TWI828097B - 觸覺回饋裝置 - Google Patents
觸覺回饋裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI828097B TWI828097B TW111111632A TW111111632A TWI828097B TW I828097 B TWI828097 B TW I828097B TW 111111632 A TW111111632 A TW 111111632A TW 111111632 A TW111111632 A TW 111111632A TW I828097 B TWI828097 B TW I828097B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- dielectric material
- material layer
- layer
- tactile feedback
- low
- Prior art date
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 154
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 20
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 11
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 6
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 6
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/016—Input arrangements with force or tactile feedback as computer generated output to the user
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- User Interface Of Digital Computer (AREA)
Abstract
本揭露提供一種觸覺回饋裝置，包括：一基板；複數個電極，設置於該基板上；至少一高介電材料層，設置於該等電極上；以及一抗反射層，設置於該至少一高介電材料層上。
Description
本揭露有關於一種觸覺回饋裝置，特別是有關於一種配置有高介電材料層的觸覺回饋裝置。
現行電場式觸覺回饋(haptic)裝置是在電極上覆蓋抗反射層，然而，此結構在進行靜電放電(ESD)測試或是在高電壓操作下，抗反射層會因無法有效抵抗高電壓而被擊穿，造成抗反射層與電極受損。
目前防止高電壓擊傷的方式，包括增加抗反射層厚度、增加遮蔽層、或降低電荷累積。然而，若單純增加抗反射層厚度極有可能造成觸覺回饋功能失效。而設置遮蔽層或是降低電荷累積的方式均無法達到目前測試規範，且若遮蔽層阻值過低還會造成觸覺回饋功能失效。
根據本揭露的一實施例，提供一種觸覺回饋裝置，包括：一基板；複數個電極，設置於該基板上；至少一高介電材料層，設置於該等電極上；以及一抗反射層，設置於該至少一高介電材料層上。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露實施例敘述了一第一特徵部件形成於一第二特徵部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵部件與上述第二特徵部件是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵部件形成於上述第一特徵部件與上述第二特徵部件之間，而使上述第一特徵部件與第二特徵部件可能未直接接觸的實施例。
應理解的是，額外的操作步驟可實施於所述方法之前、之間或之後，且在所述方法的其他實施例中，部分的操作步驟可被取代或省略。
此外，其中可能用到與空間相關用詞，例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「在…上方」、「上方」、「較高的」及類似的用詞，這些空間相關用詞係為了便於描述圖示中一個(些)元件或特徵部件與另一個(些)元件或特徵部件之間的關係，這些空間相關用詞包括使用中或操作中的裝置之不同方位，以及圖式中所描述的方位。當裝置被轉向不同方位時(旋轉45度或其他方位)，則其中所使用的空間相關形容詞也將依轉向後的方位來解釋。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形，或者，其間亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。
在說明書中，「約」、「大約」、「大抵」、「大致」、「實質上」、「相同」、「相似」之用語通常表示一特徵值在一給定值的正負15%之內，或正負10%之內，或正負5%之內，或正負3%之內，或正負2%之內，或正負1%之內，或正負0.5%之內的範圍。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「大抵」、「大致」、「實質上」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「大抵」、「大致」、「實質上」之含義。
應當理解的是，雖然本文使用術語「第一」、「第二」、「第三」等來描述不同的元件、部件、區域、層及/或區段，這些元件、部件、區域、層及/或區段不應當被這些術語所限制。這些術語可以僅被用於將一個元件、部件、區域、層或區段與另一元件、部件、區域、層或區段區分開來。因此，在不脫離本揭露的技術的前提下，以下討論的第一元件、部件、區域、層或區段可以被稱為第二元件、部件、區域、層或區段。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
請參閱第1圖，根據本揭露的一實施例，提供一種觸覺回饋裝置10。第1圖為觸覺回饋裝置10的剖面示意圖。
在第1圖中，觸覺回饋裝置10包括基板12、複數個電極14、高介電材料層16、硬化層18、抗反射層20、以及抗汙層22。電極14設置於基板12上。高介電材料層16設置於電極14上，並填入電極14之間。硬化層18設置於高介電材料層16上。抗反射層20設置於硬化層18上。抗汙層22設置於抗反射層20上。
在部份實施例中，基板12可包括硬質基板，例如，玻璃基板，但本揭露不限於此。在部份實施例中，基板12可包括軟質基板，例如，聚醯亞胺(PI)基板，但本揭露不限於此。在部份實施例中，電極14可由任何適合的導電材料所構成。
在部份實施例中，高介電材料層16的介電常數大約介於10至40之間。在部份實施例中，高介電材料層16的介電常數大約介於10至15之間。在部份實施例中，高介電材料層16可包括有機介電材料摻雜高介電奈米粒子，例如，聚乙烯酚(PVP)、聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、或聚乙烯醇摻雜二氧化鈦(TiO2)、鈦酸鋇(BaTiO3)或氧化鋯(ZrO2)，但本揭露不限於此。在部份實施例中，高介電材料層16可包括無機高介電材料，例如，二氧化鉿、氮化鋁、或二氧化鈦，但本揭露不限於此。在部份實施例中，高介電材料層16的厚度T
HD大約介於4微米至20微米之間。在部份實施例中，高介電材料層16的厚度T
HD大約介於4微米至8微米之間。
在部分實施例中，硬化層18可包括高硬度有機材料，例如，矽氧烷材料、環氧樹脂或有機矽樹脂，但本揭露不限於此。在部分實施例中，硬化層18的厚度T
HC大約介於4微米至10微米之間。
在部分實施例中，抗反射層20的介電常數大約介於3至10之間。在部分實施例中，抗反射層20可包括無機低介電材料，例如，氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，但本揭露不限於此。
在部分實施例中，抗汙層22可包括氟系有機物或二氧化鈦，但本揭露不限於此。
請參閱第2圖，根據本揭露的一實施例，提供一種觸覺回饋裝置10。第2圖為觸覺回饋裝置10的剖面示意圖。
在第2圖中，觸覺回饋裝置10包括基板12、複數個電極14、低介電材料層15、高介電材料層16、硬化層18、抗反射層20、以及抗汙層22。電極14設置於基板12上。低介電材料層15設置於電極14上，並填入電極14之間。高介電材料層16設置於低介電材料層15上。硬化層18設置於高介電材料層16上。抗反射層20設置於硬化層18上。抗汙層22設置於抗反射層20上。在部份實施例中，可調整低介電材料層15與高介電材料層16設置的順序，例如，高介電材料層16設置於電極14上，並填入電極14之間，以及低介電材料層15設置於高介電材料層16上(未圖示)。
在部份實施例中，基板12可包括硬質基板，例如，玻璃基板，但本揭露不限於此。在部份實施例中，基板12可包括軟質基板，例如，聚醯亞胺(PI)基板，但本揭露不限於此。在部份實施例中，電極14可由任何適合的導電材料所構成。
在部份實施例中，低介電材料層15的介電常數大約介於3至10之間。在部份實施例中，低介電材料層15的介電常數大約介於4至7之間。在部份實施例中，低介電材料層15可包括無機低介電材料，例如，氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，但本揭露不限於此。在部份實施例中，低介電材料層15的厚度T
LD大約介於0.1微米至10微米之間。在部份實施例中，低介電材料層15的厚度T
LD大約介於0.3微米至3微米之間。
在部份實施例中，高介電材料層16的介電常數大約介於10至40之間。在部份實施例中，高介電材料層16的介電常數大約介於10至15之間。在部份實施例中，高介電材料層16可包括有機高介電材料摻雜高介電奈米粒子，例如，聚乙烯酚(PVP)、聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、或聚乙烯醇摻雜二氧化鈦(TiO2)、鈦酸鋇(BaTiO3)或氧化鋯(ZrO2)，但本揭露不限於此。在部份實施例中，高介電材料層16可包括無機高介電材料，例如，二氧化鉿、氮化鋁、或二氧化鈦，但本揭露不限於此。在部份實施例中，高介電材料層16的厚度T
HD大約介於4微米至20微米之間。在部份實施例中，高介電材料層16的厚度T
HD大約介於4微米至8微米之間。
在部分實施例中，硬化層18可包括高硬度有機材料，例如，矽氧烷材料、環氧樹脂或有機矽樹脂，但本揭露不限於此。在部分實施例中，硬化層18的厚度T
HC大約介於4微米至10微米之間。
在部分實施例中，抗反射層20的介電常數大約介於4至10之間。在部分實施例中，抗反射層20可包括無機低介電材料，例如，氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，但本揭露不限於此。
在部分實施例中，抗汙層22可包括氟系有機物或二氧化鈦，但本揭露不限於此。
請參閱第3圖，根據本揭露的一實施例，提供一種觸覺回饋裝置10。第3圖為觸覺回饋裝置10的剖面示意圖。
在第3圖中，觸覺回饋裝置10包括基板12、複數個電極14、第一低介電材料層15a、第一高介電材料層16a、第二低介電材料層15b、第二高介電材料層16b、第三低介電材料層15c、硬化層18、抗反射層20、以及抗汙層22。電極14設置於基板12上。第一低介電材料層15a設置於電極14上，並填入電極14之間。第一高介電材料層16a設置於第一低介電材料層15a上。第二低介電材料層15b設置於第一高介電材料層16a。第二高介電材料層16b設置於第二低介電材料層15b。第三低介電材料層15c設置於第二高介電材料層16b。硬化層18設置於第三低介電材料層15c上。抗反射層20設置於硬化層18上。抗汙層22設置於抗反射層20上。在本實施例中，低介電材料層(15a、15b、15c)與高介電材料層(16a、16b)以如第3圖所示的交替方式設置於電極14與抗反射層20之間。在部份實施例中，低介電材料層(15a、15b、15c)與高介電材料層(16a、16b)亦可以其他交替方式設置(未圖示)。在部份實施例中，低介電材料層(15a、15b、15c)與高介電材料層(16a、16b)亦可以非交替方式設置(未圖示)。
在部份實施例中，基板12可包括硬質基板，例如，玻璃基板，但本揭露不限於此。在部份實施例中，基板12可包括軟質基板，例如，聚醯亞胺(PI)基板，但本揭露不限於此。在部份實施例中，電極14可由任何適合的導電材料所構成。
在部份實施例中，第一低介電材料層15a、第二低介電材料層15b、以及第三低介電材料層15c的介電常數大約介於3至10之間。在部份實施例中，第一低介電材料層15a、第二低介電材料層15b、以及第三低介電材料層15c的介電常數大約介於4至7之間。在部份實施例中，第一低介電材料層15a、第二低介電材料層15b、以及第三低介電材料層15c可包括有機低介電材料，例如，氧烷材料、環氧樹脂或有機矽樹脂，但本揭露不限於此。在部份實施例中，第一低介電材料層15a、第二低介電材料層15b、以及第三低介電材料層15c可包括無機低介電材料，例如，氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，但本揭露不限於此。在部份實施例中，第一低介電材料層15a的厚度T
LD1、第二低介電材料層15b的厚度T
LD2、以及第三低介電材料層15c的厚度T
LD3分別大約介於0.1微米至10微米之間。在部份實施例中，第一低介電材料層15a的厚度T
LD1、第二低介電材料層15b的厚度T
LD2、以及第三低介電材料層15c的厚度T
LD3分別大約介於0.3微米至3微米之間。
在部份實施例中，第一高介電材料層16a與第二高介電材料層16b的介電常數大約介於10至40之間。在部份實施例中，第一高介電材料層16a與第二高介電材料層16b的介電常數大約介於10至15之間。在部份實施例中，第一高介電材料層16a與第二高介電材料層16b可包括有機高介電材料摻雜高介電奈米粒子，例如，聚乙烯酚 (PVP)、聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、或聚乙烯醇摻雜二氧化鈦(TiO2)、鈦酸鋇(BaTiO3)或氧化鋯(ZrO2)，但本揭露不限於此。在部份實施例中，第一高介電材料層16a與第二高介電材料層16b可包括無機高介電材料，例如，二氧化鉿、氮化鋁、或二氧化鈦，但本揭露不限於此。在部份實施例中，第一高介電材料層16a的厚度T
HD1與第二高介電材料層16b的厚度T
HD2分別大約介於4微米至20微米之間。在部份實施例中，第一高介電材料層16a的厚度T
HD1與第二高介電材料層16b的厚度T
HD2分別大約介於4微米至8微米之間。在部份實施例中，高介電材料層的總厚度(T
HD1+T
HD2)大於低介電材料層的總厚度(T
LD1+T
LD2+T
LD3)。
在部分實施例中，硬化層18可包括高硬度有機材料，例如，矽氧烷材料、環氧樹脂或有機矽樹脂，但本揭露不限於此。在部分實施例中，硬化層18的厚度T
HC大約介於4微米至10微米之間。
在部分實施例中，抗反射層20的介電常數大約介於3至10之間。在部分實施例中，抗反射層20可包括無機低介電材料，例如，氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，但本揭露不限於此。
在部分實施例中，抗汙層22可包括氟系有機物或二氧化鈦，但本揭露不限於此。
實施例1
本揭露高介電材料層的電性及觸覺回饋測試
本實施例針對本揭露所使用的高介電材料層進行其電性及觸覺回饋的測試，以評估上述高介電材料層是否合規。此處選用介電常數為11的高介電材料層進行ESD及觸覺回饋的合規測試，結果如第4圖所示。請參閱第4圖，ESD的合規標準為容許崩潰電壓達15KV，觸覺回饋的合規標準為達標準值的20%。由圖中可看出，當上述高介電材料層的厚度設定於5至8微米時，此高介電材料層可通過ESD測試，且其觸覺回饋可維持40%至60%的效果。由測試結果顯示，上述高介電材料層可提供適當且足夠的設計空間(design window)，應用於本揭露觸覺回饋裝置中。
比較例1
低介電材料層的電性及觸覺回饋測試
(1)
本比較例針對低介電材料層進行其電性及觸覺回饋的測試，以評估上述低介電材料層是否合規。此處選用介電常數為3.85的低介電材料層進行ESD及觸覺回饋的合規測試，結果如第5圖所示。請參閱第5圖，ESD的合規標準為容許崩潰電壓達15KV，觸覺回饋的合規標準為達標準值的20%。由圖中可看出，當上述低介電材料層的厚度小於4微米時，雖此低介電材料層可維持觸覺回饋效果，但其無法通過ESD測試，需將上述低介電材料層的厚度設定大於12微米以上時，方能通過ESD測試，然而，此時該低介電材料層的觸覺回饋已降至20%以下(無觸覺回饋效果) 。由測試結果顯示，上述低介電材料層並無法提供任何設計空間，不適用於本揭露觸覺回饋裝置中。
比較例2
低介電材料層的電性及觸覺回饋測試
(2)
本比較例針對低介電材料層進行其電性及觸覺回饋的測試，以評估上述低介電材料層是否合規。此處選用介電常數為3.47的低介電材料層進行ESD及觸覺回饋的合規測試，結果如第6圖所示。請參閱第6圖，ESD的合規標準為容許崩潰電壓達15KV，觸覺回饋的合規標準為達標準值的20%。由圖中可看出，當上述低介電材料層的厚度小於6微米時，雖此低介電材料層可維持觸覺回饋效果，但其無法通過ESD測試，需將上述低介電材料層的厚度設定大於8微米以上時，方能通過ESD測試，然而，此時該低介電材料層的觸覺回饋已降至20%以下(無觸覺回饋效果) 。由測試結果顯示，上述低介電材料層並無法提供任何設計空間，不適用於本揭露觸覺回饋裝置中。
在本揭露中，於抗反射層與電極之間設置單一高介電材料層或設置高介電材料層與低介電材料層組成的複合層，藉由引進可儲納靜電荷的特定高介電材料(其介電常數大約介於10至40之間)，以解決傳統抗反射層在ESD測試過程中容易被擊穿的問題，並有效避免因單純增加抗反射層厚度而造成觸覺回饋功能失效的問題。
上述一些實施例的部件，以便在本揭露所屬技術領域中具有通常知識者可以更理解本揭露實施例的觀點。在本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應該理解，他們能以本揭露實施例為基礎，設計或修改其他製程和結構以達到與在此介紹的實施例相同之目的及/或優勢。在本揭露所屬技術領域中具有通常知識者也應該理解到，此類等效的結構並無悖離本揭露的精神與範圍，且他們能在不違背本揭露之精神和範圍之下，做各式各樣的改變、取代和替換。因此，本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。另外，雖然本揭露已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露。
整份說明書對特徵、優點或類似語言的引用，並非意味可以利用本揭露實現的所有特徵和優點應該或者可以在本揭露的任何單個實施例中實現。相對地，涉及特徵和優點的語言被理解為其意味著結合實施例描述的特定特徵、優點或特性包括在本揭露的至少一個實施例中。因而，在整份說明書中對特徵和優點以及類似語言的討論可以但不一定代表相同的實施例。
再者，在一個或多個實施例中，可以任何合適的方式組合本揭露的所描述的特徵、優點和特性。根據本文的描述，相關領域的技術人員將意識到，可在沒有特定實施例的一個或多個特定特徵或優點的情況下實現本揭露。在其他情況下，在某些實施例中可辨識附加的特徵和優點，這些特徵和優點可能不存在於本揭露的所有實施例中。
10:觸覺回饋裝置
12:基板
14:電極
15:低介電材料層
15a:第一低介電材料層
15b:第二低介電材料層
15c:第三低介電材料層
16:高介電材料層
16a:第一高介電材料層
16b:第二高介電材料層
18:硬化層
20:抗反射層
22:抗汙層
T
HC:硬化層的厚度
T
HD:高介電材料層的厚度
T
HD1:第一高介電材料層的厚度
T
HD2:第二高介電材料層的厚度
T
LD:低介電材料層的厚度
T
LD1:第一低介電材料層的厚度
T
LD2:第二低介電材料層的厚度
T
LD3:第三低介電材料層的厚度
以下將配合所附圖式詳述本揭露實施例。應注意的是，各種特徵部件並未按照比例繪製且僅用以說明例示。事實上，元件的尺寸可能經放大或縮小，以清楚地表現出本揭露實施例的技術特徵。
第1圖根據本揭露的一實施例，一種觸覺回饋裝置的剖面示意圖；
第2圖根據本揭露的一實施例，一種觸覺回饋裝置的剖面示意圖；
第3圖根據本揭露的一實施例，一種觸覺回饋裝置的剖面示意圖；
第4圖根據本揭露的一實施例，一種高介電材料層的電性及觸覺回饋測試；
第5圖根據本揭露的一實施例，一種低介電材料層的電性及觸覺回饋測試；
第6圖根據本揭露的一實施例，一種低介電材料層的電性及觸覺回饋測試。
10:觸覺回饋裝置
12:基板
14:電極
16:高介電材料層
18:硬化層
20:抗反射層
22:抗汙層
THC:硬化層的厚度
THD:高介電材料層的厚度
Claims (9)
- 一種觸覺回饋裝置，包括：一基板；複數個電極，設置於該基板上；至少一高介電材料層，設置於該等電極上，其中該高介電材料層的介電常數介於10至40之間；以及一抗反射層，設置於該至少一高介電材料層上。
- 如請求項1的觸覺回饋裝置，其中該至少一高介電材料層包括一高介電材料層。
- 如請求項2的觸覺回饋裝置，其中該高介電材料層的厚度介於4微米至20微米之間。
- 如請求項2的觸覺回饋裝置，更包括一低介電材料層，設置於該高介電材料層的一側。
- 如請求項4的觸覺回饋裝置，其中該低介電材料層的介電常數介於4至10之間。
- 如請求項1的觸覺回饋裝置，其中該至少一高介電材料層包括複數高介電材料層。
- 如請求項6的觸覺回饋裝置，更包括複數低介電材料層，與該等高介電材料層交替設置。
- 如請求項7的觸覺回饋裝置，其中該等高介電材料層的總厚度大於該等低介電材料層的總厚度。
- 如請求項1的觸覺回饋裝置，更包括一硬化層，設置於該至少一高介電材料層上。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110735534.9A CN115543067A (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 触觉回馈装置 |
| CN202110735534.9 | 2021-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202303365A TW202303365A (zh) | 2023-01-16 |
| TWI828097B true TWI828097B (zh) | 2024-01-01 |
Family
ID=84705529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111111632A TWI828097B (zh) | 2021-06-30 | 2022-03-28 | 觸覺回饋裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115543067A (zh) |
| TW (1) | TWI828097B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104011633A (zh) * | 2011-10-26 | 2014-08-27 | 诺基亚公司 | 具有触觉反馈的触摸屏 |
| CN108089698A (zh) * | 2016-11-21 | 2018-05-29 | 天马日本株式会社 | 触觉提示装置及电子设备 |
| US10459549B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-10-29 | Lg Display Co., Ltd. | Touch sensitive element and display device including the same |
| TW202036941A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-01 | 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 | 顯示裝置 |
-
2021
- 2021-06-30 CN CN202110735534.9A patent/CN115543067A/zh active Pending
-
2022
- 2022-03-28 TW TW111111632A patent/TWI828097B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104011633A (zh) * | 2011-10-26 | 2014-08-27 | 诺基亚公司 | 具有触觉反馈的触摸屏 |
| CN108089698A (zh) * | 2016-11-21 | 2018-05-29 | 天马日本株式会社 | 触觉提示装置及电子设备 |
| US10459549B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-10-29 | Lg Display Co., Ltd. | Touch sensitive element and display device including the same |
| TW202036941A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-01 | 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 | 顯示裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202303365A (zh) | 2023-01-16 |
| CN115543067A (zh) | 2022-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3207546B1 (en) | Dielectric material with enhanced breakdown strength | |
| JP5512264B2 (ja) | 電場コントロールのためのデバイス | |
| US20130250473A1 (en) | Asymmetric High Voltage Capacitor | |
| US9148167B2 (en) | Capacitor array, AD converter and semiconductor device | |
| US11749712B2 (en) | High dielectric constant material at locations of high fields | |
| US20140110772A1 (en) | Integrated circuit decoupling capacitor arrangement | |
| CN103718404A (zh) | 用于电场控制的设备 | |
| TWI828097B (zh) | 觸覺回饋裝置 | |
| US9691550B2 (en) | Multi-layer capacitor and method for producing a multi-layer capacitor | |
| CN113054104A (zh) | 用于隔离电容器的顶帽结构 | |
| JP2009049351A (ja) | 電気エネルギを蓄積する装置 | |
| US20120138360A1 (en) | Electrical termination for extra high voltage | |
| US20110194218A1 (en) | ESD Clamp for High Voltage Operation | |
| US20160027549A1 (en) | Resistance covering for a dc insulation system | |
| JP2009065017A (ja) | 信号伝送デバイス | |
| US11664161B2 (en) | Film capacitor | |
| US20200357575A1 (en) | Multilayer ceramic electronic component | |
| US10720767B2 (en) | Multilayer stress control article and dry termination for medium and high voltage cable applications | |
| Chen et al. | Polyimide films for digital isolators | |
| JP2023527225A (ja) | ガルバニック又は静電容量アイソレータを取り囲む電界グレーディング保護設計 | |
| KR20190094341A (ko) | 반도체 장치 및 보호 소자 | |
| CN106783959B (zh) | 耐压终端环结构与功率器件 | |
| CN106783958B (zh) | 耐压终端环结构与功率器件 | |
| JP2001069658A (ja) | プレモールド型ゴム絶縁筒およびそれを用いたプラスチック絶縁電力ケーブル接続部 | |
| CN211507211U (zh) | 一种高压交叉互联系统专用同轴电缆 |