TWI837740B - 多荷電粒子束描繪方法、多荷電粒子束描繪裝置及電腦可讀記錄媒體 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可提高基於多射束的描繪精度的多荷電粒子束描繪方法、多荷電粒子束描繪裝置及電腦可讀記錄媒體。本實施方式的多荷電粒子束描繪方法包括如下步驟：將用於向遮蔽孔徑陣列基板上的單元陣列輸入用於控制多射束的各射束的接通/斷開的控制資料的資料通道，根據多個輸入/輸出電路的各輸入/輸出電路及基於向所述多個輸入/輸出電路的多條配線的配線間距離而彙集成的多個配線群中的至少任一者，分割為多個第一區塊，算出分割後的所述多個第一區塊的每一個的電場及磁場中的至少任一者所引起的、所述多個第一區塊的每一個的所述多射束的第一移位量；以及基於所述第一移位量來修正所述多射束的照射位置或照射量從而照射所述多射束的各射束。
Description
本申請案享有以日本專利申請案2021-149609號(申請日：2021年9月14日)為基礎申請案的優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。
本發明是有關於一種多荷電粒子束描繪方法、多荷電粒子束描繪裝置及電腦可讀記錄媒體。
伴隨著大規模積體電路(large scale integrated circuit，LSI)的高集積化，半導體元件所要求的電路線寬逐年被微細化。為了將所需的電路圖案形成於半導體元件上，目前採用使用縮小投影型曝光裝置，將形成於玻璃基板上的遮光膜等上的高精度的原圖圖案(遮罩(mask)、或特別是用於步進機(stepper)或掃描儀(scanner)中者，稱為光罩(reticle))縮小轉印至晶圓上的方法。高精度的原圖圖案的製成中，使用了藉由電子束描繪裝置形成抗蝕劑圖案的所謂的電子束微影技術(electron beam lithography technology)。
使用多射束的描繪裝置與利用一個電子束進行描繪的情況相比，可一次照射大量的電子束，因此可以大幅提高生產能
力(throughput)。作為多射束描繪裝置的一形態的使用了遮蔽孔徑陣列(blanking aperture array)基板的多射束描繪裝置中，例如是使自一個電子槍放出的電子束通過具有多個開口的成形孔徑陣列基板而形成多射束(多個電子束)。多射束通過遮蔽孔徑陣列基板的各自所對應的遮蔽器(blanker)內部。遮蔽孔徑陣列基板具有用以使電子束單獨地偏轉的電極對，並且於電極對之間形成有電子束通過用的開口。藉由將電極對(遮蔽器)控制為相同電位或控制為不同電位，而對要通過的電子束進行遮蔽偏轉。進行了偏轉的電子束被遮蔽器遮蔽，未經偏轉的電子束則照射至基板上。
於多射束描繪中，由於電子束總電流量大，因此可能會產生由庫侖(coulomb)效應引起的描繪精度劣化。例如，由於電子間的排斥力，於試樣表面上可能會發生電子束位置偏移或聚焦偏移。為了抑制由庫侖效應引起的電子束位置偏移，例如提出了如下方法：將遮蔽孔徑陣列基板分割為多個區塊，製作表示每個區塊的遮蔽密度(導通電子束的密度)與位置偏移量的關係的表，基於自表取得的參數進行位移修正、畸變修正等(例如參照日本專利特開2017-028284號公報)。
於所述使用表的方法中，為了提高修正的精度，需要增加遮蔽孔徑陣列基板的區塊分割數、或增加遮蔽密度的條件。但是，若增加條件，則存於製作表時耗費工夫、並且自表中取得參數所需的時間變長的問題。
於電子束位置偏移的因素中，不僅有作用於電子束間的
庫侖效應，而且有源於搭載於遮蔽孔徑陣列基板的控制電路上的電容的蓄積電荷的電場、或控制電路的驅動電流所產生的磁場的影響，藉由先前的方法難以修正。另外可知，所述電場或磁場所致的影響根據配置於控制電路上的輸入/輸出電路的位置或與該些連接的配線的各位置而不同。
本發明提供一種可提高基於多射束的描繪精度的多荷電粒子束描繪方法、多荷電粒子束描繪裝置及電腦可讀記錄媒體。
本發明一形態的多荷電粒子束描繪方法包括如下步驟：將用於向遮蔽孔徑陣列基板上的單元陣列輸入用於控制多射束的各射束的導通/斷開的控制資料的資料通道，根據多個輸入/輸出電路的各輸入/輸出電路及基於向所述多個輸入/輸出電路的多條配線的配線間距離而彙集成的多個配線群中的至少任一者，分割為多個第一區塊，算出分割後的所述多個第一區塊的每一個的電場及磁場中的至少任一者所引起的、所述多個第一區塊的每一個的所述多射束的第一移位量；以及基於所述第一移位量來修正所述多射束的照射位置或照射量從而照射所述多射束的各射束。
20a~20e:多個電子束(多射束)
31、31a、31b:輸入/輸出電路
34:單元陣列電路
40:個別遮蔽機構
41:移位暫存器
42:前置緩衝器
43:緩衝器
44:資料暫存器
45:NAND電路
46:放大器
50:遮蔽器
51、52:電極
100:描繪裝置
101:基板
102:電子鏡筒
103:描繪室
105:XY工作台
110:控制計算機
111:資料處理部
112:描繪控制部
113:修正量算出部
130:偏轉控制電路
139:工作台位置檢測器
140、142:記憶部
150:描繪部
160:控制部
200:電子束
201:電子槍(放出部)
202:照明透鏡
203:成形孔徑陣列構件
203a:開口
204:遮蔽孔徑陣列基板
205:縮小透鏡
206:限制孔徑構件
207:物鏡
208:偏轉器
210:反射鏡
310:放大器
320:選擇器
B1~B4:第二區塊
DL、DR:資料通道
SHIFT、LOAD1、LOAD2、LOAD3:時鐘訊號
SHOT_ENABLE:投射賦能訊號
row1~row8:輸出線
圖1是本發明的實施方式的多荷電粒子束描繪裝置的概略圖。
圖2是成形孔徑陣列構件的平面圖。
圖3是遮蔽孔徑陣列基板的概略結構圖。
圖4是輸入/輸出電路及單元陣列電路的結構圖。
圖5是個別遮蔽機構的概略結構圖。
圖6是表示一個投射循環內的照射步驟的例子的圖。
圖7是表示電子束導通時機的例子的圖。
圖8是表示遮蔽孔徑陣列基板的區塊分割例的圖。
以下，基於圖式來對本發明的實施方式進行說明。於實施的形態中，作為帶電荷粒子束的一例，對使用電子束的結構進行說明。但是，帶電荷粒子束並不限於電子束，亦可為離子束等。
圖1是實施方式的描繪裝置的概略結構圖。如圖1所示，描繪裝置100包括描繪部150以及控制部160。描繪裝置100是多荷電粒子束描繪裝置的一例。描繪部150包括電子鏡筒102以及描繪室103。於電子鏡筒102內配置有電子槍201、照明透鏡202、成形孔徑陣列構件203、遮蔽孔徑陣列基板204、縮小透鏡205、限制孔徑構件206、物鏡207及偏轉器208。另外，亦可於電子鏡筒102內配置未圖示的像散修正線圈等。
於描繪室103內配置XY工作台105。於XY工作台105上配置成為描繪對象的基板101。於基板101的上表面塗佈有由電子束曝光的抗蝕劑。基板101例如是被加工為遮罩的基板(遮罩空白片(mask blanks))、或被加工為半導體裝置的半導體基板(矽
晶圓)。另外，基板101亦可為塗敷了抗蝕劑且尚未描繪任何內容的遮罩空白片。另外，於XY工作台105上配置工作台位置測定用的反射鏡210。
控制部160具有控制計算機110、偏轉控制電路130、工作台位置檢測器139、記憶部140及記憶部142。於記憶部140中，自外部輸入描繪資料並加以保存。於描繪資料中通常定義有用於描繪的多個圖形圖案的資訊。具體而言，針對每個圖形圖案，定義圖形代碼、座標及尺寸等。於記憶部142中保存有函數資料。關於函數資料所表示的函數將於下文敘述。
控制計算機110具有資料處理部111、描繪控制部112及修正量算出部113。控制計算機110的各部可由電氣電路等硬體構成，亦可由在控制計算機110中執行該些功能的程式等軟體構成。或者，亦可由硬體與軟體的組合而構成。
工作台位置檢測器139照射雷射，接收來自反射鏡210的反射光，並藉由雷射干涉法的原理對XY工作台105的位置進行檢測。
圖2是表示成形孔徑陣列構件203的結構的概念圖。如圖2所示，於成形孔徑陣列構件203上，沿著縱向(y方向)及橫向(x方向)以規定的排列間距形成有多個開口203a。各開口203a例如由相同(大致相同)尺寸形狀的矩形或圓形形成。
自電子槍201(放出部)放出的電子束200藉由照明透鏡202而大致垂直地對成形孔徑陣列構件203整體進行照明。電
子束200對包括所有開口203a在內的區域進行照明。電子束200的一部分通過成形孔徑陣列構件203的多個開口203a，剩餘的電子束被成形孔徑陣列構件203阻止。藉由電子束200通過多個開口203a，而形成例如矩形形狀的多個電子束(多射束)20a~20e。
於遮蔽孔徑陣列基板204上，與成形孔徑陣列構件203的各開口203a的配置位置一致地形成有射束的通過孔。於各通過孔中配置包含成對的兩個電極51、52的組的遮蔽器50(參照圖5)。藉由將其中一個電極52接地並保持為接地電位、將另一個電極51切換為接地電位或接地電位以外的電位，而對通過通過孔的射束的偏轉的斷開/接通進行切換，從而進行遮蔽控制。
於射束接通的情況下，遮蔽器50的相向的電極51、電極52被控制為相同電位，遮蔽器50不使射束偏轉。於射束斷開的情況下，將遮蔽器50的相向的電極51、電極52控制為相互不同的電位，遮蔽器50使射束偏轉。多個遮蔽器50對通過成形孔徑陣列構件203的多個開口203a的多射束中分別對應的射束進行遮蔽偏轉，藉此可將射束控制為斷開狀態。
通過遮蔽孔徑陣列基板204的多射束20a~20e藉由縮小透鏡205而縮小，且朝向形成於限制孔徑構件206上的中心開口行進。
此處，被控制為射束斷開狀態的射束藉由遮蔽器50而偏轉，穿過於限制孔徑構件206的開口外部通過的軌道，因此被限制孔徑構件206遮蔽。另一方面，由於被控制為射束接通狀態
的射束不會被遮蔽器50偏轉，因此通過限制孔徑構件206的開口。此時，射束理想的是通過同一點。利用對準線圈(省略圖示)來預先調整射束的軌道以使這一點位於限制孔徑構件206的中心的開口內。如此，藉由遮蔽器50的偏轉的接通/斷開來進行遮蔽控制，從而控制射束的接通/斷開。
限制孔徑構件206對由多個遮蔽器50偏轉成射束斷開狀態的各射束進行遮蔽。而且，藉由自成為射束接通起至成為射束斷開為止所形成的通過限制孔徑構件206的射束，形成一次量的投射的多射束。
通過限制孔徑構件206的多射束被物鏡207聚焦，成為所期望的縮小率的圖案像。通過限制孔徑構件206的各射束(多射束整體)藉由偏轉器208而一併向相同方向偏轉，照射至基板101上的所期望的位置。
於XY工作台105連續移動的情況下，至少於向基板101照射射束的期間，藉由偏轉器208進行控制，以使基板101上的射束照射位置追隨XY工作台105的移動。一次照射的多射束理想的是以成形孔徑陣列構件203的多個開口203a的排列間距乘以所述所需的縮小率所得的間距排列於基板101上。
如圖3所示，對多射束的各射束進行遮蔽控制的遮蔽孔徑陣列基板204包括輸入/輸出電路31(31a、31b)及分別具有遮蔽孔徑以及電極的單元陣列電路34。輸入/輸出電路31自偏轉控制電路130接收控制訊號。
於遮蔽孔徑陣列基板204的中央部設置單元陣列電路34，夾著單元陣列電路34而設置有兩個輸入/輸出電路31a、31b。自偏轉控制電路130向遮蔽孔徑陣列基板204的控制訊號的資料通道DL、資料通道DR被分成兩個系統。
如圖4所示，於單元陣列電路34設置有多個構成個別遮蔽機構40的單元。一個個別遮蔽機構40與一個遮蔽器50對應。輸入/輸出電路31將自偏轉控制電路130接收的控制訊號轉換為射束接通/斷開訊號後輸出至單元陣列電路34。例如，輸入/輸出電路31a向配置於單元陣列電路34的一半側的個別遮蔽機構40輸出射束接通/斷開訊號，輸入/輸出電路31b向配置於另一半側的個別遮蔽機構40輸出射束接通/斷開訊號。
於輸入/輸出電路31設置有多個選擇器320(解多工器(demultiplexer))。選擇器320經由放大器310接收定義各射束每次投射的照射時間的照射時間控制資料，自對應的輸出線輸出射束接通/斷開訊號。於各輸出線上串聯連接有多個個別遮蔽機構40。
例如，選擇器320具有8條輸出線row1~row8，於各輸出線上連接有256個個別遮蔽機構40。藉由於輸入/輸出電路31a、31b分別配置64個選擇器320，可向單元陣列電路34內的512×512個個別遮蔽機構40傳送射束接通/斷開訊號。
輸入/輸出電路31a輸出射束接通/斷開訊號的個別遮蔽機構40及輸入/輸出電路31b輸出射束接通/斷開訊號的個別遮蔽
機構40的配置並不限定於圖4所示的配置。例如，來自輸入/輸出電路31a的輸出線與來自輸入/輸出電路31b的輸出線亦可交替地配置。或者，輸入/輸出電路31a輸出射束接通/斷開訊號的個別遮蔽機構40與輸入/輸出電路31b輸出射束接通/斷開訊號的個別遮蔽機構40亦可交替地配置。
如圖5所示，個別遮蔽機構40包括移位暫存器41、前置緩衝器42、緩衝器43、資料暫存器44、反及(NAND)電路45及放大器46。移位暫存器41按照時鐘訊號(SHIFT)將自前級單元的移位暫存器輸出的資料傳送至後級單元的移位暫存器。
前置緩衝器42按照時鐘訊號(LOAD1)對自移位暫存器41輸出的該單元用的射束接通/斷開訊號進行保存。
緩衝器43按照時鐘訊號(LOAD2)取入並保持前置緩衝器42的輸出值。
資料暫存器44按照時鐘訊號(LOAD3)取入並保持緩衝器43的輸出值。
向NAND電路45輸入資料暫存器44的輸出訊號以及投射賦能訊號(SHOT_ENABLE)。NAND電路45的輸出訊號經由放大器46(驅動放大器)提供給遮蔽器50的電極51。
於資料暫存器44的輸出訊號及投射賦能訊號均為高位準(High)的情況下，NAND電路45的輸出成為低位準(Low)，電極51與電極52成為相同電位，遮蔽器50不會使射束偏轉，因此射束接通。於資料暫存器44的輸出訊號及投射賦能訊號的至少
任一者為Low的情況下，NAND電路45的輸出成為High，電極51與電極52成為不同的電位，遮蔽器50使射束偏轉，射束斷開。
投射賦能訊號被輸入至所有的個別遮蔽機構40的NAND電路45，藉由使投射賦能訊號為Low，可使所有射束斷開。
於投射賦能訊號維持於High的狀態下，藉由資料暫存器44的輸出對射束的接通/斷開進行切換。即，於照射時間控制資料為1(High)的情況下，射束接通/斷開訊號成為接通訊號，於照射時間控制資料為0(Low)的情況下，射束接通/斷開訊號成為斷開訊號。
於多射束描繪中，使用與最大照射量相匹配的固定投射循環，各射束於一個投射循環內僅接通所期望的照射時間，剩餘的時間斷開。例如，將照射時間T除以量化單位△來算出灰度值N。量化單位△能夠以各種方式設定，例如可用1ns等來定義。將灰度值N轉換為位數n的二進制數的值而得者成為照射時間控制資料。
例如，若N=50，則50=25+24+21，因此若轉換為8位元的二進制數的值，則照射時間控制資料成為「00110010」。同樣地，若N=100，則照射時間控制資料成為「01100100」。
照射時間控制資料的第一位元表示照射時間1△。照射時間控制資料的第二位元表示照射時間2△。照射時間控制資料的第三位元表示照射時間4△。照射時間控制資料的第四位元表示照射時間8△。照射時間控制資料的第五位元表示照射時間16△。照
射時間控制資料的第六位元表示照射時間32△。照射時間控制資料的第七位元表示照射時間64△。照射時間控制資料的第八位元表示照射時間128△。
一個投射循環被分割為與照射時間控制資料的位元數(位元數目)n相同次數的照射步驟，各照射步驟具有與位元對應的照射時間。例如，於自位元數大的一方開始依次照射、且設為△=1ns的情況下，如圖6所示，第一次的照射步驟為128ns的照射。第二次的照射步驟為64ns的照射。第三次的照射步驟為32ns的照射。第四次的照射步驟為16ns的照射。第五次的照射步驟為8ns的照射。第六次的照射步驟為4ns的照射。第七次的照射步驟為2ns的照射。第八次的照射步驟為1ns的照射。
於N=100的情況下，照射時間控制資料為「01100100」，如圖7所示，於第二次(64ns)、第三次(32ns)、第六次(4ns)的照射步驟中射束接通，於第一次、第四次、第五次、第七次、第八次的照射步驟中射束斷開。
如此，如一示例所示，於多射束描繪中，將一個投射循環分割為多個照射步驟，於各照射步驟中切換射束的接通/斷開，成為所期望的照射時間。例如，多個照射步驟的照射時間相互不同，與二的乘方成比例。
另一方面，於多射束描繪中，搭載於遮蔽孔徑陣列基板204的輸入/輸出電路31a、輸入/輸出電路31b搭載有電源電路或邏輯電路、開關電路等各種電路，於運作時，除了來自偏轉控制
電路的控制訊號之外，亦流通各種電流。因此，自輸入/輸出電路31a、輸入/輸出電路31b向輸出線row1~輸出線row8發送的射束接通/斷開訊號與向輸入/輸出電路31a、輸入/輸出電路31b輸入的電流並非一一對應。
於搭載於遮蔽孔徑陣列基板204的輸入/輸出電路31a、輸入/輸出電路31b中，伴隨運作而流通各種電流。此時，來自配置於輸入/輸出電路31a、輸入/輸出電路31b上的電容的蓄積電荷的電場、或電路上的電流所產生的磁場對射束照射位置精度造成影響。因此，於本實施方式中，根據由自影響電場或磁場的偏轉控制電路130向配置於遮蔽孔徑陣列基板204上的所述多個輸入/輸出電路31a、31b的各個的電路電流(電源電流或基於射束接通/斷開訊號等的動作電流)求出的每個區塊的移位量，求出多射束整體的移位量，從而對照射位置進行修正。此時，亦可藉由對各射束的照射量進行調整來調整圖案解析位置。
如上所述，於本實施方式中，自偏轉控制電路130向遮蔽孔徑陣列基板204輸入控制訊號的輸入/輸出電路31a、輸入/輸出電路31b的位置或向輸入/輸出電路31a、輸入/輸出電路31b的配線位置被分為兩個系統，因此，針對每個系統而分割為兩個區塊(第一區塊)來求出電路電流。
然後，例如，資料處理部111將基板101的描繪區域虛擬分割為多個網格區域。網格區域的尺寸例如是與一條射束相同程度的尺寸，各網格區域成為畫素(單位照射區域)。資料處理部
111自記憶部140讀取描繪資料，使用於描繪資料中定義的圖案，算出各畫素的圖案面積密度ρ。
接著，資料處理部111將圖案面積密度ρ乘以基準照射量以及用於修正鄰近效應等的修正係數，從而算出照射至各畫素的射束的照射量。資料處理部111將照射量除以電流密度來算出照射時間。
接著，資料處理部111將照射時間分配給多個照射步驟，生成照射時間控制資料。例如，資料處理部111將照射時間除以量化單位來算出灰度值t(整數化後的照射時間)。於圖7所示的例子的情況下，資料處理部111求出與數列(27、26、25、24、23、22、21、20)對應的接通/斷開(ON/OFF)標誌的行作為照射時間控制資料。
資料處理部111以規定時間單位算出自偏轉控制電路130向輸入/輸出電路31a發送的照射時間控制資料中的值為1(High)的數作為資料傳送量。另外，資料處理部111以規定時間單位算出自偏向控制電路130向輸入/輸出電路31b發送的照射時間控制資料中的值為1(High)的數作為資料傳送量。既可將傳送照射時間控制資料的所有訊號線作為資料傳送量算出的對象，亦可間隔剔除一部分訊號線來算出資料傳送量。此外，資料傳送量可以規定時間單位求出、或以規定資料分割單位的資料傳送時間求出。動作電流依賴於該些控制資料的傳送量或傳送時間。
事先將輸入/輸出電路31a、輸入/輸出電路31b分別作為
一個第一區塊來分割資料通道(資料通道DL、資料通道DR)，對各第一區塊分別分配電路電流，進行接通射束的重心計算，求出移位量。此時，可針對與該些輸入/輸出電路連接的多條配線，根據配線間距離，將例如輸入/輸出電路上的輸入/輸出位置上的配線間距離(輸入/輸出位置)或者平均配線間距離近的配線彼此彙集成的配線群作為一個第一區塊進行區塊分割。但是，配線的分割方法並不限定於此。求出相對於配置有自輸入/輸出電路31a接收射束接通/斷開訊號的個別遮蔽機構40的單元陣列電路34的一半側的區域的中心的、該區域內的接通射束的重心的偏移，作為移位量XL、移位量YL。另外，求出相對於配置有自輸入/輸出電路31b接收射束接通/斷開訊號的個別遮蔽機構40的單元陣列電路34的另一半側的區域的中心的、該區域內的接通射束的重心的偏移，作為移位量XR、移位量YR。
以電路電流I為變量，求出用以求出移位量的函數f、函數g。XL/R=f(IL/R)、YL/R=g(IL/R)。函數f、函數g的資料保存於記憶部142中。
於描繪處理時，修正量算出部113使用資料處理部111計算出的電路電流以及自記憶部142提取的函數，求出移位量XL/R、移位量YL/R。
修正量算出部113將求出的每個第一區塊的移位量XL及移位量XR加以結合來算出整個遮蔽孔徑陣列基板於x方向上的移位量X。另外，修正量算出部113將求出的每個第一區塊的移
位量YL及移位量YR加以結合來算出整個遮蔽孔徑陣列基板於y方向上的移位量Y。
結合方法並無限定，例如可藉由如X=aXL+bXR般的線性結合來算出移位量X。另外，亦可將移位量XL及移位量XR的最大值(大的值)作為移位量X。或者，亦可將移位量XL與移位量XR的平均值作為移位量X。
修正量算出部113根據所計算出的整個遮蔽孔徑陣列基板的移位量X、移位量Y來算出用於消除所述移位量的修正量。
偏轉控制電路130基於所述修正量對偏轉器208的偏轉量進行控制，從而對多射束的照射位置或照射量進行修正。
如此，根據本實施方式，基於向輸入/輸出電路31a、輸入/輸出電路31b流通的電路電流求出移位量，從而對射束照射位置或照射量進行修正，因此可抑制來自輸入/輸出電路31a、輸入/輸出電路31b上的電容的蓄積電荷的電場、或驅動電流所產生磁場對射束照射位置精度的影響，從而提高描繪精度。
於所述實施方式中，移位量的算出中使用的電路電流可為與實際的投射之前的投射對應的電流，亦可為與實際的投射對應的電流，亦可為與實際的投射之後的投射對應的電流，亦可為該些中的兩個以上。
於為與實際的投射之前的投射對應的電流的情況下，可修正先前投射的影響。於為與實際的投射對應的電流的情況下，可進行實時修正。於為與實際的投射之後的投射對應的電流的情
況下，可修正照射完畢後的投射的影響。
於所述實施方式中，對使用電路電流(電源電流以及動作電流)來算出移位量的例子進行了說明，但動作電流亦可根據基於射束接通/斷開訊號的資料傳送量、資料傳送時間及接通/斷開電流中的任一控制訊號來算出。
於所述實施方式中，對在遮蔽孔徑陣列基板上設置兩個輸入/輸出電路、且將自偏轉控制電路130的資料通道分為兩個系統的例子進行了說明，但輸入/輸出電路的數量及自偏轉控制電路130的資料通道亦可為三個系統以上。另外，亦可自偏轉控制電路130向一個輸入/輸出電路輸入兩個系統以上的資料通道。
亦可將單元陣列電路34分割為多個區塊(第二區塊)，根據每個第二區塊的照射量分佈或遮蔽分佈，針對每個第二區塊求出接通射束的重心相對於區塊中心的偏移，將結合了各第二區塊的偏移的移位量(第二移位量)與使用函數f、函數g計算出的移位量(第一移位量)相加。
例如，如圖8所示，將單元陣列電路34分割為2×2的4個第二區塊B1~B4，針對每個第二區塊求出接通射束的重心相對於區塊中心的偏移量。亦可將第二區塊B1~區塊B4的全部個別遮蔽機構40作為評價對象，亦可藉由跳過一個等將一部分個別遮蔽機構40作為評價對象。藉由減少作為評價對象的個別遮蔽機構40的數量，可削減計算量。
對於各個第二區塊B1~B4，求出接通射束的重心相對
於區塊中心的偏移量。然後，將各塊的偏移量加以結合(線性結合、最大值選擇、平均化等)，求出移位量(第二移位量)。
根據每個區塊的移位量可知多射束整體的射束形狀的旋轉、放大、畸變等，因此亦可使用靜電透鏡或像散修正線圈來修正射束形狀。
再者，本發明並不限定於所述實施形態，於實施階段，能夠在不脫離本發明宗旨的範圍內，使構成要素變形而具體化。而且，能夠藉由所述實施形態所揭示的多個構成要素的適當組合來形成各種發明。例如，亦可從實施形態所示的全部構成要素中刪除若干個構成要素。進而，亦可適當地將遍及不同實施形態的構成要素加以組合。
20a~20e:多個電子束(多射束)
100:描繪裝置
101:基板
102:電子鏡筒
103:描繪室
105:XY工作台
110:控制計算機
111:資料處理部
112:描繪控制部
113:修正量算出部
130:偏轉控制電路
139:工作台位置檢測器
140、142:記憶部
150:描繪部
160:控制部
200:電子束
201:電子槍(放出部)
202:照明透鏡
203:成形孔徑陣列構件
204:遮蔽孔徑陣列基板
205:縮小透鏡
206:限制孔徑構件
207:物鏡
208:偏轉器
210:反射鏡
Claims (15)
- 一種多荷電粒子束描繪方法，包括如下步驟： 將用於向遮蔽孔徑陣列基板上的單元陣列輸入用於控制多射束的各射束的接通/斷開的控制資料的資料通道，根據多個輸入/輸出電路的各輸入/輸出電路及基於向所述多個輸入/輸出電路的多條配線的配線間距離而彙集成的多個配線群中的至少任一者，分割為多個第一區塊，算出分割後的所述多個第一區塊的每一個的電場及磁場中的至少任一者所引起的、所述多個第一區塊的每一個的所述多射束的第一移位量；以及 基於所述第一移位量來修正所述多射束的照射位置或照射量從而照射所述多射束的各射束。
- 如請求項1所述的多荷電粒子束描繪方法，其中針對分割後的所述多個第一區塊的每一個，基於電路電流來算出所述第一移位量，所述電路電流包括電源電流以及依賴於控制資料向所述多個輸入/輸出電路的各個的傳送量或傳送時間的動作電流。
- 如請求項1或請求項2所述的多荷電粒子束描繪方法，更包括： 將所述單元陣列分割為多個第二區塊，取得照射量分佈或遮蔽分佈的步驟；以及 根據所述照射量分佈或遮蔽分佈，針對所述第二區塊的每一個來算出第二移位量的步驟， 基於所述第一移位量及所述第二移位量，對所述多射束的照射位置或照射量進行修正，從而照射所述多射束的各射束。
- 如請求項3所述的多荷電粒子束描繪方法，其中根據所述第一移位量或所述第二移位量，算出所述單元陣列整體的移位量及所述多射束的射束形狀的旋轉、放大、畸變，從而對所述射束形狀進行修正。
- 如請求項1所述的多荷電粒子束描繪方法，其中將所述多個第一區塊的每一個的所述第一移位量線性結合，求出所述遮蔽孔徑陣列基板整體的移位量，並且基於所述移位量對所述多射束的照射位置或照射量進行修正。
- 一種多荷電粒子束描繪裝置，包括： 遮蔽孔徑陣列基板，具有分別與多射束的各射束對應、且使所述各射束接通/斷開的多個遮蔽器； 偏轉控制電路，輸出用於對所述多射束的各射束的接通/斷開進行控制的控制資料； 多個輸入/輸出電路，自所述偏轉控制電路輸入所述控制資料，向所述多個遮蔽器的各個輸出射束接通/斷開訊號；以及 描繪控制部，將用於輸入所述控制資料的資料通道根據所述多個輸入/輸出電路的各輸入/輸出電路及基於向所述多個輸入/輸出電路的多條配線的配線間距離而彙集成的多個配線群中的至少任一者，分割為多個第一區塊，算出分割後的多個第一區塊的每一個的電場及磁場中的至少任一者所引起的第一移位量，基於所述第一移位量來修正所述多射束的照射位置或照射量，從而進行描繪。
- 如請求項6所述的多荷電粒子束描繪裝置，其中所述描繪控制部針對分割後的所述多個第一區塊的每一個，基於電路電流來算出所述第一移位量，所述電路電流包括電源電流以及依賴於控制資料向所述多個輸入/輸出電路的各個的傳送量或傳送時間的動作電流。
- 如請求項6所述的多荷電粒子束描繪裝置，其中所述描繪控制部將所述單元陣列分割為多個第二區塊，取得分割後的所述多個第二區塊的每一個的照射量分佈或遮蔽分佈，根據所述照射量分佈或遮蔽分佈，針對所述第二區塊的每一個算出第二移位量，並基於所述第一移位量以及所述第二移位量，對所述多射束的照射位置或照射量進行修正。
- 如請求項8所述的多荷電粒子束描繪裝置，其中所述描繪控制部根據所述第一移位量以及所述第二移位量，算出所述單元陣列整體的移位量及所述多射束的射束形狀的旋轉、放大、畸變，從而對所述射束形狀進行修正。
- 如請求項6所述的多荷電粒子束描繪裝置，其中所述描繪控制部將所述多個第一區塊的每一個的所述第一移位量線性結合，求出所述遮蔽孔徑陣列基板整體的移位量，並且基於所述移位量對所述多射束的照射位置或照射量進行修正。
- 一種電腦可讀記錄媒體，保存使多荷電粒子束描畫裝置的控制計算機執行如下步驟的程式： 將用於向遮蔽孔徑陣列基板上的單元陣列輸入用於控制多射束的各射束的接通/斷開的控制資料的資料通道，根據多個輸入/輸出電路的各輸入/輸出電路及基於向所述多個輸入/輸出電路的多條配線的配線間距離而彙集成的多個配線群中的至少任一者，分割為多個第一區塊，算出分割後的所述多個第一區塊的每一個的電場及磁場中的至少任一者所引起的、所述多個第一區塊的每一個的所述多射束的第一移位量；以及 基於所述第一移位量來修正所述多射束的照射位置或照射量。
- 如請求項11所述的電腦可讀記錄媒體，其中所述程式使所述控制計算機執行針對分割後的所述多個第一區塊的每一個，基於電路電流來算出所述第一移位量的步驟，所述電路電流包括電源電流以及依賴於控制資料向所述多個輸入/輸出電路的各個的傳送量或傳送時間的動作電流。
- 如請求項11所述的電腦可讀記錄媒體，其中 所述程式使所述控制計算機執行如下步驟： 將所述單元陣列分割為多個第二區塊，取得照射量分佈或遮蔽分佈； 根據所述照射量分佈，針對所述第二區塊的每一個算出第二移位量；以及 基於所述第一移位量及所述第二移位量來修正所述多射束的照射位置或照射量。
- 如請求項13所述的電腦可讀記錄媒體，其中所述程式使所述控制計算機執行如下步驟：根據所述第一移位量或所述第二移位量，算出所述單元陣列整體的移位量及所述多射束的射束形狀的旋轉、放大、畸變，從而對所述射束形狀進行修正。
- 如請求項11所述的電腦可讀記錄媒體，其中所述程式使所述控制計算機執行如下步驟：將所述多個第一區塊的每一個的所述第一移位量線性結合，求出所述遮蔽孔徑陣列基板整體的移位量，並且基於所述移位量對所述多射束的照射位置或照射量進行修正。
Applications Claiming Priority (2)
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Publications (2)
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| US20200258716A1 (en) | 2019-02-12 | 2020-08-13 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-charged-particle beam writing apparatus and multi-charged-particle beam writing method |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20200258716A1 (en) | 2019-02-12 | 2020-08-13 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-charged-particle beam writing apparatus and multi-charged-particle beam writing method |
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