TWI828156B - 晶圓搬運和對準的設備及其方法 - Google Patents

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Abstract

一種在半導體晶圓製造廠中搬運半導體晶圓的方法包括：將具有至少一半導體晶圓的晶圓盒裝載至一裝載埠的儲存緩衝機中；從儲存緩衝機內測量被選定的至少一個半導體晶圓的位置，選定的半導體晶圓從駐留於儲存緩衝機內的晶圓盒中取出；以及至少部分地基於所述測量，判別選定的半導體晶圓的位置與額定位置的差異。

Description

晶圓搬運和對準的設備及其方法
本公開的實施例是有關於一種晶圓搬運和對準的設備及其方法。
本公開的實施例是有關於一種半導體製程技術，特別是製程過程中半導體晶圓對準的方法及設備。
根據本公開的一些實施例，提供一種在一些實施例中，在半導體晶圓製造廠中搬運半導體晶圓的方法包括：將具有至少一半導體晶圓的晶圓盒裝載至一裝載埠的儲存緩衝機中；使用設置於儲存緩衝機內的光學感測器，測量至少一選定的半導體晶圓的位置，選定的半導體晶圓從駐留於儲存緩衝機內的晶圓盒中取出；以及至少部分地基於測量，判別選定的半導體晶圓的位置與額定位置的差異。
根據本公開的一些實施例，提供一種對準及補償半導體 晶圓的位置偏離原本預期的額定位置的方法。該方法包括：將至少一晶圓盒容納於儲存緩衝機中，至少一晶圓盒中承載有至少一半導體晶圓；從儲存緩衝機內檢測從容納於儲存緩衝機中的至少一晶圓盒中取出至少一選定的半導體晶圓的位置；以及至少部分地基於檢測的位置，判別選定的半導體晶圓與額定位置的差異
根據本公開的一些實施例，提供一種用於搬運及存放半導體晶圓的裝載埠包括：儲存緩衝機，其容納至少一至少一晶圓盒，該至少一晶圓盒中承載有至少一半導體晶圓；以及感測器，用於檢測機器人從至少一晶圓盒中取出的至少一選定的半導體晶圓的位置。感測器容納於儲存緩衝機中。適當地，至少部分地根據感測器檢測到的位置，由裝載埠判別一選定的半導體晶圓位置與額定位置的位置差異。
110:MCLP設備
111:多匣儲存緩衝機
112:平台
113:控制器
116:門開啟/關閉機構
116H:真空孔
116K:閂鎖的鑰匙
117:緩衝空間
118:門儲存系統
119:閘道器
120、120a、120b、120c、120d:晶圓盒
122:門
200:載具
300:設備前端模組
302:機器人
400:晶圓
500:設備
502:腔體
600:感測器
602:視野
700:製程
702、704、706、708、710:步驟
藉由結合附圖閱讀以下詳細說明，會最佳地理解本揭露的各態樣。應注意，根據行業中的標準慣例，各種特徵並非按比例繪製。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1根據本文公開的一些實施例示意性地示出了多匣晶圓盒裝載埠設備的前透視圖。
圖2A根據本公開的一些實施例示意性地示出了多匣晶圓盒 裝載埠設備的前透視圖。
圖2B示意性地示出了圖2A中所示的多匣晶圓盒裝載埠設備的後透視圖。
圖3根據本公開的一些實施例示意性地示出了多匣晶圓盒裝載埠設備、設備前端模組和製造設備。
圖4示意性地示出了多匣晶圓盒裝載埠設備的透視圖，其中設置有位置感測器和用於晶圓傳送系統的機器人。
圖5是根據本公開的一些實施例示出的晶圓位置補償方法的流程圖。
本公開提供用於實施本公開的不同特徵的許多不同實施例。以下闡述組件、數值、運算、材料、佈置或類似物及排列的具體實施例以簡化本公開。當然，該些僅為實施例且不旨在進行限制。舉例而言，以下說明中將第一特徵形成於第二特徵「之上」或第二特徵「上」可包括其中第一特徵與第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且亦可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵進而使得所述第一特徵與所述第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本公開可能在各種實施例中重複使用參考編號及/或字母。此種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。
此外，空間相對術語，例如“左”、“右”、“側”、 “後”、“後端(rear)”、“之後(behind)”、“前端(front)”、“下方(beneath)”、“下部(below)”、“低於(ower)”、“高於(above)”、“上部(upper)”及類似者，為了便於描述，可以在本文中使用以描述一個元件或特徵與如圖所示的另一個元件或特徵的關係。除了圖中描繪的方向之外，空間相對術語旨在涵蓋裝置在使用或操作中的不同方向。設備可具有其他定向(旋轉90度或處於其他定向)，且本文中所使用的空間相對性描述語可同樣相應地進行解釋。
一般而言，半導體元件例如金屬-氧化物-半導體場效電晶體(MOS-FET)元件、積體電路(IC)等是在半導體製造廠(通常稱為晶圓廠或晶圓製造廠)中由半導體晶圓製造和/或製造的。通常有許多製程步驟適用於半導體晶圓以生產所需的半導體元件和/或在晶圓上製造多個半導體元件。例如，半導體製程可以是微影、機械和/或化學處理步驟(例如，如表面鈍化、熱氧化、平面擴散、接面隔離等)的多重步驟程序，其間在半導體晶圓上逐漸形成電子電路和/或半導體元件。因此，晶圓廠無塵室或其他進行製造的類似空間通常包含許多單獨的儀器或設備以用於半導體元件生產。例如，但不限於例如用於光微影的步進機和/或掃描儀，此外還有用於蝕刻、清潔、摻雜、測試、檢查、裝載(staging)等設備。在製造製程期間，半導體晶圓通常在各個設備之間運輸或轉移和/或以其他方式利用機械臂或類似設備，例如設備前端模組(EFEM)等裝載到各種設備中。
本文所公開的一些實施例涉及一種用於對準正從多匣晶圓盒裝載埠(MCLP)設備轉移到將要處理半導體晶圓的設備的腔體中的半導體晶圓的方法和設備。本文公開的一些實施例的一個優點是減輕了由未對準(例如，在設備之間和/或設備與搬運半導體晶圓的機器人和/或EFEM之間)引起的對半導體晶圓的可能損傷。
重要的是，在一些實施例中，用於測量半導體晶圓的翹曲和/或移位的硬體和/或的機構包含和/或容納於MCLP設備本身當中，而沒有任何(或任何明顯的)增加MCLP儀器的尺寸。因此，本文公開的一些實施例的另一個優點是可以節省晶圓廠無塵室或其他類似空間中的寶貴地面空間，至少就本文描述的一些實施例而言，並不會顯著增加設備和/或機器中的集體佔用面積或空間。換言之，通過使用本文描述的一些實施例可以消除或減少通常由傳統機械對準和/或定位裝置所佔據的額外空間。
在一些實施例中，晶圓廠(FAB)通常包括一個或多個樓層、房間或其他具有多個製程隔間的類似空間，包括加工、測量方法和檢查設備和半導體晶圓裝載設備(wafer staging equipment)，例如晶圓儲料器，它們通過由電腦控制的自動物料搬運系統(AMHS)相互連接，用於處理半導體晶圓的裝載，以便在晶圓廠中搬運和傳送晶圓。在半導體製造製程期間，多個晶圓可以由AMHS在不同晶圓製程或其他設備的裝載埠之間在晶圓載具(這裡也稱為晶圓盒)中一起儲存和運輸。如圖所示，晶圓載具或晶圓盒可以包括標準的機械介面(SMIF)吊艙，其可以容納多 個晶圓(例如，200mm直徑的晶圓)，或者前開式晶圓傳送盒(FOUP)，其可以容納多個更大的晶圓(例如，300mm或450mm直徑的晶圓)。實際應用中，每個晶圓載具可以容納大約25個晶圓左右的數量。
在一些實施例中，使用空中走行式無人搬運車(OHT)系統將合適的晶圓載具或晶圓盒(例如FOUP或SMIF)從一個設備的裝載埠運輸到製程序列中下一個設備的裝載埠。OHT系統適當地包括在AMHS的架空軌道或其他類似軌道上行進的一個或多個載具(例如，台車、手推車、小車等)。OHT載具上的升降機可操作以選擇性地升高和降低晶圓載具，從而允許OHT載具能夠從放置在高架軌道或軌道下方的地板上和/或地板上的設備的裝載埠中存放和取回晶圓載具。
在一些實施例中，由OHT系統傳輸的晶圓載具或晶圓盒具有門，該門在傳輸過程期間保持關閉，例如，用於生產品質控制。為了提高生產品質並減少對製造製程的人為干預的需求，在一些實施例中，本文公開的MCLP設備自動打開和關閉晶圓載具的門，並且可以選擇性地從晶圓盒中移除門，並在晶圓載具被裝載到MCLP設備的多匣儲存緩衝機中時，將移除的門儲存在門儲存系統中的門儲存單元(door storage unit)。
在一些實施例中，在MCLP設備的平台或裝載埠平台接收到晶圓盒(例如，來自OHT系統或其他類似的傳送設備)後，MCLP設備具有自動打開和/或移除晶圓盒的門的開啟機構，並且 將門移動到MCLP設備的門儲存單元以儲存門，同時MCLP設備的控制器控制平台或裝載埠平台將開啟的晶圓載具移動和/或裝載到MCLP設備的多匣儲存緩衝機的緩衝空間中。適當地，MCLP設備還可以具有關閉機構，以自動從儲存單元中取回門，並將門放到從儲存緩衝機返回到平台或裝載埠平台的晶圓盒上以關閉門。在實際應用中，從門儲存單元中取回的門可能不是在裝載到儲存緩衝區之前裝在晶圓盒上的原來的門，但可能是與原來的門相同的型號或類型的門，以適當地配適於從儲存緩衝機中返回到工作台或平台的晶圓載具。另外，所公開的設備可以自動將每個晶圓載具對應到其特定的門或門儲存位置，並且自動控制包括門打開、儲存和關閉的程序。例如，將特定的門返回到其特定的晶圓盒中。在任何一種情況下，MCLP設備可以節省人工操作資源並將生產過程中的人為疏失減至最低。
在一些實施例中，開啟機構和關閉機構耦合或組合在一起。開啟/關閉機構和門儲存系統可以安裝在MCLP設備上和/或與位於晶圓廠的地板上或晶圓廠中的MCLP設備結合。在實際應用中，開啟/關閉機構可以包括：用於施加吸力以維持(支撐)門的真空孔、用於開啟/關閉門的閂鎖的鑰匙，以及用於選擇性地將門移至或移出門儲存系統的門儲存單元的移動機構。在一些實施例中，門儲存系統可以包括一個或多個儲存單元，每個儲存單元用於儲存晶圓盒的門。移動機構可以將門固定到門儲存單元，例如通過對準引腳。
在一些實施例中，門儲存單元被透明板覆蓋，使得操作者可以通過透明板看到或查看門。MCLP設備可以包括多個緩衝空間(例如，在多匣儲存緩衝機中)以在進一步處理緩衝的晶圓載具中的任何晶圓之前使多個晶圓載具獲得緩衝。適當地，從操作者的角度來看，根據各種實施例，多個緩衝空間可以位於晶圓載具的背側、晶圓載具的左側或晶圓載具的右側。相應地，根據各種實施例，工作平台或裝載埠平台可以被配置為將晶圓載具從前到後，從左到右或者從右到左移動至緩衝空間。
圖1示出了根據本公開的一些實施例的MCLP設備110。如圖1所示，MCLP設備110包括多匣儲存緩衝機111、平台或裝載埠平台112、門開啟/關閉機構116和門儲存空間或門儲存系統118。
如圖1所示，工作平台或裝載埠平台112被配置為從例如OHT系統的載具之類的運輸設備接收晶圓盒120(例如，如圖3所示)。在一些實施例中，OHT系統的載具200物理耦合到晶圓廠的天花板，並位於高於平台或裝載埠平台112的位置。
適當地，晶圓盒120在其背面，即在面對多匣儲存緩衝機111的一側具有門122。如圖1所示，本例中的門開啟/關閉機構116位於多匣儲存緩衝機111的殼體的前側，即面對晶圓盒120的一側。在實際應用中，門開啟/關閉機構116可以配置為打開晶圓盒120的門122(例如，通過閂鎖的鑰匙116K以及用於施加保持吸力的真空孔116H，如圖1的插圖A所示)，並在遠離晶圓盒 120的方向上，即在如圖1所示的-X方向上，從晶圓盒120移除門122(通過相對較短的行程運動(stroke motion))。接著，門開啟/關閉機構116可以維持門122並將其向上(即，沿Z方向)移動到門儲存系統118。
如圖所示，本實施例中的門儲存系統118被設置和/或位於多匣儲存緩衝機111的殼體的外側，並且位於殼體的前側，亦即，在面向晶圓盒120的一側。在一些實施例中，門儲存系統118可以物理連接到門開啟/關閉機構116。在實際應用中，門開啟/關閉機構116可選擇性地相對於門儲存系統118移動，即沿Z和-Z方向移動。如圖1所示，本例中的門儲存系統118包括4個門儲存單元。然而，應當理解，門儲存系統118可以包括一個或多個門儲存單元，用於選擇性地儲存晶圓盒的門。例如，在將門122向上移動到門儲存單元之一後，門開啟/關閉機構116可以通過合適的閂鎖的鑰匙旋轉門的引(接)腳將以將門122固定到選定的門儲存單元中。適當地，當晶圓盒120被裝載和/或以其他方式移動到多匣儲存緩衝機111中時，門122仍維持儲存在門儲存單元中。
在一些實施例中，晶圓載具或晶圓盒120由運輸設備(例如，OHT系統的載具)運輸到MCLP設備110，運輸設備上的升降機將晶圓盒120從上方，即，沿-Z方向設置於平台或裝載埠平台112上。如圖所示，多匣儲存緩衝機111的輸入/輸出閘道器119面向晶圓盒120的背側。在實際應用中，平台或裝載埠平台112 可相對於多匣儲存緩衝機111的殼體移動。在一些實施例中，控制器113可以控制平台或裝載埠平台112選擇性地移動晶圓盒120，使其通過閘道器119並進入多匣儲存緩衝機111(即，沿-X方向)以將晶圓盒120裝載到多匣儲存緩衝機111中。根據不同的實施例，控制器113可以設置於平台或裝載埠平台112下方(如圖1所示)，也可以設置於多匣儲存緩衝機111的殼體內或設置於MCLP設備110的其他位置。控制器113可以電性和/或機械連接到平台或裝載埠平台112以控制平台或裝載埠平台112。
在一些實施例中，設備前端模組(EFEM)300(如圖3所示)適當地耦合到MCLP設備110，用於：(a)從該晶圓盒120的門已開啟/移除並儲存在門儲存系統118中的晶圓盒120中取出至少一個晶圓，並且該晶圓盒120隨後被裝載到多匣儲存緩衝機111中；(b)將取出的晶圓轉移到晶圓製造設備500(如圖3所示)的腔體502上。在實際應用中，晶圓被EFEM 300轉移到的製造設備500可以是製程設備(例如、沉積腔體、蝕刻腔體、光刻曝光掃描儀、顯影設備等)、視覺檢查設備以及電氣特性檢測設備等。
在一些實施例中，在晶圓製造設備500完成對晶圓的處理之後，晶圓可以例如通過EFEM 300返回到多匣儲存緩衝機111內的晶圓盒120中。反之，EFEM 300同樣可以從裝載在多匣儲存緩衝機111中的晶圓盒120取出下一個晶圓，由EFEM 300傳送到製造設備500進行相應的處理，並由EFEM 300返回到其晶圓盒120。這可以依次對每個晶圓重複和/或繼續執行。一旦多匣儲存緩 衝機111內來自給定的晶圓盒120的所有(或一些其他部分)晶圓已經被製造設備500適當地處理並返回到晶圓盒120中，控制器113可以控制平台或裝載埠平台112從多匣儲存緩衝器111中卸載晶圓盒120，例如，通過閘道器119。
在一些實施例中，在晶圓盒120從多匣儲存緩衝機111卸載到平台或裝載埠平台112之後，門開啟/關閉機構116被配置為從門儲存系統118中取回門。取回的門可以是晶圓盒120被裝載到多匣儲存緩衝區111之前的晶圓盒120的原來的門122，或者可以是與原來的門122相同型號或類型以適配於晶圓盒120的另一個門。在實際應用中，門開啟/關閉機構116可以從對應的門儲存單元中保持並向下移動所取回的門(即，沿著-Z方向)，並且將取回的門重新附接和/或鎖到晶圓盒120上，例如通過閂鎖的鑰匙和真空孔。然後，OHT系統可以從平台或裝載埠平台112取回未裝載和重新關閉的晶圓盒120，並將其運送到例如另一個裝載埠或設備，以進一步處理晶圓盒120中的一個或多個半導體晶圓。
在一些實施例中，MCLP設備110的多匣儲存緩衝機111包括多個緩衝空間，這些緩衝空間可移動地設置於多匣儲存緩衝機111中，例如通過合適的升降機或其他類似構件。對於晶圓載具的裝載，控制器113可以首先控制多個緩衝空間選擇性地向上或向下移動(即，沿Z或-Z方向)，使得未被佔用的其中一個緩衝空間與平台或裝載埠平台112和/或閘道器119對齊。然後，控制器113可以控制平台或裝載埠平台112移動晶圓盒120，使得晶圓 盒120通過閘道器119進入對齊的緩衝空間(即，沿著-X方向)以將晶圓盒120裝載到多匣儲存緩衝機111的對齊的緩衝空間中。
在多匣儲存緩衝機111中裝載了一個或多個已打開的晶圓盒後，耦合到MCLP設備110的EFEM 300可以依次選擇性地從晶圓盒中取回並返回晶圓(即，從其門已開啟/移除並且被緩衝/儲存在多匣儲存緩衝機111的多個緩衝空間中的晶圓盒)。
對於MCLP設備110的晶圓載具卸載，在製造設備500依次完成一個或多個晶圓的處理並且已經將晶圓返回到多匣儲存緩衝區111中已開啟的晶圓盒120(例如，通過EFEM 300)之後，控制器113可以控制平台或裝載埠平台112通過閘道器119從緩衝空間中卸載晶圓盒120。在實際應用中，應理解，由於在任何給定時間(例如，等待晶圓處理)，多匣儲存緩衝機111的緩衝空間中可能儲存和/或緩衝多個晶圓盒120，先前對齊的緩衝空間可能與平台或裝載埠平台112和/或閘道器119不對齊或錯位。在這種情況下，控制器113可以首先控制緩衝空間選擇性地向上或向下移動(例如，沿Z或-Z方向)以將先前對齊的緩衝空間與平台或裝載埠平台112和/或閘道器119重新對齊，然後再控制平台或裝載埠平台112從重新對齊的緩衝空間中卸載晶圓盒120。
根據圖1所示的實施例，當操作者站在MCLP設備110前面並面對門儲存系統118時，從操作者的角度來看，包括多個緩衝空間的多匣儲存緩衝機111位於晶圓盒120的背側處。在這種情況下，從操作員的角度來看，平台或裝載埠平台112被配置 為將晶圓盒120從前到後移動到緩衝空間。
圖2A示出了根據本公開的一些實施例的另一個MCLP設備110的前透視圖。圖2B示出了圖2A中所示的MCLP設備110的對應後透視圖。一般而言，圖2A和2B中所示的MCLP設備110具有與圖1中所示類似的構件、組件和/或元件陣列，並且以與上文和本文其他地方所描述的方式基本相同的方式操作。然而，如圖2A和2B所示的MCLP設備110的方向與圖1所示的方向不同。也就是說，圖2A和2B的MCLP設備110可以被認為是側面裝載的MCLP設備110(即，從操作者的角度而言)，而圖1的MCLP設備可以被認為是正面裝載的MCLP設備110(即，從操作員的角度而言)。
如圖2A和2B所示，平台或裝載埠平台112被配置為接收晶圓盒120，其門(圖2A和2B中未示出)在晶圓盒120的背面，即在面向門儲存系統118的一側。在該實施例中，門儲存系統118和門開啟/關閉機構116從多匣儲存緩衝機111的殼體的一角處延伸和/或耦合到該一角處，即在儲存的左後角處(如圖2A中所示)，並從該處大致沿相對於多匣儲存緩衝機111的X方向延伸。在這種情況下，門開啟/關閉機構116被配置為打開和/或移除晶圓盒120的門(例如通過閂鎖的鑰匙和真空孔)並且將門移向晶圓盒120的背面(即，如圖2A和2B所示，沿著-Y方向)。門開啟/關閉機構116然後可以維持門並且將其沿Z方向向上移動到門儲存系統118，其中門可以選擇性地儲存在門儲存單元中，而晶圓盒 120被裝載到多匣儲存緩衝機111中。
在本實施例中，通往多匣儲存緩衝機111的閘道器119設置於儲存緩衝機殼體的左側(如圖2A所示)並面向晶圓盒120的右側。因此，在該實施例中，平台或裝載埠平台112被配置為選擇性地側向移動晶圓盒120(即，在-X和/或X方向上)，例如，在控制器113的引導和/或控制下選擇性地將晶圓盒120裝載至與多匣儲存緩衝機111對齊的緩衝空間和/或自與多匣儲存緩衝機111對齊的的緩衝空間取回。
在圖2A和2B的實施例中，EFEM 300可以耦合到MCLP設備110的後部或背面，用於選擇性地從晶圓盒120取出和/或將晶圓返回晶圓盒120(通過多匣儲存緩衝機111的後端或背面中的開口)，其門已被開啟/移除並儲存於門儲存系統118中，而晶圓盒120被裝載和/或駐留於多匣儲存緩衝機111的緩衝空間117中。
根據圖2A和圖2B所示的實施例，當操作者站在MCLP設備110的前面並面向門儲存系統118時，從操作者的角度來看，包括多個緩衝空間117的多匣儲存緩衝機111位於晶圓盒120的右側(如圖2A所示)。在這種情況下，為了裝載，平台或裝載埠平台112被配置為以操作員的角度而言，由左到右選擇性地將晶圓盒120通過閘道器119移動到對齊的緩衝空間117中。此外，應理解的是，在其他一些實施例中，MCLP設備110的多匣儲存緩衝機111，包括緩衝空間，可以位於晶圓盒120的左側，並且為了裝載，從操作員的角度來看，平台或裝載埠平台112被配置為從 右到左移動晶圓盒120至對齊的緩衝空間。也就是說，在一些實施例中，MCLP設備110可以配置和/或設置為基本上如圖2A和2B所示的鏡像。
如圖3所示，OHT系統的載具200從MCLP設備110的平台或裝載埠平台112中選擇性地傳送和取回晶圓盒120。在圖示的實施例中，MCLP設備110的多匣儲存緩衝機111被示為裝載有多個晶圓盒120a、120b、120c和120d。儘管出於該示例的目的示出了四個晶圓盒，但在實際應用中，多匣儲存緩衝機111可以容納多於或少於四個晶圓盒。
在一些實施例中，EFEM 300耦合到MCLP設備110，使得EFEM 300的機器人302可以依次選擇性地從多匣儲存緩衝機111內的選定晶圓盒取出和返回選定的晶圓400。例如，EFEM 300的機器人302被示為從晶圓盒120b取出晶圓400。在取出晶圓400後，EFEM 300(例如，通過機器人302)將晶圓400傳送到製造設備500的腔體502和/或將晶圓400放置在製造設備500的腔體502中。在製造設備500完成對晶圓400的處理、測試和/或檢查之後，EFEM 300從製造設備500的腔體502取回晶圓400，並將晶圓400返回到MCLP設備110的多匣儲存緩衝機111內的晶圓盒中。
一般而言，EFEM 300被提供、程式化和/或以其他方式設置有位置訊息和/或指示晶圓400的預期額定位置的資料(即，在本文中稱為額定晶圓位置資料)。在一些實施例中，EFEM 300 和/或機器人302至少部分地使用額定晶圓位置資料以從多匣儲存緩衝機111中的相應晶圓盒中準確地取回晶圓400，並且準確地將晶圓400傳送和/或放置到製造設備500的腔體502中。
然而，在實際應用中，晶圓400可能不會嚴格符合或位於由額定晶圓位置資料所指示的額定位置。也就是說，在實際應用中，實際的晶圓位置可能會不時地與額定的晶圓位置不同。如圖所示，在實際應用中，在各種運輸步驟或其他情況下，晶圓400在實際應用中可能已經在某個方向(例如，在X-Y方向或水平面)上側向地偏移了額定的位置。例如，當承載晶圓400的晶圓盒尺寸和/或配置中的誤差或其他類似的容忍度沒有確切的限制或精確地將晶圓400固定在相應的晶圓盒內的位置時，晶圓400的位置可能會與額定位置有所差異。此外，例如晶圓400中自然或以其他方式出現的翹曲可能導致晶圓400(或其翹曲部分)在垂直方向(即，Z軸方向)上不符合額定的位置。也就是說，如果晶圓400(或其翹曲部分)不是嚴格的平面，那麼在實際應用中，在晶圓400表面上的有效高度或垂直位置(例如，在Z方向上)可能與相應的額定位置不同。因此，僅使用額定晶圓位置資料以通過EFEM 300調節晶圓傳送可能導致錯位，這可能導致由EFEM 300所傳送的晶圓400造成損壞，例如，當裝載和/或將晶圓400放置於製造設備500的腔體502內時。
因此，根據本文所公開的一些實施例，MCLP設備110被設置、裝備和/或配置有補償系統，該補償系統向EFEM 300發 送或以其他方式提供晶圓位置偏移資料，該晶圓位置偏移資料(與額定晶圓位置資料一起)可以接著由EFEM 300來計算、校正和/或補償額定晶圓位置的差異，例如，在由機器人302調節晶圓傳送系統時，從而減輕潛在的未對準或錯位情況。
如圖3所示，補償系統包括測量和/或檢測半導體晶圓400的位置或定位的晶圓位置感測器600。在一些實施例中，感測器600位於包含於和/或以其他方式設置於MCLP設備110的多匣儲存緩衝機111內(即，在多匣儲存緩衝機111的殼體內，參見圖4)，例如，以便不增加晶圓廠地板上的設備和/或機台的集體佔用面積。
在實際應用中，晶圓位置感測器600是朝向多匣儲存緩衝機111的頂端(即，在Z方向)設置和/或定位並且瞄準、指向或以其他方式垂直向下定向的光學感測器，例如垂直於晶圓400的水平平面和/或傳輸路徑(即，垂直於所示實施例中的X-Y平面)，以在其視野(FoV)602內擷取到晶圓400的影像。在一些實施例中，感測器600可以定向為偏離法線正負30度，以允許MCLP設備110的設計保持靈活性和/或使感測器600在多匣儲存緩衝機111內的設置具有靈活性。感測器600與其FoV 602被定位、瞄準和/或定向，且介於存放於多匣儲存緩衝機111中的晶圓盒120a、120b、120c和120d的開啟的門的一側與EFEM 300和/或其機器人302之間。
在一些實施例中，感測器600根據測量或檢測晶圓400在FoV 602內的位置獲得三維(3D)位置訊息和/或資料。在一些實 施例中，位置感測器600是光學感測器(例如，採用相機、光柵雷射光束、發光二極體(LED)或雷射二極體的線性的陣列及其各種組合等)。如圖所示，光學晶圓位置感測器可以是機器視覺(MV)感測器並且可以包括區域相機、一對立體視覺相機、輪廓掃描儀和/或雷射位移感測器中的任何一個或多個。例如，在一些實施例中，區域相機可以獲得或擷取FoV 602內的整個晶圓400的二維(2D)圖像。在某些替代實施例中，當晶圓400通過FoV 602時，輪廓掃描儀可以逐行獲得或擷取晶圓400的2D圖像。適當地，在一些實施例中，雷射位移感測器測量或以其他方式檢測晶圓400的深度或位移(例如，沿Z方向)，例如使用脈衝雷射飛行時間間距或反射光的同調光相位移的測量，使得可以至少部分地從其中創建或導出相應的表面輪廓或深度圖。在一些替代的實施例中，感測器600採用一對立體視覺相機，可以從中獲得3D圖像資料。在一些實施例中，感測器600可以由任何一種或多種前述配置的各種組合組成，以獲得晶圓位置或定向的3D測量和/或檢測。
在一些實施例中，晶圓翹曲的程度和/或方向(即，晶圓400在Z和/或-Z方向上的翹曲)和/或晶圓移動的量和/或方向(即，晶圓400沿X-Y平面內的方向移動)至少部分地基於由位置感測器600擷取和/或獲得的訊息和/或資料來計算。如圖所示，可以至少部分地根據3D位置資料和/或由位置感測器600獲得的訊息來計算翹曲度和晶圓400偏移額定位置的距離和差異。在一些實施例中，可以檢測和/或計算大於或等於約1000um的晶圓翹曲。 在一些實施例中，可以檢測和/或計算大於或等於約0.5mm的晶圓偏移。
在一些實施例中，計算的和/或以其他方式獲得的翹曲度和/或晶圓400的偏移(例如，其描述晶圓的位置和/或位置相對於預期的額定晶圓位置和/或位置的潛在變化或差異)可以轉換成和/或以其他方式用於推導出上述晶圓位置偏移資料，該些資料被發送和/或提供至EFEM 300。在一些實施例中，這種轉換和/或推導在EFEM 300識別和/或使用的座標系統中提供了晶圓位置偏移資料。在一些合適的實施例中，EFEM 300至少部分採用接收到的晶圓位置偏移資料以進一步調節或控制機器人302對於搬運晶圓400的操作，從而減輕可能導致晶圓400損壞的潛在錯位。例如，當機器人302將晶圓400裝載和/或放置於製造設備500的腔體502中時。也就是說，EFEM 300使用晶圓位置偏移資料來核算、校正和/或補償晶圓400與額定晶圓位置的差異，例如，在通過機器人302調節和/或控制晶圓傳送系統時。
參考圖4所公開的方法，其中光學晶圓位置感測器600設置於MLCP設備110內部的，其優點是減少了組件的佔用面積。在這方面，雖然圖4出於說明目的示出了光學晶圓位置感測器600，但在實際組裝中，感測器600可能設置於MLCP設備110內部並因此被遮擋(如圖3所示)。如圖4的透視圖所示，執行晶圓位置的光學測量的FoV 602也可以設置於MLCP設備110內部。通過這種設置，在晶圓由機器人302搬運並放入製造設備500之 前測量晶圓位置(例如橫向的移位和/或翹曲)(見圖3)。通過在複雜的晶圓傳送之前將晶圓位置訊息傳送到機器人302或其他晶圓傳送系統設備(一般而言，使用設備前端模組或EFEM 300)，機器人302可以被程式化以適應晶圓移位和/或翹曲，從而確保晶圓在製造設備500的精確位置，從而提高晶圓傳送系統的精確度，並減少由於機器人302誤操作而導致晶圓損壞的可能性。
現在參考圖5，圖示的流程圖示出了一種方法和/或製程700，例如，根據本文公開的一些實施例，由上述補償系統執行。
如圖所示，在步驟702中，感測器600測量或以其他方式檢測晶圓400在FoV 602內的3D位置。
如圖所示，在步驟704中，晶圓400的翹曲(例如，描述或反映晶圓400翹曲度(例如，在Z和/或-Z方向)和/或偏移(例如，在X-Y平面中)額定晶圓的位置或位向，至少部分地使用來自和/或基於在步驟702中獲得的測量值來計算或以其他方式判別。
如圖所示，在步驟706中，至少部分地利用在步驟704中得出的翹曲度和/或移位來計算和/或以其他方式判別晶圓位置偏移資料。適當地，晶圓位置偏移資料在EFEM 300識別和/或採用的座標系統中描述或反映晶圓400相對於額定晶圓位置的翹曲度和/或偏移，例如該額定晶圓位置是由EFEM 300另外判定的。
如圖所示，在步驟708中，晶圓位置偏移資料被發送或提供給EFEM 300。
如圖所示，在步驟710中，EFEM 300至少部分地使用接收到的晶圓位置偏移資料來定期和/或控制機器人302對晶圓400的搬運，例如，用於將晶圓400裝載和/或放置於設備的腔體中。
測量晶圓的橫(側)向位移和翹曲度有利地在側向(例如X-和/或Y-)和垂直(例如Z-)兩個方向上提供晶圓位置偏移資料，從而為調整EFEM 300對於晶圓的搬運提供最多的訊息。然而，在某些情況下，只能測量側向的位移，或者只能測量翹曲度。作為可能省略翹曲度測量的情況的實施例，在製造過程的早期，晶圓上可能只有很少或沒有沉積層。由於翹曲通常是由晶圓上的不同材料的沉積所引起的(例如，由於沉積材料與矽或其他晶圓材料之間的熱膨脹差異；或者例如在磊晶沉積的情況下由於晶格不匹配所引起)，因此在製造過程早期轉移晶圓時可能無需測量晶圓翹曲度。類似地，如果晶圓直徑很小，則可以假設翹曲可以忽略不計。可能省略側向的偏移測量的情況的實施例是，如果機器人302和製造設備500被設計為接受顯著的晶圓偏移，則只有一些偏移誤差不太可能產生問題。
在一些實施例中，控制器113可以與感測器600和EFEM 300有效通訊，並且可以被程式化和/或以其他方式提供以實現由補償系統所執行的功能和/或執行製程700。在一些替代實施例中，補償系統可以使用單獨的控制器。在一些實施例中，補償系統控制器可以位於遠端或其他地方，例如位於MCLP設備110外部。
在一些實施例中，控制器113和/或補償系統控制器可以通過硬體、軟體、韌體或其組合來實現。特別地，一個或多個控制器可由處理器、電路、電腦和/或其他電子資料處理裝置來體現，其被配置和/或以其他方式提供以執行任務、步驟、製程、方法和/或此處描述的功能。例如，處理器、電腦、伺服器或體現控制器的其他電子資料處理裝置可以用合適的程式碼列表(例如，原始程式碼、解釋性程式碼、目的碼、直接可執行程式碼等)或其他類似的指令或軟體或韌體，使得當由電腦或其他電子資料處理裝置運行和/或執行時，完成或以其他方式完成本文所述的一個或多個任務、步驟、製程、方法和/或功能。適當地，程式碼列表或其他類似指令或軟體或韌體被實現為和/或記錄、儲存、包含或包括於和/或非暫時性電腦和/或機器可讀儲存媒體或介質上，以便提供給和/或可由電腦或其他電子資料處理設備執行。例如，合適的儲存媒體和/或介質可以包括但不限於：軟盤、軟碟、硬碟、磁帶或任何其他磁性儲存媒體或介質、CD-ROM、DVD、光碟或任何其他光學媒體或介質、RAM、ROM、PROM、EPROM、快閃記憶體-EPROM或其他記憶體或晶片或晶片盒或者電腦、機器或電子資料處理裝置可以從中讀取和使用的任何其他有形媒體或介質。實質上，如本文所使用，除了暫時性與傳播性的訊號以外的媒體之外，非暫時性電腦可讀和/或機器可讀媒體和/或介質包括所有電腦可讀和/或機器可讀媒體。
一般而言，本文所述的任何一個或多個特定任務、步驟、 製程、方法、功能、元件和/或組件中的可以在一個或多個通用電腦、專用電腦上和/或實施例上實現。程式化的微處理器或微控制器和周邊設備積體電路元件、ASIC或其他積體電路、數位訊號處理器、硬連線電子或邏輯電路，例如分立元件電路、可程式化邏輯裝置，例如PLD、PLA、FPGA、圖形卡CPU(GPU)或PAL等。一般而言，可以使用能夠實現有限狀態機的任何裝置，而有限狀態機又能夠實現相應的任務、步驟、製程、方法和/或在此描述的功能。
在下文中，描述了一些進一步說明性的實施例。
在一些實施例中，在半導體晶圓製造廠中搬運半導體晶圓的方法包括：將具有至少一半導體晶圓的晶圓盒裝載至一裝載埠的儲存緩衝機中；使用設置於儲存緩衝機內的光學感測器，測量至少一選定的半導體晶圓的位置，選定的半導體晶圓從駐留於儲存緩衝機內的晶圓盒中取出；以及至少部分地基於測量，判別選定的半導體晶圓的位置與額定位置的差異。
在一些另外的實施例中，該方法還包括將判別出的差異傳送給與裝載埠相連的設備前端模組，以便設備前端模組至少部分地根據判別出的差異控制其對選定的半導體晶圓的搬運。
在另外的實施例中，該差異包括選定的半導體晶圓的位置在至少三個維度上與額定位置的差異。
在一些實施例中，所述判別包括以下的至少一個：判別選定的半導體晶圓在第一方向上的翹曲度；以及判別所述選定的 半導體晶圓在第一方向的法線平面內的第二方向上橫向移動。
在又進一步的實施例中，該方法進一步包括將判別的差異轉換為晶圓位置偏移資料，該資料被傳送給設備前端模組，從而設備前端模組至少部分地基於晶圓位置偏移資料控制其對選定的半導體晶圓的搬運。
在進一步的實施例中，位置偏移資料顯示了由設備前端模組識別的座標系中判別出的差異。
在一些實施例中，測量是由設置於裝載埠的儲存緩衝機內的機器視覺感測器執行。
在進一步的實施例中，機器視覺感測器包括區域相機、一對立體視覺相機、輪廓掃描儀和雷射位移感測器中的至少一個。
在一些實施例中，機器視覺感測器的瞄準方向垂直於選定的半導體晶圓從晶圓盒中取出時所遵循的行進路徑。
在一些進一步的實施例中，機器視覺感測器的瞄準範圍介於選定的半導體晶圓從晶圓盒中取出時所遵循的移動路徑的法線方向正負30度的範圍內。
在更進一步的實施例中，機器視覺感測器具有設置於裝載至裝載埠的儲存緩衝機中的晶圓盒以及與裝載埠耦合的設備前端模組的機器人之間的視野，用於將選定的半導體晶圓搬運到要處理選定的半導體晶圓的設備腔體中。
在另外的實施例中，提供了一種校準與補償半導體晶圓的位置偏離原本預期的額定位置的方法。該方法包括：將至少一 晶圓盒容納於儲存緩衝機中，至少一晶圓盒中承載有至少一半導體晶圓；從儲存緩衝機內檢測從容納於儲存緩衝機中的至少一晶圓盒中取出至少一選定的半導體晶圓的位置；以及至少部分地基於檢測的位置，判別選定的半導體晶圓與額定位置的差異。
在一些進一步的實施例中，所述判別包括：判別所述選定的半導體晶圓在第一方向上的第一差異；以及判別所述選定的半導體晶圓在第一方向的法線平面內的第二方向上的第二差異。
在一些額外的實施例中，該方法進一步包括至少部分地基於所述第一差異和所述第二差異來判別晶圓位置偏移資料。
在一些實施例中，該方法進一步包括將晶圓位置偏移資料傳送到設備前端模組，以便設備前端模組在接收晶圓位置偏移資料之後，至少部分地基於其所接收的晶圓位置偏移資料控制機器人對選定的半導體晶圓的搬運。
在一些實施例中，檢測由感測器執行，光學感測器具有介於設置於儲存緩衝機中的至少一晶圓盒與機器人之間的視野。
在進一步的實施例中，感測器設置於儲存緩衝機內。
在更進一步的實施例中，用於搬運及存放半導體晶圓的裝載埠包括：儲存緩衝機，其容納至少一至少一晶圓盒，該至少一晶圓盒中承載有至少一半導體晶圓；以及感測器，用於檢測機器人從至少一晶圓盒中取出的至少一選定的半導體晶圓的位置。感測器容納於儲存緩衝機中。適當地，至少部分地根據感測器檢測到的位置，由裝載埠判別一選定的半導體晶圓位置與額定位置 的位置差異。
在又一個實施例中，由感測器檢測到的位置是三維位置資訊。
在另一個實施例中，至少一晶圓盒包括多個晶圓盒；儲存緩衝機包括多個緩衝空間，每個緩衝空間可容納多個晶圓盒中的其中一個；以及儲存緩衝機被配置為選擇性地移動多個緩衝空間，以便將自多個緩衝空間中所選定的一緩衝空間與閘道對齊，通過閘道將晶圓盒選擇性地裝載至所述儲存緩衝機中。
前述內容概述若干實施例的特徵，以使熟習此項技術者可更佳地理解本揭露的各個態樣。熟習此項技術者應理解，他們可容易地使用本揭露作為設計或修改其他製程及結構的基礎來施行與本文中所介紹的實施例相同的目的及/或達成與本文中所介紹的實施例相同的優點。熟習此項技術者亦應認識到，該些等效構造並不背離本揭露的精神及範圍，而且他們可在不背離本揭露的精神及範圍的條件下對其作出各種改變、代替及變更。
700:製程
702、704、706、708、710:步驟

Claims (10)

  1. 一種搬運半導體晶圓的方法，所述方法包括：將具有至少一所述半導體晶圓的晶圓盒裝載至一裝載埠的儲存緩衝機中；使用設置於所述儲存緩衝機內的光學感測器，測量至少一選定的半導體晶圓的位置，所述選定的半導體晶圓從駐留於所述儲存緩衝機內的所述晶圓盒中取出；以及至少部分地基於所述測量，判別所述選定的半導體晶圓的所述位置與額定位置的差異。
  2. 如請求項1所述的方法，更包括：將判別出的所述差異傳送給與所述裝載埠相連的設備前端模組，以便所述設備前端模組至少部分地根據判別出的所述差異控制其對所述選定的半導體晶圓的搬運。
  3. 如請求項1所述的方法，其中所述判別至少包括：判別所述選定的半導體晶圓在第一方向上的翹曲度；以及判別所述選定的半導體晶圓在所述第一方向的法線平面內的第二方向上橫向移動。
  4. 如請求項1所述的方法，其中所述測量是由設置於所述裝載埠的所述儲存緩衝機內的機器視覺感測器所執行。
  5. 如請求項4所述的方法，其中所述機器視覺感測器的瞄準範圍介於所述選定的半導體晶圓從所述晶圓盒中取出時所遵循的移動路徑的法線方向正負30度的範圍內。
  6. 如請求項4所述的方法，其中所述機器視覺感測器具有設置於裝載至所述裝載埠的所述儲存緩衝機中的所述晶圓盒以及與所述裝載埠耦合的設備前端模組的機器人之間的視野，用於將所述選定的半導體晶圓搬運到要處理所述選定的半導體晶圓的設備腔體中。
  7. 一種校準半導體晶圓的位置偏離的方法，所述方法包括：將至少一晶圓盒容納於儲存緩衝機中，所述至少一晶圓盒中承載有至少一半導體晶圓；從所述儲存緩衝機內檢測從容納於所述儲存緩衝機中的所述至少一晶圓盒中取出至少一選定的半導體晶圓的位置；以及至少部分地基於所述檢測到的所述位置，判別所述選定的半導體晶圓的所述位置與額定位置的差異。
  8. 如請求項7所述的方法，其中所述判別包括：判別所述選定的半導體晶圓在第一方向上的第一差異；以及判別所述選定的半導體晶圓在所述第一方向的法線平面內的第二方向上的第二差異。
  9. 一種用於搬運及存放半導體晶圓的裝載埠設備，所述裝載埠設備包括：儲存緩衝機，所述儲存緩衝機容納至少一晶圓盒，所述至少一晶圓盒中承載有至少一所述半導體晶圓；以及感測器，用於檢測機器人從至少一晶圓盒中取出的至少一選定的半導體晶圓的位置，所述感測器容納於儲存緩衝機中， 其中，至少部分地根據所述感測器檢測到的位置，由所述裝載埠設備判別一選定的半導體晶圓位置與額定位置的位置差異。
  10. 如請求項9所述的設備，其中：所述至少一晶圓盒包括多個晶圓盒；所述儲存緩衝機包括多個緩衝空間，每個所述緩衝空間可容納所述多個晶圓盒中的其中一個；以及所述儲存緩衝機被配置為選擇性地移動所述多個緩衝空間，以便將自所述多個緩衝空間中所選定的一緩衝空間與閘道對齊，通過所述閘道將所述晶圓盒選擇性地裝載至所述儲存緩衝機中。
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