TWI830256B

TWI830256B - Ｌｅｄ晶片之移載方法

Info

Publication number: TWI830256B
Application number: TW111122579A
Authority: TW
Inventors: 山田一幸; 浅田圭介; 武政健一; 磯野大樹
Original assignee: 日商日本顯示器股份有限公司
Priority date: 2021-06-29
Filing date: 2022-06-17
Publication date: 2024-01-21
Also published as: JP2023005499A; TW202318623A

Abstract

本發明提供一種包含修理用之LED晶片之LED晶片形成基板。

LED晶片形成基板包含：第1區域，其包含沿第1方向具有第1節距而配置之複數個第1LED晶片；及第2區域，其位於第1區域之周邊部，包含沿第1方向具有較第1節距大之第2節距而配置之複數個第2LED晶片；且第1LED晶片與第2LED晶片具有同一發光色。又，複數個第2LED晶片之數目為複數個第1LED晶片之數目之0.1%以上10%以下。

Description

LED晶片之移載方法

本發明之一實施形態係關於一種形成有LED晶片之LED晶片形成基板。又，本發明之一實施形態係關於一種使用LED晶片形成基板將LED晶片移載至背板的LED晶片之移載方法。

於智慧型手機等中小型顯示裝置中，已將使用液晶或OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)之顯示裝置產品化。特別是，使用自發光型元件即OLED之OLED顯示裝置與液晶顯示裝置相比，有高對比度且不需背光源之優點。然而，由於OLED係由有機化合物構成，故起因於有機化合物之劣化而難以確保OLED顯示裝置之高可靠性。

近年來，作為次世代顯示裝置，推進在電路基板之像素電路安裝有微小之LED晶片之所謂微型LED顯示裝置(或小型LED顯示裝置)之開發(例如，專利文獻1)。LED係與OLED同樣之自發光型元件，但與OLED不同的是以含有鎵(Ga)、或銦(In)等之無機化合物構成。因此，與OLED顯示裝置相比，微型LED顯示裝置易於確保高可靠性。進而，LED晶片之發光效率及亮度較OLED顯示裝置高。因此，微型LED顯示裝置作為高可靠性、高亮度、及高對比度之次世代顯示裝置受到期待。

微型LED顯示裝置與OLED顯示裝置不同，於其製造方法中，具有將LED晶片移載至背板之步驟。例如，於專利文獻1中，揭示藉由雷射光之照射將微型LED晶片移載至背板之方法。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1] 日本特表2019-511838號公報

當在微型LED晶片之移載中發生不良時，需要修理不良部位。然而，微型LED晶片細微，且微型LED晶片單體之操作非常困難。因此，因不良部位之修理所致之成品率之下降、或製造成本之上升成為問題。

本發明之一實施形態鑒於上述問題，目的之一在於提供一種包含修理用之LED晶片之LED晶片形成基板。又，本發明之一實施形態之目的之一在於提供一種可使用LED晶片形成基板進行修理的LED晶片之移載方法。

本發明之一實施形態之LED晶片形成基板包含：第1區域，其包含沿第1方向具有第1節距而配置之複數個第1LED晶片；及第2區域，其位於第1區域之周邊部，包含沿第1方向具有較第1節距大之第2節距而配置之第2LED晶片；且第1LED晶片與前述第2LED晶片具有同一發光色。

本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法係將包含第1區域及第2區域之LED晶片形成基板，分離成包含第1區域之第1基板與包含複數個第2LED晶片之1個之第2基板，該第1區域包含沿第1方向具有第1節距而配置之複數個第1LED晶片，該第2區域位於第1區域之周邊部，包含沿第1方向具有較第1節距大之第2節距而配置之複數個第2LED晶片，使用第1基板將複數個第1LED晶片之1個或複數個移載至背板，使用第2基板，將複數個第2LED晶片之1個移載至背板。

10:LED晶片形成基板

11:第1移載基板

11B:第1藍色移載基板

11G:第1綠色移載基板

11R:第1紅色移載基板

12:第2移載基板

12B:第2藍色移載基板

30:背板

30-1:第1背板

30-2:第2背板

30-3:第3背板

100:支持基板

110:第1區域

120:第2區域

200-1:第1LED晶片

200-2:第2LED晶片

200B:藍色LED晶片

200B-1:第1藍色LED晶片

200B-2:第2藍色LED晶片

200G:綠色LED晶片

200G-1:第1綠色LED晶片

200R:紅色LED晶片

200R-1:第1紅色LED晶片

210:剝離層

220,220A:連接構件

310,310A:接著構件

A1-A2:線

B1,C1,D1:區域

p1:第1節距

p2:第2節距

圖1A係本發明之一實施形態之LED晶片形成基板之示意性之平面圖。

圖1B係本發明之一實施形態之LED晶片形成基板之示意性之剖面圖。

圖2係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，LED晶片形成基板之切斷之示意圖。

圖3A係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，使用第1移載基板移載第1LED晶片之步驟之示意圖。

圖3B係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，使用第1移載基板移載第1LED晶片之步驟之示意圖。

圖3C係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，使用第1移載基板移載第1LED晶片之步驟之示意圖。

圖3D係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，使用第1移載基板移載第1LED晶片之步驟之示意圖。

圖3E係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，使用第1移載基板移載第1LED晶片之步驟之示意圖。

圖3F係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，使用第1移載基板移載第1LED晶片之步驟之示意圖。

圖4A係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，使用第2移載基板移載第2LED晶片之步驟之示意圖。

圖4B係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，使用第2移載基板移載第2LED晶片之步驟之示意圖。

圖4C係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，使用第2移載基板移載第2LED晶片之步驟之示意圖。

圖5係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，修理之步驟之示意圖。

圖6係說明在本發明之一實施形態之LED晶片之移載方法中，修理之步驟之示意圖。

以下，對於本發明之各實施形態，一面參照圖式一面進行說明。再者，揭示終極而言僅為一例。關於本領域技術人員藉由保持發明之主旨且適當變更實施形態之構成而可容易地想到之構成，當然包含於本發明之範圍內。又，圖式為使說明更加明確，有時與實際態樣相比而將各部分之寬度、厚度、形狀等示意性地顯示。然而，所圖示之形狀終極而言僅為一例，並非係限定本發明之解釋者。又，在本說明書及各圖中，有時對於與已出現之圖中所描述之部件相同之部件在同一符號之後賦予字母，且適當省略詳細之說明。

於本說明書中，為了便於說明，而使用「上」或「上方」或者「下」或「下方」之語句，原則上以形成有構造物之基板為基準，將自基板朝構造物之方向設為「上」或「上方」。反之，將自構造物朝基板之方向設為「下」或「下方」。因此，於基板上之構造物等表現中，與基板相向之方向之構造物之面成為構造物之下表面，其相反側之面成為構造物之上表面。又，於基板上之構造物等表現中，僅說明基板與構造物之上下關係，亦可在基板與構造物之間配置其他構件。進而，「上」或「上方」或者「下」或「下方」之語句意指積層有複數個層之構造中之積層順序，可無在俯視下重疊之位置關係。

於本說明書中，「α包含A、B或C」、「α包含A、B及C中之任一者」、「α包含選自由A、B及C所組成之群中之一者」等表現，只要無特別明示，則不排除α包含A~C之複數個組合之情形。進而，該等表現亦不排除α包含其他部件之情形。

以下之各實施形態只要不產生技術矛盾，則可相互組合。

<第1實施形態>

[1.LED晶片形成基板10之構成]

參照圖1A及圖1B，對於本發明之一實施形態之LED晶片形成基板10之構成進行說明。

圖1A及圖1B係本發明之一實施形態之LED晶片形成基板10之示意性之平面圖及剖面圖。具體而言，圖1B係沿著圖1A所示之A1-A2線切斷之放大剖面圖。

如圖1A所示般，LED晶片形成基板10在支持基板100上形成有第1區域110及第2區域120。第1區域110形成於支持基板100之中央部。第2區域120形成於支持基板100之周邊部。換言之，第2區域120形成於第1區域110之周邊部。

第2區域120可形成複數個。該情形下，複數個第2區域120可在第1區域110之周邊部分隔形成。

於俯視下，第1區域110及第2區域120各者形成為矩形。惟，第1區域110及第2區域120各者並不限於矩形，可形成為任意之形狀。

如圖1B所示般，於第1區域110，在支持基板100上形成有複數個第1LED晶片200-1。又，於第2區域120，在支持基板100上形成有複數個第2LED晶片200-2。第1LED晶片200-1與第2LED晶片200-2具有同一發光色(例如，藍色、綠色、或紅色)。亦即，第1LED晶片200-1與第2LED晶片200-2具有同一構造。因此，以下，在對第1LED晶片200-1與第2LED晶片200-2不予特別區別時，有作為LED晶片200而說明之情形。又，為了說明LED晶片200之發光色之不同，有作為藍色LED晶片200B、綠色LED晶片200G、及紅色LED晶片200R而說明之情形。

構成LED晶片200之各層(例如，陰極電極、n型半導體層、發光層、p型半導體層、或陽極電極等)形成於支持基板100上。因此，支持基板100較佳為可使各層結晶成長之基板。支持基板100例如為藍寶石基板。然而，支持基板100之構成並不限於此。支持基板100亦可為轉印有使用其他基板形成之LED晶片200之基板。該情形下，作為支持基板100，可使用玻璃基板、石英基板、或樹脂基板等具有透光性之基板。作為樹脂基板，可使用聚醯亞胺基板、丙烯酸基板、矽氧烷基板、或氟樹脂基板等具有可撓性之基板。再者，在使用雷射光將LED晶片200移載至背板時，支持基板100較佳為使雷射光透過之透光性基板。再者，「背板」係指形成有控制LED晶片200之電路之基板。於背板中，可在與電路電性連接之電極上，設置導電性之接著構件。

於支持基板100與LED晶片200之間，設置剝離層210。在將LED晶片200移載至背板時，LED晶片200係於剝離層210上自支持基板100分離。剝離層210例如為氮化鎵薄膜。氮化鎵薄膜可吸收波長248nm之雷射光。因此，在剝離層210為氮化鎵薄膜時，若照射波長248nm之雷射光，則氮化鎵分解成金屬鎵與氮氣，而可將LED晶片200自支持基板100分離。換言之，可剝離LED晶片200。

圖1B所示之剝離層210係就每一LED晶片200而島狀設置，但剝離層210之構成並不限於此。剝離層210亦可設置於第1區域110及第2區域120之整面。再者，剝離層210係根據需要設置，LED晶片形成基板10亦可設為不包含剝離層210之構成。

於LED晶片200上，設置有連接構件220。連接構件220在將LED晶片200移載至背板時，與背板之電極電性連接。因此，連接構件220具有導電性，例如為銀膏糊、焊料(Sn)、含有金屬奈米粒子之膏糊、或各向異性導電膜(ACF)等。再者，連接構件220根據需要而設置，LED晶片形成基板10亦可設為不包含連接構件220之構成。

如上述般，第1LED晶片200-1與第2LED晶片200-2具有同一構造。然而，形成於第1區域110之複數個第1LED晶片200-1與形成於第2區域120之複數個第2LED晶片200-2具有不同之節距。於第1方向(x軸方向)上，複數個第1LED晶片200-1及複數個第2LED晶片200-2分別具有第1節距p1及第2節距p2。第2節距p2大於第1節距p1。再者，雖未圖示，但在與第1方向正交之第2方向(y軸方向)上，複數個第1LED晶片200-1及複數個第2LED晶片200-2分別具有第3節距p3及第4節距p4。第4節距p4大於第3節距p3。

詳情將於後述，基本而言，將第1LED晶片200-1移載至背板。相對於此，第2LED晶片200-2為了不良部位之修理而使用。換言之，LED晶片形成基板10包含僅匯集特化為修理之第2LED晶片200-2之第2區域120。因此，形成於第1區域110之第1LED晶片200-1之數目，遠多於形成於第2區域120之第2LED晶片200-2之數目。例如，形成於第2區域120之第2LED晶片200-2之數目為形成於第1區域110之第1LED晶片200-1之數之0.1%以上10%以下。又，第2節距p2例如為1mm以上5mm以下。

省略LED晶片200之詳細之構造，LED晶片200可為電極配置於垂直方向之垂直電極構造，亦可為電極配置於水平方向之水平電極構造。LED晶片200之一邊之長度例如為1μm以上100μm以下。

[2.LED晶片200之移載方法]

參照圖2~圖4C，對於LED晶片200向背板之移載方法進行說明。

[2-1.LED晶片形成基板10之切斷步驟]

圖2係說明在本發明之一實施形態之LED晶片200之移載方法中，LED晶片形成基板10之切斷之示意圖。

如圖2所示般，LED晶片形成基板10以分離成第1移載基板11與複數個第2移載基板12之方式被切斷。第1移載基板11包含第1區域110。亦即，第1移載基板11以包含形成於第1區域110之複數個第1LED晶片200-1之方式被切斷。第2移載基板12以包含形成於第2區域120之1個第2LED晶片200-2之方式被切斷。亦即，第2移載基板12切斷成複數個。

第1移載基板11之大小與第1區域110之大小大致相同。惟，在背板之大小小於LED晶片形成基板10之大小時，第1移載基板11可配合背板之大小而切斷成複數個。

因第2移載基板12以包含1個第2LED晶片200-2之方式被均等地切斷，故其大小依存於第2節距p2及第4節距p4。第2移載基板12之一邊之長度例如為1mm以上5mm以下。若第2移載基板12之大小過小，則難以在不良部位之修理時操作第2移載基板12(例如，保持、固持、或吸附第2移載基板12)。又，若第2移載基板12之大小過大，則因第1移載基板11之第1LED晶片200-1之數目減少，故製造成本上升。因此，第2移載基板12之大小較佳為上述範圍。

基本而言，LED晶片200向背板之移載，係使用第1移載基板11進行。第2移載基板12在不良部位之修理時使用。

[2-2.使用第1移載基板11之LED晶片200之移載步驟]

圖3A~圖3F係說明在本發明之一實施形態之LED晶片200之移載方法中，使用第1移載基板11移載第1LED晶片200-1之步驟之示意圖。

於圖3A中，將形成有第1藍色LED晶片200B-1之第1藍色移載基板11B壓抵於第1背板30-1，使第1藍色LED晶片200B-1上之連接構件220密接於第1背板30-1之接著構件310。再者，作為接著構件310，可使用與連接構件220同樣之材料。接著，選擇性地對剝離層210照射雷射光，使第1 藍色LED晶片200B-1剝離。連接構件220與接著構件310藉由第1藍色LED晶片200B-1之剝離之能量接著，進而，可對連接構件220及接著構件310選擇性地加熱，以使接著牢固。再者，連接構件220及接著構件310之選擇性之加熱，例如可照射與剝離不同之波長之雷射光而進行。

同樣地，將形成有第1綠色LED晶片200G-1之第1綠色移載基板11G壓抵於第2背板30-2，選擇性地使第1綠色LED晶片200G-1剝離。又，同樣地，將形成有第1紅色LED晶片200R-1之第1紅色移載基板11R壓抵於第3背板30-3，選擇性地使第1紅色LED晶片200R-1剝離。

於圖3B中，使第1藍色移載基板11B自第1背板30-1離開。選擇性地剝離之第1藍色LED晶片200B-1，自第1藍色移載基板11B移載至第1背板30-1。

同樣地，使第1綠色移載基板11G自第2背板30-2離開，選擇性地被剝離之第1綠色LED晶片200G-1移載至第2背板30-2。又，同樣地，使第1紅色移載基板11R自第3背板30-3離開，選擇性地被剝離之第1紅色LED晶片200R-1移載至第3背板。

於圖3C中，將一部分第1紅色LED晶片200R-1被移載之第1紅色移載基板11R(亦即，具有缺少第1紅色LED晶片200R-1之部分之第1紅色移載基板11R)壓抵於第1背板30-1，使第1紅色LED晶片200R-1上之連接構件220密接於第1背板30-1之接著構件310。第1藍色LED晶片200B-1移載至第1背板30-1，第1背板30-1上之第1藍色LED晶片200B-1可嵌入缺少第1紅色LED晶片200R-1之部分。因此，移載至第1背板30-1之第1藍色LED晶片200B-1不會造成干擾，而可將第1紅色移載基板11R壓抵於第1背板30-1。接著，選擇性地對剝離層210照射雷射光，使第1紅色LED晶片200R-1剝離。

同樣地，將一部分第1藍色LED晶片200B-1被移載之第1藍色移載基板11B(亦即，具有缺少第1藍色LED晶片200B-1殘缺之部分之第1藍色移載基板11B)壓抵於第2背板30-2，選擇性地使第1藍色LED晶片200B-1剝離。又，同樣地，將一部分第1綠色LED晶片200G-1被移載之第1綠色移載基板11G(亦即，具有缺少第1綠色LED晶片200G-1之部分之第1綠色移載基板11G)壓抵於第3背板30-3，選擇性地使第1綠色LED晶片200G-1剝離。

於圖3D中，使第1紅色移載基板11R自第1背板30-1離開。選擇性地被剝離之第1紅色LED晶片200R-1，自第1紅色移載基板11R移載至第1背板30-1。

同樣地，使第1藍色移載基板11B自第2背板30-2離開，選擇性地被剝離之第1藍色LED晶片200B-1移載至第2背板30-2。又，同樣地，使第1綠色移載基板11G自第3背板30-3離開，選擇性地被剝離之第1綠色LED晶片200G-1移載至第3背板。

於圖3E中，將一部分第1綠色LED晶片200G-1被移載之第1綠色移載基板11G(亦即，具有缺少第1綠色LED晶片200G-1之部分之第1綠色移載基板11G)壓抵於第1背板30-1，使第1綠色LED晶片200G-1上之連接構件220密接於第1背板30-1之接著構件310。第1藍色LED晶片200B-1及第1紅色LED晶片200R-1移載至第1背板30-1，第1背板30-1上之第1藍色LED晶片200B-1及第1紅色LED晶片200R-1可嵌入缺少第1綠色LED晶片200G-1之部分。因此，移載至第1背板30-1之第1藍色LED晶片200B-1及第1紅色LED晶片200R-1不會造成干擾，而可將第1綠色移載基板11G壓抵於第1背板30-1。接著，選擇性地對剝離層210照射雷射光，使第1綠色LED晶片200G-1剝離。

同樣地，將一部分第1紅色LED晶片200R-1被移載之第1紅色移載基板11R(亦即，具有缺少第1紅色LED晶片200R-1之部分之第1紅色移載基板11R)壓抵於第2背板30-2，選擇性地使第1紅色LED晶片200R-1剝離。又，將一部分第1藍色LED晶片200B-1被移載之第1藍色移載基板11B(亦即，具有缺少第1藍色LED晶片200B-1之部分之第1藍色移載基板11B)壓抵於第3背板30-3，選擇性地使第1藍色LED晶片200B-1剝離。

於圖3F中，使第1綠色移載基板11G自第1背板30-1離開。選擇性地被剝離之第1綠色LED晶片200G-1，係自第1綠色移載基板11G移載至第1背板30-1。

同樣地，使第1紅色移載基板11R自第2背板30-2離開，選擇性地被剝離之第1紅色LED晶片200R-1係移載至第2背板30-2。又，同樣地，使第1藍色移載基板11B自第3背板30-3離開，選擇性地被剝離之第1藍色LED晶片200B-1係移載至第3背板。

藉由以上之步驟，可將複數個LED晶片200匯集性地移載至第1背板30-1、第2背板30-2、及第3背板30-3各者。然而，於LED晶片200之移載中發生各種不良。該情形下，可使用第2移載基板12進行不良部位之修理。

[2-3.使用第2移載基板12之LED晶片200之移載步驟]

圖4A~圖4C係說明本發明之一實施形態之LED晶片200之移載方法中，使用第2移載基板12移載第2LED晶片200-2之步驟之示意圖。

於圖4A中，於第1背板30-1之區域B1，發生缺少LED晶片200之不良。亦即，於區域B1內，缺少原本應移載之第1藍色LED晶片200B-1。

再者，區域B1內之不良不僅包含未移載有第1藍色LED晶片200B-1之不良，亦包含在第1藍色移載基板11B之第1藍色LED晶片200B-1發現缺陷，而選擇性地不移載第1藍色LED晶片200B-1之情形。又，在已移載之第1藍色LED晶片200B-1發現缺陷，去除已移載之第1藍色LED晶片200B-1之情形亦為區域B1內之不良。

於圖4B中，將形成有第2藍色LED晶片200B-2之第2藍色移載基板 12B壓抵於第1背板30-1，使第2藍色LED晶片200B-2上之連接構件220密接於第1背板30-1之接著構件310。接著，選擇性地使第1藍色LED晶片200B-1剝離。

於第2藍色移載基板12B，設置有1個第2藍色LED晶片200B-2。亦即，於第2藍色LED晶片200B-2之周圍，未設置自支持基板100突出之物。因此，第2藍色移載基板12B之第2藍色LED晶片200B-2可嵌入區域B1。亦即，移載至第1背板30-1之第1藍色LED晶片200B-1、第1綠色LED晶片200G-1、及第1紅色LED晶片200R-1不會造成干擾，而可將第2藍色移載基板12B壓抵於第1背板30-1。

再者，第2藍色移載基板12B之按壓(或壓入量)可小於第1藍色移載基板11B之按壓(或壓入量)。藉由設為如此之條件，可防止與移載至背板30之LED晶片200之干涉。

於圖4C中，使第2藍色移載基板12B自第1背板30-1離開。於區域B1中，選擇性地被剝離之第2藍色LED晶片200B-2，自第2藍色移載基板12B移載至第1背板30-1。

藉由以上之步驟，可使用第2移載基板12個別地修理不良部位

LED晶片形成基板10包含：第1區域110，其為了匯集性地移載而以具有第1節距p1之方式配置LED晶片200；及第2區域120，其以具有較第1 節距p1大之第2節距p2方式配置LED晶片200。又，LED晶片形成基板10分離成可匯集性地移載LED晶片200之第1移載基板11、與可個別地移載LED晶片200之第2移載基板12而使用。特別是，第2移載基板12可為了不良部位之修理而使用。亦即，LED晶片形成基板10於1個支持基板100上形成至少具有2個節距之LED晶片200，而無需另外製造修理用之LED晶片200。又，因形成於LED晶片形成基板10之LED晶片之節距被調整，故在修理時容易進行操作。因此，使用LED晶片形成基板10的LED晶片之移載，可提高不良部位之修理之成品率，且可抑制製造成本。

<第2實施形態>

參照圖5，對於與第1實施形態不同之LED晶片200之移載方法進行說明。以下，在本實施形態之LED晶片200之移載方法包含與第1實施形態之LED晶片200之移載方法相同之步驟時，有省略其說明之情形。

圖5係說明在本發明之一實施形態之LED晶片200之移載方法中，修理之步驟之示意圖。

於圖5中，在背板30之區域C1，發生缺少LED晶片200之不良。亦即，於區域C1，缺少原本應移載之第1藍色LED晶片200B-1。該情形下，使區域C1之接著構件310A之厚度大於移載有LED晶片200之接著構件310之厚度。例如，可於區域C1，新形成接著構件310A，亦可對接著構件310進一步塗佈焊料等而形成接著構件310A。

於本實施形態中，在將第2藍色移載基板12B壓抵於背板30時，可在第2藍色移載基板12B與背板30之間以接著構件310A之厚度與接著構件310之厚度之差而形成過多之間隙。因此，可在不與已經移載至背板30之LED晶片200接觸下，將第2藍色移載基板12B壓抵於背板30。因此，於區域C1，可使按壓集中在第2藍色LED晶片200B-2，而可確實地將第2藍色LED晶片200B-2移載至背板30。

<第3實施形態>

參照圖6，對於與第1實施形態及第2實施形態不同之LED晶片200之移載方法進行說明。以下，在本實施形態之LED晶片200之移載方法包含與第1實施形態及第2實施形態之LED晶片之移載方法相同之步驟時，有省略其說明之情形。

於圖6中，在背板30之區域D1內，發生缺少LED晶片200之不良。亦即，於區域D1，缺少原本應移載之第1藍色LED晶片200B-1。該情形下，使第2藍色移載基板12B之第2藍色LED晶片200B-2上之連接構件220A之厚度大於第1藍色LED晶片200B-1上之連接構件220之厚度。例如，可於形成於LED晶片形成基板10之第2區域120之第2LED晶片上，形成厚度與連接構件220不同之連接構件220A，亦可在連接構件220進一步塗佈焊料等，而形成連接構件220A。

於本實施形態中，在將第2藍色移載基板12B壓抵於背板30時，可在第2藍色移載基板12B與背板30之間以連接構件220A之厚度與連接構件 220之厚度之差而形成過多之間隙。因此，可在不與已經移載至背板30之LED晶片200接觸下，將第2藍色移載基板12B壓抵於背板30。因此，於區域D1，可使按壓集中在第2藍色LED晶片200B-2，而可確實地將第2藍色LED晶片200B-2移載至背板30。

作為本發明之實施形態，上述各實施形態只要不互相矛盾，可適當地組合而實施。又，以各實施形態為基礎，由本領域技術人員適當地進行構成部件之追加、削除或設計變更者，或進行步驟之追加、省略或條件變更者，只要具備本發明之要旨皆包含於本發明之範圍內。

即便是與由上述各實施方式之態樣所帶來之作用效果不同之其他作用效果，若係根據本說明書之記載顯而易知者，或由本領域技術人員可容易地預測者，應當理解為係本發明所帶來之作用效果。

10:LED晶片形成基板

100:支持基板

110:第1區域

120:第2區域

A1-A2:線

Claims

一種LED晶片之移載方法，其包含如下步驟：將包含第1區域及第2區域之LED晶片形成基板，分離成包含前述第1區域之第1移載基板及包含複數個第2LED晶片之1個之第2移載基板，且該第1區域包含沿第1方向具有第1節距而配置之複數個第1LED晶片，該第2區域位於前述第1區域之周邊部，包含沿前述第1方向具有較前述第1節距大之第2節距而配置之前述複數個第2LED晶片；使用前述第1移載基板，將前述複數個第1LED晶片之1個或複數個移載至背板，使用前述第2移載基板，將前述複數個第2LED晶片之1個移載至前述背板。
如請求項1之LED晶片之移載方法，其中前述第1LED晶片與前述第2LED晶片具有同一發光色。
如請求項1之LED晶片之移載方法，其中前述複數個第2LED晶片之數目為前述複數個第1LED晶片之數目之0.1%以上10%以下。
如請求項1之LED晶片之移載方法，其中前述第2移載基板之一邊之長度為1mm以上5mm以下。
如請求項1之LED晶片之移載方法，其中自前述LED晶片形成基板分離成複數個前述第2移載基板。
如請求項1之LED晶片之移載方法，其中前述第1LED晶片及前述第2LED晶片之一邊之長度為1μm以上100μm以下。
如請求項1至6中任一項之LED晶片之移載方法，其中使用前述第1移載基板之移載係藉由利用第1按壓將前述第1移載基板壓抵於前述背板而進行，使用前述第2移載基板之移載係藉由利用第2按壓將前述第2移載基板壓抵於前述背板而進行，前述第2按壓小於前述第1按壓。
如請求項1至6中任一項之LED晶片之移載方法，其中在使用前述第1移載基板之移載中，設置於前述複數個第1LED晶片之1個或複數個各者之上之第1連接構件係接著於前述背板，在使用前述第2移載基板之移載中，設置於前述複數個第2LED晶片之1個之上之第2連接構件係接著於前述背板，前述第2連接構件之厚度大於前述第1連接構件之厚度。