TWI836029B - 溶液、阻劑圖型形成方法，及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

溶液、阻劑圖型形成方法，及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI836029B
TWI836029B TW109107797A TW109107797A TWI836029B TW I836029 B TWI836029 B TW I836029B TW 109107797 A TW109107797 A TW 109107797A TW 109107797 A TW109107797 A TW 109107797A TW I836029 B TWI836029 B TW I836029B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
component
solvents
solution
resist
resist pattern
Prior art date
Application number
TW109107797A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202102649A (zh
Inventor
飯田啓之
高橋元樹
中村正晴
Original Assignee
日商東京應化工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京應化工業股份有限公司 filed Critical 日商東京應化工業股份有限公司
Publication of TW202102649A publication Critical patent/TW202102649A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI836029B publication Critical patent/TWI836029B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/267—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G03F7/3028—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck characterised by means for on-wafer monitoring of the processing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

一種溶液，其係含有(S)成分：有機溶劑、與(A)成分：抗氧化劑之溶液，(A)成分包含(A1)成分：生育酚系化合物。

Description

溶液、阻劑圖型形成方法，及半導體裝置之製造方法
本發明有關溶液、使用該溶液之阻劑圖型形成方法及包含該阻劑圖型形成方法之半導體裝置之製造方法。 本申請案基於2019年3月22日向日本提出申請之日本特願2019-054948號主張優先權，其內容援用於本文。
微影技術中，係例如進行如下步驟：於基板上形成由阻劑組成物所成之阻劑膜，對該阻劑膜進行選擇性曝光，使用顯像液藉由實施顯像處理，於前述阻劑膜形成特定形狀之阻劑圖型。且將阻劑組成物塗佈於基板之前，會有使用預濕潤液於基板上進行預濕潤處理之情況，或於前述顯像處理後，有使用清洗液進行清洗處理之情況。
隨著微影技術之更進步、阻劑圖型之微細化日益進展，關於上述半導體裝置之製造方法中所用之預濕潤液、顯像液、清洗液及阻劑組成物中所含之溶劑，要求高純度、高安定性等之高品質化。
例如，專利文獻1中，提案一種洗淨劑組成物，其係含有有機溶劑及防止該有機溶劑氧化之抗氧化劑的洗淨劑組成物，其特徵為前述抗氧化劑之沸點低於二丁基羥基甲苯的沸點。依據該洗淨劑組成物，可提供能防止氧化劣化並且可連續蒸餾再生之洗淨劑組成物。
且，作為有機溶劑之抗氧化對策，亦有於有機溶劑中添加塑膠之抗氧化劑中所使用之自由基鏈抑制劑的二丁基羥基甲苯(以下亦稱為BHT)之情況。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平9-49000號公報
[發明欲解決之課題]
然而，使用專利文獻1之洗淨劑組成物中所含之抗氧化劑製造半導體裝置之情況，有發生源自前述抗氧化劑之缺陷之情況。 因此，半導體裝置之製造方法所用之溶液，被要求係經時之劣化受抑制、安定性高、不易產生缺陷之溶液。
本發明係鑑於上述情況而完成者，課題在於提供安定性高、缺陷之發生受抑制之溶液。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明採用以下構成。 亦即，本發明之第1態樣係一種溶液，其係含有(S)成分：有機溶劑、與(A)成分：抗氧化劑之溶液，前述(A)成分包含(A1)成分：生育酚系化合物。
本發明之第2態樣係一種阻劑圖型形成方法，其具有下述步驟：使預濕潤液與支撐體接觸之預濕潤步驟，於前述預濕潤步驟後之支撐體上使用阻劑組成物形成阻劑膜之步驟，使前述阻劑膜曝光之步驟，及使用顯像液使前述曝光後之阻劑膜顯像形成阻劑圖型之步驟，即使用本發明之第1態樣之溶液作為前述預濕潤液的阻劑圖型形成方法。
本發明之第3態樣係一種阻劑圖型形成方法，其具有下述步驟：於支撐體上使用阻劑組成物形成阻劑膜之步驟，使前述阻劑膜曝光之步驟，使用顯像液使前述曝光後之阻劑膜顯像形成阻劑圖型之步驟，前述阻劑組成物包含本發明第1態樣之溶液。
本發明之第4態樣係一種阻劑圖型形成方法，其具有下述步驟：於支撐體上使用阻劑組成物形成阻劑膜之步驟，使前述阻劑膜曝光之步驟，使用顯像液使前述曝光後之阻劑膜顯像，形成阻劑圖型之步驟，且使用本發明第1態樣之溶液作為前述顯像液。
本發明之第5態樣係一種半導體裝置之製造方法，其包含藉由本發明第2~4之任一態樣之阻劑圖型形成方法形成阻劑圖型之步驟。 [發明效果]
依據本發明，可提供安定性高、缺陷之發生受抑制之溶液。
(溶液)
本發明之第1態樣係一種溶液，其係含有(S)成分：有機溶劑、與(A)成分：抗氧化劑之溶液，前述(A)成分包含(A1)成分：生育酚系化合物。
＜(S)成分：有機溶劑＞ (S)成分為有機溶劑。 作為本實施形態之(S)成分，並未特別限定，舉例為半導體裝置之製造所用之各種有機溶劑，或製造半導體裝置之製造所用之各種材料之過程所用之各種有機溶劑。其中，(S)成分較佳包含選自酯系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑及亞碸系溶劑所成之群中之1種以上。
＜＜酯系溶劑＞＞ 酯系溶劑為構造中含有(-C(=O)-O-)之有機溶劑。 作為酯系溶劑舉例為例如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸異丙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、乙酸2-甲氧基丁酯(2-methoxybutyl acetate)、乙酸3-甲氧基丁酯(3-methoxybutyl acetate)、乙酸4-甲氧基丁酯(4-methoxybutyl acetate)、乙酸3-甲氧基-3-甲基丁酯(3-methoxy-3-methylbutyl acetate)、乙酸3-乙基-3-甲氧基丁酯(3-ethyl-3-methoxybutyl acetate)、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、乙酸2-乙氧基丁酯、乙酸4-乙氧基丁酯、乙酸4-丙氧基丁酯、乙酸2-甲氧基戊酯、乙酸3-甲氧基戊酯、乙酸4-甲氧基戊酯、乙酸2-甲基-3-甲氧基戊酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基戊酯、乙酸3-甲基-4-甲氧基戊酯、乙酸4-甲基-4-甲氧基戊酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸丁酯、乳酸乙酯(EL)、乳酸丙酯、乳酸丁酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸丙酯等。該等中，作為酯系溶劑，較佳為乙酸丁酯、乳酸乙酯(EL)，更佳為乳酸乙酯(EL)。
＜＜酮系溶劑＞＞ 酮系溶劑為具有酯鍵以外之羰基(酮：-C(=O)-)之有機溶劑。 作為酮系溶劑舉例為例如丙酮、1-己酮、2-己酮、4-庚酮、2-庚酮(甲基戊基酮)、1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、二異丁基酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯基丙酮、二乙醯基乙烷(acetonylacetone)、苯基丙酮、苯乙酮、甲基萘基酮、環己酮(CHN)、甲基環己酮、紫羅酮(ionone)、異佛酮、碳酸伸丙酯(propylene carbonate)、γ-丁內酯(GBL)、二乙醯醇(diacetonyl alcohol)、二丙酮醇、乙醯基卡必醇等。該等中，作為酮系溶劑，較佳為2-庚酮(甲基戊基酮)、環己酮(CHN)。
＜＜醚系溶劑＞＞ 醚系溶劑係具有酯鍵以外之醚鍵(-O-)之有機溶劑。作為醚系溶劑舉例為例如丙二醇單甲醚(PGME)、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單己醚、乙二醇單苯醚、乙二醇單-2-乙基丁基醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚等之烷二醇單烷醚類；二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇單己醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丙醚等之含醚基之烷二醇單烷醚化合物等之多元醇部分醚類等。該等中，作為醚系溶劑較佳為丙二醇單甲醚(PGME)。
＜＜醇系溶劑＞＞ 醇系溶劑係構造中含有醇性羥基之有機溶劑。「醇性羥基」意指鍵結於脂肪族烴基的碳原子之羥基。 又，本說明書中，醇系溶劑係不包含於酯系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑者。 作為醇系溶劑舉例為例如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇(IPA)、正丁醇、第二丁醇、第三丁醇、正戊醇、4-甲基-2-戊醇(甲基異丁基卡必醇)、2-甲基丁醇等之單元醇類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類等。該等中，較佳為4-甲基-2-戊醇(甲基異丁基卡必醇)。
＜＜腈系溶劑＞＞ 腈系溶劑係構造中含有腈基(-C≡N)之有機溶劑。 作為腈系溶劑舉例為例如乙腈、丙腈、戊腈、丁腈等。
＜＜醯胺系溶劑＞＞ 醯胺系溶劑係構造中含有醯胺基之有機溶劑。 作為醯胺系溶劑舉例為例如N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺等。
＜＜亞碸系溶劑＞＞ 亞碸系溶劑係構造中含有鍵結有2個烷基之亞磺醯胺(-S(=O)-)之有機溶劑。 作為亞碸系溶劑舉例為二甲基亞碸等。
作為(S)成分，上述中更佳包含選自酯系溶劑、酮系溶劑及醇系溶劑所成之群中之1種以上。
本實施形態之溶液中所含之(S)成分可為1種亦可為2種以上。 組合2種以上有機溶劑之情況下，較佳使用酯系溶劑與醚系溶劑。藉由使用酯系溶劑與醚系溶劑的混合溶劑，更可抑制龜裂發生。
作為上述酯系溶劑與醚系溶劑之混合溶劑之組合，較佳為丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)、與二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚或二乙二醇單丁醚之組合。 該等中，較佳為丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)與丙二醇單甲醚(PGME)之組合(混合溶劑)。
併用2種有機溶劑之情況下，其混合比(質量)較佳為1/99~99/1之範圍，更佳為10/90~90/10之範圍，又更佳為20/80~60/40之範圍。
又，有機溶劑亦可以任意比例混合3種以上。藉由以任意比例混合3種以上有機溶劑，例如可實施微妙的阻劑形狀調整及黏度之調整等之操作。作為組合3種以上之有機溶劑，舉例有PGMEA、PGME及GBL之組合、PGMEA、PGME及CHN之組合、PGMEA、PGME及2-庚酮之組合、PGMEA、CHN及GBL之組合、及PGMEA、GBL及2-庚酮之組合等。
本實施形態之溶液較佳係實質上由上述有機溶劑所成之溶液。又，所謂實質上由有機溶劑所成，係意圖使有機溶劑之含量相對於溶液全量為98.00質量%以上，較佳為99.00質量%以上，更佳為99.50質量%以上，又更佳為99.80質量%以上，特佳為99.90質量%以上。上限並未特別限定，但舉例為99.99質量%左右。 又，併用2種以上之有機溶劑之情況，較佳合計含量為上述範圍內。
＜(A)成分：抗氧化劑＞ 本實施形態之溶液含有(A)成分：抗氧化劑，前述(A)成分包含(A1)成分：生育酚系化合物。
＜＜(A1)成分：生育酚系化合物＞＞ ･生育酚系化合物 生育酚系化合物係一般的維他命E，亦係源自天然之化學物質。 因此，安全性高且環境負荷亦小。且，由於係油溶性且常溫為液體，故與阻劑組成物等之相溶性及耐析出性亦優異。
作為生育酚系化合物舉例為例如生育酚及其衍生物、生育三烯酚及其衍生物。生育酚及生育三烯酚已知有天然型化合物(d-體)、非天然型化合物(l-體)、該等之等量混合物的消旋體(dl-體)等之區別。天然型化合物(d-體)或消旋體(dl-體)由於有使用作為食品添加劑等者，故而較佳。
作為生育酚具體舉例為d-α-生育酚、dl-α-生育酚、d-β-生育酚、dl-β-生育酚、d-γ-生育酚、dl-γ-生育酚、d-δ-生育酚、dl-δ-生育酚。 作為生育三烯酚具體舉例為d-α-生育三烯酚、dl-α-生育三烯酚、d-β-生育三烯酚、dl-β-生育三烯酚、d-γ-生育三烯酚、dl-γ-生育三烯酚、d-δ-生育三烯酚、dl-δ-生育三烯酚。
作為生育酚衍生物，具體舉例為上述生育酚之乙酸酯、菸鹼酸酯、亞油酸酯、琥珀酸酯等。 作為生育三烯酚衍生物，具體舉例為上述生育三烯酚之乙酸酯等。
本實施形態之溶液所含之(A1)成分可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分之含量，相對於溶液全量，較佳為0.1~50質量ppm，更佳為0.1~30質量ppm，又更佳為0.1~15質量ppm。 藉由將(A1)成分含量設為下限值以上，可充分獲得含有(A1)成分所致之效果，若為上限值以下，則更可抑制缺陷發生。
＜＜A2成分：其他抗氧化劑＞＞ 本實施形態之溶液中之(A)成分亦可包含(A2)成分：(A1)成分以外之抗氧化劑。 作為(A2)成分，舉例為酚系抗氧化劑、受阻胺系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑、苯并三唑系抗氧化劑、二苯甲酮系抗氧化劑、羥基胺系抗氧化劑、水楊酸酯系抗氧化劑、三嗪系抗氧化劑等。
･酚系抗氧化劑 作為酚系抗氧化劑舉例為例如受阻酚系抗氧化劑。作為受阻酚系抗氧化劑舉例為例如2,4-雙[(月桂硫基)甲基]-鄰-甲酚、1,3,5-三(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)、1,3,5-三(4-第三丁基-3-羥基-2,6-二甲基苄基)、2,4-雙-(正辛硫基)-6-(4-羥基-3,5-二-第三丁基苯胺基)-1,3,5-三嗪、季戊四醇四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、2,6-二-第三丁基-4-壬基酚、2,2’-亞異丁基-雙-(4,6-二甲基酚)、4,4’-亞異丁基-雙-(2-第三丁基-5-甲基酚)、2,2’-硫基-雙-(6-第三丁基-4-甲基酚)、2,5-二-第三丁基-對苯二酚、2,2’-硫基二乙基雙-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、1,1,3-三-(2’-甲基-4’-羥基-5’-第三丁基苯基)丁烷、2,2’-亞甲基-雙(6-(1-甲基-環己基)-對-甲酚)、2,4-二甲基-6-(1-甲基-環己基)-酚、N,N-六亞甲基雙(3,5-二-第三丁基-4-羥基-氫桂皮醯胺)、4,4’-亞丁基雙-(6-第三丁基-3-甲基酚)、2,2’-亞甲基雙-(4-乙基-6-第三丁基酚)及丁基羥基苯甲醚等。亦可使用其他具有受阻酚構造之寡聚物類型及聚合物類型之化合物等。 又，作為酚系抗氧化劑，除上述之受阻酚系抗氧化劑以外，亦舉例為二丁基羥基甲苯(BHT)及對苯二酚。
･受阻胺系抗氧化劑 作為受阻胺系抗氧化劑舉例為雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、雙(N-甲基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-1,6-六亞甲基二胺、2-甲基-2-(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)胺基-N-(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)丙醯胺、四(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)(1,2,3,4-丁烷四羧酸酯)、聚[{6-(1,1,3,3-四甲基丁基)亞胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二基}{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}六甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}]、聚[(6-嗎啉基-1,3,5-三嗪-2,4-二基) {(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}六甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}]、琥珀酸二甲酯與1-(2-羥基乙基)-4-羥基-2,2,6,6-四甲基哌啶之聚縮合物、及N,N’-4,7-四[4,6-雙{N-丁基-N-(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)胺基}-1,3,5-三嗪-2-基]-4,7-二氮雜癸烷-1,10-二胺等。亦可使用其他具有受阻胺構造之寡聚物類型及聚合物類型之化合物等。
･磷系抗氧化劑 作為磷系抗氧化劑舉例為亞磷酸三(異癸基)酯、亞磷酸三(十三烷基)酯、亞磷酸苯酯異辛酯、亞磷酸苯酯異癸酯、亞磷酸苯酯二(十三烷基)酯、亞磷酸二苯酯異辛酯、亞磷酸二苯酯異癸酯、亞磷酸二苯酯十三烷酯、亞磷酸三苯酯、亞磷酸三(壬基苯基)酯、亞磷酸4,4’-亞異丙基二苯酯烷酯、亞磷酸三壬酯苯酯、亞磷酸三(二壬基苯基)酯、亞磷酸三(2,4-二-第三丁基苯基)酯、亞磷酸三(聯苯基)酯、二硬脂基季戊四醇二亞磷酸酯、二(2,4-二-第三丁基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯、二(壬基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯、苯基雙酚A季戊四醇二亞磷酸酯、四-十三烷基4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-第三丁基酚)二亞磷酸酯、六-十三烷基1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5-第三丁基苯基)丁烷三亞磷酸酯、3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基亞磷酸二乙酯、雙(4-第三丁基苯基)亞磷酸鈉、2,2-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)-亞磷酸鈉、1,3-雙(二-苯氧基磷醯氧基)-苯、亞磷酸三(2-乙基己基)酯、亞磷酸三異癸酯及亞磷酸乙酯雙(2,4-二-第三丁基-6-甲基苯基)酯等。亦可使用其他具有亞磷酸酯構造之寡聚物類型及聚合物類型之化合物等。
･硫系抗氧化劑 作為硫系抗氧化劑舉例為2,2-硫基-二伸乙基雙[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、2,4-雙[(辛硫基)甲基]-鄰-甲酚、2,4-雙[(月桂硫基)甲基]-鄰-甲酚、3,3’-硫基二丙酸二-十二烷酯、3,3’-硫基二丙酸二-十八烷酯及3,3’-硫基二丙酸二-十四烷酯等。亦可使用其他具有硫醚構造之寡聚物類型及聚合物類型之化合物等。
･苯并三唑系抗氧化劑 作為苯并三唑系抗氧化劑可使用具有苯并三唑構造之寡聚物類型及聚合物類型之化合物等。
･二苯甲酮系抗氧化劑 作為二苯甲酮系抗氧化劑舉例為2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,4-二羥基二苯甲酮、2-羥基-4-正辛氧基二苯甲酮、4-十二烷氧基-2-羥基二苯甲酮、2-羥基-4-十八烷氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基-5-磺基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基-2’-羧基二苯甲酮及2-羥基-4-氯二苯甲酮等。亦可使用其他具有二苯甲酮構造之寡聚物類型及聚合物類型之化合物等。
･羥基胺系抗氧化劑 作為羥基胺系抗氧化劑舉例為羥基胺、羥基胺硝酸鹽、羥基胺硫酸鹽、羥基胺磷酸鹽、羥基胺鹽酸鹽、羥基胺檸檬酸鹽、羥基胺草酸鹽等。
･水楊酸酯系抗氧化劑 作為水楊酸酯系抗氧化劑舉例為水楊酸苯酯、水楊酸對-辛基苯酯及水楊酸對-第三丁基苯酯等。亦可使用其他具有水楊酸酯構造之寡聚物類型及聚合物類型之化合物等。
･三嗪系抗氧化劑 作為三嗪系抗氧化劑舉例為2,4-雙(烯丙基)-6-(2-羥基苯基)1,3,5-三嗪等。亦可使用其他具有三嗪構造之寡聚物類型及聚合物類型之化合物等。
本實施形態之溶液較佳使用於半導體裝置之製造方法中，選自半導體製造裝置之洗淨液、預濕潤液、顯像液、清洗液及阻劑組成物中所含之溶劑之至少1個用途中。 此處，所謂半導體製造裝置之洗淨液舉例為半導體製造裝置之供給配管的洗淨所用之洗淨液。
以上說明之本實施形態之溶液係含有(S)成分：有機溶劑、與(A)成分：抗氧化劑之溶液，前述(A)成分包含(A1)成分：生育酚系化合物。藉由含有前述(A1)成分，可防止(S)成分之氧化劣化，可提高溶液之安定性。且，前述(A1)成分由於係油溶性且於常溫為液體，故與阻劑組成物之相溶性及耐析出性亦優異。因此，推測本實施形態之溶液安定性高，而抑制缺陷之發生。 且，前述(A1)成分由於係源自天然之化學物質，故安全性高，環境負荷亦小。
(阻劑圖型形成方法) 本實施形態之阻劑圖型形成方法具有下述步驟之方法： (i)使用阻劑組成物於支撐體上形成阻劑膜之步驟， (ii)使上述阻劑膜曝光之步驟，及 (iii)使用顯像液使前述曝光後之阻劑膜顯像形成阻劑圖型之步驟。 前述(i)之步驟中的阻劑組成物、前述(iii)之步驟中之顯像液之任一者以上係使用本發明第1態樣之溶液。
＜(i)：形成阻劑膜之步驟＞ 形成阻劑膜之步驟係使用阻劑組成物於支撐體上形成阻劑膜之步驟。 作為阻劑組成物舉例為例如含有藉由酸之作用而對顯像液之溶解性變化之基材成分與藉由曝光產生酸之酸產生劑成分的化學增幅型阻劑組成物等。 作為化學增幅型阻劑組成物中使用之基底樹脂，例如藉由酸之作用而增大對於鹼顯像液之溶解性的樹脂成分之情況，舉例為具有包含藉由自酸產生劑等產生之酸的作用而分解並增大極性之酸分解性基之構成單位、包含含內酯環式基之構成單位、包含羥基等之極性基之構成單位者。
作為化學增幅型阻劑組成物中使用之酸產生劑，舉例為例如錪鹽或鋶鹽等之鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸酯系酸產生劑、重氮甲烷系酸產生劑、硝基苄基磺酸酯系酸產生劑、亞胺磺酸酯系酸產生劑、二碸系酸產生劑等。 作為鎓鹽系酸產生劑主要舉例為於陽離子部具有三苯基鋶等之鎓陽離子者。鎓鹽系酸產生劑之陰離子部舉例為烷基磺酸離子或其烷基之氫原子的一部分或全部經氟原子取代之氟化烷基磺酸離子等。 且，作為其他成分舉例為選自捕捉阻劑組成物中因曝光而發生之酸的淬滅劑(酸擴散控制劑)、有機羧酸及磷的含氧酸及其衍生物所成之群中之至少1種化合物、氟添加劑、有機溶劑等。
作為形成阻劑膜之步驟舉例為例如將上述阻劑組成物(化學增幅型阻劑組成物等)藉旋轉塗佈器等塗佈於支撐體上，於例如80~150℃之溫度條件進行烘烤(施加後烘烤(PAB：post apply bake))處理40~120秒，較佳實施60~90秒形成阻劑膜之方法。
＜(ii)：使阻劑膜曝光之步驟＞ 作為使阻劑膜曝光之步驟舉例為例如對上述阻劑膜，使用電子束描繪裝置、EUV曝光裝置等之曝光裝置，經由形成有特定圖型之遮罩(遮罩圖型)之曝光或不經由遮罩圖型之電子束直接照射之描繪等進行選擇曝光後，於例如80~150℃之溫度條件進行烘烤(曝光後烘烤(PEB))處理40~120秒，較佳實施60~90秒形成阻劑膜之方法。
曝光所用之波長並未特別限定，可使用ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、F2 準分子雷射、EUV(極端紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子束)、X射線、軟X射線等之放射線進行。
＜(iii)：使用顯像液顯像形成阻劑圖型之步驟＞ 作為使用顯像液顯像形成阻劑圖型之步驟，於例如鹼顯像製程之情況，舉例為使用鹼顯像液，於溶劑顯像製程之情況，例如使用含有有機溶劑之顯像液(有機系顯像液)，形成阻劑圖型之方法。 作為以鹼顯像製程之顯像處理所用之鹼顯像液舉例為例如0.1~10質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液。 作為以溶劑顯像製程之顯像處理所用之有機系顯像液所含有之有機溶劑舉例為與上述(S)成分相同者。
上述顯像處理後，亦可進行清洗處理。清洗處理於鹼顯像製程之情況，較佳為使用純水之水清洗，於溶劑顯像製程之情況，較佳使用含有有機溶劑之清洗液。 溶劑顯像製程之情況，前述顯像處理或清洗處理後，亦可進行藉由超臨界流體去除附著於圖型上之顯像液或清洗液之處理。 顯像處理後或清洗處理後，進行乾燥。且，依情況而定，上述顯像處理後亦可進行烘烤處理(後烘烤)。
作為支撐體並未特別限定，可使用以往習知者，舉例為例如電子零件用之基板或於其形成有特定配線圖型者等。更具體而言，舉例為矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等之金屬製基板，或玻璃基板等。作為配線圖型之材料，可使用例如銅、鋁、鎳、金等。 又，作為支撐體，可為於如上述基板上設有無機系及/或有機系膜者。作為無機系膜舉例為無機抗反射膜(無機BARC)。作為有機系膜舉例為有機抗反射膜(有機BARC)或多層阻劑法中之下層有機膜等之有機膜。 此處，所謂多層阻劑法，係於基板上設置至少一層有機膜(下層有機膜)與至少一層阻劑膜(上層阻劑膜)，將形成於上層阻劑膜之阻劑圖型作為遮罩進行下層有機膜之圖型化的方法，可形成高長寬比之圖型。亦即，依據多層阻劑法，由於藉由下層有機膜可確保所需之厚度，故可使阻劑膜薄膜化，可形成高長寬比之微細圖型。 多層阻劑法基本上可分為設為上層阻劑膜與下層阻劑膜之兩層構造之方法(2層阻劑法)，與設為於上層阻劑膜與下層阻劑膜之間設置一層以上中間層(金屬薄膜等)之三層以上之多層構造之方法(3層阻劑法)。
本實施形態之阻劑圖型形成方法進而具有下述步驟：(iv)在(i)於支撐體上使用阻劑組成物形成阻劑膜之步驟之前，將預濕潤液與支撐體接觸之步驟，前述(iv)之步驟中預濕潤液亦可使用本發明第1態樣之溶液。
＜(iv)：預濕潤步驟＞ 預濕潤步驟係使預濕潤液與支撐體接觸之步驟。 使預濕潤液與支撐體接觸之方法並未特別限定，但可應用例如於以一定速度旋轉之支撐體上逐次噴出預濕潤液之方法(旋轉塗佈法)、將支撐體於充滿預濕潤液之槽中浸漬一定時間之方法(浸漬法)，及於支撐體表面噴霧預濕潤液之方法(噴霧法)等。
以上說明之本實施形態之阻劑圖型形成方法由於使用上述第1態樣之溶液，故形成阻劑圖型之際，可抑制缺陷發生。又，安全性及環境負荷減低性優異。
(半導體裝置之製造方法) 本發明之第5態樣係半導體裝置之製造方法，其包含藉由本發明第2至4中任一態樣之阻劑圖型形成方法形成阻劑圖型之步驟。 作為半導體裝置之製造方法係例如將藉由本發明第2至4中任一態樣之阻劑圖型形成方法形成之阻劑圖型作為遮罩，藉由習知蝕刻方法蝕刻，形成微細電路後，以剝離用之處理液去除不要的阻劑膜而製造。 [實施例]
以下藉由實施例進一步詳細說明本發明，但本發明並不受該等例之限制。
＜溶液之調製＞ (實施例1~9、比較例1~14) 混合表1~3所示之各成分，分別調製各例之溶液。又，(S)成分含量係自溶液全量減去(A)成分含量所得之量(質量%)。且比較例2、4、6、8、10、12、14僅為(S)成分。
表1~3中，各簡寫分別具有以下意義。[ ]內之數值為含量(質量%)。 (A1)-1：α-生育酚 (A2)-1：二丁基羥基甲苯(BHT)
(S)-1：丙二醇單甲醚(PGME) (S)-2：2-庚酮(甲基戊基酮) (S)-3：乳酸乙酯(EL) (S)-4：環己酮(CHN) (S)-5：4-甲基-2-戊醇(甲基異丁基卡必醇) (S)-6：γ-丁內酯(GBL) (S)-7：丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)
[缺陷之評價] 於矽晶圓上噴出實施例1、比較例1或比較例2之各溶液3mL。隨後，進行前述矽晶圓之旋轉乾燥後，進行加熱乾燥(80℃)。針對所得乾燥後之矽晶圓，使用表面檢查裝置(KLA TENCOR公司製，製品名：SP-5)，測定直徑300mm之矽晶圓表面存在之直徑17nm以上之缺陷個數。 缺陷之評價係依據下述評價基準，將其評價結果以「缺陷」示於表4。 評價基準 ○：缺陷個數為80個以下 △：缺陷個數超過80個
由表4所示之結果，可確認實施例1之溶液之缺陷抑制性優異。
[過氧化物含量之評價] 實施例及比較例之各溶液於40℃保存三個月。接著，針對前述溶液，測定剛調製後、一個月後、兩個月後、三個月後之前述溶液中之過氧化物含量(相對於溶液全量之含量)。測定係使用GC-MS(製品名「GCMS-2020」，島津製作所公司製)測定，藉由面積百分率法求出之測定結果示於表5~7。
由表5~7所示之結果，可確認實施例之溶液，過氧化物並未增加，關於任一有機溶劑，均防止了氧化劣化。因此，可確認實施例之溶液係安定性高。
由以上結果，可確認本實施形態之溶液係安定性高，缺陷之發生受抑制。

Claims (14)

  1. 一種預濕潤液，其係含有(S)成分：有機溶劑、與(A)成分：抗氧化劑之溶液，前述(A)成分包含(A1)成分：生育酚系化合物，前述(A1)成分之含量，相對於溶液總量，為0.1~50質量Ppm,前述(S)成分之含量，相對於溶液總量，為98.00質量%以上。
  2. 如請求項1之預濕潤液，其中前述(S)成分包含選自酯系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑及亞碸系溶劑所成之群中之1種以上。
  3. 一種顯像液，其係含有(S)成分：有機溶劑、與(A)成分：抗氧化劑之溶液，前述(A)成分包含(A1)成分：生育酚系化合物，前述(A1)成分之含量，相對於溶液總量，為0.1~50質量ppm，前述(S)成分之含量，相對於溶液總量，為98.00質量%以上。
  4. 如請求項3之顯像液，其中前述(S)成分包含選自酯系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑及亞碸系溶劑所成之群中之1種以上。
  5. 一種沖洗液，其係含有(S)成分：有機溶 劑、與(A)成分：抗氧化劑之溶液，前述(A)成分包含(A1)成分：生育酚系化合物，前述(A1)成分之含量，相對於溶液總量，為0.1~50質量ppm，前述(S)成分之含量，相對於溶液總量，為98.00質量%以上。
  6. 如請求項5之顯像液，其中前述(S)成分包含選自酯系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑及亞碸系溶劑所成之群中之1種以上。
  7. 一種半導體製造裝置之洗淨液，其係含有(S)成分：有機溶劑、與(A)成分：抗氧化劑之溶液，前述(A)成分包含(A1)成分：生育酚系化合物，前述(A1)成分之含量，相對於溶液總量，為0.1~50質量ppm，前述(S)成分之含量，相對於溶液總量，為98.00質量%以上。
  8. 如請求項7之半導體製造裝置之洗淨液，其中前述(S)成分包含選自酯系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑及亞碸系溶劑所成之群中之1種以上。
  9. 一種阻劑圖型形成方法，其具有下述步驟：使如請求項1或2之預濕潤液與支撐體接觸之預濕潤步 驟，於前述預濕潤步驟後之支撐體上使用阻劑組成物形成阻劑膜之步驟，使前述阻劑膜曝光之步驟，使用顯像液使前述曝光後之阻劑膜顯像形成阻劑圖型之步驟。
  10. 一種阻劑圖型形成方法，其具有下述步驟：於支撐體上使用阻劑組成物形成阻劑膜之步驟，使前述阻劑膜曝光之步驟，使用如請求項3或4之顯像液使前述曝光後之阻劑膜顯像形成阻劑圖型之步驟。
  11. 一種阻劑圖型形成方法，其具有下述步驟：於支撐體上使用阻劑組成物形成阻劑膜之步驟，使前述阻劑膜曝光之步驟，使用顯像液使前述曝光後之阻劑膜顯像，以如請求項5或6之沖洗液進行沖洗處理，形成阻劑圖型之步驟。
  12. 一種半導體裝置之製造方法，其包含藉由如請求項9之阻劑圖型形成方法形成阻劑圖型之步驟。
  13. 一種半導體裝置之製造方法，其包含藉由如請求項10之阻劑圖型形成方法形成阻劑圖型之步驟。
  14. 一種半導體裝置之製造方法，其包含藉由如請求項11之阻劑圖型形成方法形成阻劑圖型之步驟。
TW109107797A 2019-03-22 2020-03-10 溶液、阻劑圖型形成方法，及半導體裝置之製造方法 TWI836029B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019054948A JP6640397B1 (ja) 2019-03-22 2019-03-22 溶液、レジストパターン形成方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP2019-054948 2019-03-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202102649A TW202102649A (zh) 2021-01-16
TWI836029B true TWI836029B (zh) 2024-03-21

Family

ID=69320925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109107797A TWI836029B (zh) 2019-03-22 2020-03-10 溶液、阻劑圖型形成方法，及半導體裝置之製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11822250B2 (zh)
JP (1) JP6640397B1 (zh)
KR (1) KR20200112691A (zh)
TW (1) TWI836029B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR112022021215A2 (pt) * 2020-04-24 2022-12-06 Dow Global Technologies Llc Composição de solvente, e, processo para inibir a geração de peróxido
CA3206451A1 (en) * 2021-02-10 2022-08-18 Felipe A. Donate Solvent compositions with antioxidants
CN113093481B (zh) * 2021-03-15 2023-01-03 广州华普环保科技有限公司 一种显影添加剂及其制备方法和应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201520694A (zh) * 2013-08-09 2015-06-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化學增幅型感光性樹脂組成物及使用其之阻劑圖型之製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0949000A (ja) 1995-08-07 1997-02-18 Murata Mfg Co Ltd 洗浄剤組成物
JP2002258475A (ja) * 2001-03-01 2002-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及び半導体パッケージ用回路基板の製造方法
JP5686454B1 (ja) * 2013-12-12 2015-03-18 株式会社メニコン コンタクトレンズ装着用液剤およびそれを用いたコンタクトレンズの屈折率向上方法
TWI764923B (zh) * 2016-09-02 2022-05-21 日商富士軟片股份有限公司 溶液、溶液收容體、感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、圖案形成方法、半導體裝置的製造方法
US10722499B2 (en) * 2017-01-06 2020-07-28 Palvella Therapeutics, Inc. Anyhydrous compositions of mTOR inhibitors and methods of use

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201520694A (zh) * 2013-08-09 2015-06-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化學增幅型感光性樹脂組成物及使用其之阻劑圖型之製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
期刊 Drew Marquardt et al. Vitamin E Circular Dichroism Studies: Insights into Conformational Changes Induced by the Solvent’s Polarity 6,56 Membranes 2016 Pages 1~8 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020154233A (ja) 2020-09-24
US11822250B2 (en) 2023-11-21
JP6640397B1 (ja) 2020-02-05
KR20200112691A (ko) 2020-10-05
TW202102649A (zh) 2021-01-16
US20200301283A1 (en) 2020-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI836029B (zh) 溶液、阻劑圖型形成方法，及半導體裝置之製造方法
JP3950584B2 (ja) 水溶性樹脂組成物
JP6240404B2 (ja) リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法
EP2363749B1 (en) Methods of forming photolithographic patterns
US6878500B2 (en) Stripping method
JPS6232453A (ja) ポジ型ホトレジスト用現像液
JP6126551B2 (ja) パターン剥離方法、電子デバイスの製造方法
KR20190020079A (ko) 린스 조성물, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JPWO2020158313A1 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
WO2006025439A1 (ja) 微細パターン形成方法
KR20090027251A (ko) 미세화된 레지스트 패턴의 형성방법
WO2020261752A1 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
WO2021039252A1 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物、樹脂
KR20180104736A (ko) 표면 처리 조성물 및 이를 사용하는 레지스트 패턴의 표면 처리 방법
KR20050037855A (ko) 포토레지스트 제거용 씬너 조성물
TWI736549B (zh) 光阻圖型形成方法及微影術用顯像液
KR102433114B1 (ko) 신너 조성물
KR102422264B1 (ko) 신너 조성물
KR20050112333A (ko) 포토레지스트 제거용 씬너 조성물
KR102646166B1 (ko) 하드마스크용 조성물
KR101109057B1 (ko) 포토레지스트 제거용 씬너 조성물
TW202409212A (zh) 稀釋劑組成物、及使用該稀釋劑組成物之半導體器件的製造方法
TW202319530A (zh) 電子設備製造用水溶液、光阻圖案之製造方法及裝置之製造方法
KR20120040985A (ko) 포토레지스트 조성물
WO2021166567A1 (ja) ケイ素含有組成物及び半導体基板の製造方法