TWI842786B - 有機發光二極體顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種有機發光二極體顯示裝置，包含基板、發光層、第一電源供應線、第二電源供應線、連接圖案、及上電極。基板具有顯示區域、圍繞顯示區域的周邊區域，並包含第一、第二、及第三周邊區域，且墊區域設置在周邊區域的一側。發光層設置在基板上的顯示區域。第一電源供應線設置在基板上的第二及第三周邊區域，及一部分的第一周邊區域。第二電源供應線設置在基板上的顯示區域、第一周邊區域、及第三周邊區域，且未設置在第二周邊區域，並且位在第一電源供應線的內側。

Description

有機發光二極體顯示裝置
本發明的例示性實施例通常涉及一種有機發光二極體顯示裝置，更具體來說，一種包含低電源供應線及高電源供應線的有機發光二極體顯示裝置。
平板顯示裝置由於其輕便和薄的特性，而成為優於陰極射線管顯示裝置的顯示裝置。作為這種平板顯示裝置的代表性示例為液晶顯示裝置和有機發光二極體顯示裝置。
有機發光二極體顯示裝置可以包含顯示區域、圍繞顯示區域的周邊區域、及位在周邊區域一側的墊區域。複數個像素電路及複數個有機發光二極體可以設置在顯示區域中，且第一電源供應線及第二電源供應線可以設置在周邊區域中。此外，複數個墊電極可以設置在墊區域中。例如，低電源供應電壓及高電源供應電壓可以由外部裝置產生，且電壓可以透過墊電極分別提供至第一電源供應線及第二電源供應線。此外，施加至第一電源供應線的低電源供應電壓可以提供至有機發光二極體的陰極電極，且施加至第二電源供應線的高電源供應電壓可以提供至有機發光二極體的陽極電極。換句話說，第一電源供應線及第二電源供應線共同設置在周邊區域中，因此第一電源供應線的寬度可 以相對較小。在先前技術部分中所公開的以上資訊僅用於理解本發明概念的背景，因此可能包含不構成現有技術的資訊。
發明人發現當具有第一及第二電源供應線的有機發光二極體顯示裝置以高亮度驅動時，電流可能集中至設置在相鄰於墊區域的周邊區域(例如，周邊區域20的兩個下側)中的第一電源供應線，從而提高溫度。在此狀況下，第一電源供應線可能發生短路，或者位在第一電源供應線周圍的絕緣層可能因熱生成而變形。
根據本發明的例示性實施所構成的顯示裝置透過減少位在周邊區域的一部分中的電源供應線中所產生的熱，以避免短路及熱損壞。
例如，顯示器的第一電源供應線及連接圖案(connection pattern)可以具有較寬的寬度，因此相較於常規的顯示器，可以減少位在顯示器的周邊區域的一部分中的第一電源供應線中所產生的熱。
此外，可以提供數量相對較多的開口，以使連接圖案直接接觸設置在周邊區域的一部分中的第一電源供應線。換句話說，在顯示裝置中，周邊區域中的第一電源供應線所產生的熱可以進一步減少。相應的，相較於常規的設計，可以減少由於第一電源供應線在周邊區域中的熱生成而導致的顯示裝置的缺陷。
本發明概念的附加特徵將在下面的說明中闡述，並且將由於本說明而部分的顯而易見，或者可以透過實施本發明概念而認識。
根據部分例示性實施例，有機發光二極體顯示裝置包含基板、發光層、第一電源供應線、第二電源供應線、連接圖案、及上電極。基板具有顯 示區域、至少部分的圍繞顯示區域且包含第一周邊區域、第二周邊區域、及第三周邊區域的周邊區域、以及設置在周邊區域的一側的墊區域。發光層設置在基板上的顯示區域中。第一電源供應線設置在基板上的第二周邊區域、第三周邊區域、第一周邊區域的一部份中。第二電源供應線，設置在基板上的顯示區域、第一周邊區域、及第三周邊區域中，且未設置在第二周邊區域中，並且至少部分的被第一電源供應線圍繞。導電圖案在第一電源供應線上與第二周邊區域、第三周邊區域、及第一周邊區域的一部份中的第一電源供應線部分的重疊，並且電性連接至第一電源供應線。上電極設置在導電圖案及發光層上的顯示區域及部分的周邊區域中，並且與第一電源供應線及導電圖案部分的重疊。上電極電性連接至導電圖案。
有機發光二極體顯示裝置可以進一步包含設置在墊區域的第一部分中的複數個墊電極。第一周邊區域可以相鄰於墊區域中設置墊電極的第一部分，並且第二周邊區域位於第一周邊區域的相對側，且相鄰於墊區域中不設置墊電極的第二部分。
第一電源供應線包含可以電性連接至第一周邊區域中的墊電極的導線。
導電圖案及上電極中的至少一個在第一周邊區域中可以具有波浪形狀。
低電源供應電壓可以施加至第一電源供應線，並且高電源供應電壓可以施加至第二電源供應線。
第二電源供應線可以包含導線，其具有設置在第一周邊區域中的第一部分、設置在顯示區域中且具有網格狀的第二部分、以及設置在第三周邊區域的一部分中以至少部分的圍繞第二部分的第三部分。第二電源供應線的第一部分、第二部分、第三部分可以彼此形成為一體。
第二電源供應線的第一部分及第二部分在相鄰於顯示區域與周邊區域之間的邊界的一部分的第一周邊區域中可以彼此連接，並且第二電源供應線的第二部分及第三部分在相鄰於顯示區域與周邊區域之間的邊界的另一部分的第三周邊區域中可以彼此連接。
第二電源供應線的第三部分可以與第一電源供應線的內側隔開。
第二電源供應線的第三部分可以不設置在第二周邊區域中。
第二電源供應線的第二部分在顯示區域的一部份中可以具有晶格狀，且在顯示區域的另一部份中可以具有桿狀。
顯示區域可以具有帶有彎角的矩形形狀，並且顯示區域的彎角可以包含相鄰於墊區域的第一角，以及相對於第一角的第二角。
第一角可以相鄰於第二周邊區域，並且第二角可以相鄰於第三周邊區域。
第一電源供應線在第二周邊區域中可以具有第一寬度，且在第三周邊區域中可以具有第二寬度，第二寬度小於第一寬度。
有機發光二極體顯示裝置可以進一步包含保護絕緣層、第一平坦化層、及第二平坦化層。保護絕緣層可以設置在基板與發光層之間的顯示區域及周邊區域，並且在第二周邊區域中定義有開口。第一平坦化層可以設置在保護絕緣層上的顯示區域及周邊區域的一部分中以暴露保護絕緣層的開口。第二平坦化層可以設置在第一平坦化層上的顯示區域及周邊區域的一部分中，並且在第二周邊區域中可以具有暴露第一電源供應線的複數個開口。
位在第一周邊區域的第二平坦化層可以形成為不具有暴露第一電源供應線的複數個開口。
位在第一周邊區域的第二平坦化層可以具有波浪形狀。
有機發光二極體顯示裝置可以進一步包含設置在第一平坦化層與第二平坦化層之間的複數個凹凸圖案。
發光層可以從顯示區域延伸至周邊區域，並且位在周邊區域的發光層可以不與第二周邊區域中的第二平坦化層的複數個開口重疊。
有機發光二極體顯示裝置可以進一步包含設置在第二平坦化層上的顯示區域的下電極。上電極可以設置在下電極的上方，並且上電極可以從顯示區域延伸至周邊區域。
上電極可以直接接觸第二周邊區域中的導電圖案。
上電極在第一周邊區域中可以具有波浪形狀，並且上電極可以直接接觸第一周邊區域中的導電圖案。
下電極可以與導電圖案位在同一層。
第一電源供應線可以包含第一子電源供應線及第二子電源供應線。第一子電源供應線可以設置在基板與保護絕緣層之間，且可以透過保護絕緣層的開口暴露。第二子電源供應線可以設置在第一平坦化層與第二平坦化層之間，且可以透過保護絕緣層的開口直接接觸第一子電源供應線。第二子電源供應線可以透過保護絕緣層的開口暴露。
導電圖案包含可以透過第二平坦化層的複數個開口直接接觸第二子電源供應線的連接圖案。
有機發光二極體顯示裝置可以進一步包含設置在基板與保護絕緣層之間的顯示區域中的半導體元件，以及設置在第一平坦化層與第二平坦化層之間的顯示區域中的導線圖案及連接電極。
導線圖案及連接電極可以與第二子電源供應線位在同一層。
半導體元件可以包含設置在基板上的顯示區域中的活化層、設置在活化層上的閘極絕緣層、設置在閘極絕緣層上的閘極電極、設置在閘極電極上的絕緣中間層、以及設置在絕緣中間層上的源極電極及汲極電極。
源極電極及汲極電極可以與第一子電源供應線位在同一層。
根據部分例示性實施例，有機發光二極體顯示裝置包含基板、發光層、第一電源供應線、第二電源供應線、平坦化層、連接圖案、及上電極。基板具有顯示區域、至少部分的圍繞顯示區域的周邊區域，且包含第一周邊區域、第二周邊區域、及第三周邊區域、以及設置在周邊區域的一側的墊區域。發光層設置在基板上的顯示區域中。第一電源供應線設置在基板上的第二周邊區域、第三周邊區域、第一周邊區域的一部份中。第二電源供應線設置在基板上的顯示區域、第一周邊區域、及第三周邊區域中，且未設置在第二周邊區域中，並且至少部分的被第一電源供應線圍繞。平坦化層設置在第一電源供應線及第二電源供應線上的顯示區域及周邊區域的一部分中，且在第一、第二、及第三周邊區域中至少一個具有波浪形狀。導電圖案在平坦化層上與第二周邊區域、第三周邊區域、及第一周邊區域的一部份中的第一電源供應線部分的重疊，且電性連接至第一電源供應線。連接圖案在第一、第二、及第三周邊區域中至少一個具有波浪形狀。上電極設置在導電圖案及發光層上的顯示區域及部分的周邊區域中，與第一電源供應線及導電圖案部分的重疊。上電極電性連接至導電圖案，且在第一、第二、及第三周邊區域中至少一個具有波浪形狀。
有機發光二極體顯示裝置可以進一步包含設置在平坦化層與第一電源供應線之間的複數個凹凸圖案。
第二電源供應線包含導線，其可以包含設置在第一周邊區域中的第一部分、設置在顯示區域中且具有網格狀的第二部分、以及設置在第三周邊 區域的一部分中，以至少部分的圍繞第二部分的第三部分。第二電源供應線的第一部分、第二部分、及第三部分可以彼此形成為一體。
第二電源供應線的第二部分在顯示區域的一部份中可以具有晶格狀，且在顯示區域的另一部份中具有桿狀。
根據部分例示性實施例，一種驅動具有基板的顯示裝置的方法，此基板包含顯示區域；至少部分的圍繞顯示區域並且包含第一周邊區域、第二周邊區域、及第三周邊區域、及墊區域的周邊區域；設置在基板上的顯示區域中的發光層；設置在基板上的第一周邊區域、第二周邊區域、及第三周邊區域中的至少一個中的第一電源供應線；設置在基板上的第一周邊區域、第二周邊區域、及第三周邊區域中的僅兩個中的第二電源供應線。此方法包含以下步驟：施加低電源供應電壓至第一電源供應，並且施加高電源供應電壓至第二電源供應。
應理解的是前述的總體說明及下文的詳細說明皆是例示性和說明性的，且旨在提供對本發明申請專利範圍的進一步解釋。
10:顯示區域
11:第一角
12:第二相對角
20:周邊區域
21:第一周邊區域
22:第二周邊區域
23:第三周邊區域
30:子像素電路區域
60:墊區域
100,500,600:OLED顯示裝置
101:外部裝置
105:玻璃基板
110:基板
115:緩衝層
130:活化層
150:閘極絕緣層
170:第一閘極電極
175:第二閘極電極
190:第一絕緣中間層
195:第二絕緣中間層
200:子像素結構
210:源極電極
215:導線圖案
230:汲極電極
235:連接電極
250:半導體元件
270:第一平坦化層
275,1275:第二平坦化層
290:下電極
295,1295:連接圖案
310:像素定義層
330:發光層
340:上電極
345:覆蓋層
350,1350:第一電源供應線
351:第一子電源供應線
352:第二子電源供應線
370:阻擋結構
371:第一阻擋圖案
372:第二阻擋圖案
390,1390:第二電源供應線
400:保護絕緣層
401:第一開口
402:第二開口
450:薄膜封裝層
451:第一薄膜封裝層
452:第二薄膜封裝層
453:第三薄膜封裝層
470:墊電極
490:開口
510:凹凸圖案
SPC:子像素電路
ELVDD:高電源供應電壓
ELVSS:低電源供應電壓
DATA:資料訊號
CST:儲存電容器
OLED:有機發光二極體
VINT:初始化電壓
ID:驅動電流
EM:發光控制訊號
GI:閘極初始化訊號
GW:閘極訊號
GB:二極體初始化訊號
TR1,TR2,TR3,TR4,TR5,TR6,TR7:電晶體
d1:第一距離
d2:第二距離
W1:第一寬度
W2:第二寬度
D1,D2,D3:方向
附圖提供對本發明的進一步理解，且合併至本說明書中並構成本說明書的一部分，附圖繪示了本發明的例示性實施例，並且與本說明書一同用於解釋本發明的概念。
第1圖為根據本發明的例示性實施例構成的有機發光二極體顯示裝置的平面圖； 第2A圖為繪示包含在第1圖中的有機發光二極體顯示裝置中的第一及第二電源供應線的平面圖；第2B圖為繪示具有包含在第2A圖中的有機發光二極體顯示裝置中的第二電源供應線的一個例示性實施例的平面圖；第2C圖為繪示具有包含在第2A圖中的有機發光二極體顯示裝置中的第二電源供應線的另一個例示性實施例的平面圖；第2D圖為繪示具有包含在第2A圖中的有機發光二極體顯示裝置中的第二電源供應線的又另一個例示性實施例的平面圖；第3A圖為繪示設置在第2A圖中的第一電源供應線上的連接圖案的平面圖；第3B圖為繪示常規的有機發光二極體顯示裝置的平面圖；第4圖為繪示電性連接至第1圖中的有機發光二極體顯示裝置的外部裝置的方塊圖；第5圖為繪示設置在第1圖中的子像素電路區域中的代表性的子像素電路以及設置在子像素電路上的有機發光二極體OLED的例示性實施例的電路圖；第6圖為沿第3A圖中的線I-I'截取的截面圖；第7圖為沿第3A圖中的線II-II'截取的截面圖；第8圖至第26圖為製造根據本發明的例示性實施例的有機發光二極體顯示裝置的方法的截面圖；第27圖及第28圖為根據本發明的例示性實施例的有機發光二極體顯示裝置的截面圖；第29圖及第30圖為根據本發明的例示性實施例構成的有機發光二極體顯示裝置的截面圖。
在下文的說明中，基於解釋的目的，闡述了許多具體細節以提供對本發明的各種例示性實施例或實施的透徹理解。如本文中所使用的「實施例(embodiment)」及「實施(implementation)」可以互換的使用，並且為採用一個或多個本文中所揭露的發明概念的裝置或方法的非限制性的例子。顯而易見的，各種例示性實施例可以在沒有這些具體細節的狀況下或以一種或多種等效佈置以實踐。在其他例子中，以方塊圖的形式描繪了習知的結構和設備，以避免不必要的混淆各種例示性實施例。進一步的，各種例示性實施例可以不同，但不互斥。例如，在不偏離本發明概念的狀況下，一個例示性實施例中的特定形狀、構造、特徵可以使用或實施在另一個例示性實施例中。
除非另有明確的指定，所描繪的例示性實施例應理解為提供可以在實踐中實施的本發明概念的一些方式的細節變化的例示性的特徵。因此，除非另有明確的指定，在不脫離本發明概念的狀況下，各種例示性實施例的特徵、組件、模組、層、膜、板、區域、態樣等(在下文中獨立或統稱為「元件」)，可以以其他方式組合、分離、互換、及/或重新排列。
在附圖中所使用的交叉影線及/或陰影通常用於闡明相鄰元件之間的邊界。因此，除非另有指定，否則無論是否存在交叉影線或陰影都不能傳達或指示對特定材料、材料特性、尺寸、比例、所示的元件之間的共通性、及/或任何其他特徵、屬性、特性等的偏好或需求。進一步的，附圖中元件的尺寸及相對尺寸為了闡明及/或說明目的而可以誇大。因此各元件的尺寸及相對尺寸不限定於附圖中所描繪的尺寸及相對尺寸。當一例示性實施例可以不同的實施時，可以以不同於說明的順序執行特定的步驟順序。例如，兩個連續說明的步 驟可以實質上同時執行或以與說明的順序相反的順序執行。此外，相同的元件符號表示相同的元件。
當一元件，例如，層，稱作在另一元件「上(on)」，或者「連接至(connected to)」、「耦接至(coupled to)」另一元件或層時，它可以直接在另一元件或層之上，或者直接連接至、耦接至另一元件或層，或者可以存在中間元件或層。然而，當元件稱作「直接在(directly)」另一元件「上(on)」，「直接連接至(directly connected to)」、「直接耦接至(directly coupled to)」另一元件或層時，則不存在中間元件。此外，術語「連接(connected)」可以為具有或不具有中間層的為物理、電性、及/或流體連接。進一步的，D1軸、D2軸、及D3軸不限定於直角坐標系的三個軸，例如，x、y、及z軸，並且可以在更廣泛的意義上進行解釋。例如，D1軸、D2軸、及D3軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。為了本揭露的目的，「X、Y、及Z中的至少一個」及「從包含X、Y、及Z的組合中選擇至少一個」可以被解釋為僅X、僅Y、僅Z，或X、Y、及Z中兩個或複數個的任意組合，例如，XYZ、XYY、YZ、及ZZ。如本文所使用的，術語「及/或」包含一個或複數個所列出的相關聯項目的任何及所有組合。
儘管術語「第一(first)」、「第二(第二)」等在本文中可以用於說明各種類型的元件，但這些元件不應受到這些術語的限定。這些術語用區別一個元件與另一個元件。因此，在不脫離本揭露的教導的狀況下，下文中的第一元件可以稱作第二元件。
空間相對術語如「下(beneath)」、「下(below)」、「下(under)」、「低於(lower)」、「上(above)」、「上(upper)」、「上(over)」、「高於(higher)」、「側(side)」(例如，在側壁(sidewall)中)、及其相似詞，在本文中僅用於說明目的，以說明附圖中描繪的一個元件與另一個元件之間關係。除了附圖中所描繪的方向之外，空間相對術語還意圖包含使用、操作、及/或製造中的裝置的不同 方向。例如，當一個附圖中的裝置被翻轉後，被說明為在其他元件或特徵「下(beneath)」或「下(below)」的元件將被定向為在其他元件或特徵「上(above)」。因此，例示性術語如「下(below)」可以包含上方及下方兩個方向。進一步的，裝置能以其他方式定向(例如，旋轉90度或其他方向)，並且本文中使用的空間相對術語應做相對應的解釋。
在本文中使用的術語僅用於說明特定實施例的目的，而非限定本發明概念。如本文所使用的單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」也意圖包含複數形式，除非上下文明確的另外指出。此外，在本說明書中使用的術語「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包含(includes)」、及/或「包含(including)」時，指定所陳述的特徵、整體、步驟、操作、元件、組件、及/或其上的組合存在，但不排除一個或複數個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件、及/或其上的組合存在或添加。此外，如本文所使用的術語「實質上(substantially)」、「約(about)」和其他類似術語被用作近似詞而非度量詞，並且用於解釋測量、計算、及提供數值的固有誤差，且可以被本領域具有通常知識者所認可。
在本文中參照了剖面圖及/或分解圖以說明各種例示性實施例，這些圖是理想化的例示性實施例及/或中間結構的示意圖。因此，由於如製造技術及/或公差所導致的圖示形狀的變化是可以預期的。因此，本文中所揭露的例示性實施例不應解釋為限定於區域的特定繪示的形狀，而應包含如製造而引起的形狀偏差。如此，附圖中所繪示的區域本質上可以是示意性的，並且這些區域的形狀可以不反映裝置的區域的實際形狀，因此，其不應為對本發明的限制。
除非另有定義，本文中所使用的所有術語(包含技術及科學術語)具有與本揭露內容所屬的領域具有通常知識者的通常理解相同的含意。術語， 例如在常用字典中定義的術語，應被解釋為具有與相關領域中的術語一致的含義，並且不應以理想化或過於正式的解釋，除非在本文中另有明確的定義。
在下文中，將參照附圖詳細說明例示性實施例。
第1圖為根據本發明的例示性實施例構成的有機發光二極體顯示裝置的平面圖；第2A圖為用於解釋包含在第1圖中的有機發光二極體顯示裝置中的可以為導線形式的第一及第二電源供應線的平面圖；第2B圖為用於解釋具有包含在第2A圖中的有機發光二極體顯示裝置中的第二電源供應線的一個例子的平面圖；第2C圖為繪示具有包含在第2A圖中的有機發光二極體顯示裝置中的第二電源供應線的另一個例子的平面圖；第2D圖為繪示具有包含在第2A圖中的有機發光二極體顯示裝置中的第二電源供應線的又一個例子的平面圖；第3A圖為用於解釋設置在第2A圖中的第一電源供應線上的連接圖案(connection pattern)340的平面圖；第3B圖為繪示常規的有機發光二極體顯示裝置的平面圖；第4圖為用於解釋電性連接至第1圖中的有機發光二極體顯示裝置的外部裝置的方塊圖。
參照第1圖、第2A圖、第3A圖、及第4圖，有機發光二極體(OLED)顯示裝置100可以包含第一電源供應線350、第二電源供應線390、可以為連接圖案295形式的導電圖案、墊電極470、及其相似物，並且可以包含顯示區域10、周邊區域20、及墊區域60。在此狀況下，周邊區域20可以實質上的圍繞顯示區域10，並且墊區域60可以位在周邊區域20的一側上。此外，顯示區域10可以包含複數個子像素電路區域30。在部分例示性實施例中，顯示區域10可以為從上方看時具有彎角的矩形，並且OLED顯示裝置100(或第6圖及第7圖中的基板110)也可以為從上方看時具有彎角的矩形。例如，顯示區域10可以包含相鄰於墊區域60的第一角11及面對第一角11的第二相對角12。
周邊區域20可以包含第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23。例如，周邊區域20的第一周邊區域21可以相鄰於設置在墊區域60中的墊電極470(或者可以位在相應於設置墊電極470的第一部分)，第二周邊區域22可以位在第一周邊區域21的兩側(或者周邊區域20的兩下側)，並且第三周邊區域23可以相應於不包含第一周邊區域21及第二周邊區域22的周邊區域20的剩餘部分。換句話說，第二周邊區域22可以位在相應於不設置墊電極470的墊區域60的第二部分。在此狀況下，第二部分可以位在墊區域60的第一部分的兩側。此外，第二周邊區域22可以相鄰於顯示區域10的第一角11。換句話說，第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23可以彼此不同，且可以彼此不重疊。在部分例示性實施例中，第二周邊區域22可以在OLED顯示裝置100的平面圖的縱軸方向(例如，第一方向D1或相對於第一方向D1的第二方向D2)上不與墊電極470重疊，並且可以位在周邊區域20的兩個下側。例如，周邊區域20可以具有環形形狀(annular或ring-type shape)，其相似於在平面圖中具有空心中心的跑道。
子像素電路區域30可以排列在顯示區域10上。例如，第5圖中的代表性的子像素電路SPC(例如，第6圖及第7圖中的半導體元件250)可以設置在各子像素電路區域30，並且有機發光二極體OLED(例如，第6圖及第7圖中的子像素結構200)可以設置在子像素電路SPC上。圖像可以透過子像素電路SPC及有機發光二極體OLED在顯示裝置10上顯示。
例如，第一、第二、及第三子像素電路可以設置在子像素電路區域30中。第一子像素電路可以連接至第一有機發光二極體以發出紅光，第二子像素電路可以連接至第二有機發光二極體以發出綠光，並且第三子像素電路可以連接至第三有機發光二極體以發出藍光。
在部分例示性實施例中，第一有機發光二極體可以與第一子像素電路重疊，第二有機發光二極體可以與第二子像素電路重疊，並且第三有機發光二極體可以與第三子像素電路重疊。或者，第一有機發光二極體可以與第一子像素電路的一部份及與第一子像素電路不同的其他子像素電路的一部份重疊，第二有機發光二極體可以與第二子像素電路的一部份及與第二子像素電路不同的其他子像素電路的一部份重疊，並且第三有機發光二極體可以與第三子像素電路的一部份及與第三子像素電路不同的其他子像素電路的一部份重疊。例如，第一至第三有機發光二極體可以使用具有相同大小的矩形按順序排列的RGB條紋配置(RGB stripe scheme)、包含具有相對較大面積的藍色有機發光二極體的S條紋配置(S-stripe scheme)、進一步包含白色有機發光二極體的WRGB配置、及RG-GB陣列重複排列的PenTile配置等配置進行排列。
此外，至少一個驅動電晶體、至少一個開關電晶體、至少一個電容器、及其相似物可以設置在各子像素電路區域30。在部分例示性實施例中，一個驅動電晶體(例如，第5圖中的第一電晶體TR1)及六個開關電晶體(例如，第5圖中的第二至第七電晶體TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、及TR7)、一個儲存電容器(例如，第5圖中的儲存電容器CST)、及其相似物可以設置在各子像素電路區域30中。
雖然本發明的OLED顯示裝置100已經說明為在平面圖中具有圓角的矩形，但其形狀不限定於此。例如，OLED顯示裝置100在平面圖中可以具有矩形形狀、三角形形狀、菱形形狀、多邊形形狀、圓形形狀、橢圓形形狀、或其他本領域已知的形狀。
複數個導線可以設置在周邊區域20中。例如，導線可以包含資料訊號線、閘極訊號線、發光控制訊號線、閘極初始化訊號線、初始化電壓線、電源供應線等。導線可以從周邊區域20延伸至顯示區域10，並且可以電性連接 至子像素電路SPC及有機發光二極體OLED。進一步來說，閘極驅動器、資料驅動器、及其相似物可以設置在周邊區域20中。
如第2A圖及的3A圖所示，第一電源供應線350可以設置在周邊區域20的一部分中。換句話說，第一電源供應線350可以設置在第二周邊區域22、第三周邊區域23、及第一周邊區域21的一部分中。第一電源供應線350可以具有大致上的鉤形(具有下部開口的環)。在部分例示性實施例中，第一電源供應線350在第二周邊區域22中可以具有第一寬度W1，並且在第三周邊區域23中可以具有小於第一寬度W1的第二寬度W2。第一電源供應線350可以電性連接至第一周邊區域21中的墊電極470。例如，第一電源供應線350可以電性連接至墊電極470中最外側的墊電極470。低電源供應電壓可以施加至第一電源供應線350，並且低電源供應電壓可以透過連接圖案295提供至陰極電路(例如，第6圖及的7圖中的上電極340)。
雖然第一電源供應線350在第2A圖中為了方便繪示為單一條導線，但第一電源供應線350可以為彼此重疊的至少兩條導線。換句話說，第一電源供應線350可以具有至少兩條導線堆疊的結構(例如，第6圖及第7圖中的第一子電源供應線351及第二子電源供應線352)。
此外，第二電源供應線390可以設置在顯示區域10及周邊區域20的一部分中。換句話說，第二電源供應線390可以設置在顯示區域10、第一周邊區域21、及第三周邊區域23的一部分中。第二電源供應線390可以設置在第一周邊區域21中的第一電源供應線350的末端之間，以電性連接至墊電極470，且在顯示區域10的一部分中可以具有晶格狀，並且可以與第一電源供應線350的內側隔開。在此情況中，設置在第一周邊區域21中的第二電源供應線390的一部分定義為第一部分，設置在顯示區域10中的第二電源供應線390的一部分定義為第二部分，第二電源供應線390圍繞第二部分的一部分定義為第三部分。第一、第二、 及第三部分可以彼此形成為一體。第二電源供應線390的第一及第二部分可以在相鄰於顯示區域10與周邊區域20之間的邊界的第一周邊區域21中彼此連接，並且第二電源供應線390的第二及第三部分可以在相鄰於顯示區域10與周邊區域20之間的邊界的第三周邊區域23中彼此連接。在部分例示性實施例中，第二電源供應線390的第三部分可以不設置在第二周邊區域22中。換句話說，第二電源供應線390的第三部分不設置在第二周邊區域22中，因此位在顯示區域10下端的第二電源供應線390的第二部分可以不直接連接至第二電源供應線390的第三部分。相應的，第二電源供應線390不設置在第二周邊區域22中，因此第一電源供應線350可以具有相對較寬的第一寬度W1設置在第二周邊區域22中。第二電源供應線390可以電性連接至第一周邊區域21中的墊電極470。例如，第二電源供應線390可以電性連接至墊電極470之中夾在電性連接至第一電源供應線350的墊電極470之間的墊電極470，高電源供應電壓可以施加至第二電源供應線390，並且高電源供應電壓可以提供至陽極電極(例如，第6圖及第7圖中的下電極290)。
雖然第二電源供應線390在第2A圖中為了方便繪示為單一條導線，但第二電源供應線390可以為彼此重疊的至少兩條導線。換句話說，第二電源供應線390可以具有至少兩條導線堆疊的結構。
在另一實施例中，如第2B圖所示，第二電源供應線390可以設置在顯示區域10及周邊區域20的一部分中。換句話說，第二電源供應線390可以設置在顯示區域10、第一周邊區域21、及第三周邊區域23的一部分中。第二電源供應線390可以設置在第一周邊區域21中的第一電源供應線350的末端之間，以電性連接至墊電極470，且在顯示區域10的一部分中可以具有晶格狀，並且可以與第三周邊區域23中的第一電源供應線350的內側隔開。在此情況中，設置在第一周邊區域21中的第二電源供應線390的一部分定義為第一部分，設置在顯示區域10中的第二電源供應線390的一部分定義為第二部分，第二電源供應線390圍 繞第二部分的一部分定義為第三部分。第一、第二、及第三部分可以彼此形成可以彼此形成為一體。在部分例示性實施例中，位在顯示區域10的一個部份(例如，顯示區域10的下端)中的第二部分可以具有晶格狀，並且位在顯示區域10的其餘部份(例如，顯示區域10的中心及上端)中的第二部分可以具有在平面圖中的方向D1上彼此隔開並沿方向D3延伸的縱向桿為特徵的形狀。第二電源供應線390的第一及第二部分可以在相鄰於顯示區域10與周邊區域20之間的邊界的第一周邊區域21中彼此連接，並且第二電源供應線390的第二及第三部分可以在相鄰於顯示區域10與周邊區域20之間的邊界的第三周邊區域23中彼此連接。在部分例示性實施例中，第二電源供應線390的第三部分可以不設置在第二周邊區域22中。換句話說，第二電源供應線390的第三部分不設置在第二周邊區域22中，因此位在顯示區域10下端的第二電源供應線390的第二部分可以不直接連接至第二電源供應線390的第三部分。
雖然第二電源供應線390在第2B圖中為了方便繪示為單一條導線，但第二電源供應線390可以為彼此重疊的至少兩條導線。換句話說，第二電源供應線390可以具有至少兩條導線堆疊的結構。
在再另一例示性實施例中，如第2C圖所示，在第2C圖中的第二電源供應線390可以相較於第2A圖設置在第一角11。位在第一角11的第二電源供應線390可以沿著顯示區域10與第二周邊區域22之間的邊界設置。換句話說，第二電源供應線390可以設置在顯示區域10的一部分中及第二周邊區域22的一部分中。例如，位在相鄰於第一角11的顯示區域10中，由於第一角11具有彎曲的形狀，子像素電路區域30(或子像素)可以以階梯狀排列，並且可以在子像素電路區域30及顯示區域10與第二周邊區域22之間的邊界之間形成一空間。換句話說，第二電源供應線390可以設置在此空間中，並且可以與第二周邊區域22中的第一電源供應線350向內(例如，從周邊區域20到顯示區域10的方向上)隔開。
在又另一例示性實施例中，如第2D圖所示，在第2D圖中的第二電源供應線390可以相較於第2B圖設置在第一角11。位在第一角11的第二電源供應線390可以沿著顯示區域10與第二周邊區域22之間的邊界設置。換句話說，第二電源供應線390可以設置在顯示區域10的一部分中及第二周邊區域22的一部分中。例如，位在相鄰於第一角11的顯示區域10中，由於第一角11具有彎曲的形狀，子像素電路區域30(或子像素)可以以階梯狀排列，並且可以在子像素電路區域30及顯示區域10與第二周邊區域22之間的邊界之間形成一空間。換句話說，第二電源供應線390可以設置在此空間中，並且可以與第二周邊區域22中的第一電源供應線350向內(例如，在從周邊區域20到顯示區域10的方向上)隔開。
再次參照第2A圖及第3A圖，連接圖案295可以設置在第一電源供應線350上的第一周邊區域21的一部分、第二周邊區域22、及第三周邊區域23。在部分例示性實施例中，連接圖案295可以具有帶有較低開口的環形形狀。換句話說，第一電源供應線350的末端可以對齊連接圖案295的末端。此外，具有小於第一電源供應線350的寬度的連接圖案295可以與第二周邊區域22中的第一電源供應線350重疊，並且可以與第二電源供應線390的第三部分及第三周邊區域23中的第一電源供應線350重疊。或者，連接圖案295的寬度可以等同於或大於第二周邊區域22中的第一電源供應線350的寬度，並且具有等同於或大於第一電源供應線350的寬度的連接圖案295可以不與第三周邊區域23中的第二電源供應線390的第三部分重疊。低電源供應電壓可以從第一電源供應線350施加至連接圖案295，並且低電源供應電壓可以提供至陰極電極(例如，第6圖及第7圖中的上電極340)。
例如，在第3B圖中繪示的常規的有機發光二極體顯示裝置中第一電源供應線1350及第二電源供應線1390可以一起設置在周邊區域20中。換句話說，第二電源供應線1390的第二部分可以設置在第一周邊區域21的一部分及第 二周邊區域22中。因此，第一電源供應線1350在第一周邊區域21的一部分中及第二周邊區域22中可以具有相對減少的寬度。換句話說，第一電源供應線1350在周邊區域20中可以具有實質上相同的寬度(第二寬度W2)。當常規的有機發光二極體顯示裝置以高亮度驅動時，電流可能集中至設置在第一周邊區域21的一部分中及第二周邊區域22中第一電源供應線1350，從而提高溫度(例如，熱生成)。在此狀況下，第一電源供應線1350可能發生短路，或者位在第一電源供應線1350周圍的絕緣層可能因熱生成而變形。換句話說，由於發生在第二周邊區域22的第一電源供應線1350的熱生成，常規的OLED顯示裝置可能變得具有缺陷。
在本發明的部分例示性實施例中，第一電源供應線350及連接圖案295在第一周邊區域21的一部分中及第二周邊區域22中具有相對較寬的寬度，因此在OLED顯示裝置100中，位在第一周邊區域21的一部分中及第二周邊區域22中的第一電源供應線350的所產生的熱可以相對減少。例如，當產生熱的部分的面積增加，由於所產生的熱分佈在更大的面積，因此其溫度可以相對降低。
再次參照第1圖、第2圖、第3A圖、及第4圖，電性連接至外部裝置101的墊電極470可以設置在墊區域60。此外，連接電極可以設置在墊電極470與第一電源供應線350及第二電源供應線390之間。例如，連接電極可以電性連接墊電極470至各第一電源供應線350及第二電源供應線390。或者，各第一電源供應線350及第二電源供應線390的末端可以直接連接至墊電極470。
如第4圖所示，外部裝置101可以透過可撓性印刷電路板或印刷電路板電性連接至OLED顯示裝置100。例如，可撓性印刷電路板的一側可以直接接觸墊電極470，並且可撓性印刷電路板的另一側可以直接接觸外部裝置101。外部裝置101可以提供資料訊號、閘極訊號、發光控制訊號、閘極初始化訊號、 初始化電壓、高電源供應電壓、低電源供應電壓、及其相似物至OLED顯示裝置100。在部分例示性實施例中，低電源供應電壓(例如，第5圖中的低電源供應電壓ELVSS)可以從外部裝置101產生，並且低電源供應電壓可以透過可撓性印刷電路板、墊電極470、及連接電極提供至第一電源供應線350。此外，高電源供應電壓(例如，第5圖中的高電源供應電壓ELVDD)可以從外部裝置101產生，並且高電源供應電壓可以透過可撓性印刷電路板、墊電極470、及連接電極提供至第二電源供應線390。進一步來說，驅動整合電路可以安裝在可撓性印刷電路板上。在其他例示性實施例中，驅動整合電路可以安裝在相鄰於墊電極470的OLED顯示裝置100上。
第5圖為繪示設置在第1圖中的子像素電路區域中的子像素電路以及設置在子像素電路上的有機發光二極體OLED的電路圖。
參照第5圖，子像素電路SPC及有機發光二極體OLED(例如，第6圖及第7圖中的子像素結構200)可以設置在OLED顯示裝置100的各子像素電路區域30中，並且子像素電路SPC可以包含第一至第七電晶體TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、及TR7(例如，第6圖及第7圖中的半導體元件250)、儲存電容器CST、高電源供應電壓ELVDD的導線(例如，第2圖及第3圖中的第二電源供應線390)、低電源供應電壓ELVSS的導線(例如，第2圖及第3圖中的第一電源供應線350)、初始化電壓VINT的導線、資料訊號DATA的導線、閘極訊號GW的導線、閘極初始化訊號GI的導線、發光控制訊號EM的導線、二極體初始化訊號GB的導線等。如上所述，第一電晶體TR1可以相應於驅動電晶體，第二至第七電晶體TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、及TR7可以相應於開關電晶體。各第一至第七電晶體TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、及TR7可以包含第一端子、第二端子、通道、及閘極端子。在部分例示性實施例中，第一端子可以為源極端子，並且 第二端子可以為汲極端子。或者，第一端子可以為汲極端子，並且第二端子可以為源極端子。
有機發光二極體OLED可以根據驅動電流ID輸出光。有機發光二極體OLED可以包含第一端子及第二端子。在部分例示性實施例中，有機發光二極體OLED的第二端子可以提供低電源供應電壓ELVSS，且有機發光二極體OLED的第一端子可以提供高電源供應電壓ELVDD。例如，有機發光二極體OLED的第一端子可以為陽極端子，並且有機發光二極體OLED的第二端子可以為陰極端子。或者，有機發光二極體OLED的第一端子可以為陰極端子，且有機發光二極體OLED的第二端子可以為陽極端子。在部分例示性實施例中，有機發光二極體OLED的陽極端子可以相應於第6圖中的下電極290，並且有機發光二極體OLED的陰極端子可以相應於第6圖中的上電極340。
第一電晶體TR1可以產生驅動電流ID。在部分例示性實施例中，第一電晶體TR1可以在飽和區域運作。在此狀況下，第一電晶體TR1可以根據閘極端子與源極端子之間的電壓差以產生驅動電流ID。此外，可以基於提供至有機發光二極體OLED的驅動電流ID的大小以表示灰度。或者，第一電晶體TR1可以在線性區域運作。在此狀況下，可以根據在一幀內將驅動電流ID提供至有機發光二極體OLED的時間之和以表示灰度。
第二電晶體TR2的閘極端子可以提供閘極訊號GW。第二電晶體TR2的第一端子可以提供資料訊號DATA。第二電晶體TR2的第二端子可以連接至第一電晶體TR1的第一端子。例如，閘極驅動器可以提供閘極訊號GW，且閘極訊號GW可以透過閘極訊號GW的導線施加至的第二電晶體TR2的閘極端子。在閘極訊號GW的活化期間，第二電晶體TR2可以提供資料訊號DATA至第一電晶體TR1的第一端子。在此狀況下，第二電晶體TR2可以在線性區域運作。
第三電晶體TR3的閘極端子可以提供閘極訊號GW。第三電晶體TR3的第一端子可以連接至第一電晶體TR1的閘極端子。第三電晶體TR3的第二端子可以連接至第一電晶體TR1的第二端子。例如，閘極驅動器可以提供閘極訊號GW，並且閘極訊號GW可以透過閘極訊號GW的導線施加至第三電晶體TR3的閘極端子。在閘極訊號GW的活化期間，第三電晶體TR3可以連接第一電晶體TR1的閘極端子至第一電晶體TR1的第二端子。在此狀況下，第三電晶體TR3可以在線性區域運作。換句話說，在閘極訊號GW的活化期間，第三電晶體TR3可以二極體連接(diode-connect)至第一電晶體TR1。由於第一電晶體TR1以二極體連接，第一電晶體TR1的第一端子與第一電晶體TR1的閘極端子之間的電壓差可以等同於第一電晶體TR1的閾電壓。因此，在閘極訊號GW的活化期間，可以透過將電壓差(即，閾電壓)與提供至第一電晶體TR1的第一端子的資料訊號DATA的電壓相加而獲得的電壓提供至第一電晶體TR1的閘極端子。換句話說，資料訊號DATA可以補償等同於第一電晶體TR1的閾電壓，並且補償的資料訊號DATA可以提供至第一電晶體TR1的閘極端子。透過執行閾電壓的補償，可以解決由第一電晶體TR1的閾電壓偏差所引起的驅動電流不均勻的問題。
提供初始化電壓VINT的初始化電壓線的輸入端子可以連接至第四電晶體TR4的第一端子及第七電晶體TR7的第一端子，並且初始化電壓線的輸出端子可以連接至第四電晶體TR4的第一端子及儲存電容器CST的第一端子。
第四電晶體TR4的閘極端子可以提供閘極初始化訊號GI。第四電晶體TR4的第一端子可以提供初始化電壓VINT。第四電晶體TR4的第二端子可以連接至第一電晶體TR1的閘極端子。
在閘極初始化訊號GI的活化期間，第四電晶體TR4可以提供初始化電壓VINT至第一電晶體TR1的閘極端子。在此狀況下，第四電晶體TR4可以在線性區域運行。換句話說，在閘極初始化訊號GI的活化期間，第四電晶體TR4 可以初始化第一電晶體TR1的閘極端子至初始化電壓VINT。在部分例示性實施例中，初始化電壓VINT的電壓位準可以充分的低於在前一幀中由儲存電容器CST維持的資料訊號DATA的電壓位準，且初始化電壓VINT可以提供至第一電晶體TR1的閘極端子。在另一例示性實施例中，初始化電壓VINT的電壓位準可以充分的高於在前一幀中由儲存電容器CST維持的資料訊號DATA的電壓位準，且初始化電壓VINT可以提供至第一電晶體TR1的閘極端子。
在部分例示性實施例中，閘極初始化訊號GI可以為實質上與在一個水平時間之前傳輸的閘極訊號GW相同的訊號。例如，提供至OLED顯示裝置100所包含的子像素電路中的第n列(其中n為2或更大的整數)子像素電路的閘極初始化訊號GI可以為實質上與提供至子像素電路中的第n-1列子像素電路的閘極訊號GW相同的訊號。換句話說，透過提供活化的閘極訊號GW至子像素電路SPC中的第n-1列子像素電路中的第一子像素電路，可以提供活化的閘極初始化訊號GI至子像素電路SPC中的第n列子像素電路中的第一子像素電路。因此，當包含在子像素電路SPC中的第n列子像素電路中的子像素電路中的第一電晶體TR1的閘極端子被初始化電壓VINT初始化時，資料訊號DATA可以提供至子像素電路SPC中的第n-1列子像素電路中的子像素電路。
第五電晶體TR5的閘極端子可以提供發光控制訊號EM。第五電晶體TR5的第一端子可以連接至高電源供應電壓ELVDD的導線。第五電晶體TR5的第二端子可以連接至第一電晶體TR1的第一端子。例如，發光控制訊號EM可以由發光控制驅動器提供，且發光控制訊號EM可以透過發光控制訊號EM的導線施加至第五電晶體TR5的閘極端子。在發光控制訊號EM的活化期間，第五電晶體TR5可以提供高電源供應電壓ELVDD至第一電晶體TR1的第一端子。相反的，在發光控制訊號EM的非活化期間，第五電晶體TR5可以停止提供高電源供應電壓ELVDD。在此狀況下，第五電晶體TR5可以在線性區域運行。在發光控 制訊號EM的活化期間，第五電晶體TR5提供高電源供應電壓ELVDD至第一電晶體TR1的第一端子，因此第一電晶體TR1可以產生驅動電流ID。此外，在發光控制訊號EM的非活化期間，第五電晶體TR5停止提供高電源供應電壓ELVDD，因此提供至第一電晶體TR1的第一端子的資料訊號DATA可以提供至第一電晶體TR1的閘極端子。
第六電晶體TR6的閘極端子(例如，第6圖中的半導體元件)可以提供發光控制訊號EM。第六電晶體TR6的第一端子可以連接至第一電晶體TR1的第二端子。第六電晶體TR6的第二端子可以連接至有機發光二極體OLED的第一端子。在發光控制訊號EM的活化期間，第六電晶體TR6可以提供第一電晶體TR1產生的驅動電流ID至有機發光二極體OLED。在此狀況下，第六電晶體TR6可以在線性區域運行。換句話說，在發光控制訊號EM的活化期間，第六電晶體TR6提供第一電晶體TR1產生的驅動電流ID至有機發光二極體OLED，因此有機發光二極體OLED可以輸出光。此外，在發光控制訊號EM的非活化期間，第六電晶體TR6電性隔離第一電晶體TR1與有機發光二極體OLED因此提供至第一電晶體TR1的第二端子的資料訊號DATA(更精確的說，已受到閾電壓補償的資料訊號)可以提供至第一電晶體TR1的閘極端子。
第七電晶體TR7的閘極端子可以提供二極體初始化訊號GB。第七電晶體TR7的第一端子可以提供初始化電壓VINT。第七電晶體TR7的第二端子可以連接至有機發光二極體OLED的第一端子。在二極體初始化訊號GB的活化期間，第七電晶體TR7可以提供初始化電壓VINT至有機發光二極體OLED的第一端子。在此狀況下，第七電晶體TR7可以在線性區域運行。換句話說，在二極體初始化訊號GB的活化期間，第七電晶體TR7可以初始化有機發光二極體OLED的第一端子至初始化電壓VINT。
或者，閘極初始化訊號GI及二極體初始化訊號GB可以為實質上彼此相同的訊號。初始化第一電晶體TR1的閘極端子的操作及初始化有機發光二極體OLED的第一端子的操作可不互相影響。換句話說，初始化第一電晶體TR1的閘極端子的操作及初始化有機發光二極體OLED的第一端子的操作可以為彼此獨立的。相應的，由於二極體初始化訊號GB不是單獨產生的，因此可以提高此製程的經濟效率。
儲存電容器CST可以包含第一端子及第二端子。儲存電容器CST可以連接至高電源供應電壓ELVDD的導線與第一電晶體TR1的閘極端子之間。例如，儲存電容器CST的第一端子可以連接至第一電晶體TR1的閘極端子，並且儲存電容器CST的第二端子可以連接至高電源供應電壓ELVDD的導線。在閘極訊號GW的活化期間，儲存電容器CST可以維持第一電晶體TR1的閘極端子的電壓位準。在閘極訊號GW的非活化期間可以包含發光控制訊號EM的活化期間，並且在發光控制訊號EM的活化期間，第一電晶體TR1產生的驅動電流ID可以提供至有機發光二極體OLED。因此，第一電晶體TR1產生的驅動電流ID可以根據儲存電容器CST維持的電壓位準提供至有機發光二極體OLED。
雖然子像素電路SPC已經說明為包含七個電晶體及一個儲存電容器，但本發明的例示性實施例的構造不限定於此。例如，子像素電路SPC可以具有包含至少一個電晶體及至少一個儲存電容器的構造。
第6圖為沿第3A圖中的線I-I'截取的截面圖，且第7圖為沿第3A圖中的線II-II'截取的截面圖。
參照第6圖及第7圖，OLED顯示裝置100可以包含基板110、緩衝層115、半導體元件250、保護絕緣層400、第一電源供應線350、第一平坦化層270、導線圖案215、連接電極235、第二平坦化層275、像素定義層310、子像素結構200、覆蓋層345、阻擋結構370、薄膜封裝層450等。在此狀況下，半導體 元件250可以包含活化層130、閘極絕緣層150、第一閘極電極170、第一絕緣中間層190、第二閘極電極175、第二絕緣中間層195、源極電極210、及汲極電極230，並且第一電源供應線350可以包含第一子電源供應線351及第二子電源供應線352。此外，阻擋結構370可以包含第一阻擋圖案371及第二阻擋圖案372，並且子像素結構200可以包含下電極290、發光層330、及上電極340。進一步來說，薄膜封裝層450可以包含第一薄膜封裝層451、第二薄膜封裝層452、及第三薄膜封裝層453。
基板110可以提供包含透明或不透明的材料。基板110可以透過使用可撓性透明樹脂基板形成。在部分例示性實施例中，基板110可以具有第一有機層、第一阻擋層、第二有機層、及第二阻擋層依序堆疊的構造。第一阻擋層及第二阻擋層可以包含無機材料，例如，氧化矽，並且可以阻擋濕氣及/或濕度穿透第一及第二有機層。此外，第一有機層及第二有機層可以包含有機材料，例如，聚醯亞胺樹脂，並且可以具有可撓性。
因為基板110為薄且可撓的，基板110可以形成在剛性玻璃基板上以支持半導體元件250及子像素結構200的形成。例如，在設置緩衝層115至第二阻擋層上之後，半導體元件250及子像素結構200可以形成在緩衝層115上。在半導體元件250及子像素結構200形成之後，玻璃基板可以移除。換句話說，由於基板110的可撓的物理特性，因此很難直接在基板110上形成半導體元件250及子像素結構200。考慮到以上幾點，在使用剛性玻璃基板形成半導體元件250及子像素結構200之後移除玻璃基板，因此第一有機層、第一阻擋層、第二有機層、及第二阻擋層可以作為基板110。
由於OLED顯示裝置100如第6圖及第7圖所示包含顯示區域10，以及包含第一周邊區域21、第二周邊區域22、第三周邊區域23、及墊區域60的周 邊區域20，基板110也可以分成顯示區域10、第一周邊區域21、及第二周邊區域22(參照第1圖)。
或者，基板110可以包含石英基板、人造石英基板、氟化鈣基板、氟摻雜石英基板(F-dopedquartzsubstrate)、鈉鈣玻璃基板、無鹼玻璃基板等。
雖然基板110被說明為具有四個層，但例示性實施例的構造不限定於此。例如，在其他例示性實施例中，基板110可以包含單一層或複數層。
緩衝層115可以設置在基板110上。在部分例示性實施例中，緩衝層115可以設置在整個基板110上的顯示區域10及第二周邊區域22中(例如，周邊區域20)。緩衝層115可以防止金屬原子或雜質從基板110擴散到半導體元件250中，並且可以控制用於形成活化層130的結晶過程的熱傳導速率以獲得實質上均勻的活化層130。此外，當基板110的表面不均勻時，緩衝層115可用於改善基板110的表面的平坦度。根據基板110的種類，可以提供至少兩個緩衝層115至基板110上，或者可以不提供緩衝層115至基板110上。緩衝層115可以包含矽化合物、金屬氧化物等。例如，緩衝層115可以包含氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、碳氧化矽(SiOxCy)、碳氮化矽(SiCxNy)、氧化鋁(AlOx)、氮化鋁(AlNx)、氧化鉭(TaOx)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋯(ZrOx)、氧化鈦(TiOx)等。
活化層130可以設置在緩衝層115上的顯示區域10中。活化層130可以包含氧化半導體、無機半導體(例如，非晶矽或多晶矽)、有機半導體等。活化層130可以具有源極區域、汲極區域、及位在源極區域與汲極區域之間的通道區域。
閘極絕緣層150可以設置在活化層130上。閘極絕緣層150可以覆蓋緩衝層115上的顯示區域中的活化層130，並且可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸。例如，閘極絕緣層150可以充分的覆蓋緩衝層115上的活化 層130，並且可以具有實質上平坦的頂面，而不需在活化層130的周圍形成階梯。或者，閘極絕緣層150可以覆蓋緩衝層115上的活化層130，同時沿著活化層130的輪廓以均勻的厚度設置，或者可以設置在整個緩衝層115上的顯示區域10及第二周邊區域22中。閘極絕緣層150可以包含矽化合物、金屬氧化物等。在其他例示性實施例中，閘極絕緣層150可以具有包含複數個具有彼此不同的材料的絕緣層的多層結構。
第一閘極電極170可以設置在閘極絕緣層150上的顯示區域10中。第一閘極電極170可以設置在閘極絕緣層150的位在活化層130下方的一部分(例如，與活化層130的通道區域重疊)上。第一閘極電極170可以包含金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，第一閘極電極170可以具有包含複數個層的多層結構。
第一絕緣中間層190可以設置在第一閘極電極170上。第一絕緣中間層190可以覆蓋閘極絕緣層150上的顯示區域10中的第一閘極電極170，並且可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸。例如，第一絕緣中間層190可以充分的覆蓋閘極絕緣層150上的第一閘極電極170，並且可以具有實質上平坦的頂面，而不需在活化層130的周圍形成階梯。或者，第一絕緣中間層190可以覆蓋閘極絕緣層150上的第一閘極電極170，並且可以沿著第一閘極電極170的輪廓以均勻的厚度設置。第一絕緣中間層190可以包含矽化合物、金屬氧化物等。在其他例示性實施例中，第一絕緣中間層190可以具有包含複數個具有彼此不同的材料的絕緣層的多層結構。
第二閘極電極175可以設置在第一絕緣中間層190上的顯示區域10中。第二閘極電極175可以設置位在第一閘極電極170下方的第一絕緣中間層190的一部分上。或者，第一閘極電極170及第二閘極電極175可以作為第5圖中 的儲存電容器CST。第二閘極電極175可以包含金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，第二閘極電極175可以具有包含複數個層的多層結構。
第二絕緣中間層195可以設置在第二閘極電極175上。第二絕緣中間層195可以覆蓋在第一絕緣中間層190上的顯示區域10中的第二閘極電極175，並且可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸。例如，第二絕緣中間層195可以充分的覆蓋第一絕緣中間層190上的第二閘極電極175，並且可以具有實質上平坦的頂面，而不需在第二閘極電極175的周圍形成階梯。或者，第二絕緣中間層195可以覆蓋第一絕緣中間層190上的第二閘極電極175，並且可以沿著第二閘極電極175的輪廓以均勻的厚度設置。第二絕緣中間層195可以包含包含矽化合物、金屬氧化物等。在其他例示性實施例中，第一絕緣中間層190可以具有包含複數個具有彼此不同的材料的絕緣層的多層結構。
源極電極210及汲極電極230可以設置在第二絕緣中間層195上的顯示區域10中。源極電極210可以透過移除閘極絕緣層150的第一部分、第一絕緣中間層190、及第二絕緣中間層195形成的接觸孔連接至活化層130的源極區域，並且汲極電極230可以透過移除閘極絕緣層150的第二部分、第一絕緣中間層190、及第二絕緣中間層195形成的接觸孔連接至活化層130中的汲極區域。各源極電極210及汲極電極230可以包含金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，各源極電極210及汲極電極230可以具有包含複數個層的多層結構。
相應的，包含活化層130、閘極絕緣層150、第一閘極電極170、第一絕緣中間層190、第二閘極電極175、第二絕緣中間層195、源極電極210、及汲極電極230的半導體元件250可以以上述的構造提供。
雖然半導體元件250已經被說明為具有頂閘極結構，但例示性實施例的構造不限定於此。例如，半導體元件250可以具有底閘極結構。
此外，雖然OLED顯示裝置100已經被說明為包含一個半導體元件，但例示性實施例的構造不限定於此。例如，OLED顯示裝置100可以包含至少一個半導體元件及至少一個儲存電容器。
雖然第6圖中的半導體元件250及第7圖中的半導體元件250為了便於說明，而假定具有相同的元件符號，但第6圖中的半導體元件250及第7圖中的半導體元件250可以彼此不相同。換句話說，第6圖中的半導體元件250可以為設置在相鄰於第二周邊區域22的顯示區域10中的半導體元件，並且第7圖中的半導體元件250可以為設置在相鄰於第一周邊區域21的顯示區域10中的半導體元件。
第一子電源供應線351可以設置在第二絕緣中間層195上的第一周邊區域21、第二周邊區域22、第三周邊區域23的一部分中(參照第2圖)。第一子電源供應線351可以具有大致上的帶有較低開口的環形形狀。在部分例示性實施例中，第一子電源供應線351在第一周邊區域21及第二周邊區域22的一部分中可以具有第一寬度W1，並且可以在第三周邊區域23中具有小於第一寬度W1的第二寬度W2。換句話說，第一子電源供應線351在第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23中可以具有不同的寬度。
第一子電源供應線351可以電性連接至第2圖中第一周邊區域21中的墊電極470。例如，第一子電源供應線351可以電性連接至墊電極470中最外側的墊電極470。第5圖中的低電源供應電壓ELVSS可以透過連接圖案295提供至上電極340。第一子電源供應線351可以包含金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，第一子電源供應線351可以包含金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻 (Cr)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈧(Sc)、釹(Nd)、銥(Ir)、含鋁合金、氮化鋁(AlNx)、含銀合金、氮化鎢(WNx)、含銅合金、含鉬合金、氮化鈦(TiNx)、氮化鉻(CrNx)、氮化鉭(TaNx)、氧化鍶釕(SrRuxOy)、氧化鋅(ZnOx)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化銦鋅(IZO)等。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。或者，第一子電源供應線351可以具有包含複數個層的多層結構。在部分例示性實施例中，源極電極210、汲極電極230、及第一子電源供應線351可以彼此位在同一層上。
保護絕緣層400可以設置在第二絕緣中間層195、源極電極210及汲極電極230、及第一子電源供應線351上。保護絕緣層400可以在第二絕緣中間層195上的顯示區域10中覆蓋源極電極210及汲極電極230，並且可以在第二絕緣中間層195上的第二周邊區域22中覆蓋第一子電源供應線351。在部分例示性實施例中，保護絕緣層400可以具有第一開口401及第二開口402以暴露在周邊區域20(或第一周邊區域21及第二周邊區域22)中的第一子電源供應線351的一部分。第二子電源供應線352可以透過第一開口401及第二開口402連接至第一子電源供應線351。此外，保護絕緣層400可以具有開口以暴露顯示區域10中的汲極電極230的一部分。連接電極235可以透過顯示區域10中的開口連接至汲極電極230。例如，保護絕緣層400可以充分的覆蓋第二絕緣中間層195上的源極電極210及汲極電極230以及第一子電源供應線351，並且可以具有實質上平坦的頂面，而不需在源極電極210及汲極電極230以及第一子電源供應線351的周圍形成階梯。或者，保護絕緣層400可以覆蓋第二絕緣中間層195上的源極電極210及汲極電極230以及第一子電源供應線351，並且可以沿著源極電極210及汲極電極230以及第一子電源供應線351的輪廓以均勻的厚度設置。保護絕緣層400包含矽化合物、金屬氧化物等。在其他例示性實施例中，保護絕緣層400可以具有包含複數個具有彼此不同的材料的絕緣層的多層結構。
第一平坦化層270可以設置在保護絕緣層400上。第一平坦化層270可以設置在保護絕緣層400上的顯示區域10及周邊區域20的一部分中(例如，第一周邊區域21的一部分及及第二周邊區域22的一部分)。換句話說，第一平坦化層270可以覆蓋在顯示區域10中的保護絕緣層400，同時可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以暴露在周邊區域20中的保護絕緣層400的第一開口401及第二開口402。換句話說，第一平坦化層270可以從顯示區域10延伸至周邊區域20以覆蓋第一開口401的至少一部份。例如，第一平坦化層270可以具有相對較厚的厚度，在此狀況下，第一平坦化層270可以具有實質上平坦的頂面。可以在第一平坦化層270上額外執行平坦化製程，以實現第一平坦化層270的平坦的頂面。或者，第一平坦化層270可以沿著保護絕緣層400的輪廓以均勻的厚度設置在保護絕緣層400上。第一平坦化層270可以以有機材料或無機材料形成。在部分例示性實施例中，第一平坦化層270可以包含有機材料。例如，第一平坦化層270可以包含光阻劑、聚丙烯酸酯樹脂、聚酰亞胺基樹脂、聚酰胺樹脂、矽氧烷樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂等。
導線圖案215及連接電極235可以設置在第一平坦化層270上的顯示區域10中。導線圖案215可以傳輸閘極訊號、資料訊號、發光訊號、初始化訊號、電源供應電壓等。連接電極235可以在第一平坦化層270上的顯示區域10中與導線圖案215隔開。連接電極235可以透過移除位在顯示區域10中的第一平坦化層270的一部分形成的接觸孔連接至汲極電極230，並且連接電極235可以電性連接下電極290至汲極電極230。或者，連接電極235可以不連接至汲極電極230，並且可以透過在另一個截面圖中的OLED顯示裝置100的接觸孔電性連接半導體元件250至另一個半導體元件。各導線圖案215及連接電極235可以包含金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。這些材料可以單獨 使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，各導線圖案215及連接電極235可以具有包含複數個層的多層結構。
第二子電源供應線352可以設置在第一平坦化層270上的周邊區域20中。第二子電源供應線352可以具有大致上的帶有較低開口的環形形狀。在部分例示性實施例中，第二子電源供應線352在第一周邊區域21及第二周邊區域22的一部分中可以具有第一寬度W1，並且在第三周邊區域23中可以具有小於第一寬度W1的第二寬度W2。換句話說，第二子電源供應線352在第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23中可以具有不同的寬度。
第二子電源供應線352可以透過在第一周邊區域21及第二周邊區域22中的第一開口401直接接觸第一子電源供應線351，並且可以透過第二開口402直接接觸第一子電源供應線351。此外，第二子電源供應線352在第一周邊區域21及第二周邊區域22中的第一開口401與第二開口402之間(參照第12圖)可以具有開口以暴露保護絕緣層400的頂面。或者，第二子電源供應線352可以在第一周邊區域21及第二周邊區域22中連續的設置而不具有開口。
第二子電源供應線352可以電性連接至第2圖中第一周邊區域21中的墊電極470。例如，第二子電源供應線352可以電性連接至墊電極470中最外側的墊電極470。低電源供應電壓ELVSS可以透過第一子電源供應線351施加至第二子電源供應線352，並且低電源供應電壓ELVSS可以透過連接圖案295提供至上電極340。第二子電源供應線352可以包含金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。或者，第二子電源供應線352可以具有包含複數個層的多層結構。在部分例示性實施例中，導線圖案215、連接電極235、及第二子電源供應線352可以彼此位在同一層上。
相應的，包含第一子電源供應線351及第二子電源供應線352的第一電源供應線350可以以上述的構造提供。
雖然第一電源供應線350已經被說明為包含第一子電源供應線351及第二子電源供應線352，但例示性實施例的構造不限定於此。例如，第一電源供應線350可以具有僅包含第一子電源供應線351的構造、或僅包含第二子電源供應線352的構造、或者含第一子電源供應線351及第二子電源供應線352，以及額外的導線的構造。
此外，雖然第一子電源供應線351及第二子電源供應線352已經被說明為在第一周邊區域21及第二周邊區域22中具有第一寬度W1，以及在第三周邊區域23中具有第二寬度，但例示性實施例的構造不限定於此。例如，在其他例示性實施例中，第一子電源供應線351及第二子電源供應線352中僅一個在第二周邊區域22中具有第一寬度W1。
第二平坦化層275可以設置在導線圖案215、連接電極235、第二子電源供應線352、及第一平坦化層270上。第二平坦化層275可以覆蓋在第一平坦化層270上的顯示區域10中的導線圖案215及連接電極235，同時可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，以覆蓋周邊區域20中的第二子電源供應線352。在部分例示性實施例中，如第6圖所示，第二平坦化層275可以具有複數個開口490以暴露在第二周邊區域22中的第二子電源供應線352的頂面。連接圖案295可以透過第二平坦化層275的開口490直接接觸第二子電源供應線352。此外，在第三周邊區域23中第一電源供應線350與連接圖案295彼此重疊的一部分中可以形成開口490。換句話說，開口490可以形成在第二平坦化層275中，以不與第一平坦化層270上的第二周邊區域22及第三周邊區域23中的發光層330重疊。或者，如第7圖所示，第二平坦化層275不具有暴露在第一周邊區域21中的 第二子電源供應線352的頂面的開口。換句話說，位在第一周邊區域21中的第二平坦化層275可以覆蓋相鄰於顯示區域10的第二子電源供應線352。
進一步來說，第二平坦化層275可以覆蓋設置在周邊區域20中的第一開口401中的第二子電源供應線352的末端。
例如，在第3B圖中繪示的常規的有機發光二極體顯示裝置中，第一電源供應線1350及第二電源供應線1390可以共同設置在周邊區域20中。換句話說，第二電源供應線1390的第二部分可以設置在第一周邊區域21以及第二周邊區域22的一部分中。因此，第一電源供應線1350在第一周邊區域21以及第二周邊區域22的一部分中可以具有相對減少的寬度。換句話說，第一電源供應線1350在周邊區域20中可以具有實質上相同的寬度。在此狀況下，第一電源供應線1350與連接圖案1295彼此重疊的部分在第一周邊區域21以及第二周邊區域22的一部分中可以相對減少。結果來說，形成在第二周邊區域22中的第二平坦化層275中的開口的數量可以相對較少。當常規的有機發光二極體顯示裝置以高亮度驅動時，電流可能集中至設置在第一周邊區域21以及第二周邊區域22的一部分中的第一電源供應線1350，從而提高溫度(例如，熱生成)。在此狀況下，第一電源供應線1350可能發生短路，或者位在第一電源供應線1350周圍的絕緣層可能因熱生成而變形。換句話說，由於發生在第二周邊區域22的第一電源供應線1350的熱生成，常規的OLED顯示裝置可能變得具有缺陷。
在本發明的部分例示性實施例中，第一電源供應線350及連接圖案295在第一周邊區域21及第二周邊區域22的一部分中具有相對較寬的寬度，因此可以形成數量相對較多的開口490以使在第二周邊區域22中的連接圖案295直接接觸第一電源供應線350。相應的，在OLED顯示裝置100中，位在第一周邊區域21及第二周邊區域22的一部分中的第一電源供應線350所生成的熱可以相對 減少。例如，連接圖案295可以具有階梯部分以定義連接至第二子電源供應線352的開口490，並且連接圖案295的表面積可以相對增加。
再次參照第6圖，第二平坦化層275可以具有相對較厚的厚度以充分的覆蓋導線圖案215、連接電極235、及第二子電源供應線352，並且在此狀況下，第二平坦化層275可以具有實質上平坦的頂面。可以在第二平坦化層275上額外執行平坦化製程，以實現第二平坦化層275的平坦的頂面。或者，第二平坦化層275可以覆蓋導線圖案215、連接電極235、及第二子電源供應線352，並且可以沿著導線圖案215、連接電極235、及第二子電源供應線352的輪廓以均勻的厚度設置。第二平坦化層275可以以有機材料或無機材料形成。在部分例示性實施例中，第二平坦化層275可以包含有機材料。
第一阻擋圖案371可以設置在保護絕緣層400及第一子電源供應線351上的周邊區域20中。第一阻擋圖案371可以與第二平坦化層275在從顯示區域10到周邊區域20的方向上隔開，並且可以覆蓋設置在第二開口402中的第二子電源供應線352的一末端。例如，第一阻擋圖案371可以沿著顯示區域10的外圍邊緣的輪廓以均勻的厚度設置。換句話說，第一阻擋圖案371可以在第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23中圍繞顯示區域10。在部分例示性實施例中，第一阻擋圖案371可以用於阻擋第二薄膜封裝層452的洩漏。第一阻擋圖案371可以包含有機材料或無機材料。在部分例示性實施例中，第一阻擋圖案371可以包含有機材料。此外，第二平坦化層275及第一阻擋圖案371的頂面可以在同一個水平面。
下電極290可以設置在第二平坦化層275上的顯示區域10中。下電極290可以透過移除第二平坦化層275的一部分形成的接觸孔連接至連接電極235，並且下電極290可以電性連接至半導體元件250。下電極290可以包含金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。這些材料可以單 獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，下電極290可以具有包含複數個層的多層結構。
連接圖案295可以設置在第二平坦化層275、保護絕緣層400、第一阻擋圖案371、及第二子電源供應線352上的周邊區域20中。連接圖案295可以具有帶有較低開口的環形形狀。連接圖案295可以設置在第二平坦化層275上，第二平坦化層275的開口490的內側在第6圖中繪示，保護絕緣層400、第一阻擋圖案371、及第二子電源供應線352設置在第二開口402中，並且可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸。換句話說，連接圖案295可以設置在第二平坦化層275之上，第二平坦化層275同時也位在保護絕緣層400、第一阻擋圖案371、及第二子電源供應線352之上。在部分例示性實施例中，連接圖案295可以在第一周邊區域21的一部分中與第一電源供應線350重疊，並且第一電源供應線350的末端可以對齊連接圖案295的末端。連接圖案295可以包含金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，連接圖案295可以具有包含複數個層的多層結構。在部分例示性實施例中，下電極290的頂面及連接圖案295的最頂面可以在同一個水平面。
像素定義層310可以設置在第二平坦化層275上的顯示區域10及周邊區域20中。在部分例示性實施例中，如第6圖所示，像素定義層310可以設置在顯示區域10中的下電極290的一部分中，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以設置在連接圖案295上，同時暴露設置在第二周邊區域22中的開口490中的連接圖案295。或者，如第7圖所示，像素定義層310可以暴露在顯示區域10中的下電極290的一部分，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以設置在連接圖案295上，同時暴露設置在第一周邊區域21 中的第二平坦化層275上的連接圖案295。像素定義層310可以以有機材料或無機材料形成。在部分例示性實施例中，像素定義層310可以包含有機材料。
第二阻擋圖案372可以設置在連接圖案295上的周邊區域20中。第二阻擋圖案372可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上與像素定義層310隔開，並且可以覆蓋設置在第一阻擋圖案371上的連接圖案295。例如，第二阻擋圖案372可以沿著顯示區域10的輪廓設置。換句話說，第二阻擋圖案372可以圍繞第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23中的顯示區域10。在部分例示性實施例中，第二阻擋圖案372可以與第一阻擋圖案371共同用於阻擋第二薄膜封裝層452的洩露。第二阻擋圖案372可以包含有機材料或無機材料。在部分例示性實施例中，第二阻擋圖案372可以包含有機材料。此外，像素定義層310及第二阻擋圖案372的頂面可以位在同一個水平面。
相應的，包含第一阻擋圖案371及第二阻擋圖案372的阻擋結構370可以以上述構造提供。
雖然OLED顯示裝置100已經說明為包含一個阻擋結構370，但例示性實施例的結構不限定於此。例如，在其他例示性實施例中，在從顯示區域10到周邊區域20的方向上與阻擋結構370隔開的同時，可以進一步提供至少一個阻擋結構。換句話說，OLED顯示裝置100可以包含至少兩個阻擋結構。
形成在像素定義層310與阻擋結構370之間的一部分可以定義為第一阻擋區域。第一阻擋區域可以平行於阻擋結構370，並且第一平坦化層270、第二平坦化層275、及像素定義層310可以不設置在第一阻擋區域中。例如，為了避免濕氣透過設置在周邊區域20中的第一平坦化層270、第二平坦化層275、及像素定義層310穿透至顯示區域10中，並且像素定義層310可以不設置在第一阻擋區域中。在其他例示性實施例中，當OLED顯示裝置100進一步包含額外的 阻擋結構時，可以在阻擋結構370與額外的阻擋結構之間另外形成第二阻擋區域。
發光層330可以設置在基板110上的顯示區域10及周邊區域20的一部分中(參照第21圖)。例如，發光層330可以設置在顯示區域10中的像素定義層310及下電極290上，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以設置在周邊區域20中的像素定義層310的一部分上。換句話說，發光層330可以設置在像素定義層310及下電極290之上。在部分例示性實施例中，發光層330可以不與位在第二周邊區域22中的開口490所暴露的連接圖案295及位在第一周邊區域21中的像素定義層310重疊。
發光層330可以具有包含有機發光層(organic light emission layer，EML)、電洞注入層(hole injection layer，HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer，HTL)、電子傳輸層(electron transport layer，ETL)、電子注入層(electron injection layer，EIL)等的多層結構。在部分例示性實施例中，有機發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以設置在周邊區域20中。在其他例示性實施例中，除了有機發光層，電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以設置在周邊區域20中。
發光層330的有機發光層可以使用至少一個發光材料形成，以根據子像素發出不同顏色的光(例如，紅光、綠光、藍光等)。或者，發光層330的有機發光層可以透過層壓複數個發出不同顏色光如紅光、綠光、或藍光的發光材料形成，以作為整體發出白光。在此狀況下，設置在下電極290上的發光層330上可以設置有濾色器。濾色器可以包含紅色濾色器、綠色濾色器、及藍色濾色器中的至少一個。或者，濾色器可以包含黃色濾色器、青色濾色器、及洋紅色濾色器。濾色器可以包含光敏感樹脂或光阻劑。
上電極340可以設置在基板110上的顯示區域10及周邊區域20的一部分中(參照第23圖)。例如，上電極340可以設置在顯示區域10中的發光層330上，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以設置在發光層330、像素定義層310的一部分、設置在開口490中的連接圖案295，如第6圖所示、及在周邊區域20中的像素定義層310所暴露的連接圖案295，如第7圖所示。換句話說，上電極340可以設置在發光層330、像素定義層310、及連接圖案295之上。在部分例示性實施例中，上電極340可以直接接觸設置在開口490中的連接圖案295，如第6圖所示，以及像素定義層310所暴露的連接圖案295，如第7圖所示，並且可以從連接圖案295接收低電源供應電壓ELVSS。上電極340可以包含金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，上電極340可以具有包含複數個層的多層結構。
相應的，可以設置包含下電極290、發光層330、及上電極340的子像素結構200。
雖然第6圖中的子像素結構200及第7圖中的子像素結構200為了便於說明，而假定具有相同的元件符號，但第6圖中的子像素結構200及第7圖中的子像素結構200可以彼此不相同。換句話說，第6圖中的子像素結構200可以為設置在相鄰於第二周邊區域22的顯示區域10中的子像素結構，並且第7圖中的子像素結構200可以為設置在相鄰於第一周邊區域21的顯示區域10中的子像素結構。
覆蓋層345可以設置在基板110上的顯示區域10及第二周邊區域22的一部分中。例如，覆蓋層345可以設置在顯示區域10中的上電極340上，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以設置在周邊區域20中的上電極340上。換句話說，覆蓋層345可以設置在顯示區域10及周邊區域20中 的上電極340之上。在部分例示性實施例中，覆蓋層345可以與在周邊區域20中上電極340重疊。覆蓋層345可以保護子像素結構200並且可以包含有機材料或無機材料。在部分例示性實施例中，覆蓋層345可以包含三胺衍生物、亞芳基二胺衍生物、4,4'-雙(N-咔唑基)-1,1'-聯苯(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl，4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl，CBP)、參-8-羥喹啉鋁(ris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3)等
第一薄膜封裝層451可以設置在基板110上的顯示區域10及周邊區域20中。例如，第一薄膜封裝層451可以設置在顯示區域10中的覆蓋層345上，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以設置在周邊區域20中的覆蓋層345、像素定義層310、阻擋結構370、及連接圖案295上。換句話說，第一薄膜封裝層451可以設置在覆蓋層345、像素定義層310、阻擋結構370、及連接圖案295之上。在部分例示性實施例中，第一薄膜封裝層451可以直接接觸在開口490中的覆蓋層345，並且可以直接接觸阻擋區域(例如，在第二周邊區域22中的位在像素定義層310與阻擋結構370之間的部分)中的連接圖案295。第一薄膜封裝層451可以防止子像素結構200因濕氣、氧氣等而劣化。此外，第一薄膜封裝層451可以保護子像素結構200不受外部衝擊。第一薄膜封裝層451可以包含可撓性無機材料。
第二薄膜封裝層452可以設置在第一薄膜封裝層451上的顯示區域10及周邊區域20的一部分中。第二薄膜封裝層452可以與阻擋結構370的側壁的一部分重疊。或者，第二薄膜封裝層452可以不與阻擋結構370重疊，或可以覆蓋阻擋結構370，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸。第二薄膜封裝層452可以增加OLED顯示裝置100的平坦性，並且可以保護子像素結構200。第二薄膜封裝層452可以包含可撓性有機材料。
第三薄膜封裝層453可以設置在第二薄膜封裝層452及第一薄膜封裝層451。第三薄膜封裝層453可以覆蓋在顯示區域10上的第二薄膜封裝層452，同時沿著第二薄膜封裝層452的輪廓以均勻的厚度設置，並且可以延伸至周邊區域20。第三薄膜封裝層453可以沿著周邊區域20中的第一薄膜封裝層451及第二薄膜封裝層452的一部分的輪廓以均勻的厚度設置。第三薄膜封裝層453可以防止子像素結構200因濕氣、氧氣等而劣化。此外，第三薄膜封裝層453可以與第一薄膜封裝層451及第二薄膜封裝層452共同保護子像素結構200不受外部衝擊。第一薄膜封裝層451可以包含可撓性無機材料。
相應的，可以設置包含第一薄膜封裝層451、第二薄膜封裝層452、及第三薄膜封裝層453的薄膜封裝層450。或者，薄膜封裝層450可以具有透過層壓第一至第五薄膜封裝層形成的五層結構，或者透過層壓第一至第七薄膜封裝層形成的七層結構。
如上所述，第6圖及第7圖所繪示的OLED顯示裝置100可以以上述構造提供。
根據本發明的部分例示性實施例的OLED顯示裝置100包含具有相對較寬的寬度的第一電源供應線350及連接圖案295，因此在OLED顯示裝置100中，位在第一周邊區域21及第二周邊區域22的一部分中的第一電源供應線350所生成的熱可以相對減少。
此外，OLED顯示裝置100包含具有相對較寬的寬度的第一電源供應線350及連接圖案295，因此在OLED顯示裝置100中，可以形成相對較多的數量的開口490以使連接圖案295直接接觸在第二周邊區域22中的第一電源供應線350。換句話說，在OLED顯示裝置100中，位在第一周邊區域21及第二周邊區域22的一部分中的第一電源供應線350所生成的熱可以進一步減少。相應的，由於 位在第一周邊區域21及第二周邊區域22的一部分中的第一電源供應線350的熱生成所導致的OLED顯示裝置100的缺陷可以相對減少。
第8圖至第26圖為製造根據本發明的例示性實施例的有機發光二極體顯示裝置的方法的截面圖。例如，第8圖至第20圖、第23圖、第25圖、及第26圖為製造有機發光二極體顯示裝置的方法的截面圖，第21圖為包含在有機發光二極體顯示裝置中的發光層的平面圖，以及第24圖為包含在有機發光二極體顯示裝置中的上電極的平面圖。
參照第8圖，可以提供剛性玻璃基板105。包含透明或不透明的材料的基板110可以形成在剛性玻璃基板105上。基板110可以透過使用可撓性透明樹脂基板形成。在部分例示性實施例中，基板110可以具有第一有機層、第一阻擋層、第二有機層、及第二阻擋層依序層壓的結構。第一阻擋層及第二阻擋層可以包含無機材料，例如，氧化矽。此外，第一有機層及第二有機層可以包含有機材料，例如，聚醯亞胺基樹脂。在此狀況下，各第一及第二阻擋層可以阻擋濕氣穿透第一及第二有機層。
緩衝層115可以形成在基板110上。在部分例示性實施例中，緩衝層115可以形成在整個基板110上的顯示區域10及第二周邊區域22中。根據基板110的種類，可以提供至少兩個緩衝層115至基板110上，或者可以不提供緩衝層115至基板110上。緩衝層115可以使用矽化合物、金屬氧化物等形成。例如，緩衝層115可以包含氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、碳氧化矽(SiOxCy)、碳氮化矽(SiCxNy)、氧化鋁(AlOx)、氮化鋁(AlNx)、氧化鉭(TaOx)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋯(ZrOx)、氧化鈦(TiOx)等。
活化層130可以形成在緩衝層115上的顯示區域10中。活化層130可以使用氧化半導體、無機半導體、有機半導體等形成。活化層130可以具有源極區域、汲極區域、及位在源極區域與汲極區域之間的通道區域。
閘極絕緣層150可以形成在活化層130上。閘極絕緣層150可以覆蓋在緩衝層115上的顯示區域10中的活化層130，並且可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸。例如，閘極絕緣層150可以充分的覆蓋緩衝層115上的活化層130，並且可以具有實質上平坦的頂面，而不需在活化層130的周圍形成階梯。或者，閘極絕緣層150可以覆蓋緩衝層115上的活化層130，同時沿著活化層130的輪廓以均勻的厚度形成，或者可以形成在整個緩衝層115上的顯示區域10及第二周邊區域22中。閘極絕緣層150可以使用矽化合物、金屬氧化物等形成。在其他例示性實施例中，閘極絕緣層150可以具有包含複數個具有彼此不同的材料的絕緣層的多層結構。
第一閘極電極170可以形成在閘極絕緣層150上的顯示區域10中。第一閘極電極170可以形成在位在活化層130下方的閘極絕緣層150的一部分上。第一閘極電極170可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，第一閘極電極170可以具有包含複數個層的多層結構。
第一絕緣中間層190可以形成在第一閘極電極170上。第一絕緣中間層190可以覆蓋在閘極絕緣層150上的顯示區域10中的第一閘極電極170，並且可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸。例如，第一絕緣中間層190可以充分的覆蓋閘極閘極絕緣層150上的第一閘極電極170，並且可以具有實質上平坦的頂面，而不需在第一閘極電極170的周圍形成階梯。或者，第一絕緣中間層190可以覆蓋閘極絕緣層150上的第一閘極電極170，並且可以沿著第一閘極電極170的輪廓以均勻的厚度形成。第一絕緣中間層190可以使用矽化合物、金屬氧化物等形成。在其他例示性實施例中，第一絕緣中間層190可以具有包含複數個具有彼此不同的材料的絕緣層的多層結構。
第二閘極電極175可以形成在第一絕緣中間層190上的顯示區域10中。第二閘極電極175可以形成在位在第一閘極電極170下方的第一絕緣中間層190的一部分上。或者，第二閘極電極175可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，第二閘極電極175可以具有包含複數個層的多層結構。
第二絕緣中間層195可以形成在第二閘極電極175上。第二絕緣中間層195可以覆蓋在第一絕緣中間層190上的顯示區域10中的第二閘極電極175，並且可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸。例如，第二絕緣中間層195可以充分的覆蓋第一絕緣中間層190上的第二閘極電極175，並且可以具有實質上平坦的頂面，而不需在第二閘極電極175的周圍形成階梯。或者，第二絕緣中間層195可以覆蓋第一絕緣中間層190上的第二閘極電極175，並且可以沿著第二閘極電極175的輪廓以均勻的厚度形成。第二絕緣中間層195可以使用矽化合物、金屬氧化物等形成。在其他例示性實施例中，第一絕緣中間層190可以具有包含複數個具有彼此不同的材料的絕緣層的多層結構。
參照第9圖，源極電極210及汲極電極230可以形成在第二絕緣中間層195上的顯示區域10中。源極電極210可以透過移除閘極絕緣層150的第一部分、第一絕緣中間層190、及第二絕緣中間層195形成的接觸孔連接至活化層130的源極區域，並且汲極電極230可以透過移除閘極絕緣層150的第二部分、第一絕緣中間層190、及第二絕緣中間層195形成的接觸孔連接至活化層130中的汲極區域。各源極電極210及汲極電極230可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，各源極電極210及汲極電極230可以具有包含複數個層的多層結構。
相應的，可以形成包含活化層130、閘極絕緣層150、第一閘極電極170、第一絕緣中間層190、第二閘極電極175、第二絕緣中間層195、源極電極210、及汲極電極230的半導體元件250。
第一子電源供應線351可以形成在第二絕緣中間層195上的第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23的一部分中(參照第2圖)。在部分例示性實施例中，第一子電源供應線351在第一周邊區域21及第二周邊區域22的一部分中可以具有第一寬度W1，並且可以在第三周邊區域23中具有小於第一寬度W1的第二寬度W2。換句話說，第一子電源供應線351在第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23中可以具有不同的寬度。例如，第一子電源供應線351可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成。例如，第一子電源供應線351可以使用金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈧(Sc)、釹(Nd)、銥(Ir)、含鋁合金、氮化鋁(AlNx)、含銀合金、氮化鎢(WNx)、含銅合金、含鉬合金、氮化鈦(TiNx)、氮化鉻(CrNx)、氮化鉭(TaNx)、氧化鍶釕(SrRuxOy)、氧化鋅(ZnOx)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化銦鋅(IZO)等形成。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。或者，第一子電源供應線351可以具有包含複數個層的多層結構。在部分例示性實施例中，源極電極210、汲極電極230、及第一子電源供應線351可以同時使用相同的材料彼此形成在同一層上。
例如，在初步第一電極層形成在第二絕緣中間層195上之後，初步第一電極層可以被部分的蝕刻以同時形成源極電極210、汲極電極230、及第一子電源供應線351。
參照第10圖，保護絕緣層400可以形成在第二絕緣中間層195、源極電極210、汲極電極230、及第一子電源供應線351上。保護絕緣層400可以覆 蓋在第二絕緣中間層195上的顯示區域10中的源極電極210及汲極電極230，並且可以覆蓋在第二絕緣中間層195上的第二周邊區域22中的第一子電源供應線351。在部分例示性實施例中，保護絕緣層400可以具有第一開口401及第二開口402以暴露在周邊區域20(或第一周邊區域21及第二周邊區域22)中的第一子電源供應線351的一部分。此外，保護絕緣層400可以具有開口以暴露在顯示區域10中的汲極電極230的一部分。例如，保護絕緣層400可以充分的覆蓋在第二絕緣中間層195上的源極電極210、汲極電極230、及第一子電源供應線351，並且可以具有並且可以具有實質上平坦的頂面，而不需在源極電極210、汲極電極230、及第一子電源供應線351的周圍形成階梯。或者，保護絕緣層400可以覆蓋在第二絕緣中間層195上的源極電極210、汲極電極230、及第一子電源供應線351，並且可以沿著源極電極210、汲極電極230、及第一子電源供應線351的輪廓以實質上均勻的厚度形成。保護絕緣層400可以使用矽化合物、金屬氧化物等形成。在其他例示性實施例中，保護絕緣層400可以具有包含複數個具有彼此不同的材料的絕緣層的多層結構。
參照第11圖，第一平坦化層270可以形成在保護絕緣層400上。第一平坦化層270可以形成在保護絕緣層400上的顯示區域10及周邊區域20的一部分中(例如，第一周邊區域21的一部分及第二周邊區域22的一部分)。換句話說，第一平坦化層270可以覆蓋在顯示區域10中的保護絕緣層400，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以暴露在周邊區域20中的保護絕緣層400的第一開口401及第二開口402。換句話說，第一平坦化層270從顯示區域10延伸至周邊區域20以覆蓋第一開口401的至少一部份。例如，第一平坦化層270可以具有相對較厚的厚度，在此狀況下，第一平坦化層270可以具有實質上平坦的頂面。可以在第一平坦化層270上額外執行平坦化製程，以實現第一平坦化層270的平坦的頂面。或者，第一平坦化層270可以沿著保護絕緣層400的輪廓以均 勻的厚度形成在保護絕緣層400上。第一平坦化層270可以使用有機材料或無機材料形成。例如，第一平坦化層270可以包含光阻劑、聚丙烯酸酯樹脂、聚酰亞胺基樹脂、聚酰胺樹脂、矽氧烷樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂等。
參照第12圖，導線圖案215及連接電極235可以形成在第一平坦化層270上的顯示區域10中。連接電極235可以與在第一平坦化層270上的顯示區域10中的導線圖案215隔開。連接電極235可以透過位在顯示區域10中的第一平坦化層270的接觸孔連接至汲極電極230。各導線圖案215及連接電極235可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，各導線圖案215及連接電極235可以具有包含複數個層的多層結構。
第二子電源供應線352可以形成在第一平坦化層270上的周邊區域20中(參照第2圖)。在部分例示性實施例中，第二子電源供應線352在第一周邊區域21及第二周邊區域22的一部分中可以具有第一寬度W1，並且在第三周邊區域23中可以具有小於第一寬度W1的第二寬度W2。換句話說，第二子電源供應線352在第二周邊區域22及第三周邊區域23中可以具有不同的寬度。第二子電源供應線352可以透過在第一周邊區域21及第二周邊區域22中的第一開口401直接接觸第一子電源供應線351，並且透過第二開口402直接接觸第一子電源供應線351。此外，第二子電源供應線352可以具有開口以暴露在第一周邊區域21及第二周邊區域22中的第一開口401與第二開口402之間的保護絕緣層400的頂面。或者，第二子電源供應線352可以連續的形成而不具有在第一周邊區域21及第二周邊區域22中的開口。第二子電源供應線352可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。或者，第二子電源供應線352可以具有包含複數個層的多層結構。在 部分例示性實施例中，導線圖案215、連接電極235、及第二子電源供應線352可以同時使用相同的材料彼此形成在同一層上。
例如，在初步第二電極層形成在第一平坦化層270、第一子電源供應線351、及保護絕緣層400上之後，初步第二電極層可以被部分的蝕刻以同時形成導線圖案215、連接電極235、及第二子電源供應線352。
參照第13圖及第14圖，第二平坦化層275可以形成在導線圖案215、連接電極235、第二子電源供應線352、及第一平坦化層270上。第二平坦化層275可以覆蓋在第一平坦化層270上的顯示區域10中的導線圖案215及連接電極235，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，以覆蓋在周邊區域20中的第二子電源供應線352。在部分例示性實施例中，如第13圖所示，第二平坦化層275可以具有暴露在第二周邊區域22中的第二子電源供應線352的頂面的開口490。此外，開口490可以形成在第三周邊區域23中第一電源供應線350與連接圖案295彼此重疊的部分。或者，如第14圖所示，第二平坦化層275不具有暴露在第一周邊區域21中的第二子電源供應線352的頂面的開口。換句話說，位在第一周邊區域21的第二平坦化層275可以覆蓋相鄰於顯示區域10的第二子電源供應線352。
進一步來說，第二平坦化層275可以覆蓋形成在周邊區域20中的第一開口401中的第二子電源供應線352的末端，並且可以具有接觸孔以暴露在顯示區域10中的連接電極235。第二平坦化層275可以具有相對較厚的厚度以充分的覆蓋導線圖案215、連接電極235、及第二子電源供應線352，在此情況下，第二平坦化層275可以具有實質上平坦的頂面。可以在第二平坦化層275上額外執行平坦化製程，以實現第二平坦化層275的平坦的頂面，。或者，第二平坦化層275可以覆蓋導線圖案215、連接電極235、及第二子電源供應線352，並且可以沿著導線圖案215、連接電極235、及第二子電源供應線352的輪廓以均勻的厚 度形成。第二平坦化層275可以以有機材料形成。在部分例示性實施例中，第一平坦化層270可以使用有機材料形成。
第一阻擋圖案371可以形成在保護絕緣層400及第一子電源供應線351上的周邊區域20中。第一阻擋圖案371可以與第二平坦化層275在從顯示區域10到周邊區域20的方向上隔開，並且可以覆蓋設置在第二開口402中的第二子電源供應線352的一末端。例如，第一阻擋圖案371可以沿著顯示區域10的外圍邊緣的輪廓以均勻的厚度形成。換句話說，第一阻擋圖案371可以在第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23中圍繞顯示區域10。在部分例示性實施例中，第二平坦化層275及第一阻擋圖案371可以使用相同的材料同時形成。
參照第15圖及第16圖，下電極290可以形成在第二平坦化層275上的顯示區域10中。下電極290可以透過移除第二平坦化層275的一部分形成的接觸孔連接至連接電極235。下電極290可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，下電極290可以具有包含複數個層的多層結構。
連接圖案295可以形成在第二平坦化層275、保護絕緣層400、第一阻擋圖案371、及第二子電源供應線352上的周邊區域20中。連接圖案295可以形成在第二平坦化層275上，第二平坦化層275的開口490的內側在第15圖中繪示，位在第二平坦化層275與第一阻擋圖案371之間的保護絕緣層400、第一阻擋圖案371、及第二子電源供應線352形成在第二開口402中，並且可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸。換句話說，連接圖案295可以沿著第二平坦化層275、保護絕緣層400、第一阻擋圖案371、及第二子電源供應線352的輪廓以均勻的厚度形成連接圖案295可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成。這些材料可以單獨使用或者彼此結合使用。在 其他例示性實施例中，連接圖案295可以具有包含複數個層的多層結構。在部分例示性實施例中，下電極290及連接圖案295可以使用相同的材料同時形成。
例如，在初步第三電極層形成在第二平坦化層275、第二子電源供應線352、及保護絕緣層400上之後，初步第三電極層可以被部分的蝕刻以同時形成下電極290及連接圖案295。
參照第17圖及第18圖，像素定義層310可以形成在第二平坦化層275上的顯示區域10及周邊區域20中。在部分例示性實施例中，如第17圖所示，像素定義層310可以設置在顯示區域10中的下電極290的一部分中，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以形成在連接圖案295上，同時暴露設置在第二周邊區域22中的開口490中的連接圖案295。或者，如第18圖所示，像素定義層310可以暴露在顯示區域10中的下電極290的一部分，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以形成在連接圖案295上，同時暴露形成在第一周邊區域21中的第二平坦化層275上的連接圖案295。像素定義層310可以使用有機材料形成。
第二阻擋圖案372可以形成在連接圖案295上的周邊區域20中。第二阻擋圖案372可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上與像素定義層310隔開，並且可以覆蓋形成在第一阻擋圖案371上的連接圖案295。例如，第二阻擋圖案372可以沿著顯示區域10的外圍邊緣的輪廓形成。換句話說，第二阻擋圖案372可以圍繞第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23中的顯示區域10。第二阻擋圖案372可以使用有機材料形成。此外，像素定義層310及第二阻擋圖案372可以使用相同的材料同時形成。
相應的，可以形成包含第一阻擋圖案371及第二阻擋圖案372的阻擋結構370。
參照第19圖、第20圖、及第21圖，發光層330可以形成在基板110上的顯示區域10及周邊區域20的一部分中。例如，發光層330可以形成在顯示區域10中的像素定義層310及下電極290上，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以形成在周邊區域20中的像素定義層310的一部分上。在部分例示性實施例中，發光層330可以不與位在第二周邊區域22中的開口490所暴露的連接圖案295及位在第一周邊區域21中的像素定義層310重疊。發光層330可以具有包含有機發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等的多層結構。發光層330的有機發光層可以使用至少一個發光材料形成，以根據子像素發出不同顏色的光。或者，發光層330的有機發光層可以透過層壓複數個發光材料形成，以發出不同顏色的光，例如，紅光、綠光、藍光，並且以整體發出白光。在此狀況下，濾色器可以形成在下電極290上的發光層330上。濾色器可以包含紅色濾色器、綠色濾色器、及藍色濾色器中的至少一個。或者，濾色器可以包含黃色濾色器、青色濾色器、及洋紅色濾色器。濾色器可以使用光敏感樹脂或光阻劑形成。
參照第22圖、第23圖、及第24圖，上電極340可以形成在基板110上的顯示區域10及周邊區域20的一部分中。例如，上電極340可以形成在顯示區域10中的發光層330上，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以形成在發光層330、像素定義層310的一部分、形成在開口490中的連接圖案295，如第22圖所示、及在周邊區域20中的像素定義層310所暴露的連接圖案295，如第23圖所示。換句話說，上電極340可以沿著發光層330、像素定義層310、及連接圖案295的輪廓以均勻的厚度形成。在部分例示性實施例中，上電極340可以直接接觸形成在開口490中的連接圖案295，如第22圖所示，以及像素定義層310所暴露的連接圖案295，如第23圖所示。上電極340可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成。這些材料可以單獨 使用或者彼此結合使用。在其他例示性實施例中，上電極340可以具有包含複數個層的多層結構。
相應的，可以形成包含下電極290、發光層330、及上電極340的子像素結構200。
如第22圖、第23圖、及第24圖所示，上電極340可以在從顯示區域10到周邊區域20的方向上從發光層330突出第一距離d1。換句話說，上電極340的面積可以大於發光層330的面積。此外，顯示區域10可以具有在平面圖中觀看時帶有彎角的矩形形狀，並且發光層330及上電極340同樣可以具有在平面圖中觀看時帶有彎角的矩形形狀。
由於在平面圖中觀看時帶有彎角的矩形形狀，上電極340在從顯示區域10到周邊區域20的方向上從發光層330突出的距離在第一周邊區域21、第二周邊區域22、及第三周邊區域23中可以彼此不同。例如，在區域A中上電極340從發光層330突出的第二距離d2可以相對小於在其他區域中上電極從發光層330突出的距離。在此狀況下，由於在區域A中的第二距離d2過小，其可能很難形成暴露在第二平坦化層275中的第二子電源供應線352的開口。因此在區域A中的第二平坦化層275中未形成開口490(如第23圖所示)。
參照第22圖及第23圖，覆蓋層345可以形成在基板110上的顯示區域10及第二周邊區域22的一部分中。例如，覆蓋層345可以形成在顯示區域10中的上電極340上，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以形成在周邊區域20中的上電極340上。換句話說，覆蓋層345可以沿著在顯示區域10及周邊區域20中的上電極340的輪廓形成。在部分例示性實施例中，覆蓋層345可以與在周邊區域20中的上電極340重疊。覆蓋層345可以使用三胺衍生物、亞芳基二胺衍生物、4,4'-雙(N-咔唑基)-1,1'-聯苯(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl， 4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl，CBP)、參-8-羥喹啉鋁(ris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3)等形成。
參照第25圖及第26圖，第一薄膜封裝層451可以形成在基板110上的顯示區域10及周邊區域20中。例如，第一薄膜封裝層451可以形成在顯示區域10中的覆蓋層345上，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，並且可以形成在周邊區域20中的覆蓋層345、像素定義層310、阻擋結構370、及連接圖案295上。換句話說，第一薄膜封裝層451可以沿著覆蓋層345、像素定義層310、阻擋結構370、及連接圖案295的輪廓形成。在部分例示性實施例中，第一薄膜封裝層451可以直接接觸在開口490中的覆蓋層345，並且可以直接接觸位在第二周邊區域22中的像素定義層310與阻擋結構370之間的一部分中的連接圖案。第一薄膜封裝層451可以使用可撓性無機材料形成。
第二薄膜封裝層452可以形成在第一薄膜封裝層451上的顯示區域10及周邊區域20的一部分中。第二薄膜封裝層452可以與阻擋結構370的側壁的一部分重疊。或者，第二薄膜封裝層452可以不與阻擋結構370重疊，或可以覆蓋阻擋結構370，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸。第二薄膜封裝層452可以使用可撓性有機材料形成。
第三薄膜封裝層453可以形成在第二薄膜封裝層452及第一薄膜封裝層451。第三薄膜封裝層453可以覆蓋在顯示區域10上的第二薄膜封裝層452，同時沿著第二薄膜封裝層452的輪廓以均勻的厚度形成，並且可以延伸至周邊區域20。第三薄膜封裝層453可以沿著周邊區域20中的第一薄膜封裝層451及第二薄膜封裝層452的一部分的輪廓以均勻的厚度設置。第一薄膜封裝層451可以使用可撓性無機材料形成。
相應的，可以形成包含第一薄膜封裝層451、第二薄膜封裝層452、及第三薄膜封裝層453的薄膜封裝層450。或者，薄膜封裝層450可以具有 透過層壓第一至第五薄膜封裝層以形成的五層結構，或者透過層壓第一至第七薄膜封裝層以形成的七層結構。
在形成薄膜封裝層450之後，玻璃基板105可以從基板110移除。相應的，第6圖及第7圖中所繪示的OLED顯示裝置100可以透過上述的製程步驟製造。
第27圖及第28圖為根據本發明的例示性實施例的有機發光二極體顯示裝置的截面圖。例如，第27圖為沿第3A圖中的線I-I'截取的截面圖，並且第28圖為沿第3A圖中的線II-II'截取的截面圖。在第27圖及第28圖中繪示的OLED顯示裝置500可以具有實質上與參照第1圖至第7圖說明的OLED顯示裝置100相同或相似的構造，除了第二平坦化層1275不具有波浪形狀(如圖中所示的波浪形狀)。在第27圖及第28圖中，為了避免重複，將省略對與參照第1圖至第7圖說明的元件實質上相同或相似的元件的多餘的描述。
參照第27圖及第28圖，OLED顯示裝置500可以包含基板110、緩衝層115、半導體元件250、保護絕緣層400、第一電源供應線350、第一平坦化層270、導線圖案215、連接電極235、第二平坦化層1275、像素定義層310、子像素結構200、覆蓋層345、阻擋結構370、薄膜封裝層450等。在此狀況下，第一電源供應線350可以包含第一子電源供應線351及第二子電源供應線352，並且子像素結構200可以包含下電極290、發光層330、及上電極340。此外，薄膜封裝層450可以包含第一薄膜封裝層451、第二薄膜封裝層452、及第三薄膜封裝層453。
第二平坦化層1275可以設置在導線圖案215、連接電極235、第二子電源供應線352、及第一平坦化層270上。第二平坦化層1275可以覆蓋在第一平坦化層270上的顯示區域10中的導線圖案215及連接電極235，同時在從顯示區域10到周邊區域20的方向上延伸，以覆蓋在周邊區域20中的第二子電源供應線 352。在部分例示性實施例中，第二平坦化層1275不具有暴露在第一周邊區域21及第二周邊區域22中的第二子電源供應線352的頂面的開口490。換句話說，位在第一周邊區域21及第二周邊區域22的第二平坦化層275可以覆蓋相鄰於顯示區域10的第二子電源供應線352。此外，第二平坦化層1275在第一周邊區域21及第二周邊區域22中可以具有波浪形狀。第二平坦化層1275在第一周邊區域21及第二周邊區域22中具有波浪形狀，因此設置在第二平坦化層1275上的第一周邊區域21及第二周邊區域22中的連接圖案295、上電極340、覆蓋層345、及第一薄膜封裝層451也可以具有波浪形狀。在此狀況中，設置在第一周邊區域21及第二周邊區域22中的連接圖案295的面積，以及直接接觸連接圖案295的上電極340的面積可以相對增加。或者，第二平坦化層1275可以在第一周邊區域21及第二周邊區域22中具有波浪形狀。在其他例示性實施例中，第一平坦化層270可以具有波浪形狀。此外，設置在第三周邊區域23中的第二平坦化層1275及/或第一平坦化層270可以具有波浪形狀。
在根據本發明的例示性實施例中，第二平坦化層1275在第一周邊區域21及第二周邊區域22中具有波浪形狀，因此設置在第一周邊區域21中的連接圖案295及上電極340的面積可以相對增加。
第29圖及第30圖為根據本發明的例示性實施例的有機發光二極體顯示裝置的截面圖。例如，第29圖為沿第3A圖中的線I-I'截取的截面圖，並且第30圖為沿第3A圖中的線II-II'截取的截面圖。在第29圖及第30圖中繪示的OLED顯示裝置600可以具有實質上與參照第27圖及第28圖說明的OLED顯示裝置500相同或相似的構造，除了凹凸圖案510。在第29圖及第30圖中，為了避免重複，將省略對與參照第27圖及第28圖說明的元件實質上相同或相似的元件的多餘的描述。
參照第29圖及第30圖，OLED顯示裝置600可以包含基板110、緩衝層115、半導體元件250、保護絕緣層400、第一電源供應線350、第一平坦化層270、導線圖案215、連接電極235、凹凸圖案510、第二平坦化層1275、像素定義層310、子像素結構200、覆蓋層345、阻擋結構370、薄膜封裝層450等。在此狀況下，第一電源供應線350可以包含第一子電源供應線351及第二子電源供應線352。
複數個凹凸圖案510可以設置在第二子電源供應線352上的第一周邊區域21及第二周邊區域22中。凹凸圖案510可以輔助第二平坦化層1275以更容易具有波浪形狀。例如，凹凸圖案510可以包含有機材料。或者，凹凸圖案510可以設置在第二子電源供應線352上的第一周邊區域21及第二周邊區域22中。
在其他例示性實施例中，凹凸圖案510可以設置在第29圖及第30圖的第二平坦化層275上的第一周邊區域21及第二周邊區域22中。在此狀況下，連接圖案295可以沿著在第一周邊區域21及第二周邊區域22中的凹凸圖案510的輪廓設置，並且連接圖案295可以具有波浪形狀。舞外，設置在連接圖案295上的上電極340可以具有波浪形狀。
本發明的原理可以應用至各種包含OLED顯示裝置的顯示裝置。例如，本發明的實施例可以採取以下形式：車用顯示裝置、船用顯示裝置、航空器顯示裝置、攜帶式通訊裝置、用於顯示或訊息傳遞的顯示裝置、醫療用顯示裝置等。
雖然在本文中已經說明了部分例示性實施例及實施方式，但是透過本說明，其他的實施例及變更將是顯而易見的。因此，本發明概念不限定於這些實施例，而更包含所附的申請專利範圍所要求的較寬範圍以及對本領域具有通常知識者而言顯而易見的各種明顯的修改及等效佈置。
10:顯示區域
20:周邊區域
60:墊區域
100:OLED顯示裝置
295:連接圖案
350:第一電源供應線
390:第二電源供應線
470:墊電極
D1,D2,D3:方向

Claims (16)

  1. 一種有機發光二極體顯示裝置，包含：一基板，具有一顯示區域、至少部分的圍繞該顯示區域的一周邊區域，且包含一第一周邊區域、一第二周邊區域、及一第三周邊區域、以及設置在該周邊區域的一側的一墊區域，該墊區域設置有複數個墊電極，該第二周邊區域位在相應於該墊區域中不設置該複數個墊電極的部分；一發光層，設置在該基板上的該顯示區域中；一第一電源供應線，設置在該基板上的該第二周邊區域、該第三周邊區域、及該第一周邊區域的一部份中；一第二電源供應線，設置在該基板上的該顯示區域、該第一周邊區域、及該第三周邊區域中，且未設置在該第二周邊區域中，並且至少部分的被該第一電源供應線圍繞；一導電圖案，在該第一電源供應線上與該第二周邊區域、該第三周邊區域、及該第一周邊區域的該部份中的該第一電源供應線部分的重疊，且電性連接至該第一電源供應線；以及一上電極，設置在該導電圖案及該發光層上的該顯示區域及部分的該周邊區域中，與該第一電源供應線及該導電圖案部分的重疊，且電性連接至該導電圖案；其中該第一電源供應線在該第二周邊區域中具有一第一寬度，且在該第三周邊區域中具有一第二寬度，該第二寬度小於該第一寬度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，進一步 包含該墊區域的一第一部分，該複數個墊電極設置於該第一部分中，其中該第一周邊區域相鄰於該墊區域中設置該複數個墊電極的該第一部分，並且該第二周邊區域位於在該第一周邊區域的相對側，且相鄰於該墊區域中不設置該複數個墊電極的一第二部分，且其中該第一電源供應線包含電性連接至該第一周邊區域中的該複數個墊電極的一導線。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中該導電圖案及該上電極中的至少一個在該第一周邊區域中具有波浪形狀。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中一低電源供應電壓施加至該第一電源供應線，並且一高電源供應電壓施加至該第二電源供應線。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中該第二電源供應線包含一導線，其具有：一第一部分，設置在該第一周邊區域中；一第二部分，設置在該顯示區域中，且具有網格狀；以及一第三部分，設置在該第三周邊區域的一部分中，以至少部分的圍繞該第二部分，並且該第二電源供應線的該第一部分、該第二部分、該第三部分彼此形成為一體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中該 第二電源供應線的該第一部分及該第二部分在相鄰於該顯示區域與該周邊區域之間的邊界的一部分的該第一周邊區域中彼此連接，並且該第二電源供應線的該第二部分及該第三部分在相鄰於該顯示區域與該周邊區域之間的邊界的另一部分的該第三周邊區域中彼此連接，其中該第二電源供應線的該第三部分與該第一電源供應線的內側隔開，其中該第二電源供應線的該第三部分不設置在該第二周邊區域中，且其中該第二電源供應線的該第二部分在該顯示區域的一部份中具有晶格狀，且在該顯示區域的另一部份中具有桿狀。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中該顯示區域具有帶有一彎角的矩形形狀，並且該顯示區域的該彎角包含：一第一角，相鄰於該墊區域；以及一第二角，相對於該第一角，且其中該第一角相鄰於該第二周邊區域，並且該第二角相鄰於該第三周邊區域。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，進一步包含：一保護絕緣層，設置在該基板與該發光層之間的該顯示區域及該周邊區域，並且在該第二周邊區域中定義有一開口； 一第一平坦化層，設置在該保護絕緣層上的該顯示區域及該周邊區域的一部分中以暴露該保護絕緣層的該開口；以及一第二平坦化層，設置在該第一平坦化層上的該顯示區域及該周邊區域的一部分中，且在該第二周邊區域中具有暴露該第一電源供應線的複數個開口，其中位在該第一周邊區域的該第二平坦化層係形成為不具有暴露該第一電源供應線的該複數個開口，且其中該發光層從該顯示區域延伸至該周邊區域，並且位在該周邊區域的該發光層不與該第二周邊區域中的該第二平坦化層的該複數個開口重疊。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中位在該第一周邊區域的該第二平坦化層具有波浪形狀。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的有機發光二極體顯示裝置，進一步包含設置在該第一平坦化層與該第二平坦化層之間的複數個凹凸圖案。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的有機發光二極體顯示裝置，進一步包含設置在該第二平坦化層上的該顯示區域的一下電極，其中該上電極設置在該下電極的上方，且該上電極從該顯示區域延伸至該周邊區域，且其中該下電極與該導電圖案位在同一層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中該上電極直接接觸該第二周邊區域中的該導電圖案。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中 該上電極在該第一周邊區域中具有波浪形狀，並且該上電極直接接觸該第一周邊區域中的該導電圖案。
  14. 如申請專利範圍第8項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電源供應線包含：一第一子電源供應線，設置在該基板與該保護絕緣層之間，且透過該保護絕緣層的該開口暴露；以及一第二子電源供應線，設置在該第一平坦化層與該第二平坦化層之間，且透過該保護絕緣層的該開口直接接觸該第一子電源供應線，並且透過該保護絕緣層的該開口暴露，且其中該導電圖案包含一連接圖案，其透過該第二平坦化層的該複數個開口直接接觸該第二子電源供應線。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的有機發光二極體顯示裝置，進一步包含：一半導體元件，設置在該基板與該保護絕緣層之間的該顯示區域中；以及一導線圖案及一連接電極，設置在該第一平坦化層與該第二平坦化層之間的該顯示區域中，其中該導線圖案及該連接電極與該第二子電源供應線位在同一層。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中該半導體元件包含：一活化層，設置在該基板上的該顯示區域中；一閘極絕緣層，設置在該活化層上； 一閘極電極，設置在該閘極絕緣層上；一絕緣中間層，設置在該閘極電極上；以及一源極電極及一汲極電極，設置在該絕緣中間層上，且其中該源極電極及該汲極電極與該第一子電源供應線位在同一層。
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