TWI835258B - 以反間隔件為主之自我對準高階圖案化技術 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種微製造之方法，其包括在一基體上提供一第一浮雕圖案，在該第一浮雕圖案上形成含碳側壁間隔件，移除該第一浮雕圖案，以及用一溶解度轉變劑塗佈該等含碳側壁間隔件。接著，該方法包括在該等含碳側壁間隔件上沈積一第一聚合物填充物；使該溶解度轉變劑擴散一預定距離至該第一聚合物填充物中以提供該第一聚合物填充物之一溶解度轉變區，其中該第一聚合物填充物之該溶解度轉變區與該等含碳側壁間隔件接界；以及對該第一聚合物填充物進行顯影，使得該溶解度轉變區經溶解，從而在該等含碳側壁間隔件與該第一聚合物填充物之間提供溝槽，在該等溝槽中該基體之一部分經暴露。

Description

以反間隔件為主之自我對準高階圖案化技術
本發明係有關於以反間隔件為主之自我對準高階圖案化技術。
發明背景
半導體裝置之微製造包括各種步驟，諸如膜沈積、圖案形成及圖案轉印。材料及膜藉由旋轉塗佈、氣相沈積及其他沈積方法沈積於基體上。圖案形成通常藉由使稱為阻劑之感光性膜暴露於光化輻射之圖案且隨後對阻劑進行顯影以形成浮雕圖案來進行。浮雕圖案接著充當蝕刻遮罩，當一或多種蝕刻方法施加至基體時，該蝕刻遮罩覆蓋基體將不被蝕刻的部分。
多重圖案化為描述使用多於一個微影步驟以產生最終圖案之術語。呈不同形式之多重圖案化能夠生產先進半導體裝置。圖案化通常包括二個基本步驟。第一步驟包括使用微影，用以遮罩為主之曝光產生圖案，接著對可溶性區進行顯影。第二步驟包括藉由定向或異向性蝕刻將圖案轉印至底層材料中。此二個步驟在一起可稱為對裝置進行圖案化。
發明概要
此發明內容係為了引入一系列概念而提供，該等概念進一步描述於下述實施方式中。此發明內容不意欲標識所主張主題之關鍵特徵或基本特徵，其亦不意欲用於輔助限制所主張主題之範疇。
在一個態樣中，本文所揭露之實施例係關於一種微製造之方法，其包括在一基體上提供一第一浮雕圖案，其中該第一浮雕圖案包括一第一阻劑；在該第一浮雕圖案上形成含碳側壁間隔件；移除該第一浮雕圖案；以及用一溶解度轉變劑塗佈該等含碳側壁間隔件。接著，該方法包括在該等含碳側壁間隔件上沈積一第一聚合物填充物，使得該第一聚合物填充物與該等含碳側壁間隔件接觸；使該溶解度轉變劑擴散一預定距離至該第一聚合物填充物中以提供該第一聚合物填充物之一溶解度轉變區，其中該第一聚合物填充物之該溶解度轉變區與該等含碳側壁間隔件接界；以及對該第一聚合物填充物進行顯影，使得該溶解度轉變區經溶解，從而在該等含碳側壁間隔件與該第一聚合物填充物之間提供溝槽，在該等溝槽中該基體之一部分經暴露。
在另一態樣中，本文中之實施例係關於一種微製造之方法，其包括在一基體上提供一非晶碳層；在該非晶碳層上提供一第一浮雕圖案，其中該第一浮雕圖案包含一第一阻劑；將一無機間隔件施加至該第一浮雕圖案；以及將由該第一浮雕圖案及該無機間隔件界定之一圖案轉印至非晶碳之底層中以提供一非晶碳之經蝕刻層。接著，該方法包括移除該第一浮雕圖案及該無機間隔件；用一溶解度轉變劑塗佈該非晶之經蝕刻層；在該非晶碳之經蝕刻層上沈積一第一聚合物填充物；使該溶解度轉變劑擴散一預定距離至該第一聚合物填充物中以提供該第一聚合物填充物之一溶解度轉變區，其中該第一聚合物填充物之該溶解度轉變區與該非晶碳之經蝕刻層接界；以及對該第一聚合物填充物進行顯影，使得該溶解度轉變區經溶解，從而在該非晶碳之經蝕刻層與該第一聚合物填充物之間提供溝槽，在該等溝槽中該基體之一部分經暴露。
將由以下描述及所附申請專利範圍顯而易知所主張主題之其他態樣及優點。
較佳實施例之詳細說明
高密度圖案化長期以來啟發半導體基體之微製造之新方法及系統開發的理想目標。一些用於高密度圖案化之領先技術為間距倍增技術。此等技術具有不同權衡。一些間距倍增技術提供恆定線厚度，而其他提供一致間隔，且另外其他在實施中靈活。
對於高階間隔件圖案化，能夠重複雙重圖案化之步驟係重要的。習知地，此係使用氣相沈積及蝕刻腔室在心軸上形成側壁間隔件來進行。
本揭露內容大體上關於一種對半導體基體進行多重圖案化之方法。在本文中，術語「半導體基體(semiconductor substrate)」與「基體(substrate)」可互換使用，且可為任何半導體材料，包括但不限於半導體晶圓、半導體材料層及其組合。在一或多個實施例中，該方法包括使用以軌道為主之圖案化流程形成反間隔件(亦即，由化學擴散界定之窄溝槽)而非間隔件。在塗佈機-顯影器工具上進行圖案化流程(例如以軌道為主之流程)時，可根據本文所揭露之方法達成更高通量及降低的成本。另外，該方法可包括使用以阻劑清除為主之間隔件技術來擴展四重及更高圖案化能力，由此以較低成本提供複雜基體。
下文詳述使用間隔件形成之習知圖案四倍流程。首先，寬度為3個單位且間距為8個單位之初始圖案可置放於基體上。接著可在可包括線或心軸之初始圖案上形成間隔件。通常藉由共形氣相沈積進行之間隔件沈積可為一個單位。在間隔件開放蝕刻之後，第一組側壁間隔件可形成於一個單位寬度之心軸上。接著可移除初始圖案(例如心軸可經挖掘)。接著，一個單位寬度之第二組側壁間隔件可形成於第一側壁間隔件上。因此，第一組側壁間隔件變為用於側壁間隔件形成之新心軸。所得圖案為2x間距(4x減小)及1x單位寬度。此類圖案化流程展示於圖1中。圖1中，102表示初始心軸，104為待用作第二心軸之第一組側壁間隔件，且104為用於轉印至底層中之第二組側壁間隔件。
另外，在習知間隔件四倍流程中，具有1x/2之臨界尺寸(CD)或寬度的最終圖案可由具有3x/2之寬度的中間圖案及具有5x/2之寬度的初始圖案製備。習知四倍流程中之廣泛範圍之條件可允許多種不同圖案。在負間隔件方法之情形下，作為一實例，約20 nm之最終間距及10 nm之寬度暗示約25 nm之初始目標寬度及約80 nm之間距。
根據一或多個實施例之用於間距倍增之方法200展示於圖2中，且參考該圖進行論述。一般而言，方法200包括阻劑上間隔件上反間隔件流程。最初，接收基體。接著，在方塊202處，經由執行初始光微影步驟，在基體上提供第一阻劑之第一浮雕圖案。舉例而言，第一浮雕圖案可具有8x之目標間距及3x之目標CD。接著，在方塊204處，在第一浮雕圖案之側壁上形成含碳間隔件，其中此等間隔件具有1.5x之寬度目標。在方塊206處，第一阻劑經移除。接著，在方塊208處，諸如酸之溶解度轉變劑沈積於含碳側壁間隔件上。在方塊210處，基體可經第一聚合物填充物旋轉塗佈。第一聚合物填充物可為酸可溶性阻劑或聚合物。接著在方塊212處使來自間隔件之溶解度轉變劑擴散至第一聚合物填充物中，活化，且在方塊214處第一聚合物填充物之溶解度轉變區經顯影。
上文所描述之方法期間的各個時間點處之經塗佈基體的示意圖展示於圖3A-3G中。在本文中，「經塗佈基體」係指經一或多個層，諸如第一阻劑層及第二阻劑層塗佈之基體。圖3A展示包括第一浮雕圖案之基體。圖3B展示包括第一浮雕圖案及形成於第一浮雕圖案之側壁上之含碳間隔件的基體。在圖3C中，第一浮雕圖案自基體移除。圖3D展示包括塗佈有溶解度轉變劑之含碳間隔件的基體。在圖3E中，第一聚合物填充物層疊於基體及含碳間隔件上。圖3F展示溶解度轉變劑已擴散至第一聚合物填充物中之後的經塗佈基體。最後，圖3G展示第二阻劑已經顯影，使得基體之部分經暴露且能夠被蝕刻之後的經塗佈基體。圖2之方法及圖3A-3G中所示的經塗佈基體詳細論述於下文中。
在方法200之方塊202處，提供第一浮雕圖案。圖3A展示基體302上之第一浮雕圖案304的一實例。展示於圖3A中，第一浮雕圖案可包括由間隙隔開的形貌體。基體之部分可藉由第一浮雕圖案之間隙的存在而暴露。第一浮雕圖案之形貌體可由第一光阻劑303製成。一般而言，光阻劑為包含聚合物、光酸產生劑及溶劑之化學增幅型感光性組成物。在一或多個實施例中，第一阻劑包括聚合物。聚合物可為阻劑材料中通常使用的任何標準聚合物，且可尤其為具有酸不穩定基團之聚合物。舉例而言，聚合物可為由包括諸如苯乙烯及對羥基苯乙烯之乙烯基芳族單體、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、降莰烯及其組合之單體製成的聚合物。包括反應性官能基之單體可以受保護形式存在於聚合物中。舉例而言，對羥基苯乙烯之-OH基團可用三級丁氧基羰基保護基保護。此類保護基可改變包括於第一阻劑中之聚合物的反應性及溶解度。如一般熟習此項技術者應瞭解，出於此原因可使用各種保護基。
酸不穩定基團包括例如：三級烷基酯基、二級或三級芳基酯基、具有烷基及芳基之組合的二級或三級酯基、三級烷氧基、縮醛基或縮酮基。酸不穩定基團在此項技術中亦通常稱為「酸可分解基團」、「酸可裂解基團」、「酸可裂解保護基」、「酸不穩定保護基」、「酸脫離基」及「酸敏感基團」。
分解時在聚合物上形成羧酸之酸不穩定基團較佳為式-C(O)OC(R 1) 3之三級酯基或式-C(O)OC(R 2) 2OR 3之縮醛基，其中：R 1各自獨立地為直鏈C 1-20烷基、分支鏈C 3-20烷基、單環或多環C 3-20環烷基、直鏈C 2-20烯基、分支鏈C 3-20烯基、單環或多環C 3-20環烯基、單環或多環C 6-20芳基或單環或多環C 2-20雜芳基，較佳直鏈C 1-6烷基、分支鏈C 3-6烷基或單環或多環C 3-10環烷基，其各自經取代或未經取代，各R 1任擇地包括一或多個選自-O-、-C(O)-、-C(O)-O-或-S-之基團作為其結構的一部分，且任何二個R 1基團一起任擇地形成環；R 2獨立地為氫、氟、直鏈C 1-20烷基、分支鏈C 3-20烷基、單環或多環C 3-20環烷基、直鏈C 2-20烯基、分支鏈C 3-20烯基、單環或多環C 3-20環烯基、單環或多環C 6-20芳基或單環或多環C 2-20雜芳基，較佳氫、直鏈C 1-6烷基、分支鏈C 3-6烷基或單環或多環C 3-10環烷基，其各自經取代或未經取代，各R 2任擇地包括一或多個選自-O-、-C(O)-、-C(O)-O-或-S-之基團作為其結構的一部分，且R 2基團一起任擇地形成環；且R 3為直鏈C 1-20烷基、分支鏈C 3-20烷基、單環或多環C 3-20環烷基、直鏈C 2-20烯基、分支鏈C 3-20烯基、單環或多環C 3-20環烯基、單環或多環C 6-20芳基或單環或多環C 2-20雜芳基，較佳直鏈C 1-6烷基、分支鏈C 3-6烷基或單環或多環C 3-10環烷基，其各自經取代或未經取代，R 3任擇地包括一或多個選自-O-、-C(O)-、-C(O)-O-或-S-之基團作為其結構的一部分，且一個R 2與R 3一起任擇地形成環。此類單體通常為乙烯基芳族、(甲基)丙烯酸酯或降莰基單體。基於聚合物之總聚合單元計，包含在聚合物上形成羧酸基之酸可分解基團之聚合單元的總含量通常為10至100莫耳%，更通常10至90莫耳%或30至70莫耳%。
聚合物可進一步包括包含酸不穩定基團之單體作為聚合，該基團之分解在聚合物上形成醇基或氟醇基。適合的此類基團包括例如式-COC(R 2) 2OR 3-之縮醛基或式-OC(O)O-之碳酸酯基，其中R如上文所定義。此類單體通常為乙烯基芳族、(甲基)丙烯酸酯或降莰基單體。若存在於聚合物中，則包含基團分解在聚合物上形成醇基或氟醇基之酸可分解基團之聚合單元的總含量基於聚合物之總聚合單元計通常為10至90莫耳%，更通常30至70莫耳%。
在第一阻劑為光阻劑之實施例中，第一阻劑包括光酸產生劑。光酸產生劑為能夠在用光化射線或輻射照射時產生酸的化合物。光酸產生劑可選自已知的能夠在用光化射線或輻射照射時產生酸的化合物，其用於陽離子光聚合之光起始劑、自由基光聚合之光起始劑、染料之光脫色劑、光褪色劑、微阻劑或其類似物，且可使用其混合物。光酸產生劑之實例包括重氮鹽、鏻鹽、鋶鹽、錪鹽、醯亞胺基磺酸鹽、肟磺酸鹽、重氮二碸、二碸及磺酸鄰硝基苯甲酯。
適合的光酸包括鎓鹽，例如三苯基鋶三氟甲磺酸鹽、(對三級丁氧基苯基)二苯基鋶三氟甲磺酸鹽、參(對三級丁氧基苯基)鋶三氟甲磺酸鹽、三苯基鋶對甲苯磺酸鹽；二-三級丁基苯基錪全氟丁磺酸鹽及二-三級丁基苯基錪樟腦磺酸鹽。非離子磺酸酯及磺醯基化合物亦已知充當光酸產生劑，例如硝基苯甲基衍生物，例如2-硝基苯甲基-對甲苯磺酸酯、2,6-二硝基苯甲基-對甲苯磺酸酯及2,4-二硝基苯甲基-對甲苯磺酸酯；磺酸酯，例如1,2,3-參(甲烷磺醯基氧基)苯、1,2,3-參(三氟甲烷磺醯基氧基)苯及1,2,3-參(對甲苯磺醯基氧基)苯；重氮甲烷衍生物，例如雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(對甲苯磺醯基)重氮甲烷；乙二肟衍生物，例如雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟及雙-O-(正丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟；N-羥基醯亞胺化合物之磺酸酯衍生物，例如N-羥基丁二醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基丁二醯亞胺三氟甲磺酸酯；及含鹵素之三𠯤化合物，例如2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三𠯤及2-(4-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三𠯤。適合的非聚合光酸產生劑進一步所描述於Hashimoto等人之美國專利第8,431,325號第37欄第11-47行及第41-91欄。其他適合的磺酸酯PAG包括磺化酯及磺醯基氧基酮、硝基苯甲基酯、均三𠯤衍生物、安息香甲苯磺酸酯、α-(對甲苯磺醯基氧基)-乙酸三級丁基苯酯及α-(對甲苯磺醯基氧基)-乙酸三級丁酯；如美國專利第4,189,323及8,431,325號中所描述。作為鎓鹽之PAG通常包含具有磺酸基或非磺酸型基團，諸如磺醯胺酸酯基、磺醯亞胺酸酯基、甲基化物基團或硼酸基之陰離子。
阻劑組成物可任擇地包含多種PAG。多種PAG可為聚合的、非聚合的，或可包括聚合及非聚合PAG二者。較佳地，多種PAG中之各者為非聚合的。較佳地，當使用多種PAG時，第一PAG在陰離子上包含磺酸基且第二PAG包含不含磺酸基之陰離子，此類陰離子含有例如如上文所描述之磺醯胺酸酯基、磺醯亞胺酸酯基、甲基化物基團或硼酸基。
第一浮雕圖案可藉由將第一阻劑層疊於基體上且對第一阻劑進行顯影來形成。第一阻劑可根據此項技術中已知的程序顯影，例如暴露於光化輻射，接著用第一阻劑顯影劑沖洗。為了在經顯影阻劑中賦予形狀或浮雕圖案，可使用遮罩來阻擋阻劑之一部分免受光化輻射。在施加光化輻射之後，阻劑之未曝光部分可具有與阻劑之曝光部分不同的溶解度。隨後用第一阻劑顯影劑沖洗將溶解未曝光部分或曝光部分。當阻劑之未曝光部分在用顯影劑沖洗之後保留時提供的浮雕圖案為正型顯影阻劑。相反，當阻劑之曝光部分在用顯影劑沖洗之後保留時提供的浮雕圖案為負性阻劑或負型顯影阻劑。
在一些實施例中，第一阻劑為正型顯影(PTD)阻劑。在此類實施例中，第一浮雕圖案可包括由上述單體製成之聚合物，其中包括反應性官能基之任何單體受保護。因此，PTD第一阻劑可為有機可溶的，且因此浮雕圖案可藉由用呈鹼性的第一阻劑顯影劑沖洗來提供。適合的鹼性第一阻劑顯影劑包括氫氧化四級銨，諸如氫氧化四甲銨(TMAH)。
在其他實施例中，第一阻劑為負性阻劑。在此類實施例中，第一浮雕圖案可包括由上述單體製成之聚合物，其中包括反應性官能基之任何單體不受保護。暴露於光化輻射引起聚合物在曝光區域中交聯，使得聚合物不溶於顯影劑。未曝光且因此非交聯的區域接著可使用適當顯影劑移除以形成浮雕圖案。
在其他實施例中，第一阻劑為負型顯影(NTD)阻劑。類似於PTD阻劑，NTD阻劑可包括由上述單體製成之聚合物，其中包括反應性官能基之任何單體受保護。因此，NTD第一阻劑可為有機可溶的，但代替用呈鹼性的第一阻劑顯影劑顯影曝光區域，第一浮雕圖案可藉由用包括有機溶劑之第一阻劑顯影劑沖洗第一阻劑來提供。可用作第一阻劑顯影劑之適合的有機溶劑包括乙酸正丁酯(NBA)及2-庚酮。阻劑之類型(亦即，PTD對NTD)可影響隨後施加至第一浮雕圖案之化學物質。
在其他實施例中，第一阻劑任擇地含有其他添加劑，其中其他添加劑包括以下中之至少一者：具有至少一個氟原子或一個矽原子之樹脂、鹼性化合物、界面活性劑、羧酸鎓、染料、塑化劑、光敏劑、光吸收劑、鹼溶性樹脂、溶解抑制劑及用於加速顯影劑中之溶解的化合物。
如先前所描述，第一浮雕圖案可包括由間隙隔開的形貌體。在一或多個實施例中，第一浮雕圖案之形貌體可具有約300 Å至約3000 Å之厚度。將形貌體隔開的間隙可使基體之部分暴露。
在一些實施例中，在塗佈溶解度轉變劑之前，第一浮雕圖案經穩定化。已提出各種阻劑穩定化技術，亦稱為凍結方法，諸如離子植入、UV固化、熱硬化、熱固化及化學固化。技術描述於例如US2008/0063985A1、US 2008/0199814A1及US 2010/0330503A1中。
在方法200之方塊204處，在第一浮雕圖案之側壁上形成含碳間隔件。在一或多個實施例中，第一浮雕圖案之每一側壁塗佈有含碳間隔件。圖3B展示經塗佈基體，其中含碳間隔件塗佈於第一浮雕圖案之側壁上。在圖3B中，基體302包括第一浮雕圖案304。在第一浮雕圖案304之形貌體之各側上，形成含碳間隔件306。含碳間隔件可為此項技術中常用之任何適合的含碳間隔件。舉例而言，適合的含碳間隔件可包括以碳為主之材料，諸如非晶碳、非晶碳與氫之組合(氫化非晶碳膜)。一種例示性非晶碳膜可為可商購自Applied Materials, Inc. of Santa Clara, Calif之可剝離Advanced Patterning Film™ (APF)材料。非晶碳層可藉由任何適合的沈積技術，諸如化學氣相沈積(CVD)、電漿增強化學氣相沈積(PECVD)、原子層沈積(ALD)、旋轉塗佈或鑄造來沈積。非晶碳層可藉由尤其使烴源，諸如已夾帶於載氣中之氣相烴或液相烴及電漿起始氣體流動至PECVD腔室中來沈積。烴源可為一或多種烴化合物之混合物。烴化合物可為烴化合物之部分或完全摻雜衍生物，包括烴化合物之含氮、含氟、含氧、含羥基及含硼衍生物。烴源中可包括之烴化合物或其衍生物可由式CxHy描述，其中x具有1與10之間的範圍且y具有2與30之間的範圍。適合的烴化合物可包括但不限於乙炔(C2H2)、乙烷(C2H6)、丙烯(C3H6)、丙炔(C3H4)、丙烷(C3H8)、丁烷(C4H10)、丁烯(C4H8)、丁炔(C4H6)、乙烯基乙炔、苯乙炔(C8H6)、苯、苯乙烯、甲苯、二甲苯、乙苯、苯乙酮、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯、苯酚、甲酚、呋喃、α-萜品烯、異丙基甲苯、1,1,3,3,-四甲基丁基苯、三級丁醚、三級丁基乙烯、甲基-甲基丙烯酸酯及三級丁基糠基醚、具有式C3H2及C5H4之化合物、單氟苯、二氟苯、四氟苯、六氟苯以及其類似物。其他適合的烴可包括乙烯、戊烯、丁二烯、異戊二烯、戊二烯、己二烯、單氟乙烯、二氟乙烯、三氟乙烯、四氟乙烯、單氯乙烯、二氯乙烯、三氯乙烯、四氯乙烯以及其類似物。視所需最終尺寸而定，可控制製程參數以產生厚度為約10 Å至約1,000 Å之非晶碳層。
接著，在方塊206處，方法200包括移除第一阻劑。圖3C展示經塗佈基體，其中第一阻劑已經移除，使得基體302僅包括含碳間隔件306。第一阻劑可根據此項技術中已知之方法，諸如使用異向性蝕刻或其他適合的濕剝離製程移除，蝕刻劑經選擇以相對於碳間隔件對阻劑材料具選擇性。
在方塊208處，含碳間隔件經溶解度轉變劑塗佈。根據方塊208之經塗佈基體展示於圖3D中。溶解度轉變劑308展示為含碳間隔件306上之塗層。溶解度轉變劑塗層之厚度不受特別限制且可基於最終圖案之所需寬度改變。溶解度轉變劑可為經由烘烤吸收至含碳間隔件中之材料，且在本文中之一些情況下，可稱為「經吸收材料」。將溶解度轉變劑吸收或擴散至含碳間隔件中之方法詳細描述於下文中。
一般而言，溶解度轉變劑可為在光或熱之情況下活化的適合化學物質。舉例而言，當第一聚合物填充物包括化學增幅型阻劑時，溶解度轉變劑可包括酸或酸產生劑。酸或在TAG之情況下產生之酸應足以加熱引起第一阻劑圖案之表面區域中聚合物之酸可分解基團的鍵斷裂，以使第一阻劑聚合物在待施加之特定顯影劑中的溶解度增加。基於修整組成物之總固體計，酸或TAG通常以約0.01至20 wt%之量存在於組成物中。
較佳酸為有機酸，包括非芳族酸及芳族酸，其各自可任擇地具有氟取代。適合的有機酸包括例如：羧酸，諸如烷酸，包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、二氯乙酸、三氯乙酸、全氟乙酸、全氟辛酸、乙二酸、丙二酸及丁二酸；羥烷酸，諸如檸檬酸；芳族羧酸，諸如苯甲酸、氟苯甲酸、羥基苯甲酸及萘甲酸；有機磷酸，諸如二甲基磷酸、二甲基次膦酸；及磺酸，諸如任擇地氟化烷基磺酸，包括甲磺酸、三氟甲磺酸、乙磺酸、1-丁磺酸、1-全氟丁磺酸、1,1,2,2-四氟丁烷-1-磺酸、1,1,2,2-四氟-4-羥基丁烷-1-磺酸、1-戊磺酸、1-己磺酸及1-庚磺酸。
不含氟之例示性芳族酸包括其中通式(I)之芳族酸：
其中：R1獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C20芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z1獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；a及b獨立地為0至5之整數；且a+b為5或更小。
例示性芳族酸可具有通式(II)：
其中：R2及R3各自獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C16芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z2及Z3各自獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；c及d獨立地為0至4之整數；c+d為4或更小；e及f獨立地為0至3之整數；且e+f為3或更小。
可包括於溶解度轉變劑中之額外芳族酸包括彼等通式(III)或(IV)：
其中：R4、R5及R6各自獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C12芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z4、Z5及Z6各自獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；g及h獨立地為0至4之整數；g+h為4或更小；i及j獨立地為0至2之整數；i+j為2或更小；k及l獨立地為0至3之整數；且k+l為3或更小；
其中：R4、R5及R6各自獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C12芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z4、Z5及Z6各自獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；g及h獨立地為0至4之整數；g+h為4或更小；i及j獨立地為0至1之整數；i+j為1或更小；k及l獨立地為0至4之整數；且k+l為4或更小。
適合的芳族酸可替代地具有通式(V)：
其中：R7及R8各自獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C14芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羧基、羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z7及Z8各自獨立地表示選自羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；m及n獨立地為0至5之整數；m+n為5或更小；o及p獨立地為0至4之整數；且o+p為4或更小。
另外，例示性芳族酸可具有通式(VI)：
其中：X為O或S；R9獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C20芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z9獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；q及r獨立地為0至3之整數；且q+r為3或更小。
在一或多個實施例中，酸為具有氟取代之自由酸。適合的具有氟取代之自由酸可為芳族或非芳族的。舉例而言，可用作溶解度轉變劑的具有氟取代之自由酸包括但不限於以下：
適合的TAG包括能夠產生如上文所描述之非聚合酸的彼等。TAG可為非離子或離子型。適合的非離子熱酸產生劑包括例如三氟甲基磺酸環己酯、三氟甲基磺酸甲酯、對甲苯磺酸環己酯、對甲苯磺酸甲酯、2,4,6-三異丙基苯磺酸環己酯、硝基苯甲酯、安息香甲苯磺酸酯、甲苯磺酸2-硝基苯甲酯、參(2,3-二溴丙基)-1,3,5-三𠯤-2,4,6-三酮、有機磺酸之烷基酯、對甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、乙二酸、鄰苯二甲酸、磷酸、樟腦磺酸、2,4,6-三甲苯磺酸、三異丙基萘磺酸、5-硝基-鄰甲苯磺酸、5-磺柳酸、2,5-二甲苯磺酸、2-硝基苯磺酸、3-氯苯磺酸、3-溴苯磺酸、2-氟癸醯基磺酸、十二烷基苯磺酸、1-萘酚-5-磺酸、2-甲氧基-4-羥基-5-苯甲醯基-苯磺酸及其鹽，以及其組合。適合的離子熱酸產生劑包括例如十二烷基苯磺酸三乙胺鹽、十二烷基苯二磺酸三乙胺鹽、對甲苯磺酸-銨鹽、對甲苯磺酸-吡錠鹽、磺酸鹽，諸如碳環芳基及雜芳基磺酸鹽、脂族磺酸鹽以及苯磺酸鹽。在活化時產生磺酸之化合物一般為適合的。較佳熱酸產生劑包括對甲苯磺酸銨鹽及雜芳基磺酸鹽。
較佳地，TAG為離子型，其中用於產生磺酸之反應流程如下所示：
其中RSO 3 −為TAG陰離子且X +為TAG陽離子，較佳有機陽離子。陽離子可為通式(I)之含氮陽離子：
(BH) +(I)
其為含氮鹼B之單質子化形式。適合的含氮鹼B包括例如：任擇地經取代之胺，諸如氨、二氟甲基氨、C1-20烷基胺及C3-30芳基胺，例如含氮雜芳族鹼，諸如吡啶或經取代之吡啶(例如3-氟吡啶)、嘧啶及吡𠯤；含氮雜環基，例如㗁唑、㗁唑啉或噻唑啉。前述含氮鹼B可任擇地經例如一或多個選自烷基、芳基、鹵素原子(較佳氟)、氰基、硝基及烷氧基之基團取代。其中，鹼B較佳為雜芳族鹼。
鹼B通常具有0至5.0，或0與4.0之間，或0與3.0之間，或1.0與3.0之間的pKa。如本文所用，術語「pKa」根據其在此項技術中公認的含義使用，亦即，pKa為約室溫下水溶液中鹼性部分(B)之共軛酸(BH) +之解離常數的負對數(以10為底)。在某些實施例中，鹼B之沸點小於約170℃，或小於約160℃、150℃、140℃、130℃、120℃、110℃、100℃或90℃。
例示性適合的含氮陽離子(BH) +包括NH 4 +、CF 2HNH 2 +、CF 3CH 2NH 3 +、(CH 3) 3NH +、(C 2H 5) 3NH +、(CH 3) 2(C 2H 5)NH +及以下：
其中Y為烷基，較佳地，甲基或乙基。
在特定實施例中，溶解度轉變劑可為酸，諸如三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、對甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸及2-三氟甲基苯磺酸；酸產生劑，諸如三苯基鋶銻酸鹽、吡錠全氟丁磺酸鹽、3-氟吡錠全氟丁磺酸鹽、4-三級丁基苯基四亞甲基鋶全氟-1-丁磺酸鹽、4-三級丁基苯基四亞甲基鋶2-三氟甲基苯磺酸鹽及4-三級丁基苯基四亞甲基鋶4,4,5,5,6,6-六氟二氫-4H-1,3,2-二噻𠯤1,1,3,3-四氧化物；或其組合。化學增幅型阻劑之曝光使得與間隔件相鄰之層中之阻劑聚合物脫保護，使其可溶於鹼性顯影劑，諸如氫氧化四甲銨(TMAH)中。
替代地，當溶解度轉變劑包括鹼或鹼產生劑時，第一聚合物填充物可類似於NTD阻劑經處理。在此情況下，第一聚合物填充物經調配以含有酸或酸產生劑。來自溶解度轉變劑之鹼自間隔件擴散至第一聚合物填充物中以淬滅與間隔件相鄰之區中之酸，由此使得該區能夠藉由諸如NBA之有機溶劑顯影。在此類實施例中，適合的溶解度轉變劑包括但不限於氫氧化物、羧酸鹽、胺、亞胺、醯胺及其混合物。鹼之特定實例包括碳酸銨、氫氧化銨、磷酸氫銨、磷酸銨、碳酸四甲銨、氫氧化四甲銨、磷酸氫四甲銨、磷酸四甲銨、碳酸四乙銨、氫氧化四乙銨、磷酸氫四乙銨、磷酸四乙銨及其組合。胺包括脂族胺、環脂族胺、芳族胺及雜環胺。胺可為一級、二級或三級胺。胺可為單胺、二胺或多元胺。適合的胺可包括C1-30有機胺、亞胺或醯胺，或可為強鹼(例如氫氧化物或醇鹽)或弱鹼(例如羧酸鹽)之C1-30四級銨鹽。例示性鹼包括胺，諸如三丙胺、十二胺、參(2-羥丙基)胺、肆(2-羥丙基)乙二胺；芳基胺，諸如二苯胺、三苯胺、胺苯酚及2-(4-胺基苯基)-2-(4-羥苯基)丙烷、特羅格鹼(Troger's base)，受阻胺，諸如二氮雜雙環十一烯(DBU)或二氮雜雙環壬烯(DBN)，醯胺，如1,3-二羥基-2-(羥甲基)丙-2-基胺基甲酸三級丁酯及4-羥基哌啶-1-甲酸三級丁酯；或離子淬滅劑，包括四級烷基銨鹽，諸如氫氧化四丁銨(TBAH)或乳酸四丁銨。在另一實施例中，胺為羥胺。羥胺之實例包括具有一或多個各自具有1至約8個碳原子，且較佳1至約5個碳原子之羥烷基，諸如羥甲基、羥乙基及羥丁基的羥胺。羥胺之特定實例包括單乙醇胺、二乙醇胺及三乙醇胺、3-胺基-1-丙醇、2-胺基-2-甲基-1-丙醇、2-胺基-2-乙基-1,3-丙二醇、參(羥甲基)胺基甲烷、N-甲基乙醇胺、2-二乙胺基-2-甲基-1-丙醇及三乙醇胺。
適合的鹼產生劑可為熱鹼產生劑。熱鹼產生劑在加熱超過通常約140℃或更高之第一溫度時形成鹼。熱鹼產生劑可包括官能基，諸如醯胺、磺醯胺、醯亞胺、亞胺、O-醯基肟、苯甲醯氧基羰基衍生物、四級銨鹽、硝苯地平(nifedipine)、胺基甲酸酯及其組合。例示性熱鹼產生劑包括鄰{(β-(二甲胺基)乙基)胺基羰基}苯甲酸、鄰{(γ-(二甲胺基)丙基)胺基羰基}苯甲酸、2,5-雙{(β-(二甲胺基)乙基)胺基羰基}對苯二甲酸、2,5-雙{(γ-(二甲胺基)丙基)胺基羰基}對苯二甲酸、2,4-雙{(β-(二甲胺基)乙基)胺基羰基}間苯二甲酸、2,4-雙{(γ-(二甲胺基)丙基)胺基羰基}間苯二甲酸及其組合。
在一或多個實施例中，溶解度轉變劑包括溶劑。溶劑可為可促進沈積至含碳間隔件上之任何適合的溶劑，其限制條件為該溶劑不溶解含碳間隔件。溶劑通常選自水、有機溶劑及其混合物。在一些實施例中，溶劑可包括包含一或多種有機溶劑之以有機物為主的溶劑系統。術語「以有機物為主(organic-based)」意謂溶劑系統包括基於溶解度轉變劑組成物之總溶劑計大於50 wt%有機溶劑，更通常基於溶解度轉變劑組成物之總溶劑計大於90 wt%、大於95 wt%、大於99 wt%或100 wt%有機溶劑。基於溶解度轉變劑組成物計，溶劑組分通常以90至99 wt%之量存在。
適用於溶解度轉變劑組成物之有機溶劑包括例如：烷基酯，諸如丙酸烷基酯，諸如丙酸正丁酯、丙酸正戊酯、丙酸正己酯及丙酸正庚酯，以及丁酸烷基酯，諸如丁酸正丁酯、丁酸異丁酯及異丁酸異丁酯；酮，諸如2,5-二甲基-4-己酮及2,6-二甲基-4-庚酮；脂族烴，諸如正庚烷、正壬烷、正辛烷、正癸烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、3,3-二甲基己烷及2,3,4-三甲基戊烷，以及氟化脂族烴，諸如全氟庚烷；醇，諸如直鏈、分支鏈或環狀C4-C9一元醇，諸如1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、三級丁醇、3-甲基-1-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、4-甲基-2-戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇及4-辛醇；2,2,3,3,4,4-六氟-1-丁醇、2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-戊醇及2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十氟-1-己醇，以及C5-C9氟化二醇，諸如2,2,3,3,4,4-六氟-1,5-戊二醇、2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1,6-己二醇及2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-十二氟-1,8-辛二醇；醚，諸如異戊醚及二丙二醇單甲醚；以及含有此等溶劑中之一或多者的混合物。
當第一阻劑由以乙烯基芳族為主之聚合物形成，如KrF及EUV光阻劑之典型情況，且該阻劑作為PTD阻劑顯影時，溶劑系統較佳包含一或多種非極性有機溶劑。術語「以非極性有機物為主(non-polar organic-based)」意謂溶劑系統包括基於溶解度轉變劑組成物之總溶劑計大於50 wt%之組合非極性有機溶劑，更通常基於溶解度轉變劑組成物之總溶劑計大於70 wt%、大於85 wt%或100 wt%之組合非極性有機溶劑。基於溶劑系統計，非極性有機溶劑通常以70至98 wt%、較佳80至95 wt%、更佳85至98 wt%之組合量存在於溶劑系統中。
適合的非極性溶劑包括例如醚、烴及其組合，其中醚較佳。適合的醚溶劑包括例如烷基單醚及芳族單醚，其中尤其較佳的為總碳數為6至16之彼等。適合的烷基單醚包括例如1,4-桉葉素、1,8-桉葉素、氧化蒎烯、二正丙醚、二異丙醚、二正丁醚、二正戊醚、二異戊醚、二己醚、二庚醚及二辛醚，其中二異戊醚較佳。適合的芳族單醚包括例如苯甲醚、乙基苄醚、二苯醚、二苄醚及苯乙醚，其中苯甲醚較佳。適合的脂族烴包括例如正庚烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、3,3-二甲基己烷、2,3,4-三甲基戊烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷及氟化化合物，諸如全氟庚烷。適合的芳族烴包括例如苯、甲苯及二甲苯。
在一些實施例中，溶劑系統進一步包括一或多種醇及/或酯溶劑。對於某些組成物，醇及/或酯溶劑可提供就組成物之固體組分而言增強的溶解度。適合的醇溶劑包括例如：直鏈、分支鏈或環狀C4-9一元醇，諸如1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、三級丁醇、3-甲基-1-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、4-甲基-2-戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、2,2,3,3,4,4-六氟-1-丁醇、2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-戊醇及2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十氟-1-己醇；以及C5-9氟化二醇，諸如2,2,3,3,4,4-六氟-1,5-戊二醇、2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1,6-己二醇及2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-十二氟-1,8-辛二醇。醇溶劑較佳為C4-9一元醇，其中4-甲基-2-戊醇較佳。適合的酯溶劑包括例如總碳數為4至10之烷基酯，例如丙酸烷基酯，諸如丙酸正丁酯、丙酸正戊酯、丙酸正己酯及丙酸正庚酯，以及丁酸烷基酯，諸如丁酸正丁酯、丁酸異丁酯及異丁酸異丁酯。若用於溶劑系統中，則一或多種醇及/或酯溶劑通常基於溶劑系統計以2至50 wt%之組合量，更通常2至30 wt%之量存在。
溶劑系統亦可包括一或多種選自例如以下中之一或多者的額外溶劑：酮，諸如2,5-二甲基-4-己酮及2,6-二甲基-4-庚酮；及聚醚，諸如二丙二醇單甲醚及三丙二醇單甲醚。若被使用，則此類額外溶劑通常基於溶劑系統計以1至20 wt%之組合量存在。
當第一阻劑由以乙烯基芳族為主之聚合物形成時，尤其較佳的以有機物為主之溶劑系統包括基於溶劑系統計呈70至98 wt%之組合量的一或多種單醚溶劑，及基於溶劑系統計呈2至30 wt%之組合量的一或多種醇及/或酯溶劑。基於外塗層組成物計，溶劑系統通常以90至99 wt%、較佳95至99 wt%之量存在於外塗層組成物中。
在一些實施例中，溶解度轉變劑塗佈於含碳間隔件上。為了適當地塗佈含碳間隔件，溶解度轉變劑可包括基質聚合物。基質聚合物允許組成物以具有所需厚度之層形式塗佈於阻劑圖案上。此將有助於確保存在足夠含量之溶解度轉變劑，以與間隔件表面相互作用。此項技術中常用之任何基質聚合物可包括於溶解度轉變材料中。基質聚合物應在不溶解間隔件之溶劑中具有良好溶解度。基質聚合物可選自例如聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯胺、聚乙烯縮醛、聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯及其組合。較佳地，聚合物含有一或多個選自以下之官能基：-OH、-COOH、-SO3H、SiOH、羥基苯乙烯、羥基萘、磺醯胺、六氟異丙醇、無水物、內酯、酯、醚、烯丙胺、吡咯啶酮及其組合。
在一些實施例中，聚合物含有一或多個選自例如以下之官能基：羥基；酸基，諸如羧基、磺酸及磺醯胺；矽烷醇；氟醇，諸如六氟異丙醇[-C(CF 3) 2OH]；無水物；內酯；酯；醚；烯丙胺；吡咯啶酮及其組合。聚合物可為均聚物或具有多種不同重複單元，例如二種、三種、四種或更多種不同重複單元之共聚物。在一個態樣中，聚合物之重複單元均由(甲基)丙烯酸酯單體形成、均由(乙烯基)芳族單體形成或均由(甲基)丙烯酸酯單體及(乙烯基)芳族單體形成。當聚合物包括多於一種類型之重複單元時，其通常呈無規共聚物之形式。
在特定實施例中，基質聚合物可為丙烯酸三級丁酯(TBA)/對羥基苯乙烯(PHS)共聚物、丙烯酸丁酯(BA)/PHS共聚物、TBA/甲基丙烯酸(MAA)共聚物、BA/MAA共聚物、PHS/甲基丙烯酸酯(MA)共聚物及其組合。
溶解度轉變劑組成物通常包括單一聚合物，但可任擇地包括一或多種額外聚合物。組成物中聚合物之含量將視例如層之目標厚度而定，當需要較厚層時使用較高聚合物含量。基於溶解度轉變劑組成物之總固體計，聚合物通常以80至99.9 wt%、更通常90至99 wt%或95至99 wt%之量存在於圖案溶解度轉變劑組成物中。藉由GPC相對於聚苯乙烯標準品所量測，聚合物之重量平均分子量(Mw)通常小於400,000，較佳為3000至50,000，更佳為3000至25,000。通常，藉由GPC相對於聚苯乙烯標準品所量測，聚合物將具有3或更小、較佳2或更小的多分散性指數(PDI=Mw/Mn)。
適用於溶解度轉變劑組成物中之聚合物係可商購的及/或可由熟習此項技術者容易地製得。舉例而言，聚合物可藉由將對應於聚合物之單元的所選單體溶解於有機溶劑中，向其中添加自由基聚合起始劑，且實現熱聚合以形成聚合物來合成。可用於聚合物聚合之適合的有機溶劑之實例包括例如甲苯、苯、四氫呋喃、乙醚、二㗁烷、乳酸乙酯及甲基異丁基甲醇。適合的聚合起始劑包括例如2,2'-偶氮雙異丁腈(AIBN)、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯、過氧化苯甲醯及過氧化月桂醯。
包括基質聚合物之溶解度轉變劑可根據此項技術中已知的方法塗佈於含碳間隔件上。通常，包括基質聚合物之溶解度轉變劑可藉由旋轉塗佈而塗佈於含碳間隔件上。可調適溶解度劑之固體含量以在含碳間隔件上提供所需厚度之溶解度轉變劑的膜。舉例而言，可調整溶解度轉變劑之固體含量以基於所採用之特定塗佈設備、溶液黏度、塗佈工具之速度及用於旋轉的時間量來提供所需膜厚度。溶解度轉變劑之典型厚度為約200 Å至約1500 Å。
在一或多個實施例中，溶解度轉變劑包括如先前所描述之活性材料(亦即，及酸、酸產生劑、鹼或鹼產生劑)、溶劑及基質聚合物。此類溶解度轉變劑之典型調配物可包括基於溶解度轉變劑之總重量計約1 wt%至約10 wt%固體及約90 wt%至約99 wt%溶劑，其中固體包括活性材料及基質聚合物。在固體含量內，可以約0.1 wt%至約10 wt%範圍內之量包括活性材料。
視所使用之特定化學物質而定，溶解度轉變劑可包括具有各種目的之添加劑。在一些實施例中，界面活性劑可包括於溶解度轉變劑中。界面活性劑可包括於溶解度轉變劑中以幫助提高塗佈品質，尤其在需要填充含碳間隔件之間的薄間隙時。此項技術中已知之任何適合的界面活性劑可包括於溶解度轉變劑中。
如上文所指出，在一或多個實施例中，溶解度轉變劑經吸收至含碳間隔件中。溶解度轉變劑吸收至含碳間隔件可藉由進行諸如烘烤之熱預處理來達成。烘烤可為軟烘烤。軟烘烤之溫度及時間可視含碳間隔件之組成及溶解度轉變劑擴散至含碳間隔件中之所需量而定。通常，軟烘烤可在約50℃至約150℃範圍內之溫度下進行約30至約90秒。
在吸收至含碳間隔件中之後，塗層可保留在含碳間隔件上。在一或多個實施例中，塗層可藉由沖洗移除。沖洗可藉由用溶解塗層但不溶解阻劑含碳間隔件之溶劑沖洗經塗佈基體來實現。沖洗可使用任何適合的方法進行，例如藉由將基體浸漬於填充有溶劑之浴中持續固定時間(浸漬法)；藉由利用表面張力作用使基體表面上之溶劑升高且使其保持靜止持續固定時間，藉此溶解塗層(覆液法)；藉由將溶劑噴霧於基體表面上(噴霧法)；或藉由在以恆定速度旋轉之基體上連續噴射溶劑，同時以恆定速率掃描溶劑噴射噴嘴(動態分配法)。
在方法200之方塊210處，第一聚合物填充物沈積於基體上。層疊有含碳間隔件306、溶解度轉變劑308及第一聚合物填充物310之經塗佈基體展示於圖3E中。第一聚合物填充物可沈積於基體上，使得其填充含碳間隔件之間的間隙且與含碳間隔件或溶解度轉變劑接觸。在一或多個實施例中，第一聚合物填充物完全覆蓋基體、含碳間隔件及溶解度轉變劑。第一聚合物填充物可根據此項技術中已知之任何適合的方法，諸如旋轉塗佈沈積或氣相處理沈積於基體上。
在一或多個實施例中，第一聚合物填充物包含化學增幅型組成物，其包括具有酸不穩定基團之聚合物，在酸作用下，該聚合物在鹼性顯影劑中之溶解度增加且在有機溶劑中之溶解度減小。適合的酸可溶性及溶劑。具有酸不穩定基團之適合的聚合物常用於阻劑組成物中且為此項技術中所熟知。較佳地，聚合物由選自乙烯基芳族(例如苯乙烯及羥基苯乙烯)、(甲基)丙烯酸酯、降莰烯及其組合之單體形成。在一較佳態樣中，聚合物以乙烯基芳族為主，其中聚合物中大於50莫耳%之聚合單元，通常聚合物中大於80莫耳%之聚合單元由乙烯基芳族單體形成。在其他實施例中，聚合物可由包括對羥基苯乙烯、苯乙烯、丙烯酸三級丁酯及其組合之單體製成。在特定實施例中，聚合物由對羥基苯乙烯、苯乙烯及丙烯酸三級丁酯中之全部三者製成。此類聚合物可由包括約50%至80%對羥基苯乙烯、約10%至約30%苯乙烯及約10%至約30%丙烯酸三級丁酯之聚合反應製備。舉例而言，用於產生包括於第二阻劑中之聚合物的聚合反應可包括約50%、約55%、約60%及約65%之一的下限至約65%、約70%、約75%及約80%之一的上限範圍內之量的對羥基苯乙烯，其中任何下限可與任何數學上相容的上限配對；以及約10%、約12%、約14%、約16%、約18%及約20%之一的下限至約20%、約22%、約24%、約26%、約28%及約30%之一的上限範圍內之個別量的苯乙烯及丙烯酸三級丁酯，其中任何下限可與任何數學上相容的上限配對。
包括於第一聚合物填充物中之聚合物的重量平均分子量(Mw)可在約1 kg/mol至約100 kg/mol範圍內。舉例而言，在一或多個實施例中，第一聚合物填充物可包括Mw範圍介於約1 kg/mol、約2 kg/mol、約5 kg/mol、約10 kg/mol、約15 kg/mol、約20 kg/mol及約25 kg/mol之一的下限至約25 kg/mol、約50 kg/mol、約75 kg/mol、約80 kg/mol、約90 kg/mol及約100 kg/mol之一的上限的聚合物，其中任何下限可與任何數學上相容的上限配對。具有此類Mw之聚合物可展現所需溶解度特性，諸如尤其溶解速率。
在一或多個實施例中，第一聚合物填充物包括溶劑。溶劑可如先前關於包括於溶解度轉變劑中之溶劑所描述。在特定實施例中，第一聚合物填充物中之溶劑與溶解度轉變劑中之溶劑相同。
在溶解度轉變劑包括鹼或鹼產生劑時且第一聚合物可類似於NTD阻劑經處理之實施例中，第一聚合物填充物包括酸及/或酸產生劑。酸或酸產生劑可如先前關於包括於溶解度轉變劑中之酸或酸產生劑所描述。第二阻劑中之受保護官能基可經由酸催化反應脫除保護基，該反應可藉由在第二阻劑中包括酸或酸產生劑來促進。
視所使用之特定化學物質而定，第一聚合物填充物可包括具有各種目的之添加劑。在一些實施例中，淬滅劑包括於第一聚合物填充物中。淬滅劑可包括於第一聚合物填充物中以幫助控制活性材料在溶解度轉變劑中之擴散。適合的淬滅劑包括先前關於溶解度轉變材料所列之鹼中之任一者。
在方法200中，在方塊212處，溶解度轉變劑自含碳間隔件擴散至第一聚合物填充物中。在一或多個實施例中，溶解度轉變劑擴散至第一聚合物填充物中係藉由進行烘烤來達成。烘烤可用加熱板或烘箱進行。烘烤之溫度及時間可視第二阻劑之屬性及溶解度轉變劑擴散至第二阻劑中之所需量而定。烘烤之適合條件可包括約50℃至約160℃範圍內之溫度及約30秒至約90秒範圍內之時間。
在一或多個實施例中，在烘烤之後，溶解度轉變區可存在於第一聚合物填充物之邊緣周圍。溶解度轉變劑之擴散量可對應於溶解度轉變區之厚度。在一些實施例中，溶解度轉變區延伸至第一聚合物填充物中，使得其具有約5 nm至約60 nm之厚度。舉例而言，溶解度轉變區之厚度可在約5 nm、約10 nm、約15 nm、約20 nm及約25 nm之一的下限至約40 nm、約45 nm、約50 nm、約55 nm及約60 nm之一的上限範圍內，其中任何下限可與任何數學上相容的上限配對。在一或多個實施例中，溶解度轉變區之厚度可對應於待切割至基體中之圖案之線的所需寬度。
包括溶解度轉變區之經塗佈基體展示於圖3F中。如圖3中所示，經塗佈基體包括基體層202。基體如先前所描述。含碳間隔件306包括一定量之經吸收溶解度轉變劑308。第一聚合物填充物310塗佈於含碳間隔件及基體上。在一或多個實施例中，第一聚合物填充物310完全覆蓋基體302及含碳間隔件306。第二阻劑之溶解度轉變區312展示為與含碳間隔件接界。
溶解度轉變區之溶解度可與第一聚合物填充物未暴露於溶解度轉變劑之區的溶解度不同。因此，第一聚合物填充物之溶解度轉變區及未暴露區可溶於不同的阻劑顯影劑中。
最後，在方法200之方塊214處，第一聚合物填充物之沈積層可使用特定顯影劑進行顯影，使得第二阻劑之未暴露區保留。在一或多個實施例中，第一聚合物填充物之溶解度轉變區藉由首先暴露於光化輻射且接著暴露於特定顯影劑來顯影。在其他實施例中，第一聚合物填充物之溶解度轉變區僅暴露於特定顯影劑。特定顯影劑可視第一聚合物填充物之類型而定。舉例而言，若溶解度轉變劑包括酸或酸產生劑，則特定顯影劑可為鹼，諸如氫氧化四甲銨。另一方面，若溶解度轉變劑包括鹼或鹼產生劑，則特定顯影劑可為有機溶劑，諸如乙酸正丁酯或2-庚酮。
如先前所描述，溶解度轉變區之厚度可對應於待切割至基體中之圖案之線的所需寬度。圖3G展示已根據本揭露內容之實施例顯影之經塗佈基體。在一或多個實施例中，第二阻劑310經顯影，以便溶解在含碳間隔件與第一聚合物填充物之間的溶解度轉變區。因此，溶解度轉變區之溶解可使得在含碳間隔件306與第一聚合物填充物310之間形成溝槽314，在該等溝槽中基體302經暴露。
方法200可以自初始間距提高4x之間距提供已知空間。所形成之溝槽(例如反間隔件)之精確寬度可藉由所用特定方法設定。在一或多個實施例中，間距以由微影設定之值開始，利用間隔件加倍，且接著再次加倍。
方法200表示一種可能的實施例且不意欲限制本發明之範疇。如一般熟習此項技術者應瞭解，本發明可涵蓋各種替代方法，諸如溶解度轉變劑擴散至含碳間隔件而非第一聚合物填充物中的方法。在此類替代實施例中，該等方法中所用之組分及技術可如先前關於方法200所描述。
如上文所提及，在一或多個實施例中，溶解度轉變劑擴散至含碳間隔件中。在此類實施例中，方法可包括最初形成含碳間隔件且接著用溶解度轉變劑塗佈含碳間隔件。此時，溶解度轉變劑可擴散至含碳間隔件中預定距離以提供含碳間隔件之溶解度轉變區。雖然溶解度轉變劑之擴散可在此類方法中之不同時間點發生且進入不同組分，但溶解度轉變劑之擴散可如上文方法200中所描述進行。在溶解度轉變劑擴散至含碳間隔件中之後，第一聚合物填充物可沈積於基體上。接著，基體可如關於方法200所描述經顯影及蝕刻，其中含碳間隔件之溶解度轉變區可溶於特定顯影劑中。
雖然方法200包括在基體上提供第一浮雕圖案且接著在第一浮雕圖案上形成含碳側壁，但替代方法可包括首先在層疊有非晶碳之基體上提供第一浮雕圖案，將無機間隔件施加至第一浮雕圖案，及隨後將由無機間隔件及第一浮雕圖案界定之圖案蝕刻至非晶碳之底層中。適合的無機間隔件包括此項技術中已知的低溫氧化物。此類方法接著可如方法200所論述繼續進行。
儘管上文僅詳細描述了幾個實例實施例，但熟習此項技術者將容易瞭解，在不實質上脫離本發明之情況下，實例實施例中之諸多修改係可能的。因此，所有該等修改意欲包括於如隨附申請專利範圍中所界定之本揭露內容之範疇內。
102:初始心軸 104:第一組側壁間隔件,第二組側壁間隔件 200:方法 202:方塊,基體層 204,206,208,210,212,214:方塊 302:基體 303:第一光阻劑 304:第一浮雕圖案 306:含碳間隔件 308:溶解度轉變劑 310:第一聚合物填充物,第二阻劑 312:溶解度轉變區 314:溝槽
圖1為根據本揭露內容之一或多個實施例之習知圖案化流程的示意圖。
圖2為根據本揭露內容之一或多個實施例之方法的程序方塊圖。
圖3A-G為根據本揭露內容之一或多個實施例之方法的各別時間點處之經塗佈基體的示意圖。
302:基體
306:含碳間隔件
310:第一聚合物填充物，第二阻劑
314:溝槽

Claims (17)

  1. 一種微製造之方法，其包含：在一基體上提供一第一浮雕圖案，其中該第一浮雕圖案包含一第一阻劑；在該第一浮雕圖案上形成含碳側壁間隔件；移除該第一浮雕圖案；用一溶解度轉變劑塗佈該等含碳側壁間隔件；在該等含碳側壁間隔件上沈積一第一聚合物填充物，使得該第一聚合物填充物與該等含碳側壁間隔件接觸；使該溶解度轉變劑擴散一預定距離至該第一聚合物填充物中以提供該第一聚合物填充物之一溶解度轉變區，其中該第一聚合物填充物之該溶解度轉變區與該等含碳側壁間隔件接界；以及對該第一聚合物填充物進行顯影，使得該溶解度轉變區經溶解，從而在該等含碳側壁間隔件與該第一聚合物填充物之間提供溝槽，在該等溝槽中該基體之一部分經暴露。
  2. 如請求項1之方法，其中該等含碳側壁間隔件包含非晶碳、一氫化非晶碳，或由烴化合物之部分或完全摻雜衍生物形成之一非晶碳，該等烴化合物之部分或完全摻雜衍生物包括烴化合物之含氮、含氟、含氧、含羥基及含硼衍生物。
  3. 一種微製造之方法，其包含：在一基體上提供一非晶碳層；在該非晶碳層上提供一第一浮雕圖案，其中該第一浮雕圖案包含一第一阻劑；將一無機間隔件施加至該第一浮雕圖案；將由該第一浮雕圖案及該無機間隔件界定之一圖案轉印至非晶碳之底層中 以提供一非晶碳之經蝕刻層；移除該第一浮雕圖案及該無機間隔件；用一溶解度轉變劑塗佈該非晶碳之經蝕刻層；在該非晶碳之經蝕刻層上沈積一第一聚合物填充物；使該溶解度轉變劑擴散一預定距離至該第一聚合物填充物中以提供該第一聚合物填充物之一溶解度轉變區，其中該第一聚合物填充物之該溶解度轉變區與該非晶碳之經蝕刻層接界；以及對該第一聚合物填充物進行顯影，使得該溶解度轉變區經溶解，從而在該非晶碳之經蝕刻層與該第一聚合物填充物之間提供溝槽，在該等溝槽中該基體之一部分經暴露。
  4. 如請求項1或2之方法，其中相對於x之一最終目標臨界尺寸寬度，該等含碳側壁間隔件具有8x之一間距及3x之一臨界尺寸，其中該最終目標臨界尺寸寬度x係等於該溶解度轉變區之厚度，其中該溶解度轉變區之厚度係在5至60nm之範圍內。
  5. 如請求項1至3中任一項之方法，其中移除該第一浮雕圖案包含用一濕剝離製程處理該圖案。
  6. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該第一聚合物填充物包含一聚合物，其包含選自由以下組成之群的單體單元：丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯、苯乙烯、降莰烯及其組合。
  7. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該溶解度轉變劑包含一酸產生劑。
  8. 如請求項7之方法，其中該酸產生劑不含氟。
  9. 如請求項7之方法，其中該酸產生劑係選自由以下組成之群：三苯基鋶銻酸鹽、吡錠全氟丁磺酸鹽、3-氟吡錠全氟丁磺酸鹽、4-三級丁基苯基 四亞甲基鋶全氟-1-丁磺酸鹽、4-三級丁基苯基四亞甲基鋶2-三氟甲基苯磺酸鹽、4-三級丁基苯基四亞甲基鋶4,4,5,5,6,6-六氟二氫-4H-1,3,2-二噻
    Figure 111132122-A0305-02-0035-1
    1,1,3,3-四氧化物及其組合。
  10. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該溶解度轉變劑包含一酸。
  11. 如請求項10之方法，其中該酸不含氟。
  12. 如請求項10之方法，其中該酸係選自由以下組成之群：三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、對甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2-三氟甲基苯磺酸及其組合。
  13. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該溶解度轉變劑包含一基質聚合物，其包含具有烯系不飽和可聚合雙鍵之單體，包括(甲基)丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸；乙烯基芳族單體，諸如苯乙烯、羥基苯乙烯、乙烯基萘及苊；乙烯醇；氯乙烯；乙烯吡咯啶酮；乙烯吡啶；乙烯胺；乙烯縮醛；順丁烯二酸酐；順丁烯二醯亞胺；降莰烯；及其組合。
  14. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該溶解度轉變劑包含一基質聚合物，其包含含有一或多個選自以下之官能基的單體：羥基、羧基、磺酸、磺醯胺、矽烷醇、氟醇、無水物、內酯、酯、醚、烯丙胺、吡咯啶酮及其組合。
  15. 如請求項1或2之方法，其進一步包含在用該溶解度轉變劑塗佈該等含碳側壁間隔件之後直接使該溶解度轉變劑擴散至該等含碳側壁間隔件中。
  16. 如請求項15之方法，其中使該溶解度轉變劑擴散至該第一浮雕圖案中係藉由進行一烘烤來達成。
  17. 如請求項1至3中任一項之方法，其中一最終圖案之形貌體 數為該第一浮雕圖案之4倍。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160104628A1 (en) * 2014-10-14 2016-04-14 Tokyo Electron Limited Self-Aligned Patterning using Directed Self-Assembly of Block Copolymers
US20160329207A1 (en) * 2015-05-07 2016-11-10 Tokyo Electron Limited Method for Processing Photoresist Materials and Structures
US20210020453A1 (en) * 2019-07-19 2021-01-21 Tokyo Electron Limited Method for planarization of spin-on and cvd-deposited organic films
US20210035815A1 (en) * 2019-08-02 2021-02-04 Tokyo Electron Limited Method for Increasing Pattern Density on a Wafer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101439394B1 (ko) * 2008-05-02 2014-09-15 삼성전자주식회사 산 확산을 이용하는 더블 패터닝 공정에 의한 반도체소자의 미세 패턴 형성 방법
KR101523951B1 (ko) * 2008-10-09 2015-06-02 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
US8492282B2 (en) * 2008-11-24 2013-07-23 Micron Technology, Inc. Methods of forming a masking pattern for integrated circuits
CN103839781B (zh) * 2012-11-21 2016-05-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体精细图案的形成方法
US9997369B2 (en) * 2016-09-27 2018-06-12 International Business Machines Corporation Margin for fin cut using self-aligned triple patterning

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160104628A1 (en) * 2014-10-14 2016-04-14 Tokyo Electron Limited Self-Aligned Patterning using Directed Self-Assembly of Block Copolymers
US20160329207A1 (en) * 2015-05-07 2016-11-10 Tokyo Electron Limited Method for Processing Photoresist Materials and Structures
US20210020453A1 (en) * 2019-07-19 2021-01-21 Tokyo Electron Limited Method for planarization of spin-on and cvd-deposited organic films
US20210035815A1 (en) * 2019-08-02 2021-02-04 Tokyo Electron Limited Method for Increasing Pattern Density on a Wafer

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