TWI840503B - 熱敏電阻之製造方法 - Google Patents
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Abstract
具有：於熱敏電阻材料構成的熱敏電阻晶圓的兩面形成下底電極層之下底電極層形成步驟(S01)，切斷前述熱敏電阻晶圓而晶片化，得到附下底電極層的熱敏電阻晶片之晶片化步驟(S02)，於前述附下底電極層的熱敏電阻晶片的全面，形成由氧化物構成的保護膜之保護膜形成步驟(S04)，在前述附下底電極層的熱敏電阻晶片的端面塗布導電性糊而燒成，形成覆蓋電極層之覆蓋電極層形成步驟(S05)，以及以使前述下底電極層與前述覆蓋電極層電氣導通的方式進行熱處理之導通熱處理步驟(S06)；形成具有前述下底電極與前述覆蓋電極之前述電極部。
Description
本發明係關於製造具備由熱敏電阻材料所構成的熱敏電阻晶片、被形成於前述熱敏電阻晶片的表面之保護膜、以及分別被形成於前述熱敏電阻晶片兩端部的電極部之熱敏電阻之熱敏電阻製造方法。
本發明根據2019年2月22日於日本提出申請之特願2019-030527號專利申請案主張優先權，於此處援用其內容。
前述熱敏電阻(熱敏電阻材料)，具有因應溫度而改變電阻的特性，適用於各種電子機器的溫度補償或溫度感測器等。特別是在最近，廣泛使用被實裝於電路基板的晶片型熱敏電阻。
前述之熱敏電阻，是熱敏電阻晶片，與在此熱敏電阻晶片的兩端形成一對電極部的構造。
熱敏電阻晶片，易受酸或鹼的影響，具有容易還原的性質，若因這些反應而使組成改變，會有特性改變之虞。因此，例如專利文獻1所示，被提出了在熱敏電阻晶片的表面形成保護膜的技術方案。又，於保護膜，為了抑制在其後的步驟或是在使用時之熱敏電阻晶片的劣化，被要求對電鍍液的耐受性、耐環境性、絕緣性等。
於此專利文獻1，藉由在熱敏電阻晶片的表面塗布玻璃糊而燒成(firing)，形成由玻璃構成的保護膜。
此外，於熱敏電阻晶片的兩端形成電極部，所以在被形成電極部的熱敏電阻的端面未被形成保護膜。
在此，電極部，於熱敏電阻晶片的兩端，藉由塗布含有例如銀等的導電性材料之導電性糊進行燒成而形成。此外，在由燒成體所構成的電極部表面，被形成鍍鎳層或鍍錫層。
從前，在製造前述熱敏電阻的場合，通常在由熱敏電阻材料構成的熱敏電阻晶圓的兩面形成保護膜，將此切斷為條形後，進而於切斷面形成保護膜，將此切斷進行晶片化後，於熱敏電阻晶片的兩端面(晶片化時之切斷面)形成電極部，於此電極部的表面形成鍍層。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平03-250603號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，如從前那樣，把熱敏電阻晶圓切斷為條形的場合，條形的熱敏電阻材料在處理時容易折損，要效率佳地製造熱敏電阻是困難的。特別是在最近要求熱敏電阻的小型化，條形的剖面積變小，而有更容易折損的傾向。
此外，晶片化之後，塗布導電性糊而燒成，形成由燒成體構成的電極部時，會有因為塗布導電性糊的塗布不均或是異物混入導電性糊，而在電極部產生空孔成為多孔構造的情形。對於這樣的電極部形成鍍層的場合，電鍍液侵入電極部的內部，使熱敏電阻晶片與電鍍液接觸，熱敏電阻晶片有因此劣化之虞。此外，熱敏電阻晶片與電極部的界面析出電鍍金屬，在電鍍前後電阻值會有大幅改變之虞。
本發明係有鑑於前述情形而完成之發明，目的在於提供可抑制製造時之折損的發生，可安定製造熱敏電阻，同時即使於電極部的表面形成鍍層的場合，也可以抑制電鍍液侵入電極部內部，可以製造出特性安定的熱敏電阻之熱敏電阻製造方法。
[供解決課題之手段]
為了解決前述課題，本發明之熱敏電阻之製造方法，係製造具備成柱狀的熱敏電阻晶片、被形成於前述熱敏電阻晶片表面的保護膜、以及分別被形成於前述熱敏電阻晶片的兩端部的電極部之熱敏電阻之熱敏電阻之製造方法；特徵為具有：於熱敏電阻材料構成的熱敏電阻晶圓的兩面塗布導電性糊而燒成，形成下底電極層之下底電極層形成步驟，切斷形成了下底電極層的前述熱敏電阻晶圓而晶片化，得到附下底電極層的熱敏電阻晶片之晶片化步驟，於前述附下底電極層的熱敏電阻晶片的全面，形成由氧化物構成的保護膜之保護膜形成步驟，在被形成於前述附下底電極層的熱敏電阻晶片的端面的前述保護膜的表面塗布導電性糊而燒成，形成覆蓋電極層之覆蓋電極層形成步驟，以及以使前述下底電極層與前述覆蓋電極層電氣導通的方式進行熱處理之導通熱處理步驟；形成具有前述下底電極層與前述覆蓋電極層之前述電極部。
根據本發明之熱敏電阻之製造方法，如前所述，在由熱敏電阻材料構成的熱敏電阻晶圓的表面形成下底電極層之後，將此切斷而晶片化，所以不是使熱敏電阻材料在條形的狀態下進行處理，可以抑制折損等的發生。因此，製造時之處理性提高，可以效率佳而且生產率良好地製造熱敏電阻。
此外，在本發明之熱敏電阻之製造方法，於保護膜形成步驟，於前述附下底電極層的熱敏電阻晶片的全面，形成由氧化物構成的保護膜，所以可以藉由保護膜確實保護熱敏電阻晶片。
進而，在本發明之熱敏電阻之製造方法，具備覆蓋電極層形成步驟，以及導通熱處理步驟，所以電極部為下底電極層與覆蓋電極層之雙層構造，下底電極層內的空孔與覆蓋電極層的空孔不連通，於其後之鍍層步驟，電鍍液的侵入會在覆蓋電極層與下底電極層之界面被阻止，可以抑制熱敏電阻晶片與電鍍液之接觸。此外，在熱敏電阻晶片與電極部的界面可以抑制鍍層金屬析出。
此外，因為具備以使前述下底電極層與前述覆蓋電極層電氣導通的方式進行熱處理之導通熱處理步驟，所以即使下底電極層與覆蓋電極層之間形成保護膜，也可以使下底電極層與覆蓋電極層電氣導通，可以確保作為電極部之機能。
在此，於本發明之熱敏電阻之製造方法，前述保護覆膜以矽氧化物構成為佳。
在此場合，保護膜以矽氧化物構成，所以耐環境性優異，於此保護膜表面可以確實形成覆蓋電極層，可以安定地形成下底電極層與覆蓋電極層之雙層構造電極部。
此外，於本發明之熱敏電阻之製造方法，前述保護膜形成步驟，在含有矽醇鹽(silicon alkoxide)與水與有機溶媒與鹼的反應液，浸漬前述附下底電極層的熱敏電阻晶片，藉由前述矽醇鹽的水解及聚縮合反應而於前述附下底電極層的熱敏電阻晶片表面析出矽氧化物，形成前述保護膜為佳。
在此場合，以熱敏電阻晶片表面的終端氧或羥基為起點，矽醇鹽之水解體進行聚合，析出矽氧化物，所以熱敏電阻晶片與保護膜之密接性優異。此外，由熱敏電阻晶片的表面析出矽氧化物，所以角部或凹凸部的覆蓋性優異。從而，可以製造沒有前述熱敏電阻晶片的特性劣化，可以安定使用之熱敏電阻。
進而，於本發明之熱敏電阻之製造方法，前述下底電極層形成步驟，在前述熱敏電阻晶圓表面形成電電性氧化物層，其後，塗布具有金屬粉的導電性糊而燒成亦可。
在此場合，藉由在前述熱敏電阻晶圓的表面形成導電性氧化物層，可以提高熱敏電阻晶片與下底電極層之接合可信賴性。
此外，於本發明之熱敏電阻之製造方法，前述下底電極層形成步驟，亦可係藉由塗布含有金屬粉與玻璃粉的摻玻璃金屬糊進行燒成，形成前述下底電極層的構成。
在此場合，藉由燒成摻玻璃金屬糊而形成下底電極層，所以可以提高下底電極層的密接性。
進而，於本發明之熱敏電阻之製造方法，前述覆蓋電極層形成步驟，亦可係藉由塗布含有金屬粉與玻璃粉的摻玻璃金屬糊進行燒成，形成前述覆蓋電極層的構成。
在此場合，藉由燒成摻玻璃金屬糊而形成覆蓋電極層，於導通熱處理步驟，藉著玻璃與保護膜進行反應，可以使保護膜之至少一部份有效率地被消滅，而成為可以使下底電極層與覆蓋電極層充分導通。
進而，於本發明之熱敏電阻之製造方法，前述晶片化步驟之後，具有進行前述附下底電極層的熱敏電阻晶片之取倒角的倒角加工步驟，在此倒角加工步驟之後，實施前述保護膜形成步驟亦可。
在此場合，前述晶片化步驟之後，具有進行前述附下底電極層的熱敏電阻晶片之取倒角的倒角加工步驟，所以可以抑制熱敏電阻晶片之角部的破裂或缺口的發生，可以進而效率佳地，而且進而生產率良好地製造熱敏電阻。
[發明之效果]
根據本發明，可以提供可抑制製造時之折損的發生，可安定製造熱敏電阻，同時即使於電極部的表面形成鍍層的場合，也可以抑制電鍍液侵入電極部內部，可以製造出特性安定的熱敏電阻之熱敏電阻製造方法。
以下，針對本發明之實施型態參照附圖並加以說明。又，於以下所示之各實施型態，係為了使本發明的要旨更容易理解而具體說明之例，在沒有特別指定的情況下，並不能用來限定本發明之範圍。此外，以下說明所使用的圖式，亦有為了使本發明的特徵容易理解，而方便上放大顯示重要部位的部份的場合，各構成要素的尺寸比率不限於與實際上相同。
關於本實施型態之熱敏電阻10，如圖1所示，例如成角柱狀，具備熱敏電阻晶片11、被形成於熱敏電阻晶片11的表面之保護膜15、以及分別被形成於熱敏電阻晶片11兩端部的電極部20。
此處，如圖1所示，電極部20以直接接觸於熱敏電阻晶片11的方式構成。
熱敏電阻晶片11，具有因應溫度而改變電阻的特性。此熱敏電阻晶片11，對酸和鹼的耐受性低，有因還原反應等而使組成改變，使特性大幅改變之虞。因此，在本實施型態，為了保護熱敏電阻晶片11而形成保護膜15。
此保護膜15，被要求對電鍍液的耐受性、耐環境性、絕緣性。於是，在本實施型態，保護膜15係由矽氧化物、具體而言可由SiO2
所構成。
此外，於本實施型態，保護膜15的厚度可以在50nm以上。又，保護膜15的厚度的下限，因為保護膜有變成不連續之虞所以在50nm以上為佳、在100nm以上更佳。另一方面，保護膜15的厚度的上限，在被包含於電極部20的玻璃料所形成之保護膜15的浸蝕效果的極限之3μm以下為佳，由安定化前述浸蝕效果且抑制電阻的離散之觀點而言在2μm以下更佳。
電極部20，如圖2所示，係作成具備被形成於熱敏電阻晶片11端面的下底電極層21、與被層積配置於此下底電極層21的覆蓋電極層22之雙層構造。
下底電極層21，如後述方式，燒成導電性糊而被形成，在本實施型態，由銀燒成體構成亦可。此場合，於下底電極層21的內部，會存在空孔。
此外，覆蓋電極層22，如後述方式，也是燒成導電性糊而被形成，在本實施型態，由銀燒成體構成亦可。此場合，於覆蓋電極層22的內部，會存在空孔。
在此，下底電極層21的厚度t1，係在2μm以上20μm以下之範圍內。未滿2μm，則玻璃量不足且保護膜15的浸蝕容易變得不充分，為了擔保保護膜15的浸蝕而增加糊中的玻璃量的話則有導電性粒子的滲濾(percolation)變得不充分且電阻值升高之虞。另一方面，超過20μm的話，玻璃所形成之保護膜15的浸蝕效果飽和，造成材料的浪費。又，下底電極層21厚度t1的下限在3μm以上為佳，5μm以上更佳。另一方面，下底電極層21厚度t1的上限，在15μm以下為佳，10μm以下更佳。
此外，覆蓋電極層22的厚度t2，係在3μm以上20μm以下之範圍內。未滿3μm，則玻璃量不足且保護膜15的浸蝕容易變得不充分，為了擔保保護膜15的浸蝕而增加糊中的玻璃量的話則有導電性粒子的滲濾變得不充分且電阻值升高之虞，另一方面，超過20μm的話，玻璃所形成之保護膜15的浸蝕效果飽和、造成材料的浪費之外，熱敏電阻10的形狀僅電極部分膨大，還造成形狀不良。又，覆蓋電極層22厚度t2的下限在4μm以上為佳，5μm以上更佳。另一方面，覆蓋電極層22厚度t2的上限，在15μm以下為佳，10μm以下更佳。
此外，於電極部20表面，被形成鍍鎳層31，並以層積於此鍍鎳層31之方式形成鍍錫層32。
在此，有鍍鎳層31之鎳往電極部20侵入之情形。此鎳，會侵入到下底電極層21與覆蓋電極層22之界面，但不會到達熱敏電阻晶片11與電極部20(下底電極層21)之接合界面。
其次，針對前述之本實施型態之熱敏電阻10之製造方法，用圖3的流程圖加以說明。
(下底電極層形成步驟S01)
首先，於熱敏電阻材料構成的熱敏電阻晶圓的兩面形成下底電極層21。
在本實施型態，首先，於熱敏電阻晶圓的兩面形成由導電性氧化物(在本實施型態為釕氧化物)構成的導電性氧化物層。接著，於此導電性氧化物層之上，藉由塗布含有銀粉與玻璃粉的導電性糊並燒成，而形成下底電極層21。藉此，下底電極層21的表層係以銀的燒成體構成。
(晶片化步驟S02)
其次，切斷形成了下底電極層21的熱敏電阻晶圓而晶片化，得到被形成了下底電極層21的熱敏電阻晶片11(以下，稱為附下底電極層熱敏電阻晶片)。亦即，熱敏電阻晶圓的厚度方向，成為熱敏電阻晶片11的厚度方向，且於該熱敏電阻晶片11的厚度方向的兩端面分別形成下底電極層21。
(倒角加工步驟S03)
其次，實施附下底電極層熱敏電阻晶片的取倒角。
(保護膜形成步驟S04)
其次，於附下底電極層熱敏電阻晶片的表面形成保護膜15。在本實施型態，可將附下底電極層熱敏電阻晶片、浸漬於包含矽醇鹽與水與有機溶媒與鹼之反應液，利用在熱敏電阻晶片11的表面析出矽氧化物(SiO2
)，而形成保護膜15。又，此時，於下底電極層21的表面，也形成保護膜15。
在此，被形成的保護膜15的厚度在50nm以上為佳。又，100μm以上更佳。
作為矽醇鹽，例如，可以使用正矽酸乙酯或正矽酸乙酯的寡聚物(多摩化學工業(股)公司製造 silicate 40等)、正矽酸甲酯或正矽酸甲酯的寡聚物(多摩化學工業(股)公司製造MS51等)。
作為有機溶媒，可以使用甲醇、乙醇或異丙醇等的水溶性醇類或與這些相溶的酮等的有機溶媒及其混合物。
作為鹼，可以使用氫氧化鈉或氫氧化鉀、氨等的無機鹼、乙醇胺或乙二胺等的胺等。
(覆蓋電極層形成步驟S05)
其次，於被形成在下底電極層21表面的保護膜15之上、形成覆蓋電極層22。
在本實施型態，藉由在保護膜15的表面塗布含有銀粉與玻璃粉的導電性糊並燒成，而形成覆蓋電極層22，覆蓋電極層22係以銀的燒成體構成。
(導通熱處理步驟S06)
其次，以電氣地導通下底電極層21與覆蓋電極層22之方式實施熱處理。於此導通熱處理步驟S06，藉由中介在下底電極層21與覆蓋電極層22之間的保護膜15的至少一部分消失，而使下底電極層21與覆蓋電極層22導通。
在此，於導通熱處理步驟S06，加熱溫度必須在下底電極層21中的玻璃料與覆蓋電極層22中的玻璃料雙方的熔點以上。換言之，依照所使用的玻璃料而變化最適溫度，在比覆蓋電極層22中的玻璃料的熔點要高50℃以上為佳，由覆蓋電極層22中的銀粉燒結之觀點而言在700℃以上更佳。加熱溫度的上限，由玻璃往覆蓋電極層22表面漂浮之觀點而言在900℃以下為佳。此外，覆蓋電極層22中的玻璃料的熔點，比下底電極層21中的玻璃料的熔點還要高為佳。
加熱溫度下之保持時間在5分鐘以上60分鐘以下之範圍內為佳。此外，氛圍為大氣氛圍為佳。
藉由這些下底電極層形成步驟S01、保護膜形成步驟S04、覆蓋電極層形成步驟S05、導通熱處理步驟S06，形成具備下底電極層21與覆蓋電極層22之雙層構造的電極部20。
＜鍍層步驟S07＞
其次，於電極部20的表面形成鍍金屬層。在本實施型態，於電極部20表面形成鍍鎳層31，之後，以層積於鍍鎳層31之方式形成鍍錫層32。又，在本實施型態，藉由濕式的滾鍍，形成前述的鍍鎳層31及鍍錫層32。
在此，於形成鍍鎳層31時，電鍍液會侵入電極部20的內部。在本實施型態，下底電極層21內部的空孔與覆蓋電極層22內部的空孔並不連通，因而於下底電極層21與覆蓋電極層22的接合界面，電鍍液的侵入會被抑制。
藉由上列步驟，製造出本實施型態的熱敏電阻10。
根據前述那樣的構成之本實施型態之熱敏電阻10之製造方法，在由熱敏電阻材料構成的熱敏電阻晶圓的表面形成下底電極層21之後，將此切斷而晶片化，所以不是處理條形的熱敏電阻材料，可以抑制折損等的發生。因此，製造時之處理性提高，可以效率佳而且生產率良好地製造熱敏電阻10。
此外，在本實施型態，於保護膜形成步驟S04，於被形成了下底電極層21的熱敏電阻晶片11的全面，形成由氧化物構成的保護膜15，所以可以藉由保護膜15確實保護熱敏電阻晶片11。
再者，於本實施型態，具備覆蓋電極層形成步驟S05，以及導通熱處理步驟S06，所以電極部20為下底電極層21與覆蓋電極層22之雙層構造，下底電極層21內的空孔與覆蓋電極層22的空孔不連通，於鍍層步驟S07，電鍍液的侵入會在覆蓋電極層22與下底電極層21之界面被阻止，可以抑制熱敏電阻晶片11與電鍍液之接觸。此外，在熱敏電阻晶片11與電極部20的界面可以抑制鍍層金屬析出。
此外，於本實施型態，因為具備以使下底電極層21與覆蓋電極層22電氣導通的方式進行熱處理之導通熱處理步驟S06，所以即使下底電極層21與覆蓋電極層22之間形成保護膜15，也可以使下底電極層21與覆蓋電極層22電氣導通，可以確保作為電極部20之機能。
此外，於本實施型態，保護膜15以矽氧化物構成，所以耐環境性優異，於此保護膜15表面可以確實形成覆蓋電極層22，可以安定地形成下底電極層21與覆蓋電極層22之雙層構造電極部20。
再者，於本實施型態，保護膜形成步驟S04，係在包含矽醇鹽與水與有機溶媒與鹼的反應液、浸漬被形成了下底電極層21的熱敏電阻晶片11，藉由利用矽醇鹽的加水分解及聚縮合反應而於熱敏電阻晶片11的表面析出矽氧化物，形成保護膜15，藉由以熱敏電阻晶片11表面的終端氧或羥基作為起點並將矽醇鹽的加水分解體予以聚合，以析出矽氧化物，因而在熱敏電阻晶片11與保護膜15之密貼性優異。此外，由熱敏電阻晶片11的表面析出矽氧化物，所以角部或凹凸部的覆蓋性優異。因而，可以製造沒有熱敏電阻晶片11的特性劣化，可以安定使用之熱敏電阻10。
此外，於本實施型態，下底電極層形成步驟S01，係藉由在熱敏電阻晶圓的表面形成由導電性氧化物(釕氧化物)構成的導電性氧化物層，於此導電性氧化物層之上，塗布導電性糊並燒成，而形成下底電極層21，所以可以提高熱敏電阻晶片11與下底電極層21之接合可信賴性。
再者，作為導電性糊，使用含有銀粉與玻璃粉之導電性糊，所以可以提高下底電極層21的密接性，而且可以銀的燒成體構成下底電極層21的表層。
再者，於本實施型態，覆蓋電極層形成步驟S05，係藉由塗布含有銀粉與玻璃粉的導電性糊並燒成，而形成覆蓋電極層22，所以於導通熱處理步驟S06，藉著玻璃與保護膜15進行反應，可以使保護膜15之至少一部份效率佳地消滅，而可以使下底電極層21與覆蓋電極層22充分導通。
此外，於本實施型態，於晶片化步驟S02之後，具有進行被形成了下底電極層21的熱敏電阻晶片11之取倒角的倒角加工步驟S03，所以可以抑制熱敏電阻晶片11之角部的破裂或缺口的發生，可以進而效率佳地，而且進而生產率良好地製造熱敏電阻10。
以上說明了本發明之一實施型態，但本發明並不以此為限，在不逸脫本發明的技術思想的範圍可以適當地變更。
例如，本實施型態，係說明了在將熱敏電阻晶片浸漬於反應液而形成保護膜，但並不限定於此，也可以是藉由其他手段而形成保護膜。例如塗布玻璃糊並燒成而形成保護膜亦可。
再者，本實施型態係說明了以銀的燒成體構成下底電極層及覆蓋電極層，但並不限定於此，例如，以由Ag-Pd合金等的Ag合金、或Au,Pt,Rh,Ir,Ru氧化物、以及這些的混合物構成的燒成體而構成者亦可。此外，下底電極層與覆蓋電極層以不同的材質構成亦可。
此外，本實施型態係說明了以矽氧化物構成保護膜，但並不限定於此，以鋁氧化物、鈦氧化物等的其他氧化物構成亦可。
[實施例]
說明供確認本發明的有效性而進行之確認實驗。
於38×55mm、厚度0.36mm的熱敏電阻晶圓兩面，旋轉塗布RuO2
粉末的乙醇分散液，且以250℃烘烤之後，形成導電性氧化物層。
其次，於導電性氧化物層的表面，藉由網版印刷，藉由將含有銀粉與玻璃粉(重量比為Ag：玻璃=9：1)的導電性糊予以印刷、燒附，而形成下底電極層。
如前述作法，藉由切割將形成了下底電極層的熱敏電阻晶圓切斷成0.18mm見方，且晶片化。
晶片化後，藉由滾磨處理而實施倒角加工。
於倒角加工後，將熱敏電阻晶片、放入水―乙醇混合溶媒，邊攪拌邊添加正矽酸乙酯5.2g與NaOH水溶液(0.2mol/L)16.6g，而於熱敏電阻晶片的全面形成由矽氧化物構成的保護膜。
為了提高保護膜的強度及密接性，於成膜後以700℃進行燒附，反覆實施成膜與燒附，形成保護膜膜厚1μm。
藉由於形成了保護膜的熱敏電阻晶片的兩端面(被形成下底電極層的面)，塗布含有銀粉及玻璃粉(重量比為Ag：玻璃=97：3)的導電性糊，且在氛圍：大氣、加熱溫度：750℃、加熱溫度下的保持時間：10分鐘之條件下進行燒附，形成覆蓋電極層。又，此燒附處理也兼作導通熱處理。
其後，藉由濕式的滾鍍而形成鍍鎳層及鍍錫層。
將藉由上列步驟而得到的熱敏電阻的電極部之觀察結果顯示於圖4、將熱敏電阻晶片與保護膜的界面之觀察結果顯示於圖5。
如圖4(a)的SEM影像所示，於下底電極層與覆蓋電極層之間被形成之保護膜的一部分消滅，確認下底電極層與覆蓋電極層為導通著。此外，如圖4(b)的鎳映射圖所示，鎳的侵入被阻止，確認熱敏電阻晶片與電鍍液並不接觸。
於圖5，倍率係(a)為20000倍、(b)為50000倍。如圖5所示，確認在熱敏電阻晶片的電極部以外的區域，保護膜密接而被形成。
如前述，根據本發明，確認可以提供可抑制製造時之折損的發生，可安定製造熱敏電阻，同時即使於電極部的表面形成鍍層的場合，也可以抑制電鍍液侵入電極部內部，可以製造出特性安定的熱敏電阻之熱敏電阻之製造方法。
10:熱敏電阻
11:熱敏電阻晶片
15:保護膜
20:電極部
21:下底電極層
22:覆蓋電極層
[圖1]係藉由關於本實施型態的熱敏電阻之製造方法所製造的熱敏電阻之概略剖面說明圖。
[圖2]為圖1所示的熱敏電阻之電極部附近的放大說明圖。
[圖3]係顯示關於本實施型態的熱敏電阻之製造方法之流程圖。
[圖4]係於實施例所製造的熱敏電阻之電極部附近的觀察照片。
[圖5]係於實施例所製造的熱敏電阻之熱敏電阻晶片與保護膜的界面的觀察照片。
Claims (4)
- 一種熱敏電阻之製造方法，係製造具備成柱狀的熱敏電阻晶片、被形成於前述熱敏電阻晶片表面的保護膜、以及分別被形成於前述熱敏電阻晶片的兩端部的電極部之熱敏電阻；其特徵為具有：於熱敏電阻材料構成的熱敏電阻晶圓的兩面塗布導電性糊而燒成，形成下底電極層之下底電極層形成步驟，切斷形成了下底電極層的前述熱敏電阻晶圓而晶片化，得到附下底電極層的熱敏電阻晶片之晶片化步驟，於前述附下底電極層的熱敏電阻晶片的全面，形成由氧化物構成的保護膜之保護膜形成步驟，在被形成於前述附下底電極層的熱敏電阻晶片的端面的前述保護膜的表面塗布導電性糊而燒成，形成覆蓋電極層之覆蓋電極層形成步驟，以及以使前述下底電極層與前述覆蓋電極層電氣導通的方式進行熱處理之導通熱處理步驟；形成具有前述下底電極層與前述覆蓋電極層之前述電極部，前述保護膜係以矽氧化物構成，前述保護膜形成步驟，在含有矽醇鹽(silicon alkoxide)與水與有機溶媒與鹼的反應液，浸漬前述附下底電極層的熱敏電阻晶片，藉由前述矽醇鹽的水解及聚縮合反應而於前述附下底電極層的熱敏電阻晶片表面析出矽氧化物，形成前述保護膜，前述下底電極層形成步驟，在前述熱敏電阻晶圓表面形成導電性氧化物層，其後，塗布具有金屬粉的導電性糊 而燒成。
- 如請求項1之熱敏電阻之製造方法，其中前述下底電極層形成步驟，作為前述導電性糊，使用含有金屬粉與玻璃粉的摻玻璃金屬糊。
- 如請求項1或2之熱敏電阻之製造方法，其中前述覆蓋電極層形成步驟，作為前述導電性糊，使用含有金屬粉與玻璃粉的摻玻璃金屬糊。
- 如請求項1或2之熱敏電阻之製造方法，其中前述晶片化步驟之後，具有進行前述附下底電極層的熱敏電阻晶片之取倒角的倒角加工步驟，在此導角加工步驟之後，實施前述保護膜形成步驟。
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