TWI840819B - 晶圓加工用黏結膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種晶圓加工用黏結膜，其包括：多層基材，包括上部基材層及下部基材層；第一黏結劑層，配置在該上部基材層上；以及第二黏結劑層，配置在該上部基材層與該下部基材層之間，該第二黏結劑層由第二黏結組合物製成，該第二黏結組合物包含黏結樹脂及核-殼奈米粒子，根據本發明，在加工晶圓時，晶圓的表面保護效果優秀，可控制黏結劑層的流動性。

Description

晶圓加工用黏結膜
本發明涉及在晶圓的薄膜背面研磨等晶圓加工中所使用的晶圓加工用黏結膜。更具體地，本發明涉及晶圓研磨加工時的晶圓的表面保護效果（緩衝效果）優秀的晶圓加工用黏結膜。
最近，隨著技術的發展，逐漸需求半導體晶片的小型化及薄型化。
作為晶片薄型化的代表一例有通過研磨形成晶片的晶圓背面來減少厚度的方法。
最近，可通過晶背面研磨（DBG，Dicing Before Grinding）方法來獲得薄型化的晶片，利用切割鑽刃在晶圓的表面形成凹槽後，在晶圓的背面進行研磨來從晶圓獲得劃片化的晶片。在使用晶圓背面研磨方法的情況下，由於同時進行晶圓的背面研磨及晶圓的劃片化，因此，可有效製造薄型化的半導體晶片。
通常，當進行晶圓的背面研磨時，為了維持半導體晶片，需在使黏結膜附著於晶圓表面的狀態下執行晶圓的背面研磨。這種黏結膜包含用於黏結基材和晶圓表面的黏結劑層，可在基材背面形成有具備緩衝效果的緩衝層或減振層，例如，氨基甲酸乙酯丙烯酸酯。
這種緩衝層的模量（modulus）越低，緩衝效果越優秀，從而可有效地保護晶圓的表面。然而，可存在如下的問題，即，對於低模量的緩衝層而言，在進行背面研磨工序時，會因溫度升高而導致緩衝層在高溫下流動或厚度變得不均勻。
發明所欲解決之問題
本發明的目的在於，提供如下的晶圓加工用黏結膜，即，在進行晶圓的背面研磨加工時，通過優秀的緩衝效果保護晶圓的表面，並提高高溫下的流動性控制及厚度的均勻性。
本發明的目的並不限定於以上所提及的目的，可通過以下說明理解未提及的本發明的其他目的及優點，並通過本發明的實施例更加明確地理解。並且，本發明的目的及優點可通過申請專利範圍所表示的方案及其組合來實現，這是顯而易見的。
解決問題之技術手段
為了解決上述技術問題，本發明的晶圓加工用黏結膜可包括：多層基材，包括上部基材層及下部基材層；第一黏結劑層，配置在上述上部基材層上；以及第二黏結劑層，配置在上述上部基材層與下部基材層之間，上述第二黏結劑層可由第二黏結組合物製成，上述第二黏結組合物包含黏結樹脂及核-殼奈米粒子。
上述核-殼奈米粒子的平均粒徑可以為5nm～400nm。
上述核-殼奈米粒子的核可以為玻璃化轉變溫度達到－50℃～40℃的聚烷基（甲基）丙烯酸酯，上述核-殼奈米粒子的殼可以為玻璃化轉變溫度達到50℃～150℃的聚烷基（甲基）丙烯酸酯。
相對於上述第二黏結組合物的100重量份的黏結樹脂，可包含0.1重量份～20重量份的核-殼奈米粒子。
上述第二黏結劑層在60℃～90℃的溫度範圍內的模量（modulus）可以為0.05MPa～2MPa。
根據下列式1測定的上述黏結膜的恢復力（recovery force）可以為55%至90%。以下具體說明利用式1測定恢復力的方法。
式1：恢復力（%）=（1－（X f/X 0））×100
在上述式1中，X 0為指黏結膜的初始厚度的1/2倍的厚度，X f為在以X 0保持10秒後復原的情況下未對黏結膜施加力時的黏結膜被壓的厚度。
在23℃的溫度條件下，上述下部基材層及上部基材層的模量可以為1000MPa以上。
上述下部基材層和上部基材層可分別包含選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、全芳香族聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮及雙向拉伸聚丙烯組成的組中的一種以上。
上述第二黏結劑層的黏結樹脂可包含熱固性丙烯酸黏結劑。
在上述上部基材層的上表面、上述上部基材層的下表面及上述下部基材層的上表面中的至少一面還可額外形成有底漆層。
對照先前技術之功效
本發明的晶圓加工用黏結膜可通過包括將核-殼奈米粒子包含在其中的第二黏結劑層，來在進行晶圓的背面研磨加工時，實現優秀的晶圓表面的緩衝效果（恢復力），並提高高溫下的流動性控制及厚度的均勻性。
本發明的效果並不限定於以上所提及的效果，本領域的普通技術人員可通過以下記載清楚地理解未提及的其他效果。
除上述效果之外，本發明的具體效果將在以下對本發明的具體實施方式進行說明的過程中一同記述。
以下，參照附圖詳細說明上述目的、特徵及優點，以使得本發明所屬技術領域的普通技術人員可以輕鬆實施本發明的技術思想。在說明本發明的過程中，在判斷為與本發明相關的公知技術的具體說明有可能使本發明的主旨變得不清楚的情況下，將省略其詳細說明。以下，參照附圖，詳細說明本發明的優選實施例。在附圖中，相同的附圖標記表示相同或類似的結構要素。
在本說明書中，任意結構配置在結構要素的“上部（或下部）”或結構要素的“上（或下）”不僅可以表示任意結構配置為與上述結構要素的上表面（或下表面）相接觸，還可以表示可在上述結構要素與配置於上述結構要素上（或下）的任意結構之間設置其他結構。
在本說明書中，除非在文脈上明確表示其他含義，否則所使用的單數的表述包括複數的表述。在本申請中，“構成”或“包括”等術語不應解釋成必須全部包括說明書中所記載的結構要素，應解釋為可不包括其中部分結構要素，或者還可包括額外的結構要素。
本說明中的“一面”、“另一面”“雙面”等術語僅用於對一個結構要素和其他結構要素進行區分，結構要素並不限定於上述術語。
在本發明中，晶圓加工可包括晶圓背面研磨（背面研磨）工序、切割工序、劃片化的半導體晶片的拾取工序等。
以下，在說明本發明的過程中，將省略有可能不必要地混淆本發明的主旨的公知技術的相關詳細說明。
以下，針對本發明的晶圓加工用黏結膜進行詳細說明。
本發明的晶圓加工用黏結膜可包括：多層基材，包括上部基材層及下部基材層；第一黏結劑層，配置在上述上部基材層上；以及第二黏結劑層，配置在上述上部基材層與下部基材層之間，上述第二黏結劑層由第二黏結組合物製成，上述第二黏結組合物包含黏結樹脂及核-殼奈米粒子。
圖1為簡要示出本發明實施例的晶圓加工用黏結膜的剖視圖。參照圖1，本發明的晶圓加工用黏結膜包括：多層基材110；第一黏結劑層120，配置在多層基材的上部基材層112上；以及第二黏結劑層115，配置在上述上部基材層112與下部基材層111之間。
多層基材
多層基材110包括下部基材層111、上部基材層112及第二黏結劑層115。第一黏結劑層120配置在上部基材層112上，第二黏結劑層115配置在下部基材層111與上部基材層112之間。在本發明的晶圓加工用黏結膜中，多層基材形成第二黏結劑層115配置在下部基材層111與上部基材層112之間的夾層式結構。
下部基材層111和上部基材層112可以由高模量的材質製成。更具體地，下部基材層111及上部基材層112具有1000MPa以上的模量，例如，可具有1200MPa以上、1500MPa以上、2000MPa以上、3000MPa以上的模量，此時的模量以23℃溫度條件下的測定值為基準。本發明的特徵在於，在黏結晶圓的一側，上部基材層112及下部基材層111均由高模量的材質製成。
當上部基材層112及下部基材層111的模量相對較低時，換言之，在小於1000MPa的情況下，可因晶圓或劃片化的半導體晶片的支撐力降低而導致在背面研磨工序中有可能產生半導體晶片的碰撞。
下部基材層111及上部基材層112可分別包括選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚對苯二甲酸丁二醇酯（PBT）、全芳香族聚酯等聚酯、聚醯亞胺（PI）、聚醯胺（PA）、聚碳酸酯（PC）、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮、雙向拉伸聚丙烯（Oriented Poly-propylene）組成的組中的一種以上。
優選地，下部基材層111和上部基材層112的材質可相同。作為一例，上述下部基材層111及上部基材層112可以為聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）材質。
雖然下部基材層111及上部基材層112可具有相同厚度，但並不限定於此。下部基材層111及上部基材層112可分別具有約10μm～150μm的厚度。另一方面，在本發明中，雖然下部基材層111及上部基材層112具有較高的模量，但是，當下部基材層111及上部基材層112的厚度相對較厚時，尤其，若上部基材層112的厚度太厚，則難以抵擋在背面研磨等晶圓處理過程中產生的衝擊。因此，優選地，下部基材層111及上部基材層112的厚度應定為150μm以下。
另一方面，下部基材層111和/或上部基材層112可包含少量的各種添加劑，例如，偶聯劑、可塑劑、防靜電劑、抗氧化劑等。
第一黏結劑層
圖1所示的第一黏結劑層120為與晶圓黏結的部分。
對於第一黏結劑層120並無特別限制，只要在常溫條件下具備適當黏結性即可，可應用多種黏結劑，例如，公知的紫外線（UV）黏結劑等。
對於第一黏結劑層120的厚度並無特別限制，例如，可以為10μm～100μm。
圖2為簡要示出本發明再一實施例的晶圓加工用黏結膜的剖視圖。
參照圖2，在多層基材的上部基材層112的上表面還可額外包含底漆層113。這種底漆層113可用於提高第一黏結劑層120與多層基材110之間的附著力。
底漆層113形成在上部基材層112的上表面，即，可在形成第一黏結劑層120的一面形成單獨的層。作為另一例，底漆層113可通過上部基材層112的上表面的改性而成。
作為一例，雖然圖2示出底漆層113形成在上部基材層112的上表面，但是，本發明並不限定於此，底漆層也可形成在上部基材層112的下表面或下部基材層111的上表面。
雖未在圖2中示出，但本發明還可以包括離型膜，其配置在第一黏結劑層的上表面並由上述黏結劑層黏結。上述離型膜的一面可以被離型處理。在上述離型處理方面，只要是該領域中通常用於離型處理的材料，就可以不受限制地使用，例如，優選使用矽進行離型處理。
第二黏結劑層
在本發明中，第二黏結劑層115是配置在上部基材層112與下部基材層111之間的黏結劑層，在晶圓加工時，可作為保護晶圓表面的緩衝效果高的緩衝層或減振層。
優選地，本發明的第二黏結劑層由第二黏結組合物製成，上述第二黏結組合物包含黏結樹脂及核-殼奈米粒子。可通過對上述第二黏結組合物進行熱固化來製造第二黏結劑層。
上述第二黏結組合物的黏結樹脂可包含熱固性丙烯酸黏結樹脂，除了黏結樹脂之外，第二黏結組合物還可以包含熱固化劑。
例如，熱固性丙烯酸黏結樹脂可以為丙烯酸甲酯化合物。可用於熱固性丙烯酸黏結劑的丙烯酸甲酯化合物有（甲基）丙烯酸酯、烷基的碳數為4以上的（甲基）丙烯酸烷基酯等的（甲基）丙烯酸烷基酯、非氨基甲酸乙酯類多官能（甲基）丙烯酸酯等，但並不限定於此。
可用於熱固性丙烯酸黏結劑的固化劑有異氰酸酯類交聯劑、碳二亞胺類交聯劑、惡唑啉類交聯劑、環氧類交聯劑、氮丙啶類交聯劑、過氧化物等，但並不限定於此。相對於第二黏結組合物的100重量份的黏結樹脂，固化劑的含量可以為2重量份以下，但並不限定於此。
為了緩衝效果，作為緩衝層的第二黏結劑層的模量越低越有利，但在模量過低的情況下，有可能發生如下的問題，即，在進行背面研磨工序時，會因溫度升高而導致緩衝層在高溫下流動或厚度變得不均勻。
因此，本發明人發現，為了控制由於進行晶圓的背面研磨工序時產生的熱量而導致的第二黏結層的流動性，使第二黏結劑層包含核-殼結構的奈米粒子，這樣就能解決上述問題。
優選地，上述核-殼結構的奈米粒子的平均粒徑為5nm～400nm，更優選為100nm～300nm。若奈米粒子的平均粒徑小於5nm，則有可能會因粒子間靜電引起聚集而導致分散不均勻，若奈米粒子的平均粒徑大於400nm，則有可能會出現塗敷層的表面變得凹凸不平等的厚度均勻度不佳的問題。
上述核-殼奈米粒子的核通過形成交聯結構來起到在高溫下保持模量的作用，因此，優選地，由玻璃化轉變溫度低的材料製成。
上述核-殼奈米粒子的核的玻璃化轉變溫度可以為－50℃～40℃，更優選地，可以為－30～30℃，最優選地，可以為－30℃～20℃。在上述的玻璃化轉變溫度範圍中，可對背面研磨時產生的衝擊實現工序溫度（40℃～90℃）區間所需的緩衝效果。
若核的玻璃化轉變溫度大於40℃，則對於在加工工序溫度區間產生的衝擊的吸收能力有限，因而有可能導致晶片破裂（chip crack），若核的玻璃化轉變溫度小於－50℃時，則會導致粒子形狀很容易因加工工序進行時的壓力而變形，有可能會在衝擊吸收功能方面出現問題。
例如，核可以包含玻璃化轉變溫度在－50℃～40℃範圍內的一種以上聚烷基（甲基）丙烯酸酯。優選地，核可以包含聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸環己酯、聚丙烯酸苄酯、聚丙烯酸異丙酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸己酯、聚氰基丙烯酸甲酯及聚-2-氰乙基甲基丙烯酸酯中的一種以上，但並不限定於此。更優選地，核可包含聚丙烯酸甲酯及聚甲基丙烯酸丁酯中的一種以上。
優選地，上述核-殼奈米粒子的殼起到形成堅硬結構的功能，為了在黏結劑層內確保分散性，由玻璃化轉變溫度高的材料製成。
上述核-殼奈米粒子的殼的玻璃化轉變溫度可以為50℃～150℃，更優選地，可以為60℃～130℃，最優選地，可以為80℃～130℃。
若上述殼的玻璃化轉變溫度小於50℃，則有可能發生如下的問題，即，由於粒子分散性降低而導致聚集（aggregation），或者因進行加工工序時產生的熱量而導致有機粒子變形，從而導致衝擊下的黏結膜的恢復性能降低。若殼的玻璃化轉變溫度大於150℃，則有可能會因粒子的硬度增加而導致緩衝效果變差。
例如，殼可以包含玻璃化轉變溫度為50℃～150℃的聚烷基（甲基）丙烯酸酯。優選地，殼可以包含聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸丙酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸異丙酯、聚甲基丙烯酸異丁酯及聚甲基丙烯酸環己酯中的一種以上，但並不限定於此。更優選地，殼可包含聚甲基丙烯酸甲酯。
相對於100重量份的核-殼奈米粒子，可包含1重量份～70重量份的上述殼，優選地，可包含5重量份～60重量份，更優選地，可包含10重量份～50重量份。若核-殼奈米粒子中的殼的含量小於1重量份，則核不能被充分包圍，背面研磨工序時的晶圓的表面保護效果將下降，若大於70重量份，則會因堅硬的殼部分過多而降低緩衝效果，從而將無法良好地保持黏結膜的恢復力。因此，只有在上述殼滿足占核-殼奈米粒子的1重量份～70重量份這一範圍時，才能夠保持緩衝效果及模量的平衡。
相對於上述第二黏結組合物的100重量份的黏結樹脂，可包含0.1重量份～20重量份的核-殼奈米粒子，更優選地，可包含1重量份～10重量份，最優選地，可包含2重量份～8重量份。若核-殼奈米粒子的含量小於0.1重量份，則有可能會導致奈米粒子的緩衝效果不顯著，若大於20重量份，則有可能會因黏結力降低、粒子的分散性變差而產生不均勻的聚集，從而導致緩衝效果減半等。
優選地，上述第二黏結劑層在60℃～90℃的溫度範圍內的模量為0.05MPa～2MPa，更優選為0.05MPa～1MPa。
優選地，由於使用低模量的材料有利於進一步提高緩衝效果特性，因此，第二黏結劑層的模量為2MPa以下。然而，若模量過低，則會導致黏結劑層的流動性增加，因此，有可能會因在晶圓的背面研磨工序時受到的壓力而導致厚度不均勻，因而優選地，高溫下的第二黏結劑層的模量為0.05MPa以上。
優選地，基於下列式1測定的本發明的黏結膜的恢復力為55%～90%，更優選為65%～90%，最優選為70%～90%。
式1：恢復力（%）=（1－（X f/X 0））×100
在上述式1中，X 0為黏結膜的初始厚度的1/2倍的厚度，X f為在以X 0保持10秒後復原的情況下未對黏結膜施加力時的黏結膜被壓的厚度。
如本發明，根據具有55%～90%的恢復力的黏結膜，即使在晶圓的背面研磨工序中產生的熱量和壓力下，黏結膜也不會變形，因而可以保持晶圓晶片的穩定的厚度均勻度。若恢復力小於55%，則進行晶圓加工工序時的表面保護效果不充分，若恢復力大於90%，則會使緩衝效果降低，導致進行背面研磨工序時產生的衝擊傳遞到晶圓，因此有可能會破裂。
在本發明中，黏結膜的恢復力旨在測定包括黏結劑層的膜的復原力，並使用物性測試儀（Texture Analyzer，TA.XT_Plus）進行測定，具體測定方法如下。
測定方法
將按照聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜（50μm）/黏結膜（長×寬：20mm×20mm，厚度：60μm）/聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（50μm）的順序黏結的試片固定在板上，接著在高溫（60℃）下使用矩形探頭（probe）以300mm/min的速度按壓至厚度變為上述黏結膜的初始厚度的1/2倍的厚度，即X 0（單位：μm），然後保持10秒鐘，之後以與按壓時的速度相同的速度（300mm/min）復原，在將向上述黏結膜施加0kPa的力量時的黏結膜被按壓的厚度設為X f（單位：μm）時，用上述式1計算了恢復力（%）。
以下，通過本發明的優選實施例，更詳細地說明本發明的結構及作用。但是，這屬於本發明的優選例示，從任何角度都不應解釋為限制本發明。
製備例
製備例1：第二黏結劑層形成用組合物（“M1”）
在氮氣氛下，使得混合42重量份的丙烯酸丁酯、10重量份的丙烯酸乙基己酯、30重量份的丙烯酸甲酯、5重量份的丙烯酸-2-羥乙基酯、13重量份的丙烯酸、0.05重量份的偶氮二異丁腈、100重量份的乙酸乙酯而得到的混合物在60℃的溫度條件下聚合6個小時，從而得到了重均分子量為80萬的丙烯酸樹脂聚合液A。
相對於100重量份的上述丙烯酸樹脂聚合液A，添加2重量份的異氰酸酯類固化劑（日本聚氨酯工業株式社會製備，商品名“Coronate C”），從而獲取了第二黏結劑層形成用組合物（標記為“M1”）。
製備例2：第二黏結劑層形成用組合物（“M2”）
在氮氣氛下，使得混合20重量份的丙烯酸丁酯、10重量份的丙烯酸乙基己酯、55重量份的丙烯酸甲酯、7重量份的丙烯酸-2-羥乙基酯、8重量份的丙烯酸、0.05重量份的偶氮二異丁腈、100重量份的乙酸乙酯而得到的混合物在60℃的溫度條件下聚合6個小時，從而得到了重均分子量為60萬的丙烯酸樹脂聚合液B。
相對於100重量份的上述丙烯酸樹脂聚合液B，添加3重量份的異氰酸酯類固化劑（日本聚氨酯工業株式社會製備，商品名“Coronate C”，從而獲取了第二黏結劑層形成用組合物（標記為“M2”）。
製備例3：第一黏結劑層形成用組合物（“A1”）
向以使得氮氣環流並便於調節溫度的方式設置有冷卻裝置的反應器投入由27g的丙烯酸丁酯（BA）、48g的丙烯酸甲酯（MA）及25g的丙烯酸羥乙酯（HEA）組成的單體混合物。
接著，將100重量份的乙酸乙酯（EAc）作為溶劑放入100重量份的上述單體混合物中，為了去除氧，向上述反應器內注入氮，並在30℃的溫度條件下充分混合30分鐘以上。接著，將溫度保持在50℃，在放入作為反應引發劑的濃度為0.1重量份的偶氮二異丁腈並引發反應後，經過24個小時的聚合來製備出第一反應物。
向上述第一反應物調配24.6重量份的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯（MOI）及相對於MOI達到1重量百分比的催化劑（DBTDL：dibutyl tin dilaurate），在40℃的溫度條件下反應24個小時，從而獲取重均分子量為50萬的丙烯酸聚合物C。
向100重量份的上述丙烯酸聚合物C調配0.1重量份的作為光聚合引發劑的光起始劑（Irgacure）184（巴斯夫（BASF）公司制造，商品名），並添加2重量份的異氰酸酯類固化劑（日本聚氨酯工業株式社會製備，商品名“Coronate C”），來獲取第一黏結劑層形成用組合物（標記為“A1”）。
製備例4：核-殼奈米粒子（“b1”）
核由聚丙烯酸甲酯（PMA，Tg：10℃）形成，殼由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA，Tg：105℃）形成，從而組成了核-殼結構，在核-殼奈米粒子中，相對於100重量份的核-殼奈米粒子，殼為40重量份，平均粒徑為230nm。
製備例5：核-殼奈米粒子（“b2”）
核由聚丙烯酸甲酯（PMA）形成，殼由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）形成，從而組成了核-殼結構，在核-殼奈米粒子中，相對於100重量份的核-殼奈米粒子，殼為30重量份，平均粒徑為130nm。
實施例
實施例1
在離型處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜（厚度為50μm）上塗敷製備例3中的第一黏結劑層形成用組合物（“A1”），使得第一黏結劑層的厚度達到20μm，然後，通過接合形成有底漆層的聚對苯二甲酸乙二醇酯基材膜（厚度為50μm），來製作了總厚度為120μm的具有第一黏結劑層的膜。
接著，以使得丙烯酸樹脂聚合液B與製備例4中的核-殼奈米粒子b1之間的比例達到100重量份比4重量份的方式向製備例2中的第二黏結劑層形成用組合物（“M2”）添加並混合製備例4中的核-殼奈米粒子b1，然後以20μm的厚度在聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（厚度為20μm）上進行塗敷，從而製作了總厚度為40μm的具有第二黏結劑層的膜。
將具有上述第一黏結劑層的膜與具有第二黏結劑層的膜接合，製備出總厚度為160μm的複合膜，通過採用保護片來最終製備出晶圓加工用黏結膜。
實施例2
除了由製備例1中的第二黏結劑層形成用黏結組合物（“M1”）代替製備例2中的第二黏結劑層形成用黏結組合物（“M2”）來作為第二黏結劑層並由製備例5中的“b2”代替製備例4中的“b1”來作為核-殼奈米粒子之外，以與實施例1相同的方式進行製備。
實施例3
除了使用“M2”並以50μm的厚度在聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（厚度為20μm）上進行塗敷來形成總厚度為70μm的第二黏結劑層之外，以與實施例1相同的方式進行製備。
實施例4
除了使用“M1”並以50μm的厚度在聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（厚度為20μm）上進行塗敷來形成總厚度為70μm的第二黏結劑層且使得作為核-殼奈米粒子的製備例5中的“b2”的含量達到2重量份之外，以與實施例2相同的方式進行製備。
實施例5
除了使用“M2”並以80μm的厚度在聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（厚度為20μm）上進行塗敷來形成總厚度為100μm的第二黏結劑層且由8重量份的製備例5中的“b2”代替製備例4中的“b1”來作為核-殼奈米粒子之外，以與實施例1相同的方式進行製備。
實施例6
除了使用“M1”並以80μm的厚度在聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（厚度為20μm）上進行塗敷來形成總厚度為100μm的第二黏結劑層並使用8重量份的製備例5中的核-殼奈米粒子“b2”之外，以與實施例2相同的方式進行製備。
比較例1
除了在第二黏結劑層未包含核-殼奈米粒子之外，以與實施例4相同的方式進行製備。
比較例2
除了由製備例4中的“b1”代替製備例5中的“b2”來作為核-殼奈米粒子並使其含量達到25重量份之外，以與實施例3相同的方式進行製備。
實驗例
實驗例1：黏結膜的模量（60℃及90℃）測定
在1Hz條件下，通過使用模量測定裝置流變儀（Rheometer，美國熱分析儀器公司（TA instruments），ARES-G2）來對通過層疊由在實施例及比較例中使用的第二黏結劑層形成用組合物的溶液形成的單層的黏結劑層而得到的尺寸達到直徑8mm×厚度1mm的樣品測定從－20℃到120℃的溫度環境下的模量，記錄了60℃及90℃溫度下的模量，並在表1中記載。
實驗例2：恢復力
黏結膜的恢復力旨在測定包括黏結劑層的膜的復原力，通過使用物性測試儀（Texture Analyzer，TA.XT_Plus）測定，基於下列式1計算，具體測定方法如下。
式1：恢復力（%）=（1－（X f/X 0））×100
測定方法
將按照聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜（50μm）/黏結膜（長×寬：20mm×20mm，厚度：60μm）/聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（50μm）的順序黏結的試片固定在板上，接著在高溫（60℃）下使用矩形探頭（probe）以300mm/min的速度按壓至厚度變為上述黏結膜的初始厚度的1/2倍的厚度，即X 0（單位：μm），然後保持10秒鐘，之後以與按壓時的速度相同的速度（300mm/min）復原，在將向上述黏結膜施加0kPa的力量時的黏結膜被按壓的厚度設為X f（單位：μm）時，用上述式1計算了恢復力（%）。
根據上述式1及測定方法測定上述實施例1～實施例6及比較例1～比較例2中的黏結膜的恢復力並顯示在表1。
實驗例3：晶圓研磨測驗（厚度均勻度）
將上述實施例1～實施例6及比較例1～比較例2中的黏結膜分別附著於半導體電路面，然後對725μm的晶圓進行背面研磨至100μm的厚度。通過照射UV A 300 mJ/cm²去除黏結膜，然後對比研磨後晶圓內的10個點的平均厚度均勻度。如果各個點的厚度的偏差的平均值為4μm以下，則評價為“O”（良好），如果是6μm以上，則評價為“X”（不良）。
表1
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例1 比較例2
60℃模量 （MPa） 0.36 0.27 0.36 0.19 0.76 0.62 0.18 2.84
90℃模量 （MPa） 0.28 0.21 0.28 0.15 0.61 0.49 0.03 2.33
恢復力 （%） 75.1 72.9 68.6 59.5 84.5 79.4 43.4 96.7
厚度均勻度 O O O O O O X -
如上述表1所示，與比較例1相比，包含核-殼奈米粒子的實施例1～實施例6具有優秀的恢復力和厚度均勻度。並且，在比較例2中，第二黏結層的模量數值大於2MPa，恢復力大於90%，緩衝特性不充分，並難以測定厚度均勻度。
以上，參照附圖說明了本發明，但本發明並不限定於本說明書中公開的實施例和附圖，顯而易見的是，本發明所屬技術領域的普通技術人員可在本發明的技術思想範圍內進行多種修改。並且，應當理解的是，即使在說明本發明實施例的過程中未明確說明的本發明結構的作用效果也包含可通過相應結構進行預測的效果。
110:基材 111:下部基材層 112:上部基材層 113:底漆層 115:第二黏結劑層 120:第一黏結劑層
圖1為簡要示出本發明實施例的晶圓加工用黏結膜的剖視圖。
圖2為簡要示出本發明另一實施例的晶圓加工用黏結膜的剖視圖。
110:基材
111:下部基材層
112:上部基材層
115:第二黏結劑層
120:第一黏結劑層

Claims (9)

  1. 一種晶圓加工用黏結膜，其中，包括：多層基材，包括上部基材層及下部基材層；第一黏結劑層，配置在該上部基材層上；以及第二黏結劑層，配置在該上部基材層與該下部基材層之間，其中該第二黏結劑層由第二黏結組合物製成，該第二黏結組合物包含黏結樹脂及核-殼奈米粒子，該第二黏結劑層在60℃~90℃的溫度範圍內的儲存模量為0.05MPa~2Mpa，以及根據下列式1測定的該黏結膜的恢復力為55%~90%，式1：恢復力(%)=(1-(Xf/X0))×100在式1中，X0為該黏結膜的初始厚度的1/2倍的厚度，Xf為在以X0保持10秒後復原的情況下未對該黏結膜施加力時的該黏結膜被壓的厚度。
  2. 如請求項1之晶圓加工用黏結膜，其中，該核-殼奈米粒子的平均粒徑為5nm~400nm。
  3. 如請求項1之晶圓加工用黏結膜，其中，該核-殼奈米粒子的核為玻璃化轉變溫度達到-50℃~40℃的的聚烷基(甲基)丙烯酸酯，該核-殼奈米粒子的殼為玻璃化轉變溫度達到50℃~150℃的聚烷基(甲基)丙烯酸酯。
  4. 如請求項1之晶圓加工用黏結膜，其中，相對於該第二黏結組合物的100重量份的該黏結樹脂，包含0.1重量份~20重量份的核-殼奈米粒子。
  5. 如請求項1之晶圓加工用黏結膜，其中，在23℃的溫度條件下，該下部基材層及上部基材層的儲存模量為1000MPa以上。
  6. 如請求項1之晶圓加工用黏結膜，其中，該下部基材層及該上部基材層分別包含選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、全芳香族聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮及雙向拉伸聚丙烯組成的組中的一種以上。
  7. 如請求項6之晶圓加工用黏結膜，其中，該下部基材層及該上部基材層的材質為聚對苯二甲酸乙二醇酯。
  8. 如請求項1之晶圓加工用黏結膜，其中，該第二黏結劑層的該黏結樹脂包含熱固性丙烯酸黏結樹脂。
  9. 如請求項1之晶圓加工用黏結膜，其中，在該上部基材層的上表面、該上部基材層的下表面及該下部基材層的上表面中的至少一面還額外形成有底漆層。
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