TW202434075A - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種發光裝置，包括：電路基板、多個發光元件、多個金屬圖案、多個連接件以及多個共晶圖案。多個發光元件設置於電路基板之上。多個金屬圖案分別設置於多個發光元件與電路基板之間。多個連接件分別設置於多個發光元件與多個金屬圖案之間。多個共晶圖案分別設置於多個發光元件與多個連接件之間，其中多個發光元件中的第一發光元件與電路基板之間具有第一間距，多個發光元件中的第二發光元件與電路基板之間具有第二間距，且第一間距與第二間距之差為共晶圖案的厚度。此外，還提出一種發光裝置的製造方法。

Description

發光裝置及其製造方法

本發明是有關於一種光電裝置及其製造方法，且特別是有關於一種發光裝置及其製造方法。

微型發光元件（例如微型發光二極體，Micro-LED）顯示裝置具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。由於微型發光元件的尺寸極小，目前製作微型發光元件顯示裝置的方法是採用巨量轉移（Mass Transfer）技術，亦即利用微機電陣列技術進行微型發光元件取放，以將大量的微型發光元件一次搬運到電路基板上。

但是，巨量轉移之後常有發光元件無法點亮的情況發生，目前的一種做法是先移除無法點亮的發光元件及其與電路基板之間的連接材，再重新置入導電膠及發光元件來進行修補。然而，在修補過程中，由於連接材無法完全去除，造成導電膠成形不良，而無法順利連接修補的發光元件，導致發光元件修補良率不佳。

本發明提供一種顯示裝置，具有提高的發光元件修補良率。

本發明的一個實施例提出一種發光裝置，包括：電路基板、多個發光元件、多個金屬圖案、多個連接件以及多個共晶圖案。多個發光元件設置於電路基板之上。多個金屬圖案分別設置於多個發光元件與電路基板之間。多個連接件分別設置於多個發光元件與多個金屬圖案之間。多個共晶圖案分別設置於多個發光元件與多個連接件之間，其中多個發光元件中的第一發光元件與電路基板之間具有第一間距，多個發光元件中的第二發光元件與電路基板之間具有第二間距，且第一間距與第二間距之差為共晶圖案的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的金屬圖案包含鈦、鉬或銅。

在本發明的一實施例中，上述的連接件包含銦、錫、銅、銀、鉍或其合金。

在本發明的一實施例中，上述的多個連接件的厚度不完全相同。

在本發明的一實施例中，與上述的第一發光元件電連接的連接件具有第一厚度，與上述的第二發光元件電連接的連接件具有第二厚度，且第一厚度與第二厚度之差為共晶圖案的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的多個共晶圖案的厚度實質上相同。

在本發明的一實施例中，上述的共晶圖案的厚度為0.4μm至0.7μm。

在本發明的一實施例中，上述的發光裝置還包括多個接墊，分別位於多個金屬圖案與電路基板之間。

本發明的一個實施例提出一種發光裝置，包括：電路基板、多個發光元件、多個連接件以及多個共晶圖案。多個發光元件設置於電路基板之上。多個連接件分別設置於多個發光元件與電路基板之間。多個共晶圖案分別設置於多個發光元件與多個連接件之間，其中多個連接件中的第一連接件設置於多個發光元件中的第一發光元件與電路基板之間，多個連接件中的第二連接件設置於多個發光元件中的第二發光元件與電路基板之間，且第一連接件的厚度為共晶圖案的厚度與第二連接件的厚度之和。

在本發明的一實施例中，上述的共晶圖案包括發光元件的電極的材料及連接件的材料。

在本發明的一實施例中，上述的發光裝置還包括多個金屬圖案，分別設置於多個連接件與電路基板之間。

在本發明的一實施例中，上述的金屬圖案的厚度為300Å至1000Å。

本發明的一個實施例提出一種發光裝置的製造方法，包括：提供待修補發光裝置，其中待修補發光裝置包括：電路基板；第一發光元件，設置於電路基板上的第一位置，且電路基板上的第二位置未設置第一發光元件；以及第一共晶圖案，僅設置於電路基板與第一發光元件之間；提供表面形成有黏著層的載板；僅於載板上的第三位置設置第二發光元件，且第三位置對應於第二位置；以及將第二發光元件從載板轉移至電路基板上的第二位置，其中第一發光元件與電路基板之間具有第一間距，第二發光元件與電路基板之間具有第二間距，且第一間距大於第二間距。

在本發明的一實施例中，上述的製造方法還包括在「提供待修補發光裝置」之前從電路基板上的第二位置移除第一發光元件及第一共晶圖案。

在本發明的一實施例中，上述的待修補發光裝置還包括多個金屬圖案及多個第一連接件，其中第一共晶圖案位於第一發光元件與第一連接件之間，且金屬圖案位於第一連接件與電路基板之間。

在本發明的一實施例中，上述的金屬圖案及第一連接件還設置於第二位置。

在本發明的一實施例中，上述的製造方法還包括在「將第二發光元件從載板轉移至電路基板上的第二位置」之後對第二發光元件及電路基板進行熱處理，以在位於第二位置的第一連接件中形成第二共晶圖案及第二連接件。

在本發明的一實施例中，上述的第一連接件的厚度為第二共晶圖案與第二連接件的厚度之和。

在本發明的一實施例中，上述的第一共晶圖案的厚度實質上等於第二共晶圖案的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的第三位置的座標對應於第二位置的座標。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反地，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦接」可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的第一「元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」或表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包含」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。

考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制），本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

圖1至圖6是依照本發明一實施例的發光裝置的製造方法的步驟流程的局部剖面示意圖。圖7是依照本發明一實施例的發光裝置的製造方法的流程圖。以下，配合圖1至圖7說明發光裝置10的製造方法。

首先，請參照圖1，將多個發光元件120轉移至電路基板110上。在一些實施例中，發光元件120通過連接層130電性連接電路基板110。在一些實施例中，電路基板110上設置有多個接墊140，且發光元件120通過連接層130電連接至電路基板110上的接墊140。在一些實施例中，各個接墊140上設置有金屬圖案150，且發光元件120通過連接層130及金屬圖案150電連接接墊140。

在一些實施例中，先將連接層130配置於發光元件120的第一電極121及第二電極122上，再使第一電極121及第二電極122上的連接層130連接接墊140上的金屬圖案150。在一些實施例中，先將連接層130配置於金屬圖案150上，再使第一電極121及第二電極122分別連接對應的金屬圖案150上的連接層130。在一些實施例中，發光元件120的第二電極122電連接電路基板110的電路結構114。

在一些實施例中，電路基板110可以包括設置於底板112上的電路結構114，其中底板112可以是透明基板或非透明基板，其材質可以是石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他適當材質。電路結構114可包括發光裝置10需要的元件或線路，例如驅動元件、開關元件、儲存電容、電源線、驅動訊號線、時序訊號線、電流補償線、檢測訊號線等等。

在一些實施例中，發光元件120包括第一電極121、第二電極122以及發光疊層123，且第一電極121及第二電極122可以分別電性連接發光疊層123中的不同層。在一些實施例中，第一電極121及第二電極122位於發光疊層123的同一側，但本發明不限於此。在一些實施例中，第一電極121及第二電極122位於發光疊層123的不同側。在一些實施例中，發光元件120為水平式（Lateral）微型發光二極體。在一些實施例中，發光元件120為垂直式（Vertical）微型發光二極體。

在一些實施例中，第一電極121或第二電極122的材質包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或其他合適的材料或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層或其他低阻值的材料。在一些實施例中，發光疊層123包括第一型半導體層、第二型半導體層以及夾於第一型半導體層與第二型半導體層之間的發光層。在一些實施例中，第一型半導體層為N型摻雜半導體層，例如N型氮化鎵（n-GaN）層。在一些實施例中，第二型半導體層為P型摻雜半導體層，例如P型氮化鎵（p-GaN）層。在一些實施例中，發光層例如具有多層量子井結構（Multiple Quantum Well, MQW）。在一些實施例中，多重量子井結構可以包括交替堆疊的多層氮化銦鎵（InGaN）以及多層氮化鎵（GaN）。

在一些實施例中，連接層130的厚度約為2μm至2.2μm。在一些實施例中，連接層130的材質包括銦（In）、錫（Sn）、銅（Cu）、銀（Ag）、鉍（Bi）或其合金。在一些實施例中，接墊140的材質包括銦錫氧化物（InSnO）、銦鋅氧化物（InZnO）、鋁錫氧化物（AlSnO）、鋁鋅氧化物（AlZnO）、銦鎵鋅氧化物（InGaZnO）、奈米銀或其他適合的導電氧化物。在一些實施例中，金屬圖案150的材質包括鈦（Ti）、鉬（Mo）或銅。

請參照圖2，在將多個發光元件120轉移至電路基板110上之後，可以對發光元件120及電路基板110進行熱處理TH，以使第一電極121及第二電極122的材料分別滲入對應的連接層130中，而在連接層130中形成共晶圖案132，且連接層130中未形成共晶圖案132的部分成為連接件131。換句話說，在熱處理TH之後，連接層130轉變成連接件131及共晶圖案132，其中連接件131的材料與連接層130的材料實質上相同，且共晶圖案132的材料包括第一電極121或第二電極122的材料及連接層130的材料。在一些實施例中，熱處理TH的溫度為150°C至300°C。在一些實施例中，熱處理TH的時間為1分鐘至10分鐘。

在一些實施例中，可以對發光元件120進行測試，以確認發光元件120是否能夠正常點亮。舉例而言，進行測試之後發現，位於位置I的發光元件120a能夠正常點亮，而位於位置II的發光元件120b無法正常點亮。

請參照圖3(a)及圖7的步驟702，接著，可以對無法正常點亮的發光元件120b進行雷射處理TL，以移除發光元件120b，而得到待修補發光裝置10’。由於共晶圖案132的材質較脆，且共晶圖案132與連接件131之間的鍵結力弱，因此，在雷射處理TL之後，發光元件120b連同共晶圖案132會被從位置II移除。在一些實施例中，共晶圖案132與第一電極121或第二電極122之間的接合力大於共晶圖案132與連接件131之間的鍵結力。在一些實施例中，連接件131與金屬圖案150之間的接合力大於共晶圖案132與連接件131之間的鍵結力。

在一些實施例中，待修補發光裝置10’包括電路基板110以及發光元件120a，發光元件120a設置於電路基板110上的位置I，且電路基板110上的位置II未設置任何發光元件。在一些實施例中，待修補發光裝置10’還包括位於電路基板110與發光元件120a之間的金屬圖案150、連接件131及共晶圖案132。在一些實施例中，連接件131位於金屬圖案150與共晶圖案132之間，且共晶圖案132位於發光元件120a的第一電極121及第二電極122與對應的連接件131之間。在一些實施例中，待修補發光裝置10’還包括接墊140，且接墊140位於金屬圖案150與電路基板110之間。

在一些實施例中，待修補發光裝置10’還包括位於電路基板110上的位置II的金屬圖案150、接墊140以及連接件131，且金屬圖案150位於連接件131與電路基板110之間，接墊140位於金屬圖案150與電路基板110之間。

圖3(b)為待修補發光裝置10’的局部上視示意圖。舉例而言，如圖3(b)所示，電路基板110上有多個位置I皆設置有一個發光元件120a，且電路基板110上有三個位置II皆未設置任何發光元件。位置II的數量並無特殊限制，可以視需要而改變。

圖4為表面形成有黏著層AH的載板CA的局部上視示意圖。請參照圖4及圖7的步驟704，在一些實施例中，提供表面形成有黏著層AH的載板CA可以藉由旋塗（Spin coating）的方式於載板CA的表面上形成黏著層AH來實施。在一些實施例中，黏著層AH包括例如壓克力系樹脂等具有黏著性的材料。

請參照圖7的步驟706，接著，僅於載板CA上的三個位置III設置發光元件120c，且載板CA上的三個位置III對應於電路基板110上的三個位置II。在一些實施例中，可以檢測電路基板110的三個位置II的座標，藉此決定載板CA上的三個位置III的座標，然後再將附著於暫時載板的發光元件120c轉移至載板CA上的位置III。在一些實施例中，位置III的座標對應於位置II的座標。在一些實施例中，可以採用雷射剝離（Laser Lift Off）製程來將附著於暫時載板的發光元件120c轉移至載板CA上的位置III。位置III的數量並無特殊限制，可以視位置II的數量進行調整。

請參照圖5及圖7的步驟708，接著，可以將位於載板CA上的位置III的發光元件120c轉移至電路基板110上的位置II，以對待修補發光裝置10’進行修補，而得到如圖6所示的發光裝置10。在一些實施例中，可以採用壓印（Stamp）技術來將發光元件120c從載板CA上的位置III轉移至電路基板110上的位置II，相較於習知使用佈滿發光元件陣列的載板來修補待修補發光裝置10’，不僅能夠避免損傷已設置於電路基板110上的位置I的發光元件120a，還能夠減少發光元件的浪費。

請參照圖6，在一些實施例中，在發光元件120c的第一電極121及第二電極122分別落於位置II上對應的連接件131上之後，可以對發光元件120c及電路基板110進行熱處理TH，以使第一電極121及第二電極122的材料分別滲入對應的連接件131中，而在位於位置II的連接件131中形成共晶圖案134，且連接件131中未形成共晶圖案134的部分成為連接件133。換句話說，在熱處理TH之後，連接件131轉變成連接件133及共晶圖案134，其中連接件133的材料與連接件131的材料相同，且共晶圖案134的材料包括第一電極121或第二電極122的材料及連接件131的材料。在一些實施例中，共晶圖案134的材料與共晶圖案132的材料實質上相同。在一些實施例中，共晶圖案134的厚度與共晶圖案132的厚度實質上相同。在一些實施例中，連接件131的厚度實質上等於連接件133的厚度與共晶圖案134的厚度之和。

在一些實施例中，圖6是依照本發明一實施例的發光裝置10的局部剖面示意圖。發光裝置10包括：電路基板110、發光元件120a、120c、多個金屬圖案150、連接件131、133以及共晶圖案132、134。發光元件120a、120c設置於電路基板110之上，且發光元件120a、120c皆包括第一電極121、第二電極122以及發光疊層123。多個金屬圖案150分別設置於發光元件120a、120c與電路基板之間。連接件131、133分別設置於發光元件120a、120c與多個金屬圖案150之間。共晶圖案132、134分別設置於發光元件120a、120c與連接件131、133之間。

在一些實施例中，發光裝置10還包括多個接墊140，且多個接墊140分別位於多個金屬圖案150與電路基板110之間。在一些實施例中，發光元件120a的第一電極121及第二電極122與電路基板110之間分別設置有共晶圖案132、連接件131、金屬圖案150以及接墊140。在一些實施例中，發光元件120c的第一電極121及第二電極122與電路基板110之間分別設置有共晶圖案134、連接件133、金屬圖案150以及接墊140。

在一些實施例中，發光元件120a與電路基板110之間具有間距S1，發光元件120c與電路基板110之間具有間距S2，且間距S1大於間距S2。在一些實施例中，間距S1與間距S2之差為共晶圖案132或共晶圖案134的厚度。

在一些實施例中，連接件131的厚度與連接件133的厚度不同。在一些實施例中，連接件131的厚度與連接件133的厚度之差為共晶圖案134的厚度。在一些實施例中，連接件131的厚度與連接件133的厚度之差為共晶圖案132的厚度。在一些實施例中，共晶圖案132、134的厚度為0.4μm至0.7μm。在一些實施例中，連接件131的厚度約為1.3μm至1.8μm。在一些實施例中，共晶圖案132與連接件131的厚度比約為22%至54%。在一些實施例中，共晶圖案134與連接件133的厚度比約為44%至117%。在一些實施例中，金屬圖案150的厚度為300Å至1000Å。

綜上所述，本發明的發光裝置藉由共晶圖案與連接件之間的鍵結力弱，在移除無法正常點亮的發光元件的同時能夠連帶移除共晶圖案，且留下平整的連接件，因此不需將留下的連接件移除，且於後續置入修補的發光元件時，不需再置入導電膠或連接材，因此能夠簡化修補程序，同時提高發光元件的修補良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:發光裝置 10’:待修補發光裝置 110:電路基板 112:底板 114:電路結構 120,120a,120b,120c:發光元件 121:第一電極 122:第二電極 123:發光疊層 130:連接層 131,133:連接件 132,134:共晶圖案 140:接墊 150:金屬圖案 702,704,706,708:步驟 AH:黏著層 CA:載板 I,II,III:位置 S1,S2:間距 TH:熱處理 TL:雷射處理

圖1至圖6是依照本發明一實施例的發光裝置的製造方法的步驟流程的局部剖面示意圖。 圖7是依照本發明一實施例的發光裝置的製造方法的流程圖。

10:發光裝置

110:電路基板

112:底板

114:電路結構

120a,120c:發光元件

121:第一電極

122:第二電極

123:發光疊層

131,133:連接件

132,134:共晶圖案

140:接墊

150:金屬圖案

II:位置

S1,S2:間距

TH:熱處理

Claims (20)

1. 一種發光裝置，包括： 電路基板； 多個發光元件，設置於所述電路基板之上； 多個金屬圖案，分別設置於所述多個發光元件與所述電路基板之間； 多個連接件，分別設置於所述多個發光元件與所述多個金屬圖案之間；以及 多個共晶圖案，分別設置於所述多個發光元件與所述多個連接件之間， 其中所述多個發光元件中的第一發光元件與所述電路基板之間具有第一間距，所述多個發光元件中的第二發光元件與所述電路基板之間具有第二間距，且所述第一間距與所述第二間距之差為所述共晶圖案的厚度。
2. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述金屬圖案包含鈦、鉬或銅。
3. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述連接件包含銦、錫、銅、銀、鉍或其合金。
4. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述多個連接件的厚度不完全相同。
5. 如請求項1所述的發光裝置，其中與所述第一發光元件電連接的連接件具有第一厚度，與所述第二發光元件電連接的連接件具有第二厚度，且所述第一厚度與所述第二厚度之差為所述共晶圖案的厚度。
6. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述多個共晶圖案的厚度實質上相同。
7. 如請求項6所述的發光裝置，其中所述共晶圖案的厚度為0.4μm至0.7μm。
8. 如請求項1所述的發光裝置，還包括多個接墊，分別位於所述多個金屬圖案與所述電路基板之間。
9. 一種發光裝置，包括： 電路基板； 多個發光元件，設置於所述電路基板之上； 多個連接件，分別設置於所述多個發光元件與所述電路基板之間；以及 多個共晶圖案，分別設置於所述多個發光元件與所述多個連接件之間， 其中所述多個連接件中的第一連接件設置於所述多個發光元件中的第一發光元件與所述電路基板之間，所述多個連接件中的第二連接件設置於所述多個發光元件中的第二發光元件與所述電路基板之間，且所述第一連接件的厚度為所述共晶圖案的厚度與所述第二連接件的厚度之和。
10. 如請求項9所述的發光裝置，其中所述共晶圖案包括所述發光元件的電極的材料及所述連接件的材料。
11. 如請求項9所述的發光裝置，還包括多個金屬圖案，分別設置於所述多個連接件與所述電路基板之間。
12. 如請求項11所述的發光裝置，其中所述金屬圖案的厚度為300Å至1000Å。
13. 一種發光裝置的製造方法，包括： 提供待修補發光裝置，其中所述待修補發光裝置包括： 電路基板； 第一發光元件，設置於所述電路基板上的第一位置，且所述電路基板上的第二位置未設置所述第一發光元件；以及 第一共晶圖案，僅設置於所述電路基板與所述第一發光元件之間； 提供表面形成有黏著層的載板； 僅於所述載板上的第三位置設置第二發光元件，且所述第三位置對應於所述第二位置；以及 將所述第二發光元件從所述載板轉移至所述電路基板上的所述第二位置，其中所述第一發光元件與所述電路基板之間具有第一間距，所述第二發光元件與所述電路基板之間具有第二間距，且所述第一間距大於所述第二間距。
14. 如請求項13所述的發光裝置的製造方法，還包括在「提供待修補發光裝置」之前從所述電路基板上的所述第二位置移除所述第一發光元件及所述第一共晶圖案。
15. 如請求項13所述的發光裝置的製造方法，其中所述待修補發光裝置還包括多個金屬圖案及多個第一連接件，其中所述第一共晶圖案位於所述第一發光元件與所述第一連接件之間，且所述金屬圖案位於所述第一連接件與所述電路基板之間。
16. 如請求項15所述的發光裝置的製造方法，其中所述金屬圖案及所述第一連接件還設置於所述第二位置。
17. 如請求項16所述的發光裝置的製造方法，還包括在「將所述第二發光元件從所述載板轉移至所述電路基板上的所述第二位置」之後對所述第二發光元件及所述電路基板進行熱處理，以在位於所述第二位置的所述第一連接件中形成第二共晶圖案及第二連接件。
18. 如請求項17所述的發光裝置的製造方法，其中所述第一連接件的厚度為所述第二共晶圖案與所述第二連接件的厚度之和。
19. 如請求項17所述的發光裝置的製造方法，其中所述第一共晶圖案的厚度實質上等於所述第二共晶圖案的厚度。
20. 如請求項13所述的發光裝置的製造方法，其中所述第三位置的座標對應於所述第二位置的座標。

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