示面板30的下方照射到有源层311上而引起光生载流子效应，使得多个薄膜晶体管31的阈值电压较为准确且稳定，从而可靠地控制显示层4进行显示，使得显示面板30的显示质量较佳，降低显示面板30因红外线照射有源层311而引发光斑的风险。

由于来自显示面板30下方的红外线对显示面板30的显示质量的不良影响较小，并且相邻的任意两个挡光块21之间形成透光间隙，因此可在显示面板30下方设置主动光学器件50，使得主动光学器件50通过透光间隙传输光线。例如，主动光学器件50可发出红外光束，红外光束能够从透光间隙通过，并从显示面板30射出。被显示面板30上方的物体反射的红外光束也能够从透光间隙通过，并被主动发光器件接收。此时，应用显示面板30的电子设备100无需在其盖板20的边缘区域预留用于出入光线的空间，使得盖板20的边缘区域的宽度得以减小、甚至实现无边框，显示面板30的显示区域得以增大，从而提高电子设备100的屏占比(screen-to-body ratio)。一种实施例中，电子设备100能够实现全面屏，电子设备100的屏占比大于90％。

可以理解的是，其他实施例中，主动光学器件50也可以发射和接收其他不可见光线，例如紫外线。则可通过调整挡光块21的材料，使得挡光块21所能够遮挡的光线与主动光学器件50所发出的光线相对应。

请参阅图4，一种实施方式中，主动光学器件50包括发射器51和接收器52。本实施方式以主动光学器件50为接近光传感器为例进行说明。在电子设备100处于通话状态时，主动光学器件50被打开，主动光学器件50的发射器51向显示面板30发射红外线，主动光学器件50的接收器52检测被显示面板30上方物体反射回的红外线，并将检测到的数据传入应用处理器601(参阅图3)。当数据大于第一门限时，应用处理器601关闭显示面板30并进入休眠状态；当数据小于第二门限时，应用处理器601被唤醒并且点亮显示面板30。

请参阅图4，一种实施方式中，主动光学器件50的发射光束53在基板1上形成覆盖区域54(如图4中加粗线所示)。覆盖区域54的中心与挡光块21重叠。在主动光学器件50的工作过程中：主动光学器件50的发射器51向上射出发射光束53，发射光束53可以为红外光束。由于发射光束53具有一定的视场角(Field of view，FOV，可以为±7°至±15°)，而且发射器51与显示面板30之间有一定的间隙，因此发射光束53照射到面板上的覆盖区域54会覆盖多个薄膜晶体管31。由于薄膜晶体管31的有源层311本身是不透明的，而且有源层311下方还有挡光层2，因此发射光束53只能从薄膜晶体管31之间的间隙及透光间隙中发射出去。如果显示面板30上方有反射物存在，那么它反射的红外线从薄膜晶体管31之间的间隙及透光间隙再次穿过显示面板30，并被接收器52接收。

在本实施方式中，由于发射光束53的覆盖区域54是大致呈圆形的，因此当覆盖区域54的中心与挡光块21重叠时，虽然覆盖区域54的中心区域与挡光块21重叠，然而覆盖区域54的边缘区域与挡光块21错开，覆盖区域54的边缘区域覆盖于透光间隙，使得发射光束53中更多的红外线能够经透光间隙射出显示面板30，使得发射光束53具有较高的出光率。并且，由于覆盖区域54的边缘区域中的光线可直接射出，而与覆盖区域54的中心区域重叠的挡光块21与接收器52之间的距离较大，因此也能够避免发生发射光束53的红外线被挡光块21直接反射至接收器52，而导致接收器52的检测功能受到不良影响(例如检测结果失真)，甚至造成接收器52饱和、无法正常工作的现象。

可以理解的是，在本申请中，覆盖区域54需要尽可能地与更多的透光间隙重叠，而与较少的挡光块21重叠。由于在电子设备100的使用环境中，人脸或耳朵对红外线的反射均为漫反射，因此接收器52与多个挡光块21之间的位置关系的自由度较高，接收器52能够较好地接收被反射的红外线。当然，在一些实施例中，接收器52与多个挡光块21之间的位置关系也可参阅发射器51与多个挡光块21之间的位置关系进行设定。

请参阅图4，一种实施方式中，单个挡光块21在基板1上的投影面积大于或等于对应的单个有源层311在基板1上的投影面积，以实现更好的遮挡效果。一种实施方式中，单个挡光块21在基板1上的投影面积与对应的单个有源层311在基板1上的投影面积的比在1.0至1.2的范围内。本实施方式中，单个挡光块21在基板1上的投影面积略大于对应的单个有源层311在基板1上的投影面积，从而在保证遮挡效果的同时，避免因遮挡红外线而影响到显示面板30的透过率，使得显示面板30具有较佳的透过率。

请参阅图4，一种实施方式中，基板1可以采用玻璃材料或聚酰亚胺(polymide，PI)材料。栅极312可以采用金属材料，例如钼。

请参阅图4，一种实施方式中，多个挡光块21采用金属材料。金属材料包括但不限于钛(Ti)材料、铝(Al)材料、铜(Cu)材料或者镍(Ni)材料。

请一并参阅图4、图6以及图7，图6是图2所示显示面板30在第一实施例中的部分结构示意图，图7是图6所示结构的部分分解图。本实施例以显示面板30为有机发光二极管面板为例进行说明。有机发光二极管面板对于常用的850nm、940nm波长的红外线可以具有5％至10％的透过率。图8中示意出显示面板30的一个像素区301的部分结构。

一种实施方式中，在同一个薄膜晶体管31中，有源层311包括沟道区3111、两个轻掺杂区3112和两个重掺杂区3113。两个轻掺杂区3112分别连接于沟道区3111的相背两端。两个重掺杂区3113分别连接于两个轻掺杂区3112远离沟道区3111的两端。栅极312在基板1上的投影覆盖沟道区3111在基板1上的投影。此时，栅极312可遮挡自显示面板30上方射向有源层311的红外线，以进一步保证薄膜晶体管31的正常工作。

其中，轻掺杂区3112和重掺杂区3113可进行P型掺杂(P-type doping)。重掺杂区3113的掺杂浓度大于轻掺杂区3112的掺杂浓度。

一种实施方式中，各薄膜晶体管31还包括源极313和漏极314。源极313可采用多层金属结构，例如钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)叠层结构。漏极314可采用多层金属结构，例如钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)叠层结构。漏极314与源极313可采用相同的结构和材料。源极313和漏极314均位于有源层311朝向栅极312的一侧。源极313和漏极314分别连接有源层311的两端。多个挡光块21一一对应地连接至多个薄膜晶体管31的漏极314。

在本实施方式中，通过多个挡光块21一一对应地连接至多个薄膜晶体管31的漏极314，使多个挡光块21与多个薄膜晶体管31的漏极314之间在电学上短接，从而消除多个挡光块21与有源层311之间的寄生电容，使多个薄膜晶体管31的可靠性更高。

可以理解的是，在其他实施例中，源极313和漏极314的位置可以对调。

一种实施方式中，显示面板30还包括缓冲层5和第一绝缘层6。缓冲层5位于基板1的一侧表面上。缓冲层5可以采用硅氮化物(SiNx)材料或硅氧化物(SiOx)材料。挡光层2位于缓冲层5远离基板1的一侧。第一绝缘层6位于缓冲层5远离基板1的一侧且覆盖多个挡光块21。第一绝缘层6能够电学隔离挡光块21与有源层311。部分第一绝缘层6填充于透光间隙。第一绝缘层6可采用硅氮化物(SiNx)材料或硅氧化物(SiOx)材料。第一绝缘层6设有多个一一对应地正对多个挡光块21的第一孔61。器件阵列层3位于第一绝缘层6远离缓冲层5的一侧。各薄膜晶体管31的漏极314经第一孔61连接挡光块21。也即，在同一个像素区301中，薄膜晶体管31的漏极314经第一孔61连接挡光块21。各薄膜晶体管31的漏极314经对应的第一孔61连接至对应地挡光块21。

一种实施方式中，器件阵列层3还包括栅极绝缘层315、第二绝缘层316及第三绝缘层317。栅极绝缘层315位于栅极312与有源层311之间。栅极绝缘层315在基板1上的投影覆盖栅极312在基板1上的投影。第二绝缘层316位于第一绝缘层6远离缓冲层5的一侧，且覆盖有源层311、栅极312及栅极绝缘层315(gate insulator layer)。第二绝缘层316可以采用硅氮化物(SiNx)材料或硅氧化物(SiOx)材料。第二绝缘层316设有第二孔3161、第三孔3162及第四孔3163。第二孔3161正对有源层311的一端。第二孔3161可正对其中一个重掺杂区3113。第三孔3162正对有源层311的另一端。第三孔3162可正对另一个重掺杂区3113。第四孔3163连通第一孔61。源极313位于第二绝缘层316远离第一绝缘层6的一侧、且通过第二孔3161连接至有源层311。源极313的主要部分位于第二绝缘层316远离第一绝缘层6的一侧，源极313的连接部分连接主要部分且填充于第二孔3161。漏极314位于第二绝缘层316远离第一绝缘层6的一侧。漏极314通过第三孔3162连接至有源层311，且通过第四孔3163和第一孔61连接至挡光块21。漏极314的主要部分位于第二绝缘层316远离第一绝缘层6的一侧，漏极314的两个连接部分均连接主要部分，其中一个连接部分填充于第三孔3162，另一个连接部分填充于第四孔3163和第一孔61。两个连接部分之间可以形成间隙。第三绝缘层317位于第二绝缘层316远离第一绝缘层6的一侧，且覆盖源极313和漏极314。所述第三绝缘层317可以采用硅氮化物(SiNx)材料或硅氧化物(SiOx)材料。第三绝缘层317设有正对漏极314的第六孔3171。显示层4经第六孔3171连接至漏极314。

一种实施方式中，显示层4包括阵列排布的多个发光单元41。多个发光单元41一一对应地位于多个像素区301中。各发光单元41均包括阳极层411、有机发光层412及阴极层413。阳极层411位于有机发光层412朝向第三绝缘层317的一侧。阳极层411可以采用氧化铟锡(ITO)材料，或者采用氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)的叠层结构。有机发光层412采用有机发光材料。阴极层413位于有机发光层412背离阳极层411的一侧。阴极层413可以为镁(Mg)/银(Ag)合金。多个发光单元41的阳极层411一一对应地经第六孔3171连接至多个薄膜晶体管31的漏极314。换言之，在同一个像素区301中，阳极层411经第六孔3171连接至薄膜晶体管31的漏极314。阳极层411的主体部分位于有机发光层412朝向第三绝缘层317的一侧，阳极层411的连接部分连接主体部分且填充于第六孔3171。

一种实施方式中，显示面板30还包括平坦层7、钝化层8及偏光层9。平坦层7位于第三绝缘层317与阳极层411之间。平坦层7可以采用硅氧化物(SiOx)材料。平坦层7设有连通第六孔3171的第七孔71。阳极层411经第七孔71及第六孔3171连接至漏极314。阳极层411的连接部分还填充于第七孔71。钝化层8位于阴极层413远离有机发光层412的一侧。钝化层8可以采用有机材料或无机材料。钝化层8用于隔离显示层4与外界的湿气、氧气等。偏光(polarized light)层位于钝化层8远离阴极层413的一侧。偏光层9可通过透明光学胶固定于盖板20。

请一并参阅图4和图8，图8是图2所示显示面板30在第二实施例中的部分结构示意图。本实施例以显示面板30为微晶发光二极管42面板为例进行说明。微晶发光二极管42面板对红外线具有较高的透过率。本实施例中与第一实施例相同的大部分技术方案不在赘述。

显示层4包括阵列排布的多个微晶发光二极管42。多个微晶发光二极管42一一对应地位于多个像素区301(参阅图5)中。图8中示意出其中一个像素区301的部分结构。多个微晶发光二极管42经第六孔3171连接至漏极314。

可以理解的，在其他实施例中，显示面板30也可以为液晶显示面板(LiquidCrystal Display，LCD)。此时，显示面板30可以包括与前述实施例相同的挡光层2及器件阵列层3结构。显示面板30的显示层4可包括像素电极层、液晶层、公共电极层及彩膜层(又称彩色滤光层)等。

请参阅图9，图9是图3中B处结构在另一种实施方式中的放大示意图。本实施方式与前述实施方式相同的大部分技术方案内容不再赘述。

电子设备100还包括挡光件70。挡光件70能够遮挡红外线。挡光件70收容于收容空间40(参阅图2)且位于发射器51与接收器52之间。挡光件70用于阻挡发射器51发出的红外线经收容空间40进入接收器52。换言之，挡光件70能够阻隔接收器52和发射器51，以避免发射器51发出的红外线在电子设备100内部直接被反射进接收器52，而导致主动光学器件50检测结果失真。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内；在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括基板和依次层叠在所述基板上的挡光层、器件阵列层及显示层，所述显示层能够在所述器件阵列层的驱动下显示画面，所述器件阵列层包括阵列排布的多个薄膜晶体管，各所述薄膜晶体管均包括有源层和栅极，所述有源层位于所述基板与所述栅极之间，所述挡光层包括阵列排布的多个挡光块，各所述挡光块均能够遮挡红外线，相邻的任意两个所述挡光块之间形成透光间隙，所述多个挡光块在所述基板上的投影一一对应地覆盖所述多个薄膜晶体管的所述有源层在所述基板上的投影。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个挡光块采用金属材料。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，各所述薄膜晶体管还包括源极和漏极，所述源极和所述漏极均位于所述有源层朝向所述栅极的一侧，所述源极和所述漏极分别连接所述有源层的两端，所述多个挡光块一一对应地连接至所述多个薄膜晶体管的所述漏极。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括缓冲层和第一绝缘层，所述缓冲层位于所述基板的一侧表面上，所述挡光层位于所述缓冲层远离所述基板的一侧，所述第一绝缘层位于所述缓冲层远离所述基板的一侧且覆盖所述多个挡光块，所述第一绝缘层设有多个一一对应的正对所述多个挡光块的第一孔，所述器件阵列层位于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧，各所述薄膜晶体管的所述漏极经所述第一孔连接所述挡光块。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述器件阵列层还包括栅极绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极与所述有源层之间，所述栅极绝缘层在所述基板上的投影覆盖所述栅极在所述基板上的投影，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧，且覆盖所述有源层、所述栅极及所述栅极绝缘层,所述第二绝缘层设有第二孔、第三孔及第四孔，所述第二孔正对所述有源层的一端，所述第三孔正对所述有源层的另一端，所述第四孔连通所述第一孔，所述源极位于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧、且通过所述第二孔连接至所述有源层，所述漏极位于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧，所述漏极通过所述第三孔连接至所述有源层，且通过所述第四孔和所述第一孔连接至所述挡光块，所述第三绝缘层位于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧，且覆盖所述源极和所述漏极，所述第三绝缘层设有正对所述漏极的第六孔，所述显示层经所述第六孔连接至所述漏极。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示层包括阵列排布的多个发光单元，各所述发光单元均包括阳极层、有机发光层及阴极层，所述阳极层位于所述有机发光层朝向所述第三绝缘层的一侧，所述阴极层位于所述有机发光层背离所述阳极层的一侧，所述多个发光单元的所述阳极层一一对应地经所述第六孔连接至所述多个薄膜晶体管的所述漏极。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括平坦层、钝化层及偏光层，所述平坦层位于所述第三绝缘层与所述阳极层之间，所述平坦层设有连通所述第六孔的第七孔，所述阳极层经所述第七孔及所述第六孔连接至所述漏极，所述钝化层位于所述阴极层远离所述有机发光层的一侧，所述偏光层位于所述钝化层远离所述阴极层的一侧。

8.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示层包括阵列排布的多个微晶发光二极管，所述多个微晶发光二极管经所述第六孔连接至所述漏极。

9.如权利要求1至8中任意一项所述的显示面板，其特征在于，单个所述挡光块在所述基板上的投影面积与对应的单个所述有源层在所述基板上的投影面积的比在1.0至1.2的范围内。

10.如权利要求1至8中任意一项所述的显示面板，其特征在于，在同一个所述薄膜晶体管中，所述有源层包括沟道区、两个轻掺杂区和两个重掺杂区，两个所述轻掺杂区分别连接于所述沟道区的相背两端，两个所述重掺杂区分别连接于两个所述轻掺杂区远离所述沟道区的两端，所述栅极在所述基板上的投影覆盖所述沟道区在所述基板上的投影。

11.如权利要求1至3中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为有机发光二极管面板或微晶发光二极管面板。

12.一种电子设备，其特征在于，包括壳体、主动光学器件、盖板及如权利要求1至11中任一项所述的显示面板，所述盖板安装在所述壳体上，且与所述壳体共同围设出收容空间，所述显示面板收容于所述收容空间且固定于所述盖板，所述主动光学器件收容于所述收容空间，所述主动光学器件能够通过所述显示面板的所述透光间隙传输红外线。

13.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述主动光学器件与所述显示面板之间形成间隙。

14.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述主动光学器件的发射光束在所述基板上形成覆盖区域，所述覆盖区域的中心与所述挡光块重叠。

15.如权利要求12至14中任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述主动光学器件包括接近光传感器、飞行时间传感器、虹膜识别传感器或人脸识别传感器中的一者或多者。

16.如权利要求12至14中任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述主动光学器件包括发射器和接收器，所述电子设备还包括挡光件，所述挡光件收容于所述收容空间且位于所述发射器与所述接收器之间，所述挡光件用于阻挡所述发射器发出的红外线经所述收容空间进入所述接收器。