TWI840553B - 鋁化成箔、鋁電解電容器用電極及鋁化成箔之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種鋁化成箔，其係在對於具備包含粉體的燒結體所成之多孔質層的鋁箔施予陽極氧化時，可抑制鋁箔的斷裂。 本發明之解決手段為：鋁化成箔(1)具有：在包含鋁或鋁合金所成的箔狀基底層(2)之兩面中，於第1面(2a)上層合有包含鋁或鋁合金的粉體(11)之燒結體所成的第1多孔質層(3)之鋁箔(10)，與形成在前述第1多孔質層(3)上之第1化成皮膜(5)。於第1多孔質層(3)之表面上，以300μm以上之長度在Y方向延伸的裂痕(7)，係在X方向中以30μm～150μm之間隔複數設置。

Description

鋁化成箔、鋁電解電容器用電極及鋁化成箔之製造方法

本發明關於鋁化成箔、鋁電解電容器用電極及鋁化成箔之製造方法，該鋁化成箔係化學形成有具備包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成的多孔質層者。

作為鋁電解電容器用電極，已知使用對於具備包含鋁的粉體之燒結體所成之多孔質層的鋁箔，施有陽極氧化之鋁化成箔。於如此的鋁化成箔中，在對於鋁箔施予陽極氧化而形成化成皮膜的陽極氧化步驟中，若在鋁箔發生折彎，則有鋁箔斷裂之問題。於專利文獻1中，對於燒結體之表面施予壓花加工而使燒結體之表面粗糙度成為指定值之範圍內，然後藉由進行陽極氧化步驟，而減少鋁箔之斷裂。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開2016/136804號

[發明所欲解決的課題]

於陽極氧化步驟中鋁箔的折彎強度降低之理由係因為隨著化成皮膜之成長，變難以從鋁箔放出應力。亦即，於陽極氧化步驟中，在包含粉體的燒結體所成的多孔質層之表面上化成皮膜成長。藉此，相鄰的粉體係通過化成皮膜而結合。於如此的狀態下，當在鋁箔發生折彎時，由於粉體彼此之結合為強固，無法將起因於變形所發生的應力從鋁箔放出。此結果，在粉體間之結合中發生局部的破裂。又，該破裂係擴展而鋁箔斷裂。

此處，即使在對於多孔質層之表面施有壓花加工的鋁箔，施予陽極氧化時，也隨著化成皮膜之成長，而相鄰的粉體通過化成皮膜進行結合。因此，於使用專利文獻1之技術的情況中，不易將起因變形所造成的應力從鋁箔放出，難以充分地抑制鋁箔的折彎強度之降低。

鑒於以上之問題點，本發明之課題在於提出一種鋁化成箔，其係在對於具備包含粉體的燒結體所成的多孔質層之鋁箔施予陽極氧化時，可防止或抑制因折彎而鋁箔斷裂者。又，提出一種該鋁化成箔之製造方法。 [解決課題的手段]

為了解決上述課題，本發明之鋁化成箔之特徵為具有：在包含鋁或鋁合金所成的箔狀基底層之兩面中，於第1面上層合包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成的第1多孔質層之鋁箔，及形成在前述第1多孔質層上之第1化成皮膜。於前述第1多孔質層之表面上，在面內方向以300μm以上之長度在第1方向中延伸的裂痕，係在前述面內方向且正交於前述第1方向的第2方向中，以30μm～150μm之間隔複數設置。

本發明之鋁化成箔係於第1多孔質層之表面上，具備以300μm以上之長度在面內方向的第1方向中延伸的裂痕。又，裂痕係在鋁化成箔之面內方向的第2方向中以30μm～150μm之間隔複數設置。於具備如此複數的裂痕之鋁化成箔中，即使在因對於鋁箔施予陽極氧化而相鄰的粉體通過第1化成皮膜進行結合之鋁箔中發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力在陽極氧化之完成後從裂痕的部分放出。藉此，可防止或抑制在粉體間之結合中發生局部的破裂者，因此可防止或抑制該破裂擴展而鋁箔斷裂者。

於本發明中，複數之前述裂痕各自宜到達前述基底層與前述第1多孔質層之邊界為止。這樣做的話，即使當施予陽極氧化時而在鋁箔發生折彎之情況中，也容易將起因於變形所發生的應力從鋁箔放出。

於本發明中，前述鋁箔係可將前述第2方向中的尺寸設為比前述第1方向中的尺寸長。

於本發明中，前述第1多孔質層係可設為10μm以上且500μm以下之厚度。

於本發明中，前述粉體之平均粒徑係可設為1μm以上且20μm以下。

於本發明中，前述基底層係可設為10μm以上且100μm以下之厚度。

於本發明中，可於前述基底層之與前述第1面相反的第2面上，層合有包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成的第2多孔質層，於前述第2多孔質層上，形成有第2化成皮膜，於前述第2多孔質層之表面上，在其面內方向中延伸的前述裂痕係以前述間隔複數設置。這樣做的話，即使鋁箔為在基底層之兩面具備多孔質層時，也可將在施有陽極氧化的鋁箔中所發生的應力放出。

此處，本發明可成為一種鋁電解電容器用電極，其係包含上述之鋁化成箔所成。

本發明之鋁電解電容器用電極係在第1多孔質層中具備複數的裂痕。因此，即使在對於鋁箔施予陽極氧化而在製造鋁電解電容器用電極時在鋁箔發生折彎之情況中，也可防止或抑制鋁箔之斷裂。又，鋁電解電容器用電極由於在第1多孔質層中具備複數的裂痕，因此與不具備裂痕的情況比較下，比表面積係增大。因此，與在第1多孔質層中不具備複數的裂痕之情況比較下，可增加鋁電解電容器用電極的靜電容量。

於本發明中，前述鋁化成箔係可在前述第2方向中捲繞成漩渦曲線狀之捲筒形狀。於捲繞鋁化成箔而成為捲筒形狀的鋁電解電容器用電極之情況中，容易在複數的裂痕並排的第2方向中捲繞。因此，與鋁化成箔不具備裂痕的情況比較下，具備裂痕的鋁化成箔係可以接近真圓的形狀捲繞。即，鋁化成箔係可成為在中途不具有折彎的部分，在第2方向中捲繞之捲筒形狀。此處，若將鋁化成箔捲繞成漩渦曲線狀的捲筒形狀之鋁電解電容器用電極當作電容器元件，則在將電容器元件收納於外殼時，與鋁電解電容器用電極不捲繞成漩渦曲線狀的情況比較下，可收容在第2方向中具備長的尺寸之鋁電解電容器用電極。藉此，由於鋁電解電容器用電極之表面積增加，可增加鋁電解電容器的靜電容量。又，若成為將鋁化成箔捲繞成漩渦曲線狀的捲筒形狀，則與鋁化成箔具有在中途折彎的部分之情況比較下，可防止在經折彎的部分所發生的鋁化成箔之斷裂。因此，可提高鋁化成箔的捲繞性。

接著，本發明之另一形態的鋁化成箔之特徵為具有：在包含鋁或鋁合金所成的箔狀基底層之兩面中，於第1面上層合有包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成的第1多孔質層之鋁箔，及形成在前述第1多孔質層上之第1化成皮膜，於前述第1多孔質層之表面上，在面內方向於第1方向中延伸的裂痕，係在面內方向且正交於前述第1方向的第2方向中疏離且複數設置，複數的前述裂痕各自係到達前述基底層與前述第1多孔質層之邊界為止。

本發明之鋁化成箔係於第1多孔質層之表面上，在面內方向於第1方向中延伸的裂痕係在面內方向的第2方向中疏離且複數設置。又，各裂痕係到達基底層與第1多孔質層之邊界為止。於具備如此複數的裂痕之鋁化成箔中，即使在因對於鋁箔施予陽極氧化而相鄰的粉體通過第1化成皮膜進行結合之鋁箔中發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力在陽極氧化之完成後從裂痕的部分放出。藉此，可防止或抑制在粉體間之結合中發生局部的破裂者，因此可防止或抑制該破裂擴展而鋁箔斷裂者。

此處，本發明可成為一種鋁電解電容器用電極，其係包含上述之鋁化成箔所成。

本發明之鋁電解電容器用電極係在第1多孔質層中具備複數的裂痕。因此，即使在對於鋁箔施予陽極氧化而在製造鋁電解電容器用電極時在鋁箔發生折彎之情況中，也可防止或抑制鋁箔之斷裂。又，鋁電解電容器用電極由於在第1多孔質層中具備複數的裂痕，因此與不具備裂痕的情況比較下，比表面積係增大。因此，與在第1多孔質層中不具備複數的裂痕之情況比較下，可增加鋁電解電容器用電極的靜電容量。

於本發明中，前述鋁化成箔係可在前述第2方向中捲繞成漩渦曲線狀之捲筒形狀。捲繞鋁化成箔而成為捲筒形狀的鋁電解電容器用電極時，容易在複數的裂痕並排的第2方向中捲繞。因此，與鋁化成箔不具備裂痕的情況比較下，具備裂痕的鋁化成箔係可以接近的真圓形狀捲繞。即，具備複數之列痕的鋁化成箔係可成為在中途不具有折彎的部分，在第2方向中捲繞之捲筒形狀。此處，若將鋁化成箔捲繞成漩渦曲線狀的捲筒形狀之鋁電解電容器用電極當作電容器元件，則在將電容器元件收納於外殼時，與鋁電解電容器用電極不捲繞成漩渦曲線狀的情況比較下，可收容在第2方向中具備長的尺寸之鋁電解電容器用電極。藉此，由於鋁電解電容器用電極之表面積增加，可增加鋁電解電容器的靜電容量。又，若成為將鋁化成箔捲繞成漩渦曲線狀的捲筒形狀，則與鋁化成箔具有在中途折彎的部分之情況比較下，可防止在經折彎的部分所發生的鋁化成箔之斷裂。因此，可提高鋁化成箔的捲繞性。

接著，本發明之鋁化成箔之製造方法之特徵為具備：在包含鋁或鋁合金所成的箔狀基底層之兩面中，於第1面上層合有包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成的第1多孔質層之鋁箔上，形成第1化成皮膜之化成步驟；其中，前述化成步驟具備對於前述鋁箔施予陽極氧化之陽極氧化步驟，於前述化成步驟中，進行：使前述鋁箔產生應力，而將在前述第1多孔質層之表面上於第1方向中延伸的裂痕，於正交於前述第1方向的第2方向中疏離且複數設置之裂痕形成處理，於前述陽極氧化步驟中，在前述裂痕形成處理後，進行對於前述鋁箔施予陽極氧化的裂痕形成後陽極氧化處理。

根據本發明，藉由在化成步驟中使鋁箔產生應力，而將在第1多孔質層之表面上於第1方向中延伸的裂痕，在第2方向中疏離且複數設置。又，於裂痕之形成後，對於鋁箔施予陽極氧化。此處，由於在化成步驟之中途在第1多孔質層中先形成裂痕，故即使於其後藉由陽極氧化而第1化成皮膜成長之情況中，也可抑制因第1化成皮膜而封閉裂痕者。因此，可得到具備複數的裂痕之鋁化成箔。因此，即使於隨著第1化成皮膜之成長而相鄰的粉體通過第1化成皮膜進行結合之鋁箔中發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力從裂痕放出。藉此，可防止或抑制在粉體間之結合中發生局部的破裂者，因此可防止或抑制局部的破裂擴展而鋁箔斷裂者。又，由於在形成裂痕後對於鋁箔施予陽極氧化，可在裂痕發生後之第1多孔質層上再形成第1化成皮膜。藉此，可藉由再形成的第1化成皮膜，被覆因裂痕之形成而露出第1多孔質層之表面的鋁新生面(裸露的金屬鋁之表面)。因此，可一邊減低因裂痕所發生的陽極氧化中之鋁箔或鋁電解電容器用電極的洩漏電流，一邊防止或抑制斷裂。

於本發明中，在前述裂痕形成處理中，可將以300μm以上之長度在前述第1方向中延伸的前述裂痕，在前述第2方向中以30μm～150μm之間隔複數設置。若設置如此的裂痕，則即使於藉由陽極氧化第1化成皮膜成長之情況中，也可防止或抑制因第1化成皮膜而封閉裂痕者。

於本發明中，在前述裂痕形成處理中，宜使各裂痕到達前述基底層與前述第1多孔質層之邊界為止。這樣做的話，由於裂痕深，故即使在施予陽極氧化之間於鋁箔發生折彎之情況中，也容易將起因於變形所發生的應力從裂痕放出。

再者，陽極氧化時之電壓達到指定的陽極氧化電壓為止所成長的第1化成皮膜之厚度係可推斷。因此，於裂痕形成處理前，若進行將陽極氧化施予鋁箔的裂痕形成前陽極氧化處理直到達到指定的陽極氧化電壓為止，則可避免在進行裂痕形成處理之時間點第1化成皮膜變過厚，鋁箔變過硬者。藉此，於使鋁箔產生應力時，可避免鋁箔斷裂。又，於使鋁箔產生應力時，可在第1多孔質層之表面上均勻地設置複數的裂痕。此處，若在第1多孔質層之表面上均勻地形成複數的裂痕，則即使於第1化成皮膜之厚度增加直到達到目的之皮膜耐電壓為止的情況中，也可抑制折彎強度降低。

上述指定的陽極氧化電壓可設為400V以下。再者，於達到指定的陽極氧化電壓為止中，包含達到指定的陽極氧化電壓之時間點。這樣做的話，與在陽極氧化時的電壓達到指定的陽極氧化電壓後進行裂痕形成處理之情況比較下，在形成裂痕的時間點第1化成皮膜不變過厚，鋁箔不變過硬。因此，於使鋁箔產生應力時，鋁箔不易斷裂。又，若進行裂痕形成處理直到陽極氧化時的電壓達到指定的陽極氧化電壓為止，則第1化成皮膜不變過厚，鋁箔不變過硬，因此藉使鋁箔產生應力，可在第1多孔質層之表面上均勻地設置複數的裂痕。此處，若能在第1多孔質層之表面上均勻地設置複數的裂痕，則即使在藉由陽極氧化時的電壓達到指定的陽極氧化電壓後之陽極氧化而厚地形成第1化成皮膜之情況中，也可抑制折彎強度之降低。

於本發明中，在前述裂痕形成處理中，可使在前述第1方向中延伸的第1裂痕形成用輥接觸前述鋁箔之兩面中的與前述第1面相反側之第2面，使該鋁箔與該第1裂痕形成用輥在前述第2方向中相對移動。這樣做的話，藉由第1裂痕形成用輥使鋁箔產生應力，可在第1多孔質層中形成裂痕。

於本發明中，在前述化成步驟中，可藉由沿著前述第2方向所配置的複數輥，使前述鋁箔在前述第2方向中行進，於複數之前述輥之中，直徑比其他輥更小的輥係被配置作為前述第1裂痕形成用輥。作為第1裂痕形成用輥，若使用直徑小的輥，則容易藉由第1裂痕形成用輥使鋁箔產生應力。

於本發明中，可於前述鋁箔中，在前述基底層之與前述第1面相反的第2面上，層合包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成的第2多孔質層，於前述化成步驟中，在前述第2多孔質層上形成第2化成皮膜，於前述裂痕形成處理中，使在前述第1方向中延伸的第2裂痕形成用輥，於前述第2方向中與前述第1裂痕形成用輥不同的位置，接觸前述第1面，使該鋁箔與前述第2裂痕形成用輥在前述第2方向中相對移動。這樣做的話，可藉由第2裂痕形成用輥使鋁箔產生應力，在第2多孔質層中形成複數的裂痕。因此，即使於鋁箔為在基底層之兩面具備多孔質層之情況中，或在施予陽極氧化時在鋁箔發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力從鋁箔放出。因此，可防止或抑制鋁箔之斷裂。

於本發明中，前述化成步驟可具備：在前述陽極氧化步驟之前，於前述鋁箔上形成水合皮膜之水合步驟，前述陽極氧化步驟可對於形成有前述水合皮膜的前述鋁箔，施予陽極氧化，前述裂痕形成處理可在前述水合步驟之中途進行。這樣做的話，於水合步驟中在第1多孔質層之表面上形成水合皮膜。再者，於水合步驟之中途在第1多孔質層中設置裂痕。藉此，藉由裂痕形成處理，而在第1多孔質層之表面上，通過裂痕而鋁新生面露出。即，於裂痕所造成的第1多孔質層之斷裂面中，在表面未形成水合皮膜的粉體係露出。然後，於鋁新生面上，在裂痕形成處理之後續進行的水合步驟中形成水合皮膜。此處，被覆鋁新生面的水合皮膜係在陽極氧化步驟中，阻礙或抑制位於將裂痕夾於之間的兩側之粉體彼此通過第1化成皮膜進行結合者。因此，若在水合步驟之中途進行裂痕形成處理，則在裂痕形成處理及水合步驟之後所進行的陽極氧化步驟中第1化成皮膜成長時，可防止或抑制因第1化成皮膜而封閉裂痕者。

於本發明中，前述化成步驟可具備：在前述陽極氧化步驟之前，於前述鋁箔上形成水合皮膜之水合步驟，前述陽極氧化步驟可對於形成有前述水合皮膜的前述鋁箔，施予陽極氧化，前述裂痕形成處理可在前述水合步驟之後進行。這樣做的話，於水合步驟中在第1多孔質層之表面上形成水合皮膜。此處，水合皮膜係成為在陽極氧化步驟中粉體彼此通過第1化成皮膜進行時之障礙，阻礙或抑制粉體彼此的結合。因此，若在化成步驟之中途的水合步驟之後具備裂痕形成處理，則在第1多孔質層中所形成的裂痕係容易抑制因第1化成皮膜而被封閉者。

於本發明中，宜在前述裂痕形成處理之後續，具備於前述鋁箔上形成水合皮膜之再水合處理。這樣做的話，於因裂痕之形成而露出第1多孔質層之表面上的鋁新生面上，在裂痕形成處理之後續進行的再水合處理中形成水合皮膜。此處，被覆鋁新生面的水合皮膜係在陽極氧化步驟中，阻礙或抑制位於將裂痕夾於之間的兩側之粉體彼此通過第1化成皮膜進行結合者。因此，若在裂痕形成處理之後續進行再水合處理，則在其以後第1化成皮膜成長時，可抑制因第1化成皮膜而封閉裂痕者。 [發明的效果]

本發明之鋁化成箔係於第1多孔質層之表面上具備以300μm以上之長度在面內方向於第1方向中延伸的裂痕。又，裂痕係在鋁化成箔之面內方向的第2方向中以30μm～150μm之間隔複數設置。於具備如此複數的裂痕之鋁化成箔中，即使在對於鋁箔施予陽極氧化時於鋁箔中發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力在陽極氧化之完成後從裂痕的部分放出。藉此，可防止或抑制在粉體間之結合中發生局部的破裂者，因此可防止或抑制鋁箔斷裂者。

本發明之另一形態的鋁化成箔係於第1多孔質層之表面上，將在面內方向於第1方向中延伸的裂痕，在面內方向的第2方向中疏離且複數設置。又，各裂痕係到達基底層與第1多孔質層之邊界為止。於具備如此複數的裂痕之鋁化成箔中，即使在對於鋁箔施予陽極氧化時在鋁箔發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力在陽極氧化之完成後從裂痕的部分放出。藉此，可防止或抑制在粉體間之結合中發生局部的破裂者，因此可防止或抑制鋁箔斷裂者。

於本發明之鋁化成箔之製造方法中，具備在層合有第1多孔質層之鋁箔上形成第1化成皮膜之化成步驟，化成步驟具備對於鋁箔施予陽極氧化之陽極氧化步驟。又，於化成步驟中，在第1多孔質層中形成裂痕，於陽極氧化步驟中，在裂痕形成後對於鋁箔施予陽極氧化。如此地，於化成步驟之中途在第1多孔質層中形成裂痕，可得到具備複數的裂痕之鋁化成箔。因此，可將鋁化成箔之起因於變形所發生的應力從裂痕放出。藉此，可防止或抑制在粉體間之結合中發生局部的破裂者，因此可防止或抑制局部的破裂擴展而鋁箔斷裂者。又，藉由設置裂痕後之陽極氧化處理，可於裂痕生成後的第1多孔質層上再形成第1化成皮膜。藉此，可藉由再形成的化成皮膜來被覆因裂痕之形成而裸露的金屬鋁之表面。因此，可一邊減低因裂痕所發生的陽極氧化中之鋁箔或鋁電解電容器用電極的洩漏電流，一邊防止或抑制斷裂。

[實施發明的形態]

以下，參照圖式，說明本發明之鋁化成箔及鋁化成箔之製造方法的實施形態。惟，本發明不受以下之實施形態所僅限定。又，實施形態中的構成要素係可適宜組合一部分或全部。本例之鋁化成箔係作為鋁電解電容器用電極使用。以下，說明將鋁化成箔當作鋁電解電容器用電極(陽極箔)之鋁電解電容器後，說明鋁化成箔及鋁化成箔之製造方法。再者，於本說明書中，使用符號「～」藉由下限值與上限值表示數值範圍時，包含該下限值及上限值之兩者。

(鋁電解電容器) 為了使用鋁化成箔製造鋁電解電容器，隔著隔板層合由鋁化成箔(鋁電解電容器用電極)所成的陽極箔與陰極箔，進行捲繞，形成電容器元件。接著，在電解液(糊)含浸電容器元件。然後，將含有電解液的電容器元件收納於外殼，以封口體將殼體封口。

又，於使用固體電解質代替電解液之情況中，在由鋁化成箔(鋁電解電容器用電極)所成的陽極箔之表面上形成固體電解質層後，在固體電解質層之表面上形成陰極層，然後藉由樹脂等進行外裝。當時，設置電連接至陽極的陽極端子與電連接至陰極層的陰極端子。此時，陽極箔有時係被複數片層合。

(鋁化成箔) 圖1係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝本發明之鋁化成箔之表面的照片。圖2係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝將圖1之鋁化成箔沿著長邊方向切斷的剖面之照片。圖3係於鋁化成箔中，表示構成多孔質層的粉體與化成皮膜之關係的說明圖。於圖3中，示意地顯示構成鋁化成箔的基底層、粉體及化成皮膜。圖4係測定在鋁化成箔之表面上所設置的裂痕之間隔的測定方法之說明圖。

鋁化成箔1係藉由對於包含基底層2及多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)所成的鋁箔施予陽極氧化而製造。鋁化成箔1(鋁電解電容器用電極)為長條狀。

如圖2所示，鋁化成箔1具備：包含鋁或鋁合金所成的箔狀基底層2、層合於基底層2之第1面2a的第1多孔質層3、與層合於基底層2之與第1面2a相反之第2面2b的第2多孔質層4。第1多孔質層3及第2多孔質層4各自係包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成。又，鋁化成箔1具有形成於第1多孔質層3之第1化成皮膜5與形成於第2多孔質層4之第2化成皮膜6。

於以下之說明中，將互相正交的3方向當作X方向、Y方向及Z方向，將X方向當作鋁化成箔1的長邊方向。將Y方向當作鋁化成箔1的短邊方向。Z方向係對於基底層2，層合第1多孔質層3及第2多孔質層4之方向。

於本例中，基底層2係由純鋁所成之箔。作為基底層2，使用由鋁合金所成之箔。鋁合金係在鋁中添加有選自由矽、鐵、銅、錳、鎂、鉻、鋅、鈦、釩、鎵、鎳及硼所成之群組的至少1種金屬元素者，或者含有此等元素之任一者作為不可避免的雜質元素之鋁。基底層2之厚度尺寸T1通常為10μm以上，較佳為20μm以上，且通常為100μm以下，較佳為50μm以下。

第1多孔質層3及第2多孔質層4係包含選自由鋁及鋁合金所成之群組的至少1種之粉體的燒結體。如圖3所示，第1多孔質層3及第2多孔質層4係藉由粉體彼此邊維持空隙邊燒結連接而具有三次元網目構造。第1化成皮膜5及第2化成皮膜6係形成在粉體11的三次元網目構造之表面上。此處，第1多孔質層3及第2多孔質層4由於具有三次元網目構造，故其表面積大。因此，使用鋁化成箔1作為鋁電解電容器用電極時，可製造靜電容量大的電容器。

鋁之粉體11係鋁之純度為99.80質量%以上。作為粉體11使用的鋁合金係在鋁中包含由矽、鐵、銅、錳、鎂、鉻、鋅、鈦、釩、鎵、鎳、硼、鋯等所選出的1種以上。鋁合金中的此等元素之含量宜為100質量ppm以下，尤其50質量ppm以下。

第1多孔質層3之厚度及第2多孔質層4之厚度通常相同或大致相同。惟，第1多孔質層3之厚度與第2多孔質層4之厚度可相異。此時，可第1多孔質層3之厚度比第2多孔質層4之厚度更大，也可第2多孔質層4之厚度比第1多孔質層3之厚度。於本例中，第1多孔質層3之厚度尺寸T2及第2多孔質層4之厚度尺寸T3各自為10μm以上、500m以下。又，第1多孔質層3之厚度尺寸T2及第2多孔質層4之厚度尺寸T3較佳為50μm以上、200μm以下。即，將第1多孔質層3之厚度及第2多孔質層4之厚度合計的多孔質層之厚度為20μm以上、1000μm以下。又，將第1多孔質層3之厚度及第2多孔質層4之厚度合計的多孔質層之厚度較佳為100μm以上、400μm。又，構成第1多孔質層3及第2多孔質層4的粉體11之平均粒徑K為1μm以上且20μm以下。

粉體11之平均粒徑K係藉由掃描型電子顯微鏡觀察第1多孔質層3或第2多孔質層4之剖面而獲得。具體而言，若觀察燒結後的粉體11，則成為一部分熔融的狀態，或者粉體11彼此相連的狀態，但具有略圓形狀的部分係可視為近似的粒子。因此，於剖面觀察中，將具有略圓形狀的粒子各自之最大直徑當作該粒子之粒徑，測定50左右的個數之粒子的粒徑，將此等之平均當作燒結後的粉體11之平均粒徑K。

如圖1所示，於第1多孔質層3之表面上，在面內方向以300μm以上之長度在Y方向(第1方向)中延伸的裂痕7，係在面內方向的X方向(第2方向)中以30μm～150μm之間隔複數設置。如圖2所示，設於第1多孔質層3的各裂痕7係到達基底層2與第1多孔質層3之邊界為止。同樣地，於第2多孔質層4之表面上，以300μm以上之長度在Y方向中延伸的裂痕7，係在正交於Y方向的X方向中以30μm～150μm之間隔複數設置。設於第2多孔質層4的各裂痕7係到達基底層2與第2多孔質層4之邊界為止。

第1多孔質層3及第2多孔質層4所具備的各裂痕7之長度及間隔係可藉由掃描型電子顯微鏡觀察進行測定而得。更具體而言，如圖4所示，於鋁化成箔1之X方向500μm以上、Y方向1000μm以上之範圍的視野中觀察，在視野之中央附近於X方向中畫出輔助線8。然後，計數與長度300μm以上的裂痕7之交點9的數目。然後，將從刻度所換算的輔助線8之長度除以交點9之數目，算出長度300μm以上的裂痕7之間隔。將該測定與算出在3個視野以上進行之平均當作相鄰的裂痕7之間隔。

(鋁化成箔之作用效果) 本例之鋁化成箔1係在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面上具備以300μm以上之長度在Y方向中延伸的裂痕7。又，裂痕7係在鋁化成箔1之X方向中以30μm～150μm之間隔複數設置。於具備如此複數的裂痕7之鋁化成箔1中，即使在因陽極氧化而相鄰的粉體11通過化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜)進行結合之鋁箔中發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力在陽極氧化之完成後從裂痕7的部分放出。藉此，可防止或抑制在粉體11間之結合中發生局部的破裂者，因此可防止或抑制該破裂擴展而鋁箔斷裂者。

又，複數的裂痕7各自係到達基底層2與多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之邊界為止。因此，可容易將起因於變形所發生的應力從鋁箔放出。

此處，於將鋁化成箔1當作鋁電解電容器用電極之情況中，鋁電解電容器用電極係在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)中具備複數的裂痕7。因此，與在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)中不具備裂痕7之情況比較下，鋁電解電容器用電極之比表面積係大。因此，若將鋁化成箔當作鋁電解電容器用電極，則可增加靜電容量。

又，於捲繞鋁化成箔1而成為捲筒形狀的鋁電解電容器用電極之情況中，容易在複數的裂痕7並排的X方向中捲繞。因此，與鋁化成箔不具備裂痕7之情況比較下，具備裂痕7的鋁化成箔1係可以接近真圓的形狀捲繞。

圖5係將鋁化成箔1在第2方向中捲繞成漩渦曲線狀之鋁電解電容器用電極的模型圖，顯示從第1方向來觀看鋁化成箔1的側面圖。圖5中，將鋁化成箔1捲繞於直徑尺寸為1mm的輥16之外周面，成為捲筒形狀。即使如此的捲繞於輥16之情況，也鋁化成箔1(鋁電解電容器用電極15)在中途不折彎，以接真圓的形狀捲繞。即，於捲繞不具備裂痕7的鋁化成箔之情況中，在鋁化成箔之中途會形成複數之彎曲部。相對於其，於捲繞具有複數的裂痕7之鋁化成箔1之情況中，沒有在中途具有折彎部分，可成為捲繞於X方向的捲筒形狀。

此處，若將以接近真圓的形狀捲繞鋁化成箔1之捲筒形狀的鋁電解電容器用電極15當作電容器元件，則在將電容器元件收納於外殼時，與鋁電解電容器用電極不以接近真圓之狀態捲繞的情況比較下，可收容在X方向中具備長的尺寸之鋁電解電容電極15。藉此，由於鋁電解電容器用電極15之表面積增加，可增加鋁電解電容器之靜電容量。又，若成為將鋁化成箔1捲繞成漩渦曲線狀的捲筒形狀，則與鋁化成箔1具有在中途折彎的部分之情況比較下，可防止在經折彎的部分中所發生的鋁化成箔1之斷裂。因此，可提高鋁化成箔1的捲繞性。

(鋁化成箔之製造方法) 圖6係成為鋁化成箔1之基材的鋁箔之說明圖。圖6中，示意地顯示鋁箔。圖7係顯示鋁化成箔1之第1製造方法之流程圖。圖8係顯示鋁化成箔1之第2製造方法之流程圖。圖9係顯示鋁化成箔1之第3製造方法之流程圖。圖10係顯示鋁化成箔1之第4製造方法之流程圖。圖11係顯示鋁化成箔1之第5製造方法之流程圖。

其次，參照圖6～圖11，說明鋁化成箔1之製造方法。如圖6所示，於鋁化成箔1之製造時，使用鋁箔10作為基材。鋁箔10具備包含鋁或鋁合金所成的箔狀基底層2。於基底層2之第1面2a上，層合包含鋁或鋁合金的粉體11之燒結體所成的第1多孔質層3，於基底層2之第2面2b上，層合包含鋁或鋁合金的粉體11之燒結體所成的第2多孔質層4。於本例中，第1多孔質層3的粉體11與第2多孔質層4的粉體11係由相同金屬之粉體11所構成。又，第1多孔質層3之厚度與第2多孔質層4之厚度係相同或大致相同。

如圖7～圖11所示，鋁化成箔1之製造方法具備：在鋁箔10(基材)的第1多孔質層3上形成第1化成皮膜5，同時在第2多孔質層4上形成第2化成皮膜6之化成步驟ST1。化成步驟ST1依順序具備：進行於鋁箔10上形成水合皮膜之水合處理之水合步驟ST2，與進行對於形成有水合皮膜的鋁箔10施予陽極氧化之陽極氧化處理之陽極氧化步驟ST3。又，本例中，於陽極氧化步驟ST3中，在定電壓化成處理步驟之中途進行加熱鋁箔10而使缺陷部露出之熱處理ST31。即，如圖7～圖11，於陽極氧化步驟ST3中在熱處理ST31之前後進行(末圖示)陽極氧化處理。於本說明書中，其他使用流程圖之說明的情況亦同樣。

又，於化成步驟ST1中，進行：將應力賦予至鋁箔10，在第1多孔質層3之表面及第2多孔質層4之表面上，將在Y方向中延伸的裂痕7於X方向中疏離且複數設置之裂痕形成處理ST11。

更詳細地說明本例之鋁化成箔1之製造方法，於陽極氧化步驟ST3中，在裂痕形成處理ST11之後進行對於鋁箔10施予陽極氧化之裂痕形成後陽極氧化處理ST3A。再者，裂痕形成後陽極氧化處理ST3A係在圖中及以下之說明中，簡稱後陽極氧化處理ST3A。

此處，於圖7、圖11中，在化成步驟ST1之中途且水合處理ST2之中途，進行裂痕形成處理ST11。即，於水合步驟ST2中，在裂痕形成處理ST11之前後進行(未圖示)水合處理。

又，於圖9、圖10中，在化成步驟ST1之中途且陽極氧化步驟ST3之中途，進行裂痕形成處理ST11。即，於陽極氧化步驟ST3中，在裂痕形成處理ST11之前，進行對於鋁箔10施予陽極氧化之裂痕形成前陽極氧化處理ST3B直到陽極氧化時的電壓達到指定的陽極氧化電壓為止。再者，裂痕形成前陽極氧化處理ST3B係於圖中及以下之說明中，簡稱前陽極氧化處理ST3B。即，於陽極氧化步驟ST3之中途進行裂痕形成處理ST11之情況中，於陽極氧化步驟ST3中依順序進行前陽極氧化處理ST3B、裂痕形成處理ST11與後陽極氧化處理ST3A。

於水合步驟ST2中，將鋁箔10在液溫為80℃以上的水合處理液中煮沸，於鋁箔10上形成水鋁石等之鋁水合皮膜。作為水合處理液，可使用純水。又，後述之再水合處理ST21亦可同樣地進行。

於陽極氧化步驟ST3中，將鋁箔10浸漬於化成處理液中，使陽極氧化時之電壓(從電源所輸出的電壓)到達指定的陽極氧化電壓。藉此，於鋁箔10上形成化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)。作為化成處理液，可使用硫酸或其鹽、硒酸或其鹽、硼酸或其鹽、磷酸或其鹽、有機酸或其鹽(例如己二酸或其鹽、檸檬酸或其鹽、癸二酸或其鹽、草酸或其鹽等)、氫氧化鈉或其鹽等。陽極氧化電壓係在5V～1000V之間設定。當然，於陽極氧化步驟ST3中進行的陽極氧化處理(後陽極氧化處理ST3A及前陽極氧化處理ST3B)亦可同樣地進行。

於陽極氧化步驟ST3之中途進行的熱處理ST31中，鋁箔10例如可配置於熱處理爐內而被加熱。熱處理爐內之環境係溫度為300℃以上、600℃以下。熱處理爐內之環境可為大氣環境、惰性氣體環境、水蒸氣環境之任一者。

於本例之鋁化成箔1之製造方法中，在設置化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)之前的水合步驟ST2之中途或在水合步驟ST2與陽極氧化步驟ST3之間，進行裂痕形成處理ST11。此時，於裂痕形成處理ST11之後續的陽極氧化步驟ST3(後陽極氧化處理ST3A)中，對於裂痕形成後之鋁箔10施予陽極氧化。

或者，於本例之鋁化成箔1之製造方法中，在陽極氧化步驟ST3中，於陽極氧化時的電壓到達最終目標的最終陽極氧化電壓之前，進行裂痕形成處理ST11。此時，由於在陽極氧化步驟ST3之中途進行裂痕形成處理ST11，故在裂痕形成之前與後，進行前陽極氧化處理ST3B與後陽極氧化處理ST3A。於後陽極氧化處理ST3A中，對於鋁箔10，施予到達比前陽極氧化處理ST3B中所到達之指定的陽極氧化電壓更高的陽極氧化電壓之陽極氧化。

上述指定的陽極氧化電壓通常400V以下。又，指定的陽極氧化電壓較佳為300V以下，更佳為250V以下。於本例中，在陽極氧化步驟ST3中，對於鋁箔10施予陽極氧化直到達到此等上限值的陽極氧化電壓為止，其後進行裂痕形成處理ST11。藉此，可於化成皮膜不彎過厚，鋁箔10不變過硬之時機，使鋁箔10產生應力。結果，於使鋁箔10產生應力時，可抑制鋁箔10之斷裂，在多孔質層之表面上均勻地設置複數的裂痕。此處，裂痕形成處理ST11若為化成步驟ST1之中途，則亦可在形成化成皮膜之前進行，故指定的陽極氧化電壓之下限值係沒有特別的限定。因此，指定的陽極氧化電壓之下限值通常為0V以上。再者，指定的陽極氧化電壓之下限值較佳為10V以上，更佳為50V以上。又，於陽極氧化步驟ST3中，陽極氧化時之電壓的最終目標之最終陽極氧化電壓係可按照目的之鋁化成箔1的性質形狀而適宜設定。因此，最終陽極氧化電壓係沒有特別的限定，但例如可設定在1000V以下。

再者，於陽極氧化步驟ST3中，亦可用其他眾所周知之方法，對於鋁箔10施予陽極氧化。

此處，於化成步驟ST1中，若陽極氧化步驟ST3結束，則化成後的鋁箔10即鋁化成箔1係被捲繞在捲取輥上而成為捲筒。

作為鋁化成箔1之製造方法之具體例，可舉出實施裂痕形成處理ST11之時機不同的以下之第1～第5製造方法。

鋁化成箔1之第1製造方法係如圖7所示，於水合步驟ST2之中途進行裂痕形成處理ST11。然後，於水合步驟ST2之後續進行的陽極氧化步驟ST3中，進行後陽極氧化處理ST3A。

鋁化成箔1之第2製造方法係如圖8所示，於水合步驟ST2與陽極氧化步驟ST3之間進行裂痕形成處理ST11。然後，於裂痕形成處理ST11之後續進行的陽極氧化步驟ST3中，進行後陽極氧化處理ST3A。

鋁化成箔1之第3製造方法係如圖9所示，在陽極氧化步驟ST3之中途進行裂痕形成處理ST11。具體而言，於陽極氧化步驟ST3中，進行對於鋁箔10施予陽極氧化之前陽極氧化處理ST3B直到達到指定的陽極氧化電壓為止，於前陽極氧化處理ST3B之後續進行裂痕形成處理ST11，於裂痕形成處理ST11之後，進行後陽極氧化處理ST3A。

於鋁化成箔1之第4製造方法中，如圖10所示，與第3製造方法同樣地，在陽極氧化步驟ST3之中途進行裂痕形成處理ST11。具體而言，於陽極氧化步驟ST3中，進行對於鋁箔10施予陽極氧化之前陽極氧化處理ST3B直到達到指定的陽極氧化電壓為止，於前陽極氧化處理ST3B之後續進行裂痕形成處理ST11。再者，於裂痕形成處理ST11之後續，進行在鋁箔10上形成水合皮膜之再水合處理ST21，於再水合處理ST21之後進行後陽極氧化處理ST3A。即，於鋁化成箔1之第4製造方法中，在陽極氧化步驟ST3之中途連續地進行裂痕形成處理ST11與再水合處理ST21。

鋁化成箔1之第5製造方法係如圖11所示，在水合步驟ST2之中途進行裂痕形成處理ST11。又，在陽極氧化步驟ST3之中途進行裂痕形成處理ST11。具體而言，於水合步驟ST2中，進行裂痕形成處理ST11，同時在裂痕形成處理ST11之前後進行水合處理。於陽極氧化步驟ST3中，進行對於鋁箔10施予陽極氧化之前陽極氧化處理ST3B直到達到指定的陽極氧化電壓為止，於前陽極氧化處理ST3B之後續連續地進行裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21，於再水合處理ST21之後進行後陽極氧化處理ST3A。

接著，例示於裂痕形成處理ST11中，例如使鋁箔10產生應力之具體的方法。圖12係裂痕形成處理ST11之說明圖。如圖12所示，於裂痕形成處理ST11中，使鋁箔10沿著在X方向中排列的複數輥21行進。

複數輥21各自係旋轉軸在Y方向中延伸。又，於在X方向中排列的複數輥21之中，配置直徑比其他輥21小的輥21。於此等直徑小的輥21之中，接觸行進的鋁箔10之第2面2b的輥21係使鋁箔10產生應力，作為使第1多孔質層3中產生裂痕7之第1裂痕形成用輥21(1)配置。又，於此等直徑小的輥21之中，接觸行進的鋁箔10之第1面2a的輥21係使鋁箔10產生應力，作為使第2多孔質層4中產生裂痕7之第2裂痕形成用輥21(2)配置。第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2)之直徑尺寸M各自為5mm～60mm。於本例中，例示第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2)之直徑尺寸M為相同，但此等之直徑尺寸M亦可相異。

於本例中，第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2)係金屬製。於第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2)，分別被推壓輥23所推壓。各推壓輥23之表面係被橡膠等彈性構件所覆蓋。各推壓輥23之直徑宜比第1裂痕形成用輥21(1)之直徑及第2裂痕形成用輥21(2)之直徑更大。

於鋁箔10在第1裂痕形成用輥21(1)與推壓輥23之間行進之際，使鋁箔10產生應力。因此，於第1多孔質層3中，形成複數之指定的裂痕7。又，於鋁箔10在第2裂痕形成用輥21(2)與推壓輥23之間行進之際，使鋁箔10產生應力。因此，於第2多孔質層4中，形成複數之指定的裂痕7。

鋁箔10在第1裂痕形成用輥21(1)與推壓輥23之間行進之際的第1裂痕形成用輥21(1)之抱持角通常為  -180°～180°，較佳為-45°～45°。鋁箔10在第2裂痕形成用輥21(2)與推壓輥23之間行進之際的第2裂痕形成用輥21(2)之抱持角通常為-180°～180°，較佳為-45°～45°。再者，第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2)之抱持角更佳為0°以上。因此，第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2)之抱持角為0°～180°，較佳為0°～45°。此處，若將第1裂痕形成用輥21(1)之抱持角設為上述範圍，則於使第1裂痕形成用輥21(1)接觸鋁箔10之第2面2b時，可容易在第1多孔質層3中形成所欲的裂痕7。又，若將第2裂痕形成用輥21(2)之抱持角設為上述範圍，則於使第2裂痕形成用輥21(2)接觸鋁箔10之第1面2a時，容易在第2多孔質層4中形成所欲的裂痕7。

再者，於複數輥21之中，亦可具備複數的第1裂痕形成用輥21(1)。於具備複數的第1裂痕形成用輥21(1)之情況中，在複數輥21之中，宜具備與第1裂痕形成用輥21(1)同數之第2裂痕形成用輥21(2)。此時，第1裂痕形成用輥21(1)與第2裂痕形成用輥21(2)較佳為在不同的位置接觸鋁箔10。

(作用效果) 於本例之鋁化成箔1之製造方法中，藉由在化成步驟ST1中使鋁箔10產生應力，而在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面上，使在Y方向中延伸的裂痕7於X方向中疏離且複數設置。又，於裂痕7之形成後，進行對於鋁箔10施予陽極氧化之後陽極氧化處理ST3A。此處，由於在化成步驟ST1之中途在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)中先形成裂痕7，故即使於其後藉由陽極氧化而化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)成長之情況中，也可抑制因化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)而封閉裂痕7者。因此，可得到具備複數的裂痕7之鋁化成箔1。因此，即使於隨著化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)之成長而相鄰的粉體11通過化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)進行結合之鋁箔10中發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力從裂痕7放出。藉此，可防止或抑制在粉體11間之結合中發生局部的破裂者，因此可防止或抑制局部的破裂擴展而鋁箔10斷裂者。又，由於在形成裂痕7後對於鋁箔10施予陽極氧化，可在裂痕7發生後之多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)上再形成化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)。藉此，可藉由再形成的化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)，被覆因裂痕7之形成而露出多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面的鋁新生面(裸露的金屬鋁之表面)。因此，可一邊減低因裂痕7所發生的陽極氧化中之鋁箔10或鋁電解電容器用電極的洩漏電流，一邊防止或抑制斷裂。

又，於化成步驟ST1中，陽極氧化時之由電源所輸出的電壓達到指定的陽極氧化電壓為止而成長的化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)之厚度係可推斷。因此，化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)之厚度係可根據陽極氧化時由電源所輸出的電壓，進行管理。因此，於裂痕形成處理ST11前，進行對於鋁箔10施予陽極氧化之前陽極氧化處理ST3B直到陽極氧化時的電壓達到指定的陽極氧化電壓為止，然後若進行裂痕形成處理ST11，則在進行裂痕形成處理ST11之時間點，可避免化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)變過厚，鋁箔10變過硬者。因此，於裂痕形成處理ST11中將應力賦予至鋁箔10時，可避免鋁箔10斷裂。

再者，於本例中，由於可避免在進行裂痕形成處理ST11之際鋁箔10變過硬，故可藉由使鋁箔10產生應力而在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面上均勻地設置複數的裂痕7。此處，若於多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面上均勻地形成複數的裂痕7，則即使於化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)之厚度增加到達到目的之皮膜耐電壓為止之情況中，也可抑制折彎強度降低。

又，於裂痕形成處理ST11中，將以300μm以上之長度在Y方向中延伸的裂痕7，在X方向中以30μm～150μm之間隔複數設置。若設置如此的裂痕7，則即使於藉由陽極氧化而化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)成長之情況中，也可防止或抑制因化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)而封閉裂痕7者。

再者，於裂痕形成處理ST11中，使各裂痕7到達基底層2與多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之邊界為止。藉此，即使於施予陽極氧化之間在鋁箔10中發生折彎之情況中，也可容易地將起因於變形所發生的應力從裂痕7放出。

再者，如後述之實施例所示，若為在陽極氧化時之電壓(陽極氧化電壓)達到250V為止之間，則化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)不變過厚，鋁箔10之硬度係適合形成裂痕7。因此，若於化成步驟ST1中進行裂痕形成前陽極氧化處理ST3B直到達到250V為止，然後設置裂痕形成處理ST11而應力賦予鋁箔10，則可更容易地在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面上均勻地設置複數的裂痕7。

再者，於裂痕形成處理ST11中，藉由裂痕形成用輥(第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2))而使鋁箔10產生應力。因此，可容易地在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)中形成複數的裂痕7。

又，於裂痕形成處理ST11中，於使鋁箔10行進的複數輥21之中，配置直徑比其他輥21小的輥21作為裂痕形成用輥(第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2))。若使用直徑小的輥作為裂痕形成用輥(第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2))，則可容易地使鋁箔10產生應力，形成裂痕7。

再者，於第1製造方法及第5製造方法中，化成步驟ST1係在陽極氧化步驟ST3之前，具備在鋁箔10上形成水合皮膜之水合步驟ST2。而且，在水合步驟ST2之中途進行裂痕形成處理ST11。這樣做的話，首先於水合步驟ST2中，在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面上形成水合皮膜。而且，在水合步驟ST2之中途，於多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)中設置裂痕7。藉此，藉由裂痕形成處理ST11，在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面上，通過裂痕7而鋁新生面(裸露的金屬鋁之表面)露出。即，於裂痕7所造成的多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之斷裂面中，在表面未形成水合皮膜的粉體11係露出。然後，於鋁新生面上，在裂痕形成處理ST11之後續進行的水合步驟ST2中形成水合皮膜。此處，被覆鋁新生面的水合皮膜係在陽極氧化步驟ST3中，阻礙或抑制位於將裂痕7夾於之間的兩側之粉體11彼此通過化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)進行結合者。因此，若在水合步驟ST2之中途進行裂痕形成處理ST11，則在裂痕形成處理ST11及水合步驟ST2之後所進行的陽極氧化步驟ST3中化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)成長時，可防止或抑制因化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)而封閉裂痕7者。

於第2製造方法、第3製造方法及第4製造方法中，化成步驟ST1係在陽極氧化步驟ST3之前，具備在鋁箔10上形成水合皮膜之水合步驟ST2。陽極氧化步驟ST3係對於形成有水合皮膜的鋁箔10施予陽極氧化。而且，於第2製造方法及第3製造方法中，在水合步驟ST2之後進行裂痕形成處理ST11。這樣做的話，於水合步驟ST2中，在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面上形成水合皮膜。此處，水合皮膜係在陽極氧化步驟ST3中阻礙或抑制粉體11彼此通過化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)進行結合者。因此，若於水合步驟ST2之後具備裂痕形成處理ST11，則可容易地抑制多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)中所形成的裂痕7被水合步驟ST2之後形成的化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)所封閉者。

於第4製造方法及第5製造方法中，在陽極氧化步驟ST3中，進行裂痕形成前陽極氧化處理ST3B直到達到指定的陽極氧化電壓為止，然後進行裂痕形成處理ST11。又，於裂痕形成處理ST11之後續連續地進行在鋁箔10上形成水合皮膜之再水合處理ST21。再者，於再水合處理ST21之後進行後陽極氧化處理ST3A。這樣做的話，於水合步驟ST2中，在多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面上形成水合皮膜。此處，水合皮膜係在陽極氧化步驟ST3中阻礙或抑制粉體11彼此通過化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)進行結合者。因此，可容易地抑制多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)中所形成的裂痕7被化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)所封閉者。又，於因裂痕7之形成而露出多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面的鋁新生面上，在裂痕形成處理ST11之後續進行的再水合處理ST21中形成水合皮膜。此處，被覆鋁新生面的水合皮膜係在其後的陽極氧化中，阻礙或抑制位於將裂痕7夾於之間的兩側之粉體11彼此通過化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)進行結合者。因此，若在裂痕形成處理ST11之後續進行再水合處理ST21，則在後陽極氧化處理ST3A中化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)成長時，可更抑制因化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)而封閉裂痕7者。

此處，於各製造方法中，若陽極氧化步驟ST3結束，則化成後的鋁箔10，即，鋁化成箔1被捲繞在捲取輥上，成為捲繞成漩渦曲線狀之捲筒形狀。此處，由於鋁化成箔1具備複數的裂痕7，而容易在X方向中捲繞。因此，鋁化成箔1係與鋁化成箔1不具備裂痕7之情況比較下，可以接近真圓的形狀捲繞。即，於捲繞不具備裂痕的鋁化成箔1之情況中，在鋁化成箔1之中途會形成複數之彎曲部。相對於其，於捲繞具有複數的裂痕7之鋁化成箔1之情況中，沒有在中途具有折彎部分，可成為捲繞於X方向的捲筒形狀。結果，捲繞有鋁化成箔1的捲筒，係與鋁化成箔1不具備裂痕時之捲筒比較下，經捲繞的鋁化成箔1之對於X方向的尺寸之捲筒的外形尺寸變小。換言之，於捲繞到捲筒的外形尺寸變相同為止時，捲繞有鋁化成箔1的捲筒係與鋁化成箔1不具備裂痕時的捲筒比較下，經捲繞的鋁化成箔1之X方向的尺寸較長。因此，於本例中，將鋁化成箔1捲取成捲筒的作業之作業效率係升高。又，若成為將鋁化成箔1捲繞成漩渦曲線狀的捲筒形狀，則與鋁化成箔1具有在中途折彎的部分之情況比較下，可防止在經折彎的部分中所發生的鋁化成箔1之斷裂。因此，可提高鋁化成箔1的捲繞性。

(實施例) 圖13係於實施例1～5之鋁化成箔1之製造方法中，說明進行裂痕形成處理ST11的時機之表。圖14係於實施例1～5之鋁化成箔1之製造方法中，進行裂痕形成處理ST11的時機之說明圖。實施例1～5之鋁化成箔1之製造方法雖然進行裂痕形成處理ST11之時機不同，但是化成步驟ST1中，施予鋁箔10之處理係相同。

於實施例1～5中，作為基材，使用基底層2之厚度尺寸T1為30μm，第1多孔質層3之厚度尺寸T2及第2多孔質層4之厚度尺寸T3各自為50μm，形成第1多孔質層3及第2多孔質層4的粉體11之平均粒徑K為3μm之鋁箔10。於水合步驟ST2中，使用純水作為水合處理溶液。又，於水合步驟ST2中，將鋁箔10在95℃下煮沸10分鐘。於陽極氧化步驟ST3中，進行第1陽極氧化處理ST41、第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43。又，於陽極氧化步驟ST3中，在第2陽極氧化處理ST42與第3陽極氧化處理ST43之間進行熱處理ST31。於熱處理ST31中，將鋁箔10在500℃之環境中加熱2分鐘，使缺陷部露出。

於第1陽極氧化處理ST41中，對於鋁箔10施予陽極氧化直到陽極氧化電壓成為400V為止。第1陽極氧化處理ST41之化成處理液包含己二酸銨。化成處理液中的己二酸銨之量為1g/L。化成處理液之溫度為80℃。於第2陽極氧化處理ST42中，使陽極氧化電壓升壓到550V為止，更保持30分鐘，而對於鋁箔10施予陽極氧化。第2陽極氧化處理ST42之化成處理液包含硼酸及五硼酸銨八水合物。化成處理液中的硼酸之量為80g/L，五硼酸銨八水合物之量為0.5g/L。化成處理液之溫度為80℃。於第3陽極氧化處理ST43中，使陽極氧化電壓升壓到550V為止，更保持10分鐘，而對於鋁箔10施予陽極氧化。於第3陽極氧化處理ST43中，使用與第2陽極氧化處理ST42相同的化成處理液。化成處理液之溫度為80℃。裂痕形成處理ST11中所用的第1裂痕形成用輥21(1)之直徑尺寸M及第2裂痕形成用輥21(2)之直徑尺寸M為10mm。

如圖13、圖14所示，實施例1為第1製造方法，在水合步驟ST2之中途具備裂痕形成處理ST11。實施例2為第2製造方法，在水合步驟ST2與陽極氧化步驟ST3之間具備裂痕形成處理ST11。於實施例1、2中，第1陽極氧化處理ST41、第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43係相當於後陽極氧化處理ST3A。

實施例3～5為第3製造方法，於化成步驟ST1所包含的陽極氧化步驟ST3中，在達到最終目標的陽極氧化電壓(550V)之前，進行裂痕形成處理ST11。

於實施例3中，在第1陽極氧化處理ST41中，於陽極氧化電壓達到100V之時間點，進行裂痕形成處理ST11。於實施例3中，第1陽極氧化處理ST41之陽極氧化電壓達到100V為止者係相當於前陽極氧化處理ST3B，於第1陽極氧化處理ST41之裂痕形成處理ST11以後，第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43係相當於後陽極氧化處理ST3A。

於實施例4中，在第1陽極氧化處理ST41中，於陽極氧化電壓達到200V之時間點，進行裂痕形成處理ST11。於實施例4中，第1陽極氧化處理ST41之陽極氧化電壓達到200V為止者係相當於前陽極氧化處理ST3B，於第1陽極氧化處理ST41之裂痕形成處理ST11以後，第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43係相當於後陽極氧化處理ST3A。

於實施例5中，在第1陽極氧化處理ST41中，於陽極氧化電壓達到400V之時間點，進行裂痕形成處理ST11。於實施例5中，第1陽極氧化處理ST41之陽極氧化電壓達到400V為止者係相當前陽極氧化處理ST3B，第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43係相當於後陽極氧化處理ST3A。

再者，比較例1之製造方法係在化成步驟ST1之中途不具備裂痕形成處理ST11。比較例2之製造方法係在陽極氧化步驟ST3中，於第2陽極氧化處理ST42之後立即進行裂痕形成處理ST11。於比較例2之製造方法中，於進行裂痕形成處理ST11之時間點，陽極氧化時的從電源輸出的電壓係超過指定的陽極氧化電壓(400V)，達到陽極氧化時的電壓之最終目標的最終陽極氧化電壓(550V)。

圖15係關於實施例1～5、比較例1、2，顯示化成處理後之鋁箔10即鋁化成箔1的裂痕7之間隔、折彎強度、拉伸強度、靜電容量及皮膜耐電壓之表。再者，比較例1之製造方法係不具備裂痕形成處理ST11。因此，如圖15所示，經由比較例1之製造方法所得之鋁化成箔1係在第1多孔質層3及第2多孔質層4中不具備裂痕。因此，圖15的裂痕之間隔之欄係記載無法測定。

此處，折彎強度、拉伸強度、靜電容量係依據日本電子機械工業會規格的「EIAJRC-2364A」進行測定。折彎強度係以鋁化成箔1斷裂的折彎次數表示。折彎次數係將在X方向中延伸的鋁化成箔1，90°彎曲到與X方向及Y方向交叉的Z方向計數為1次，將彎曲復原計數為2次，將在Z方向中與第1次相反地90°彎曲計數為3次，將彎曲復原計數為4次。5次以後係與1次至4次同樣地折彎而計數。拉伸強度係將鋁化成箔1在X方向中拉伸斷裂時的拉伸力。

圖16係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝經由實施例5之製造方法所製造的鋁化成箔1之表面之照片。再者，圖1係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝經由實施例1之製造方法所製造的鋁化成箔1之表面之照片。圖2係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝經由實施例1之製造方法所製造的鋁化成箔1之剖面之照片。

如圖1、圖2、圖16所示，於經由實施例1～5之製造方法所得之鋁化成箔1中，以300μm以上之長度在Y方向中延伸的裂痕7係在第1多孔質層3及第2多孔質層4之表面上，以30μm～150μm之間隔複數設置。具體而言，如圖15所示，裂痕7係以95μm～110μm之間隔複數設置。

於如此的鋁化成箔1中，即使於藉由對於鋁箔10施予陽極氧化而相鄰的粉體11通過化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)進行結合時在鋁箔10中發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力從裂痕7放出。因此，於經由實施例1～5之製造方法所得的鋁化成箔1中，折彎強度係折彎次數為150次以上，與經由比較例1、2之製造方法所得之鋁化成箔1比較下，較耐得住折彎。

此處，於經由實施例1～4之製造方法所得的鋁化成箔1(參照圖1)中，裂痕7之間隔係比經由實施例5之製造方法所得之鋁化成箔1(參照圖16)更窄。因此，如圖15所示，表示折彎強度的折彎次數係比經由實施例5之製造方法所得的鋁化成箔1更多，較耐得住折彎。此處，根據發明者們之驗證，於陽極氧化步驟ST3中，若在陽極氧化電壓達到250V為止之間進行裂痕形成處理ST11，則與在陽極氧化電壓超過250V後進行裂痕形成處理ST11之情況比較下，可使鋁化成箔1更耐得住折彎。

又，於使用經由實施例1～5之製造方法所得的鋁化成箔1作為鋁電解電容器用電極之情況中，與使用經由比較例1之製造方法所得的鋁化成箔作為鋁電解電容器用電極之情況比較下，靜電容量高。即，經由實施例1～5之製造方法所得的鋁化成箔1由於具備裂痕7，故與經由比較例1之製造方法所得的鋁化成箔1比較下，比表面積大。結果，於經由例1～5之製造方法所得的鋁化成箔1(鋁電解電容器用電極)中，靜電容量變高。

此處，圖17係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝經由比較例1之製造方法所製造的鋁化成箔1’之表面之照片。圖18係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝比較例1的鋁化成箔1’之剖面之照片。如圖17及圖18所示，經由比較例1之製造方法所製造的鋁化成箔1’係不具備裂痕。於如此的鋁化成箔1中，在陽極氧化步驟ST3中，於包含粉體11的燒結體所成的多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)之表面上若化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)成長，則相鄰的粉體11係通過化成皮膜進行結合。因此，於鋁箔中發生折彎的情況中，由於粉體11彼此之結合為強固，無法將起因於變形所發生的應力從鋁箔放出。此結果，在粉體11間之結合中發生局部的破裂。又，該破裂係擴展，而鋁箔斷裂。因此，如圖15所示，於經由比較例1之製造方法所製造的鋁化成箔1’中，折彎強度低。

圖19係於實施例6～8之鋁化成箔1之製造方法中，說明進行裂痕形成處理ST11的時機之表。圖20係於實施例6～8之鋁化成箔1之製造方法，進行裂痕形成處理ST11的時機之說明圖。

實施例6～8為第4製造方法，於化成步驟ST1所包含的陽極氧化步驟ST3中，在達到最終目標的最終陽極氧化電壓(550V)之前，連續地進行裂痕形成處理ST11與再水合處理ST21。於實施例6～8中，作為基材使用的鋁箔10係與實施例1～5相同。即，於實施例6～8中，作為基材，使用基底層2之厚度尺寸T1為30μm，第1多孔質層3之厚度尺寸T2及第2多孔質層4之厚度尺寸T3各自為50μm，形成第1多孔質層3及第2多孔質層4的粉體11之平均粒徑K為3μm之鋁箔10。

又，實施例6～8之鋁化成箔1之製造方法，係在化成步驟ST1中施予鋁箔10的處理為與實施例1～5相同。裂痕形成處理ST11中所用的第1裂痕形成用輥21(1)之直徑尺寸M及第2裂痕形成用輥21(2)之直徑尺寸M為10mm。於再水合處理ST21中，使用純水作為水合處理液。又，於再水合處理ST21，將鋁箔10在95℃下煮沸2分鐘。

此處，於實施例6中，在第1陽極氧化處理ST41中，於陽極氧化電壓達到100V之時間點，連續地進行裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21。於實施例6中，第1陽極氧化處理ST41之陽極氧化電壓達到100V為止者係相當於前陽極氧化處理ST3B，於第1陽極氧化處理ST41之裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21以後，第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43係相當於後陽極氧化處理ST3A。

於實施例7中，在第1陽極氧化處理ST41中，於陽極氧化電壓達到200V之時間點，連續地進行裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21。於實施例7中，第1陽極氧化處理ST41之陽極氧化電壓達到200V為止者係相當於前陽極氧化處理ST3B，於第1陽極氧化處理ST41之裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21以後，第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43係相當於後陽極氧化處理ST3A。

於實施例8中，在第1陽極氧化處理ST41中，於陽極氧化電壓達到400V之時間點，連續地進行裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21。於實施例8中，第1陽極氧化處理ST41之陽極氧化電壓達到400V為止者係相當於前陽極氧化處理ST3B，第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43係相當於後陽極氧化處理ST3A。

圖21係關於實施例6～8，顯示化成處理後之鋁箔10即鋁化成箔1的裂痕7之間隔、折彎強度、拉伸強度、靜電容量及皮膜耐電壓之說明圖。於經由實施例6～8之製造方法所得之鋁化成箔1中，以300μm以上之長度在Y方向中延伸的裂痕7係在第1多孔質層3及第2多孔質層4之表面上，以30μm～150μm之間隔複數設置。即，如圖21所示，於經由實施例6～8之製造方法所得之鋁化成箔1中，裂痕7係以105μm～110μm之間隔複數設置。因此，即使於藉由對於鋁箔10施予陽極氧化而相鄰的粉體11通過化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)進行結合時在鋁箔10中發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力從裂痕7放出。

因此，於經由實施例6～8之製造方法所得之鋁化成箔1中，折彎強度係折彎次數為161次以上，與經由比較例1、2之製造方法所得之鋁化成箔1比較下，較耐得住折彎。

又，經由實施例6～8之製造方法所得之鋁化成箔1，由於依順序連續地進行裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21，故於陽極氧化步驟ST3中化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)成長時，可防止或抑制因化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)封閉裂痕7者。再者，由於化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)具備裂痕7，故於將經由實施例6～8之製造方法所得之鋁化成箔1當作鋁電解電容器用電極之情況中，與將經由比較例1、2之製造方法所得之鋁化成箔1當作鋁電解電容器用電極之情況比較下，靜電容量高。

此處，於經由實施例6、7之製造方法所得之鋁化成箔1中，裂痕7之間隔係比經由實施例8之製造方法所得之鋁化成箔1更窄。因此，如圖21所示，經由實施例6、7之製造方法所得之鋁化成箔1係表示折彎強度的折彎次數比經由實施例8之製造方法所得之鋁化成箔1更多，較耐得住折彎。又，根據發明者們之驗證，於陽極氧化步驟ST3中，若在陽極氧化電壓達到250V為止之間進行裂痕形成處理ST11及再水合處理21，則與在陽極氧化電壓超過250V後進行裂痕形成處理ST11之情況比較下，可使鋁化成箔1更耐得住折彎。

圖22係於實施例9～11之鋁化成箔1之製造方法中，說明進行裂痕形成處理ST11的時機之表。圖23係於實施例9～11之鋁化成箔1之製造方法中，進行裂痕形成處理ST11的時機之說明圖。

實施例9～11為第5製造方法，於化成步驟ST1所包含的水合步驟ST2之中途進行裂痕形成處理ST11。再者，於實施例9～11中，在化成步驟ST1所包含的陽極氧化步驟ST3中，於從電源輸出的電壓達到最終目標之最終陽極氧化電壓(550V)之前，連續地進行裂痕形成處理ST11與再水合處理ST21。又，於實施例9～11中，作為基材，使用基底層2之厚度尺寸T1為30μm，第1多孔質層3之厚度尺寸T2及第2多孔質層4之厚度尺寸T3各自為100μm，形成第1多孔質層3及第2多孔質層4的粉體11之平均粒徑K為3μm之鋁箔10。即，於實施例9～11中，作為基材，使用多孔質層之厚度尺寸(第1多孔質層3之厚度尺寸T2及第2多孔質層4之厚度尺寸T3的合計)為200μm之鋁箔10。

於實施例9～11中，在化成步驟ST1中施予鋁箔10之處理係與實施例1～8相同。又，裂痕形成處理ST11中所用的第1裂痕形成用輥21(1)之直徑尺寸M及第2裂痕形成用輥21(2)之直徑尺寸M為10mm。於再水合處理ST21中，使用純水作為水合處理液。於再水合處理ST21中，將鋁箔10在95℃下煮沸2分鐘。

此處，於實施例9中，在第1陽極氧化處理ST41中，於陽極氧化電壓達到100V之時間點連續地進行裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21。於實施例9中，第1陽極氧化處理ST41之陽極氧化電壓達到100V為止者係相當於前陽極氧化處理ST3B，於第1陽極氧化處理ST41之裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21以後，第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43係相當於後陽極氧化處理ST3A。

於實施例10中，在第1陽極氧化處理ST41中，於陽極氧化電壓達到200V之時間點連續地進行裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21。於實施例10中，第1陽極氧化處理ST41之陽極氧化電壓達到200V為止者係相當於前陽極氧化處理ST3B，於第1陽極氧化處理ST41之裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21以後，第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43係相當於後陽極氧化處理ST3A。

於實施例11中，在第1陽極氧化處理ST41中，於陽極氧化電壓達到400V之時間點連續地進行裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21。於實施例11中，第1陽極氧化處理ST41之陽極氧化電壓達到400V為止者係相當於前陽極氧化處理ST3B，第2陽極氧化處理ST42及第3陽極氧化處理ST43係相當於後陽極氧化處理ST3A。

圖24係關於實施例9～11，顯示化成處理後之鋁箔10即鋁化成箔1的裂痕7之間隔、折彎強度、拉伸強度、靜電容量及皮膜耐電壓之說明圖。於經由實施例9～11之製造方法所得的鋁化成箔1中，以300μm以上之長度在Y方向中延伸的裂痕7係在第1多孔質層3及第2多孔質層4之表面上，以35μm～150μm之間隔複數設置。即，如圖24所示，裂痕7係以135μm～150μm之間隔複數設置。於如此的鋁化成箔1中，即使於藉由對於鋁箔10施予陽極氧化而相鄰的粉體11通過化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)進行結合時在鋁箔10中發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力從裂痕7放出。

因此，於經由實施例9～11之製造方法所得之鋁化成箔1中，折彎強度係折彎次數為120次以上，與經由比較例1、2之製造方法所得之鋁化成箔1比較下，較耐得住折彎。

又，經由實施例9～11之製造方法所得之鋁化成箔1，係進行2次的裂痕形成處理ST11，同時在水合步驟ST2之中途進行第1次的裂痕形成處理ST11，於第2次之裂痕形成處理ST11中，在裂痕形成處理ST11之後續連續地進行再水合處理ST21。因此，作為基材，即使於使用多孔質層之厚度尺寸(第1多孔質層3之厚度尺寸T2及第2多孔質層4之厚度尺寸T3的合計)為200μm之鋁箔10的情況中，也在陽極氧化步驟ST3中化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)成長時，可防止或抑制因化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)而封閉裂痕7者。

再者，由於化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)具備裂痕7，故於將經由實施例9～11之製造方法所得之鋁化成箔1當作鋁電解電容器用電極之情況中，與將經由比較例1、2之製造方法所得之鋁化成箔1當作鋁電解電容器用電極之情況比較下，靜電容量高。

此處，於經由實施例9、10之製造方法所得之鋁化成箔1中，裂痕7之間隔係比經由實施例11之製造方法所得鋁化成箔1更窄。因此，如圖24所示，經由實施例9、10之製造方法所得之鋁化成箔1係表示折彎強度的折彎次數比經由實施例11之製造方法所得之鋁化成箔1更多，較耐得住折彎。又，根據發明者們之驗證，於陽極氧化步驟ST3中，若在陽極氧化電壓達到250V為止之間進行裂痕形成處理ST11及再水合處理21，則與在陽極氧化電壓超過250V後進行裂痕形成處理ST11之情況比較下，可使鋁化成箔1更耐得住折彎。

又，於實施例8～11中，在鋁化成箔1之基底層2上所層合的多孔質層(第1多孔質層3及第2多孔質層4)係厚。因此，於將經由實施例8～11之製造方法所製造的鋁化成箔1當作鋁電解電容器用電極之情況中，與將經由其他實施例之製造方法所得的鋁化成箔1當作鋁電解電容器用電極之情況比較下，靜電容量高。

(其他實施形態) 圖25係鋁化成箔1之第6製造方法之流程圖。圖26係鋁化成箔1之第7製造方法之流程圖。於鋁化成箔1之第6製造方法中，在圖8所示的第2製造方法中，於裂痕形成處理ST11之後續具備在鋁箔10上形成水合皮膜之再水合處理ST21。即，如圖25所示，鋁化成箔1之第6製造方法係在水合步驟ST2與陽極氧化步驟ST3之間，連續地進行裂痕形成處理ST11及再水合處理ST21。這樣做的話，對於通過藉由裂痕形成處理ST11所設置裂痕7而露出的鋁新生面，可藉由再水合處理ST21而設置水合皮膜。因此，於其後的陽極氧化步驟ST3中之後陽極氧化處理ST3A中化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)成長時，容易防止或抑制因化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)而封閉裂痕7者。

又，於裂痕形成處理ST11前所進行的前陽極氧化處理ST3B中，在裂痕形成處理ST11前施予陽極氧化時所達到之指定的陽極氧化電壓低之情況，例如使指定的陽極氧化電壓成為5V以上、150V以下之情況中，可省略水合步驟ST2。即，化成步驟ST1可僅具備陽極氧化步驟ST3。

於此情況之第7製造方法之製造方法中，如圖26所示，將裂痕形成處理ST11，於陽極氧化步驟ST3中，進行對於鋁箔10施予陽極氧化之前陽極氧化處理ST3B直到達到上述指定的陽極氧化電壓為止，然後進行裂痕形成處理ST11。然後，於裂痕形成處理ST11後，進行後陽極氧化處理ST3A。這樣的話，亦可在第1多孔質層3之表面上，將以300μm以上之長度在Y方向(Y方向)中延伸的裂痕7，於X方向(X方向)中以30μm～150μm之間隔複數設置。又，於第2多孔質層4之表面上，可將以300μm以上之長度在Y方向中延伸的裂痕7，於正交於Y方向的X方向中以30μm～150μm之間隔複數設置。因此，即使於藉由對於鋁箔10施予陽極氧化而相鄰的粉體11通過化成皮膜(第1化成皮膜5及第2化成皮膜6)進行結合時在鋁箔10中發生折彎之情況中，也可將起因於變形所發生的應力從裂痕7放出。

再者，於參照圖7～圖11、圖25、圖26而說明的鋁化成箔1之製造方法中，例示在後陽極氧化處理ST3A之後進行熱處理ST31之情況。熱處理ST31只要在陽極氧化步驟ST3之中途進行即可，也可在前陽極氧化處理ST3B之前進行，也可在之後進行，另外亦可在後陽極氧化處理ST3A之前進行，亦可在之後進行。又，熱處理ST31係可在前陽極氧化處理ST3B之中途進行，也可在後陽極氧化處理ST3A之中途進行。又，熱處理ST31亦可省略。

又，作為鋁化成箔1之基材，亦可使用僅具備基底層2與在基底層2之第1面2a上所層合的第1多孔質層3之鋁箔10。於此情況中，在化成步驟ST1之中途所進行的裂痕形成處理ST11中，僅使用第1裂痕形成用輥21(1)，在第1多孔質層3中設置裂痕7。

另外，於裂痕形成處理ST11中，可對於鋁箔10，使第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2)接觸，使第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2)之任一者移動，而使鋁箔10產生應力。即，於裂痕形成處理ST11中，只要使鋁箔10與第1裂痕形成用輥21(1)及第2裂痕形成用輥21(2)在X方向中相對移動，則可將裂痕7賦予至鋁箔10。

再者，於裂痕形成處理ST11中，可使鋁箔10與第1裂痕形成用輥21(1)或第2裂痕形成用輥21(2)以指定的抱持角接觸，使鋁箔10行進。即，鋁箔10可不在第1裂痕形成用輥21(1)或第2裂痕形成用輥21(2)與推壓輥23之間行進，藉由接觸鋁箔10之第2面2b的第1裂痕形成用輥21(1)或接觸第1面2a的第2裂痕形成用輥21(2)而賦予應力。此時，第1裂痕形成用輥21(1)之抱持角及第2裂痕形成用輥21(2)之抱持角通常可設為大於0°且為180°以下。又，此時，第1裂痕形成用輥21(1)之抱持角及第2裂痕形成用輥21(2)之抱持角較佳為大於0°且為45°以下。只要第1裂痕形成用輥21(1)之抱持角及第2裂痕形成用輥21(2)之抱持角為上述範圍，則可在第1多孔質層3或第2多孔質層4中容易地形成所欲的裂痕7。

此處，本發明之鋁化成箔1係可使用作為在其表面上使試液或血液等液體擴散之擴散構件。此時，鋁化成箔1由於在表面上具備裂痕7，故可容易使液體擴散。

1:鋁化成箔 2:基底層 2a:第1面 2b:第2面 3:第1多孔質層 4:第2多孔質層 5:第1化成皮膜 6:第2化成皮膜 7:裂痕 8:輔助線 9:輔助線與裂痕之交點 10:鋁箔 11:粉體 15:捲筒 21:輥 21(1):第1裂痕形成用輥 21(2):第2裂痕形成用輥 23:推壓輥 ST1:化成步驟 ST2:水合步驟 ST3:陽極氧化步驟 ST11:裂痕形成處理 ST21:再水合處理 ST31:熱處理 ST3A:後陽極氧化處理(裂痕形成後陽極氧化處理) ST3B:前陽極氧化處理(裂痕形成前陽極氧化處理) K:粉體之平均粒徑 M:第1裂痕形成用輥及第2裂痕形成用輥之直徑尺寸

[圖1]係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝鋁化成箔之表面之照片。 [圖2]係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝將鋁化成箔沿著長邊方向切斷的剖面之照片。 [圖3]係鋁化成箔之說明圖。 [圖4]係測定在鋁化成箔之表面上所設置的裂痕之間隔的測定方法之說明圖。 [圖5]係捲筒形狀的鋁電解電容器用電極之模型圖。 [圖6]係成為鋁化成箔的基材之鋁箔之說明圖。 [圖7]係顯示鋁化成箔之第1製造方法之流程圖。 [圖8]係顯示鋁化成箔之第2製造方法之流程圖。 [圖9]係顯示鋁化成箔之第3製造方法之流程圖。 [圖10]係顯示鋁化成箔之第4製造方法之流程圖。 [圖11]係顯示鋁化成箔之第5製造方法之流程圖。 [圖12]係裂痕形成處理之說明圖。 [圖13]係於實施例1～5之鋁化成箔之製造方法中，說明進行裂痕形成處理的時機之表。 [圖14]係於實施例1～5之鋁化成箔之製造方法中，進行裂痕形成處理的時機之說明圖。 [圖15]係關於實施例1～5、比較例1、2，顯示鋁化成箔的裂痕之間隔、折彎強度、拉伸強度、靜電容量及皮膜耐電壓之表。 [圖16]係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝經由實施例5之製造方法所製造的鋁化成箔之表面之照片。 [圖17]係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝比較例1的鋁化成箔之表面之照片。 [圖18]係藉由掃描型電子顯微鏡放大拍攝比較例1的鋁化成箔之剖面之照片。 [圖19]係於實施例6～8之鋁化成箔之製造方法中，說明進行裂痕形成處理的時機之表。 [圖20]係於實施例6～8之鋁化成箔之製造方法中，進行裂痕形成處理的時機之說明圖。 [圖21]係關於實施例6～8，顯示鋁化成箔的裂痕之間隔、折彎強度、拉伸強度、靜電容量及皮膜耐電壓之表。 [圖22]係於實施例9～11之鋁化成箔之製造方法中，說明進行裂痕形成處理的時機之表。 [圖23]係於實施例9～11之鋁化成箔之製造方法中，進行裂痕形成處理的時機之說明圖。 [圖24]係關於實施例9～11，顯示鋁化成箔的裂痕之間隔、折彎強度、拉伸強度、靜電容量及皮膜耐電壓之表。 [圖25]係顯示鋁化成箔之第6製造方法之流程圖。 [圖26]係顯示鋁化成箔之第7製造方法之流程圖。

1:鋁化成箔

3:第1多孔質層

7:裂痕

Claims (17)

1. 一種鋁化成箔之製造方法，其特徵為具備：在包含鋁或鋁合金所成的箔狀基底層之兩面中，於第1面上層合有包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成的第1多孔質層之鋁箔上，形成第1化成皮膜之化成步驟；其中前述化成步驟具備對於前述鋁箔施予陽極氧化之陽極氧化步驟，於前述化成步驟中，進行：使前述鋁箔產生應力，而將在前述第1多孔質層之表面上於第1方向中延伸的裂痕，於正交於前述第1方向的第2方向中疏離且複數設置之裂痕形成處理，於前述陽極氧化步驟中，進行：在前述裂痕形成處理前，進行對於前述鋁箔施予陽極氧化之裂痕形成前陽極氧化處理直到達到指定的陽極氧化電壓為止，與在前述裂痕形成處理後，對於前述鋁箔施予陽極氧化的裂痕形成後陽極氧化處理，前述裂痕形成前陽極氧化處理中之前述指定的陽極氧化電壓為400V以下。
2. 如請求項1之鋁化成箔之製造方法，其中於前述裂痕形成處理中，將以300μm以上之長度在前述第1方向中延伸的前述裂痕，在前述第2方向中以30μm~150μm之間隔複數設置。
3. 如請求項1或2之鋁化成箔之製造方法， 其中於前述裂痕形成處理中，使各裂痕到達前述基底層與前述第1多孔質層之邊界為止。
4. 如請求項1之鋁化成箔之製造方法，其中於前述裂痕形成處理中，使在前述第1方向中延伸的第1裂痕形成用輥接觸前述鋁箔之兩面中的與前述第1面相反側之第2面，使該鋁箔與該第1裂痕形成用輥在前述第2方向中相對移動。
5. 如請求項4之鋁化成箔之製造方法，其中於前述化成步驟中，藉由沿著前述第2方向所配置的複數輥，使前述鋁箔在前述第2方向中行進，於複數的前述輥之中，直徑比其他輥更小的輥係被配置作為前述第1裂痕形成用輥。
6. 如請求項4或5之鋁化成箔之製造方法，其中於前述鋁箔中，在前述基底層之與前述第1面相反的第2面上，層合包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成的第2多孔質層，於前述化成步驟中，在前述第2多孔質層上形成第2化成皮膜，於前述裂痕形成處理中，使在前述第1方向中延伸的第2裂痕形成用輥，於前述第2方向中與前述第1裂痕形成用輥不同的位置，接觸前述第1面，使該鋁箔與前述第2裂痕形成用輥在前述第2方向中相對移動。
7. 如請求項1之鋁化成箔之製造方法，其中 前述化成步驟具備：在前述陽極氧化步驟之前，於前述鋁箔上形成水合皮膜之水合步驟，前述陽極氧化步驟係對於形成有前述水合皮膜的前述鋁箔，施予陽極氧化，前述裂痕形成處理係在前述水合步驟之中途進行。
8. 如請求項1之鋁化成箔之製造方法，其中前述化成步驟具備：在前述陽極氧化步驟之前，於前述鋁箔上形成水合皮膜之水合步驟，前述陽極氧化步驟係對於形成有前述水合皮膜的前述鋁箔，施予陽極氧化，前述裂痕形成處理係在前述水合步驟之後進行。
9. 如請求項8之鋁化成箔之製造方法，其中於前述裂痕形成處理之後續，具備於前述鋁箔上形成水合皮膜之再水合處理。
10. 一種鋁化成箔之製造方法，其特徵為具備：在包含鋁或鋁合金所成的箔狀基底層之兩面中，於第1面上層合有包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成的第1多孔質層之鋁箔上，形成第1化成皮膜之化成步驟；其中前述化成步驟具備對於前述鋁箔施予陽極氧化之陽極氧化步驟，於前述化成步驟中，進行：使前述鋁箔產生應力，而將在前述第1多孔質層之表面上於第1方向中延伸的裂痕， 於正交於前述第1方向的第2方向中疏離且複數設置之裂痕形成處理，於前述陽極氧化步驟中，在前述裂痕形成處理後，進行對於前述鋁箔施予陽極氧化的裂痕形成後陽極氧化處理，前述化成步驟具備：在前述陽極氧化步驟之前，於前述鋁箔上形成水合皮膜之水合步驟，前述陽極氧化步驟係對於形成有前述水合皮膜的前述鋁箔，施予陽極氧化，前述裂痕形成處理係在前述水合步驟之中途進行，或在前述水合步驟之後，前述陽極氧化步驟之前進行。
11. 如請求項10之鋁化成箔之製造方法，其中於前述裂痕形成處理中，將以300μm以上之長度在前述第1方向中延伸的前述裂痕，在前述第2方向中以30μm~150μm之間隔複數設置。
12. 如請求項10或11之鋁化成箔之製造方法，其中於前述裂痕形成處理中，使各裂痕到達前述基底層與前述第1多孔質層之邊界為止。
13. 如請求項10之鋁化成箔之製造方法，其中於前述陽極氧化步驟中，在前述裂痕形成處理前，進行對於前述鋁箔施予陽極氧化之裂痕形成前陽極氧化處理直到達到指定的陽極氧化電壓為止，前述裂痕形成前陽極氧化處理中的前述指定的陽極氧 化電壓為400V以下。
14. 如請求項10之鋁化成箔之製造方法，其中於前述裂痕形成處理中，使在前述第1方向中延伸的第1裂痕形成用輥接觸前述鋁箔之兩面中的與前述第1面相反側之第2面，使該鋁箔與該第1裂痕形成用輥在前述第2方向中相對移動。
15. 如請求項14之鋁化成箔之製造方法，其中於前述化成步驟中，藉由沿著前述第2方向所配置的複數輥，使前述鋁箔在前述第2方向中行進，於複數的前述輥之中，直徑比其他輥更小的輥係被配置作為前述第1裂痕形成用輥。
16. 如請求項14或15之鋁化成箔之製造方法，其中於前述鋁箔中，在前述基底層之與前述第1面相反的第2面上，層合包含鋁或鋁合金的粉體之燒結體所成的第2多孔質層，於前述化成步驟中，在前述第2多孔質層上形成第2化成皮膜，於前述裂痕形成處理中，使在前述第1方向中延伸的第2裂痕形成用輥，於前述第2方向中與前述第1裂痕形成用輥不同的位置，接觸前述第1面，使該鋁箔與前述第2裂痕形成用輥在前述第2方向中相對移動。
17. 如請求項10之鋁化成箔之製造方法，其 中於在前述水合步驟之後，前述陽極氧化步驟之前進行前述裂痕形成處理時，前述裂痕形成處理之後續，具備於前述鋁箔上形成水合皮膜的再水合處理。

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