TWI833143B - 電子裝置 - Google Patents

電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI833143B
TWI833143B TW110148659A TW110148659A TWI833143B TW I833143 B TWI833143 B TW I833143B TW 110148659 A TW110148659 A TW 110148659A TW 110148659 A TW110148659 A TW 110148659A TW I833143 B TWI833143 B TW I833143B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
pad
electronic device
substrate
disposed
Prior art date
Application number
TW110148659A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202228488A (zh
Inventor
葉承霖
丁景隆
韋忠光
紀仁海
林宜宏
吳彥徵
Original Assignee
群創光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 群創光電股份有限公司 filed Critical 群創光電股份有限公司
Publication of TW202228488A publication Critical patent/TW202228488A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI833143B publication Critical patent/TWI833143B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/642—Capacitive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10015—Non-printed capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10196—Variable component, e.g. variable resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

一種電子裝置，包括基板、第一電極、第二電極、調變元件、第一焊件以及開關元件。第一電極設置在基板上。第二電極設置在基板上。調變元件設置在基板上且包括至少兩個接墊。第一焊件設置在第一電極和調變元件的一個接墊之間。開關元件設置在基板上。調變元件的所述一個接墊依序經由第一焊件、第一電極以及第二電極電連接至開關元件。

Description

電子裝置
本發明是有關於一種電子裝置。
電子裝置中的射頻(Radio Frequency，RF)裝置用以發射或接收電磁波，因此在無線通訊技術中是不可或缺的一部分。如何提升射頻裝置的指向性，使電磁波朝特定方向傳播，為本領域研發人員的研發重點之一。
本發明提供一種電子裝置，其有助於提升射頻裝置的指向性。
在本發明的實施例中，電子裝置包括基板、第一電極、第二電極、調變元件、第一焊件以及開關元件。第一電極設置在基板上。第二電極設置在基板上。調變元件設置在基板上且包括至少兩個接墊。第一焊件設置在第一電極和調變元件的一個接墊之間。開關元件設置在基板上。調變元件的所述一個接墊依序經由第一焊件、第一電極以及第二電極電連接至開關元件。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露。須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置/顯示裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
本揭露通篇說明書與後附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域中具有通常知識者應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，“具有”與“包括”等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為“包括但不限定為…”之意。
本文中所提到的方向用語，例如：“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。應了解到，當元件或膜層被稱為設置在另一個元件或膜層“上”或“連接”另一個元件或膜層時，所述元件或膜層可以直接在所述另一元件或膜層上或直接連接到所述另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接連接)。相反地，當元件或膜層被稱為“直接”在另一個元件或膜層“上”或“直接連接”另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。
本文中所提到的術語“大約”、“等於”、“相等”、“相同”、“實質上”或“大致上”通常代表落在給定數值的10%範圍內，或代表落在給定數值的5%、3%、2%、1%或0.5%範圍內。此外，除非有特別說明，否則用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定數值落在第一數值至第二數值的範圍內”均表示所述給定範圍包含第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。
在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如“連接”、“互連”等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定的情況。此外，用語“電連接”指的是兩個元件之間透過直接或間接連接的方式串接在一起，例如兩個元件可直接連接，或者，兩個元件可透過一個或多個導電元件而串接在一起。另外，用語“電耦合”指的是兩個元件彼此分離，且兩個元件之間沒有其他導電元件將兩者串接在一起。
在下述實施例中，相同或相似的元件將採用相同或相似的標號，且將省略其贅述。此外，不同實施例中的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用，且依本說明書或權利要求書所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本揭露涵蓋的範圍內。另外，本說明書或申請專利範圍中提及的“第一”、“第二”等用語僅用以命名不同的元件或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量上的上限或下限，也並非用以限定元件的製造順序或設置順序。
本揭露的電子裝置可包括射頻裝置或具有射頻元件之電子裝置，但不以此為限。電子裝置可包括可彎折或可撓式電子裝置。射頻元件可包括頻率選擇表面(Frequency Selective Surface，FSS)、射頻濾波器(RF-Filter)、偏振器(Polarizer)、諧振器(Resonator)或天線(Antenna)等。下文將以射頻裝置作為電子裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。
圖1A及圖1B分別是根據本揭露的第一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。為了清楚顯示部分元件及/或膜層的相對設置關係，圖1B省略繪示出電子裝置的一些元件及/或膜層。另外，圖1B中剖線A-A’的剖面請參見圖1A。
請參照圖1A及圖1B，電子裝置1可包括基板10、第一電極11、第二電極12、調變元件13、第一焊件14以及開關元件15。第一電極11設置在基板10上。第二電極12設置在基板10上。調變元件13設置在基板10上且包括至少兩個接墊，如接墊P1和接墊P2。第一焊件14設置在第一電極11和調變元件13的一個接墊(如接墊P1)之間。開關元件15設置在基板10上。調變元件13的所述一個接墊(如接墊P1)依序經由第一焊件14、第一電極11以及第二電極12電連接至開關元件15。
詳細而言，基板10用以承載元件。基板10可為硬質基板、可彎折基板或可撓式基板。舉例來說，基板10可包括玻璃基板、聚合物薄膜、印刷電路板、由陶瓷形成的基層或上述的組合，但不以此為限。
從電子裝置1的剖面圖觀之，如圖1A所示，第一電極11設置在基板10和第二電極12之間，且第二電極12設置在第一電極11和開關元件15之間。第一電極11以及第二電極12作為電連接開關元件15和調變元件13的中間媒介。舉例來說，第一電極11以及第二電極12的材料可包括銅、鋁、任何具有高導電性的材料或上述的組合，但不以此為限。
調變元件13對應第一電極11設置。舉例來說，調變元件13在基板10的法線方向(如第三方向D3)上與第一電極11至少部分重疊。從電子裝置1的俯視圖觀之，如圖1B所示，調變元件13在第一方向D1以及第二方向D2上分別具有寬度W1和寬度W2。寬度W1和寬度W2可大於或等於20微米且小於或等於1000微米(20μm ≤ W1 ≤1000μm；20μm ≤ W12≤1000μm)，但不以此為限。
在一些實施例中，調變元件13包括可變電容(variable capacitor)。舉例來說，可變電容可由液晶裝置、可變電容二極體或微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)等形成，但不以此為限。
透過改變施加至可變電容的電壓，可控制射頻電路中的等效電容，使得電磁波的相位(phase)和振幅(amplitude)發生相應的變化，進而控制電磁波的方向或提升射頻裝置的指向性。電磁波的傳遞介質可包括傳輸線(transmission line)、波導結構(waveguide structure)或自由空間(free space)等，但不以此為限。電磁波可包括平面波(planar wave)、圓柱波(cylindrical wave)或球面波(spherical wave)等，但不以此為限。電磁波的頻率範圍可以是射頻、毫米波(millimeter wave)、兆赫茲(Terahertz，THz)、紅外光或可見光等，但不以此為限。
第一焊件14將調變元件13的接墊P1焊接至第一電極11上。舉例來說，第一焊件14可包括錫球、銅柱、其他合適金屬或金屬合金，但不以此為限。
開關元件15用以驅動調變元件13。舉例來說，開關元件15可包括薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)。薄膜電晶體的通道層(未繪示)的材料可包括低溫多晶矽、非晶矽、氧化物半導體、有機半導體或III-V族化合物半導體等，但不以此為限。
依據不同的需求，電子裝置1還可包括其他元件或膜層。舉例來說，電子裝置1還可包括第三電極16以及第二焊件17，但不以此為限。
第三電極16設置在基板10上。在一些實施例中，第三電極16以及第一電極11可同層製作。舉例來說，第三電極16以及第一電極11可同為第一導電層C1，即第三電極16以及第一電極11可具有相同的材料且可由同一道圖案化製程形成。
第二焊件17設置在第三電極16和調變元件13的另一個接墊(如接墊P2)之間，其中調變元件13的所述另一個接墊(如接墊P2)可經由第二焊件17電連接第三電極16。具體地，第二焊件17將調變元件13的接墊P2焊接至第三電極16上。第二焊件17例如可包括錫球、銅柱、其他合適金屬或金屬合金，但不以此為限。
在一些實施例中，電子裝置1還可包括第四電極18。第四電極18設置在基板10上，且從電子裝置1的剖面圖觀之，如圖1A所示，第三電極16設置在第四電極18和基板10之間。在一些實施例中，第四電極18以及第二電極12可同層製作。舉例來說，第四電極18以及第二電極12可同為第二導電層C2，即第四電極18以及第二電極12可具有相同的材料且可由同一道圖案化製程形成。
在一些實施例中，第一導電層C1除了第一電極11和第三電極16之外，還可包括導電圖案PT1和導電圖案PT2。第一電極11設置在導電圖案PT1和第三電極16之間，且第一電極11、導電圖案PT1和第三電極16彼此分離。舉例來說，間隙G1存在於第一電極11和導電圖案PT1之間，且間隙G2存在於第一電極11和第三電極16之間。第三電極16設置在第一電極11和導電圖案PT2之間，且第三電極16、第一電極11和導電圖案PT2彼此分離。舉例來說，間隙G3存在於第三電極16和導電圖案PT2之間。
從電子裝置1的剖面圖觀之，如圖1A所示，導電圖案PT1設置在第二電極12和基板10之間，且第二電極12設置在開關元件15和導電圖案PT1之間，其中導電圖案PT1和第一電極11之間的間隙G1可被第二電極12覆蓋。此外，導電圖案PT2設置在第四電極18和基板10之間，其中導電圖案PT2和第三電極16之間的間隙G3可被第四電極18覆蓋。另外，調變元件13對應第一電極11和第三電極16之間的間隙G2設置。舉例來說，調變元件13在第三方向D3上與間隙G2至少部分重疊。
在一些實施例中，第一導電層C1以及第二導電層C2可皆為金屬層，在第一導電層C1下方傳遞的電磁波可從未被第一導電層C1以及第二導電層C2覆蓋的區域(如間隙G2)傳遞至調變元件13，經由調變元件13的作用(如調整電磁波的相位、振幅或傳遞方向等)後自電子裝置1輸出。
在一些實施例中，電子裝置1還可包括隔離層19，且第一導電層C1以及第二導電層C2可透過隔離層19而彼此分離。舉例來說，導電圖案PT1可透過隔離層19而與第二電極12和開關元件15分離，且導電圖案PT2可透過隔離層19而與第四電極18分離。隔離層19可具開口A1以及開口A2。開口A1以及開口A2分別曝露出第一電極11和第三電極16。第二電極12透過開口A1而與第一電極11電連接。第四電極18透過開口A2而與第三電極16電連接。隔離層19的材料可包括氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、矽材料、雙馬來醯亞胺(Bismaleimide)、聚醯亞胺(polyimide)或上述的組合，但不以此為限。
在一些實施例中，電子裝置1還可包括鈍化層20。鈍化層20覆蓋開關元件15、第二電極12以及隔離層19。鈍化層20的材料可包括氮化矽、氧化矽、環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、矽材料、雙馬來醯亞胺、聚醯亞胺或上述的組合，但不以此為限。
電子裝置1可具有貫孔TH1-1和貫孔TH1-2。貫孔TH1-1可位於開口A1和貫孔TH1-2之間，其中貫孔TH1-1貫穿鈍化層20以及隔離層19且曝露出第一電極11。貫孔TH1-2可位於貫孔TH1-1和開口A2之間，其中貫孔TH1-2貫穿鈍化層20以及隔離層19且曝露出第三電極16。
電子裝置1還可包括接墊P3和接墊P4。接墊P3設置在貫孔TH1-1中且設置在第一電極11上。第一焊件14也設置在貫孔TH1-1中且可電連接於接墊P1和接墊P3之間。接墊P4設置在貫孔TH1-2中且設置在第三電極16上。第二焊件17也設置在貫孔TH1-2中且可電連接於接墊P2和接墊P4之間。調變元件13的接墊P1例如可依序經由第一焊件14、接墊P3、第一電極11以及第二電極12電連接至開關元件15。調變元件13的接墊P2例如可依序經由第二焊件17、接墊P4、第三電極16以及第四電極18電連接至接地。接墊P1所接收的電壓(如直流電壓)不同於接墊P2所接收的電壓(如接地電壓)。接墊P3和接墊P4的材料可包括鎳金、鎳鈀金、銀、金、鎳、錫、有機保焊膜(Organic Solderability Preservative，OSP)、其他導電材料或上述的組合，但不以此為限。在一些實施例中，接墊P3和接墊P4的尺寸可為10微米*10微米至160微米*160微米 (10μm*10μm ≤尺寸≤ 160μm*160μm)，但不以此為限。
在一些實施例中，電子裝置1還可包括保護層21。保護層21設置在鈍化層20上，且保護層21可覆蓋調變元件13並包覆接墊P1、接墊P2、第一焊件14和第二焊件17，但不以此為限。保護層21的剖面形狀可包括半球狀，但不以此為限。需注意的是，所述半球不限於球體的一半。保護層21的材料可包括環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、矽材料、雙馬來醯亞胺、聚醯亞胺、聚對二甲苯(parylene)或上述的組合，但不以此為限。
圖2A及圖2B分別是根據本揭露的第二實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。為了清楚顯示部分元件及/或膜層的相對設置關係，圖2B省略繪示出電子裝置的一些元件及/或膜層。另外，圖2B中剖線B-B’的剖面請參見圖2A。
請參照圖2A及圖2B，電子裝置1A與圖1A及圖1B的電子裝置1的主要差異說明如下。電子裝置1A包括基板10、第一電極11、第二電極12、調變元件13、第一焊件14、開關元件15、第三電極16、第二焊件17、第四電極18、介電膜19A、鈍化層20、保護層21、介電層22、導電圖案PT1、導電圖案PT2、接墊P3、接墊P4、接墊P5以及接墊P6。
介電膜19A用以承載第二導電層C2(包括第二電極12和第四電極18)、開關元件15和鈍化層20。舉例來說，介電膜19A的材料可包括環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、矽材料、雙馬來醯亞胺、聚醯亞胺或上述的組合，但不以此為限。在一些實施例中，介電膜19A在第三方向D3上的最大厚度T19A大於或等於5μm且小於或等於500μm，但不以此為限。
介電膜19A可透過介電層22貼附至第一導電層C1(包括第一電極11、第三電極16、導電圖案PT1和導電圖案PT2)。舉例來說，介電層22的材料可包括環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、矽材料、雙馬來醯亞胺、聚醯亞胺、任何黏著材料或上述的組合，但不以此為限。介電層22在第三方向D3上的最大厚度T22可大於電磁波的波長的1/10000倍且小於電磁波的波長的100倍。在一些實施例中，介電層22在第三方向D3上的最大厚度T22大於或等於5μm且小於或等於50μm，但不以此為限。
從電子裝置1A的剖面圖觀之，如圖2A所示，介電層22設置在第一導電層C1和介電膜19A之間，且介電膜19A設置在第二導電層C2和介電層22之間。鈍化層20可具有開口A3和開口A4。開口A3和開口A4分別曝露出第二電極12和第四電極18。接墊P5以及接墊P6分別設置在開口A3和開口A4中。接墊P5以及接墊P6的材料可包括鎳金、鎳鈀金、銀、金、鎳、錫、有機保焊膜、其他導電材料或上述的組合，但不以此為限。
電子裝置1A可具有貫孔TH1以及貫孔TH2。貫孔TH1貫穿鈍化層20、介電膜19A以及介電層22並曝露出第一電極11。貫孔TH2貫穿鈍化層20、介電膜19A以及介電層22並曝露出第三電極16。接墊P3設置在貫孔TH1中並設置在第一電極11上。接墊P4設置在貫孔TH2中並設置在第三電極16上。
第一焊件14設置在接墊P5上，且第一焊件14通過貫孔TH1而與設置在第一電極11上的接墊P3連接。具體地，第一焊件14將接墊P1、接墊P3和接墊P5電連接。在一些實施例中，第一焊件14可與第二電極12的側壁面直接接觸，使得第一電極11可依序經由第一焊件14以及第二電極12電連接至開關元件15。舉例來說，第一電極11可依序經由接墊P3、第一焊件14以及第二電極12電連接至開關元件15，但不以此為限。
第二焊件17設置在接墊P6上，且第二焊件17通過貫孔TH2而與設置在第三電極16上的接墊P4連接。具體地，第二焊件17將接墊P2、接墊P4和接墊P6電連接。在一些實施例中，第二焊件17可與第四電極18的側壁面直接接觸，使得第三電極16可依序經由第二焊件17以及第四電極18電連接至接地電位。舉例來說，第三電極16可依序經由接墊P4、第二焊件17以及第四電極18電連接至電連接至接地電位，但不以此為限。
透過將開關元件15和第一導電層C1分別設置在不同基板(如基板10和介電膜19A)上，再透過介電層22將介電膜19A貼附至第一導電層C1，有助於改善第一導電層C1在高溫製程(如製作開關元件15)中因第一導電層C1和基板10的熱膨脹係數不匹配所導致的翹曲問題。
圖3A及圖3B分別是根據本揭露的第三實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。為了清楚顯示部分元件及/或膜層的相對設置關係，圖3B省略繪示出電子裝置的一些元件及/或膜層。另外，圖3B中剖線C-C’的剖面請參見圖3A。
請參照圖3A及圖3B，電子裝置1B與圖2A及圖2B的電子裝置1A的主要差異說明如下。電子裝置1B包括基板10、第一電極11、第二電極12、調變元件13、第一焊件14、開關元件15、第三電極16、第二焊件17、第四電極18、介電膜19A、鈍化層20、保護層21、介電層22、第三焊件23、第四焊件24、導電圖案PT1、導電圖案PT2、接墊P3、接墊P4、接墊P5、接墊P6、接墊P7以及接墊P8。
電子裝置1B除了貫孔TH1以及貫孔TH2之外，還可具有貫孔TH3以及貫孔TH4。貫孔TH3貫穿鈍化層20、介電膜19A以及介電層22並曝露出第一電極11。貫孔TH4貫穿鈍化層20、介電膜19A以及介電層22並曝露出第三電極16。貫孔TH4、貫孔TH2、貫孔TH1以及貫孔TH3例如在第二方向D2上排列，其中貫孔TH3位於開口A3與貫孔TH1之間，且貫孔TH4位於開口A4與貫孔TH2之間。
接墊P7設置在貫孔TH3中並設置在第一電極11上。接墊P8設置在貫孔TH4中並設置在第三電極16上。接墊P7以及接墊P8的材料可包括鎳金、鎳鈀金、銀、金、鎳、錫、有機保焊膜、其他導電材料或上述的組合，但不以此為限。
第一焊件14將接墊P1和接墊P3電連接，且第一焊件14分離於第二電極12和接墊P5。第三焊件23設置在接墊P5上，且第三焊件23透過貫孔TH3而與設置在第一電極11上的接墊P7連接。在一些實施例中，第三焊件23可與第二電極12的側壁面直接接觸，使得調變元件13的接墊P1可依序經由第一焊件14以及第二電極12電連接至開關元件15。舉例來說，接墊P1可依序經由第一焊件14、接墊P3、第一電極11、接墊P7、第三焊件23以及第二電極12電連接至開關元件15。
第二焊件17將接墊P2和接墊P4電連接，且第二焊件17分離於第四電極18和接墊P6。第四焊件24設置在接墊P6上，且第四焊件24透過貫孔TH4而與設置在第三電極16上的接墊P8連接。在一些實施例中，第四焊件24可與第四電極18的側壁面直接接觸，使得調變元件13的接墊P2可依序經由第二焊件17以及第四電極18電連接至接地。舉例來說，接墊P2可依序經由第二焊件17、接墊P4、第三電極16、接墊P8、第四焊件24以及第四電極18電連接至接地。
第三焊件23以及第四焊件24例如可包括錫球、銅柱、其他合適金屬或金屬合金，但不以此為限。此外，保護層21可進一步覆蓋第三焊件23以及第四焊件24。
透過各焊件連接於兩接墊之間的設計，可提升製程良率或有助於產能的提升。
圖4A及圖4B分別是根據本揭露的第四實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。為了清楚顯示部分元件及/或膜層的相對設置關係，圖4B省略繪示出電子裝置的一些元件及/或膜層。另外，圖4B中剖線D-D’的剖面請參見圖4A。
請參照圖4A及圖4B，電子裝置1C與圖3A及圖3B的電子裝置1B的主要差異說明如下。在電子裝置1C中，圖3A及圖3B中的貫孔TH1以及貫孔TH2以貫孔TH5取代。貫孔TH5貫穿鈍化層20、介電膜19A以及介電層22並曝露出第一電極11、第三電極16以及被第一電極11和第三電極16曝露出來的基板10。調變元件13設置在貫孔TH5中，其中調變元件13的接墊P1透過第一焊件14而接合至設置在第一電極11上的接墊P3，且調變元件13的接墊P2透過第二焊件17而接合至設置在第三電極16上的接墊P4。
透過形成孔徑較大的貫孔(如貫孔TH5)，可方便設置調變元件13或提升調變元件13的可調範圍。
圖5A及圖5B分別是根據本揭露的第五實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。為了清楚顯示部分元件及/或膜層的相對設置關係，圖5B省略繪示出電子裝置的一些元件及/或膜層。另外，圖5B中剖線E-E’的剖面請參見圖5A。
請參照圖5A及圖5B，電子裝置1D與圖2A及圖2B的電子裝置1A的主要差異說明如下。在電子裝置1D中，第一導電層C1’可不包括導電圖案PT1和導電圖案PT2。此外，電子裝置1D可不包括貫孔TH1、貫孔TH2、接墊P3和接墊P4。另外，調變元件13電耦合第一電極11，且調變元件13的一個接墊(如接墊P1)電連接開關元件15。
詳細來說，第一焊件14例如電連接於接墊P1和接墊P5，且調變元件13的接墊P1例如依序透過第一焊件14、接墊P5和第二電極12電連接開關元件15。另一方面，調變元件13也電耦合第三電極16，例如第三電極16電耦合調變元件13的接墊P2。第二焊件17例如電連接於接墊P2和接墊P6，且調變元件13的接墊P2例如依序透過第二焊件17、接墊P6和第四電極18電連接至接地。
在一些實施例中，第一導電層C1’以及第二導電層C2’可皆為金屬層，在第一導電層C1’下方傳遞的電磁波可依序穿過第一導電層C1’的間隙G2和第二導電層C2’的間隙G4傳遞至調變元件13，電磁波可經由調變元件13的作用(如調整電磁波的相位、振幅或傳遞方向等)後自電子裝置1D輸出。間隙G2的尺寸可小於、等於或大於間隙G4，於此不多加限制。
透過第一導電層C1’以及第二導電層C2’在第三方向D3上重疊的設計，有助於增加可調變的電容。
圖6A及圖6B分別是根據本揭露的第六實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。為了清楚顯示部分元件及/或膜層的相對設置關係，圖6B省略繪示出電子裝置的一些元件及/或膜層。另外，圖6B中剖線F-F’的剖面請參見圖6A。
請參照圖6A及圖6B，電子裝置1E與圖5A及圖5B的電子裝置1D的主要差異說明如下。電子裝置1E包括貫孔TH2和接墊P4。此外，第三電極16電連接調變元件13的接墊P2。舉例來說，第二焊件17可設置在接墊P6上且透過貫孔TH2而電連接於接墊P2和接墊P4之間。
在另一些實施例中，儘管未繪示，第一焊件14可設置在接墊P5上且透過貫孔TH1而電連接於接墊P1和接墊P3之間(請參見圖2A)，且第二焊件17可電連接於接墊P2和接墊P6之間(請參見圖5A)。
在本實施例中，第三電極16可電連接至接地，但不以此為限。在另一些實施例中，第三電極16可接收第一直流電壓，第三電極18可接收第二直流電壓，但不以此為限。在另一些實施例中，第三電極16可省略製作。
圖7至圖9是根據本揭露的第一實施例的電子裝置的製造流程的局部剖面示意圖。請先參照圖7，於基板10上形成第一導電層C1。第一導電層C1為圖案化導電層且可包括第一電極11、第三電極16、導電圖案PT1以及導電圖案PT2，但不以此為限。
請參照圖8，在形成第一導電層C1後，於基板10上依序形成隔離層19、第二導電層C2、開關元件15以及鈍化層20。第二導電層C2為圖案化導電層且可包括第二電極12以及第四電極18，但不以此為限。
在一些實施例中，開關元件15可透過黃光製程直接形成在基板10上，以便於製造。在另一些實施例中，開關元件15可透過導電凸塊(未繪示)接合至基板10上，以降低製程成本。
接著，形成貫穿鈍化層20以及隔離層19的貫孔TH1-1和貫孔TH1-2。舉例來說，可透過微影蝕刻形成貫孔TH1-1和貫孔TH1-2，但不以此為限。
然後，於貫孔TH1-1和貫孔TH1-2中分別形成接墊P3和接墊P4。舉例來說，可透過化鍍、浸沒(immersion)或電解(electrolytic)等方式形成接墊P3和接墊P4，但不以此為限。
請參照圖9，透過印刷等方式於接墊P3和接墊P4上分別形成第一焊件14和第二焊件17。接著，將調變元件13的接墊P1和接墊P2分別設置於第一焊件14和第二焊件17上。然後，透過回流焊(solder reflow)，使調變元件13的接墊P1和接墊P2固定在第一焊件14和第二焊件17上。接著，形成保護層21。如此，便初步完成電子裝置1的製造。
圖10至圖13是根據本揭露的第二實施例的電子裝置的製造流程的局部剖面示意圖。請先參照圖10，於基板10上依序形成第一導電層C1和介電層22。
請參照圖11，於載板CR上依序形成介電膜19A、第二導電層C2(包括第二電極12和第四電極18)和鈍化層20。載板CR可包括剛性載板，如玻璃基板，但不以此為限。
在一些實施例中，圖11所示的步驟可在圖10所示的步驟之後進行。在另一些實施例中，圖10所示的步驟可在圖11所示的步驟之後進行。
請參照圖12，移除載板CR，並將介電膜19A貼附至介電層22上。移除載板CR的方法可包括雷射剝離法，即以雷射照射設置在載板CR與介電膜19A之間的離形層(未繪示)，使載板CR與介電膜19A分離，但不以此為限。
接著，形成貫穿鈍化層20、介電膜19A以及介電層22的貫孔TH1和貫孔TH2，以曝露出第一電極11和第三電極16。舉例來說，可透過雷射鑽孔形成貫孔TH1和貫孔TH2，但不以此為限。在其他實施例中，也可透過微影蝕刻、雷射鑽孔或上述的組合形成貫孔TH1和貫孔TH2的其中至少一者。貫孔TH1的孔徑R1(如直徑)以及貫孔TH2的孔徑R2(如直徑)可大於或等於40μm，以利後續於貫孔TH1和貫孔TH2中形成焊件，但不以此為限。
請參照圖13，於開口A3、貫孔TH1、貫孔TH2和開口A4中分別形成接墊P5、接墊P3、接墊P4和接墊P6。舉例來說，可透過化鍍、浸沒或電解等方式形成接墊P5、接墊P3、接墊P4和接墊P6，但不以此為限。
接著，透過印刷等方式於接墊P3和接墊P3上形成第一焊件14，並於接墊P4和接墊P6上形成第二焊件17。然後，將調變元件13的接墊P1和接墊P2分別設置於第一焊件14和第二焊件17上。接著，透過回流焊，使調變元件13的接墊P1和接墊P2固定在第一焊件14和第二焊件17上。然後，形成保護層21。如此，便初步完成電子裝置1A的製造。
上述電子裝置1B至電子裝置1E的製作方式大體上與電子裝置1A的製作方式類似，於下便不再贅述。
此外，儘管未繪示，但電子裝置1A至電子裝置1E也可依據圖1A改成將多個導電層、開關元件、調變元件、焊件、隔離層、鈍化層、多個接墊和保護層等設置在同一個基板(如基板10)上。
另外，儘管上述實施例的開關元件和其他元件/膜層皆設置在基板的同一側上，但不以此為限。在其他未繪示的實施例中，開關元件也可設置在基板下，使得開關元件和其他元件/膜層分別設置在基板的相對側上。在此架構下，開關元件可透過未繪示的線路(如導通孔或其他線路)而與第二電極電連接。
圖14及圖15分別是根據本揭露的第七實施例及第八實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖14及圖15的電子裝置的局部俯視示意圖可參照圖1B。
請參照圖14，電子裝置1F與圖2A的電子裝置1A的主要差異說明如下。在電子裝置1F中，將介電膜19A設置在基板10上之後，形成貫穿介電膜19A以及介電層22並曝露出第一電極11以及第三電極16的貫孔TH6。接著，在基板10上形成第二導電層C2，其中第二導電層C2的第二電極12設置在介電膜19A上並延伸進貫孔TH6中且與第一電極11接觸，第二導電層C2的第四電極18設置在介電膜19A上並延伸進貫孔TH6中且與第三電極16接觸。然後，形成開關元件15以及鈍化層20。接著，在鈍化層20的開口A3和開口A4中分別形成接墊P3和接墊P4，並透過第一焊件14和第二焊件17將調變元件13的接墊P1和接墊P2固定在接墊P3和接墊P4上。然後，形成保護層21。如此，便初步完成電子裝置1F的製造。
在電子裝置1F的製作過程中，間隙G2處的介電膜19A以及介電層22在形成貫孔TH6時被移除，因此在電子裝置1F中，調變元件13的下方沒有介電膜19A以及介電層22。此外，第二電極12與第一電極11接觸，且第二電極12與接墊P3被鈍化層20分隔開；第四電極18與第三電極16接觸，且第四電極18與接墊P4被鈍化層20分隔開。
請參照圖15，電子裝置1G與圖14的電子裝置1F的主要差異說明如下。在電子裝置1G中，開口A3曝露出局部的第二電極12，接墊P3設置在第一電極11上並覆蓋被開口A3曝露來的局部的第二電極12。此外，開口A4曝露出局部的第四電極18，接墊P4設置在第三電極16上並覆蓋被開口A4曝露來的局部的第四電極18。
圖16A至圖16D是根據本揭露的第九實施例的電子裝置的製造流程的局部示意圖，其中圖16A和圖16B是局部俯視示意圖，且圖16C和圖16D是局部剖面示意圖。
請參照圖16A，在基板SUB上形成多個開關SW。舉例來說，基板SUB可包括玻璃基板、聚合物薄膜、印刷電路板、由陶瓷形成的基層或上述的組合，但不以此為限。開關SW可包括薄膜電晶體(TFTs)。薄膜電晶體的通道層(未繪示)的材料可包括低溫多晶矽、非晶矽、氧化物半導體、有機半導體或III-V族化合物半導體等，但不以此為限。多個開關SW可在第一方向D1以及第二方向D2上排列。
請參照圖16B，在多個開關SW上形成多個接墊P15。接墊P15的材料可包括鎳金、鎳鈀金、銀、金、鎳、錫、有機保焊膜(Organic Solderability Preservative，OSP)、其他導電材料或上述的組合，但不以此為限。然後，對基板SUB執行切割製程，以形成多個彼此分離的開關元件15(圖16C和圖16D只示出一個開關元件15)。舉例來說，可使用雷射(未示出)沿著切割線(請參照圖16B的虛線)切割基板SUB。
請參照圖16C，開關元件15和調變元件13接著透過焊件CT接合至基板SUB。舉例來說，開關元件15的接墊P15透過焊件CT接合至基板SUB上的接墊P15’。焊件CT可包括錫球、銅柱、其他合適金屬或金屬合金，但不以此為限。接墊P15的材料可包括鎳金、鎳鈀金、銀、金、鎳、錫、有機保焊膜(Organic Solderability Preservative，OSP)、其他導電材料或上述的組合，但不以此為限。調變元件13接合至基板SUB的方式請參照上述，於此不再重述。
請參照圖16D，在鈍化層20上形成保護層21以及保護層21’後即形成電子裝置1H。保護層21可覆蓋調變元件13並包覆接墊P1、接墊P2、第一焊件14和第二焊件17。保護層21’可覆蓋開關元件15並包覆接墊P15’和焊件CT。在一些實施例中，保護層21’的材料可包括環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、矽材料、雙馬來醯亞胺、聚醯亞胺、聚對二甲苯或上述的組合，但不以此為限。保護層21以及保護層21’的材料可相同或不同。舉例來說，保護層21可具有分別比保護層21’小的介電常數(Dk)和損耗因數(Df)。在一些實施例中，保護層21的損耗因數可小於0.01，但不以此為限。
綜合以上所述，在本揭露的實施例中，透過改變施加至可變電容的電壓，可控制射頻電路中的等效電容，使得電磁波的相位和振幅發生相應的變化，進而控制電磁波的方向或提升射頻裝置的指向性。
以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，本領域中具有通常知識者應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行組合或修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些組合、修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾，且各實施例間的特徵可任意互相混合替換而成其他新實施例。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露的保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一請求項構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個請求項及實施例的組合。本揭露之保護範圍當視隨附之申請專利範圍所界定者為準。
1、1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H:電子裝置 10、SUB:基板 11:第一電極 12:第二電極 13:調變元件 14:第一焊件 15:開關元件 16:第三電極 17:第二焊件 18:第四電極 19:隔離層 19A:介電膜 20:鈍化層 21、21’:保護層 22:介電層 23:第三焊件 24:第四焊件 A1、A2、A3、A4:開口 C1、C1’:第一導電層 C2、C2’:第二導電層 CR:載板 CT:焊件 D1:第一方向 D2:第二方向 D3:第三方向 G1、G2、G3、G4:間隙 P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P15、P15’:接墊 PT1、PT2:導電圖案 R1、R2:孔徑 SW:開關 TH1、TH1-1、TH1-2、TH2、TH3、TH4、TH5、TH6:貫孔 T19A、T22:最大厚度 W1、W2:寬度 A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’:剖線
圖1A及圖1B分別是根據本揭露的第一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。 圖2A及圖2B分別是根據本揭露的第二實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。 圖3A及圖3B分別是根據本揭露的第三實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。 圖4A及圖4B分別是根據本揭露的第四實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。 圖5A及圖5B分別是根據本揭露的第五實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。 圖6A及圖6B分別是根據本揭露的第六實施例的電子裝置的局部剖面示意圖和局部俯視示意圖。 圖7至圖9是根據本揭露的第一實施例的電子裝置的製造流程的局部剖面示意圖。 圖10至圖13是根據本揭露的第二實施例的電子裝置的製造流程的局部剖面示意圖。 圖14及圖15分別是根據本揭露的第七實施例及第八實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖16A至圖16D是根據本揭露的第九實施例的電子裝置的製造流程的局部示意圖。
1:電子裝置
10:基板
11:第一電極
12:第二電極
13:調變元件
14:第一焊件
15:開關元件
16:第三電極
17:第二焊件
18:第四電極
19:隔離層
20:鈍化層
21:保護層
A1、A2:開口
C1:第一導電層
C2:第二導電層
D1:第一方向
D2:第二方向
D3:第三方向
G1、G2、G3:間隙
P1、P2、P3、P4:接墊
PT1、PT2:導電圖案
TH1-1、TH1-2:貫孔
A-A’:剖線

Claims (13)

  1. 一種電子裝置，包括：基板；第一電極，設置在所述基板上；第二電極，設置在所述基板上；第三電極，設置在所述基板上；調變元件，設置在所述基板上且包括至少兩個接墊；第一焊件，設置在所述第一電極和所述調變元件的一個接墊之間；第二焊件，設置在所述第三電極和所述調變元件的另一個接墊之間；以及開關元件，設置在所述基板上，其中所述調變元件的所述一個接墊依序經由所述第一焊件、所述第一電極以及所述第二電極電連接至所述開關元件，所述調變元件的所述另一個接墊經由所述第二焊件電連接所述第三電極，其中，所述第三電極以及所述第一電極同層製作，所述第一電極與所述第三電極所接收的訊號不同。
  2. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第三電極以及所述第一電極彼此分離。
  3. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一電極設置在所述基板和所述第二電極之間，且所述第二電極設置在所述第一電極和所述開關元件之間。
  4. 一種電子裝置，包括：基板；第一電極，設置在所述基板上；開關元件，設置在所述基板上；調變元件，設置在所述基板上且包括至少兩個接墊；以及介電膜，設置在所述第一電極和所述調變元件之間，其中所述調變元件電耦合所述第一電極，且所述調變元件的一個接墊電連接所述開關元件。
  5. 如請求項4所述的電子裝置，還包括：第二電極，設置在所述基板上且電連接所述開關元件以及所述調變元件的所述一個接墊；以及第三電極，設置在所述基板上且電耦合所述調變元件的另一個接墊。
  6. 如請求項5所述的電子裝置，其中所述第三電極以及所述第一電極同層製作。
  7. 如請求項5所述的電子裝置，其中所述第三電極以及所述第一電極彼此分離。
  8. 如請求項4所述的電子裝置，還包括：第二電極，設置在所述基板上且電連接所述開關元件以及所 述調變元件的所述一個接墊；以及第三電極，設置在所述基板上且電連接所述調變元件的另一個接墊。
  9. 如請求項8所述的電子裝置，其中所述第三電極以及所述第一電極同層製作。
  10. 如請求項8所述的電子裝置，其中所述第三電極以及所述第一電極彼此分離。
  11. 如請求項8所述的電子裝置，其中所述第一電極設置在所述基板和所述第二電極之間，且所述第二電極設置在所述第一電極和所述開關元件之間。
  12. 一種電子裝置，包括：基板；第一電極，設置在所述基板上；第二電極，設置在所述基板上；調變元件，設置在所述基板上且包括至少兩個接墊；第一焊件，設置在所述第一電極和所述調變元件的一個接墊之間且電連接所述第一電極和所述調變元件的所述一個接墊；第三電極，設置在所述基板上且電連接所述調變元件的另一個接墊，其中所述第三電極以及所述第一電極彼此分離；以及開關元件，設置在所述基板上，其中所述第一電極依序經由所述第一焊件以及所述第二電極電連接至所述開關元件。
  13. 如請求項12所述的電子裝置，其中所述第三電極以及所述第一電極同層製作。
TW110148659A 2021-01-06 2021-12-24 電子裝置 TWI833143B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163134186P 2021-01-06 2021-01-06
US63/134,186 2021-01-06
CN202111284065 2021-11-01
CN202111284065.X 2021-11-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202228488A TW202228488A (zh) 2022-07-16
TWI833143B true TWI833143B (zh) 2024-02-21

Family

ID=82219016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110148659A TWI833143B (zh) 2021-01-06 2021-12-24 電子裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220216302A1 (zh)
CN (1) CN114725071A (zh)
TW (1) TWI833143B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090153421A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Ahmadreza Rofougaran Method and system for an integrated antenna and antenna management
US20190069403A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Tactotek Oy Ecological multilayer structure for hosting electronics and related method of manufacture
CN111952193A (zh) * 2019-05-15 2020-11-17 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 具有嵌入层压叠置件中的表面可接触部件的部件承载件

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150937A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Murata Mfg Co Ltd アンテナ構造およびそれを備えた通信機
WO2007094111A1 (ja) * 2006-02-14 2007-08-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. アンテナ構造およびそれを用いた無線通信装置
US9972877B2 (en) * 2014-07-14 2018-05-15 Palo Alto Research Center Incorporated Metamaterial-based phase shifting element and phased array

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090153421A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Ahmadreza Rofougaran Method and system for an integrated antenna and antenna management
US20190069403A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Tactotek Oy Ecological multilayer structure for hosting electronics and related method of manufacture
CN111952193A (zh) * 2019-05-15 2020-11-17 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 具有嵌入层压叠置件中的表面可接触部件的部件承载件

Also Published As

Publication number Publication date
CN114725071A (zh) 2022-07-08
US20220216302A1 (en) 2022-07-07
TW202228488A (zh) 2022-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6269127B2 (ja) 高周波モジュール及びその製造方法
JP4572343B2 (ja) 電子基板、半導体装置および電子機器
US7078331B2 (en) Method of forming redistribution bump and semiconductor chip and mount structure fabricated using the same
US11088098B2 (en) Integrated structures with antenna elements and IC chips employing edge contact connections
JP2007235034A (ja) 電子基板、半導体装置および電子機器
JP6372113B2 (ja) 高周波モジュール及びその製造方法
JP2014236291A (ja) モード変換器
JP2014146982A (ja) 無線モジュール及び無線モジュールの製造方法
JP5702418B2 (ja) モード変換器
JP2010267666A (ja) 半導体装置
CN116264199A (zh) 基板结构及电子装置
US8018392B2 (en) Antenna element and semiconductor device
TWI834090B (zh) 電子裝置
TWI833143B (zh) 電子裝置
CN111128909A (zh) 一种射频系统微型封装结构及其制备方法
EP4027458A1 (en) Electronic device
CN112020199B (zh) 内埋式电路板及其制作方法
JP5083360B2 (ja) 電子基板、半導体装置および電子機器
TWI843071B (zh) 電子裝置
JPWO2020158213A1 (ja) 電磁バンドギャップ構造、及び、パッケージ構造
US20220200652A1 (en) Manufacturing method of electronic device
US20230395484A1 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
WO2020004345A1 (ja) 高周波受動部品
TW202327168A (zh) 天線裝置及其製造方法
JP2009273090A (ja) 半導体装置、通信モジュールおよび電子機器