TWI834780B - 含有高分子及金屬微粒子的無電解鍍敷基劑 - Google Patents

Abstract

本發明為提供含有高分子及金屬微粒子之無電解鍍敷基劑。 該解決手段為使用於在基材上藉由無電解鍍敷處理形成金屬鍍敷膜的無電解鍍敷基劑，該基劑為含有： (A)含有來自於分子內具有金屬分散性基及1個自由基聚合性雙鍵之單體a的構成單位，與來自於分子內具有交聯性基及1個自由基聚合性雙鍵之單體b的構成單位之共聚物、 (B)金屬微粒子，及 (C)溶劑。

Description

含有高分子及金屬微粒子的無電解鍍敷基劑

本發明係關於含有高分子、金屬微粒子的無電解鍍敷基劑鍍敷基劑。

無電解鍍敷為僅將基材浸漬於鍍敷液，與基材的種類或形狀無關下可得到厚度均勻的被膜，因對於塑質或陶瓷、玻璃等不導體材料亦可形成金屬鍍敷膜，故對於例如汽車零件等樹脂成形體的高級感或賦予美觀之裝飾用途，或電磁遮蔽、印刷基板及大規模集成電路等配線技術等種種領域下可廣泛地被使用。 通常藉由無電解鍍敷在基材(被鍍敷體)上形成金屬鍍敷膜時，進行欲提高基材與金屬鍍敷膜之密著性的前處理。具體而言，首先進行藉由種種蝕刻手段，使被處理面進行粗面化及/或親水化後，再將促進對被處理面上的鍍敷觸媒之吸附的吸附物質供給於被處理面上之感受性化處理(sensitization)，與於被處理面上使鍍敷觸媒吸附的活化處理(activation)。典型方式為，感受性化處理為於氯化第一錫的酸性溶液中浸漬被處理物，藉此作為還原劑而作用的金屬(Sn²⁺ )附著於被處理面。然後對於經感受性化的被處理面，作為活化處理於氯化鈀的酸性溶液中浸漬被處理物。藉此，溶液中之鈀離子藉由還原劑之金屬(錫離子：Sn²⁺ )進行還原，作為活性鈀觸媒核而附著於被處理面。如此進行前處理後，浸漬於無電解鍍敷液，將金屬鍍敷膜形成於被處理面上。

相對於此，將含有具有銨基的高分支聚合物及金屬微粒子之組成物作為無電解鍍敷的基劑(鍍敷觸媒)而使用的例子已被報告，迴避使用在過去無電解鍍敷處理之前處理步驟(粗面化處理)中成為問題之鉻化合物(鉻酸)，且欲減少前處理的步驟數等，達成環境面或成本面、煩雜操作性等種種改善之無電解鍍敷基劑已被提案(專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際專利申請公開第2012/141215號手冊

[發明所解決的問題]

作為上述無電解鍍敷之基劑所被提案的含有具有銨基之高分支聚合物及金屬微粒子之組成物，將此適用於半導體製造等中之配線技術時，因含於此的高分支聚合物之耐熱溫度為低，對於焊接回流或高溫處理，該高分支聚合物有進行分解之顧慮。又，亦有著難提供對於使用於5G等次世代通訊設備之電特性優良的基板之LCP(液晶聚合物)基板的密著性之問題。 如此，對於至今所提案的無電解鍍敷基劑，作為鍍敷基劑除具有鍍敷性能以外，未含有鹵素原子或硫原子等腐蝕性原子，可賦予具有高耐熱性之鍍敷，對於各種組成可容易地進行塗漆化，且具有如高金屬微粒子分散安定性之種種性能，對於LCP基板之密著性，進一步以少製程下可簡便地製造之操作性、可充分地實現這些特性之無電解鍍敷基劑的提案至今尚未有。 本發明係著重於此課題，以提供以下新穎基劑為目的，該基劑為，具有高耐熱性，可形成對LCP基板的密著性優良的鍍敷基層，對於該製造亦可進一步實現低成本化之使用於無電解鍍敷之前處理步驟者。 [解決課題的手段]

本發明者們，欲達成上述目的進行詳細檢討結果，檢討含有金屬分散性基，但未含腐蝕性原子之聚合物，發現組合該聚合物與金屬微粒子，而將此塗布於基材上所得之層，不僅可具有作為無電解金屬鍍敷之基層的鍍敷性，且具有高耐熱性，對於LCP基板之密著性亦優良，而完成本發明。

即，本發明中作為第1觀點，其係關於使用於在基材上藉由無電解鍍敷處理形成金屬鍍敷膜時的無電解鍍敷基劑，該基劑含有： (A)含有來自於分子內具有金屬分散性基及1個自由基聚合性雙鍵之單體a的構成單位，與來自於分子內具有交聯性基及1個自由基聚合性雙鍵之單體b的構成單位之共聚物、 (B)金屬微粒子，及(C)溶劑。 作為第2觀點，其係關於在前述(A)共聚物中之金屬分散性基中，含有前述(B)金屬微粒子附著或配位的複合體之如第1觀點所記載的基劑。 作為第3觀點，其係關於前述單體a具有乙烯基及(甲基)丙烯醯基中任一方的化合物之第1觀點或第2觀點所記載的基劑。 作為第4觀點，其係關於前述單體a為下式(1)或(2)所示化合物之第3觀點所記載的基劑。 (式(1)中，R₁ 表示氫原子或碳原子數1至6的烷基，L表示O或N，R₂ 僅存在於當L表示N時，其表示氫原子，或R₁ 及R₂ 與此等所鍵結的原子共同可形成4至6員之環狀醯胺。 式(2)中，R₃ 表示氫原子或甲基， R₄ 表示氫原子或碳原子數1至10的可為分支之烷基、碳原子數1至10的可為分支之烷氧基，或碳原子數1至10的可為分支之烷氧基烷基，L表示O或N，R₅ 僅存在於當L表示N時，其表示氫原子，或R₄ 及R₅ 與此等鍵結的原子共同可形成4至6員之環狀醯胺，或4至6員之環狀醯亞胺。) 作為第5觀點，其係關於前述單體a為N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基乙醯胺或N-乙烯基甲醯胺之第4觀點所記載的基劑。 作為第6觀點，其係關於前述單體b為，具有乙烯基及(甲基)丙烯醯基中任一方之化合物的第1觀點或第2觀點所記載的基劑。 作為第7觀點，其係關於前述單體b為下式(3)所示化合物之第6觀點所記載的基劑。 (式(3)中，X表示單鍵、羰氧基、醯胺基或伸苯基，Y表示碳數1至6的伸烷基、碳數1至6的氧基伸烷基、可為分支的碳數1至6的烷基醚基、碳數1至6的硫代伸烷基或碳數1至6的硫烷基醚基，Z表示交聯性基，R⁶ 表示氫原子或碳數1至4的烷基。) 作為第8觀點，其係關於賦予前述(A)共聚物的單體中，對於前述單體a的莫耳數，含有成為5~500%的莫耳數之量的前述單體b的第1觀點至第7觀點中任一所記載的基劑。 作為第9觀點，其係關於前述(B)金屬微粒子為選自由鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉑(Pt)及金(Au)所成群的至少一種金屬微粒子之第1觀點至第8觀點中任一所記載的基劑。 作為第10觀點，其係關於前述(B)金屬微粒子為鈀微粒子之第9觀點所記載的基劑。 作為第11觀點，其係關於前述(B)金屬微粒子為具有1~100nm的一次粒子平均粒徑之微粒子的第1觀點至第10觀點中任一所記載的基劑。 作為第12觀點，其係關於進一步含有具有(D)非自由基聚合性交聯性基之基礎樹脂的第1觀點至第11觀點中任一所記載的基劑。 作為第13觀點，其係關於進一步含有(E)交聯劑之第1觀點至第12觀點中任一所記載的基劑。 作為第14觀點，其係關於使用如第1觀點至第13觀點中任一所記載的無電解鍍敷基劑而得之無電解金屬鍍敷的基層。 作為第15觀點，其係關於形成在第14觀點所記載的無電解金屬鍍敷之基層上的金屬鍍敷膜。 作為第16觀點，其係關於具備：基材、形成於該基材上的如第14觀點所記載的無電解金屬鍍敷之基層，與形成於該無電解金屬鍍敷的基層上之金屬鍍敷膜的金屬被膜基材。 作為第17觀點，其係關於含有下述(1)步驟及(2)步驟之金屬被膜基材的製造方法。 (1)步驟：將如第1觀點至第13觀點中任一所記載的無電解鍍敷基劑塗布於基材上，使無電解金屬鍍敷的基層具備於該基材上之步驟、 (2)步驟：將具備該基層之基材浸漬於無電解鍍敷浴中，使金屬鍍敷膜形成於該基層上之步驟。 [發明之效果]

本發明之基劑為僅塗布於基材上即可容易地形成無電屬鍍敷之基層。又依據本發明，可形成具有優良鍍敷性能與高耐熱性，且對LCP基板之密著性優良的鍍敷之基層。況且本發明之基劑可容易於種種組成上進行塗漆化，可成為具有高金屬微粒子分散安定性者。 且使用於本發明之基劑的聚合物，可藉由較少製程而可簡便地調製，故可達成鍍敷基劑之製造步驟的簡略化，與亦可達成製造成本之減低。 且，由本發明之無電解鍍敷基劑所形成的無電解金屬鍍敷之基層為僅浸漬於無電解鍍敷浴，即可容易地形成金屬鍍敷膜，可容易地得到具備基材與基層，以及金屬鍍敷膜之金屬被膜基材。 即，藉由使用本發明之無電解鍍敷基劑而於基材上形成基層，可形成基材特別與LCP基板的密著性優良，且具有耐熱性之金屬鍍敷膜。

[實施發明的型態]

以下對於本發明做詳細說明。 本發明之基劑為含有(A)具有上述特定構成單位之共聚物、(B)金屬微粒子，及(C)溶劑，而視必要含有其他成分之基劑。 本發明之基劑為適用於欲在基材上藉由無電解鍍敷處理而形成金屬鍍敷膜時的觸媒。以下對於各成分做說明。 ＜(A)共聚物＞

(A)成分為，含有來自於分子內具有金屬分散性基及1個自由基聚合性雙鍵之單體a的構成單位，與來自於分子內具有交聯性基及1個自由基聚合性雙鍵之單體b的構成單位之共聚物。

[單體a] 對於本發明，單體a為於分子內具有金屬分散性基及1個自由基聚合性雙鍵之化合物。 金屬分散性基為，藉由與(B)成分之金屬微粒子進行附著及/或配位等相互作用，而提高金屬微粒子的組成物中之分散性，藉此使金屬微粒子在組成物中可穩定存在之基。作為如此金屬分散性基，以具有羰基與其以共價鍵進行鍵結的氮原子之部位的取代基，即具有-C(=O)-N-部位的取代基為佳，更具體為選自由具有醯胺鍵的基及具有醯亞胺鍵結的基所成群的基為佳。 作為自由基聚合性雙鍵，較佳為具有乙烯基及(甲基)丙烯醯基中任一方的化合物為佳。且，單體a為作為自由基聚合性雙鍵而具有(甲基)丙烯醯基的化合物時，含於該(甲基)丙烯醯基的羰基[-C(=O)-]亦可成為與作為金屬分散性基的醯胺基中之羰基重複的結構。

作為具體的單體a，例如可舉出下述式(1)或式(2)所示化合物。 (式(1)中，R₁ 表示氫原子或碳原子數1至6的烷基，L表示O或N，R₂ 僅存在於當L表示N時，其表示氫原子，或R₁ 及R₂ 與此等所鍵結的原子共同可形成4至6員之環狀醯胺。 式(2)中，R₃ 表示氫原子或甲基， R₄ 表示氫原子或碳原子數1至10的可為分支之烷基、碳原子數1至10的可為分支之烷氧基，或碳原子數1至10的可為分支之烷氧基烷基，L表示O或N，R₅ 僅存在於當L表示N時，其表示氫原子，或R₄ 及R₅ 與此等鍵結的原子共同可形成4至6員之環狀醯胺，或4至6員之環狀醯亞胺。)

作為如此單體a，例如可舉出N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基乙醯胺、N-乙烯基醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙基(甲基)丙烯醯胺、N-丙基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-異丁基(甲基)丙烯醯胺、N-己基(甲基)丙烯醯胺、N-辛基(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基丁基(甲基)丙烯醯胺、N-乙氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-異丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-異丁氧基乙基(甲基)丙烯醯胺、N-乙烯基鄰苯二甲醯亞胺、N-乙烯基琥珀酸醯亞胺等。

其中作為單體a，亦由對單體之金屬的配位能之觀點來看，以式(1)所示單體為佳，以具有N-乙烯基醯胺基的單體為較佳，若考慮到獲得性等時，以N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基乙醯胺為更佳。 這些單體a可單獨使用一種，亦可並用二種以上。

[單體b] 單體b為於分子內具有交聯性基及1個自由基聚合性雙鍵之單體。 作為交聯性基，可舉出N-烷氧基甲基、N-羥基甲基、可具有取代基Q的環氧基、可具有取代基Q的脂環式環氧基、可具有取代基Q的氧雜環丁烷基等。作為取代基Q，可舉出可由鹵素所取代的碳數1至4的烷基、苯基等。

作為具體的單體b，例如可舉出下式(3)所示化合物。 (式(3)中，X表示單鍵、羰氧基、醯胺基或伸苯基，Y表示碳數1至6的伸烷基、碳數1至6的氧基伸烷基、碳數1至6的烷基醚基、碳數1至6的硫代伸烷基或碳數1至6的硫烷基醚基，Z表示交聯性基，R⁶ 表示氫原子或碳數1至4的烷基。)

Y所示碳數1至6的伸烷基可為直鏈狀、支鏈狀中任一種，作為該具體例子雖無特別限定者，但可舉出亞甲基、乙烷-1,1-二基、乙烷-1,2-二基、丙烷-1,2-二基、丙烷-1,3-二基、丙烷-2,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基等。

碳數1至6的氧基伸烷基可為直鏈上、支鏈狀中任一種，作為可滿足-O-R⁷ -的基而作為R⁷ 的具體例子與上述1至6的伸烷基相同。

碳數1至6的烷基醚基可為直鏈上、支鏈狀中任一種，作為滿足-R⁸ -O-R⁸ -的基且R⁸ 的具體例子雖無特別限定，但各獨立可舉出亞甲基、乙烷-1,1-二基、乙烷-1,2-二基、丙烷-1,2-二基、丙烷-1,3-二基、丙烷-2,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基等。但，二個R⁸ 之碳數合計僅至6。

碳數1至6的硫代伸烷基可為直鏈上、支鏈狀中任一種，滿足-S-R⁷ -的基且R⁷ 如上述所示。

碳數1至6的烷基醚基可為直鏈上、支鏈狀中任一種，-R⁸ -O-R⁸ -如上述所示。

作為如此單體的具體例子雖無特別限定，但可舉出以下者。

作為具有1個自由基聚合性雙鍵，且具有N-烷氧基甲基的單體，可舉出N-丁氧基甲基丙烯醯胺、N-異丁氧基甲基丙烯醯胺、N-甲氧基甲基丙烯醯胺、N-甲氧基甲基甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺等。

作為具有1個自由基聚合性雙鍵，且具有N-羥基甲基的單體，雖無特別限定，但例如可舉出N-羥基甲基丙烯醯胺、N-羥基甲基甲基丙烯醯胺等。

作為具有1個自由基聚合性雙鍵，且具有環氧基之單體，雖無特別限定，但例如可舉出丙烯酸縮水甘油基、甲基丙烯酸縮水甘油基、α-乙基丙烯酸縮水甘油基、α-n-丙基丙烯酸縮水甘油基、α-n-丁基丙烯酸縮水甘油基、丙烯酸-3,4-環氧丁基、甲基丙烯酸-3,4-環氧丁基、丙烯酸-6,7-環氧庚基、甲基丙烯酸-6,7-環氧庚基、α-乙基丙烯酸-6,7-環氧庚基、o-乙烯基苯甲基縮水甘油基醚、m-乙烯基苯甲基縮水甘油基醚、p-乙烯基苯甲基縮水甘油基醚、3,4-環氧環己基甲基丙烯酸酯等。此等中，以甲基丙烯酸縮水甘油基、甲基丙烯酸-6,7-環氧庚基、o-乙烯基苯甲基縮水甘油基醚、m-乙烯基苯甲基縮水甘油基醚、p-乙烯基苯甲基縮水甘油基醚、3,4-環氧環己基甲基丙烯酸酯等為佳。此等可單獨使用或者組合後使用。

作為具有1個自由基聚合性雙鍵，且具有氧雜環丁烷基的單體，雖無特別限定，但例如可舉出具有氧雜環丁烷基之(甲基)丙烯酸酯等。如此單體之中，以3-(甲基丙烯醯氧甲基)氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧甲基)-3-乙基-氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-3-乙基-氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧甲基)-2-三氟甲基氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-2-三氟甲基氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧甲基)-2-苯基-氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-2-苯基-氧雜環丁烷、2-(甲基丙烯醯氧甲基)氧雜環丁烷、2-(丙烯醯氧基甲基)氧雜環丁烷、2-(甲基丙烯醯氧甲基)-4-三氟甲基氧雜環丁烷、2-(丙烯醯氧基甲基)-4-三氟甲基氧雜環丁烷為佳，以使用3-(甲基丙烯醯氧甲基)-3-乙基-氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-3-乙基-氧雜環丁烷等為佳。 此等中亦由與基板的密著性之觀點來看，X以羰氧基或亞甲基者為佳，Z以環氧基者為佳。

本發明中，製造(A)成分的共聚物時，使用上述單體a及上述單體b之同時，亦可使用其他他單體。作為如此該其他他單體，可舉出甲基丙烯酸甲酯、乙基甲基丙烯酸酯、異丙基甲基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸甲酯、萘甲基丙烯酸酯、蒽基甲基丙烯酸酯、蒽基甲基丙烯酸甲酯、苯基甲基丙烯酸酯、環己基甲基丙烯酸酯、異冰片基甲基丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇甲基丙烯酸酯、2-乙氧基乙基甲基丙烯酸酯、四氫糠基甲基丙烯酸酯、3-甲氧基丁基甲基丙烯酸酯、γ-丁內酯甲基丙烯酸酯、2-丙基-2-金剛烷基甲基丙烯酸酯、8-甲基-8-三環癸基甲基丙烯酸酯、8-乙基-8-三環癸基甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯、異丙基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯、萘丙烯酸酯、蒽基丙烯酸酯、蒽基甲基丙烯酸酯、苯基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、四氫糠基丙烯酸酯、3-甲氧基丁基丙烯酸酯、γ-丁內酯丙烯酸酯、2-丙基-2-金剛烷基丙烯酸酯、8-甲基-8-三環癸基丙烯酸酯、8-乙基-8-三環癸基丙烯酸酯、苯乙烯、乙烯基萘、乙烯基蒽、及乙烯基聯苯基等。

對於本發明，製造(A)成分的共聚物時，藉由使用上述其他單體，可賦予所得之(A)成分的共聚物對於鍍敷液等耐性。

使用於本發明的得到特定共聚物之方法並無特別限定，例如可由將上述單體a、上述單體b與依據所需的其他單體，在與聚合起始劑等共存的溶劑中，於50至110℃的溫度下使其進行聚合反應而得。此時，所使用的溶劑僅可溶解具有特定官能基的單體、依據所需而使用的不具有特定官能基的單體及聚合起始劑等者即可，並無特別限定。作為具體例子，記載於後述的＜(C)溶劑＞。 藉由前述方法所得的特定共聚物，通常為溶解於溶劑之溶液狀態。

又，將以上述方法所得之特定共聚物的溶液，投入於攪拌中之二乙基醚或水等而使其沈澱，使生成的沈澱物經過濾･洗淨後，在常壓或減壓下，進行常溫乾燥或加熱乾燥，可得到特定共聚物之粉體。藉由前述操作，可除去與特定共聚物共存的聚合起始劑及未反應的單體，其結果可得到經純化的特定共聚物之粉體。若一次操作而無法充分地純化時，將所得之粉體再溶解於溶劑中，重複上述操作即可。

對於本發明，特定共聚物可在粉體形態下，或者將經純化的粉末再溶解於後述溶劑之溶液形態下使用。

又，對於本發明，(A)成分的特定共聚物可為複數種之特定共聚物的混合物。

對於本發明，使前述單體a與前述單體b進行共聚合的比例，由反應性或鍍敷性之觀點來看，較佳為對於前述單體a 1莫耳為前述單體b 0.05莫耳至5莫耳，特佳為0.1莫耳至3莫耳。

對於本發明，製造(A)成分之共聚物時，將上述其他單體在使用時，對於前述單體a與單體b的莫耳數合計而言為1至200%之莫耳數的量，較佳為10至100%的莫耳數之量。

＜(B)金屬微粒子＞ 作為使用於本發明之基劑的(B)金屬微粒子，並無特別限定，作為金屬種，可舉出鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉑(Pt)及金(Au)以及此等合金，可為這些金屬中1種類，亦可為2種以上的合金。其中作為金屬微粒子，較佳可舉出鈀微粒子。且，作為金屬微粒子亦可使用前述金屬之氧化物。

前述金屬微粒子為，例如藉由使金屬鹽溶液藉由高壓水銀燈進行光照射之方法，或於該溶液中添加具有還原作用之化合物(所謂還原劑)的方法等，可藉由使金屬離子進行還原而得。例如於溶解有上述(A)成分聚合物的溶液中添加金屬鹽溶液並將此以紫外線照射，或於該溶液中添加金屬鹽溶液及還原劑等，藉由使金屬離子進行還原，可一邊形成(A)成分聚合物與金屬微粒子的複合體，一邊調製含有(A)成分聚合物及金屬微粒子的基劑。

作為前述金屬鹽，可舉出氯化金酸、硝酸銀、硫酸銅、硝酸銅、乙酸銅、氯化錫、氯化第一鉑、氯化鉑酸、Pt(dba)₂ [dba=二苯亞甲基丙酮]、Pt(cod)₂ [cod=1,5-環辛二烯]、Pt(CH₃ )₂ (cod)、氯化鈀、乙酸鈀(Pd(OC(=O)CH₃ )₂ )、硝酸鈀、Pd₂ (dba)₃ ･CHCl₃ 、Pd(dba)₂ 、氯化銠、乙酸銠、氯化釕、乙酸釕、Ru(cod)(cot)[cot=環辛三烯]、氯化銥、乙酸銥、Ni(cod)₂ 等。 作為前述還原劑，雖無特別限定，可使用種種還原劑，可藉由含於所得的基劑之金屬種等而選擇還原劑者為佳。作為可使用的還原劑，例如可舉出氫化硼鈉、氫化硼鉀等氫化硼金屬鹽；氫化鋁鋰、氫化鋁鉀、氫化鋁銫、氫化鋁鈹、氫化鋁鎂、氫化鋁鈣等氫化鋁鹽；肼化合物；檸檬酸及其鹽；琥珀酸及其鹽；抗壞血酸及其鹽；甲醇、乙醇、異丙醇、多元醇等第一級或第二級醇類；三甲基胺、三乙基胺、二異丙基乙基胺、二乙基甲基胺、四甲基乙二胺[TMEDA]、乙二胺四乙酸[EDTA]等第三級胺類；羥基胺；三-n-丙基膦、三-n-丁基膦、三環己基膦、三苯甲基膦、三苯基膦、三乙氧基膦、1,2-雙(二苯基膦)乙烷[DPPE]、1,3-雙(二苯基膦)丙烷[DPPP]、1,1’-雙(二苯基膦)二茂鐵[DPPF]、2,2’-雙(二苯基膦)-1,1’-聯萘[BINAP]等膦類等。

前述金屬微粒子的一次粒子平均粒徑以1~100nm為佳。將該金屬微粒子的一次粒子平均粒徑設定在100nm以下時，可得到表面積減少較少且充分的觸媒活性。作為一次粒子平均粒徑，以75nm以下為更佳，以1~30nm為特佳。 一次粒子平均粒徑可藉由以下方法而測定。 [一次粒子平均粒徑之測定] 將金屬微粒子分散於乙醇後，於碳支持膜上滴入，經乾燥後製作出試樣後，將所得之試樣以TEM裝置(日立製作所製：H-8000加速電壓200kV)經顯微鏡法可求得一次粒子平均粒徑。

本發明之基劑中之上述(A)成分的共聚物之添加量，對於上述(B)金屬微粒子100質量份而言，以20質量份以上10,000質量份以下者為佳。對於(B)金屬微粒子100質量份而言，將(A)共聚物的添加量設定在20質量份以上時，可充分地分散上述金屬微粒子，又若設定在20質量份以下時，上述金屬微粒子的分散性會變得不充分，容易產生沈澱物或凝集物。較佳為30質量份以上。又，對於(B)金屬微粒子100質量份，添加(A)共聚物10,000質量份以上時，塗布後的每單位面積之Pd量會變得不充分，故有降低鍍敷之析出性的顧慮。

＜基劑＞ 本發明之無電解鍍敷基劑為含有前述(A)共聚物、(B)金屬微粒子及(C)溶劑者，且視必要亦可含有其他成分。對於本發明之無電解鍍敷基劑，以前述(A)成分的共聚物與前述(B)金屬微粒子形成複合體者為佳，即，以含有由前述基劑為前述(A)成分的共聚物與前述(B)金屬微粒子所形成的複合體者為佳。

所謂此複合體為，藉由前述(A)成分的共聚物之側鏈的金屬分散性基之作用，在接觸或接近金屬微粒子之狀態下使兩者共存，成為粒子狀形態者，換言之，其為表現具有在前述(A)成分的共聚物之金屬分散性基進行附著或配位金屬微粒子之結構的複合體。 所謂該“進行附著或配位之結構”被認為表示，(A)成分的共聚物之金屬分散性基的一部分或全部與金屬微粒子相互作用的狀態，藉此可形成如錯體之結構。因此，作為金屬微粒子而採用鈀微粒子時，被認為表層的Pd原子藉由與金屬分散性基之相互作用，可形成(A)成分聚合物被金屬微粒子包圍的結構。

因此，於本發明中之「複合體」不僅為如上述的金屬微粒子與(A)成分之共聚物鍵結而形成一個複合體者，亦可含有金屬微粒子與(A)成分之共聚物不會形成鍵結部分而各自獨立存在者(顯然地如形成1個粒子者)。

前述(A)成分的共聚物與(B)金屬微粒子之複合體的形成為，同時於含有(A)成分之共聚物與金屬微粒子之基劑的調製時實施，作為該方法，有使藉由金屬分散性基呈某程度穩定化的金屬微粒子進行合成後，藉由(A)成分之聚合物交換配位子的方法，或在(A)成分之共聚物的溶液中，藉由使金屬離子直接還原而形成複合體之方法。又，如上述，於溶解上述(A)成分的共聚物之溶液中，添加金屬鹽溶液後對此照射紫外線，或於該溶液中添加金屬鹽溶液及還原劑等，使金屬離子藉由還原亦可形成複合體。

作為直接還原方法，將金屬離子與(A)成分的共聚物溶解於溶劑中，藉由以甲醇、乙醇、2-丙醇、多元醇等第一級或第二級醇類使其還原，可得到目的之金屬微粒子複合體。 作為於此所使用的金屬離子源，可使用上述金屬鹽。 作為使用的溶劑，若為使金屬離子與具有金屬分散性基的聚合物可溶解於必要濃度以上的溶劑即可，並無特別限定，具體可舉出甲醇、乙醇、n-丙醇、2-丙醇等醇類；二氯甲烷、氯仿等鹵素化烴類；四氫呋喃(THF)、2-甲基四氫呋喃、四氫吡喃等環狀醚類；乙腈、丁腈等腈類；N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)等醯胺類；二甲基亞碸等亞碸類等及這些溶劑之混合液，以舉出醇類、鹵素化烴類、環狀醚類為佳，較佳為可舉出乙醇、2-丙醇、氯仿、四氫呋喃等。 還原反應(混合金屬離子與(A)成分之共聚物)之溫度可使用通常0℃至溶劑的沸點之範圍，較佳為室溫(約25℃)至100℃之範圍。

作為其他直接還原方法，將金屬離子與(A)成分之共聚物溶解於溶劑中，氫氣環境下使其反應後，可得到作為目的之金屬微粒子複合體。 作為於此所使用的金屬離子源，可使用除上述金屬鹽外，亦可使用六羰基鉻[Cr(CO)₆ ]、五羰基鐵[Fe(Co)₅ ]、八羰基二鈷[Co₂ (CO)₈ ]、四羰基鎳[Ni(CO)₄ ]等金屬羰基錯體。又，亦可使用金屬烯烴錯體或金屬膦錯體、金屬氮錯體等0價的金屬錯體。 作為所使用的溶劑，若可溶解金屬離子與(A)成分之共聚物至必要濃度以上的溶劑即可，並無特別限定，具體可舉出乙醇、丙醇等醇類；二氯甲烷、氯仿等鹵素化烴類；四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、四氫吡喃等環狀醚類；乙腈、丁腈等腈類等及這些溶劑之混合液，較佳可舉出四氫呋喃。 混合金屬離子與(A)成分之共聚物的溫度，通常可使用0℃至溶劑之沸點的範圍。

又，作為直接還原方法，將金屬離子與(A)成分的共聚物溶解於溶劑，藉由使其進行熱分解反應，可得到作為目的之金屬微粒子複合體。 作為於此所使用的金屬離子源，可使用上述金屬鹽或金屬羰基錯體或其他0價金屬錯體、氧化銀等金屬氧化物。 作為使用的溶劑，若為可溶解金屬離子與(A)成分之共聚物至必要濃度以上的溶劑即可，並無特別限定，具體可舉出甲醇、乙醇、n-丙醇、異丙醇、乙二醇等醇類；二氯甲烷、氯仿等鹵素化烴類；四氫呋喃(THF)、2-甲基四氫呋喃、四氫吡喃等環狀醚類；乙腈、丁腈等腈類；苯、甲苯等芳香族烴類等及這些溶劑之混合液，較佳可舉出甲苯。 使金屬離子與具有金屬分散性基的(A)成分之共聚物進行混合的溫度，通常可使用0℃至溶劑的沸點範圍，較佳為溶劑的沸點附近，例如甲苯之情況時為110℃(加熱迴流)。

如此所得的(A)成分之共聚物與金屬微粒子之複合體可經再沈澱等純化處理後成為粉末等固體成分物的形態。

本發明之基劑為含有前述(A)成分的共聚物、(B)金屬微粒子(較佳為此等所的複合體)，及(C)溶劑者，進一步視必要含有其他成分者，該基劑亦可為使用於後述[無電解金屬鍍敷之基層]的形成時的塗漆之形態。

本發明之無電解鍍敷基劑，依據所需可使其含有(D)成分之基礎樹脂者。作為(D)成分，以具有與(A)成分中之交聯性基藉由熱進行交聯反應的基，即具有非自由基聚合性交聯性基者為佳，例如以在WO2014/171376作為(B)成分而記載者為佳。藉由添加如此(D)成分，有時可進一步提高基層之密著性之情況產生。

於本發明之鍍敷基劑含有(D)成分時的含有量，依據(A)成分之共聚物與(B)成分之金屬微粒子的合計100質量份，以0質量份至200質量份者為佳，較佳為0質量份至150質量份。(D)成分之含有量過大時，會降低鍍敷析出性。

本發明之無電解鍍敷基劑依據所需可含有(E)成分之交聯劑。

作為(E)成分之交聯劑，可舉出環氧化合物、羥甲基化合物、嵌段異氰酸酯化合物、酚醛樹脂化合物、具有2個以上的三烷氧基矽基之化合物、具有胺基之烷氧基矽烷化合物等化合物、具有烷氧基及/或螯合配位子之有機金屬化合物、N-烷氧基甲基丙烯醯胺之聚合物、具有環氧基之化合物的聚合物、具有烷氧基矽基之化合物的聚合物、具有異氰酸酯基之化合物的聚合物，及三聚氰胺甲醛樹脂等聚合物。

作為上述環氧化合物的具體例子，可舉出乙二醇二縮水甘油基醚、聚乙二醇二縮水甘油基醚、丙二醇二縮水甘油基醚、三丙二醇二縮水甘油基醚、聚丙二醇二縮水甘油基醚、新戊二醇二縮水甘油基醚、1,6-己二醇二縮水甘油基醚、甘油二縮水甘油基醚、2,2-二溴新戊二醇二縮水甘油基醚、1,3,5,6-四縮水甘油基-2,4-己二醇、N,N,N’,N’,-四縮水甘油基-m-二甲苯二胺、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、及N,N,N’,N’-四縮水甘油基-4、4’-二胺基二苯基甲烷等。

作為上述羥甲基化合物的具體例子，可舉出烷氧基甲基化乙二醇脲、烷氧基甲基化苯並胍胺，及烷氧基甲基化三聚氰胺等化合物。

作為烷氧基甲基化乙二醇脲之具體例子，例如可舉出1,3,4,6-肆(甲氧基甲基)乙二醇脲、1,3,4,6-肆(丁氧基甲基)乙二醇脲、1,3,4,6-肆(羥基甲基)乙二醇脲、1,3-雙(羥基甲基)尿素、1,1,3,3-肆(丁氧基甲基)尿素、1,1,3,3-肆(甲氧基甲基)尿素、1,3-雙(羥基甲基)-4,5-二羥基-2-咪唑啉酮、及1,3-雙(甲氧基甲基)-4,5-二甲氧基-2-咪唑啉酮等。作為販售品，可舉出Mitsui Cytec(股)製乙二醇脲化合物(商品名：Cymel(註冊商標)1170、Powder link(註冊商標)1174)等化合物、甲基化尿素樹脂(商品名：UFR(註冊商標)65)、丁基化尿素樹脂(商品名：UFR(註冊商標)300、U-VAN10S60、U-VAN10R、U-VAN11HV)、DIC(股)製尿素/甲醛系樹脂(高縮合型、商品名：Becamine(註冊商標) J-300S、同P-955、同N)等。

作為烷氧基甲基化苯並胍胺之具體例子，例如可舉出四甲氧基甲基苯並胍胺等。作為販售品，可舉出Mitsui Cytec(股)製(商品名：Cymel(註冊商標)1123)、(股)三和化學製(商品名：NIKALACK(註冊商標)BX-4000、同BX-37、同BL-60、同BX-55H)等。

作為烷氧基甲基化三聚氰胺之具體例子，例如可舉出六甲氧基甲基三聚氰胺等。作為販售品，可舉出Mitsui Cytec(股)製甲氧基甲基型式三聚氰胺化合物(商品名：Cymel(註冊商標)300、同301、同303、同350)、丁氧基甲基型式三聚氰胺化合物(商品名：Mycoat(註冊商標) 506、同508)、三和化學製甲氧基甲基型式三聚氰胺化合物(商品名：NIKALACK(註冊商標)MW-30、同MW-22、同MW-11、同MS-001、同MX-002、同MX-730、同MX-750、同MX-035)、丁氧基甲基型式三聚氰胺化合物(商品名：NIKALACK(註冊商標)MX-45、同MX-410、同MX-302)等。

又，亦可為如此胺基之氫原子由羥甲基或烷氧基甲基所取代的三聚氰胺化合物、尿素化合物、乙二醇脲化合物及使苯並胍胺化合物經縮合所得之化合物。例如由美國專利第6323310號中所記載的三聚氰胺化合物及苯並胍胺化合物而製造的高分子量之化合物可舉出。作為前述三聚氰胺化合物之販售品，可舉出商品名：Cymel(註冊商標)303(Mitsui Cytec(股)製)等，作為前述苯並胍胺化合物之販售品，可舉出商品名：Cymel(註冊商標)1123 (Mitsui Cytec(股)製)等。

所謂上述嵌段異氰酸酯化合物為，一分子中具有2個以上異氰酸酯基藉由適當保護基進行嵌段的異氰酸酯基，若於熱硬化時的高溫下曝曬時，保護基(嵌段部分)會因熱解離而脫離，所生成的異氰酸酯基在與樹脂之間會引起交聯反應者。

如此多官能嵌段異氰酸酯化合物，例如對於一分子中具有2個以上異氰酸酯基之多官能異氰酸酯化合物，可使適當的封閉劑反應。

作為前述多官能異氰酸酯化合物，例如可舉出1,4-四亞甲基二異氰酸酯、1,5-五亞甲基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-1,6-六亞甲基二異氰酸酯、1,3,6-六亞甲基三異氰酸酯、賴胺酸二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯、1,3-雙(異氰酸酯甲基)環己烷、1,4-環己基二異氰酸酯、2,6-雙(異氰酸酯甲基)四氫二環戊二烯、雙(異氰酸酯甲基)二環戊二烯、雙(異氰酸酯甲基)金剛烷、2,5-二異氰酸酯甲基降冰片烯、降冰片烷二異氰酸酯、二環庚烷三異氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、亞二甲苯二異氰酸酯、四甲基亞二甲苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、p-亞苯基二異氰酸酯、1,3-雙(異氰酸酯甲基)苯、聯茴香胺二異氰酸酯、3,3’-二甲基二苯基-4,4’-二異氰酸酯、二苯基醚二異氰酸酯、2,6-雙(異氰酸酯甲基)十氫萘、雙(二異氰酸酯甲苯)苯基甲烷、1,1’-亞甲基雙(3-甲基-4-異氰酸酯苯)、1,3-雙(1-異氰酸酯-1-甲基乙基)苯、1,4-雙(1-異氰酸酯-1-甲基乙基)苯、4,4’-亞聯苯二異氰酸酯、3,3’-二甲基-4,4’-亞聯苯二異氰酸酯、3,3’-二甲氧基-4,4’-亞聯苯二異氰酸酯、雙(異氰酸酯甲基)噻吩、雙(異氰酸酯甲基)四氫噻吩，及這些變性化合物(例如異氰脲酸酯體、縮二脲體、乙二醇加成體、丙二醇加成體、三羥甲基丙烷加成體、乙醇胺加成體、聚酯多元醇加成體、聚醚多元醇加成體、聚醯胺加成體、聚胺加成體)。

作為前述封閉劑，例如可舉出甲醇、乙醇、異丙醇、n-丁醇、庚醇、己醇、2-乙氧基己醇、環己醇、辛醇、異壬基醇、硬脂基醇、苯甲基醇、2-乙氧基乙醇、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸戊酯、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單丁基醚)、三乙二醇單乙基醚、N,N-二甲基胺基乙醇、N,N-二乙基胺基乙醇、N,N-二丁基胺基乙醇等醇類、酚、乙基酚、丙基酚、丁基酚、辛基酚、壬基酚、硝基酚、氯酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、二甲酚等酚類、α-吡咯啶酮、β-丁內醯胺、β-丙內醯胺、γ-丁內醯胺、δ-戊內醯胺、ε-己內醯胺等內醯胺類、丙酮肟、甲基乙基酮肟、甲基異丁基酮肟、二乙基酮肟、環己酮肟、苯乙酮肟、二苯甲酮肟等肟類、吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基吡唑、4-苯甲基-3,5-二甲基吡唑、4-硝基-3,5-二甲基吡唑、4-溴-3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-苯基吡唑等吡唑類、丁基硫醇、己基硫醇、十二烷基硫醇、苯硫醇等硫醇類、丙二酸二酯、乙醯乙酸酯、丙二酸二腈酯、乙醯丙酮、亞甲基二碸、二苯甲醯基甲烷、二新戊醯基甲烷、丙酮二羧酸二酯等活性亞甲基系化合物類、二丁基胺、二異丙基胺、二-tert-丁基胺、二(2-乙基己基)胺、二環己基胺、苯甲基胺、二苯基胺、苯胺、咔唑等胺類、咪唑、2-乙基咪唑等咪唑類、亞甲基亞胺、伸乙基亞胺、聚乙烯亞胺、伸丙基亞胺等亞胺類、乙醯苯胺、丙烯醯胺、乙酸醯胺、二聚物酸醯胺等酸醯胺類、琥珀酸醯亞胺、馬來酸醯亞胺、鄰苯二甲酸醯亞胺等酸醯亞胺類、尿素、硫脲、伸乙基尿素等尿素化合物類。又，亦可藉由脲二酮鍵(異氰酸酯基之2量化)之內部嵌段型。

作為前述多官能嵌段異氰酸酯化合物之販售品，例如可舉出下述製品。 Takenate[註冊商標]B-815N、同B-830、同B-842N、同B-846N、同B-870、同B-870N、同B-874、同B-874N、同B-882、同B-882N、同B-5010、同B-7005、同B-7030、同B-7075(以上，三井化學(股)製)。

Duranate[註冊商標]ME20-B80S、同MF-B60B、同MF-B60X、同MF-B90B、同MF-K60B、同MF-K60X、同SBN-70D、同17B-60P、同17B-60PX、同TPA-B80E、同TPA-B80X、同E402-B80B、同E402-B80T、同K6000(以上，旭化成化學(股)製)、Coronate[註冊商標] 2503、同2507、同2512、同2513、同2515、同2520、同2554、同BI-301、同AP-M、Millionate MS-50(以上，Tosoh公司(股)製)。

Burnock[註冊商標]D-500、同D-550、同DB-980K(以上，DIC(股)製)。

Sumidure[註冊商標]BL-3175、同BL-4165、同BL-4265、同BL-1100、同BL-1265、Desmodur[註冊商標]TPLS-2957、同TPLS-2062、同TPLS-2078、同TPLS-2117、同BL-3475、Desmosam[註冊商標]2170、同2265(以上，Sumika Bayer Carbamate(股)製)。

TRIXENE BI-7641、同BI-7642、同BI-7986、同BI-7987、同BI-7950、同BI-7951、同BI-7960、同BI-7961、同BI-7963、同BI-7981、同BI-7982、同BI-7984、同BI-7986、同BI-7990、同BI-7991、同BI-7992、同BI-7770、同BI-7772、同BI-7779、同DP9C/214(以上，Baxenden Chemicals公司製)。

VESTANAT[註冊商標]B1358A、同B1358/ 100、同B1370、VESTAGON[註冊商標]B1065、同B1400、同B1530、同BF1320、同BF1540(以上，Evonik Industries公司製)。

又，作為前述多官能嵌段異氰酸酯化合物，可舉出使具有封閉型異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯進行自由基聚合而得之均聚物或共聚物。其中，所謂共聚物表示聚合2種以上單體而得之聚合物。共聚物亦可為使具有封閉型異氰酸酯基的2種以上之(甲基)丙烯酸酯進行聚合而得之共聚物，亦可為具有封閉型異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯及其他(甲基)丙烯酸酯經聚合而得之共聚物。作為具有如此封閉型異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯之販售品，例如可舉出昭和電工(股)製Karenz[註冊商標]MOI-BM、同AOI-BM、同MOI-BP、同AOI-BP、同MOI-DEM、同MOI-CP、同MOI-MP、同MOI-OEt、同MOI-OBu、同MOI-OiPr。

這些多官能嵌段異氰酸酯化合物可單獨使用，亦可組合2種以上而使用。

作為上述酚醛樹脂化合物之具體例子，可舉出以下化合物，但酚醛樹脂化合物並未僅限定於以下化合物例。

作為具有2個以上三烷氧基矽基之化合物的具體例子，例如可舉出1,4-雙(三甲氧基矽基)苯、1,4-雙(三乙氧基矽基)苯、4,4’-雙(三甲氧基矽基)聯苯基、4,4’-雙(三乙氧基矽基)聯苯基、雙(三甲氧基矽基)乙烷、雙(三乙氧基矽基)乙烷、雙(三甲氧基矽基)甲烷、雙(三乙氧基矽基)甲烷、雙(三甲氧基矽基)伸乙基、雙(三乙氧基矽基)伸乙基、1,3-雙(三甲氧基矽基乙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三乙氧基矽基乙基)四甲基二矽氧烷、雙(三乙氧基矽基甲基)胺、雙(三甲氧基矽基甲基)胺、雙(三乙氧基矽基丙基)胺、雙(三甲氧基矽基丙基)胺、雙(3-三甲氧基矽基丙基)碳酸酯、雙(3-三乙氧基矽基丙基)碳酸酯、雙[(3-三甲氧基矽基)丙基]二硫化物、雙[(3-三乙氧基矽基)丙基]二硫化物、雙[(3-三甲氧基矽基)丙基]硫脲、雙[(3-三乙氧基矽基)丙基]硫脲、雙[(3-三甲氧基矽基)丙基]脲、雙[(3-三乙氧基矽基)丙基]脲、1,4-雙(三甲氧基矽基甲基)苯、1,4-雙(三乙氧基矽基甲基)苯、參(三甲氧基矽基丙基)胺、參(三乙氧基矽基丙基)胺、1,1,2-參(三甲氧基矽基)乙烷、1,1,2-參(三乙氧基矽基)乙烷、參(3-三甲氧基矽基丙基)異氰脲酸酯、及參(3-三乙氧基矽基丙基)異氰脲酸酯等化合物。

作為具有胺基的烷氧基矽烷化合物之具體例子，例如可舉出N,N’‐雙[3-(三甲氧基矽基)丙基]-1,2-乙烷二胺、N,N’‐雙[3-(三乙氧基矽基)丙基]-1,2-乙烷二胺、N-[3-(三甲氧基矽基)丙基]-1,2-乙烷二胺、N-[3-(三乙氧基矽基)丙基]-1,2-乙烷二胺、雙-{3-(三甲氧基矽基)丙基}胺、雙-{3-(三乙氧基矽基)丙基}胺、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、三甲氧基{3-(甲基胺基)丙基矽烷、3-(N-烯丙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(N-烯丙基胺基)丙基三乙氧基矽烷、3-(二乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(二乙基胺基)丙基三乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷及3-(苯基胺基)丙基三乙氧基矽烷等化合物。

作為具有烷氧基及/或螯合配位子之有機金屬化合物的具體例子，例如可舉出二異丙氧基乙基乙醯乙酸酯鋁、二異丙氧基乙醯丙酮酸鹽鋁、三乙醯丙酮酸鹽鋁、肆異丙氧基鈦、肆正丁氧基鈦、四辛基鈦酸鹽、二異丙氧基雙(乙醯丙酮酸鹽)鈦、鈦四乙醯丙酮酸鹽、肆(正丙氧基)鋯、肆(正丁氧基)鋯、肆(乙醯丙酮酸鹽)鋯等化合物。

進一步作為上述N-烷氧基甲基丙烯醯胺的聚合物，例如可舉出使用N-羥基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺等羥基甲基或烷氧基甲基所取代的丙烯醯胺化合物或甲基丙烯醯胺化合物而製造之聚合物。

作為如此聚合物之具體例子，例如可舉出聚(N-丁氧基甲基丙烯醯胺)、N-丁氧基甲基丙烯醯胺與苯乙烯之共聚物、N-羥基甲基甲基丙烯醯胺與甲基丙烯酸甲酯之共聚物、N-乙氧基甲基甲基丙烯醯胺與苯甲基丙烯酸甲酯之共聚物，及N-丁氧基甲基丙烯醯胺與苯甲基丙烯酸甲酯與2-羥基丙基甲基丙烯酸酯之共聚物等。如此聚合物之重量平均分子量為1,000至200,000，較佳為3,000至150,000，更佳為3,000至50,000。

作為具有環氧基之化合物的聚合物，例如可舉出使用縮水甘油基甲基丙烯酸酯、3,4-環氧環己基甲基丙烯酸甲酯、3,4-環氧環己基乙基甲基丙烯酸酯等具有環氧基之化合物而製造之聚合物。

作為如此聚合物之具體例子，例如可舉出聚(3,4-環氧環己基甲基丙烯酸甲酯)、聚(縮水甘油基甲基丙烯酸酯)、縮水甘油基甲基丙烯酸酯與甲基丙烯酸甲酯之共聚物、3,4-環氧環己基甲基丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸甲酯之共聚物、縮水甘油基甲基丙烯酸酯與苯乙烯之共聚物等。如此聚合物之重量平均分子量為1,000至200,000，較佳為3,000至150,000，更佳為3,000至50,000。

作為具有上述烷氧基矽基的化合物之聚合物，例如可舉出具有3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等烷氧基矽基之化合物而製造的聚合物。

作為如此聚合物之具體例子，例如可舉出聚(3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷)、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷與苯乙烯之共聚物、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷與甲基丙烯酸甲酯之共聚物等。如此聚合物之重量平均分子量為1,000至200,000，較佳為3,000至150,000，更佳為3,000至50,000。且於本說明書中，上述「聚((甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷)」表示具有烷氧基矽基之聚(甲基)丙烯酸酯。

這些交聯劑可單獨或組合2種以上而使用。

於本發明之鍍敷基劑中含有(E)成分時的含有量為依據(A)成分之共聚物與(B)成分之金屬微粒子的合計100質量份，以0質量份至100質量份者為佳，較佳為0質量份至50質量份。

＜其他添加劑＞ 本發明之基劑僅不損害本發明之效果，亦可進一步適宜地添加界面活性劑、各種表面調整劑、增黏劑等添加劑等。

作為上述界面活性劑，例如可舉出聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚類；聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等聚氧乙烯烷基芳基醚類；聚氧乙烯･聚氧伸丙基嵌段共聚物類；山梨糖醇單月桂酸酯、山梨糖醇單棕櫚酸酯、山梨糖醇單硬脂酸酯、山梨糖醇單油酸酯、山梨糖醇三硬脂酸酯、山梨糖醇三油酸酯等山梨糖醇脂肪酸酯類；聚氧乙烯山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇三油酸酯等聚氧乙烯非離子系界面活性劑；EFTOP(註冊商標)EF-301、同EF-303、同EF-352[以上，Mitsubishi Materials Electronics Chemical(股)製]、Megafac(註冊商標)F-171、同F-173、同R-08、同R-30[以上，DIC(股)製]、Novec(註冊商標)FC-430、同FC-431[以上，住友3M(股)製]、Asahi Guard(註冊商標)AG-710[旭硝子(股)製]、Surflon(註冊商標)S-382[AGCSeimi Chemical (股)製]等氟系界面活性劑等。

又，作為上述表面調整劑，可舉出信越矽氧(註冊商標)KP-341[信越化學工業(股)製]等聚矽氧系塗平劑；BYK(註冊商標)-302、同307、同322、同323、同330、同333、同370、同375、同378[以上，BYK･Japan (股)製]等聚矽氧系表面調整劑等。

作為上述增黏劑，例如可舉出羧基乙烯基聚合物(Carbomer)等聚丙烯酸類(亦含有經交聯者)；聚乙烯吡咯啶酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙酸乙烯酯(PVAc)、聚苯乙烯(PS)等乙烯基聚合物；聚環氧乙烷類；聚酯；聚碳酸酯；聚醯胺；聚胺基甲酸酯；糊精、寒天、角叉菜膠、海藻酸、阿拉伯樹膠、瓜爾豆膠、黃蓍膠、刺槐豆膠、澱粉、果膠、羧基甲基纖維素、羥基乙基纖維素、羥基丙基纖維素等多糖類；明膠、酪蛋白等蛋白質等。又，於上述各聚合物中，不僅可含有均聚物，亦可含有共聚物。此等增黏劑可單獨使用一種，亦可併用二種以上。 本發明之基劑中視必要藉由添加增黏劑，可調整基劑之黏度或流變特性，對於基劑之適用方法或適用處等可配合該用途而適宜採用並選擇。

這些添加劑可單獨使用一種，亦可併用二種以上。添加劑之使用量對於藉由前述(A)成分之聚合物與(B)成分之金屬微粒子所形成的複合體100質量份而言，以0.001~50質量份為佳，以0.005~10質量份為較佳，以0.01~5質量份更一層佳。

[無電解金屬鍍敷之基層] 上述本發明之無電解鍍敷基劑藉由塗布於基材上，可形成無電解金屬鍍敷之基層。該無電解金屬鍍敷之基層亦為本發明之對象。

作為前述基材雖無特別限定，但可使用非導電性基材或導電性基材為佳。 作為非導電性基材，例如可舉出玻璃、陶瓷等；聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、氯化乙烯基樹脂、尼龍(聚醯胺樹脂)、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、PEN (萘二甲酸乙二酯)樹脂、PET(對苯二甲酸乙二酯)樹脂、PEEK(聚醚醚酮)樹脂、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)樹脂、環氧樹脂、聚縮醛樹脂、LCP(液晶聚合物)樹脂等；紙等。這些可在片材或者薄膜等形態下適當地被使用，對於此時的厚度並無特別限定。 又，作為導電性基材，例如可舉出ITO(錫摻雜氧化銦)，或ATO(銻摻雜氧化錫)、FTO(氟摻雜氧化錫)、AZO (鋁摻雜氧化鋅)、GZO(鎵摻雜氧化鋅)、又各種不銹鋼、鋁以及杜拉鋁(duralumin)等鋁合金、鐵以及鐵合金、銅以及黃銅、磷青銅、白銅及鈹銅等銅合金、鎳以及鎳合金，且可舉出銀以及洋銀等銀合金等金屬等。 進一步亦可使用於上述非導電性基材上以這些導電性基材而形成薄膜之基材。 又，上述基材亦可為三次元成形體。

作為藉由含有上述(A)成分之共聚物、(B)金屬微粒子(較佳為藉此所成的複合體)，及(C)溶劑，進一步視必要含有(D)基礎聚合物、(E)交聯劑及其他成分之無電解鍍敷基劑，形成無電解金屬鍍敷之基層的具體方法，首先將前述(A)成分聚合物與(B)金屬微粒子(較佳為藉由此等所成的複合體)(視必要與(D)基礎聚合物、(E)交聯劑及其他成分)溶解或分散於(C)溶劑而作為塗漆之形態，將該塗漆於形成金屬鍍敷被膜之基材上，以旋轉塗布法；刮刀塗布法；浸塗法；輥塗布法；棒塗布法；模塗法；噴霧塗布法；噴墨法；鋼筆奈米光刻(FPN)、浸筆奈米光刻(DPN)等筆光刻；活版印刷、柔版印刷、樹脂凸版印刷、接觸印刷(Contact printing)、微接觸印刷(μCP)、奈米壓印光刻(NIL)、奈米轉移列印(nTP)等之凸版印刷法；凹板印刷、版畫等之凹版印刷法；平版印刷法；絲網印刷、油印版(mimeograph)等之孔版印刷法；膠版印刷法等進行塗布，其後經溶劑經蒸發･乾燥後而形成薄層。 在這些塗布方法之中，亦以棒塗布法、柔版印刷、凹板印刷、旋轉塗布法、噴霧塗布法、噴墨法、筆光刻、接觸印刷、μCP、NIL及nTP為佳。使用旋轉塗布法時，可短時間進行塗布，故即使為揮發性高之溶液亦可被利用，又具有可進行均勻性高之塗布的優點。使用噴霧塗布法時，以極少量的塗漆可進行均勻性高之塗布，對於工業上變得非常有利。使用噴墨法、筆光刻、接觸印刷、μCP、NIL、nTP時，例如使配線等微細圖型可有效率地形成(繪畫)，變得對工業上非常有利。

＜(C)溶劑＞ 又，作為於此所使用的溶劑，可使上述(A)成分的聚合物與(B)金屬微粒子(較佳為由這些所成的複合體)，及依據所需可使(D)成分、(E)成分及其他成分進行溶解或分散者即可，並無特別限定，例如可使用水；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、氯苯、二氯苯等芳香族烴類；甲醇、乙醇、n-丙醇、異丙醇、n-丁醇、2-丁醇、n-己醇、n-辛醇、2-辛醇、2-乙基己醇等醇類；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、苯基溶纖劑等溶纖劑類；丙二醇單甲基醚(PGME)、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丁基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單丁基醚、二丙二醇單甲基醚、三乙二醇單甲基醚、三丙二醇單甲基醚、乙二醇二甲基醚、丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二丁基醚、二乙二醇乙基甲基醚、二乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇異丙基甲基醚、二丙二醇二甲基醚、三乙二醇二甲基醚、三丙二醇二甲基醚等甘醇醚類；乙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)等甘醇酯類；四氫呋喃(THF)、甲基四氫呋喃、1,4-二噁烷、二乙基醚等醚類；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；丙酮、甲基乙基酮(MEK)、甲基異丁基酮(MIBK)、環戊酮、環己酮等酮類；n-庚烷、n-己烷、環己烷等脂肪族烴類；1,2-二氯乙烷、氯仿等鹵素化脂肪族烴類；N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；二甲基亞碸等。這些溶劑可單獨使用，亦可使用混合2種類以上之溶劑。且由調整塗漆之黏度的目的來看，亦可添加乙二醇、丙二醇、丁二醇等甘醇類。 又，雖溶解或分散於上述溶劑的濃度為任意，但塗漆中之非溶劑成分的濃度[除去含於基劑的溶劑之全成分((A)成分之聚合物與(B)金屬微粒子(較佳為由此等所成的複合體)、視所需(D)基礎聚合物、(E)交聯劑及其他成分等)之濃度]為0.05~90質量%，較佳為0.1~80質量%。

作為溶劑的乾燥法，雖無特別限定，例如使用加熱板或烤箱，在適當環境下，即在大氣、氮等惰性氣體、真空中等下進行蒸發即可。藉此，可得到具有均勻成膜面之基層。燒成溫度若可蒸發溶劑者即可並無特別限定，但在40~250℃進行為佳。

[無電解鍍敷處理、金屬鍍敷膜、金屬被膜基材] 藉由將形成於如上述所得之基材上的無電解金屬鍍敷之基層進行無電解鍍敷，於該基層上形成金屬鍍敷膜。如此所得之金屬鍍敷膜，以及於基材上以無電解金屬鍍敷之基層、金屬鍍敷膜的順序具備之金屬被膜基材亦為本發明之對象。 無電解鍍敷處理(步驟)並無特別限定，可藉由一般已知的任何無電解鍍敷處理進行，例如使用過去一般已知的無電解鍍敷液，使該鍍敷液(浴)浸漬形成於基材上的無電解金屬鍍敷之基層的方法為一般方法。

前述無電解鍍敷液主要含有金屬離子(金屬鹽)、錯化劑、還原劑，配合其他用途，適宜地含有pH調整劑、pH緩衝劑、反應促進劑(第二錯化劑)、安定劑、界面活性劑(對於鍍敷膜之光澤賦予用途、被處理面之濕潤性改善用途等)等而成。 其中作為使用於藉由無電解鍍敷所形成的金屬鍍敷膜之金屬，可舉出鐵、鈷、鎳、銅、鈀、銀、錫、鉑、金及此等合金，配合目的可適宜地選擇。 又，對於上述錯化劑、還原劑亦可配合金屬離子而做適宜的選擇即可。

又，無電解鍍敷液可使用販售之鍍敷液，例如可使用Meltex(股)製之無電解鎳鍍敷藥品(Melplate(註冊商標)NI系列)、無電解銅鍍敷藥品(Melplate(註冊商標)CU系列)；奥野製藥工業(股)製之無電解鎳鍍敷液(ICPNicolon(註冊商標)系列、Top piena650)、無電解銅鍍敷液(OPC-700無電解銅M-K、ATSAd CopperIW、同CT、OPCCopper(註冊商標)AF系列、同HFS、同NCA)、無電解錫鍍敷液(SubstarSN-5)、無電解金鍍敷液(Flash gold330、Self goldOTK-IT)、無電解銀鍍敷液(Muden Silver)；小島化學藥品(股)製之無電解鈀鍍敷液(paletteII)、無電解金鍍敷液(DipG系列、NCgold系列)；佐佐木化學藥品(股)製之無電解銀鍍敷液(EsudaiyaAG-40)；Japan Kanigen(股)製之無電解鎳鍍敷液(Kanigen(註冊商標)系列、Schumer(註冊商標)系列、Schumer(註冊商標)Crab black(註冊商標)系列)、無電解鈀鍍敷液(S-KPD)；陶氏化學公司製之無電解銅鍍敷液(Cueposit(註冊商標)Coppermix系列、Circuposit (註冊商標)系列)、無電解鈀鍍敷液(Paramarth(註冊商標)系列)、無電解鎳鍍敷液(Duraposit(註冊商標)系列)、無電解金鍍敷液(Aurolectrores(註冊商標)系列)、無電解錫鍍敷液(Timposit(註冊商標)系列)；上村工業(股)製之無電解銅鍍敷液(Sur Cup(註冊商標)ELC-SP、同PSY、同PCY、同PGT、同PSR、同PEA、同PMK)、AtotechJapan(股)製之無電解銅鍍敷液(Print gantt(註冊商標)PV、同PVE)等。

上述無電解鍍敷步驟可藉由調整鍍敷浴之溫度、pH、浸漬時間、金屬離子濃度、攪拌之有無或攪拌速度、空氣･氧之供給的有無或供給速度等，控制金屬被膜之形成速度或膜厚。 [實施例]

以下舉出實施例進一步更詳細地說明本發明，但本發明並非限定於此等實施例者。且，數平均分子量及重量平均分子量之測定如以下所示。 [數平均分子量及重量平均分子量之測定] 將依據以下合成例所得之共聚物的數平均分子量及重量平均分子量使用Tosoh(股)製GPC裝置(Shodex管柱KD800及TOSOH管柱TSK-GEL)，將溶離溶劑N,N-二甲基甲醯胺(作為添加劑，混合溴化鋰-水合物(LiBr･H₂ O) 10mmol/L(公升))以流量1mL/分鐘流入管柱中(管柱溫度40℃)並使其溶離的條件下測定。且，下述數平均分子量(以下稱為Mn)及重量平均分子量(以下稱為Mw)以聚苯乙烯換算值表示。

在以下實施例所使用的簡稱符號之意思如以下所示。 MMA：甲基丙烯酸甲酯 HEA：2-羥基乙基丙烯酸酯 NVA：N-乙烯基乙醯胺 GMA：縮水甘油基甲基丙烯酸酯 CyclomerM100：3,4-環氧環己基甲基甲基丙烯酸酯(大賽璐製) AMBN：2,2’-偶氮二-2-甲基丁腈 PGME：丙二醇單甲基醚 IPE：二異丙基醚 DAA：二丙酮醇 BL-10：聚乙烯縮醛樹脂(積水化學工業公司製)

＜合成例1＞ 將苯乙烯 2.00g、NVA 1.63g、GMA 2.73g、AMBN 0.32g溶解於PGME 15.59g，藉由在80℃進行20小時的反應所得之共聚物溶液(固體成分濃度30質量%)一邊攪拌二乙基醚500mL下一邊投入，析出聚合物。將析出的聚合物進行減壓過濾，在50℃下進行真空乾燥後得到共聚物粉末(P1)。所得之共聚物的Mn為6,057，Mw為8,884。

＜合成例2＞ 將苯乙烯 2.00g、NVA 1.63g、CyclomerM100 3.76g、AMBN 0.37g溶解於PGME 18.14g，藉由在80℃進行20小時的反應所得之共聚物溶液(固體成分濃度30質量%)一邊攪拌二乙基醚500mL下一邊投入，析出聚合物。將析出的聚合物進行減壓過濾，在50℃下進行真空乾燥後得到共聚物粉末(P2)。所得之共聚物的Mn為5,336，Mw為8,669。

＜合成例3＞ 將苯乙烯 2.00g、NVA 1.63g、HEA 2.23g、AMBN 0.29g溶解於PGME 14.37g，將藉由在80℃進行20小時反應而得之聚合物溶液(固體成分濃度30質量%)於二乙基醚500ml再沈澱純化。將析出的聚合物進行減壓過濾，在50℃進行真空乾燥，得到聚合物粉末(P3)。所得之聚合物的Mn為6,806，Mw為11,797。

＜合成例4＞ 將MMA 2.00g、HEMA 1.11g、AMBN 0.16g溶解於PGME 7.63g，藉由在80℃進行20小時的反應所得之共聚物溶液(固體成分濃度30質量%)一邊攪拌二乙基醚500mL下一邊投入，析出聚合物。將析出的聚合物進行減壓過濾，在50℃下進行真空乾燥後得到共聚物粉末(P4)。所得之共聚物的Mn為13,186，Mw為24,452。

＜合成例5＞ 於設置有冷卻器之100mL的反應燒瓶中，裝入乙酸鈀[和光純藥(股)製] 0.90g及氯仿 9.10g，攪拌至均勻為止。對於該溶液，將在合成例1所聚合的P1 l.0g溶解於氯仿 16.40g、乙醇 6.40g之溶液，使用滴液漏斗而加入。將該混合物在氮環境下60℃攪拌8小時。 冷卻至液溫30℃後，將該溶液於IPE/己烷溶液(質量比10：1) 341g一邊攪拌一邊投入，析出聚合物/Pd粒子複合體。將析出的聚合物/Pd粒子複合體進行減壓過濾，在50℃進行真空乾燥，得到Pd粒子之複合體(M1) 0.9g的黑色粉末。

＜合成例6＞ 於設置有冷卻器之100mL的反應燒瓶中，裝入乙酸鈀[和光純藥(股)製] 0.90g及氯仿 9.10g，攪拌至均勻為止。對於該溶液，將在合成例2所聚合的P2 l.0g溶解於氯仿 16.40g、乙醇 6.40g之溶液，使用滴液漏斗而加入。將該混合物在氮環境下60℃攪拌8小時。 冷卻至液溫30℃後，將該溶液於IPE/己烷溶液(質量比10：1) 341g一邊攪拌一邊投入，析出聚合物/Pd粒子複合體。將析出的聚合物/Pd粒子複合體進行減壓過濾，在50℃進行真空乾燥，得到Pd粒子之複合體(M2) 0.9g的黑色粉末。

＜合成例7＞ 於設置有冷卻器之100mL的反應燒瓶中，裝入乙酸鈀[和光純藥(股)製] 0.90g及氯仿 9.10g，攪拌至均勻為止。對於該溶液，將在合成例3所聚合的P3 l.0g溶解於氯仿 16.40g、乙醇 6.40g之溶液，使用滴液漏斗而加入。將該混合物在氮環境下60℃攪拌8小時。 冷卻至液溫30℃後，將該溶液於IPE/己烷溶液(質量比10：1) 341g一邊攪拌一邊投入，析出聚合物/Pd粒子複合體。將析出的聚合物/Pd粒子複合體進行減壓過濾，在50℃進行真空乾燥，得到Pd粒子之複合體(M3) 0.9g的黑色粉末。

[鍍敷液之調製] ＜調製例1＞ 於300mL燒杯中，裝入TopNicolonSA-98-MLF(奥野製藥製) 20mL、TopNicolonSA-98-1LF(奥野製藥製) 11mL，進一步加入純水並使溶液之總量到達200mL。攪拌該溶液後得到無電解鎳鍍敷液。

[分散性之評估] 將所得之Pd粒子的複合體如表1所示而投入，經1小時攪拌後，以目視評估靜置之溶液的狀態。評估結果歸納如後之表2所示。

＜分散性之評估基準＞ ○：得到均勻溶液。 ×：見到沈澱物，未得到均勻溶液。

[鍍敷析出性之評估] 對於LCP(Chiyoda Integre股份有限公司製Bae liqueur (註冊商標)LCP)基材，使用UV臭氧洗淨裝置(Techno vision股份有限公司製UV-208)進行30秒表面處理。於經表面處理的LCP上以棒塗布將無電解鍍敷基劑塗布至膜厚6μm後，在80℃藉由進行5分鐘加熱而形成塗膜。將該塗膜進一步在200℃下進行10分鐘加熱後使其硬化。將所得之硬化膜浸漬在調製例1所調製之無電解鎳鍍敷液中2分鐘。其後，將所得之鍍敷基材經水洗後，以目視評估金屬鍍敷膜之狀態。評估結果歸納如後之表2所示。

＜鍍敷析出性之評估基準＞ ○：析出塗膜全面為均勻之鍍敷。 -：因未得到均勻溶液故未實施

＜密著性之評估＞ 對於上述所得之鍍敷基材上的金屬鍍敷膜部分，以切刀切成縱橫1mm間隔之10×10單位。在該切口上貼上Nichiban(股)製 塑膠膠帶(註冊商標)，並強力地擦拭使其充分密著後，將密著的黏著膠帶一次用力剝開，將金屬鍍敷膜之狀態依據以下基準進行目視評估。評估結果歸納如後之表2所示。

＜密著性之評估基準＞ ○：100個皆未被剝開而留下。 ×：即使為1單位亦被剝開。 -：無法得到均勻溶液故未實施。

如表2所示，實施例1至實施例5、比較例1、2的分散性與鍍敷析出性皆顯示良好。又，實施例1至實施例5為密著性良好。另一方面，比較例1、2並未確認到充分的密著性。

Claims (16)

1. 一種無電解鍍敷基劑，其為使用於在基材上藉由無電解鍍敷處理形成金屬鍍敷膜時的無電解鍍敷基劑，其特徵為含有：(A)含有來自於分子內具有金屬分散性基及1個自由基聚合性雙鍵之單體a的構成單位，與來自於分子內具有交聯性基及1個自由基聚合性雙鍵之單體b的構成單位之共聚物、(B)金屬微粒子，及(C)溶劑，金屬分散性基為，選自由具有醯胺鍵的基及具有醯亞胺鍵結的基所成群的基；交聯性基為，選自N-烷氧基甲基、N-羥基甲基、可具有取代基Q的脂環式環氧基、可具有取代基Q的氧雜環丁烷基；取代基Q為，選自可由鹵素所取代的碳數1至4的烷基、苯基；前述單體a與前述單體b進行共聚合的比例為，對於前述單體a之1莫耳，前述單體b為0.05莫耳至5莫耳；上述(A)成分的共聚物之添加量，相對於上述(B)金屬微粒子100質量份為20質量份以上10,000質量份以下。
2. 如請求項1之基劑，其中於前述(A)共聚物中之金屬分散性基中，含有前述(B)金屬微粒子附著或配位的複合體。
3. 如請求項1或請求項2之基劑，其中前述單體a具有乙烯基及(甲基)丙烯醯基中任一方的化合物。
4. 如請求項3之基劑，其中前述單體a為下式(1)或(2)所示化合物；

   

   (式(1)中，R₁表示氫原子或碳原子數1至6的烷基，L表示O或N，R₂僅存在於當L表示N時，其表示氫原子，或R₁及R₂與此等所鍵結的原子共同可形成4至6員之環狀醯胺；式(2)中，R₃表示氫原子或甲基，R₄表示氫原子或碳原子數1至10的可為分支之烷基、碳原子數1至10的可為分支之烷氧基，或碳原子數1至10的可為分支之烷氧基烷基，L表示O或N，R₅僅存在於當L表示N時，其表示氫原子，或R₄及R₅與此等鍵結的原子共同可形成4至6員之環狀醯胺，或4至6員之環狀醯亞胺)。
5. 如請求項4之基劑，其中前述單體a為N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基乙醯胺或N-乙烯基甲醯胺。
6. 如請求項1或請求項2之基劑，其中前述單體b為，具有乙烯基及(甲基)丙烯醯基中任一方之化合物。
7. 如請求項6之基劑，其中前述單體b為下式(3)所示化合物；

   

   (式(3)中，X表示單鍵、羰氧基、醯胺基或伸苯基，Y表示碳數1至6的伸烷基、碳數1至6的氧基伸烷基、可為分支的碳數1至6的烷基醚基、碳數1至6的硫代伸烷基或碳數1至6的硫烷基醚基，Z表示交聯性基，R⁶表示氫原子或碳數1至4的烷基)。
8. 如請求項1或請求項2之基劑，前述(B)金屬微粒子為選自由鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉑(Pt)及金(Au)所成群的至少一種金屬微粒子。
9. 如請求項8之基劑，其中前述(B)金屬微粒子為鈀微粒子。
10. 如請求項1或請求項2之基劑，其中前述(B)金屬微粒子為具有1~100nm的一次粒子平均粒徑之微粒子。
11. 如請求項1或請求項2之基劑，其中進一步含有具有(D)非自由基聚合性交聯性基之基礎樹脂。
12. 如請求項1或請求項2之基劑，其中進一步含有(E)交聯劑。
13. 一種無電解金屬鍍敷之基層，其特徵為使用如請求項1至請求項12中任一項之無電解鍍敷基劑而得者。
14. 一種金屬鍍敷膜，其特徵為形成於如請求項13之無電解金屬鍍敷的基層上者。
15. 一種金屬被膜基材，其特徵為具備：基材、形成於該基材上的如請求項13之無電解金屬鍍敷的基層，與形成於該無電解金屬鍍敷的基層上之金屬鍍敷膜。
16. 一種金屬被膜基材之製造方法，其特徵含有下述(1)步驟及(2)步驟；(1)步驟：將如請求項1至請求項12中任一項之記載的無電解鍍敷基劑塗布於基材上，使無電解金屬鍍敷的基層具備於該基材上之步驟；(2)步驟：將具備該基層之基材浸漬於無電解鍍敷浴中，使金屬鍍敷膜形成於該基層上之步驟。