JP2007335825A - 分布定数型ノイズフィルタ - Google Patents
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Abstract
【課題】 漏れ電流の不良率を低減できる分布定数型ノイズフィルタを提供する。
【解決手段】 平板状の弁作用金属の陽極体1の表面に第一の酸化物誘電体2を形成し、第一の酸化物誘電体2が形成された陽極体1を所定の寸法に切断した後、陽極体1の切断面に第二の酸化物誘電体3が形成され、第一および第二の酸化物誘電体の上に導電性高分子5を形成し、導電性高分子5を介し、第一の酸化物誘電体2の上にのみグラファイト6を形成し陰極リードと接続する。または第一の酸化物誘電体2の上に導電性高分子5を形成する前にマスキング樹脂7を形成して、グラファイト6を形成し陰極リードと接続する。
【選択図】 図1
Description
実施例1については、図1を参照して説明する。アルミニウムからなる拡面化された平板状の弁作用金属の陽極体1の表面に化成処理(印加電圧6V)により第一の酸化物誘電体2を形成した後、陽極体1を所定の寸法に切断した。切断面に露出した陽極体1の表面に化成処理(印加電圧5V)により第二の酸化物誘電体3を形成した後、中央の領域と両端の領域に3分割するようにエポキシ樹脂からなるレジスト樹脂4を形成した。レジスト樹脂4に挟まれた中央の領域の第一、第二の酸化物誘電体2、3の上に導電性高分子5を形成した。次に、導電性高分子5の上の第二の酸化物誘電体3の上を除いて、第一の酸化物誘電体2の上のみにグラファイト6を塗布により形成し、第二の酸化物誘電体3の上にグラファイトを形成しない分布定数型ノイズフィルタ内部素子100を得た。次いで、図3に示すように、グラファイト6の上に銀ペースト8を形成し、陰極リード接続銀9により陰極リード12と接続する。また、分布定数型内部素子の両端の陽極部は陽極リード11と接続する。その後、エポキシ樹脂等の外装樹脂10で外装することにより分布定数型ノイズフィルタを得た。
実施例2については、図2を参照して説明する。本発明の実施例1と同様に、第一、第二の酸化物誘電体2、3、レジスト樹脂4、導電性高分子5を形成した後、導電性高分子5の上の第二の酸化物誘電体3の上にグラファイトを形成しない領域を2箇所センターから均等に振り分けて設け、グラファイト形成する部分と形成しない部分を同等となるようにした。その後、導電性高分子5の上で第一、第二の酸化物誘電体2、3の上に導電性高分子5を形成することにより、第二の酸化物誘電体3の上に一部グラファイト6を形成しない分布定数型ノイズフィルタ内部素子200を得た。その後、外装することにより分布定数型ノイズフィルタを得た。
実施例3については、図3を参照して説明する。本発明の実施例1と同様に、第一、第二の酸化物誘電体2、3、レジスト樹脂4、導電性高分子5を形成した後、導電性高分子5を介した第二の酸化物誘電体3の上にエポキシ樹脂からなるマスキング樹脂7を形成した。その後、第一の酸化物誘電体の上には導電性高分子5を介し、第二の酸化物誘電体の上には導電性高分子5とマスキング樹脂7を介し、グラファイト6を形成することにより、第二の酸化物誘電体3の上に直接グラファイトを形成しない分布定数型ノイズフィルタ内部素子300を得た。その後、外装することにより分布定数型ノイズフィルタを得た。
比較例1については、図4を参照して説明する。本発明の実施例1と同様に、第一、第二の酸化物誘電体2、3、レジスト樹脂4、導電性高分子5を形成した。導電性高分子5の上の全面にグラファイト6を形成した以外は実施例1と同様にして分布定数型ノイズフィルタ内部素子400を得た。その後、外装することにより分布定数型ノイズフィルタを得た。
比較例2については、図5を参照して説明する。本発明の実施例1と同様に、第一の酸化物誘電体2を形成した後、陽極体1を所定の寸法に切断した後、中央の領域と両端の領域に3分割するようにエポキシ樹脂からなるレジスト樹脂4を形成した。次に、レジスト樹脂4に挟まれた中央の領域の陽極体1の切断面にエポキシ樹脂からなるマスキング樹脂7を形成した。その後、第一の酸化物誘電体2の上に導電性高分子5を形成し、導電性高分子5の上の全面にグラファイト6を形成して分布定数型ノイズフィルタ内部素子500を得た。その後、外装することにより分布定数型ノイズフィルタを得た。
2 第一の酸化物誘電体
3 第二の酸化物誘電体
4 レジスト樹脂
5 導電性高分子
6 グラファイト
7 マスキング樹脂
8 銀ペースト
9 陰極リード接続銀
10 外装樹脂
11 陽極リード
12 陰極リード
100、200、300、400、500、600 分布定数型ノイズフィルタ内部素
子
Claims (4)
- 平板状の弁作用金属の陽極体の表面に第一の酸化物誘電体を形成し、前記第一の酸化物誘電体を形成した陽極体を所定の寸法に切断した後、前記陽極体の切断面に第二の酸化物誘電体を形成し、前記第一および第二の酸化物誘電体の上に中央の陰極部と両端の陽極部とに領域を分割するレジスト樹脂を形成し、中央の前記第一および第二の酸化物誘電体の上に導電性高分子を形成し、前記導電性高分子を介し、前記第一の酸化物誘電体の上にグラファイトを形成し陰極リードを引き出し、前記両端の陽極部から陽極リードを引き出したことを特徴とする分布定数型ノイズフィルタ。
- 平板状の弁作用金属の陽極体の表面に第一の酸化物誘電体を形成し、前記第一の酸化物誘電体を形成した陽極体を所定の寸法に切断した後、前記陽極体の切断面に第二の酸化物誘電体を形成し、前記第一および第二の酸化物誘電体の上に中央の陰極部と両端の陽極部とに領域を分割するレジスト樹脂を形成し、中央の前記第一および第二の酸化物誘電体の上に導電性高分子を形成し、前記導電性高分子を介し、前記第一の酸化物誘電体の上および第二の酸化物誘電体の一部の上にグラファイトを形成し陰極リードを引き出し、前記両端の陽極部から陽極リードを引き出したことを特徴とする分布定数型ノイズフィルタ。
- 平板状の弁作用金属の陽極体の表面に第一の酸化物誘電体を形成し、前記第一の酸化物誘電体を形成した陽極体を所定の寸法に切断した後、前記陽極体の切断面に第二の酸化物誘電体を形成し、前記第一および第二の酸化物誘電体の上に中央の陰極部と両端の陽極部とに領域を分割するレジスト樹脂を形成し、中央の前記第一および第二の酸化物誘電体の上に導電性高分子を形成し、前記導電性高分子を介し、前記第二の酸化物誘電体の上に絶縁性のマスキング樹脂を形成し、前記導電性高分子および前記マスキング樹脂の上にグラファイトを形成し陰極リードを引き出し、前記両端の陽極部から陽極リードを引き出したことを特徴とする分布定数型ノイズフィルタ。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の分布定数型ノイズフィルタにおいて、前記弁作用金属は、Al,Ti,Ta,Nbの内のいずれかを1つ含むことを特徴とする分布定数型ノイズフィルタ。
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- 2006-07-20 JP JP2006198082A patent/JP4574597B2/ja active Active
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