TWI840263B - 半導體製程設備 - Google Patents

Abstract

一種半導體製程設備，在所公開的半導體製程設備中，驅動裝置設於製程門上，與置於製程腔室中的晶舟支撐部相連，用於驅動晶舟支撐部轉動；保護氣體管路設於腔體上，用於通入隔離製程氣體與驅動裝置的保護氣體；製程門活動連接於腔體的開口處，製程門用於關閉或打開開口，且在關閉開口時與腔體圍成製程腔室；製程門設有進氣通道，進氣通道的第一埠鄰近驅動裝置，以用於輸送保護氣體；在製程門關閉開口的狀態下，進氣通道的第二埠與保護氣體管路對接；第一加熱裝置與保護氣體管路的外露於腔體的部分相連，用於加熱保護氣體管路。

Description

半導體製程設備

本申請屬於半導體製程設備技術領域，具體涉及一種半導體製程設備。

半導體製程設備是對晶圓進行加工的主要設備，半導體製程設備中的製程腔室中可存在多種製程氣體，其中包括有腐蝕性氣體，例如氯化氫氣體，為防止腐蝕性氣體對半導體製程設備中的驅動裝置產生腐蝕，在相關技術中，通過保護氣體隔絕腐蝕性氣體對驅動裝置的腐蝕，同時，為避免製程腔室中的副產物沉積對待加工的晶圓產生影響，需要對進入製程腔室中的保護氣體加熱至預設溫度以上。

在相關技術中，保護氣體的管路設置於製程門上，製程門與腔體之間通過運動拖鏈活動連接，部分管路設置於運動拖鏈中，運動拖鏈的反復運動使得無法對運動拖鏈內部的管路部分進行加熱，並且製程門所處的空間較小，使得可對保護氣體進行加熱的管路的長度較短，導致保護氣體在沒有達到預設溫度時便進入到製程腔室中，即保護氣體在較低溫度時已進入到製程腔室中，造成製程腔室中的副產物沉積的現象較為嚴重。

本申請實施例的目的是公開一種半導體製程設備，能夠解決背景技術中的保護氣體在沒有達到預設溫度時進入至製程腔室中，而造成製程腔室中的副產物沉積現象較為嚴重的問題。

為了解決上述技術問題，本申請是這樣實現的：

第一方面，本申請實施例公開一種半導體製程設備，所公開的半導體製程設備包括腔體、製程門、驅動裝置、晶舟支撐部、保護氣體管路和第一加熱裝置；該驅動裝置設於該製程門上，且與置於該製程腔室中的該晶舟支撐部相連，用於驅動該晶舟支撐部轉動；該保護氣體管路設於該腔體上，用於通入隔離製程氣體與該驅動裝置的保護氣體；該製程門活動連接於該腔體的開口處，該製程門用於關閉或打開該開口，且在關閉該開口時與該腔體圍成製程腔室；該製程門設有進氣通道，該進氣通道的第一埠鄰近該驅動裝置，用於輸送該保護氣體；在該製程門關閉該開口的狀態下，該進氣通道的第二埠與該保護氣體管路對接；該第一加熱裝置與該保護氣體管路的外露於該腔體的部分相連，用於加熱該保護氣體管路。

本申請採用的技術方案能夠達到以下有益效果：

本申請實施例公開的半導體製程設備通過對相關技術中的半導體製程設備的結構進行改進，通過將保護氣體管路設於腔體上，在製程門關閉腔體的開口，以與腔體圍成製程腔室的過程中，由於腔體不需要移動，從而能夠避免設於腔體上的保護氣體管路發生移動，且腔體之外具有較大的空間，從而使得保護氣體管路能夠在腔體之外設置長度較長的管路，用以使得第一加熱裝置能夠對長度較長的保護氣體管路實現加熱，進而使得第一加熱裝置能夠將保護氣體管路中的保護氣體在通入至製程腔室之前加熱至預設溫度，進而能夠避免保護氣體在未達到預設溫度的情況下通入至製程腔室中，造成製程腔室中的副產物沉積較為嚴重的問題。

以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。

此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。

儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。

下面結合附圖，通過具體的實施例及其應用場景對本申請實施例公開的半導體製程設備進行詳細地說明。

如圖1至圖4所示，本申請實施例公開一種半導體製程設備，所公開的半導體製程設備包括腔體100、製程門200、驅動裝置300、晶舟支撐部400、保護氣體管路500和第一加熱裝置610。

製程門200活動連接於腔體100的開口111處，用於關閉或打開該開口111，且在製程門200活動至關閉該開口111的封堵位置時，與開口111相配合，可實現對開口111的封堵；在製程門200活動至打開開口111的打開位置時，開口111敞開，以供晶舟通過，可選的，腔體100與製程門200之間的活動連接方式為轉動或移動連接，從而使得製程門200能夠在對開口111的封堵位置與打開位置之間轉動或移動。

在製程門200關閉開口111的情況下，製程門200用於覆蓋開口111，從而使得製程門200與腔體100能夠圍成製程腔室700，製程腔室700為待加工晶圓的反應腔室，晶舟支撐部400設置於製程腔室700中，晶舟支撐部400上可放置承載有待加工晶圓的晶舟，用以間接發揮對待加工晶圓支撐的作用。驅動裝置300設於製程門200上，且與置於製程腔室700中的晶舟支撐部400相連，用於驅動晶舟支撐部400轉動，以確保製程過程中製程條件的一致性。在半導體製程設備的工作過程中，製程腔室700中有對待加工晶圓進行加工的製程氣體，晶舟支撐部400上可放置承載有待加工晶圓的晶舟，驅動裝置300設置於製程門200上，且與置於製程腔室700中的晶舟支撐部400相連，能夠驅動晶舟支撐部400轉動，從而使得晶舟支撐部400能夠帶動待加工的晶圓共同轉動，用以使得製程氣體能夠對待加工的晶圓實現較為均勻地加工。

保護氣體管路500設置於腔體100上，用於通入隔離製程氣體與驅動裝置的保護氣體，保護氣體可以為惰性氣體，具體的，保護氣體可以為氮氣，保護氣體還可以是其它種類的氣體，本申請實施例不對保護氣體的種類進行具體限制。製程門200設有進氣通道210，在製程門200覆蓋於腔體100的開口111，以關閉該開口111時，即製程門200與腔體100圍成製程腔室700 情況下，進氣通道210的第二埠212與保護氣體管路500對接，從而使得保護氣體管路500中的保護氣體能夠通入至製程門200的進氣通道210中，並且，進氣通道210的第一埠211鄰近驅動裝置300，從而使得保護氣體管路500中的保護氣體能夠通過第一埠211向驅動裝置300進行吹掃，也就是說，保護氣體管路500和進氣通道210能夠發揮輸送隔離製程氣體與驅動裝置300的保護氣體的作用，從而能夠避免製程氣體中的腐蝕性氣體接觸驅動裝置300進而對驅動裝置300產生腐蝕。

在一種可選的方案中，在製程門200的至少部分與腔體100分離而導致開口111被打開的情況下，進氣通道210的第二埠212與保護氣體管路500分離。

第一加熱裝置610與保護氣體管路500的外露於腔體100的部分相連，用於加熱保護氣體管路500，從而使得第一加熱裝置610能夠對外露於腔體100的保護氣體管路500的部分實現加熱，並且，由於腔體100之外相較於製程門200底部有較大的空間，且在腔體100的開口111與製程門200實現配合的過程中，由於腔體100不需要進行移動，從而使得保護氣體管路500能夠在腔體100之外佈置較長的管路，使得第一加熱裝置610能夠對長度較長的保護氣體管路500實現加熱，進而能夠保證保護氣體管路500中的保護氣體在通過較長管路的過程中，能夠被第一加熱裝置610加熱至預設溫度以上，進而能夠解決進入至製程腔室700中的保護氣體的溫度較低而造成製程腔室700中的副產物沉積較為嚴重的問題。根據製程腔室700中的反應的實際要求，預設溫度可以不同，在本申請中，預設溫度可以是150℃，當然預設溫度還可以是其他的溫度值，本申請實施例不對預設溫度的具體數值進行限制。

本申請實施例公開的半導體製程設備通過對相關技術中的半導體製程設備的結構進行改進，通過將保護氣體管路500設於腔體100上，在製程門200關閉腔體100的開口111，以與腔體100圍成製程腔室700的過程中，由於腔體100不需要移動，從而能夠避免設於腔體100上的保護氣體管路500發生移動，也就避免保護氣體管路500設於拖鏈中而被大部分遮擋，腔體100之外具有較大的空間，從而使得保護氣體管路500能夠在腔體100之外設置長度較長的管路，用以使得第一加熱裝置610能夠對長度較長的保護氣體管路500均能夠實現加熱，進而使得第一加熱裝置610能夠將保護氣體管路500中的保護氣體在通入至製程腔室700之前加熱至預設溫度，進而能夠避免保護氣體在未達到預設溫度的情況下通入至製程腔室700中，造成製程腔室700中的副產物沉積較為嚴重的問題。

在本申請實施例公開的半導體製程設備中，腔體100可以包括腔體本體110和凸緣120，腔體本體110開設有開口111，凸緣120與腔體本體110相連，且圍繞開口111設置，凸緣120向背向開口111的中心軸線的方向凸出，在此種情況下，在一種可選的技術方案中，可將保護氣體管路500設於凸緣120上，且保護氣體管路500穿過凸緣120，保護氣體管路500的出氣端位於凸緣120與第二埠212對接的對接面，從而能夠避免保護氣體管路500破壞腔體本體110的結構強度。為使得保護氣體管路500與進氣通道210之間實現良好地對接效果，在另一種可選的技術方案中，凸緣120可以開設有銜接通道121，保護氣體管路500連接於凸緣120上，且與銜接通道121的進氣端連通，該銜接通道121的出氣端位於凸緣120與第二埠212對接的對接面。上述方案均能夠在避免對腔體本體110產生破壞的前提下，實現保護氣體管路500與進氣通道210之間良好地銜接目的。本文中，開口111的中心軸線為垂直於開口111所在平面的中心軸線。

一種可選的實施例中，凸緣120與腔體本體110可以為一體式結構，當然，兩者也可以為分體式結構，通過裝配實現連接。

為使得腔體100在與製程門200實現連接的情況下，腔體100與製程門200之間具有較好的密封性能，在進一步的技術方案中，腔體本體110的開口111所在的端面可以與凸緣120的位於同側的表面（即上述對接面）共面，且形成腔體密封面130，腔體密封面130與製程門200的相應的表面之間設有密封組件800，製程門200通過密封組件800與腔體密封面130密封配合。

在上述情況下，腔體密封面130包括腔體本體110的開口111所在的端面和凸緣120與製程門200相對的表面，從而使得本申請實施例中的腔體密封面130相較於單一地利用腔體本體110的開口111所在的表面或單一地利用凸緣120中與製程門200相對的表面來說，本申請實施例中的腔體密封面130具有更大的面積，從而能夠有利於腔體100通過腔體密封面130與製程門200實現連接與密封。可選的，密封組件800可以僅設於凸緣120與製程門200之間，密封組件800也可以僅設於開口111所在的端面與製程門200之間，密封組件800還可以部分設於製程門200與凸緣120之間，另一部分設於開口111所在的端面與製程門200之間，本申請不對密封組件800的具體設置位置進行限制。

密封組件800的構成方式多樣，在本申請實施例公開的半導體製程設備中提供一種較為具體的密封組件800，具體的，密封組件800可以包括第一密封圈810和第二密封圈820，第二密封圈820環繞第一密封圈810設置，第二埠212位於第一密封圈810與第二密封圈820之間，第一密封圈810和第二密封圈820均密封設於腔體密封面130與製程門200的相應的表面之間。在此種情況下，腔體100可分別通過第一密封圈810和第二密封圈820與製程門200在製程門200的周向方向上實現雙重密封作用，從而能夠保證腔體100與製程門200連接情況下的密封性能，並且，由於第二埠212位於第一密封圈810與第二密封圈820之間，使得保護氣體在流經至第二埠212處時，第一密封圈810與第二密封圈820能夠對第二埠212處的保護氣體發揮密封作用，從而能夠防止第二埠212處的保護氣體溢出至腔體100之外或直接進入到製程腔室700中。

另外，第二埠212處由於輸送的是保護氣體，保護氣體能夠起到氣體密封的作用，氣體密封協同第一密封圈810和第二密封圈820，無疑能夠進一步提高腔體100與製程門200之間的裝配密封性。在此種情況下，製程氣體能夠發揮一物兩用的作用。

在本申請實施例公開的半導體製程設備中，進氣通道210可以包括進氣通道主體214和環狀沉槽213，進氣通道主體214的第一通道主體埠開設於環狀沉槽213的底壁，進氣通道主體214的第二通道主體埠為第一埠211，環狀沉槽213的槽口為第二埠212，製程門200、凸緣120、第一密封圈810和第二密封圈820圍成第一裝配間隙920，第一裝配間隙920圍繞第一密封圈810，環狀沉槽213與第一裝配間隙920相對、且連通。

在上述情況下，保護氣體管路500中的保護氣體能夠通過環狀沉槽213的槽口通入至進氣通道主體214的第一通道主體埠處，從而使得到達第一通道主體埠處的保護氣體能夠沿著進氣通道主體214向著進氣通道主體214的第二通道主體埠處流動，進而使得保護氣體能夠從第一埠211進入至製程腔室700中。同時，由於圍繞第一密封圈810的第一裝配間隙920與環狀沉槽213相對且連通，相當於變相擴寬第一裝配間隙920附近的空間，從而使得第一裝配間隙920中的氣體具有較好地可流動性，從而使得在製程腔室700需要真空環境時，第一裝配間隙920與環狀沉槽213中的氣體均能夠較為容易地被抽出，有利於提升製程腔室700中抽取真空時抽真空的效率。

在進一步的技術方案中，進氣通道主體214可以為多個，每個進氣通道主體214的第一通道主體埠均開設於環狀沉槽213的底壁，每個進氣通道主體214的第二通道主體埠均為第一埠211。在此種情況下，保護氣體能夠通過多個進氣通道主體214進入至製程腔室700中，從而有利於實現保護氣體對驅動裝置300的保護。並且，為使得保護氣體能夠較為全面地對驅動裝置300實現保護，可將多個進氣通道主體214的多個第二通道主體埠圍繞驅動裝置300開設，從而使得驅動裝置300的周圍均能夠有保護氣體進行吹掃，進而使得在驅動裝置300周圍的保護氣體能夠更好地避免製程腔室700中的腐蝕性氣體與驅動裝置300產生接觸而對驅動裝置300產生腐蝕。

在一種可選的技術方案中，銜接通道121在垂直於其中心軸線的橫截面上的正投影可以位於環狀沉槽213在該橫截面上的正投影內，銜接通道121通過第一裝配間隙920與環狀沉槽213連通，銜接通道121的第一尺寸小於環狀沉槽213的槽口的寬度，第一尺寸為銜接通道121在槽口的寬度方向上的尺寸。在此種情況下，銜接通道121與環狀沉槽213連接的埠小於環狀沉槽213的槽口，從而有利於銜接通道121中輸送的全部保護氣體能夠快速被環狀沉槽213通入至進氣通道主體214中。同時，環狀沉槽213相比於銜接通道121具有較大的橫截面積（即垂直於中心軸線的橫截面的面積），從而使得環狀沉槽213整體佔用空間較大，進而有利於氣體在第一裝配間隙920與環狀沉槽213之間發生流動，當製程腔室700需要真空環境時，佔用較大空間的環狀沉槽213能夠減少氣體流動時的阻力，有助於將第一裝配間隙920中的氣體抽離乾淨，能夠進一步提升製程腔室700中抽取真空時抽真空的效率。

在本申請實施例公開的半導體製程設備中，半導體製程設備還可以包括第二加熱裝置620，第二加熱裝置620設於製程門200的背向製程腔室700的外側表面，第二加熱裝置620用於對流經進氣通道210的保護氣體進行加熱，從而使得在保護氣體管路500中已經被加熱至預設溫度以上的保護氣體在流經進氣通道210的過程中能夠被持續性地加熱，從而能夠更好地避免加熱至預設溫度以上的保護氣體在流經進氣通道210的過程中氣體溫度可能降低至預設溫度以下。

可對保護氣體管路500進行加熱的第一加熱裝置610的種類多樣，本申請實施例提供一種可選的方案，在具體的技術方案中，第一加熱裝置610可以為纏繞在保護氣體管路500上的加熱帶，在此種情況下，加熱帶可直接纏繞於保護氣體管路500上，從而使得加熱帶與保護氣體管路500中的保護氣體之間距離較近，有利於提升第一加熱裝置610對保護氣體的加熱效率，並且，加熱帶纏繞至保護氣體管路500上可減少對空間的佔用。第一加熱裝置610還可以是加熱絲，加熱絲可纏繞於保護氣體管路500上對保護氣體管路500進行加熱。當然，根據實際需要，第一加熱裝置610還可以同時包括加熱帶與加熱絲，從而有利於實現將保護氣體加熱至預設溫度以上的目的，本申請實施例不對第一加熱裝置610對保護氣體管路500中的保護氣體的加熱具體方式進行限制。

在本申請實施例公開的半導體製程設備中，晶舟支撐部400可以包括轉軸410和支撐托盤420，驅動裝置300與轉軸410相連，支撐托盤420能夠隨轉軸410轉動，製程門200可以開設有安裝孔，驅動裝置300安裝於安裝孔，且與轉軸410相連；驅動裝置300與孔壁之間具有第二裝配間隙930，第一埠211開設於安裝孔的孔壁上，與第二裝配間隙930連通，轉軸410與製程門200之間形成出風間隙910，出風間隙910與第一埠211連通。

在上述情況下，驅動裝置300通過驅動轉軸410轉動，從而使得轉軸410帶動支撐托盤420進行轉動，第一埠211開設於安裝孔的孔壁上，由於第一埠211與第二裝配間隙930連通，從而使得從第一埠211中吹出的保護氣體能夠吹至第二裝配間隙930中，以避免驅動裝置300與腐蝕性氣體發生接觸。同時，由於出風間隙910與第一埠211連通，從而使得從第一埠211中吹出的保護氣體能夠吹至出風間隙910中，從而能夠避免製程腔室700中的腐蝕性氣體向著靠近驅動裝置300的方向持續擴散，即出風間隙910中的保護氣體對趨向於擴散至第二裝配間隙930中的腐蝕性氣體具有攔截作用，進而對驅動裝置300實現保護。

可選的，第二裝配間隙930可以與支撐托盤420與製程門200之間形成的出風間隙910連通，從而使得保護氣體在進入至進氣通道210後，保護氣體從第一埠211中吹出，保護氣體可先吹入至第二裝配間隙930中，然後再從第二裝配間隙930中吹入至出風間隙910中，也就使得，保護氣體從保護氣體管路500中到進入至製程腔室700中的過程中有明確的氣體路徑，從而有利於實現保護氣體對驅動裝置300發揮更穩定的保護作用。

同時，由於在設計以及裝配過程中可以使得第二裝配間隙930與出風間隙910較小，從而在第一埠211處具有一定出風量的情況下，有利於實現保護氣體通過第二裝配間隙930和出風間隙910對驅動裝置300形成氣體密封，進而能夠提升保護氣體對驅動裝置300的保護作用。另外，第一埠211與第二裝配間隙930連通，能夠有利於保護氣體在更近的位置形成氣體隔離，有利於提高防護效果。

本申請實施例公開的半導體製程設備的具體種類多樣，可選的，本申請實施例公開的半導體製程設備可以是立式爐，當然，本申請實施例公開的半導體製程設備還可以是其他具體的設備種類，半導體製程設備可以還包括固定框架1000，腔體100固定於固定框架1000上，從而使得固定框架1000能夠對腔體100發揮固定與支撐的作用，用以保證腔體100在工作過程中的穩定性。

前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文仲介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。

100:腔體 110:腔體本體 111:開口 120:凸緣 121:銜接通道 130:腔體密封面 200:製程門 210:進氣通道 211:第一埠 212:第二埠 213:環狀沉槽 214:進氣通道主體 300:驅動裝置 400:晶舟支撐部 410:轉軸 420:支撐托盤 500:保護氣體管路 610:第一加熱裝置 620:第二加熱裝置 700:製程腔室 800:密封組件 810:第一密封圈 820:第二密封圈 910:出風間隙 920:第一裝配間隙 930:第二裝配間隙 1000:固定框架

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。 圖1是本申請實施例公開的半導體製程設備的截面圖； 圖2是本申請實施例公開的半導體製程設備在製程門與腔體分離時的示意圖； 圖3是圖2的部分結構的放大示意圖； 圖4是本申請實施例公開的半導體製程設備的立體結構示意圖。

100:腔體

110:腔體本體

120:凸緣

210:進氣通道

211:第一埠

212:第二埠

213:環狀沉槽

214:進氣通道主體

300:驅動裝置

400:晶舟支撐部

410:轉軸

420:支撐托盤

500:保護氣體管路

610:第一加熱裝置

620:第二加熱裝置

700:製程腔室

800:密封組件

810:第一密封圈

820:第二密封圈

910:出風間隙

930:第二裝配間隙

Claims (10)

1. 一種半導體製程設備，包括一腔體、一製程門、一驅動裝置、一晶舟支撐部、一保護氣體管路和一第一加熱裝置； 該驅動裝置設於該製程門上，且與置於該製程腔室中的該晶舟支撐部相連，用於驅動該晶舟支撐部轉動； 該保護氣體管路設於該腔體上，用於通入一隔離製程氣體與該驅動裝置的一保護氣體； 該製程門活動連接於該腔體的一開口處，該製程門用於關閉或打開該開口，且在關閉該開口時與該腔體圍成一製程腔室；該製程門設有一進氣通道，該進氣通道的第一埠鄰近該驅動裝置，用於輸送該保護氣體；在該製程門關閉該開口的狀態下，該進氣通道的第二埠與該保護氣體管路對接； 該第一加熱裝置與該保護氣體管路的外露於該腔體的部分相連，用於加熱該保護氣體管路。
2. 如請求項1所述的半導體製程設備，其中，該腔體包括一腔體本體和一凸緣，該腔體本體開設有該開口，該凸緣與該腔體本體相連，且圍繞該開口設置，該凸緣向背向該開口的中心軸線的方向凸出，其中： 該保護氣體管路設於該凸緣上，且該保護氣體管路穿過該凸緣，且該保護氣體管路的出氣端位於該凸緣與該第二埠對接的對接面；或者， 該凸緣開設有一銜接通道，該保護氣體管路連接於該凸緣上，且與該銜接通道的進氣端連通，該銜接通道的出氣端位於該凸緣與該第二埠對接的對接面。
3. 如請求項2所述的半導體製程設備，其中，該腔體本體的該開口所在的端面與該凸緣的該對接面共面，且形成一腔體密封面，該腔體密封面與該製程門的相應的表面之間設有一密封組件，該製程門通過該密封組件與該腔體密封面密封配合。
4. 如請求項3所述的半導體製程設備，其中，該密封組件包括一第一密封圈和一第二密封圈，該第二密封圈環繞該第一密封圈設置，該第二埠位於該第一密封圈與該第二密封圈之間，該第一密封圈和該第二密封圈均密封設於該腔體密封面與該製程門的相應的表面之間。
5. 如請求項4所述的半導體製程設備，其中，該進氣通道包括一進氣通道主體和一環狀沉槽，該進氣通道主體的第一通道主體埠開設於該環狀沉槽的底壁，該進氣通道主體的第二通道主體埠為該第一埠，該環狀沉槽的槽口為該第二埠，該製程門、該凸緣、該第一密封圈和該第二密封圈圍成第一裝配間隙，該環狀沉槽與該第一裝配間隙相對、且連通。
6. 如請求項5所述的半導體製程設備，其中，該進氣通道主體為多個，每個該進氣通道主體的該第一通道主體埠均開設於該環狀沉槽的該底壁，每個該進氣通道主體的該第二通道主體埠均為該第一埠。
7. 如請求項5所述的半導體製程設備，其中，該銜接通道在垂直於其中心軸線的橫截面上的正投影位於該環狀沉槽在該橫截面上的正投影內，該銜接通道通過該第一裝配間隙與該環狀沉槽連通，該銜接通道的第一尺寸小於該環狀沉槽的槽口的寬度，該第一尺寸為該銜接通道在該槽口的寬度方向上的尺寸。
8. 如請求項1所述的半導體製程設備，該半導體製程設備還包括一第二加熱裝置，該第二加熱裝置設於該製程門的背向該製程腔室的外側表面，該第二加熱裝置用於對流經該進氣通道的該保護氣體進行加熱。
9. 如請求項1所述的半導體製程設備，其中，該晶舟支撐部包括一轉軸和支撐托盤，該轉軸與該支撐托盤相連，該製程門開設有一安裝孔，該驅動裝置安裝於該安裝孔，且與該轉軸相連；該驅動裝置與該安裝孔的孔壁之間具有一第二裝配間隙，該第一埠開設於該安裝孔的孔壁上，與該第二裝配間隙連通；該轉軸與該製程門之間形成一出風間隙，該出風間隙與該第一埠連通。
10. 如請求項1至9中任一項所述的半導體製程設備，該半導體製程設備為立式爐，該半導體製程設備還包括一固定框架，該腔體固定於該固定框架上。