TWI830038B - 原料氣化裝置以及鍍膜設備 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一原料氣化裝置和鍍膜設備及其氣化方法，其中所述原料氣化裝置，其包括：一第一級氣化部件，所述第一級氣化部件用於將送入的原料進行初級氣化；一第二級氣化部件，所述第二級氣化部件用於將第一級氣化部件初級氣化後的原料進一步氣化；和一進料控制部，其中所述進料控制部用於送入需要被氣化的原料，所述進料控制部控制地連通所述第一級氣化部件，由此提高原料的氣化效率。

Description

原料氣化裝置以及鍍膜設備
本發明涉及鍍膜、塗層技術領域，更進一步，涉及原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中所述原料氣化裝置為鍍膜、塗層設備提供蒸氣原料。
等離子體鍍膜技術由於其具有成膜品質好等眾多優勢，被廣泛應用於航空航太、汽車製造、機械重工以及五金工具製造等眾多領域。近些年來，隨著智慧觸屏手機等各種電子設備的快速發展，等離子體鍍膜技術也被逐漸應用於電子設備領域，並且產生良好的效果。
在進行等離子體鍍膜工藝時，需要通過一氣化設備將液相的反應原料氣化後送入鍍膜裝置，舉例地，在進行鍍膜時，將鍍膜裝置的內部抽真空，通過負壓將氣化設備氣化後的原料吸入鍍膜裝置中，而後在鍍膜裝置中的基體表面，通過等離子體氣相沉積的方式在基體表面形成膜層，因此氣化的程度影響鍍膜沉積的效果。進一步地說，在等離子鍍膜過程中，需要將鍍膜設備腔室內空氣抽出維持低壓力狀態，同時需要通過進料裝置將化學單體氣體添加至該鍍膜設備腔室內，用於反應以在被鍍膜工件表面生成聚合物塗層。由於化學單體在常溫下儲放時通常是液態的，而在加入到該腔室內時卻需要是氣態的，因此該進料裝置需要具備加熱蒸發功能，以便在加料的過程中將液態的化學單體加熱蒸發為化學單體氣體。
發明人發現現有的氣化設備存在以下不足之處：首先，現有的氣化設備通常只有單個氣化腔室，在使用的過程中，單個氣化腔室的氣化效率極低，經常出現化學原料氣化不充分的問題，使得氣化腔室內殘留的液態化學原料或者未充分氣化的化學原料被吸入鍍膜設備中，從而導致鍍膜厚度不均勻甚至鍍膜失效的問題。
其次，液態的化學原料進入氣化設備後，直接被加熱蒸發，化學原料容易產生堆積而使得氣化不充分。
第三，不同狀態的化學原料聚集在同一個蒸發腔室中，一次性地進行加熱蒸發，使得蒸發效果較差，也就是說，氣化效率低。
另外，現有的進料裝置通常為單進料蒸發器，如圖10A和圖10B所示，該單進料蒸發器1P包括一個腔體10P、一對蓋體20P、一個進料管30P、一個出料管40P以及一個加熱棒。該腔體10P具有相互連通的一對腔室11P，並且該對腔室11P相對設置於該腔體10P的左右兩側，以通過該對蓋體20P對應地封蓋以形成密封的蒸發室。該進料管30P從該腔體10P的上方連通於該蒸發室，用於向該蒸發室內輸送化學單體液體；該加熱棒從該腔體10P的後方插入，用於加熱進入該蒸發室的該化學單體液體，使得該化學單體液體蒸發以形成化學單體氣體；該出料管40P從該腔體10P的前方連通於該蒸發室，用於將該化學單體氣體輸送至鍍膜設備的腔室。
然而，由於在該化學單體液體進入該單進料蒸發器1P的該腔體10P的該蒸發室之前，該蒸發室內必然會充滿空氣，因此該單進料蒸發器1P在初始階段會使該化學單體液體在空氣環境下蒸發，這樣會影響化學單體氣體的純度而導致化學單體的浪費，甚至該化學單體還會因與空氣發生 反應而引入雜質，以嚴重降低該化學單體氣體的品質，進而後續的鍍膜工藝無法正常進行，或者嚴重影響後續鍍膜的品質。
此外，一方面，現有的進料裝置因僅設有一個進料管30P而導致該化學單體液體的進料流量控制範圍較窄，難以滿足大劑量的進料需求；另一方面，該現有的進料裝置中的該對蓋體20P分別從該腔體10P的左右兩側拆裝，而位於該腔體10P後方的該出料管30P又與體積較大的鍍膜設備腔室連通，使得該對蓋體20P因距離該鍍膜設備腔室較近而導致該對蓋體20P的拆裝困難(即該鍍膜設備腔室將會影響到該蓋體20P的拆裝)，不利於後續對該腔體10P的該對腔室11P的清潔和維護。
本發明的一個優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中通過延長氣化路徑的方式來提高對液態化學原料的氣化效率。
本發明的另一個優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中通過設置多級的氣化部件來延長氣化路徑。
本發明的另一個優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中所述原料氣化裝置包括至少兩級氣化部件，兩級所述氣化部件局部地連通，使得兩個氣化部件能夠相對獨立地進行分級氣化。
本發明的另一個優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施 例中，所述原料氣化裝置的兩個氣化室分別被設置加熱部件，使得對不同狀態或者說不同氣化程度的原料相對應地分別進行加熱氣化，從而提高氣化效率。
本發明的另一個優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述原料氣化裝置在一級加熱時，先對進入的液體原料進行較低溫度的預熱，而後進行較高溫度的加熱，使得化學原料能夠逐漸地從低溫到高溫氣化，進一步地提高氣化程度。
本發明的另一個優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述原料氣化裝置的進料方向、多級氣化方向分別按不同方向佈置，在延長氣化路徑的同時減少空間的佔用。
本發明的另一個優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述原料氣化裝置的第一級氣化部件中原料入口位於較高位置，氣化出口位於較低位置，使得液態的化學原料能夠充分進入第一級氣化部件，避免出現化學原料堆積或者堵塞。
本發明的另一個優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述原料氣化裝置的第二級氣化部件中入口位於較低位置，出口位於較高位置，使得充分氣化後的原料被送出，從而減少或者避免氣化不充分的原料流出。
本發明的另一個優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述原料氣化裝置中相鄰的兩級氣化部件之間隔熱地連接，使得各級氣化部件能夠獨立地加熱。
本發明的另一優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述二進料蒸發裝置能夠增大該化學單體液體的進料流量控制範圍，有助於拓展二進料蒸發裝置的應用場景。
本發明的另一優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述二進料蒸發裝置能夠先通過第一進料管路和/或第二進料管路輸送工藝氣體以置換腔室內的空氣，再通過所述第一進料管路和/或所述第二進料管路輸送化學單體液體以在所述腔室內加熱蒸發，從而有效地避免化學單體與空氣接觸，以確保化學單體氣體的純度和品質。
本發明的另一優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述二進料蒸發裝置的所述第一進料管也可以用於輸送所述化學單體液體，以作為所述第二進料管的備份，有助於提高所述二進料蒸發裝置的工作穩定性和可靠性。
本發明的另一優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述二進料蒸發裝置能夠先預熱經由進料管輸送來的化學單體液體， 再蒸發被預熱後的化學單體液體以形成化學單體氣體，有助於提高所述二進料蒸發裝置的蒸發效率。
本發明的另一優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述二進料蒸發裝置能夠進一步加熱蒸發獲得的所述化學單體氣體，以使在所述化學單體氣體內攜帶的化學單體液滴得以充分蒸發，有助於獲得蒸發更加充分的所述化學單體氣體，以避免所述化學單體氣體內夾帶有液滴。
本發明的另一優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述二進料蒸發裝置中的所述預熱腔和所述加熱腔被間隔地設置，並通過所述蒸發腔將所述預熱腔和所述加熱腔連通，以確保被預熱後的所述化學單體液體先進入所述蒸發腔蒸發成化學單體氣體，再使所述化學單體氣體進入所述加熱腔被加熱至所需溫度以實現充分蒸發。
本發明的另一優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述二進料蒸發裝置中的所述預熱腔和所述加熱腔被疊置於所述腔體的同一側，並且所述蒸發腔被設置於所述蓋體，以位於所述預熱腔和所述加熱腔的外側，以便將所述蓋體和出料管分別設置於所述腔體的相對兩側，有助於拆卸所述蓋體，以便清潔和保養所述預熱腔、所述加熱腔以及所述蒸發腔。
本發明的另一優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝 置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述二進料蒸發裝置中的所述加熱腔位於所述預熱腔的下方，使得在所述加熱腔內被加熱的化學單體氣體能夠在所述蒸發腔內與在所述預熱腔內被預熱後的化學單體液體相遇，以進一步加熱被預熱後的化學單體液體使其蒸發以形成所述化學單體氣體。
本發明的另一優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中在本發明的一實施例中，所述二進料蒸發裝置的所述出料管和所述加熱腔通過貫穿於所述腔體的導氣孔相連通，使得在所述加熱腔內被加熱後的所述化學單體氣體在流過所述導氣孔時將被繼續加熱，以防所述化學單體氣體發生冷凝而攜帶液滴。
本發明的另一優勢在於提供一原料氣化裝置、二進料蒸發裝置、鍍膜裝置和鍍膜設備及其進料、氣化方法，其中為了達到上述目的，在本發明中不需要採用昂貴的材料或複雜的結構。因此，本發明成功和有效地提供一解決方案，不只提供簡單的二進料蒸發裝置及其進料方法，同時還增加了所述二進料蒸發裝置及其進料方法的實用性和可靠性。
為了實現以上至少一優勢，本發明的一方面提供一原料氣化裝置，其包括：一第一級氣化部件，所述第一級氣化部件用於將送入的原料進行初級氣化；一第二級氣化部件，所述第二級氣化部件用於將第一級氣化部件初級氣化後的原料進一步氣化；和 一進料控制部，其中所述進料控制部用於送入需要被氣化的原料，所述進料控制部控制地連通所述第一級氣化部件。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述進料控制部的進料方向大致沿豎直的方向，所述第一級氣化部件和所述第二級氣化部件大致沿水準方向佈置。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述進料控制部包括一第一進料嘴、一組控制閥和一組進料管，所述第一進料嘴、所述一組控制閥和所述一組進料管通過所述一組控制閥可控制地連通形成一進料通道。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述進料通道大致沿豎直方向。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述一組控制閥包括一第一控制閥和一第二控制閥，所述第一控制閥和所述第一進料嘴連接，所述第二控制閥通過一進料管連接所述第一控制閥。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一控制閥是一隔膜閥，所述第二控制閥是一三通閥。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一級氣化部件包括一第一氣化箱，所述第一氣化箱具有一預熱腔和一第一加熱腔，所述預熱腔和所述第一加熱腔部分地連通。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一氣化箱具有一第一入口，所述第一入口連通所述預熱腔，所述進料控制部連接於所述第一入口。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一氣化箱具有一局部連通通道，所述局部連通通道佈局連通所述預熱腔和所述第一加熱腔。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一入口和所述局部連通通道錯位地設置。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述預熱腔和所述第一加熱腔沿豎向並列地設置。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一級氣化部件包括一組加熱件，所述一組加熱件包括一預熱件和一第一加熱件，所述預熱件為所述預熱腔加熱，所述第一加熱件為所述第一加熱腔加熱，所述預熱件和所述第一加熱件相互獨立地加熱。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一氣化箱具有一第一出口，所述第一出口連通所述第一加熱腔，所述第一出口與所述局部連通通道相對側地設置。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一入口的位置高於所述第一出口的位置。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一氣化箱包括一第一主體和一第一蓋體，所述第一蓋體可拆卸地連接於所述第一主體，所述第一蓋體和所述第一主體相接形成所述預熱腔和所述第一加熱腔。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一氣化箱包括第一密封件，所述第一密封件被設置於所述第一蓋體和所述第一主體相接的位置。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一主體包括一間隔壁，將所述第一主體內部分隔為兩個空間。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一蓋體和所述間隔壁的頂部之間形成所述局部連通通道。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一入口與所述間隔壁相對地設置。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第二級氣化部件包括一第二氣化箱，所述第二氣化箱具有一第二加熱腔和一第二入口，所述第二入口連通所述第二加熱腔，所述第二入口連通所述第一加熱腔。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一氣化箱具有一第一出料嘴，所述第二氣化箱具有一第二進料嘴，所述第一出料嘴延伸地連接於所述第二進料嘴。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一出料嘴延伸進入所述第二進料嘴。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述原料氣化裝置還包括一隔熱密封件，所述隔熱密封件被設置於所述第一氣化箱和所述第二氣化箱的相接位置。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第二級氣化部件包括一第二加熱件，所述第二加熱件為所述第二氣化箱加熱。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第二氣化箱具有一第二出口，所述第二出口的位置高於所述第二入口的位置。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第二氣化箱包括一第二主體和一第二蓋體，所述第二蓋體可拆卸地連接於所述第二主體。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述原料氣化裝置為一鍍膜裝置提供氣態的化學原料，所述鍍膜裝置通過等離子體氣相沉積的方式形成膜層。
本發明的另一方面提供一原料氣化裝置，其包括：一第一級氣化部件，所述第一級氣化部件用於將送入的原料進行初級氣化；一第二級氣化部件，所述第二級氣化部件用於將第一級氣化部件初級氣化後的原料進一步氣化；和一進料控制部，其中所述進料控制部用於送入需要被氣化的原料，所述進料控制部控制地連通所述第一級氣化部件，所述第一級氣化部件包括一第一氣化箱，所述第二級氣化部件包括一第二氣化箱，所述原料氣化裝置還包括一隔熱密封件，所述隔熱密封件被設置於所述一氣化箱和所述第二氣化箱相接的位置。
根據一個實施例所述的原料氣化裝置，其中所述第一氣化箱具有一預熱腔和一第一加熱腔，所述預熱腔和所述第一加熱腔部分地連通。
本發明的另一方面提供一原料氣化方法，其中包括步驟：設置多級氣化部件，在多級氣化部件中逐級加熱蒸發液體原料，延長氣化路徑。
根據一個實施例所述的原料氣化方法，其中包括步驟：沿大 致縱向地佈置一進料通道，沿大致橫向地佈置一氣化通道。
根據一個實施例所述的原料氣化方法，其中包括步驟：熱隔離相接的氣化部件。
為了實現以上至少一優勢，本發明的一方面提供一鍍膜設備，其包括：一鍍膜裝置，所述鍍膜裝置用於通過等離子體氣相沉積的方式形成膜層；一原料氣化裝置，所述原料氣化裝置用於為所述鍍膜設備提供氣化原料，所述原料氣化裝置包括：一第一級氣化部件，所述第一級氣化部件用於將送入的原料進行初級氣化；一第二級氣化部件，所述第二級氣化部件用於將第一級氣化部件初級氣化後的原料進一步氣化；和一進料控制部，其中所述進料控制部用於送入需要被氣化的原料，所述進料控制部控制地連通所述第一級氣化部件。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述進料控制部的進料方向大致沿豎直的方向，所述第一級氣化部件和所述第二級氣化部件大致沿水準方向佈置。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述進料控制部包括一第一進料嘴、一組控制閥和一組進料管，所述第一進料嘴、所述一組控制閥和所述一組進料管通過所述一組控制閥可控制地連通形成一進料通道。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述進料通道大致沿豎直方向。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述一組控制閥包括一第一控制閥和一第二控制閥，所述第一控制閥和所述第一進料嘴連接，所述第二控制閥通過一進料管連接所述第一控制閥。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一控制閥是一隔膜閥，所述第二控制閥是一三通閥。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一級氣化部件包括一第一氣化箱，所述第一氣化箱具有一預熱腔和一第一加熱腔，所述預熱腔和所述第一加熱腔部分地連通。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一氣化箱具有一第一入口，所述第一入口連通所述預熱腔，所述進料控制部連接於所述第一入口。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一氣化箱具有一局部連通通道，所述局部連通通道佈局連通所述預熱腔和所述第一加熱腔。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一入口和所述局部連通通道錯位地設置。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述預熱腔和所述第一加熱腔沿豎向並列地設置。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一級氣化部件包括一組加熱件，所述一組加熱件包括一預熱件和一第一加熱件，所述預 熱件為所述預熱腔加熱，所述第一加熱件為所述第一加熱腔加熱，所述預熱件和所述第一加熱件相互獨立地加熱。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一氣化箱具有一第一出口，所述第一出口連通所述第一加熱腔，所述第一出口與所述局部連通通道相對側地設置。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一入口的位置高於所述第一出口的位置。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一氣化箱包括一第一主體和一第一蓋體，所述第一蓋體可拆卸地連接於所述第一主體，所述第一蓋體和所述第一主體相接形成所述預熱腔和所述第一加熱腔。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一氣化箱包括第一密封件，所述第一密封件被設置於所述第一蓋體和所述第一主體相接的位置。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一主體包括一間隔壁，將所述第一主體內部分隔為兩個空間。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一蓋體和所述間隔壁的頂部之間形成所述局部連通通道。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一入口與所述間隔壁相對地設置。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第二級氣化部件包括一第二氣化箱，所述第二氣化箱具有一第二加熱腔和一第二入口，所述第二入口連通所述第二加熱腔，所述第二入口連通所述第一加熱腔。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一氣化箱具有一第一出料嘴，所述第二氣化箱具有一第二進料嘴，所述第一出料嘴延伸地連接於所述第二進料嘴。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第一出料嘴延伸進入所述第二進料嘴。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述原料氣化裝置還包括一隔熱密封件，所述隔熱密封件被設置於所述第一氣化箱和所述第二氣化箱的相接位置。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第二級氣化部件包括一第二加熱件，所述第二加熱件為所述第二氣化箱加熱。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第二氣化箱具有一第二出口，所述第二出口的位置高於所述第二入口的位置。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述第二氣化箱包括一第二主體和一第二蓋體，所述第二蓋體可拆卸地連接於所述第二主體。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，其中所述原料氣化裝置為一鍍膜裝置提供氣態的化學原料，所述鍍膜裝置通過等離子體氣相沉積的方式形成膜層。
本發明的另一方面提供一鍍膜設備，其包括：一鍍膜裝置，所述鍍膜裝置用於通過等離子體氣相沉積的方式形成膜層；一原料氣化裝置，所述原料氣化裝置用於為所述鍍膜設備提供氣化原料，所述原料氣化裝置包括： 一第一級氣化部件，所述第一級氣化部件用於將送入的原料進行初級氣化；一第二級氣化部件，所述第二級氣化部件用於將第一級氣化部件初級氣化後的原料進一步氣化；和一進料控制部，其中所述進料控制部用於送入需要被氣化的原料，所述進料控制部控制地連通所述第一級氣化部件，所述第一級氣化部件包括一第一氣化箱，所述第二級氣化部件包括一第二氣化箱，所述原料氣化裝置還包括一隔熱密封件，所述隔熱密封件被設置於所述一氣化箱和所述第二氣化箱相接的位置。
根據一個實施例所述的鍍膜設備，所述第一氣化箱具有一預熱腔和一第一加熱腔，所述預熱腔和所述第一加熱腔部分地連通。
為了實現上述至少一優勢或其他優勢和目的，本發明提供了一種二進料蒸發裝置，用於通過加熱裝置加熱化學單體液體，以蒸發成化學單體氣體供鍍膜使用，其中所述二進料蒸發裝置包括：一蒸發器主體，其中所述蒸發器主體具有一腔室和一加熱安裝部，其中所述腔室用於容納該化學單體液體，其中所述加熱安裝部用於安裝該加熱裝置，以使該加熱裝置加熱在所述腔室內的該化學單體液體，使得該化學單體液體被蒸發成該化學單體氣體；和一管路組件，其中所述管路組件包括一第一進料管路、一第二進料管路以及一出料管路，其中所述第一進料管路和所述第二進料管路分別連通於所述蒸發器主體的所述腔室，用於分別向所述腔室輸送該化學單體液體，其中所述出料管路連通於所述蒸發器主體的所述腔室，用於將 蒸發獲得的該化學單體氣體從所述腔室輸送出來。
在本發明的一實施例中，所述管路組件的所述第一進料管路和/或所述第二進料管路還用於向所述腔室內輸送工藝氣體，以置換所述腔室內的空氣。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體的所述腔室包括相互連通的一預熱腔和一蒸發腔，其中所述第一進料管路和所述第二進料管路分別與所述預熱腔直接連通，用於使經由所述第一進料管路和/或所述第二進料管路輸送來的該化學單體液體先進入所述預熱腔被預熱，再進入所述蒸發腔被蒸發成該化學單體氣體。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體的所述腔室進一步包括與所述蒸發腔連通的一加熱腔，其中所述出料管路與所述加熱腔連通，用於使在所述蒸發腔內蒸發獲得的該化學單體氣體在所述加熱腔內繼續被加熱後，再進入所述出料管路被輸出。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體中的所述預熱腔和所述加熱腔被間隔地疊置，並且所述蒸發腔位於所述預熱腔和所述加熱腔的同側，以通過所述蒸發腔分別連通於所述預熱腔和所述加熱腔。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體中的所述預熱腔位於所述加熱腔的上方。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體包括一腔體和一蓋體，其中所述蓋體被可拆卸地設置於所述腔體的一側，以在所述蓋體和所述腔體之間形成所述腔室。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體中的所述預熱腔和 所述加熱腔被間隔地設置於所述腔體，並且所述蒸發器主體中的所述蒸發腔被對應地設置於所述蓋體。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體中的所述出料管路和所述蓋體分別被對應地設置於所述腔體的相對兩側。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體進一步具有一導氣孔，其中所述導氣孔被貫穿地設置於所述腔體，以通過所述導氣孔將所述出料管路與所述加熱腔連通。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體的所述加熱安裝部為一插接孔，其中所述插接孔被設置於所述腔體，用於插接地安裝該加熱裝置。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體中的所述插接孔與所述腔室互不連通，用於將經由該加熱裝置產生的熱量通過所述腔體傳遞至所述腔室。
在本發明的一實施例中，所述管路組件進一步包括多個控制閥門，其中所述控制閥門分別被對應地安裝至所述第一進料管路和所述第二進料管路，用於分別控制經由所述第一進料管路和/或所述第二進料管路輸送的該化學單體液體的流量。
根據本發明的另一方面，本發明進一步提供了一種二進料蒸發裝置的使用方法，包括步驟：經由一管路組件的一第一進料管路和/或一第二進料管路輸送化學單體液體至一蒸發器主體的腔室；通過加熱裝置加熱該蒸發器主體，將該腔室內的該化學單體 液體蒸發成化學單體氣體；以及經由該管路組件的一出料管路，將該化學單體氣體從該腔室內輸送出來，供鍍膜使用。
在本發明的一實施例中，所述的二進料蒸發裝置的使用方法，進一步包括步驟：經由該管路組件的該第一進料管路和/或該第二進料管路輸送工藝氣體至該蒸發器主體的該腔室，以置換該腔室內的空氣。
在本發明的一實施例中，所述通過加熱裝置加熱該蒸發器主體，將該腔室內的該化學單體液體蒸發成化學單體氣體的步驟，包括步驟：在該腔室的預熱腔內預熱經由該第一進料管路和/或該第二進料管路輸送來的該化學單體液體；和在該腔室的蒸發腔內蒸發被預熱後的該化學單體液體，以獲得該化學單體氣體。
在本發明的一實施例中，所述通過加熱裝置加熱該蒸發器主體，將該腔室內的該化學單體液體蒸發成化學單體氣體的步驟，進一步包括步驟：在該腔室的加熱腔內加熱蒸發獲得的該化學單體氣體。
為了實現上述至少一優勢或其他優勢和目的，本發明提供了一種鍍膜裝置，用於利用化學單體氣體的聚合在待鍍膜工件的表面形成聚合物膜層，其中所述鍍膜裝置包括：一鍍膜主體；和二進料蒸發裝置，其中所述二進料蒸發裝置包括： 一蒸發器主體，其中所述蒸發器主體具有一腔室和一加熱安裝部，其中所述腔室用於容納該化學單體液體，其中所述加熱安裝部用於安裝該加熱裝置，以使該加熱裝置加熱在所述腔室內的該化學單體液體，使得該化學單體液體被蒸發成該化學單體氣體；和一管路組件，其中所述管路組件包括一第一進料管路、一第二進料管路以及一出料管路，其中所述第一進料管路和所述第二進料管路分別連通於所述蒸發器主體的所述腔室，用於分別向所述腔室輸送該化學單體液體，其中所述出料管路將所述蒸發器主體的所述腔室與所述鍍膜主體連通，用於將蒸發獲得的該化學單體氣體從所述腔室輸送至所述鍍膜主體，以通過所述鍍膜主體進行後續鍍膜操作。
在本發明的一實施例中，所述管路組件的所述第一進料管路和/或所述第二進料管路還用於向所述腔室內輸送工藝氣體，以置換所述腔室內的空氣。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體的所述腔室包括相互連通的一預熱腔和一蒸發腔，其中所述第一進料管路和所述第二進料管路分別與所述預熱腔直接連通，用於使經由所述第一進料管路和/或所述第二進料管路輸送來的該化學單體液體先進入所述預熱腔被預熱，再進入所述蒸發腔被蒸發成該化學單體氣體。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體的所述腔室進一步包括與所述蒸發腔連通的一加熱腔，其中所述出料管路與所述加熱腔連通，用於使在所述蒸發腔內蒸發獲得的該化學單體氣體在所述加熱腔內繼續被加熱後，再進入所述出料管路被輸出。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體中的所述預熱腔和所述加熱腔被間隔地疊置，並且所述蒸發腔位於所述預熱腔和所述加熱腔的同側，以通過所述蒸發腔分別連通於所述預熱腔和所述加熱腔。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體中的所述預熱腔位於所述加熱腔的上方。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體包括一腔體和一蓋體，其中所述蓋體被可拆卸地設置於所述腔體的一側，以在所述蓋體和所述腔體之間形成所述腔室。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體中的所述預熱腔和所述加熱腔被間隔地設置於所述腔體，並且所述蒸發器主體中的所述蒸發腔被對應地設置於所述蓋體。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體中的所述出料管路和所述蓋體分別被對應地設置於所述腔體的相對兩側。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體進一步具有一導氣孔，其中所述導氣孔被貫穿地設置於所述腔體，以通過所述導氣孔將所述出料管路與所述加熱腔連通。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體的所述加熱安裝部為一插接孔，其中所述插接孔被設置於所述腔體，用於插接地安裝該加熱裝置。
在本發明的一實施例中，所述蒸發器主體中的所述插接孔與所述腔室互不連通，用於將經由該加熱裝置產生的熱量通過所述腔體傳遞至所述腔室。
在本發明的一實施例中，所述鍍膜主體包括一反應腔室、一抽真空管路以及一支架，其中所述二進料蒸發裝置的所述出料管路連通於所述反應腔室，用於通過所述二進料蒸發裝置向所述反應腔室內供應該化學單體氣體；其中所述支架被設置於所述反應腔室內，用於放置該待鍍膜工件；其中所述抽真空管路適於將所述反應腔室與真空泵連通，用於通過所述真空泵對所述反應腔室抽真空，使得所述鍍膜裝置對該待鍍膜工件進行真空鍍膜。
通過對隨後的描述和附圖的理解，本發明進一步的目的和優勢將得以充分體現。
本發明的這些和其它目的、特點和優勢，通過下述的詳細說明，附圖和權利要求得以充分體現。
10:原料氣化裝置
11:第一級氣化部件
111:第一氣化箱
1101:第一入口
1102:預熱腔
1103:第一加熱腔
1104:局部連通通道
1105:第一出口
1111:第一主體
11111:間隔壁
111101:第一分隔室
111102:第二分隔室
1112:第一蓋體
1113:第一密封件
1114:第一出料嘴
1116:固定元件
112:預熱件
113:第一加熱件
12:第二級氣化部件
121:第二氣化箱
1201:第二入口
1202:第二加熱腔
1203:第二出口
1211:第二主體
1212:第二蓋體
1213:第二密封件
1214:第二進料嘴
1215:連接頭
122:第二加熱件
13:進料控制部
130:進料通道
131:第一進料嘴
132:第一控制閥
133:第二控制閥
134:進料管
1341:第一進料管
1342:第二進料管
135:支架
14:隔熱密封件
15:第三級氣化部件
1501:第三入口
1502:第三出口
1503:第三加熱腔
151:第三氣化箱
1511:第三主體
1512:第三蓋體
20:鍍膜裝置
100:鍍膜設備
91:二進料蒸發裝置
910:蒸發器主體
9101:腔室
91011:預熱腔
91012:蒸發腔
91013:加熱腔
9102:加熱安裝部
91021:插接孔
9103:導氣孔
911:腔體
912:蓋體
920:管路組件
921:第一進料管路
922:第二進料管路
923:出料管路
924:控制閥門
9241:隔膜閥
930:加熱裝置
931:加熱棒
940:鍍膜主體
941:反應腔室
950:擋板
1P:單進料蒸發器
10P:腔體
11P:腔室
20P:蓋體
30P:進料管
40P:出料管
圖1A，1B是根據本發明的第一個優選實施例的原料氣化裝置的不同角度立體示意圖。
圖2是沿圖1A的A-A線的剖視示意圖。
圖3是圖2中的B位置的局部放大示意圖。
圖4是根據本發明的第一個優選實施例的原料氣化裝置的分解示意圖。
圖5是根據本發明的第一個優選實施例的原料氣化裝置的另一角度分解示意圖。
圖6是根據本發明的第一個優選實施例的原料氣化裝置和一鍍膜裝置構成的鍍膜設備。
圖7是根據本發明的第二個優選實施例的原料氣化裝置的整體示意圖。
圖8是根據本發明的第三個優選實施例的原料氣化裝置的整體示意圖。
圖9沿圖8中的C-C線的剖視示意圖。
圖10A和圖10B示出了現有的單進料蒸發器的一個示例。
圖11是根據本發明的第四實施例的二進料蒸發裝置的應用示意圖。
圖12示出了根據本發明的上述第四實施例的所述二進料蒸發裝置的立體示意圖。
圖13A和圖13B示出了根據本發明的上述第四實施例的所述二進料蒸發裝置的剖視示意圖。
圖14示出了根據本發明的上述第四實施例的所述二進料蒸發裝置的原理示意圖。
圖15示出了根據本發明的第四實施例的二進料蒸發裝置的使用方法的流程示意圖。
以下描述用於揭露本發明以使本領域技術人員能夠實現本發明。以下描述中的優選實施例只作為舉例，本領域技術人員可以想到其他顯而易見的變型。在以下描述中界定的本發明的基本原理可以應用於其他實施方案、變形方案、改進方案、等同方案以及沒有背離本發明的精神和範圍的其他技術方案。
本領域技術人員應理解的是，在本發明的揭露中，術語“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“豎直”、“水準”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關係是基於附圖所示的方位或位置關係，其僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此上述術語不能理解為對本發明的限制。
可以理解的是，術語“一”應理解為“至少一”或“一個或多個”，即在一個實施例中，一個元件的數量可以為一個，而在另外的實施例中，該元件的數量可以為多個，術語“一”不能理解為對數量的限制。
對“一個實施例”、“實施例”、“示例實施例”、“各種實施例”、“一些實施例”等的引用指示這樣的描述本發明的實施例可包括特定特徵、結構或特性，但是不是每個實施例必須包括該特徵、結構或特性。此外，一些實施例可具有對其它實施例的描述的特徵中的一些、全部或沒有這樣的特徵。
圖1A，1B是根據本發明的第一個優選實施例的原料氣化裝置10的不同角度立體示意圖。圖2是沿圖1A的A-A線的剖視示意圖。圖3是圖2中的B位置的局部放大示意圖。圖4是根據本發明的第一個優選實施例的原料氣化裝置10的分解示意圖。圖5是根據本發明的第一個優選實施例的原料氣化裝置10的另一角度分解示意圖。圖6是根據本發明的第一個優選實施例的原料氣化裝置10和一鍍膜裝置20構成的鍍膜設備100。
參考附圖1A至附圖6，本發明提供一原料氣化裝置10，所述原料氣化裝置10用於將液態化學原料進行氣化，也就是說，將化學原料由液態轉變為氣態。進一步，優選地，所述原料氣化裝置10用於為等離子體鍍膜技術提供氣態的化學原料。也就是說，所述原料氣化裝置10適於被應用於等離子體鍍膜工藝中，將用於進行等離子體鍍膜的液體化學原料轉化為氣態。
所述原料氣化裝置10包括一進料控制部13和至少兩級氣化部件。所述進料控制部13用於送入需要被氣化的原料，進一步，所述進料控制部13用於送入液態的化學原料。也就是說，液態化學原料通過所述進料控制部13被可控制地送入所述原料氣化裝置10內部。所述兩級氣化部件用於分級地氣化被送入的原料。進一步，所述兩級氣化部件通過加熱蒸發的方式將液態原料進行氣化。
參考圖1A-圖2，所述進料控制部13包括一第一進料嘴131、一組控制閥和一組進料管134，所述第一進料嘴131被連接於所述一組控制閥的其中一個，用於將化學原料送入。所述一組進料管134分別連通所述一組控制閥和所述進料控制部13，以形成液體原料的輸送通道。
進一步，通過所述一組控制閥的控制，液體原料被可控制地通過進料控制部13送入所述氣化部件。
所述一組控制閥包括一第一控制閥132和一第二控制閥133，所述第一控制閥132連接所述第一進料嘴131，也就是說，進入所述第一進料嘴131的原料先被所述第一控制閥132控制，舉例地但不限於，所述第一控制閥132控制液體原料的流量大小、通斷。優選地，所述第一控制閥132是隔膜 閥。所述隔膜閥用於控制流量，定量進入的液體流量。
進一步地，所述第一控制閥132包括兩個隔膜閥，兩個隔膜閥中間通過一進料管連接。優選地，所述進料管是一定量進料管，能夠預先設置內部的容積。當液體進入時，第一隔膜閥打開，在重力或者負壓作用下，液體進入兩個隔膜閥之間的進料管，然後第一隔膜閥關閉，第二隔膜閥打開，兩個隔膜閥中間的進料管中的液體流向第二控制閥133，通過所述第二控制閥133進入氣化部件。
所述第一控制閥132通過一第一進料管1341連通所述第二控制閥133，也就是說，通過所述第一控制閥132控制進入的液體原料經由所述進料管134被送入所述第二控制閥133。
所述第二控制閥133通過一第二進料管1342連通所述氣化部件。也就是說，所述第一進料嘴131、所述第一控制閥132、所述第一進料管1341、所述第二控制閥133和所述第二進料管1342可控制地連通，形成了原料的進入通道。
值得一提的是，所述第二控制閥133優選是一三通閥。三通閥方便鍍膜結束後，從三通閥的其中一個孔向所述兩級氣化部通入空氣，從而對所述兩級氣化部進行吹掃，以便清除裡面殘留的氣體或者液體的化學原料。
值得一提的是，通過所述第一控制閥132和所述第二控制閥133的配合控制，使得所述進料控制部13對原料的進入控制更加精准，液體原料能夠均勻、定量地被輸送到所述氣化部件，從而能夠使得後續的氣化過程更加穩定，有利於增強等離子體鍍膜的穩定性。
所述進料控制部13還包括一支架135，所述第一控制閥132和所述第二控制閥133被安裝於所述支架135，以使得所述進料控制部13的進料通道130按預定方向佈置。
所述兩級氣化部件分別包括一第一級氣化部件11和一第二級氣化部件12，所述第一級氣化部件11和所述第二級氣化部件12分別為不同階段的原料進行加熱氣化。進一步，進入所述原料氣化裝置10的原料先經過所述第一級氣化部件11的初級氣化後通過所述第二級氣化部件12的第二級氣化或者說進一步的氣化。值得一提的是，在本發明地這個實施例中，以兩級氣化部件為例進行說明，在本發明的其它實施例中，所述原料氣化裝置10還可以包括更多級的氣化部件，本發明在這方面並不限制。
值得一提的是，在本發明的實施例中，通過設置多級的氣化部件來整體地延長氣化路徑，提高氣化效率。
參考圖1B，所述第一級氣化部件11包括一第一氣化箱111和一組加熱件，所述一組加熱件用於為所述第一氣化箱111進行加熱，從而使得進入所述第一氣化箱111內的原料被氣化。
參考圖2，所述第一氣化箱111具有一第一入口1101，所述第二進料管134連接所述第一入口1101，也就是說，所述進料控制部13進入的原料通過所述第一入口1101進入所述第一級氣化部件11的所述第一氣化箱111內部。
所述第一進料嘴131、所述一組控制閥、所述一組進料管134大致呈直線地佈置，所述第一進料嘴131、所述一組控制閥、所述一組進料管134和所述第一入口1101可控制地連通形成一進料通道130。為了便於說 明，將所述進料通道130所在方向定義為豎向。也就是說，所述進料通道130沿豎向延伸，換句話說，液體的化學原料在進入所述進料通道130後，由所述一組控制閥控制流體的通斷和流量大小，並且在重力的作用下流動。
所述第一氣化箱111具有一預熱腔1102和一第一加熱腔1103，所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103部分地連通，所述第一入口1101連通所述預熱腔1102，也就是說，進入所述第一氣化箱111的原料先進入第一預熱腔1102，經過所述第一預熱腔1102預熱後再被逐漸送入所述第一加熱腔1103。
值得一提的是，所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103部分地連通，也就是說，所述第一氣化箱內部並不是一個整體的連通空間，而是相互部分隔離的空間，而通過相互隔離連通的空間來使得進入的原料被緩流，從而逐漸被進行加熱。
進一步，所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103沿豎向並列地設置，也就是說，所述預熱腔1102在所述第一加熱腔1103上方。原料進入所述第一入口1101後先進入所述預熱腔1102而後再進入所述第一加熱腔1103。
參考圖2，所述預熱腔1102和所述加熱腔之間具有一局部連通通道1104，使得所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103部分地連通。進一步，所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103側向部分地連通。值得一提的是，所述局部連通通道1104和所述第一入口1101錯位地設置，也就是說，所述局部連通通道1104和所述第一入口1101不在同一條直線上，通過這樣的佈 置方式，使得由所述第一入口1101進入的化學原料不會直接地進入第一加熱腔1103，而是預先在所述預熱腔1102停留，進行充分的預熱。
還值得一提的是，通過所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103的位置設置，來初步地延長化學原料在所述原料氣化裝置10中的氣化路徑，從而提高對液態化學原料的氣化效率。
進一步，參考圖1B，所述第一級氣化部件11的所述一組加熱部件包括一預熱件112和一第一加熱件113，所述預熱件112為所述預熱腔1102進行加熱，所述第一加熱腔1103用於為所述第一加熱腔1103進行加熱。還值得一提的是，所述預熱件112和所述第一加熱件113能夠獨立地為所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103分別進行加熱。也就是說，所述預熱件112和所述第一加熱件113分別為所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103提供不同或者說差異化的加熱條件，使得所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103的加熱條件和各自其中的化學原料狀態相適應，促進其中的化學原料的氣化。
還值得一提的是，在一級加熱時，先對進入的液體原料進行較低溫度的預熱，而後進行較高溫度的加熱，使得化學原料能夠逐漸地從低溫到高溫氣化，進一步地提高氣化程度。
進一步，參考圖4和圖5，所述第一氣化箱111包括一第一主體1111和第一蓋體1112，所述第一蓋體1112可拆卸地連接於所述第一主體1111。當所述第一蓋體1112結合於所述第一主體1111時，所述第一蓋體1112和所述第一主體1111之間形成所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103。舉例 地，所述第一蓋體1112通過一第一組固定元件1116可拆卸地固定於所述第一主體1111。
所述第一主體1111包括一間隔壁11111，所述間隔壁11111將所述第一氣化箱111內部分隔為兩個空間，分別為第一分隔室111101和第二分隔室111102。所述第一分隔室111101和所述第二分隔室111102分別和所述第一蓋體1112的內側空間形成所述預熱腔1102和所述第一加熱腔1103。所述第一蓋體1112內側和所述第一間隔壁11111的頂部之間形成所述局部連通通道1104。值得一提的是，所述間隔壁11111可以與所述第一主體1111的側壁高度相同，也可以高於或者低於所述第一主體1111的側壁。
值得一提的是，所述第一入口1101與所述間隔壁11111相對地設置，以使得進入所述第一入口1101的原料不會直接到達所述局部連通通道1104，而是經過所述第一間隔壁11111的緩衝作用，在所述預熱腔1102內停留相對較長的時間，能夠更加充分地預熱而初步氣化，並且避免出現化學原料堆積或者堵塞。換句話說，由所述第一入口1101進入所述預熱腔1102的原料在重力的作用下落時，會被所述間隔壁11111阻擋。
還值得一提的是，所述第一級氣化部件11的所述第一入口1101位於較高位置，所述第一出口1105位於較低位置，使得液態的化學原料能夠充分進入所述第一級氣化部件11，避免出現化學原料堆積或者堵塞。
所述第一氣化箱111還包括一第一密封件1113，所述第一密封件1113被設置於所述第一主體1111和所述第一蓋體1112之間，以使得所述第一蓋體1112密封地連接於所述第一主體1111。
所述第一氣化箱111還具有一第一出口1105，所述第一出口1105連通所述第一加熱腔1103，也就是說，化學原料經過所述第一加熱腔1103的加熱後由所述第一出口1105流出。進一步，所述第一出口1105和所述局部連通通道1104對側地設置，以增大所述局部連通通道1104和所述第一出口1105之間地距離。值得一提的是，通過所述第一出口1105和所述局部連通通道1104的位置設置，也能夠進一步地延長化學原料在所述第一氣化箱111中的氣化路徑，促進化學原料的氣化。
進一步，所述第一氣化箱111具有一第一出料嘴1114，所述第一出料嘴1114橫向延伸。所述第一出料嘴1114形成所述第一出口1105。更進一步，所述第一出料嘴1114延伸進入所述第二級氣化部件12，使得所述第一級氣化部件11和所述第二級氣化部件12連接穩定，並且具有良好的密封性。
優選地，所述第一出口1105位於所述第一氣化箱111的較低位置，以使得所述第一氣化箱111內的原料被充分加熱氣化後再流出。
所述第二級氣化部件12包括一第二氣化箱121和第二加熱件122，所述第二加熱件122用於為所述第二氣化箱121進行加熱，從而使得初步氣化後的原料進入所述第二氣化箱121內被進一步地氣化。
值得一提的是，在本發明的一些實施例中，也可以不設置所述預熱件112，而借助所述第一加熱件113提供的熱量來為所述預熱腔1102進行預熱，也就是說，為進入所述預熱腔1102的液態原料進行預熱。由於所述預熱腔1102與所述第一加熱腔1103鄰接地設置，所述第一加熱腔1103的部 分熱量能夠熱傳遞到所述預熱腔1102，因此為所述預熱腔1102提供預熱的條件。
所述第二氣化箱121具有一第二入口1201，所述第二入口1201連通所述第一氣化部件的所述第一出口1105，以使得由所述第一氣化箱111流出的中間原料進入所述第二氣化箱121。所述第二氣化箱121具有一第二進料嘴1214，所述第二進料嘴1214延伸地連接所述第一出料嘴1114，更進一步，所述第一出料嘴1114延伸進入所述第二進料嘴1214，以使得所述第一出料嘴1114穩定而密封地連接於所述第二進料嘴1214。所述第二進料嘴1214形成所述第二入口1201。
所述第二氣化箱121具有一第二加熱腔1202，所述第二入口1201連通所述第二加熱腔1202，也就是說，由所述第二入口1201流入的原料進入所述第二加熱腔1202被進一步地加熱氣化。
所述第二氣化箱121具有一第二出口1203，也就是說，原料經過所述第二加熱腔1202的加熱氣化後流出所述第二氣化箱121。
進一步，所述第二級氣化部件12的所述第二出口1203位於所述第二氣化箱121的較高位置，所述第二入口1201位於較低位置，也就是說，所述第二出口1203的位置高於所述第二入口1201的位置，從而使得進入所述第二氣化箱121的原料被充分氣化後或者完全氣化後由低處自動抬升進入所述第二出口1203而流出，由此提高化學原料的氣化率，或者說使得原料被充分氣化後再送出，避免流出的原料中摻雜液體。
所述第二氣化箱121包括一第二主體1211和一第二蓋體1212，所述第二主體1211和所述第二蓋體1212內部形成所述第二加熱腔 1202。所述第二蓋體1212可拆卸地連接於所述第二主體1211。更具體地，所述第二蓋體1212能夠通過一第二組固定元件1216可拆卸地固定於所述第二主體1211。
所述第二氣化箱121包括一第二密封件1213，所述第二密封件1213被設置於所述第二主體1211和所述第二蓋體1212之間，以使得所述第二蓋體1212密封地連接於所述第二蓋體1212。
所述第二加熱件122被安裝於所述第二主體1211，為所述第二主體1211加熱。
值得一提的是，參考圖2和圖3，所述原料氣化裝置10還包括一隔熱密封件14，所述隔熱密封件14被設置於所述第一氣化箱111和所述第二氣化箱121相接的位置。所述隔熱密封件14使得所述第一氣化箱111和所述第二氣化箱121密封地連接，並且使得所述第一氣化箱111和所述第二氣化箱121相接位置不會直接接觸從而防止所述第一箱體和所述第二箱體之間的熱量傳遞，進一步地，使得所述第一氣化箱111和所述第二氣化箱121能夠獨立加熱氣化，從而達到分級加熱的效果。
進一步，所述隔熱密封件14被設置於所述第一氣化箱111的所述第一出料嘴1114和所述第二氣化箱121的所述第二進料嘴1214之間相接的位置。更具體地，所述第一出料嘴1114和所述第二進料嘴1214各自具有一凸出部，所述隔熱密封件14被夾持於所述第一出料嘴1114和所述第二進料嘴1214的凸出部之間。
換句話說，通過所述隔熱密封件14熱隔離相接的氣化部件，使得所述第一級氣化部件11的所述第一氣化箱111和所述第二級氣化部件12 的所述第二氣化箱121不會直接接觸而產生熱傳遞，從而能夠獨立地加熱蒸發原料。
所述第二氣化箱121包括一向外延伸的連接頭1215，以便於連接一鍍膜裝置20，為所述鍍膜裝置20提供氣態的原料。所述連接頭1215自所述第二主體1211向外延伸。
值得一提的是，在本發明的這個實施例中，所述預熱件112、所述第一加熱件113和所述第二加熱件122能夠各自獨立地進行加熱工作，也就是說，分別提供不同的加熱條件，從而分別與不同狀態或者階段的原料相對應，從而使得對應狀態的原料氣化效率更高。
參考圖2，所述第一氣化箱111連通所述第二氣化箱121形成一氣化通道，也就是說，原料在所述第一氣化箱111和所述第二氣化箱121整體形成的通道中完成整個氣化過程。更進一步，所述第一氣化箱111的所述第一入口1101，所述預熱腔1102、所述第一加熱腔1103、所述局部連通通道1104、所述第一出口1105以及所述第二氣化箱121的所述第二入口1201、所述第二加熱腔1202、所述第二出口1203相互連通形成所述氣化通道，在本發明的實施中，通過所述第一氣化箱111和所述第二氣化箱121的分級設置以及對應的開口以及空間的設置來延長原料整體的氣化路徑，使得原料在所述原料氣化裝置10中能夠更加充分地被氣化，從而減少或者避免提供的氣態原料中摻雜液體。
值得一提的是，在本發明的實施例中，所述進料控制部13沿縱向地佈置，所述第一級氣化部件11沿縱向地佈置，所述第二級氣化部 件12大致沿橫向地佈置，從而使得進料方向、多級氣化方向分別按不同方向佈置，在延長氣化路徑的同時減少空間的佔用。
圖6是根據本發明的第一個優選實施例的原料氣化裝置10和一鍍膜裝置20構成的鍍膜設備100。參考圖6，所述鍍膜設備100包括所述鍍膜裝置20和所述原料氣化裝置10，所述原料氣化裝置10為所述鍍膜裝置20提供氣化後的原料，以供所述鍍膜裝置20進行鍍膜。所述原料氣化裝置10的所述第二出口1203連接所述鍍膜裝置20。
優選地，所述鍍膜裝置20是一等離子體鍍膜裝置20，也就是說，將所述原料氣化裝置10輸送的氣態原料進行等離子體氣相沉積，從而在一基體的表面形成膜層。
值得一提的是，根據本發明的實施例，所述原料氣化裝置10通過延長氣化路徑、調整加熱氣化溫度以及多級配合的氣化方式來提高化學原料的氣化效率，減少材料地堆積和堵塞，從而能夠為所述鍍膜裝置20提供更適宜鍍膜的原料，使得所述鍍膜裝置20鍍的膜層厚度更加均勻、性能更穩定。
圖7是根據本發明的第二個優選實施例的原料氣化裝置10的整體示意圖。
在本發明的這個實施例中，所述原料氣化裝置10包括兩個進料控制部13，兩個所述進料控制部13分別連接所述第一級氣化部件11。相應地，所述第一級氣化部件11包括兩個所述第一入口1101，分別連通所述預熱腔1102。
值得一提的是，通過兩個所述進料控制部13能夠同時通入相同或者不同的原料，以適應混合氣化的原料需求。更進一步，兩個所述進料控制部13相互並列地設置。
圖8是根據本發明的第三個優選實施例的原料氣化裝置10的整體示意圖。圖9是根據本發明的第三個優選實施例的原料氣化裝置10的剖視示意圖。
在本發明地這個實施例中，所述原料氣化裝置10還包括一第三級氣化部件15，所述第三級氣化部件15連通所述第二級氣化部件12。當然，在本發明的其它實施例中，也可以有更多級的氣化部件。
值得一提的是，所述第三級氣化部件15能夠從較高位置連通所述第二級氣化部件12，也能夠從較低位置連通所述第二級氣化部件12。也就是說，所述第二級氣化部件12的所述介面能夠根據被接入的物件而進行調整。
更具體地，所述第三級氣化部件15包括一第三氣化箱151，所述第三氣化箱151具有一第三加熱腔1503，所述第三加熱腔1503連通所述第二出口1203，以對所述第二氣化箱121氣化後的原料進一步地進行氣化。
所述第三氣化箱151包括一第三主體1511和一第三蓋體1512，所述第三蓋體1512可拆卸地連接於所述第三主體1511。
在本發明的這個實施例中，所述第三氣化箱151具有一第三入口1501，所述第三入口1501位於較低位置，相應地，所述第二氣化箱121的所述第二出口1203位於較低位置。所述第三氣化箱151具有一第三出口 1502，所述第三出口1502位於較高位置，也就是說，所述第三出口1502的位置高於所述第三入口1501的位置。
所述第三氣化箱151和所述第二氣化箱121之間也可以通過一隔熱密封件14相互隔熱地連接。
參考說明書附圖之圖11至圖14所示，根據本發明的第四實施例的二進料蒸發裝置91被闡明，其中所述二進料蒸發裝置91適於與一鍍膜主體940裝配，以構成一鍍膜裝置，使得所述鍍膜裝置能夠利用化學單體氣體的聚合在待鍍膜工件的表面形成聚合物膜層。
具體地，如圖11至圖14所示，所述二進料蒸發裝置91包括一蒸發器主體910和一管路組件920，用於通過加熱裝置930加熱化學單體液體以蒸發成化學單體氣體，供真空鍍膜使用。所述蒸發器主體910具有一腔室9101和一加熱安裝部9102，其中所述腔室9101用於容納該化學單體液體，並且所述加熱安裝部9102用於安裝該加熱裝置930，以使該加熱裝置930加熱在所述腔室9101內的該化學單體液體，使得該化學單體液體被蒸發成該化學單體氣體。所述管路組件920包括一第一進料管路921、一第二進料管路922和一出料管路923，其中所述第一進料管路921和所述第二進料管路922分別連通於所述蒸發器主體910的所述腔室9101，用於向所述腔室9101內輸送該化學單體液體；其中所述出料管路923連通於所述蒸發器主體910的所述腔室9101，用於將被蒸發成的該化學單體氣體從所述腔室9101內輸送出來。
值得注意的是，由於本發明的所述二進料蒸發裝置1同時包括相互獨立的所述第一進料管路921和所述第二進料管路922，因此相比於現有的單進料蒸發器，本發明的所述二進料蒸發裝置91的進料流量調控範圍 得以大幅地變寬，是現有的單進料蒸發器的進料流量的二倍，甚至以上。此外，所述第一進料管路921和所述第二進料管路922可以互為備用管路，以在兩者中任何一個出現故障時，另一個進料管路仍可以繼續為所述腔室9101輸送化學單體液體，保障真空鍍膜工藝持續地正常進行，有助於提高所述二進料蒸發裝置的工作穩定性和可靠性。
優選地，所述管路組件920的所述第一進料管路921還可以用於在向所述腔室9101內輸送該化學單體液體之前，向所述腔室9101內輸送工藝氣體，以置換所述腔室9101內的空氣，從而避免所述化學單體液體和/或所述化學單體氣體在所述腔室9101內與空氣直接接觸而發生化學反應或者被污染，確保所述化學單體氣體具有較高的純度和品質。可以理解的是，本發明的所述工藝氣體可以但不限於被實施為諸如氮氣、氦氣、氖氣或氬氣等不與所述化學單體氣體發生反應的氣體。
換言之，所述管路組件920的所述第一進料管路921和/或所述第二進料管路922不僅可以與儲存有所述化學單體液體的化學單體儲罐(圖中未示出)連通，以通過所述第一進料管路921和/或所述第二進料管路922為所述腔室9101輸送所述化學單體液體，而且也可以與儲存有所述工藝氣體的工藝氣體儲罐(圖中未示出)連通，以通過所述第一進料管路921和/或所述第二進料管路922為所述腔室9101輸送所述工藝氣體。
值得一提的是，儘管在附圖11至圖14以及接下來的描述中以所述二進料蒸發裝置91的所述管路組件920僅包括兩個進料管路(即所述第一進料管路921和所述第二進料管路922)為例，闡述本發明的所述二進料蒸發裝置91的特徵和優勢，本領域技術人員可以理解的是，附圖11至圖14以及 接下來的描述中揭露的所述進料管路的具體數量僅為舉例，其並不構成對本發明的內容和範圍的限制，例如，在所述二進料蒸發裝置91的其他示例中，所述進料管路的數量也可以超過兩個，仍能夠實現所述二進料蒸發裝置91的蒸發效果。
根據本發明的上述第四實施例，更具體地，如圖13A和圖13B所示，所述二進料蒸發裝置91的所述蒸發器主體910的所述腔室9101包括相互連通的一預熱腔91011和一蒸發腔91012，其中所述第一進料管路921和所述第二進料管路922分別與所述預熱腔91011直接連通，用於使經由所述第一進料管路921和/或所述第二進料管路922輸送來的該化學單體液體先進入所述預熱腔91011被預熱，再進入所述蒸發腔91012被蒸發以獲得該化學單體氣體。換言之，所述二進料蒸發裝置91能夠先預熱經由所述第一進料管路921和/或所述第二進料管路922輸送來的化學單體液體，再蒸發被預熱後的化學單體液體以形成化學單體氣體，有助於提高所述二進料蒸發裝置91的整體蒸發效率。
優選地，如圖13A和圖13B所示，所述蒸發器主體910的所述腔室9101進一步包括與所述蒸發腔91012相連通的一加熱腔91013，其中所述出料管路923與所述加熱腔91013連通，用於使在所述蒸發腔91012內蒸發獲得的該化學單體氣體在所述加熱腔91013內繼續被加熱後，再進入所述出料管路923被輸出，使得該化學單體氣體中攜帶的液滴得以被蒸發，有助於提高所述化學單體氣體的幹度，使得所述二進料蒸發裝置91的蒸發效率得以進一步提高。
更優選地，如圖13B所示，所述蒸發器主體910中的所述預熱腔91011和所述加熱腔91013被間隔地疊置，並且所述蒸發腔91012位於所述預熱腔91011和所述加熱腔91013的同側，以通過所述蒸發腔91012分別連通所述預熱腔91011和所述加熱腔91013，防止所述預熱腔91011和所述加熱腔91013直接連通，避免在所述預熱腔91011內被預熱的所述化學單體液體未在所述蒸發腔91012內進行蒸發就進入所述加熱腔91013，從而避免未被蒸發的所述化學單體液體直接經由所述加熱腔91013進入所述出料管路923，導致經由所述出料管路923輸送的所述化學單體氣體的幹度不夠，影響後續的真空鍍膜工藝。
最優選地，如圖13B和圖14所示，所述蒸發器主體910中的所述預熱腔91011位於所述加熱腔91013的上方，其中在所述加熱腔91013內被加熱的該化學單體氣體在所述蒸發腔91012內上升，並且在所述預熱腔91011內被預熱的所述化學單體液體在所述蒸發腔91012內下降，從而使得被加熱後的所述化學單體氣體將與被預熱後的所述化學單體液體在所述蒸發腔91012內相遇，以進一步加熱被預熱後的該化學單體液體，提高所述化學單體液體在所述蒸發腔91012內的蒸發效果。
根據本發明的上述第四實施例，如圖13A和圖13B所示，所述二進料蒸發裝置91的所述蒸發器主體910包括一腔體911和一蓋體912，其中所述蓋體912被可拆卸地設置於所述腔體911的一側，以在所述腔體911和所述蓋體912之間形成所述腔室9101。
值得注意的是，由於所述蓋體912被可拆卸地安裝於所述腔體911，使得在所述腔體911和所述蓋體912之間形成的所述腔室9101能夠被 打開和封閉，因此所述二進料蒸發裝置91的所述腔室9101容易被定期或不定期地清潔或保養(如清理所述腔室9101內壁上的污垢)，有助於保障所述二進料蒸發裝置91的蒸發效率，並且使得蒸發獲得的所述化學單體氣體能夠長時間保持良好的純度和品質。
示例性地，如圖13B和圖14所示，所述二進料蒸發裝置91的所述蒸發器主體910中的所述預熱腔91011和所述加熱腔91013被間隔地設置於所述腔體911，並且所述蒸發器主體910中的所述蒸發腔91012被對應地設置於所述蓋體912，以在所述蓋體912被安裝至所述腔體911時，所述蒸發腔91012位於所述預熱腔91011和所述加熱腔91013的同一側，並將所述預熱腔91011與所述加熱腔91013連通，以構成完整的所述腔室9101，從而實現先預熱所述化學單體液體，再蒸發所述化學單體液體以獲得所述化學單體氣體，最後進一步加熱所述化學單體氣體以被輸送出去供真空鍍膜的進料蒸發工藝。
優選地，如圖13A和圖13B所示，所述二進料蒸發裝置91中的所述出料管路923和所述蓋體912分別被對應地設置於所述腔體911的相對兩側。這樣，當所述二進料蒸發裝置91的所述出料管路923連通至一真空鍍膜主體940時，所述二進料蒸發裝置91的所述蓋體912將位於所述腔體911的遠離所述真空鍍膜主體940的一側，以避免所述真空鍍膜主體940干擾所述蓋體912的拆裝。可以理解的是，由於現有的單進料蒸發器的兩個蓋體分別位於出料管路的左右兩側，因此當該現有的單進料蒸發器的出料管路連通於所述真空鍍膜主體，該現有的單進料蒸發器的兩個蓋體仍然鄰近所述真空 鍍膜主體，造成所述真空鍍膜主體影響兩個蓋體的拆裝，不利於後期的維護和保養。
更優選地，如圖13B所示，所述二進料蒸發裝置91的所述蒸發器主體910可以進一步具有一導氣孔9103，其中所述導氣孔9103被貫穿地設置於所述腔體911，以通過所述導氣孔9103將所述出料管路923與所述加熱腔91013連通，使得在所述加熱腔91013內被加熱的所述化學單體氣體經由所述導氣孔9103以穿過所述腔體911被導流至所述出料管路923，進而通過所述出料管路923被輸送至所述真空鍍膜主體940內。
值得注意的是，正是由於所述導氣孔9103貫穿所述腔體911，使得經由所述導氣孔9103導流的所述化學單體氣體也將貫穿地流過整個所述腔體911，因此所述化學單體氣體在所述導氣孔9103導流的過程中能夠被持續地加熱，不僅能夠使得所述化學單體氣體中夾帶的液滴被徹底蒸發，而且能夠防止所述化學單體氣體的溫度降低而液化。
值得一提的是，在本發明的上述第四實施例中，如圖12和圖13A所示，所述加熱裝置930優選地可以被實施為一加熱棒931，對應地，所述蒸發器主體910的所述加熱安裝部9102優選地被實施為一插接孔91021，其中所述插接孔91021被設置於所述腔體911，用於插接地安裝所述加熱棒931，以通過所述加熱棒931實現相應的預熱和/或加熱效果。
優選地，如圖13A和圖13B所示，所述蒸發器主體910中的所述插接孔91021與所述腔室9101互不連通，用於將經由所述加熱棒931產生的熱量通過所述腔體911傳遞至所述腔室9101，以進行預熱和/或加熱，有助於更好地密封所述腔室9101，以防外部空氣透過所述插接孔91021進入所述腔 室9101而影響所述腔室9101內所述化學單體液體的蒸發效率和品質。換言之，所述加熱棒931直接加熱所述腔體911，進而通過所述腔體911將熱量傳遞至所述腔室9101和所述導氣孔103，以實現相應的預熱和/或加熱目的。
可以理解的是，所述加熱裝置930(如所述加熱棒931)不直接預熱和加熱所述化學單體液體和所述化學單體氣體，而是透過所述腔體911來間接地預熱和加熱所述化學單體液體和所述化學單體氣體，有助於增大所述加熱裝置930與所述化學單體液體和所述化學單體氣體之間的傳熱面積，進而提高所述二進料蒸發裝置91的蒸發效率。
值得一提的是，根據本發明的上述第四實施例，如圖12所示，所述二進料蒸發裝置91的所述管路組件920可以進一步包括多個控制閥門924，其中多個所述控制閥門924分別被對應地安裝至所述第一進料管路921和所述第二進料管路922，用於分別控制經由所述第一進料管路921和所述第二進料管路922輸送的所述化學單體液體的流量。
示例性地，所述控制閥門924可以但不限於被實施為一隔膜閥9241。當然，在本發明的其他示例中，所述控制閥門924還可以被實施為諸如電動閥、電磁閥或截止閥等等之類的其他類型的閥門，本發明對此不再贅述。
此外，如圖12所示，所述二進料蒸發裝置91還可以進一步包括一擋板950，其中所述擋板950適於被可拆卸地安裝於所述出料管路923，以在所述出料管路923連通至所述真空鍍膜主體940時，所述擋板950位於所述真空鍍膜主體940的內部且鄰近所述真空鍍膜主體940的腔室內壁的位置，用於改變該化學單體氣體的流向，使得該化學單體氣體向四面擴散， 而不是沿著所述出料管路的軸向直接向前流出，有助於使得該化學單體氣體擴散的更加均勻。另外，所述擋板950和安裝有固定元件如螺栓件的所述蓋體912分別位於所述蒸發器主體910的相反兩側，從而使得其方便安裝。
根據本發明的另一方面，如圖15所示，本發明進一步提供了二進料蒸發裝置的使用方法，包括如下步驟：S120：經由一管路組件920的一第一進料管路921和/或一第二進料管路922輸送化學單體液體至一蒸發器主體910的腔室9101；S130：通過加熱裝置930加熱所述蒸發器主體910，將所述腔室9101內的所述化學單體液體蒸發成化學單體氣體；以及S140：經由所述管路組件920的一出料管路923將所述化學單體氣體從所述腔室9101內輸送出來，以供真空鍍膜使用。
值得注意的是，本發明的所述二進料蒸發裝置的使用方法，可以進一步包括步驟：S110：經由所述管路組件920的所述第一進料管路921和/或所述第二進料管路922輸送工藝氣體至所述蒸發器主體910的所述腔室9101，以置換所述腔室9101內的空氣。
更具體地，如圖15所示，本發明的所述二進料蒸發裝置的使用方法的所述步驟S130可以包括步驟：S131：在所述腔室9101的預熱腔91011內預熱經由所述第一進料管路921和/或所述第二進料管路922輸送來的所述化學單體液體；和S132：在所述腔室9101的蒸發腔91012內蒸發被預熱後的所述化學單體液體，以獲得所述化學單體氣體。
優選地，如圖15所示，所述步驟S130可以進一步包括步驟：S133：在所述腔室9101的加熱腔91013內加熱蒸發獲得的所述化學單體氣體。
根據本發明的另一方面，如圖11所示，本發明進一步提供了一鍍膜裝置，其中所述鍍膜裝置可以包括上述二進料蒸發裝置91和所述鍍膜主體940，其中所述二進料蒸發裝置91被可連通地安裝於所述鍍膜主體940，以通過所述二進料蒸發裝置91為所述鍍膜主體940提供所述化學單體氣體，從而通過所述鍍膜主體940進行鍍膜操作。
具體地，如圖11所示，所述鍍膜主體940可以包括一反應腔室941、一抽真空管路942以及一支架943，其中所述二進料蒸發裝置91的所述出料管路923連通於所述反應腔室941，用於通過所述二進料蒸發裝置91向所述反應腔室941內供應所述化學單體氣體；其中所述支架943被設置於所述反應腔室941內，用於放置待鍍膜工件；其中所述抽真空管路942適於將所述反應腔室941與真空泵連通，以通過所述真空泵對所述反應腔室941抽真空，使得所述鍍膜裝置能夠在通過所述真空泵抽真空的條件下，利用所述化學單體氣體的聚合在所述待鍍膜工件的表面形成聚合物膜層。可以理解的是，本發明提及的抽真空指的是所述反應腔室941的內部壓力小於所述反應腔室941的外部壓力；當然，所述反應腔室941的外部壓力可以是大氣壓，也可以是低於或高於大氣壓的氣體壓力，本發明對此不做限制。
更具體地，如圖11所示，所述鍍膜主體940可以進一步包括一電極元件(圖中未示出)，其中所述電極元件被設置於所述反應腔室941， 用於向所述反應腔室941內的所述化學單體氣體放電，以引發所述化學單體氣體發生聚合並沉積在所述待鍍膜工件的表面。
本領域的技術人員應理解，上述描述及附圖中所示的本發明的實施例只作為舉例而並不限制本發明。本發明的目的已經完整並有效地實現。本發明的功能及結構原理已在實施例中展示和說明，在沒有背離所述原理下，本發明的實施方式可以有任何變形或修改。
10:原料氣化裝置
11:第一級氣化部件
111:第一氣化箱
1111:第一主體
1112:第一蓋體
12:第二級氣化部件
121:第二氣化箱
1211:第二主體
1212:第二蓋體
1215:連接頭
13:進料控制部
131:第一進料嘴
132:第一控制閥
133:第二控制閥
134:進料管
1341:第一進料管
1342:第二進料管
135:支架

Claims (24)

  1. 一種原料氣化裝置，其特徵在於，包括：一第一級氣化部件，所述第一級氣化部件用於將送入的原料進行初級氣化；一第二級氣化部件，所述第二級氣化部件用於將第一級氣化部件初級氣化後的原料進一步氣化；一隔熱密封件，其將所述第一級氣化部件和所述第二級氣化部件分隔連接；和一進料控制部，其中所述進料控制部用於送入需要被氣化的原料，所述進料控制部控制地連通所述第一級氣化部件；其中所述第一級氣化部件包括一第一氣化箱，所述第一氣化箱具有一預熱腔和一第一加熱腔，所述預熱腔和所述第一加熱腔部分地連通，所述預熱腔和所述第一加熱腔沿豎向並列地設置，所述預熱腔在所述第一加熱腔上方，所述第一氣化箱具有一第一入口，所述第一入口連通所述預熱腔，所述進料控制部連接於所述第一入口，所述第一氣化箱具有一局部連通通道，所述局部連通通道佈局連通所述預熱腔和所述第一加熱腔，所述第一入口和所述局部連通通道錯位地設置；所述第一氣化箱具有一第一出口，所述第一出口連通所述第一加熱腔，所述第一出口與所述局部連通通道相對側地設置，原料進入所述第一入口後先進入所述預熱腔而後通過所述局部連通通道再進入所述第一加熱腔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的原料氣化裝置，其中所述進料控制部的進料方向大致沿豎直的方向，所述第一級氣化部件和所述第二級氣化部件大致沿水準方向佈置。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的原料氣化裝置，其中所述進料控制部包括一第一進料嘴、一組控制閥和一組進料管，所述第一進料嘴、所述一組控制閥和所述一組進料管通過所述一組控制閥可控制地連通形成一進料通道。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的原料氣化裝置，其中所述進料通道大致沿豎直方向。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的原料氣化裝置，其中所述一組控制閥包括一第一控制閥和一第二控制閥，所述第一控制閥和所述第一進料嘴連接，所述第二控制閥通過一進料管連接所述第一控制閥。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的原料氣化裝置，其中所述第一控制閥是一隔膜閥，所述第二控制閥是一三通閥。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的原料氣化裝置，其中所述第一級氣化部件包括一組加熱件，所述一組加熱件包括一預熱件和一第一加熱件，所述預熱件為所述預熱腔加熱，所述第一加熱件為所述第一加熱腔加熱，所述預熱件和所述第一加熱件相互獨立地加熱。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的原料氣化裝置，其中所述第一入口的位置高於所述第一出口的位置。
  9. 如申請專利範圍第1-8項中任一所述的原料氣化裝置，其中所述第一氣化箱包括一第一主體和一第一蓋體，所述第一蓋體可拆卸地連 接於所述第一主體，所述第一蓋體和所述第一主體相接形成所述預熱腔和所述第一加熱腔。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的原料氣化裝置，其中所述第一氣化箱包括第一密封件，所述第一密封件被設置於所述第一蓋體和所述第一主體相接的位置。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的原料氣化裝置，其中所述第一主體包括一間隔壁，將所述第一主體內部分隔為兩個空間。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的原料氣化裝置，其中所述第一蓋體和所述間隔壁的頂部之間形成所述局部連通通道。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的原料氣化裝置，其中所述第一入口與所述間隔壁相對地設置。
  14. 如申請專利範圍第1-8項中任一所述的原料氣化裝置，其中所述第二級氣化部件包括一第二氣化箱，所述第二氣化箱具有一第二加熱腔和一第二入口，所述第二入口連通所述第二加熱腔，所述第二入口連通所述第一加熱腔。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的原料氣化裝置，其中所述第一氣化箱具有一第一出料嘴，所述第二氣化箱具有一第二進料嘴，所述第一出料嘴延伸地連接於所述第二進料嘴。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的原料氣化裝置，其中所述第一出料嘴延伸進入所述第二進料嘴。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的原料氣化裝置，其中所述隔熱密封件被設置於所述第一氣化箱和所述第二氣化箱的相接位置。
  18. 如申請專利範圍第14項所述的原料氣化裝置，其中所述第二級氣化部件包括一第二加熱件，所述第二加熱件為所述第二氣化箱加熱。
  19. 如申請專利範圍第14項所述的原料氣化裝置，其中所述第二氣化箱具有一第二出口，所述第二出口的位置高於所述第二入口的位置。
  20. 如申請專利範圍第14項所述的原料氣化裝置，其中所述第二氣化箱包括一第二主體和一第二蓋體，所述第二蓋體可拆卸地連接於所述第二主體。
  21. 如申請專利範圍第1-8項中任一所述的原料氣化裝置，其中所述原料氣化裝置為一鍍膜裝置提供氣態的化學原料，所述鍍膜裝置通過等離子體氣相沉積的方式形成膜層。
  22. 一種原料氣化裝置，其特徵在於，包括：一第一級氣化部件，所述第一級氣化部件用於將送入的原料進行初級氣化；一第二級氣化部件，所述第二級氣化部件用於將所述第一級氣化部件初級氣化後的原料進一步氣化；和一進料控制部，其中所述進料控制部用於送入需要被氣化的原料，所述進料控制部控制地連通所述第一級氣化部件，所述第一級氣化部件包括一第一氣化箱，所述第二級氣化部件包括一第二氣化箱，所述原料氣化裝置還包括一隔熱密封件，所述隔熱密封件被設置於所述一氣化箱和所述第二氣化箱相接的位置，以使所述一氣化箱和所述第二氣化箱保持距離；其中所述第一氣化箱具有一預熱腔和一第一加熱腔，所述預熱腔和所述 第一加熱腔部分地連通，所述預熱腔和所述第一加熱腔沿豎向並列地設置，所述預熱腔在所述第一加熱腔上方，所述第一氣化箱具有一第一入口，所述第一入口連通所述預熱腔，所述進料控制部連接於所述第一入口，所述第一氣化箱具有一局部連通通道，所述局部連通通道佈局連通所述預熱腔和所述第一加熱腔，所述第一入口和所述局部連通通道錯位地設置；所述第一氣化箱具有一第一出口，所述第一出口連通所述第一加熱腔，所述第一出口與所述局部連通通道相對側地設置，原料進入所述第一入口後先進入所述預熱腔而後通過所述局部連通通道再進入所述第一加熱腔。
  23. 一種鍍膜設備，其特徵在於，包括：一鍍膜裝置，所述鍍膜裝置用於通過等離子體氣相沉積的方式形成膜層；一原料氣化裝置，所述原料氣化裝置用於為所述鍍膜設備提供氣化原料，所述原料氣化裝置包括：一第一級氣化部件，所述第一級氣化部件用於將送入的原料進行初級氣化；一第二級氣化部件，所述第二級氣化部件用於將第一級氣化部件初級氣化後的原料進一步氣化；一隔熱密封件，其將所述第一級氣化部件和所述第二級氣化部件分隔連接；和一進料控制部，其中所述進料控制部用於送入需要被氣化的原料，所述進料控制部控制地連通所述第一級氣化部件； 其中所述第一級氣化部件包括一第一氣化箱，所述第一氣化箱具有一預熱腔和一第一加熱腔，所述預熱腔和所述第一加熱腔部分地連通，所述預熱腔和所述第一加熱腔沿豎向並列地設置，所述預熱腔在所述第一加熱腔上方，所述第一氣化箱具有一第一入口，所述第一入口連通所述預熱腔，所述進料控制部連接於所述第一入口，所述第一氣化箱具有一局部連通通道，所述局部連通通道佈局連通所述預熱腔和所述第一加熱腔，所述第一入口和所述局部連通通道錯位地設置；所述第一氣化箱具有一第一出口，所述第一出口連通所述第一加熱腔，所述第一出口與所述局部連通通道相對側地設置，原料進入所述第一入口後先進入所述預熱腔而後通過所述局部連通通道再進入所述第一加熱腔。
  24. 一種鍍膜設備，其特徵在於，包括：一鍍膜裝置，所述鍍膜裝置用於通過等離子體氣相沉積的方式形成膜層；一原料氣化裝置，所述原料氣化裝置用於為所述鍍膜設備提供氣化原料，所述原料氣化裝置包括：一第一級氣化部件，所述第一級氣化部件用於將送入的原料進行初級氣化；一第二級氣化部件，所述第二級氣化部件用於將所述第一級氣化部件初級氣化後的原料進一步氣化；和一進料控制部，其中所述進料控制部用於送入需要被氣化的原料，所述進料控制部控制地連通所述第一級氣化部件，所述第一級氣化部件包括一第一氣化箱，所述第二級氣化部件包括一第二氣化箱，所述 原料氣化裝置還包括一隔熱密封件，所述隔熱密封件被設置於所述一氣化箱和所述第二氣化箱相接的位置，以使所述一氣化箱和所述第二氣化箱保持距離；其中所述第一氣化箱具有一預熱腔和一第一加熱腔，所述預熱腔和所述第一加熱腔部分地連通，所述預熱腔和所述第一加熱腔沿豎向並列地設置，所述預熱腔在所述第一加熱腔上方，所述第一氣化箱具有一第一入口，所述第一入口連通所述預熱腔，所述進料控制部連接於所述第一入口，所述第一氣化箱具有一局部連通通道，所述局部連通通道佈局連通所述預熱腔和所述第一加熱腔，所述第一入口和所述局部連通通道錯位地設置；所述第一氣化箱具有一第一出口，所述第一出口連通所述第一加熱腔，所述第一出口與所述局部連通通道相對側地設置，原料進入所述第一入口後先進入所述預熱腔而後通過所述局部連通通道再進入所述第一加熱腔。
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