TWI830233B - 加工裝置、及加工品的製造方法 - Google Patents

加工裝置、及加工品的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI830233B
TWI830233B TW111118974A TW111118974A TWI830233B TW I830233 B TWI830233 B TW I830233B TW 111118974 A TW111118974 A TW 111118974A TW 111118974 A TW111118974 A TW 111118974A TW I830233 B TWI830233 B TW I830233B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
drying
moving
holding
holding mechanism
Prior art date
Application number
TW111118974A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202303718A (zh
Inventor
深井元樹
片岡昌一
堀聡子
坂上雄哉
山本裕子
Original Assignee
日商Ｔｏｗａ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ｔｏｗａ股份有限公司 filed Critical 日商Ｔｏｗａ股份有限公司
Publication of TW202303718A publication Critical patent/TW202303718A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI830233B publication Critical patent/TWI830233B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67236—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations the substrates being processed being not semiconductor wafers, e.g. leadframes or chips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/061—Work supports, e.g. adjustable steadies axially supporting turning workpieces, e.g. magnetically, pneumatically
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/06—Dust extraction equipment on grinding or polishing machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D7/00—Details of apparatus for cutting, cutting-out, stamping-out, punching, perforating, or severing by means other than cutting
    • B26D7/18—Means for removing cut-out material or waste
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Details Of Cutting Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明簡化裝置結構，減少佔據面積，並且使經單片化的加工對象物的收容空間小型化，且包括：加工台，保持密封完畢基板；第一保持機構，為了將密封完畢基板搬送至加工台而保持密封完畢基板；加工機構，將保持於加工台的密封完畢基板切斷而單片化；收容箱，將藉由加工機構而單片化的密封完畢基板落下並收容；第二保持機構，為了將製品自加工台搬送至收容箱而保持製品；搬送用移動機構，具有沿著加工台及收容箱的排列方向延伸且用以使第一保持機構及第二保持機構移動的共用的傳遞軸；以及加工用移動機構，使加工機構於水平面上於沿著傳遞軸的第一方向及與所述第一方向正交的第二方向上分別移動。

Description

加工裝置、及加工品的製造方法
本發明是有關於一種加工裝置、及加工品的製造方法。
先前，於將經樹脂密封的密封完畢基板等電子零件切斷而單片化時使用切斷裝置，但已知有例如如專利文獻1所示般的分割裝置。
該分割裝置中，被加工物搬入部件於Y軸方向上移動而將封裝基板搬送至保持台，一邊使該保持台於加工進給方向（X軸方向）上移動，一邊利用切削刀片切削封裝基板而分割成晶片尺寸封裝（Chip Scale Package，CSP）。於進行該切削時，自切斷水供給噴嘴向利用切削刀片的切斷部供給切削水。另外，於該分割裝置中，為了與將多個晶片尺寸封裝（CSP）排列並收容於托盤上的結構相比小型化，包括將多個晶片尺寸封裝（CSP）落入至晶片收容容器中進行散裝收容的散裝收容部件。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5947010號公報
然而，於所述分割裝置中，不僅於Y軸方向上搬送封裝基板，而且為了將封裝基板切削而使保持台於加工進給（X軸方向）上移動，因此裝置的佔據面積（footprint）變大。
另外，為了保護X軸方向移動部件免受因切削而產生的加工屑或切削水的影響，而X軸方向移動部件中需要保護構件。作為該保護構件，使用用以保護X軸方向移動部件的蛇腹構件及用以保護該蛇腹構件的蓋構件等。其結果，裝置結構變得複雜。
[發明所欲解決之課題]
因此，本發明是為了解決所述問題點而成，其主要課題在於，簡化裝置結構，減少佔據面積，並且使經單片化的加工對象物的收容空間小型化。 [解決課題之手段]
即，本發明的加工裝置的特徵在於包括：加工台，保持加工對象物；第一保持機構，為了將所述加工對象物搬送至所述加工台而保持所述加工對象物；加工機構，將保持於所述加工台的所述加工對象物切斷而單片化；收容箱，將藉由所述加工機構而單片化的所述加工對象物落下並收容；第二保持機構，為了將所述經單片化的所述加工對象物自所述加工台搬送至所述收容箱而保持所述經單片化的所述加工對象物；搬送用移動機構，具有沿著所述加工台及所述收容箱的排列方向延伸且用以使所述第一保持機構及所述第二保持機構移動的共用的傳遞軸；以及加工用移動機構，使所述加工機構於水平面上於沿著所述傳遞軸的第一方向及與所述第一方向正交的第二方向上分別移動。 [發明的效果]
根據如此構成的本發明，可簡化裝置結構，減少佔據面積，並且使經單片化的加工對象物的收容空間小型化。
接著，舉例對本發明進行更詳細說明。但是，本發明不由以下的說明限定。
如所述般，本發明的加工裝置的特徵在於包括：加工台，保持加工對象物；第一保持機構，為了將所述加工對象物搬送至所述加工台而保持所述加工對象物；加工機構，將保持於所述加工台的所述加工對象物切斷而單片化；收容箱，將藉由所述加工機構而單片化的所述加工對象物落下並收容；第二保持機構，為了將所述經單片化的所述加工對象物自所述加工台搬送至所述收容箱而保持所述經單片化的所述加工對象物；搬送用移動機構，具有沿著所述加工台及所述收容箱的排列方向延伸且用以使所述第一保持機構及所述第二保持機構移動的共用的傳遞軸；以及加工用移動機構，使所述加工機構於水平面上於沿著所述傳遞軸的第一方向及與所述第一方向正交的第二方向上分別移動。
若為所述加工裝置，則採用藉由沿著加工台及收容箱的排列方向延伸的共用的傳遞軸使第一保持機構及第二保持機構移動的結構，藉由加工用移動機構使加工機構於水平面上於沿著傳遞軸的第一方向及與所述第一方向正交的第二方向上分別移動，因此無需使加工台於第一方向及第二方向上移動便可將加工對象物單片化。因此，可不藉由滾珠螺桿機構等使加工台移動，而無需用以保護滾珠螺桿機構等的蛇腹構件及用以保護該蛇腹構件的蓋構件。其結果，可使加工裝置的裝置結構簡化。 另外，由於成為加工台不於水平面上於第一方向及第二方向上移動的結構，因此可削減加工台的移動空間及其周邊的無用空間，可減少加工裝置的佔據面積。 進而，將保持有經單片化的加工對象物的第二保持機構搬送至收容箱，使經單片化的加工對象物自該第二保持機構落下並收容於收容箱中，因此與先前的托盤收容的結構相比，可使收容空間小型化。藉此，亦可減少加工裝置的佔據面積。
作為傳遞軸及加工用移動機構的具體配置的態樣，理想的是所述傳遞軸以於所述加工用移動機構的上方橫穿所述加工用移動機構的方式配置。 若為所述結構，則可使沿著傳遞軸移動的第一保持機構於加工用移動機構的上方移動，從而可防止第一保持機構與加工用移動機構發生物理干擾。另外，可使沿著傳遞軸移動的第二保持機構於加工用移動機構的上方移動，從而可防止第二保持機構與加工用移動機構發生物理干擾。
作為所述第二保持機構的具體的實施態樣，理想的是所述第二保持機構吸附保持所述經單片化的所述加工對象物。
為了使經單片化的加工對象物自第二保持機構可靠地落下至收容箱，理想的是更包括自所述第二保持機構刮落所述經單片化的所述加工對象物的刮落構件。
為了於利用由移動用搬送機構進行的第二保持機構的移動的同時可靠地將經單片化的加工對象物刮落並收容於收容箱中，理想的是所述刮落構件固定於所述收容箱，藉由所述搬送用移動機構使所述第二保持機構相對於所述刮落構件移動，而將所述經單片化的所述加工對象物自所述第二保持機構刮落。
為了將經單片化的加工對象物乾燥，理想的是本發明的加工裝置更包括用以將所述經單片化的所述加工對象物乾燥的乾燥台。 於所述結構中，所述搬送用移動機構使所述第二保持機構自所述加工台移動至所述乾燥台，並自所述乾燥台移動至所述收容台。
作為用以將經單片化的加工對象物乾燥的具體的實施態樣，理想的是本發明的加工裝置更包括：乾燥機構，自所述乾燥台的上方噴射氣體，而將所述經單片化的所述加工對象物乾燥；以及乾燥用移動機構，使所述乾燥機構沿著所述乾燥台移動。
作為乾燥機構的具體的實施態樣，理想的是所述乾燥機構朝向利用所述乾燥用移動機構的移動方向噴射氣體。
作為使加工機構至少於作為第一方向的X方向及作為第二方向的Y方向上移動的移動機構的具體的實施態樣，理想的是所述加工用移動機構包括：X方向移動部，使所述加工機構於X方向上直線移動；以及Y方向移動部，使所述加工機構於Y方向上直線移動，所述X方向移動部具有：一對X方向導軌，隔著所述加工台沿著X方向設置；以及支撐體，沿著所述一對X方向導軌移動並且經由所述Y方向移動部支撐所述加工機構。 若為所述結構，則由於在X方向上設置的一對X方向導軌隔著加工台而設置，因此可增大一對X方向導軌的間距。其結果，可減小X方向導軌彼此的Z方向的位置偏移對加工造成的影響。即，可減小旋轉工具（例如刀片）與加工台的正交度的偏移，可提高加工精度。另外，對於X方向導軌，可使用規格較先前低的導軌。
另外，使用所述加工裝置來製造加工品的、加工品的製造方法亦為本發明的一態樣。
＜本發明的一實施形態＞ 以下，參照圖式對本發明的加工裝置的一實施形態進行說明。再者，關於以下所示的任一圖，均為了容易理解而適當省略或誇張地示意性地描繪。對相同的構成部件標註相同符號，適當省略說明。
＜加工裝置的整體結構＞ 本實施形態的加工裝置100為切斷裝置，所述切斷裝置藉由將作為加工對象物的密封完畢基板W切斷，而單片化為多個作為加工品的製品P。
此處，所謂密封完畢基板W，是對連接有半導體晶片、電阻元件、電容器元件等電子元件的基板，以至少對電子元件進行樹脂密封的方式進行了樹脂成形而成。作為構成密封完畢基板W的基板，可使用引線框架、印刷配線板，除了該些以外，亦可使用半導體製基板（包含矽晶圓等半導體晶圓）、金屬製基板、陶瓷製基板、玻璃製基板、樹脂製基板等。另外，對於構成密封完畢基板W的基板，可實施配線亦可不實施配線。
另外，本實施形態的密封完畢基板W及製品P成為基板的一面經樹脂成形的結構。於此種結構中，經樹脂成形的面是與基板連接的電子元件經樹脂密封的面，被稱為「密封面」或「封裝面」。另一方面，與經樹脂成形的面為相反側的未經樹脂成形的面露出通常作為製品的外部連接電極發揮功能的引線，因此被稱為引線面。在該引線為球柵陣列（Ball Grid Array，BGA）等電子零件中使用的突起狀電極的情況下，有時亦被稱為「球面」。進而，與經樹脂成形的面為相反側的未經樹脂成形的面亦存在未形成引線的形態，因此有時亦被稱為「基板面」。於本實施形態的說明中，將經樹脂成形的面記載為「密封面」或「封裝面」，將與經樹脂成形的面為相反側的未經樹脂成形的面記載為「引線面」。
具體而言，如圖1所示，切斷裝置100包括：兩個切斷用台（加工台）2A、2B，保持密封完畢基板W；第一保持機構3，為了將密封完畢基板W搬送至切斷用台2A、切斷用台2B而保持密封完畢基板W；切斷機構（加工機構）4，將保持於切斷用台2A、切斷用台2B的密封完畢基板W切斷；第二保持機構6，為了將多個製品P自切斷用台2A、切斷用台2B搬送至收容箱5而保持多個製品P；搬送用移動機構7，具有用以使第一保持機構3及第二保持機構6移動的共用的傳遞軸71；以及切斷用移動機構（加工用移動機構）8，使切斷機構4相對於保持於切斷用台2A、切斷用台2B的密封完畢基板W移動。再者，由第一保持機構3及搬送用移動機構7構成搬送密封完畢基板W的搬送機構（裝載機），由第二保持機構6及搬送用移動機構7構成搬送多個製品P的搬送機構（卸載機）。
於以下的說明中，將沿著切斷用台2A、切斷用台2B的上表面的平面（水平面）內相互正交的方向分別設為作為第一方向的X方向及作為第二方向的Y方向，將與X方向及Y方向正交的鉛垂方向設為Z方向。具體而言，將圖1的左右方向設為X方向，將上下方向設為Y方向。雖將後述，但X方向為支撐體812的移動方向，而且為與門型支撐體812的架設有一對腳部的樑部（橫樑部）的長度方向（樑部延伸的方向）正交的方向（參照圖2及圖3）。
＜切斷用台2A、切斷用台2B＞ 兩個切斷用台2A、2B於X方向、Y方向及Z方向上固定地設置。再者，切斷用台2A能夠藉由設置於切斷用台2A之下的旋轉機構9A於θ方向上旋轉。另外，切斷用台2B能夠藉由設置於切斷用台2B之下的旋轉機構9B於θ方向上旋轉。
該些兩個切斷用台2A、2B於水平面上沿著X方向設置。具體而言，兩個切斷用台2A、2B以該些的上表面位於同一水平面上（於Z方向位於相同高度位置）的方式配置（參照圖4），並且以該些上表面的中心（具體而言為利用旋轉機構9A、旋轉機構9B的旋轉中心）位於沿X方向延伸的同一直線上的方式配置（參照圖2及圖3）。
另外，兩個切斷用台2A、2B吸附保持密封完畢基板W，如圖1所示，與兩個切斷用台2A、2B對應地配置有用以吸附保持的兩個真空泵10A、10B。各真空泵10A、10B例如為水封式真空泵。
此處，切斷用台2A、切斷用台2B於XYZ方向上經固定，因此可縮短自真空泵10A、真空泵10B連接於切斷用台2A、切斷用台2B的配管（未圖示），可減少配管的壓力損失，而防止吸附力的降低。其結果，即便為例如1 mm見方以下的極小封裝，亦能可靠地吸附於切斷用台2A、切斷用台2B。另外，可防止配管的壓力損失所致的吸附力的降低，因此可減小真空泵10A、真空泵10B的容量，有助於小型化或成本降低。
＜第一保持機構3＞ 如圖1所示，第一保持機構3為了將密封完畢基板W自基板供給機構11搬送至切斷用台2A、切斷用台2B而保持密封完畢基板W。如圖5及圖6所示，所述第一保持機構3具有：吸附頭31，設置有用以吸附保持密封完畢基板W的多個吸附部311；以及真空泵（未圖示），連接於該吸附頭31的吸附部311。而且，吸附頭31藉由後述的搬送用移動機構7等移動至所期望的位置，藉此將密封完畢基板W自基板供給機構11搬送至切斷用台2A、切斷用台2B。
如圖1所示，基板供給機構11具有：基板收容部111，自外部收容多個密封完畢基板W；以及基板供給部112，使收容於該基板收容部111的密封完畢基板W移動至由第一保持機構3吸附保持的保持位置RP。所述保持位置RP是以於X方向上與兩個切斷用台2A、2B成為同行的方式設定。再者，基板供給機構11亦可具有為了使由第一保持機構3吸附的密封完畢基板W為柔軟的狀態以容易吸附而對所述密封完畢基板W進行加熱的加熱部113。
＜切斷機構4＞ 如圖1、圖2及圖3所示，作為加工機構的切斷機構4具有包含刀片41A、刀片41B及兩個心軸部42A、42B的兩個旋轉工具40。兩個心軸部42A、42B以該些的旋轉軸沿著Y方向的方式設置，安裝於該些心軸部的刀片41A、刀片41B以相互相向的方式配置（參照圖3）。心軸部42A的刀片41A及心軸部42B的刀片41B藉由在包含X方向及Z方向的面內旋轉，而將保持於各切斷用台2A、2B的密封完畢基板W切斷。再者，如圖4所示，於本實施形態的切斷裝置100設置有液體供給機構12，所述液體供給機構12具有為了抑制由刀片41A、刀片41B產生的摩擦熱而噴射切削水（加工液）的噴射噴嘴121。所述噴射噴嘴121例如支撐於後述的Z方向移動部83。
＜第二保持機構6＞ 如圖1所示，第二保持機構6為了將多個製品P自切斷用台2A、切斷用台2B搬送至乾燥台13或收容箱5而保持多個製品P。如圖8所示，所述第二保持機構6具有：吸附頭61，設置有用以吸附保持多個製品P的多個吸附部611；以及真空泵（未圖示），連接於該吸附頭61的吸附部611。然後，吸附頭61藉由後述的搬送用移動機構7等移動至所期望的位置，藉此將多個製品P自切斷用台2A、切斷用台2B搬送至乾燥台13，並自乾燥台13搬送至收容箱5。
＜搬送用移動機構7＞ 如圖1所示，搬送用移動機構7使第一保持機構3至少於基板供給機構11與切斷用台2A、切斷用台2B之間移動，並且使第二保持機構6至少於切斷用台2A、切斷用台2B與收容箱5之間移動。
而且，如圖1所示，搬送用移動機構7具有共用的傳遞軸71，所述共用的傳遞軸71沿著兩個切斷用台2A、2B及收容箱5的排列方向（X方向）呈一直線延伸，用以使第一保持機構3及第二保持機構6移動。
所述傳遞軸71設於下述範圍，即：第一保持機構3可移動至基板供給機構11的基板供給部112的上方，並且第二保持機構6可移動至收容箱5的上方（參照圖1）。另外，相對於所述傳遞軸71，第一保持機構3、第二保持機構6、切斷用台2A、切斷用台2B及收容箱5於俯視時設置於相同側（近前側）。此外，後述的第一清潔機構18及第二清潔機構19、乾燥台13亦相對於傳遞軸71而設置於相同側（近前側）。
進而，如圖5、圖6及圖8所示，搬送用移動機構7具有：主移動機構72，使第一保持機構3及第二保持機構6沿著傳遞軸71於X方向上移動；升降移動機構73，使第一保持機構3及第二保持機構6相對於傳遞軸71於Z方向上升降移動；以及水平移動機構74，使第一保持機構3及第二保持機構6相對於傳遞軸71於Y方向上水平移動。
如圖5～圖8所示，主移動機構72具有：共用的導軌721，設置於傳遞軸71、且導引第一保持機構3及第二保持機構6；以及齒條與小齒輪機構722，使第一保持機構3及第二保持機構6沿著該導軌721移動。
導軌721沿著傳遞軸71於X方向上呈一直線延伸，與傳遞軸71同樣地設於下述範圍，即：第一保持機構3可移動至基板供給機構11的基板供給部112的上方，並且第二保持機構6可移動至收容箱5的上方。於所述導軌721，能夠滑動地設置有滑動構件723，所述滑動構件723經由升降移動機構73及水平移動機構74而設置有第一保持機構3及第二保持機構6。此處，導軌721為第一保持機構3及第二保持機構6所共用，但升降移動機構73、水平移動機構74及滑動構件723是針對第一保持機構3及第二保持機構6的各者各別地設置。
齒條與小齒輪機構722具有：凸輪齒條722a，為第一保持機構3及第二保持機構6所共用；以及小齒輪722b，分別設置於第一保持機構3及第二保持機構6，藉由致動器（未圖示）旋轉。凸輪齒條722a設置於共用的傳遞軸71，可藉由將多個凸輪齒條要素連結而變更為各種長度。另外，小齒輪722b設置於滑動構件723，被稱為所謂滾子小齒輪（roller pinion），如圖7所示，具有：與馬達的旋轉軸一起旋轉的一對滾子本體722b1；以及於該一對滾子本體722b1之間於圓周方向上等間隔地設置、且設置成能夠相對於滾子本體722b1滾動的多個滾子銷722b2。本實施形態的齒條與小齒輪機構722使用所述滾子小齒輪，因此兩個以上的滾子銷722b2與凸輪齒條722a接觸，於正反方向上不產生背隙（backlash），於使第一保持機構3及第二保持機構6於X方向上移動時定位精度變良好。
如圖5及圖8所示，升降移動機構73與第一保持機構3及第二保持機構6分別對應地設置。如圖5及圖6所示，第一保持機構3的升降移動機構73介隔存在於傳遞軸71（具體而言為主移動機構72）與第一保持機構3之間而設置，具有：Z方向導軌73a，沿著Z方向設置；以及致動器部73b，使第一保持機構3沿著該Z方向導軌73a移動。再者，致動器部73b例如可使用滾珠螺桿機構，亦可使用氣缸，亦可使用線性馬達。再者，如圖8所示，第二保持機構6的升降移動機構73的結構與第一保持機構3的升降移動機構73同樣。
如圖5、圖6及圖8所示，水平移動機構74與第一保持機構3及第二保持機構6分別對應地設置。如圖5及圖6所示，第一保持機構3的水平移動機構74是介隔存在於傳遞軸71（具體而言為升降移動機構73）與第一保持機構3之間而設置，具有：Y方向導軌74a，沿著Y方向設置；彈性體74b，對第一保持機構3向Y方向導軌74a的其中一側賦予力；以及凸輪機構74c，使第一保持機構3向Y方向導軌74a的另一側移動。此處，凸輪機構74c使用偏心凸輪，藉由利用馬達等致動器使該偏心凸輪旋轉，可調整第一保持機構3向Y方向的移動量。
再者，如圖8所示，第二保持機構6的水平移動機構74的結構與第一保持機構3的升降移動機構73同樣。另外，可設為於第二保持機構6不設置水平移動機構74的結構，亦可設為於第一保持機構3及第二保持機構6兩者不設置水平移動機構74的結構。進而，水平移動機構74與升降移動機構73同樣地，亦可不使用凸輪機構74c而使用例如滾珠螺桿機構，亦可使用氣缸，亦可使用線性馬達。
＜切斷用移動機構8（加工用移動機構）＞ 切斷用移動機構8使兩個心軸部42A、42B的各者於X方向、Y方向及Z方向上分別獨立地直線移動。
具體而言，如圖2、圖3及圖9所示，切斷用移動機構8包括：X方向移動部81，使心軸部42A、心軸部42B於X方向上直線移動；Y方向移動部82，使心軸部42A、心軸部42B於Y方向上直線移動；以及Z方向移動部83，使心軸部42A、心軸部42B於Z方向上直線移動。
X方向移動部81為兩個切斷用台2A、2B所共用，尤其如圖2及圖3所示，具有：一對X方向導軌811，沿著X方向隔著兩個切斷用台2A、2B而設置；以及支撐體812，沿著該一對X方向導軌811移動並且經由Y方向移動部82及Z方向移動部83支撐心軸部42A、心軸部42B。一對X方向導軌811設置於沿著X方向設置的兩個切斷用台2A、2B的側方。另外，支撐體812例如為門型，具有沿Y方向延伸的形狀。具體而言，支撐體812具有自一對X方向導軌811向上方延伸的一對腳部、以及架設於該一對腳部的樑部（橫樑部），該樑部沿Y方向延伸。
而且，支撐體812例如藉由沿X方向延伸的滾珠螺桿機構813而於一對X方向導軌811上沿著X方向直線性地往返移動。所述滾珠螺桿機構813由伺服馬達等驅動源（未圖示）驅動。除此以外，支撐體812亦可以藉由線性馬達等其他直動機構而往返移動的方式構成。
尤其如圖3所示，Y方向移動部82具有：Y方向導軌821，於支撐體812中沿著Y方向設置；以及Y方向滑塊822，沿著該Y方向導軌821移動。Y方向滑塊822例如由線性馬達823驅動，於Y方向導軌821上直線性地往返移動。於本實施形態中，與兩個心軸部42A、42B對應地設置有兩個Y方向滑塊822。藉此，兩個心軸部42A、42B能夠相互獨立地於Y方向上移動。除此以外，Y方向滑塊822亦可以藉由使用滾珠螺桿機構的其他直動機構而往返移動的方式構成。
如圖2～圖4所示，Z方向移動部83具有：Z方向導軌831，於各Y方向滑塊822中沿著Z方向設置；以及Z方向滑塊832，沿著所述Z方向導軌831移動並且支撐心軸部42A、心軸部42B。即，Z方向移動部83與各心軸部42A、42B對應地設置。Z方向滑塊832例如由偏心凸輪機構（未圖示）驅動，於Z方向導軌831上直線性地往返移動。除此以外，Z方向滑塊832亦可以藉由滾珠螺桿機構等其他直動機構而往返移動的方式構成。
關於所述切斷用移動機構8與傳遞軸71的位置關係，如圖1及圖4所示，以傳遞軸71於切斷用移動機構8的上方橫穿切斷用移動機構8的方式配置。具體而言，傳遞軸71以於支撐體812的上方橫穿該支撐體812的方式配置，傳遞軸71及支撐體812成為相互交叉的位置關係。
＜加工屑收容部17＞ 另外，如圖1所示，本實施形態的切斷裝置100更包括加工屑收容部17，所述加工屑收容部17收容因密封完畢基板W的切斷而產生的端材等加工屑S。
如圖2～圖4所示，所述加工屑收容部17設置於切斷用台2A、切斷用台2B的下方，具有：導引滑槽171，具有於俯視時包圍切斷用台2A、切斷用台2B的上部開口171X；以及回收容器172，將由該導引滑槽171所導引的加工屑S回收。藉由將加工屑收容部17設置於切斷用台2A、切斷用台2B的下方，可提高加工屑S的回收率。
導引滑槽171將自切斷用台2A、切斷用台2B飛散或掉落的加工屑S引導至回收容器172。本實施形態中，以導引滑槽171的上部開口171X包圍切斷用台2A、切斷用台2B的方式構成（參照圖3），因此不易漏掉加工屑S，可進一步提高加工屑S的回收率。另外，導引滑槽171以包圍設置於切斷用台2A、切斷用台2B之下的旋轉機構9A、旋轉機構9B的方式設置（參照圖4），以保護旋轉機構9A、旋轉機構9B免受加工屑S及切削水的影響的方式構成。
於本實施形態中，加工屑收容部17為兩個切斷用台2A、2B所共用，但亦可與切斷用台2A、切斷用台2B分別對應地設置。
回收容器172將因自重而通過導引滑槽171的加工屑S回收，於本實施形態中，如圖4等所示，與兩個切斷用台2A、2B分別對應地設置。而且，兩個回收容器172配置於傳遞軸的近前側，且以可分別獨立地自切斷裝置100的近前側卸除的方式構成。藉由所述結構，可提高加工屑S的廢棄等的維護性。再者，回收容器172可想到密封完畢基板W的尺寸或加工屑S的尺寸及量、作業性等而於所有切斷用台的下方整體設置一個，亦可分割成三個以上來設置。
另外，如圖4等所示，加工屑收容部17具有將切削水與加工屑S分離的分離部173。作為所述分離部173的結構，例如可想到於回收容器172的底面設置使切削水通過的多孔板等過濾器。藉由所述分離部173，可不於在回收容器172蓄積切削水的情況下將加工屑S回收。
＜第一清潔機構18＞ 另外，如圖1及圖5所示，本發明的切斷裝置100更包括第一清潔機構18，所述第一清潔機構18對保持於切斷用台2A、切斷用台2B的多個製品P的上表面側（引線面）進行清潔。所述第一清潔機構18藉由對保持於切斷用台2A、切斷用台2B的多個製品P的上表面噴射洗淨液及/或壓縮空氣的噴射噴嘴18a（參照圖5），來對製品P的上表面側進行清潔。
如圖5所示，所述第一清潔機構18構成為能夠與第一保持機構3一起沿著傳遞軸71移動。此處，第一清潔機構18設置於滑動構件723，所述滑動構件723在設置於傳遞軸71的導軌721上滑動。此處，於第一清潔機構18及滑動構件723之間，設置有用以使第一清潔機構18於Z方向上升降移動的升降移動機構181。關於所述升降移動機構181，例如可考慮使用齒條與小齒輪機構，使用滾珠螺桿機構，或使用氣缸等。
＜第二清潔機構19＞ 進而，如圖1所示，本發明的切斷裝置100更包括第二清潔機構19，所述第二清潔機構19對保持於第二保持機構6的多個製品P的下表面側（封裝面）進行清潔。所述第二清潔機構19設置於切斷用台2B與收容箱5（更具體而言為後述的乾燥台13）之間，藉由向保持於第二保持機構6的多個製品P的下表面噴射洗淨液及/或壓縮空氣，而對製品P的下表面側進行清潔。即，於第二保持機構6沿著傳遞軸71移動的中途，第二清潔機構19對製品P的下表面側進行清潔。
＜切斷裝置100的乾燥功能＞ 本實施形態的切斷裝置100具有進一步將由第二清潔機構19清潔的多個製品P乾燥的功能。具體而言，如圖1、圖9及圖10所示，切斷裝置100包括：乾燥台13，用以將多個製品P乾燥；乾燥機構14，將載置於乾燥台13的多個製品P乾燥；以及乾燥用移動機構15，使該乾燥機構14沿著乾燥台13移動。
乾燥台13藉由第二保持機構6及搬送用移動機構7搬送並載置多個製品P。該乾燥台13吸附並保持多個製品P。另外，乾燥台13與兩個切斷用台2A、2B於水平面上沿著X方向配置成一行。本實施形態的乾燥台13於俯視時呈矩形形狀，但亦可為其他形狀。
乾燥機構14自乾燥台13的上方噴射作為氣體的壓縮空氣，而將吸附保持於乾燥台13的多個製品P乾燥。該乾燥機構14具有向保持於乾燥台13的多個製品P噴射壓縮空氣的噴射噴嘴14a。本實施形態的噴射噴嘴14a具有朝向乾燥台13設置的、呈直線狀延伸的狹縫狀的開口（參照圖9），但亦可具有沿著X方向間歇地設置的多個開口。
本實施形態的乾燥機構14以朝向利用乾燥用移動機構15的移動方向噴射壓縮空氣的方式構成（參照圖9）。即，以利用噴射噴嘴14a噴射壓縮空氣的噴射方向朝向利用乾燥用移動機構15的移動方向（此處，為於Y方向上自近前側向裏側）的方式構成。
另外，如圖9所示，乾燥機構14的噴射噴嘴14a相對於保持於乾燥台13上的多個製品P的沿著X方向的排列方向例如以小於30度傾斜地配置。此處，於乾燥台13，多個製品P於X方向及Y方向上呈矩陣狀配置，乾燥機構14的噴射噴嘴14a相對於各製品P的沿著X方向的一邊傾斜地噴射壓縮空氣。藉此，容易將蓄積於鄰接的製品P之間的水分自製品P吹走。藉此，促進多個製品P的乾燥。另外，亦可將乾燥機構14的噴射噴嘴14a的狹縫狀的開口以朝向乾燥台13稍微傾斜的方式設置，使得壓縮空氣朝向乾燥機構14的移動方向被吹走。
乾燥用移動機構15使乾燥機構14於乾燥台13的上方於Y方向上移動。本實施形態的乾燥用移動機構15使乾燥機構14相對於乾燥台13於Y方向上往返移動。具體而言，如圖9及圖10所示，乾燥用移動機構15包括：Y方向導軌151，沿Y方向延伸；滑動構件152，沿著該Y方向導軌151移動並且保持乾燥機構14；以及驅動部（未圖示），使該滑動構件152沿著Y方向導軌151移動。再者，作為驅動部，例如可使用滾珠螺桿機構，亦可使用氣缸，亦可使用線性馬達。
＜乾燥動作的一例＞ 接著，對利用乾燥機構14及乾燥用移動機構15的乾燥動作進行說明。
於將多個製品P載置於乾燥台13之前，乾燥用移動機構15使乾燥機構14退避至乾燥台13的Y方向其中一側（例如近前側），以不妨礙多個製品P的載置。然後，當將多個製品P載置並保持於乾燥台13時，乾燥機構14開始噴射壓縮空氣，並且乾燥用移動機構15使乾燥機構14向Y方向另一側（例如裏側）移動。藉此，進行保持於乾燥台13的多個製品P的乾燥。再者，於乾燥用移動機構15使乾燥機構14自Y方向另一側（裏側）向Y方向其中一側（近前側）移動時，乾燥機構14停止氣體的噴射。再者，乾燥機構14亦可設為不僅於往路中而且亦於返路中噴射壓縮空氣的結構。
＜收容箱5及刮落構件16＞ 如圖1、圖9及圖10所示，收容箱5以零散的狀態收容（所謂散裝收容）多個製品P。另外，收容箱5與兩個切斷用台2A、2B於水平面上沿著X方向配置成一行。該收容箱5更包括自第二保持機構6刮落多個製品P的刮落構件16。
收容箱5具有於俯視時為矩形形狀的上部開口5X（參照圖9）。而且，刮落構件16固定於收容箱5的上部開口5X的一邊。藉由使第二保持機構6相對於該刮落構件16於X方向上移動，製品P被刮落而落下並被收容於收容箱5中。
另外，本實施形態的收容箱5於X方向上設置於乾燥台13與收容保持用板（未圖示）的板收容部20之間，刮落構件16於收容箱5的上部開口5X中設置於乾燥台13側的一邊。藉此，設為於刮落製品P時，第二保持機構6不與板收容部20干擾的結構。
再者，收容於板收容部20的保持用板用以保持密封完畢基板W或製品P，例如存在用以將密封完畢基板W切斷的切斷用台2A、切斷用台2B的保持用板、用以將製品P乾燥的乾燥台13的保持用板、及為了搬送製品P而保持所述製品P的第二保持機構6的保持用板。
刮落構件16自上部開口5X中的乾燥台13側的一邊向上方延伸設置（參照圖9）。另外，作為刮落構件16，只要刮落不離開經吸附解除的第二保持機構6的製品P即可，例如為聚醚醚酮（poly ether ether ketone，PEEK）材料等樹脂製，其形態可為刷形狀，亦可為平板形狀。
於本實施形態中，收容箱5配置於傳遞軸71的近前側，於收容箱5的近前側的外表面設置有把手51（參照圖9），且以可自切斷裝置100的近前側卸除的方式構成。藉由該結構，可提高製品P的取出、回收等的維護性。再者，收容箱5的取出方向不限於近前側，例如，可設為自切斷裝置100的橫側取出的結構，亦可設為自裏側取出的結構。
＜切斷裝置100的動作的一例＞ 接著，對切斷裝置100的動作的一例進行說明。於圖11中示出切斷裝置100的動作中的第一保持機構3的移動路徑、及第二保持機構6的移動路徑。再者，於本實施形態中，切斷裝置100的動作、例如密封完畢基板W的搬送、密封完畢基板W的切斷、製品P的乾燥、製品P的刮落動作等所有動作或控制由控制部CTL（參照圖1）進行。
基板供給機構11的基板供給部112使收容於基板收容部111的密封完畢基板W朝向由第一保持機構3保持的保持位置RP移動。
接著，搬送用移動機構7使第一保持機構3移動至保持位置RP，第一保持機構3吸附保持密封完畢基板W。其後，搬送用移動機構7使保持有密封完畢基板W的第一保持機構3移動至切斷用台2A、切斷用台2B，第一保持機構3解除吸附保持，將密封完畢基板W載置於切斷用台2A、切斷用台2B。此時，藉由主移動機構72來調整密封完畢基板W的X方向的位置，藉由水平移動機構74來調整密封完畢基板W的Y方向的位置。而且，切斷用台2A、切斷用台2B吸附保持密封完畢基板W。
此處，在使保持有密封完畢基板W的第一保持機構3移動至切斷用台2B的情況下，升降移動機構73使第一保持機構3上升至不與切斷用移動機構8（支撐體812）發生物理干擾的位置為止。再者，於使保持有密封完畢基板W的第一保持機構3移動至切斷用台2B時，在使支撐體812自切斷用台2B向乾燥台13側退避的情況下，無需如所述般使第一保持機構3升降。
於此狀態下，切斷用移動機構8使兩個心軸部42A、42B於X方向及Y方向上依次移動，並且藉由切斷用台2A、2B旋轉，將密封完畢基板W切斷為格子狀而單片化。
於切斷後，搬送用移動機構7使第一清潔機構18移動，對保持於切斷用台2A、切斷用台2B的多個製品P的上表面側（引線面）進行清潔。所述清潔之後，搬送用移動機構7使第一保持機構3及第一清潔機構18退避至規定位置。
接著，搬送用移動機構7使第二保持機構6移動至切斷後的切斷用台2A、切斷用台2B，第二保持機構6吸附保持多個製品P。其後，搬送用移動機構7使保持有多個製品P的第二保持機構6移動至第二清潔機構19。藉此，第二清潔機構19對保持於第二保持機構6的多個製品P的下表面側（封裝面）進行清潔。
於清潔後，搬送用移動機構7使第二保持機構6移動至乾燥台13，第二保持機構6解除吸附保持，將多個製品P載置於乾燥台13。然後，乾燥台13吸附保持密封完畢基板W。此時，搬送用移動機構7使第二保持機構6退避至不妨礙乾燥機構14的移動的位置。
在該狀態下，乾燥用移動機構15使乾燥機構14於Y方向上往返移動，並且乾燥機構14噴射壓縮空氣，藉此進行多個製品P的乾燥。再者，利用乾燥用移動機構15進行的乾燥機構14的往返次數能夠適當設定，可為一次，亦可為多次。
於乾燥後，搬送用移動機構7使第二保持機構6移動至乾燥台13，第二保持機構6自乾燥台13吸附保持多個製品P。其後，搬送用移動機構7使保持有多個製品P的第二保持機構6移動至收容箱5。
然後，第二保持機構6於收容箱5的上部開口5X的上方解除多個製品P的吸附保持。其後，搬送用移動機構7使第二保持機構6相對於刮落構件16向乾燥台13側移動，以使未自第二保持機構6落下而殘存於第二保持機構6的製品P碰觸刮落構件16。於本實施形態中，為了可靠地刮落製品P，以使刮落構件16與第二保持機構6的吸附面即下表面接觸的方式使第二保持機構6相對於刮落構件16移動。藉此，多個製品P落下並被收容於收容箱5中。
＜本實施形態的效果＞ 根據本實施形態的切斷裝置100，設為藉由沿著切斷用台2A、切斷用台2B及收容箱5的排列方向延伸的共用的傳遞軸71來使第一保持機構3及第二保持機構6的結構，藉由切斷用移動機構8使切斷機構4於水平面上於沿著傳遞軸71的X方向及Y方向上分別移動，因此無需使切斷用台2A、切斷用台2B於X方向及Y方向上移動便可將密封完畢基板W單片化。因此，可不藉由滾珠螺桿機構等使切斷用台2A、切斷用台2B移動，而無需用以保護滾珠螺桿機構等的蛇腹構件及用以保護該蛇腹構件的蓋構件。其結果，可使切斷裝置100的裝置結構簡化。
另外，由於成為切斷用台2A、切斷用台2B不於X方向及Y方向上移動的結構，因此可削減切斷用台2A、切斷用台2B的移動空間及其周邊的無用空間，可減少切斷裝置100的佔據面積。
進而，將保持有多個製品P的第二保持機構6搬送至收容箱5，使多個製品P自該第二保持機構6落下並收容於收容箱5中，因此與先前的托盤收容的結構相比，可使收容空間小型化。藉此，亦可減少切斷裝置100的佔據面積。
＜其他變形實施形態＞ 再者，本發明並不限於所述實施形態。
例如，於所述實施形態中為具有乾燥台13的結構，但亦可設為不具有乾燥台13的結構。
另外，亦可設為以下結構：不具有刮落構件16，於藉由第二保持機構6解除吸附保持之後，自第二保持機構6噴射氣體，藉此使多個製品P落下。
進而，除了為將刮落構件16固定於收容箱5的結構以外，亦可將刮落構件16固定於其他構件，或者亦可設為以下結構：構成為能夠移動刮落構件16，刮落構件16相對於第二保持機構6移動，藉此刮落多個製品P。
於所述實施形態中，對雙切割台方式且雙心軸結構的切斷裝置進行了說明，但並不限於此，亦可為單切割台方式且單心軸結構的切斷裝置、或單切割台方式且雙心軸結構的切斷裝置等。
另外，構成傳遞軸71的凸輪齒條要素可將多個連結而構成，因此例如可將切斷裝置（加工裝置）100設為於第二清潔機構19與乾燥台13之間能夠分離及連結（能夠裝卸）的模組結構。在此情況下，例如可於第二清潔機構19側的模組與乾燥台13側的模組之間，追加進行製品P的檢查的模組。再者，除了此處例示的結構以外，亦可將切斷裝置（加工裝置）100設為於某處能夠分離及連結（能夠裝卸）的模組結構，亦可將追加的模組設為檢查以外的各種功能的模組。
除此以外，本發明不限於所述實施形態，當然能夠於不偏離其主旨的範圍進行各種變形。 [產業上的可利用性]
根據本發明，可簡化裝置結構，減少佔據面積，並且使經單片化的加工對象物的收容空間小型化。
2A、2B:切斷用台（加工台） 3:第一保持機構 4:切斷機構（加工機構） 5:收容箱 5X、171X:上部開口 6:第二保持機構 7:搬送用移動機構 8:加工用移動機構（切斷用移動機構） 9A、9B:旋轉機構 10A、10B:真空泵 11:基板供給機構 12:液體供給機構 13:乾燥台 14:乾燥機構 14a、18a、121:噴射噴嘴 15:乾燥用移動機構 16:刮落構件 17:加工屑收容部 18:第一清潔機構 19:第二清潔機構 20:板收容部 31、61:吸附頭 40:旋轉工具 41A、41B:刀片 42A、42B:心軸部 51:把手 71:傳遞軸 72:主移動機構 73、181:升降移動機構 73a、831:Z方向導軌 73b:致動器部 74:水平移動機構 74a、151、821:Y方向導軌 74b:彈性體 74c:凸輪機構 81:X方向移動部 82:Y方向移動部 83:Z方向移動部 100:切斷裝置（加工裝置） 111:基板收容部 112:基板供給部 113:加熱部 152:滑動構件 171:導引滑槽 172:回收容器 173:分離部 311、611:吸附部 721:導軌 722:小齒輪機構 722a:凸輪齒條 722b:小齒輪 722b1:滾子本體 722b2:滾子銷 723:滑動構件 811:一對X方向導軌 812:支撐體 813:滾珠螺桿機構 822:Y方向滑塊 823:線性馬達 832:Z方向滑塊 CTL:控制部 P:製品（加工品） RP:保持位置 S:加工屑 W:密封完畢基板（加工對象物） X、Y、Z、θ:方向
圖1是示意性地表示本發明一實施形態的切斷裝置的結構的圖。 圖2是示意性地表示所述實施形態的切斷用台及其周邊結構的立體圖。 圖3是示意性地表示所述實施形態的切斷用台及其周邊結構的結構的、自Z方向觀察的圖（平面圖）。 圖4是示意性地表示所述實施形態的切斷用台及其周邊結構的結構的、自Y方向觀察的圖（正面圖）。 圖5是示意性地表示所述實施形態的第一保持機構及搬送用移動機構的結構的、自Y方向觀察的圖（正面圖）。 圖6是示意性地表示所述實施形態的第一保持機構及搬送用移動機構的結構的、自X方向觀察的圖（側面圖）。 圖7是示意性地表示所述實施形態的第二保持機構及搬送用移動機構的結構的、自Y方向觀察的圖（正面圖）。 圖8是示意性地表示所述實施形態的齒條與小齒輪機構的結構的剖面圖。 圖9是示意性地表示所述實施形態的乾燥台及收容箱的周邊結構的、自Z方向觀察的圖（平面圖）。 圖10是示意性地表示所述實施形態的乾燥台及收容箱的周邊結構的、自Y方向觀察的圖（正面圖）。 圖11是表示所述實施形態的切斷裝置的動作的示意圖。
2A、2B:切斷用台(加工台)
3:第一保持機構
4:切斷機構(加工機構)
5:收容箱
6:第二保持機構
7:搬送用移動機構
8:加工用移動機構(切斷用移動機構)
9A、9B:旋轉機構
10A、10B:真空泵
11:基板供給機構
13:乾燥台
14:乾燥機構
15:乾燥用移動機構
16:刮落構件
17:加工屑收容部
18:第一清潔機構
19:第二清潔機構
20:板收容部
40:旋轉工具
41A、41B:刀片
42A、42B:心軸部
71:傳遞軸
100:切斷裝置(加工裝置)
111:基板收容部
112:基板供給部
113:加熱部
172:回收容器
812:支撐體
CTL:控制部
RP:保持位置
W:密封完畢基板(加工對象物)
X、Y、Z、θ:方向

Claims (8)

  1. 一種加工裝置，包括：加工台，保持加工對象物；第一保持機構，為了將所述加工對象物搬送至所述加工台而保持所述加工對象物；加工機構，將保持於所述加工台的所述加工對象物切斷而單片化；收容箱，將藉由所述加工機構而單片化的所述加工對象物落下並收容；第二保持機構，為了將所述經單片化的所述加工對象物自所述加工台搬送至所述收容箱而保持所述經單片化的所述加工對象物；搬送用移動機構，具有沿著所述加工台及所述收容箱的排列方向延伸且用以使所述第一保持機構及所述第二保持機構移動的共用的傳遞軸；加工用移動機構，使所述加工機構於水平面上於沿著所述傳遞軸的第一方向及與所述第一方向正交的第二方向上分別移動；以及刮落構件，自所述第二保持機構刮落所述經單片化的所述加工對象物，其中所述刮落構件固定於所述收容箱，藉由所述搬送用移動機構使所述第二保持機構相對於所述刮 落構件移動，而將所述經單片化的所述加工對象物自所述第二保持機構刮落。
  2. 如請求項1所述的加工裝置，其中，所述傳遞軸以於所述加工用移動機構的上方橫穿所述加工用移動機構的方式配置。
  3. 如請求項1或請求項2所述的加工裝置，其中，所述第二保持機構吸附保持所述經單片化的所述加工對象物。
  4. 如請求項1或請求項2所述的加工裝置，更包括用以將所述經單片化的所述加工對象物乾燥的乾燥台，所述搬送用移動機構使所述第二保持機構自所述加工台移動至所述乾燥台，並自所述乾燥台移動至所述收容箱。
  5. 如請求項4所述的加工裝置，更包括：乾燥機構，自所述乾燥台的上方噴射氣體，而將所述經單片化的所述加工對象物乾燥；以及乾燥用移動機構，使所述乾燥機構沿著所述乾燥台移動。
  6. 如請求項5所述的加工裝置，其中，所述乾燥機構朝向利用所述乾燥用移動機構的移動方向噴射氣體。
  7. 如請求項1或請求項2所述的加工裝置，其中，所述加工用移動機構包括：X方向移動部，使所述加工機構於作為所述第一方向的X方向上直線移動；以及Y方向移動部，使所述加工機構於作為所述第二方向的Y方向上直線移動，所述X方向移動部具有：一對X方向導軌，隔著所述加工台 沿著X方向設置；以及支撐體，沿著所述一對X方向導軌移動並且經由所述Y方向移動部支撐所述加工機構。
  8. 一種加工品的製造方法，使用如請求項1至請求項7中任一項所述的加工裝置來製造加工品。
TW111118974A 2021-07-09 2022-05-20 加工裝置、及加工品的製造方法 TWI830233B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-114351 2021-07-09
JP2021114351A JP2023010304A (ja) 2021-07-09 2021-07-09 加工装置、及び加工品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202303718A TW202303718A (zh) 2023-01-16
TWI830233B true TWI830233B (zh) 2024-01-21

Family

ID=84801581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111118974A TWI830233B (zh) 2021-07-09 2022-05-20 加工裝置、及加工品的製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2023010304A (zh)
KR (1) KR20240008342A (zh)
CN (1) CN117581335A (zh)
TW (1) TWI830233B (zh)
WO (1) WO2023281817A1 (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201737403A (zh) * 2016-01-27 2017-10-16 Disco Corp 分割治具及晶圓的分割方法
TW201919973A (zh) * 2017-09-29 2019-06-01 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TW201946144A (zh) * 2018-05-01 2019-12-01 日商迪思科股份有限公司 切割裝置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5947010U (ja) 1982-09-18 1984-03-28 西端　清光 竹材用建築材料
JP5785069B2 (ja) * 2011-12-05 2015-09-24 株式会社ディスコ 切削装置
JP6604873B2 (ja) * 2016-02-25 2019-11-13 株式会社ディスコ 加工方法
JP6612206B2 (ja) * 2016-12-19 2019-11-27 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置
JP7102157B2 (ja) * 2018-02-08 2022-07-19 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置及び切断品の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201737403A (zh) * 2016-01-27 2017-10-16 Disco Corp 分割治具及晶圓的分割方法
TW201919973A (zh) * 2017-09-29 2019-06-01 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TW201946144A (zh) * 2018-05-01 2019-12-01 日商迪思科股份有限公司 切割裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202303718A (zh) 2023-01-16
JP2023010304A (ja) 2023-01-20
CN117581335A (zh) 2024-02-20
WO2023281817A1 (ja) 2023-01-12
KR20240008342A (ko) 2024-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI830233B (zh) 加工裝置、及加工品的製造方法
WO2022209081A1 (ja) 加工装置、及び加工品の製造方法
TWI830247B (zh) 加工裝置、及加工品的製造方法
TWI834199B (zh) 加工裝置、及加工品的製造方法
WO2022201700A1 (ja) 加工装置、及び加工品の製造方法
TWI823298B (zh) 加工裝置及加工品的製造方法
TWI818861B (zh) 加工裝置及加工品的製造方法
TWI806486B (zh) 加工裝置及加工品的製造方法
WO2023013146A1 (ja) 加工装置、及び加工品の製造方法
JP7496328B2 (ja) 加工装置、及び加工品の製造方法
WO2023013147A1 (ja) 加工装置、及び加工品の製造方法