CN109023301A - 氧化铝膜制备装置 - Google Patents

氧化铝膜制备装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109023301A
CN109023301A CN201811244283.9A CN201811244283A CN109023301A CN 109023301 A CN109023301 A CN 109023301A CN 201811244283 A CN201811244283 A CN 201811244283A CN 109023301 A CN109023301 A CN 109023301A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
air inlet
cylinder
air
pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811244283.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109023301B (zh
Inventor
陈五奎
刘强
徐文州
陈磊
庞坤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Leshan Topraycell Co Ltd
Original Assignee
Leshan Topraycell Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leshan Topraycell Co Ltd filed Critical Leshan Topraycell Co Ltd
Priority to CN201811244283.9A priority Critical patent/CN109023301B/zh
Publication of CN109023301A publication Critical patent/CN109023301A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109023301B publication Critical patent/CN109023301B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Jet Pumps And Other Pumps (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种能够直接将液态三甲基铝作为原料供应的氧化铝膜制备装置。该装置包括真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，真空沉积室上设有进气口与排气口，真空沉积室内设置有进气主管和排气主管，进气口上连接有用于通入制程气体的进气装置，通过对进气装置进行改进，增加蒸发器，先将液态的三甲基铝蒸发成气态后再用氩气裹带气态的三甲基铝并和一氧化二氮混合后进入真空沉积室即可，无需在进行镀膜之前事先对液态的三甲基铝进行气态话，减少了气态三甲基铝的存储和运输难题，直接在真空沉积过程中一边转化一边使用，其安全性大大提高，而且减少了工序和工人的工作量，提高了镀膜效率。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。

Description

氧化铝膜制备装置
技术领域
本发明涉及太阳能电池硅片加工设备领域，尤其是一种氧化铝膜制备装置。
背景技术
为了提高晶体硅电池的转换效率，减少电池片的表面复合是一种有效的方法，这种效果称做钝化。在电池片的正面，减反射薄膜起到了良好的表面钝化作用；在电池片的背面，经过研究人员的分析和测试，铝背场的钝化效果还有很大的提升空间。研究人员从这个角度开发了背钝化电池，即通过在电池片背面镀钝化膜的方式来提升钝化效果。背钝化电池降低了电池片背面的载流子复合，增强了长波光的响应，提高了电池的开路电压，最终电池的效率也将得到提升。SiO2、非晶硅和氧化铝都可以作为背钝化膜，目前的背钝化电池常采用氧化铝作为背钝化膜。
在晶体硅太阳能电池制造过程中，制备氧化铝膜通常采用等离子体增强化学气相沉积法，简称为PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)，PECVD是利用强电场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团，这些基团经过经一系列化学和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。
目前，在晶体硅太阳能电池制造过程中，用于制备氧化铝膜的装置主要包括设置有炉门的真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，硅片放置于石墨舟上，真空沉积室上设有进气口与排气口，所述真空沉积室内设置有进气主管和排气主管，所述进气主管水平设置在石墨舟上方，所述进气主管与进气口连通，所述进气口上连接有用于通入制程气体的进气装置，所述排气主管水平设置在石墨舟下方，所述排气主管与排气口连通，所述排气口上连接有真空泵，真空泵的进口与排气口连通，真空泵的出口连接有尾排管，所述制程气体是指在氧化铝膜制备过程中用于反应的气体，一般情况下，在氧化铝膜制备过程中所使用的制程气体主要有以下三种：氩气、气态三甲基铝、一氧化二氮，该氧化铝膜制备装置的工作过程如下：将三制程气体分别通入真空沉积室内，不同的制程气体在真空沉积室内混合后并且在真空沉积室内电离成离子，经过多次碰撞产生大量的活性基，逐步附着在太阳能电池硅片的表面，形成一层氧化铝薄膜。这种氧化铝膜制备装置在实际使用过程中存在以下问题：首先，由于真空沉积过程中所需要的是都是气态分子，氩气和一氧化二氮在常温常压下都是气态，而且化学状态稳定，没什么危害，但是三甲基铝在常温下是液态，因此，在进行真空沉积前都是需要将其雾化成气态，而且三甲基铝遇水和空气都极其容易发生爆炸，因此，气态的三甲基铝不论是运输和保存都非常不方便，其次，在氧化铝膜制备装置工作的过程中，真空沉积室内的三种制程气体混合的越均匀，硅片表面形成的氧化铝膜才会更加均匀，现有的真空沉积过程中三种制程气体都是先通入真空沉积室后才进行自然混合，其混合均匀度非常差，经常导致同一批次的硅片表面氧化铝膜厚度层次不齐，严重影响镀膜的质量；再者，在氧化铝膜制备装置工作的过程中，真空沉积室内的温度需保持在一个稳定的范围内，由于现有的氧化铝膜制备装置都是直接将氩气、气态三甲基铝、一氧化二氮的混合气直接通入真空沉积室内，由于氩气、一氧化二氮的温度较低，一般接近室温，当二者进入温度高达400摄氏度的高温环境后，势必会对真空沉积室内的温度造成较大的影响，如果真空沉积室内温度波动变化较大会导致最后形成的氧化铝膜质量层次不齐，影响电池片的转换效率；另外，现有的氧化铝膜制备装置在沉积过程中产生的尾气都是在真空泵的作用下，依次沿排气主管、真空泵、尾排管排放到外界，由于沉积过程中三甲基铝有一部分不能完全反应，没有反应的三甲基铝和尾气混合在一起排出，三甲基铝气体遇到空气就会爆炸，由于尾气在排放管以及真空泵内都不会遇到空气，也就不会发生爆炸，但是一旦尾气进入尾排管后，由于尾排管与外界空气连通，因此，进入尾排管的尾气中含有的三甲基铝很容易爆炸，使得尾排管经常爆炸，造成生产事故，其安全性较差；最后，进入真空沉积室内的混合制程气体如何均匀的分布在真空沉积室内直接影响硅片表面的镀膜质量，目前对于如何使进入真空沉积室内的混合制程气体均匀的分布在真空沉积室内一直是一个亟待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够直接将液态三甲基铝作为原料供应的氧化铝膜制备装置。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：该氧化铝膜制备装置，包括设置有炉门的真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，硅片放置于石墨舟上，真空沉积室上设有进气口与排气口，所述真空沉积室内设置有进气主管和排气主管，所述进气主管水平设置在石墨舟上方，所述进气主管与进气口连通，所述进气口上连接有用于通入制程气体的进气装置，所述排气主管水平设置在石墨舟下方，所述排气主管与排气口连通，所述排气口上连接有真空泵，真空泵的进口与排气口连通，真空泵的出口连接有尾排管，所述进气装置包括一氧化二氮导气管、氩气导气管、三甲基铝导液管，所述一氧化二氮导气管末端与进气口连通，所述一氧化二氮导气管上设置有一氧化二氮气体流量计，所述三甲基铝导液管的末端连接有蒸发器，所述三甲基铝导液管上设置有三甲基铝液体流量计，所述氩气导气管与蒸发器连通，所述氩气导气管上设置有氩气气体流量计，所述蒸发器的出口与进气口连通。
进一步的是，所述进气装置与进气口之间设置有气体混合装置，所述气体混合装置包括一级气体混合装置和二级气体混合装置，所述一级气体混合装置包括锥形筒体、汇流管以及密闭的柱状壳体，所述柱状壳体的左端面中心开设有导气孔，所述导气孔分别与蒸发器的出口、一氧化二氮导气管连通，所述柱状壳体内设置有圆形的固定板，所述固定板的一侧表面正对导气孔，且导气孔的中心对准固定板的中心，所述固定板朝向导气孔的一侧表面设置有扰流板，所述扰流板与固定板表面的夹角小于九十度，且扰流板向导气孔方向倾斜，所述扰流板表面开设有多个通气孔，所述锥形筒体的大径端固定在柱状壳体的右端面上且锥形筒体的大径端与柱状壳体内部连通，所述锥形筒体的小径端与汇流管的左端固定相连且二者互相连通，所述汇流管的右端连接有二级气体混合装置，所述二级气体混合装置包括气体压缩机，所述气体压缩机的进口与汇流管的右端连通，所述气体压缩机的出口连接有气体喷嘴，所述气体喷嘴上连接有锥形的降压管，所述降压管的小径端与气体喷嘴相连，所述降压管的大径端与进气口连通。
进一步的是，所述气体混合装置与进气口之间设置有预热装置，所述预热装置包括保温箱体，所述保温箱体内设置有换热管，所述换热管的左端伸出保温箱体并且与降压管的大径端连通，所述换热管的右端伸出保温箱体与进气口连通，所述保温箱体的右端连接有导气管A，所述导气管A的末端与真空泵的出口连通，所述保温箱体的左端连接有导气管B，所述导气管B的末端与尾排管的入口连通。
进一步的是，所述换热管为盘管。
进一步的是，所述导气管B的末端与尾排管之间设置有尾气处理装置，所述尾气处理装置包括依次相连的气爆室、水爆室、甲烷燃烧室，所述气爆室上连接有空气导管，所述空气导管的末端设置有鼓风机，所述空气导管上设置有第一单向气阀，所述水爆室内盛装有水，所述导气管B上设置有第二单向气阀。
进一步的是，所述甲烷燃烧室为内径为150mm-300mm不锈钢圆筒。
进一步的是，所述圆筒的外表面设置有多个紧固圈，相邻的紧固圈之间通过金属条连接在一起。
进一步的是，所述进气口与进气主管之间设置有进气布气装置，所述排气口与排气主管之间设置有排气布气装置；所述进气布气装置包括M级分气结构，所述M≥2，第一级分气结构包括第一进气管，所述第一进气管的前端与进气口相连，第一进气管的末端连接有第一级分气器，所述第一级分气器包括设置在第一进气管内的第一圆筒，所述第一圆筒的外径与第一进气管的内径相同，所述第一圆筒内设置有N1个第一分隔板，所述N1≥2，所述N1个第一分隔板将第一圆筒的内部通道分割成N1个第一子通道，每个第一子通道的横截面面积均相同，每个第一子通道的末端密封连接有一个第二进气管，第二级分气结构包括设置在第二进气管的末端的第二级分气器，所述第二级分气器包括设置在第二进气管内的第二圆筒，所述第二圆筒的外径与第二进气管的内径相同，所述第二圆筒内设置有N2个第二分隔板，所述N2≥2，所述N2个第二分隔板将第二圆筒的内部通道分割成N2个第二子通道，每个第二子通道的横截面面积均相同，每个第二子通道的末端密封连接有一个第三进气管，依次类推，第M级分气结构包括设置在第M进气管末端的第M级分气器，所述第M级分气器包括设置在第M进气管内的第M圆筒，所述第M圆筒的外径与第M进气管的内径相同，所述第M圆筒内设置有NM个第M分隔板，所述NM≥2，所述NM个第M分隔板将第M圆筒的内部通道分割成NM个第M子通道，每个第M子通道的横截面面积均相同，每个第M子通道的末端密封连接有一个第M+1进气管；所述进气主管的两端封闭，进气主管侧壁上沿其轴线方向设置有一排通孔A和一排通孔B，所述通孔A和通孔B的数量相同，所述通孔A位于通孔B上方，且通孔A和通孔B的位置上下一一对应，所述通孔A的数量和第M+1进气管的数量相同，且每个第M+1进气管的末端均与一个通孔A连通，所述通孔B朝向石墨舟；所述排气布气装置包括M级引气结构，所述M≥2，第一级引气结构包括第一排气管，所述第一排气管的前端与排气口相连，第一排气管的末端连接有第一级引气器，所述第一级引气器包括设置在第一排气管内的第一筒体，所述第一筒体的外径与第一排气管的内径相同，所述第一筒体内设置有N1个第一隔板，所述N1≥2，所述N1个第一隔板将第一筒体的内部通道分割成N1个第一子引气道，每个第一子引气道的横截面面积均相同，每个第一子引气道的末端密封连接有一个第二排气管，第二级引气结构包括设置在第二排气管的末端的第二级引气器，所述第二级引气器包括设置在第二排气管内的第二筒体，所述第二筒体的外径与第二排气管的内径相同，所述第二筒体内设置有N2个第二隔板，所述N2≥2，所述N2个第二隔板将第二筒体的内部引气道分割成N2个第二子引气道，每个第二子引气道的横截面面积均相同，每个第二子引气道的末端密封连接有一个第三排气管，依次类推，第M级引气结构包括设置在第M排气管末端的第M级引气器，所述第M级引气器包括设置在第M排气管内的第M筒体，所述第M筒体的外径与第M排气管的内径相同，所述第M筒体内设置有NM个第M隔板，所述NM≥2，所述NM个第M隔板将第M筒体的内部引气道分割成NM个第M子引气道，每个第M子引气道的横截面面积均相同，每个第M子引气道的末端密封连接有一个第M+1排气管；所述排气主管的两端封闭，排气主管侧壁上沿其轴线方向设置有一排通孔C和一排通孔D，所述通孔C和通孔D的数量相同，所述通孔C位于通孔D上方，且通孔C和通孔D的位置上下一一对应，所述通孔D的数量和第M+1排气管的数量相同，且每个第M+1排气管的末端均与一个通孔D连通，所述通孔C朝向石墨舟。
进一步的是，所述M＝4，所述N1＝2,所述N2＝3,所述N3＝3,所述N4＝3。
本发明的有益效果是：该氧化铝膜制备装置通过对进气装置进行改进，通过增加蒸发器，先将液态的三甲基铝蒸发成气态后再用氩气裹带气态的三甲基铝并和一氧化二氮混合后进入真空沉积室即可，这样无需在进行镀膜之前事先对液态的三甲基铝进行气态话，减少了气态三甲基铝的存储和运输难题，直接在真空沉积过程中一边转化一边使用，其安全性大大提高，而且减少了工序和工人的工作量，提高了镀膜效率。
附图说明
图1是本发明氧化铝膜制备装置的结构示意图；
图2是图1的A局部放大图；
图3是图1的B局部放大图；
图中标记为：炉门1、真空沉积室2、石墨舟3、进气口4、排气口5、进气主管6、排气主管7、进气装置8、一氧化二氮导气管801、、氩气导气管802、三甲基铝导液管803、一氧化二氮气体流量计804、蒸发器805、三甲基铝液体流量计806、氩气气体流量计807、真空泵9、尾排管10、气体混合装置11、锥形筒体1101、、汇流管1102、柱状壳体1103、导气孔1104、固定板1105、扰流板1106、通气孔1107、气体压缩机1108、气体喷嘴1109、降压管1110、预热装置12、保温箱体1201、换热管1202、导气管A 1203、导气管B 1204、尾气处理装置13、气爆室1301、水爆室1302、甲烷燃烧室1303、空气导管1304、鼓风机1305、第一单向气阀1306、第二单向气阀1307、进气布气装置14、第一进气管1401、第一级分气器1402、第一圆筒140201、第一分隔板140202、第一子通道140203、第二进气管1403、第二级分气器1404、第二圆筒140401、第二分隔板140402、第二子通道140403、第三进气管1405、通孔A 1406、通孔B 1407、排气布气装置15、第一排气管1501、第一级引气器1502、第一筒体150201、第一隔板150202、第一子引气道150203、第二排气管1503、第二级引气器1504、第二筒体150401、第二隔板150402、第二子引气道150403、第三排气管1505、通孔C 1506、通孔D 1507。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进一步说明。
如图1至3所示，该氧化铝膜制备装置，包括设置有炉门1的真空沉积室2，真空沉积室2内设有石墨舟3，硅片放置于石墨舟3上，真空沉积室2上设有进气口4与排气口5，所述真空沉积室2内设置有进气主管6和排气主管7，所述进气主管6水平设置在石墨舟3上方，所述进气主管6与进气口4连通，所述进气口4上连接有用于通入制程气体的进气装置8，所述排气主管7水平设置在石墨舟3下方，所述排气主管7与排气口5连通，所述排气口5上连接有真空泵9，真空泵9的进口与排气口5连通，真空泵9的出口连接有尾排管10，所述进气装置8包括一氧化二氮导气管801、氩气导气管802、三甲基铝导液管803，所述一氧化二氮导气管801末端与进气口4连通，所述一氧化二氮导气管801上设置有一氧化二氮气体流量计804，所述三甲基铝导液管803的末端连接有蒸发器805，所述三甲基铝导液管803上设置有三甲基铝液体流量计806，所述氩气导气管802与蒸发器805连通，所述氩气导气管802上设置有氩气气体流量计807，所述蒸发器805的出口与进气口4连通。该氧化铝膜制备装置通过对进气装置8进行改进，通过增加蒸发器805，先将液态的三甲基铝蒸发成气态后再用氩气裹带气态的三甲基铝并和一氧化二氮混合后进入真空沉积室2即可，这样无需在进行镀膜之前事先对液态的三甲基铝进行气态话，减少了气态三甲基铝的存储和运输难题，直接在真空沉积过程中一边转化一边使用，其安全性大大提高，而且减少了工序和工人的工作量，提高了镀膜效率。
在上述实施方式过程中，所述进气装置8与进气口4之间设置有气体混合装置11，所述气体混合装置11包括一级气体混合装置11和二级气体混合装置11，所述一级气体混合装置11包括锥形筒体1101、汇流管1102以及密闭的柱状壳体1103，所述柱状壳体1103的左端面中心开设有导气孔1104，所述导气孔1104分别与蒸发器805的出口、一氧化二氮导气管801连通，所述柱状壳体1103内设置有圆形的固定板1105，所述固定板1105的一侧表面正对导气孔1104，且导气孔1104的中心对准固定板1105的中心，所述固定板1105朝向导气孔1104的一侧表面设置有扰流板1106，所述扰流板1106与固定板1105表面的夹角小于九十度，且扰流板1106向导气孔1104方向倾斜，所述扰流板1106表面开设有多个通气孔1107，所述锥形筒体1101的大径端固定在柱状壳体1103的右端面上且锥形筒体1101的大径端与柱状壳体1103内部连通，所述锥形筒体1101的小径端与汇流管1102的左端固定相连且二者互相连通，所述汇流管1102的右端连接有二级气体混合装置11，所述二级气体混合装置11包括气体压缩机1108，所述气体压缩机1108的进口与汇流管1102的右端连通，所述气体压缩机1108的出口连接有气体喷嘴1109，所述气体喷嘴1109上连接有锥形的降压管1110，所述降压管1110的小径端与气体喷嘴1109相连，所述降压管1110的大径端与进气口4连通。通过在进气装置8与进气口4之间设置气体混合装置11，使得三种制程气体先经过固定板1105、扰流板1106的干扰后打乱混合气体的流向，使得三种制程气体初步进行混合，初步混合后的混合气体在通过气体压缩机1108压缩后从气体喷嘴1109喷出，便可以使的三种制程气体混合更加均匀，由于经过气体压缩机1108压缩，气体的压力较大，因此需要经过锥形的降压管1110进行降压后再通入真空沉积室2内内进行反应，这样真空沉积室2内各处的三种制程气体浓度都相同，可以使真空沉积室2内不同地方的硅片形成的氧化铝膜均匀性大大提高，能够大大提高产品质量。
进一步的是，所述气体混合装置11与进气口4之间设置有预热装置12，所述预热装置12包括保温箱体1201，所述保温箱体1201内设置有换热管1202，所述换热管1202的左端伸出保温箱体1201并且与降压管1110的大径端连通，所述换热管1202的右端伸出保温箱体1201与进气口4连通，所述保温箱体1201的右端连接有导气管A1203，所述导气管A1203的末端与真空泵9的出口连通，所述保温箱体1201的左端连接有导气管B1204，所述导气管B1204的末端与尾排管10的入口连通。由于在气体混合装置11与进气口4之间设置有预热装置12，预热装置12可以对三种制程气体的混合气体进行加热，避免温度较低的制程气体对真空沉积室2内的温度造成较大的影响，在氧化铝膜制备装置工作的过程中，可以保证真空沉积室2内的温度保持在一个稳定的范围内，使得最后形成的氧化铝膜质量均匀一致，保持电池片的转换效率，而且预热采用的是温度较高的尾气，无需额外增加加热设备，做到废气利用，节约能源。
为了提高换热效率，所述换热管1202可以设计为盘管。从而增大换热面积，提高换热效率。
再者，所述导气管B1204的末端与尾排管10之间设置有尾气处理装置13，所述尾气处理装置13包括依次相连的气爆室1301、水爆室1302、甲烷燃烧室1303，所述气爆室1301上连接有空气导管1304，所述空气导管1304的末端设置有鼓风机1305，所述空气导管1304上设置有第一单向气阀1306，所述水爆室1302内盛装有水，所述导气管B1204上设置有第二单向气阀1307。真空沉积室2内反应完毕的废气在真空泵9的作用下，依次沿排气主管、真空泵9、预热装置12、气爆室1301、水爆室1302、甲烷燃烧室1303、尾排管10排放到外界，由于尾气在排气主管、真空泵9以及预热装置12内都不会遇到空气，也就不会发生爆炸，因而，尾气从导气管B1204排出后进入气爆室1301便会与空气接触，尾气中含有的三甲基铝就会在气爆室1301内空气发生反应，为了使反应更加完全，气爆室1301上连接有空气导管1304，所述空气导管1304的末端设置有鼓风机1305，尾气在气爆室1301内将其含有的三甲基铝反应后再进入水爆室1302内将尾气中残留的三甲基铝反应掉，由于三甲基铝和空气以及水反应后会产生甲烷，因此，尾气再进入甲烷燃烧时将生成的甲烷燃烧殆尽后再进入尾排管10，进入尾排管10的尾气由于不含有三甲基铝也就不会发生爆炸，避免了尾排管10经常发生爆炸的危险情况发生，其安全性大大提高，而且尾气的有害气体大都被处理掉，排放的尾气不会对环境造成较大影响，更加环保。
所述甲烷燃烧室1303可以采用结构强度较大的筒体制成，且要有足够大的空间，作为优选的，所述甲烷燃烧室1303为内径为150mm-300mm不锈钢圆筒。该方式结构简单，改造方便，便于加工和维护。
为了进一步提高圆筒的结构强度，所述圆筒的外表面设置有多个紧固圈，相邻的紧固圈之间通过金属条连接在一起。
另外，所述进气口4与进气主管6之间设置有进气布气装置14，所述排气口与排气主管7之间设置有排气布气装置15；所述进气布气装置14包括M级分气结构，所述M≥2，第一级分气结构包括第一进气管1401，所述第一进气管1401的前端与进气口4相连，第一进气管1401的末端连接有第一级分气器1402，所述第一级分气器1402包括设置在第一进气管1401内的第一圆筒140201，所述第一圆筒140201的外径与第一进气管1401的内径相同，所述第一圆筒140201内设置有N1个第一分隔板140202，所述N1≥2，所述N1个第一分隔板140202将第一圆筒140201的内部通道分割成N1个第一子通道140203，每个第一子通道140203的横截面面积均相同，每个第一子通道140203的末端密封连接有一个第二进气管1403，第二级分气结构包括设置在第二进气管1403的末端的第二级分气器1404，所述第二级分气器1404包括设置在第二进气管1403内的第二圆筒140401，所述第二圆筒140401的外径与第二进气管1403的内径相同，所述第二圆筒140401内设置有N2个第二分隔板140402，所述N2≥2，所述N2个第二分隔板140402将第二圆筒140401的内部通道分割成N2个第二子通道140403，每个第二子通道140403的横截面面积均相同，每个第二子通道140403的末端密封连接有一个第三进气管1405，依次类推，第M级分气结构包括设置在第M进气管末端的第M级分气器，所述第M级分气器包括设置在第M进气管内的第M圆筒，所述第M圆筒的外径与第M进气管的内径相同，所述第M圆筒内设置有NM个第M分隔板，所述NM≥2，所述NM个第M分隔板将第M圆筒的内部通道分割成NM个第M子通道，每个第M子通道的横截面面积均相同，每个第M子通道的末端密封连接有一个第M+1进气管；所述进气主管6的两端封闭，进气主管6侧壁上沿其轴线方向设置有一排通孔A1406和一排通孔B1407，所述通孔A1406和通孔B1407的数量相同，所述通孔A1406位于通孔B1407上方，且通孔A1406和通孔B1407的位置上下一一对应，所述通孔A1406的数量和第M+1进气管的数量相同，且每个第M+1进气管的末端均与一个通孔A1406连通，所述通孔B1407朝向石墨舟3；所述排气布气装置15包括M级引气结构，所述M≥2，第一级引气结构包括第一排气管1501，所述第一排气管1501的前端与排气口5相连，第一排气管1501的末端连接有第一级引气器1502，所述第一级引气器1502包括设置在第一排气管1501内的第一筒体150201，所述第一筒体150201的外径与第一排气管1501的内径相同，所述第一筒体150201内设置有N1个第一隔板150202，所述N1≥2，所述N1个第一隔板150202将第一筒体150201的内部通道分割成N1个第一子引气道150203，每个第一子引气道150203的横截面面积均相同，每个第一子引气道150203的末端密封连接有一个第二排气管1503，第二级引气结构包括设置在第二排气管1503的末端的第二级引气器1504，所述第二级引气器1504包括设置在第二排气管1503内的第二筒体150401，所述第二筒体150401的外径与第二排气管1503的内径相同，所述第二筒体150401内设置有N2个第二隔板，所述N2≥2，所述N2个第二隔板将第二筒体150401的内部引气道分割成N2个第二子引气道150403，每个第二子引气道150403的横截面面积均相同，每个第二子引气道150403的末端密封连接有一个第三排气管1505，依次类推，第M级引气结构包括设置在第M排气管末端的第M级引气器，所述第M级引气器包括设置在第M排气管内的第M筒体，所述第M筒体的外径与第M排气管的内径相同，所述第M筒体内设置有NM个第M隔板，所述NM≥2，所述NM个第M隔板将第M筒体的内部引气道分割成NM个第M子引气道，每个第M子引气道的横截面面积均相同，每个第M子引气道的末端密封连接有一个第M+1排气管；所述排气主管7的两端封闭，排气主管7侧壁上沿其轴线方向设置有一排通孔C1506和一排通孔D1507，所述通孔C1506和通孔D1507的数量相同，所述通孔C1506位于通孔D1507上方，且通孔C1506和通孔D1507的位置上下一一对应，所述通孔D1507的数量和第M+1排气管的数量相同，且每个第M+1排气管的末端均与一个通孔D1507连通，所述通孔C1506朝向石墨舟3。通过在进气口4与进气主管6之间设置有进气布气装置14，所述排气口与排气主管7之间设置有排气布气装置15，通过进气布气装置14将通入真空沉积室2的混合制程气体平均分布到进气主管6内，然后再从进气主管6流出流向石墨舟3，这样可以最大程度的保证每一片硅片附近的混合制程气体量都相差无几，同时通过排气布气装置15，将尾气均匀的吸入排气主管7内，然后再排出，这样从进气布气和排气布气两方面同时控制制程气体的进入和流出，可以最大限度的保证每个硅片附近的混合制程气体的浓度和量都近似一致，这样每个硅片表面形成的氧化铝膜厚度都会更加均匀，可以大大提高硅片镀膜的质量和效率。进一步的是，所述M＝4，所述N1＝2,所述N2＝3,所述N3＝3,所述N4＝3。

Claims (9)

1.氧化铝膜制备装置，包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2)，真空沉积室(2)内设有石墨舟(3)，硅片放置于石墨舟(3)上，真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5)，所述真空沉积室(2)内设置有进气主管(6)和排气主管(7)，所述进气主管(6)水平设置在石墨舟(3)上方，所述进气主管(6)与进气口(4)连通，所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的进气装置(8)，所述排气主管(7)水平设置在石墨舟(3)下方，所述排气主管(7)与排气口(5)连通，所述排气口(5)上连接有真空泵(9)，真空泵(9)的进口与排气口(5)连通，真空泵(9)的出口连接有尾排管(10)，其特征在于：所述进气装置(8)包括一氧化二氮导气管(801)、氩气导气管(802)、三甲基铝导液管(803)，所述一氧化二氮导气管(801)末端与进气口(4)连通，所述一氧化二氮导气管(801)上设置有一氧化二氮气体流量计(804)，所述三甲基铝导液管(803)的末端连接有蒸发器(805)，所述三甲基铝导液管(803)上设置有三甲基铝液体流量计(806)，所述氩气导气管(802)与蒸发器(805)连通，所述氩气导气管(802)上设置有氩气气体流量计(807)，所述蒸发器(805)的出口与进气口(4)连通。
2.如权利要求1所述的氧化铝膜制备装置，其特征在于：所述进气装置(8)与进气口(4)之间设置有气体混合装置(11)，所述气体混合装置(11)包括一级气体混合装置(11)和二级气体混合装置(11)，所述一级气体混合装置(11)包括锥形筒体(1101)、汇流管(1102)以及密闭的柱状壳体(1103)，所述柱状壳体(1103)的左端面中心开设有导气孔(1104)，所述导气孔(1104)分别与蒸发器(805)的出口、一氧化二氮导气管(801)连通，所述柱状壳体(1103)内设置有圆形的固定板(1105)，所述固定板(1105)的一侧表面正对导气孔(1104)，且导气孔(1104)的中心对准固定板(1105)的中心，所述固定板(1105)朝向导气孔(1104)的一侧表面设置有扰流板(1106)，所述扰流板(1106)与固定板(1105)表面的夹角小于九十度，且扰流板(1106)向导气孔(1104)方向倾斜，所述扰流板(1106)表面开设有多个通气孔(1107)，所述锥形筒体(1101)的大径端固定在柱状壳体(1103)的右端面上且锥形筒体(1101)的大径端与柱状壳体(1103)内部连通，所述锥形筒体(1101)的小径端与汇流管(1102)的左端固定相连且二者互相连通，所述汇流管(1102)的右端连接有二级气体混合装置(11)，所述二级气体混合装置(11)包括气体压缩机(1108)，所述气体压缩机(1108)的进口与汇流管(1102)的右端连通，所述气体压缩机(1108)的出口连接有气体喷嘴(1109)，所述气体喷嘴(1109)上连接有锥形的降压管(1110)，所述降压管(1110)的小径端与气体喷嘴(1109)相连，所述降压管(1110)的大径端与进气口(4)连通。
3.如权利要求2所述的氧化铝膜制备装置，其特征在于：所述气体混合装置(11)与进气口(4)之间设置有预热装置(12)，所述预热装置(12)包括保温箱体(1201)，所述保温箱体(1201)内设置有换热管(1202)，所述换热管(1202)的左端伸出保温箱体(1201)并且与降压管(1110)的大径端连通，所述换热管(1202)的右端伸出保温箱体(1201)与进气口(4)连通，所述保温箱体(1201)的右端连接有导气管A(1203)，所述导气管A(1203)的末端与真空泵(9)的出口连通，所述保温箱体(1201)的左端连接有导气管B(1204)，所述导气管B(1204)的末端与尾排管(10)的入口连通。
4.如权利要求3所述的氧化铝膜制备装置，其特征在于：所述换热管(1202)为盘管。
5.如权利要求4所述的氧化铝膜制备装置，其特征在于：所述导气管B(1204)的末端与尾排管(10)之间设置有尾气处理装置(13)，所述尾气处理装置(13)包括依次相连的气爆室(1301)、水爆室(1302)、甲烷燃烧室(1303)，所述气爆室(1301)上连接有空气导管(1304)，所述空气导管(1304)的末端设置有鼓风机(1305)，所述空气导管(1304)上设置有第一单向气阀(1306)，所述水爆室(1302)内盛装有水，所述导气管B(1204)上设置有第二单向气阀(1307)。
6.如权利要求5所述的氧化铝膜制备装置，其特征在于：所述甲烷燃烧室(1303)为内径为150mm-300mm不锈钢圆筒。
7.如权利要求6所述的氧化铝膜制备装置，其特征在于：所述圆筒的外表面设置有多个紧固圈，相邻的紧固圈之间通过金属条连接在一起。
8.如权利要求7所述的氧化铝膜制备装置，其特征在于：所述进气口(4)与进气主管(6)之间设置有进气布气装置(14)，所述排气口与排气主管(7)之间设置有排气布气装置(15)；所述进气布气装置(14)包括M级分气结构，所述M≥2，第一级分气结构包括第一进气管(1401)，所述第一进气管(1401)的前端与进气口(4)相连，第一进气管(1401)的末端连接有第一级分气器(1402)，所述第一级分气器(1402)包括设置在第一进气管(1401)内的第一圆筒(140201)，所述第一圆筒(140201)的外径与第一进气管(1401)的内径相同，所述第一圆筒(140201)内设置有N1个第一分隔板(140202)，所述N1≥2，所述N1个第一分隔板(140202)将第一圆筒(140201)的内部通道分割成N1个第一子通道(140203)，每个第一子通道(140203)的横截面面积均相同，每个第一子通道(140203)的末端密封连接有一个第二进气管(1403)，第二级分气结构包括设置在第二进气管(1403)的末端的第二级分气器(1404)，所述第二级分气器(1404)包括设置在第二进气管(1403)内的第二圆筒(140401)，所述第二圆筒(140401)的外径与第二进气管(1403)的内径相同，所述第二圆筒(140401)内设置有N2个第二分隔板(140402)，所述N2≥2，所述N2个第二分隔板(140402)将第二圆筒(140401)的内部通道分割成N2个第二子通道(140403)，每个第二子通道(140403)的横截面面积均相同，每个第二子通道(140403)的末端密封连接有一个第三进气管(1405)，依次类推，第M级分气结构包括设置在第M进气管末端的第M级分气器，所述第M级分气器包括设置在第M进气管内的第M圆筒，所述第M圆筒的外径与第M进气管的内径相同，所述第M圆筒内设置有NM个第M分隔板，所述NM≥2，所述NM个第M分隔板将第M圆筒的内部通道分割成NM个第M子通道，每个第M子通道的横截面面积均相同，每个第M子通道的末端密封连接有一个第M+1进气管；所述进气主管(6)的两端封闭，进气主管(6)侧壁上沿其轴线方向设置有一排通孔A(1406)和一排通孔B(1407)，所述通孔A(1406)和通孔B(1407)的数量相同，所述通孔A(1406)位于通孔B(1407)上方，且通孔A(1406)和通孔B(1407)的位置上下一一对应，所述通孔A(1406)的数量和第M+1进气管的数量相同，且每个第M+1进气管的末端均与一个通孔A(1406)连通，所述通孔B(1407)朝向石墨舟(3)；所述排气布气装置(15)包括M级引气结构，所述M≥2，第一级引气结构包括第一排气管(1501)，所述第一排气管(1501)的前端与排气口(5)相连，第一排气管(1501)的末端连接有第一级引气器(1502)，所述第一级引气器(1502)包括设置在第一排气管(1501)内的第一筒体(150201)，所述第一筒体(150201)的外径与第一排气管(1501)的内径相同，所述第一筒体(150201)内设置有N1个第一隔板(150202)，所述N1≥2，所述N1个第一隔板(150202)将第一筒体(150201)的内部通道分割成N1个第一子引气道(150203)，每个第一子引气道(150203)的横截面面积均相同，每个第一子引气道(150203)的末端密封连接有一个第二排气管(1503)，第二级引气结构包括设置在第二排气管(1503)的末端的第二级引气器(1504)，所述第二级引气器(1504)包括设置在第二排气管(1503)内的第二筒体(150401)，所述第二筒体(150401)的外径与第二排气管(1503)的内径相同，所述第二筒体(150401)内设置有N2个第二隔板(150402)，所述N2≥2，所述N2个第二隔板(150402)将第二筒体(150401)的内部引气道分割成N2个第二子引气道(150403)，每个第二子引气道(150403)的横截面面积均相同，每个第二子引气道(150403)的末端密封连接有一个第三排气管(1505)，依次类推，第M级引气结构包括设置在第M排气管末端的第M级引气器，所述第M级引气器包括设置在第M排气管内的第M筒体，所述第M筒体的外径与第M排气管的内径相同，所述第M筒体内设置有NM个第M隔板，所述NM≥2，所述NM个第M隔板将第M筒体的内部引气道分割成NM个第M子引气道，每个第M子引气道的横截面面积均相同，每个第M子引气道的末端密封连接有一个第M+1排气管；所述排气主管(7)的两端封闭，排气主管(7)侧壁上沿其轴线方向设置有一排通孔C(1506)和一排通孔D(1507)，所述通孔C(1506)和通孔D(1507)的数量相同，所述通孔C(1506)位于通孔D(1507)上方，且通孔C(1506)和通孔D(1507)的位置上下一一对应，所述通孔D(1507)的数量和第M+1排气管的数量相同，且每个第M+1排气管的末端均与一个通孔D(1507)连通，所述通孔C(1506)朝向石墨舟(3)。
9.如权利要求8所述的氧化铝膜制备装置，其特征在于：所述M＝4，所述N 1＝2,所述N2＝3,所述N3＝3,所述N4＝3。
CN201811244283.9A 2018-10-24 2018-10-24 氧化铝膜制备装置 Active CN109023301B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811244283.9A CN109023301B (zh) 2018-10-24 2018-10-24 氧化铝膜制备装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811244283.9A CN109023301B (zh) 2018-10-24 2018-10-24 氧化铝膜制备装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109023301A true CN109023301A (zh) 2018-12-18
CN109023301B CN109023301B (zh) 2023-10-13

Family

ID=64614085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811244283.9A Active CN109023301B (zh) 2018-10-24 2018-10-24 氧化铝膜制备装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109023301B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112144043A (zh) * 2020-09-14 2020-12-29 晶澳太阳能有限公司 氧化铝沉积设备及供气方法
TWI830038B (zh) * 2020-07-27 2024-01-21 大陸商江蘇菲沃泰納米科技股份有限公司 原料氣化裝置以及鍍膜設備

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10167884A (ja) * 1996-12-03 1998-06-23 Nissin Electric Co Ltd 化学気相堆積装置
CN1830072A (zh) * 2003-09-03 2006-09-06 东京毅力科创株式会社 气体处理装置和散热方法
CN101006197A (zh) * 2005-01-14 2007-07-25 东京毅力科创株式会社 气化装置以及处理装置
TW200924255A (en) * 2007-11-23 2009-06-01 Ind Tech Res Inst Plasma assisted apparatus for forming organic film
JP2010056477A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び基板処理装置
KR20110116904A (ko) * 2010-04-20 2011-10-26 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상 증착장치
CN102348832A (zh) * 2009-03-11 2012-02-08 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于稳定前驱物供应的气泡供应系统
CN102420272A (zh) * 2011-12-14 2012-04-18 无锡迈纳德微纳技术有限公司 一种太阳能电池钝化层分层镀膜方法和装置
CN202865336U (zh) * 2012-09-28 2013-04-10 绿种子材料科技股份有限公司 薄膜沉积系统
WO2014008557A1 (en) * 2012-07-13 2014-01-16 Gallium Enterprises Pty Ltd Apparatus and method for film formation
DE102013020899A1 (de) * 2013-12-11 2015-06-11 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren zum Einbringen eines Prozessgases in einen Prozessraum für eine Plasma unterstützte chemische Gasphasenabscheidung und Vorrichtung für eine Plasma unterstützte chemische Gasphasenabscheidung
DE102015219481A1 (de) * 2014-10-09 2016-04-14 Nuflare Technology, Inc. Dampfphasenwachstumsvorrichtung und Dampfphasenwachstumsverfahren
CN106756887A (zh) * 2017-03-21 2017-05-31 北京化工大学 一种微分混合式化学气相沉积装置
CN108149225A (zh) * 2018-02-06 2018-06-12 江苏微导纳米装备科技有限公司 一种真空反应装置及反应方法
CN208980793U (zh) * 2018-10-24 2019-06-14 乐山新天源太阳能科技有限公司 氧化铝膜制备装置

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10167884A (ja) * 1996-12-03 1998-06-23 Nissin Electric Co Ltd 化学気相堆積装置
CN1830072A (zh) * 2003-09-03 2006-09-06 东京毅力科创株式会社 气体处理装置和散热方法
CN101006197A (zh) * 2005-01-14 2007-07-25 东京毅力科创株式会社 气化装置以及处理装置
TW200924255A (en) * 2007-11-23 2009-06-01 Ind Tech Res Inst Plasma assisted apparatus for forming organic film
JP2010056477A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び基板処理装置
CN102348832A (zh) * 2009-03-11 2012-02-08 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于稳定前驱物供应的气泡供应系统
KR20110116904A (ko) * 2010-04-20 2011-10-26 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상 증착장치
CN102420272A (zh) * 2011-12-14 2012-04-18 无锡迈纳德微纳技术有限公司 一种太阳能电池钝化层分层镀膜方法和装置
WO2014008557A1 (en) * 2012-07-13 2014-01-16 Gallium Enterprises Pty Ltd Apparatus and method for film formation
CN202865336U (zh) * 2012-09-28 2013-04-10 绿种子材料科技股份有限公司 薄膜沉积系统
DE102013020899A1 (de) * 2013-12-11 2015-06-11 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren zum Einbringen eines Prozessgases in einen Prozessraum für eine Plasma unterstützte chemische Gasphasenabscheidung und Vorrichtung für eine Plasma unterstützte chemische Gasphasenabscheidung
DE102015219481A1 (de) * 2014-10-09 2016-04-14 Nuflare Technology, Inc. Dampfphasenwachstumsvorrichtung und Dampfphasenwachstumsverfahren
CN106756887A (zh) * 2017-03-21 2017-05-31 北京化工大学 一种微分混合式化学气相沉积装置
CN108149225A (zh) * 2018-02-06 2018-06-12 江苏微导纳米装备科技有限公司 一种真空反应装置及反应方法
CN208980793U (zh) * 2018-10-24 2019-06-14 乐山新天源太阳能科技有限公司 氧化铝膜制备装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI830038B (zh) * 2020-07-27 2024-01-21 大陸商江蘇菲沃泰納米科技股份有限公司 原料氣化裝置以及鍍膜設備
CN112144043A (zh) * 2020-09-14 2020-12-29 晶澳太阳能有限公司 氧化铝沉积设备及供气方法
CN112144043B (zh) * 2020-09-14 2022-06-14 晶澳太阳能有限公司 氧化铝沉积设备及供气方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109023301B (zh) 2023-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109023301A (zh) 氧化铝膜制备装置
CN101817523A (zh) 石墨提纯及石墨化高温立式连续感应加热炉
CN106435740B (zh) 一种立式太阳能硅片扩散炉
CN208980793U (zh) 氧化铝膜制备装置
CN110124596A (zh) 一种用于气相沉积装置的气体均匀混合分布器
CN101935826A (zh) 一种等离子体增强化学气相沉积炉
CN110137446A (zh) 纳米硅碳负极材料生产装置及生产工艺
CN210163522U (zh) 一种炉管及lpcvd设备
CN208980792U (zh) 用于制备氧化铝膜的pecvd装置
CN209098806U (zh) 用于氧化铝膜的制备装置
CN208980794U (zh) 用于制备硅片表面氧化铝膜的装置
CN209005699U (zh) 一种甲醇裂解反应器
CN104112866B (zh) 一种燃料电池系统用的燃烧重整预混一体化装置
CN201348899Y (zh) 一种合理分配催化燃烧热能的漆包机
CN101521062B (zh) 一种漆包机热风调配室及热风调配方法
CN105289214A (zh) 一种氨气和硅烷混合废气综合处理装置
CN112391611A (zh) 一种等离子体增强原子层沉积镀膜装置
CN208933468U (zh) 一种氧化铝膜制备装置
CN204211819U (zh) 用于太阳能电池片的氮化硅膜制备装置
CN210104072U (zh) 一种tma介质的供给系统
CN206219721U (zh) 一种立式硅片扩散炉
CN209794115U (zh) 加气砖保温蒸压釜系统
CN103880009B (zh) 一种尾气出口连接内伸管的多晶硅还原炉及连接方法
CN204211818U (zh) 一种氮化硅膜制备装置
CN104372308B (zh) 氮化硅膜制备装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant