TWI824469B - 基板清洗裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的涉及基板清洗裝置，該基板清洗裝置的特徵在於，包括：真空卡盤部，用於放置晶圓；以及超聲波清洗模組，用於向晶圓噴射清洗液，向清洗液施加超聲波來使清洗液發生超聲波振動。

Description

基板清洗裝置
本發明涉及基板清洗裝置，更詳細地，涉及可以提高基板的處理性能並能夠縮減基板的處理時間的基板清洗裝置。
通常，在半導體工序中進行用於蝕刻晶圓的蝕刻工序、用於將晶圓切割成多個晶粒的切單工序(singulaton process)、用於清洗晶圓的清洗工序等。基板處理裝置用於晶圓的蝕刻工序或清洗工序。
基板處理裝置以可旋轉的方式設置，且包括在上部放置晶圓的旋轉台、以環形結合在旋轉台的邊緣區域的密封圈等。在旋轉台旋轉的狀態下，向放置於旋轉台的晶圓供給處理液。
但是，對於現有的基板處理裝置，當清洗被切割成多個晶粒的晶圓時，很難去除殘存在多個晶粒之間的縫隙的異物。並且，為了去除多個晶粒之間的縫隙中的異物而需要充分延長清洗時間，因此有可能增加清洗時間。
並且，在旋轉台的上部結合密封圈部的過程繁瑣，在結合時密封圈的結合完成狀態不恒定，因而可能會發生結合誤差(錯位等)。進一步地，當密封圈發生結合誤差時，隨著處理液向密封圈的外側滲透，旋轉台周圍部的結構物可能會受損。
並且，設置晶圓固定模組以防止晶圓的位置變動，並設置用於固定密封圈的密封圈固定模組。因此，基板處理裝置的結構變得複雜，並且製造成本可能會增加。
本發明的背景技術公開在韓國公開專利公報第10-2016-0122067號(2016年10月21日公開，發明名稱：晶圓處理裝置及用於晶圓處理裝置的密封圈)。
本發明的目的在於，提供一種基板清洗裝置，可提高基板的處理性能，並能夠縮減基板的處理時間。
本發明的基板清洗裝置的特徵在於，包括：真空卡盤部，用於放置晶圓；以及超聲波清洗模組，用於向所述晶圓噴射清洗液，向清洗液施加超聲波來使清洗液發生超聲波振動。
所述超聲波清洗模組可包括：升降臂驅動部；升降臂部，與所述升降臂驅動部連接，以通過所述升降臂驅動部進行升降；擺動部，與所述升降臂部連接，以使所述升降臂部旋轉；以及超聲波清洗部，與所述升降臂部連接，用於向所述晶圓噴射清洗液，且向所述清洗液施加超聲波。
所述超聲波清洗部可包括：清洗頭部，與所述升降臂部連接，並浸漬在清洗液中；超聲波產生部，配置在所述清洗頭部的內部，以向清洗液施加超聲波；電壓施加部，配置在所述清洗頭部的內部，以向所述超聲波產生部施加電壓；內壓形成部，在所述清洗頭部的內部形成比大氣壓高的壓力；以及清洗液噴射部，形成在所述清洗頭部，以向所述晶圓噴射清洗液。
所述清洗液噴射部可包括：清洗液流入部，供清洗液流入；以及多個噴射噴嘴，用於向所述晶圓噴射從所述清洗液流入部排出的清洗液。
多個所述噴射噴嘴可沿著清洗液在所述晶圓中流動的方向傾斜噴射清洗液。
所述清洗頭部的下表面部可形成為清洗液的流入側高於清洗液的流出側。
所述清洗頭部可根據所述晶圓的高度變化調節所述清洗頭部的一側下表面部的高度。
所述基板清洗裝置可包括：環形蓋部，配置在所述真空卡盤部的一側；擴張機模組，設置為可所述環形蓋部，對所述晶圓的卡環部施加向所述真空卡盤部側的壓力，以擴大所述晶圓中晶粒的間隔；以及卡盤模組，設置在所述真空卡盤部，以將被所述擴張機模組施加壓力的所述環形蓋部限制在所述真空卡盤部。
所述擴張機模組可包括：擴張機移動部；擴張機頭部，設置為能夠通過所述擴張機移動部進行移動；以及多個擴張機臂部，與所述擴張機頭部連接，以把持所述環形蓋部來使所述環形蓋部移動，對所述環形蓋部施加壓力，以使所述卡盤模組限制所述環形蓋部。
當所述卡盤模組將所述環形蓋部限制在所述真空卡盤部時，所述擴張機臂部可解除對所述環形蓋部的施壓。
所述擴張機頭部可包括：擴張機套管部，與所述擴張機移動部連接；多個擴張機滑塊部，以能夠徑向移動的方式結合在所述擴張機套管部，且分別與所述擴張機臂部連接；擴張機桿部，配置在所述擴張機套管部的內部， 以移動多個所述擴張機滑塊部；以及擴張機驅動部，與所述擴張機套管部連接，以移動所述擴張機桿部。
所述擴張機套管部可包括：套管主體部，形成有移動空間部，以移動所述擴張機桿部；第一擋板部，用於封閉所述套管主體部的一側；以及第二擋板部，用於封閉所述套管主體部的另一側，且形成有移動孔部，以使所述擴張機桿部以能夠移動的方式插入。
所述擴張機桿部可包括：移動盤部，以能夠移動的方式設置在所述擴張機套管部；柱塞部，與所述移動盤部連接，以插入所述擴張機套管部的移動孔部中；以及推送部，與所述柱塞部和所述擴張機滑塊部連接，以隨著所述柱塞部的移動來移動所述擴張機滑塊部。
所述擴張機驅動部可包括：第一供給埠，用於向所述移動空間部的一側供給驅動媒介，以向所述擴張機滑塊部側移動所述移動盤部；以及第二供給埠，向所述移動空間部的另一側供給所述驅動媒介，以向所述擴張機滑塊部的相反側移動所述移動盤部。
所述擴張機臂部可包括：臂部件，與所述擴張機滑塊部連接；以及鉤部，配置在所述臂部件，以限制所述環形蓋部。
所述卡盤模組可包括：卡盤底座，設置在所述真空卡盤部；卡盤旋轉部，與所述卡盤底座連接，以旋轉所述卡盤底座；多個卡盤連桿部，分別與所述卡盤底座徑向連接，且當所述卡盤底座旋轉時進行移動；以及多個蓋限制部，與所述卡盤連桿部連接，以當所述卡盤連桿部移動時，將所述環形蓋部限制在所述真空卡盤部。
所述卡盤底座可包括：底座主體部，以與所述真空卡盤部的旋轉軸形成同心的方式形成為環形；多個引導部，形成在所述底座主體部，以使所述卡盤連桿部以能夠移動的方式與所述引導部結合；以及底座齒輪部，形成在所述底座主體部，與所述卡盤旋轉部連接。
所述卡盤連桿部可包括：引導滑塊，以能夠移動的方式結合在所述卡盤底座；連桿部件，與所述引導滑塊連接，當所述引導滑塊移動時，沿著所述卡盤底座的半徑方向直線移動；以及連桿齒輪部，形成在所述連桿部件，以與所述蓋限制部嚙合來移動。
所述蓋限制部可包括：蓋限制軸部，以能夠旋轉的方式設置在所述真空卡盤部；限制齒輪部，形成在所述蓋限制軸部，以與所述連桿齒輪部嚙合；蓋限制桿，與所述蓋限制軸部連接，以對所述環形蓋部施加壓力及解除對所述環形蓋部的施壓；以及限制輥部，以能夠旋轉的方式設置在所述蓋限制桿，以與所述環形蓋部滾動接觸。
根據本發明，在晶圓中晶粒的間隔擴大的狀態下進行清洗工序，因此，可通過清洗液輕鬆去除附著在晶粒的表面的異物和位於多個晶粒之間的縫隙的異物。因此，能夠顯著提高晶圓的清洗性能，並能夠顯著減少晶圓的不良率。
並且，根據本發明，隨著卡盤底座通過卡盤旋轉部旋轉，環形蓋部被真空卡盤部限制，因此，可利用一個卡盤旋轉部就將晶圓限制在真空卡盤部。因此，可以簡化基板清洗裝置的結構。
並且，根據本發明，高度調節部可調節蓋限制部的設置高度，因此可以調節環形蓋部的上表面與真空卡盤部的上表面之間的高度。因此，隨著調節晶圓的黏結片的拉伸程度，可以調節多個晶粒的間隔。
並且，根據本發明，超聲波清洗模組向晶圓噴射清洗液，並向清洗液施加超聲波來使清洗液發生超聲波振動。因此，通過清洗液的化學作用來清洗晶圓，通過超聲波的空化現象進行物理清洗，因此能夠顯著提高晶圓的清洗效率。
10:晶圓
11:晶粒
12:黏結片
13:卡環部
100:基板清洗裝置
101:外殼
102:腔室部
105:杯形外罩
110:驅動部
111:旋轉軸
113:馬達部
120:真空卡盤部
122:真空流路部
124:真空腔室
130:環形蓋部
131:蓋主體部
132:限制臺階部
133:蓋施壓部
135:蓋孔部
140:擴張機模組
141:擴張機移動部
150:擴張機頭部
151:擴張機套管部
152:套管主體部
152a:滑塊槽部
152b:移動空間部
153:第一擋板部
153a:第一密封部件
153b:卡環部
154:第二擋板部
154a:第二密封部件
154b:移動孔部
155:擴張機滑塊部
156:擴張機桿部
156a:移動盤部
156b:柱塞部
156c:推送部
156d:盤密封部件
158:擴張機驅動部
158a:第一供給埠
158b:第二供給埠
160:擴張機臂部
161:臂部件
163:鉤部
164:鉤主體部
165:鉤銷部
170:卡盤模組
171:卡盤底座
172:底座主體部
173:引導部
174:底座齒輪部
175:卡盤旋轉部
180:卡盤連桿部
181:引導滑塊
182:連桿部件
183:連桿齒輪部
184:引導輥部
190:蓋限制部
191:蓋限制軸部
192:限制齒輪部
193:蓋限制桿
194:限制輥部
210:高度調節模組
211:調節部件
213:高度調節部
220:超聲波清洗模組
221:升降臂驅動部
222:升降臂部
223:擺動部
224:超聲波清洗部
225:清洗頭部
225a:結合螺栓部
225b:角度調節螺栓部
226:超聲波產生部
227:電壓施加部
228:內壓形成部
229:清洗液噴射部
229a:清洗液流入部
229b:噴射噴嘴
230:清洗液噴射模組
231:迴旋臂驅動部
232:迴旋臂部
233:迴旋部
234:清洗液噴灑部
240:離子發生器
250:轉移單元
251:轉移移動部
253:轉移升降部
255:轉移承載部
圖1為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中處理的晶圓的俯視圖。
圖2為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中處理的晶圓的側視圖。
圖3為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置的側視圖。
圖4為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中隨著擴張機模組下降對環形蓋部和晶圓的卡環部施加壓力從而多個晶粒之間的間隔擴大的狀態的側視圖。
圖5為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中擴張機模組把持環形蓋部並使其移動的狀態的立體圖。
圖6為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的擴張機模組、環形蓋部及真空卡盤部的側視圖。
圖7為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中卡盤模組限制環形蓋部的狀態的剖視圖。
圖8為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的擴張機模組的立體圖。
圖9為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的擴張機模組的擴張機頭部的剖視圖。
圖10為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置的擴張機模組中擴張機滑塊部向擴張機頭部的內側移動後的狀態的剖視圖。
圖11為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的卡盤模組的俯視圖。
圖12為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中隨著卡盤模組的卡盤底座旋轉而驅動卡盤連桿部的狀態的俯視圖。
圖13為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中卡盤模組的蓋限制部被驅動為限制環形蓋部的狀態的立體圖。
圖14為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中超聲波清洗模組和清洗液噴射模組配置在真空卡盤部的外側的狀態的俯視圖。
圖15為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的超聲波清洗模組的俯視圖。
圖16為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的超聲波清洗模組的側視圖。
圖17為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中超聲波清洗模組的清洗頭部傾斜配置在晶圓的狀態的側視圖。
圖18為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中清洗頭部的結合螺栓部和角度調節螺栓部的剖視圖。
圖19為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中設置角度調節螺栓部的狀態的剖視圖。
圖20為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置的離子發生器和轉移單元的側視圖。
圖21為示出本發明一實施例的基板清洗裝置的控制方法的流程圖。
下面，參照附圖對本發明的基板清洗裝置的一實施例進行說明。在說明基板清洗裝置的過程中，為了說明的明確性及便利性，可以放大示出附圖所示的線的厚度或結構要素的尺寸等。並且，後述的術語為考慮到在本發明中的功能來定義的術語，這可根據使用人員、應用人員的意圖或慣例而不同。因此，對於這種術語的定義應根據本說明書全文內容來定義。
圖1為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中處理的晶圓的俯視圖，圖2為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中處理的晶圓的側視圖，圖3為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置的側視圖，圖4為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中隨著擴張機模組下降對環形蓋部和晶圓的卡環部施加壓力從而多個晶粒之間的間隔擴大的狀態的側視圖。
參照圖1至圖4，本發明一實施例的基板清洗裝置100包括真空卡盤部120及超聲波清洗模組220。
基板清洗裝置100清洗晶圓10。隨著在蝕刻工序中蝕刻後的晶圓10在切單工序中被切割成矩陣形狀而形成多個晶粒11。在清洗工序中，隨著向晶圓10噴射清洗液，附著在多個晶粒11的異物被去除。作為清洗液，可以採用去離子水(Deionized water：DI-water)等各種類型。
晶圓10包括：多個晶粒11，以矩陣形狀排列；黏結片12，供多個晶粒11附著；以及卡環部13，與黏結片12的周圍連接，以將黏結片12支撐得緊繃。黏結片12由可沿著水平方向伸縮的材質形成。隨著黏結片12被卡環部13拉緊，多個晶粒11被定位，薄板的晶粒11維持平板狀態。
在外殼101的內部形成腔室部102，在腔室部102設置杯形外罩105。真空卡盤部120配置在容納清洗液的杯形外罩105的內部。杯形外罩105設置為包圍真空卡盤部120的外側。可通過杯形外罩105防止向杯形外罩105(參照圖14)噴射的清洗液向外部排出或飛散。
真空卡盤部120以可旋轉的方式設置在驅動部110。真空卡盤部120可在整體上呈圓盤形狀。
驅動部110包括：旋轉軸111，與真空卡盤部120的旋轉中心連接；馬達部113，設置在旋轉軸111。馬達部113包括：定子(未圖示)，設置在外罩(未圖示)的內部；轉子(未圖示)，配置在定子的內部，設置為包圍旋轉軸111。並且，驅動部110可以採用通過帶部使旋轉軸111旋轉的帶驅動方式或者通過鏈條使旋轉軸111旋轉的鏈條驅動方式。這種驅動部110只要使真空卡盤部120旋轉，則可以採用多種方式。
在旋轉軸111形成用於在真空卡盤部120形成真空的真空流路部122。真空流路部122沿著旋轉軸111的長度方向形成。在真空卡盤部120形成真空腔室124，以與真空流路部122連接。在真空卡盤部120形成多個真空孔部(未圖示)，以對晶圓10施加真空壓。這種真空卡盤部120能夠以多種方式形成。
在真空卡盤部120放置晶圓10。在真空卡盤部120放置被切割成多個晶粒11狀態的晶圓10。當晶圓10被切割成晶粒11時，在晶粒11的表面和晶粒11之間的縫隙中有可能殘存異物。
環形蓋部130與晶圓10的卡環部13對置。環形蓋部130包括：蓋主體部131，形成為包圍真空卡盤部120的周圍；限制臺階部132，從蓋主體部131的下側向內側突出形成；以及蓋施壓部133，從蓋主體部131的上側向內側延伸，用於對晶圓10的卡環部13施加壓力(參照圖7)。蓋施壓部133的厚度可形成為朝向端部逐漸變薄。蓋施壓部133密封卡環部13的上側面，因此可以防止清洗液滲透到卡環部13的外側的部件。
擴張機模組140設置為可移動環形蓋部130，對卡環部13施加向真空卡盤部120側的壓力，以擴大晶圓10中晶粒11之間的間隔。
卡盤模組170設置在真空卡盤部120，以將晶圓10的卡環部13固定在真空卡盤部120。卡盤模組170通過向下側壓接卡環部13來將卡環部13固定在真空卡盤部120的周圍部。因此，當真空卡盤部120旋轉時，卡盤模組170壓接環形蓋部130和卡環部13來防止晶圓10的位置發生變化，並使晶圓10維持平坦的狀態。對於這種卡盤模組170將在下文中詳細說明。
圖5為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中擴張機模組把持環形蓋部並使其移動的狀態的立體圖，圖6為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的擴張機模組、環形蓋部及真空卡盤部的側視圖，圖7為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中卡盤模組限制環形蓋部的狀態的剖視圖，圖8為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的擴張機模組的立體圖，圖9為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的擴張機模組的擴張機頭部的剖 視圖，圖10為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置的擴張機模組中擴張機滑塊部向擴張機頭部的內側移動後的狀態的剖視圖。
參照圖5至圖10，擴張機模組140包括擴張機移動部141、擴張機頭部150及多個擴張機臂部160。
擴張機移動部141以可上下移動的方式設置在真空卡盤部120的上側。擴張機移動部141可以採用以能夠上下移動的方式設置的一機械臂方式、滾珠螺桿方式等多種方式。擴張機頭部150以可通過擴張機移動部141移動的方式設置。多個擴張機臂部160與擴張機頭部150連接，以把持環形蓋部130並使其移動，並且對環形蓋部130施加壓力，以使卡盤模組170將環形蓋部130限制在真空卡盤部120。多個擴張機臂部160徑向配置在擴張機頭部150。擴張機臂部160可以在擴張機頭部150的周圍部設置4個以上。
在多個擴張機臂部160對環形蓋部130施加壓力的狀態下，卡盤模組170將環形蓋部130限制在真空卡盤部120，因此，晶圓10的卡環部13通過環形蓋部130向下側移動。在此情況下，隨著環形蓋部130下降，晶圓10的黏結片12被拉向半徑方向，黏結片12向半徑方向拉伸，隨著黏結片12向半徑方向拉伸，多個晶粒11之間的間隔將擴大(參照圖4)。若在多個晶粒11之間的間隔擴大的狀態下，向多個晶粒11噴射清洗液，則可以通過清洗液輕鬆去除附著在晶粒11的表面的異物還有位於多個晶粒11之間的縫隙的異物。因此，可以顯著提高晶圓10中的異物清洗性能。並且，隨著晶圓10的清洗性能得到顯著提高，可以顯著減少晶圓10的不良率。
並且，若卡盤模組170將環形蓋部130限制在真空卡盤部120，則擴張機臂部160解除對環形蓋部130的施壓。然後，擴張機移動部141使擴張機頭部150 和擴張機臂部160向真空卡盤部120的上側移動。因此，可以防止當超聲波清洗模組220向晶圓10的上側移動時碰撞到擴張機模組140或受到干擾。
擴張機頭部150包括擴張機套管部151、多個擴張機滑塊部155、擴張機桿部156及擴張機驅動部158。
擴張機套管部151與擴張機移動部141連接。擴張機套管部151可在整體上呈圓筒形。多個擴張機滑塊部155以可徑向移動的方式結合在擴張機套管部151，分別與擴張機臂部160連接。在此情況下，在擴張機套管部151的周圍部，滑塊槽部152a徑向形成，以使擴張機滑塊部155以可移動的方式結合。擴張機桿部156配置在擴張機套管部151的內部，以移動多個擴張機滑塊部155。擴張機桿部156以可上下移動的方式設置在擴張機套管部151的內部。擴張機驅動部158配置在擴張機套管部151，以移動擴張機桿部156。
若驅動擴張機驅動部158，則隨著擴張機桿部156移動，擴張機滑塊部155在擴張機套管部151中徑向移動。隨著擴張機滑塊部155向擴張機套管部151的外側移動，擴張機臂部160向外側移動並解除對環形蓋部130的限制，隨著擴張機滑塊部155向擴張機套管部151的內側移動，擴張機臂部160向內側移動並限制環形蓋部130。
擴張機套管部151包括套管主體部152、第一擋板部153及第二擋板部154。
在套管主體部152形成移動空間部152b，以使擴張機桿部156進行移動。移動空間部152b可呈圓筒形。第一擋板部153以封閉套管主體部152的一側的方式設置。第一擋板部153以可拆裝的方式設置在套管主體部152的上側。在第一擋板部153的周圍部設置第一密封部件153a。在第一擋板部153的 一側設置卡環部(snap ring)153b，以防止第一擋板部153與套管主體部152分離。擴張機桿部156插入到移動空間部152b之後，第一擋板部153封閉套管主體部152的一側。第二擋板部154封閉套管主體部152的另一側，且形成移動孔部154b，以使擴張機桿部156以可移動的方式插入。在移動孔部154b的周圍部設置第二密封部件154a，以密封與擴張機桿部156之間的縫隙。擴張機桿部156以可向上下方向移動的方式設置。
擴張機桿部156包括移動盤部156a、柱塞部156b及推送部156c。
移動盤部156a以可移動的方式設置在移動空間部152b。在移動盤部156a的周圍部設置盤密封部件156d，以密封擴張機套管部151的內側面與移動盤部156a的外側面之間的縫隙。移動盤部156a呈圓盤形狀。柱塞部156b與移動盤部156a連接，以插入到移動孔部154b。移動盤部156a與柱塞部156b的中心部結合。推送部156c與柱塞部156b和擴張機滑塊部155連接，以隨著柱塞部156b進行移動來移動擴張機滑塊部155。隨著推送部156c下降以對擴張機滑塊部155施加壓力，擴張機滑塊部155向外側移動，隨著推送部156c上升以解除對擴張機滑塊部155的施壓，擴張機滑塊部155向內側移動。
在柱塞部156b形成圓錐部(未圖示)，隨著推送部156c被圓錐部施加壓力，推送部156c向徑向擴張。並且，隨著圓錐部解除對推送部156c的施壓，推送部156c通過恢復力向半徑方向收縮。推送部156c可形成為通過彈簧(未圖示)連接的結構或由可伸縮材質形成，使得多個推送片(未圖示)可以擴張及收縮。
擴張機驅動部158包括：第一供給埠158a，向移動空間部152b的一側供給驅動媒介，以使移動盤部156a向擴張機滑塊部155側移動；以及第二供給埠 158b，向移動空間部152b的另一側供給驅動媒介，以使移動盤部156a向擴張機滑塊部155的相反側移動。第一供給埠158a與第一供給管線連接，第二供給埠158b與第二供給管線連接。若第一供給埠158a向移動空間部152b的一側供給驅動媒介，則第二供給埠158b在移動空間部152b的另一側排出驅動媒介，若第二供給埠158b向移動空間部152b的另一側供給驅動媒介，則第一供給埠158a在移動空間部152b的一側排出驅動媒介。因此，隨著向第一供給埠158a或第二供給埠158b供給驅動媒介，移動盤部156a可以向移動空間部152b的一側或另一側移動，因此，擴張機臂部160可以在套管主體部152徑向移動。
擴張機臂部160包括：臂部件161，與擴張機滑塊部155連接；以及鉤部163，配置在臂部件161，以限制環形蓋部130。臂部件161在套管主體部152徑向配置。鉤部163配置在臂部件161的端部。若擴張機滑塊部155向套管主體部152的內側移動，則鉤部163限制環形蓋部130。
鉤部163包括：鉤主體部164，與臂部件161連接，以包圍環形蓋部130的外側；以及鉤銷部165，與鉤主體部164結合，以插入到環形蓋部130的蓋孔部135。鉤主體部164可大致呈“
Figure 111112941-A0305-02-0016-1
”形狀，以與環形蓋部130的外側邊角部接觸。鉤銷部165以向鉤主體部164的內側突出的方式形成。隨著臂部件161通過擴張機滑塊部155向內側移動，鉤銷部165插入到環形蓋部130的蓋孔部135，因此，可以防止當擴張機模組140移動時，環形蓋部130從擴張機模組140脫離。
圖11為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的卡盤模組的俯視圖，圖12為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中隨著卡盤模組的卡盤底座旋轉來驅動卡盤連桿部的狀態的俯視圖，圖13為簡要示出本發明一實施 例的基板清洗裝置中卡盤模組的蓋限制部被驅動為限制環形蓋部的狀態的立體圖。
參照圖11至圖13，卡盤模組170包括卡盤底座171、卡盤旋轉部175、多個卡盤連桿部180及多個蓋限制部190。
卡盤底座171設置在真空卡盤部120。卡盤旋轉部175與卡盤底座171連接，以使卡盤底座171旋轉。多個卡盤連桿部180與卡盤底座171徑向連接，且當卡盤底座171旋轉時進行移動。多個蓋限制部190分別與卡盤連桿部180連接，以當卡盤連桿部180移動時將環形蓋部130固定在真空卡盤部120。
隨著卡盤旋轉部175被驅動，底座齒輪部174進行旋轉，底座主體部172與底座齒輪部174一同旋轉，隨之，卡盤連桿部180向底座主體部172的半徑方向移動。在此情況下，當卡盤底座171的底座主體部172旋轉時，多個卡盤連桿部180同時移動，隨著卡盤連桿部180進行移動，環形蓋部130固定在真空卡盤部120。因此，可利用一個卡盤底座171和一個卡盤旋轉部175就將晶圓10和環形蓋部130同時固定在真空卡盤部120，因此，可以更加簡化基板清洗裝置100的結構。
卡盤底座171包括底座主體部172、多個引導部173及底座齒輪部174。
底座主體部172以與真空卡盤部120的旋轉軸111形成同心的方式形成為環形。底座主體部172配置在真空卡盤部120的內部。多個引導部173形成在底座主體部172，以使卡盤連桿部180以可移動的方式結合。多個引導部173的數量與卡盤連桿部180的數量相同，沿著底座主體部172的圓周方向以等間距形成。底座齒輪部174形成在底座主體部172，與卡盤旋轉部175連接。底座齒輪部174在底座主體部172的內周面以圓弧形狀配置。隨著卡盤旋轉部175被驅 動，底座齒輪部174旋轉，底座主體部172與底座齒輪部174一同旋轉，隨之，卡盤連桿部180向底座主體部172的半徑方向移動。
引導部173相對於底座主體部172的半徑方向傾斜地形成。引導部173可以為引導孔部。引導部173可以為引導槽或引導凸起部。由於引導部173相對於底座主體部172的半徑方向傾斜地形成，因此，隨著底座主體部172旋轉一定角度，卡盤連桿部180向底座主體部172的半徑方向進行直線運動。
卡盤連桿部180包括引導滑塊181、連桿部件182及連桿齒輪部183。
引導滑塊181以可移動的方式結合在引導部173。連桿部件182與引導滑塊181連接，且當引導滑塊181移動時，沿著底座主體部172的半徑方向進行直線移動。連桿齒輪部183形成在連桿部件182，以與蓋限制部190嚙合來移動。連桿部件182形成為直桿形狀。連桿齒輪部183以在連桿部件182的長度方向並排的齒條形狀形成。
卡盤連桿部180還包括支撐連桿部件182的兩側的引導輥部184。引導輥部184防止當底座主體部172旋轉時，卡盤連桿部180向底座主體部172的圓周方向旋轉。因此，當底座主體部172旋轉時，若引導滑塊181沿著引導輥部184進行移動，則連桿部件182可以直線移動而不會旋轉。
蓋限制部190包括：蓋限制軸部191，以可旋轉的方式設置在真空卡盤部120；限制齒輪部192，形成在蓋限制軸部191，以與連桿齒輪部183嚙合；蓋限制桿193，與蓋限制軸部191連接，以對環形蓋部130施加壓力及解除對環形蓋部130的施壓；以及限制輥部194，以可旋轉的方式設置在蓋限制桿193，以與環形蓋部130滾動接觸。
隨著連桿部件182進行直線移動，連桿齒輪部183與限制齒輪部192嚙合而被驅動。隨著限制齒輪部192進行旋轉，蓋限制軸部191和蓋限制桿193旋轉，限制輥部194在環形蓋部130的限制臺階部132滾動接觸並移動。因此，限制輥部194與環形蓋部130的限制臺階部132滾動接觸，從而可以防止因環形蓋部130的限制臺階部132磨損或被劃傷而產生異物。因此，可通過抑制異物流入到位於環形蓋部130的內側的晶圓10來減少晶圓10的不良率。
基板清洗裝置100還包括設置在真空卡盤部120的高度調節模組210，用於調節蓋限制部190的設置高度。高度調節模組210在開始進行清洗工序之前調節蓋限制部190的高度。
若蓋限制部190的設置高度被高度調節部213調節，則環形蓋部130的上表面與真空卡盤部120的上表面之間的高度得到調節。隨著調節蓋限制部190的設置高度，蓋限制部190的限制輥部194的高度得到調節。在此情況下，若環形蓋部130在壓接卡環部13的狀態下被蓋限制部190限制，則根據卡環部13的限制高度來調節晶圓10的黏結片12的拉伸程度。例如，蓋限制部190的設置高度越低，黏結片12的拉伸程度越大，蓋限制部190的設置高度越高，黏結片12的拉伸程度越小。隨著調節黏結片12的拉伸程度，可以調節多個晶粒11的間隔。
高度調節模組210包括：調節部件211，設置有蓋限制部190，以可移動的方式結合在真空卡盤部120的周圍部；以及高度調節部213，與調節部件211連接，以調節調節部件211的設置高度。調節部件211可形成為以能夠上下移動的方式配置在真空卡盤部120的周圍部的塊形狀。高度調節部213可以採用調節調節部件211的高度的氣缸或滾珠螺桿部等多種方式。
高度調節模組210可以調節蓋限制部190的高度，以使真空卡盤部120的上表面與卡環部13的上表面之間的高度差大致處於5mm至15mm範圍內。蓋限制部190的設置高度可以考慮晶圓10的大小、晶圓10的清洗速度等來適當調節。
圖14為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中超聲波清洗模組和清洗液噴射模組配置在真空卡盤部的外側的狀態的俯視圖，圖15為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的超聲波清洗模組的俯視圖，圖16為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中的超聲波清洗模組的側視圖，圖17為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中超聲波清洗模組的清洗頭部傾斜配置在晶圓的狀態的側視圖，圖18為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中清洗頭部的結合螺栓部和角度調節螺栓部的剖視圖，圖19為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置中設置角度調節螺栓部的狀態的剖視圖。
參照圖14至圖19，基板清洗裝置100還包括超聲波清洗模組220，用於向晶圓10噴射清洗液，且向清洗液施加超聲波來使清洗液發生超聲波振動。在此情況下，通過清洗液的化學作用清洗晶圓10，通過超聲波的空化現象(cavitation)進行物理清洗，因此可以顯著提高晶圓10的清洗效率。
超聲波清洗模組220在浸漬在清洗液的狀態下向清洗液施加超聲波。因此，空化現象可在超聲波清洗模組220的下側積極發生。
超聲波清洗模組220包括升降臂驅動部221、升降臂部222、擺動部223及超聲波清洗部224。作為升降臂驅動部221，包括馬達、氣缸或滾珠螺桿部。升降臂部222與升降臂驅動部221連接，以通過升降臂驅動部221進行升降。擺動部223與升降臂部222連接，以使升降臂部222旋轉。超聲波清洗部224與升 降臂部222連接，用於向晶圓10噴射清洗液，且向清洗液施加超聲波。在晶圓10放置在真空卡盤部120的期間，擺動部223配置在真空卡盤部120的外側，在真空卡盤部120中放置晶圓10之後，擺動部223向真空卡盤部120的上側移動。
超聲波清洗部224包括清洗頭部225、超聲波產生部226、電壓施加部227、內壓形成部228及清洗液噴射部229。超聲波清洗部224配置在杯形外罩105的外側。
清洗頭部225與升降臂部222連接。超聲波產生部226配置在清洗頭部225的內部，以向清洗液施加超聲波。電壓施加部227配置在清洗頭部225的內部，以向超聲波產生部226施加電壓。電壓施加部227與電線(未圖示)連接。內壓形成部228設置在清洗頭部225，以在清洗頭部225的內部形成比大氣壓高的壓力。清洗液噴射部229形成在所述清洗頭部225，以向晶圓10噴射清洗液。若電壓施加部227向超聲波產生部226施加電壓，則在超聲波產生部226中發生超聲波並使清洗液發生超聲波振動。在此情況下，內壓形成部228在清洗頭部225的內部形成比大氣壓高的壓力，因此可以防止清洗液向清洗頭部225的內部流入。因此，可以防止電壓施加部227和超聲波產生部226因清洗液而漏電或破損。
清洗液噴射部229包括：清洗液流入部229a，用於使清洗液流入；以及多個噴射噴嘴229b，用於向晶圓10噴射從清洗液流入部229a排出的清洗液。多個噴射噴嘴229b可以在清洗頭部225的下側形成一列或多列。噴射噴嘴229b沿著晶圓10的半徑方向排列。多個噴射噴嘴229b向晶圓10噴射清洗液，因此，可通過清洗液的噴射壓力清洗晶圓10。並且，多個噴射噴嘴229b沿著晶圓10 的半徑方向排列，因此，當晶圓10通過真空卡盤部120旋轉時，可在清洗頭部225定位的狀態下向晶圓10噴射清洗液。
多個噴射噴嘴229b向清洗液在晶圓10中流動的方向傾斜地噴射清洗液(參照圖17)。例如，當晶圓10向順時針方向旋轉時，多個噴射噴嘴229b向以清洗頭部225為基準的順時針方向傾斜地噴射清洗液。並且，當晶圓10向逆時針方向旋轉時，多個噴射噴嘴229b向以清洗頭部225為基準的逆時針方向傾斜地噴射清洗液。因此，引導清洗液從清洗頭部225的下側順利流出，因此可以防止清洗液的停滯並確保清洗液的流動性。
清洗頭部225的下表面部形成為清洗液的流入側高於清洗液的流出側(H1>H2)。因此，可以防止清洗液碰撞到清洗頭部225的流入側邊角部而停滯。並且，清洗液可以在向清洗頭部225的下表面部側順利流進去之後，更加迅速地流出清洗頭部225的下表面部。
清洗頭部225根據晶圓10的高度變化來調節清洗頭部225的一側下表面部的高度。例如，可根據清洗頭部225在升降臂部222中歪斜的角度來調節清洗頭部225的一側下表面部的高度。因此，可以適當調節清洗頭部225的一側下表面部的高度，以使清洗液可以在向清洗頭部225的下表面部側順利流進去之後，更加迅速流出清洗頭部225的下表面部。
清洗頭部225還包括：多個結合螺栓部225a，與清洗頭部225和升降臂部222螺紋結合；以及角度調節螺栓部225b，與清洗頭部225和升降臂部222螺紋結合，以調節清洗頭部225的角度θ(參照圖17、圖18及圖19)。結合螺栓部225a和角度調節螺栓部225b在清洗頭部225的寬度方向兩側分別設置有多個。隨著角度調節螺栓部225b突出結合在清洗頭部225，稍微隔開清洗頭部225 與升降臂部222的一側，使結合螺栓部225a結合在清洗頭部225和升降臂部222。因此，隨著清洗頭部225以稍微歪斜的狀態結合在升降臂部222，可調節清洗頭部225的設置角度。清洗頭部225的設置角度可以考慮晶圓10的轉速、晶圓10的尺寸、清洗頭部225的隔開距離、清洗液的黏性等來適當設計。
基板清洗裝置100還包括用於向晶圓10噴射清洗液的清洗液噴射模組230。清洗液噴射模組230可以向晶圓10噴射包含去離子水(DIW)和氮氣的清洗液。
清洗液噴射模組230包括迴旋臂驅動部231、迴旋臂部232、迴旋部233及清洗液噴灑部234。
作為迴旋臂驅動部231，包括馬達、氣缸或滾珠螺桿部。迴旋臂部232與迴旋臂驅動部231連接，以通過迴旋臂驅動部231進行升降。迴旋部233與迴旋臂部232連接，以使迴旋臂部232進行旋轉。清洗液噴灑部234與迴旋臂部232連接，且用於向晶圓10噴射清洗液。
清洗液噴灑部234可包括一個噴灑噴嘴。一個噴灑噴嘴向晶圓10噴射清洗液，因此，當晶圓10通過真空卡盤部120旋轉時，清洗液噴灑部234在一定角度範圍內反復迴旋並向晶圓10噴射清洗液。
超聲波清洗模組220和清洗液噴射模組230可根據晶圓10的處理工序選擇性地使用。
圖20為簡要示出本發明一實施例的基板清洗裝置的離子發生器和轉移單元的側視圖。
參照圖20，在外殼101的內部設置離子發生器240。離子發生器240配置在腔室部102的上側，用於去除在晶圓10的處理工序和非處理工序中發生的靜 電。離子發生器240防止在晶圓10和腔室部的內部發生靜電，因此可以防止異物因靜電而再次附著在晶圓10的現象。
若將空氣作為供給氣體供給到離子發生器240，供給去離子水(DI water)作為清洗液，則通過離子發生器240離子化的陽離子及陰離子可以與清洗液一同噴射在晶圓的上部。
在向晶圓10的上部噴射包含陽離子和陰離子的去離子水之前，所測定的晶圓10的靜電電位大致為3.6KV。而在向晶圓10的上部噴射包含陽離子和陰離子的去離子水之後，所測定的靜電電位大致為-0.10KV至-0.17KV。對於這種負電壓，可通過增加離子發生器240的(+)離子產生量來將晶圓10的靜電控制在接近“0”的理想值。
在腔室部102設置轉移單元250，以從移送單元(未圖示)接收晶圓10。轉移單元250包括：轉移移動部251，以可移動的方式設置在腔室部102的底部面；轉移升降部253，設置在轉移移動部251；以及轉移承載部255，設置在轉移升降部253。若從移送單元傳遞的晶圓10承載於轉移承載部255，則轉移升降部253通過轉移移送部向真空卡盤部120的兩側移動。若轉移升降部253使轉移承載部255下降，則晶圓10被放置在真空卡盤部120的上側。在晶圓10放置在真空卡盤部120之後，轉移單元250回到原位置，以可從移送單元接收晶圓10。
下面對以上述方式構成的本發明一實施例的基板清洗裝置的控制方法進行說明。
圖21為示出本發明一實施例的基板清洗裝置的控制方法的流程圖。
參照圖21，擴張機模組140限制環形蓋部130(步驟S11)。在此情況下，隨著擴張機模組140的多個擴張機臂部160通過擴張機頭部150向外側移動，擴張機臂部160的鉤部163與環形蓋部130對應，且多個擴張機臂部160通過擴張機頭部150向內側移動，隨之，鉤部163限制環形蓋部130。
轉移單元250在真空卡盤部120放置晶圓10(步驟S12)。在此情況下，隨著轉移單元250從移送單元接收晶圓10，轉移單元250的轉移移送部向真空卡盤部120的兩側移動，轉移承載部255隨之向真空卡盤部120的上側移動，轉移單元250的轉移承載部255下降，以將晶圓10放置在真空卡盤部120。在晶圓10放置在真空卡盤部120時，轉移單元250回到原位置，以便可以接收新的晶圓10。
擴張機模組140下降並對環形蓋部130施加壓力(步驟S13)，以使晶圓10的晶粒11間隔擴大。在此情況下，隨著擴張機模組140把持環形蓋部130並使其向晶圓10的上側移動，擴張機模組140下降，隨之，擴張機模組140的擴張機臂部160對環形蓋部130施加向下側的壓力。在環形蓋部130對卡環部13施加向下側的壓力並向下側移動時，隨著晶圓10的黏結片12被拉向半徑方向，黏結片12向半徑方向拉伸。隨著黏結片12向半徑方向拉伸，多個晶粒11之間的間隔擴大。
擴張機模組140對環形蓋部130整體施加壓力時，卡盤模組170將環形蓋部130限制在真空卡盤部120(步驟S14)。即，卡盤模組170的卡盤旋轉部175與底座齒輪部174嚙合而被驅動時，隨著卡盤底座171旋轉一定角度，卡盤連桿部180向外側移動。隨著卡盤連桿部180的連桿齒輪部183與蓋限制部190的限制齒輪部192嚙合而被驅動，蓋限制桿193和限制輥部194旋轉並限制環形蓋 部130的限制臺階部132。隨著蓋限制部190限制環形蓋部130，晶圓10的卡環部13保持下降的狀態，因此維持在晶圓10中晶粒11間隔擴大的狀態。
蓋限制部190將環形蓋部130整體限制時，擴張機模組140解除對環形蓋部130的限制並向等待位置移動(步驟S15)。在此情況下，擴張機模組140與真空卡盤部120充分隔開，以當超聲波清洗模組220向真空卡盤部120的上側移動時防止超聲波清洗模組220發生碰撞或接觸。
超聲波清洗模組220向晶圓10噴射清洗液並使清洗液發生超聲波振動(步驟S16)。在此情況下，超聲波清洗模組220在浸漬在清洗液的狀態下，向清洗液施加超聲波。即，升降臂部222通過升降臂驅動部221上升，擺動部223使升降臂部222向真空卡盤部120的上側旋轉，升降臂驅動部221使升降臂部222下降，以使超聲波清洗模組220的清洗頭部225浸漬在清洗液中，清洗液噴射部229向晶圓10噴射清洗液，超聲波產生部226使清洗液發生超聲波振動。
在此情況下，多個晶粒11之間的間隔維持擴大的狀態，因此，可以更加迅速且輕鬆地去除晶粒11之間的異物。並且，可通過清洗液的噴射壓力和清洗液的超聲波振動更加迅速且乾淨地清洗晶圓10。
判斷晶圓10的清洗時間是否結束(步驟S17)。在此情況下，晶圓10的清洗時間可預先設定在控制部(未圖示)。
晶圓10的清洗時間結束後，清洗液將從杯形外罩105排出(步驟S18)。從杯形外罩105排出的清洗液被再次回收到清洗液回收罐(未圖示)。
並且，超聲波清洗模組220向真空卡盤部120的外側移動(步驟S19)。在此情況下，隨著升降臂驅動部221使升降臂部222上升，擺動部223使升降臂部222迴旋，超聲波清洗部224向真空卡盤部120的外側移動。
判斷清洗液的排出是否結束(步驟S20)。在此情況下，在控制部預先設定清洗液排出時間。並且，可通過排出檢測感測器(未圖示)檢測清洗液是否從杯形外罩105完全排出。
隨著真空卡盤部120進行旋轉，使晶圓10乾燥(步驟S21)。在此情況下，不向杯形外罩105供給清洗液。隨著真空卡盤部120進行旋轉，通過離心力從晶圓10去除殘存在晶圓10的清洗液。在此情況下，在晶圓10的晶粒11間隔擴大的狀態下，晶圓10通過真空卡盤部120旋轉，因此，殘存在晶粒11之間的清洗液可以更加迅速地被去除。並且，隨著向晶圓10噴射空氣或氣體，可以促進晶圓10的乾燥。
擴張機模組140移動並限制環形蓋部130(步驟S22)。在此情況下，擴張機模組140向真空卡盤部120側下降，擴張機臂部160的鉤部163與環形蓋部130對置。擴張機頭部150使擴張機臂部160向內側移動時，鉤主體部164緊貼在環形蓋部130，鉤部163的鉤銷部165插入到環形蓋部130的蓋孔部135並限制環形蓋部130。
卡盤模組170解除對環形蓋部130的限制(步驟S23)。在此情況下，若卡盤旋轉部175使卡盤底座171旋轉一定角度，則卡盤連桿部180向卡盤底座171的中心部側移動。隨著連桿齒輪部183與限制齒輪部192嚙合而被驅動，蓋限制桿193和限制輥部194脫離環形蓋部130的限制臺階部132。在解除對環形蓋部130的限制的瞬間也維持擴張機模組140對環形蓋部130施加壓力的狀態。
擴張機模組140向等待位置移動(步驟S24)。在此情況下，隨著擴張機移動部141上升，擴張機頭部150和擴張機臂部160上升。在擴張機臂部160 在限制環形蓋部130的狀態下上升時，晶圓10的卡環部13上升，同時晶圓10的黏結片12收縮成原狀態。因此，晶圓10的晶粒11之間的間隔回到原狀態。
從真空卡盤部120排出晶圓10(步驟S25)。在此情況下，轉移單元250的轉移移動部251向真空卡盤部120的兩側移動，轉移升降部253下降。隨著轉移承載部255進行旋轉，晶圓10承載於轉移承載部255。在轉移移動部251被移送到晶圓10的排出位置時，移送單元接收晶圓10並向腔室部102的外部排出晶圓10。移送單元將晶圓10移送到晶圓儲存部或後續工序。
雖然參照附圖所示的實施例說明了本發明，但這僅屬於示例，只要是本領域的通常知識者就能夠理解可實施多種變形及等同的其他實施例。
因此，本發明的真正的保護範圍通過申請專利範圍定義。
100:基板清洗裝置
101:外殼
102:腔室部
105:杯形外罩
120:真空卡盤部
220:超聲波清洗模組
221:升降臂驅動部
222:升降臂部
223:擺動部
224:超聲波清洗部
230:清洗液噴射模組
231:迴旋臂驅動部
233:迴旋部
234:清洗液噴灑部
240:離子發生器

Claims (18)

  1. 一種基板清洗裝置，其中，包括：一真空卡盤部，用於放置一晶圓；一環形蓋部，配置在該真空卡盤部的一側；一擴張機模組，設置為可移動該環形蓋部，該擴張機模組對該晶圓的一卡環部施加向該真空卡盤部側的壓力，以擴大該晶圓中晶粒的間隔；以及一超聲波清洗模組，用於向該晶圓噴射清洗液，向清洗液施加超聲波來使清洗液發生超聲波振動。
  2. 根據請求項1所述的基板清洗裝置，其中，該超聲波清洗模組包括：一升降臂驅動部；一升降臂部，與該升降臂驅動部連接，以通過該升降臂驅動部進行升降；一擺動部，與該升降臂部連接，以使該升降臂部旋轉；以及一超聲波清洗部，與該升降臂部連接，用於向該晶圓噴射清洗液，並向所述清洗液施加超聲波。
  3. 根據請求項2所述的基板清洗裝置，其中，該超聲波清洗部包括：一清洗頭部，與該升降臂部連接，並浸漬在清洗液中；一超聲波產生部，配置在該清洗頭部的內部，以向清洗液施加超聲波；一電壓施加部，配置在該清洗頭部的內部，以向該超聲波產生部施加電 壓；一內壓形成部，在該清洗頭部的內部形成比大氣壓高的壓力；以及一清洗液噴射部，形成在該清洗頭部，以向該晶圓噴射清洗液。
  4. 根據請求項3所述的基板清洗裝置，其中，該清洗液噴射部包括：一清洗液流入部，供清洗液流入；以及多個噴射噴嘴，用於向該晶圓噴射從所述清洗液流入部排出的清洗液。
  5. 根據請求項4所述的基板清洗裝置，其中，該多個噴射噴嘴沿著清洗液在該晶圓中流動的方向傾斜噴射清洗液。
  6. 根據請求項4所述的基板清洗裝置，其中，該清洗頭部的下表面部形成為清洗液的流入側高於清洗液的流出側。
  7. 根據請求項4所述的基板清洗裝置，其中，該清洗頭部根據該晶圓的高度變化調節該清洗頭部的一側下表面部的高度。
  8. 根據請求項1所述的基板清洗裝置，其中，包括：一卡盤模組，設置在該真空卡盤部，以將被該擴張機模組施加壓力的該環形蓋部限制在該真空卡盤部。
  9. 根據請求項8所述的基板清洗裝置，其中，該擴張機模組包括：一擴張機移動部；一擴張機頭部，設置為能夠通過該擴張機移動部進行移動；以及 多個擴張機臂部，與該擴張機頭部連接，以把持該環形蓋部來使該環形蓋部移動，該擴張機臂部對該環形蓋部施加壓力，以使該卡盤模組限制該環形蓋部。
  10. 根據請求項9所述的基板清洗裝置，其中，當該卡盤模組將該環形蓋部限制在該真空卡盤部時，該擴張機臂部解除對該環形蓋部的施壓。
  11. 根據請求項9所述的基板清洗裝置，其中，該擴張機頭部包括：一擴張機套管部，與該擴張機移動部連接；多個擴張機滑塊部，以能夠徑向移動的方式結合在該擴張機套管部，且分別與該擴張機臂部連接；一擴張機桿部，配置在該擴張機套管部的內部，以移動該多個擴張機滑塊部；以及一擴張機驅動部，與該擴張機套管部連接，以移動該擴張機桿部。
  12. 根據請求項11所述的基板清洗裝置，其中，該擴張機套管部包括：一套管主體部，形成有一移動空間部，以移動該擴張機桿部；一第一擋板部，用於封閉該套管主體部的一側；以及一第二擋板部，用於封閉該套管主體部的另一側，且形成有一移動孔部，以使該擴張機桿部以能夠移動的方式插入。
  13. 根據請求項11所述的基板清洗裝置，其中，該擴張機桿部包括： 一移動盤部，以能夠移動的方式設置在該擴張機套管部；一柱塞部，與該移動盤部連接，以插入該擴張機套管部的一移動孔部中；以及一推送部，與該柱塞部和該擴張機滑塊部連接，以隨著該柱塞部的移動來移動該擴張機滑塊部。
  14. 根據請求項11所述的基板清洗裝置，其中，該擴張機臂部包括：一臂部件，與該擴張機滑塊部連接；以及一鉤部，配置在該臂部件，以限制該環形蓋部。
  15. 根據請求項8所述的基板清洗裝置，其中，該卡盤模組包括：一卡盤底座，設置在該真空卡盤部；一卡盤旋轉部，與該卡盤底座連接，以旋轉該卡盤底座；多個卡盤連桿部，分別與該卡盤底座徑向連接，且當該卡盤底座旋轉時進行移動；以及多個蓋限制部，與該卡盤連桿部連接，以當該卡盤連桿部移動時，將該環形蓋部限制在該真空卡盤部。
  16. 根據請求項15所述的基板清洗裝置，其中，該卡盤底座包括：一底座主體部，以與該真空卡盤部的一旋轉軸形成同心的方式形成為環形；多個引導部，形成在該底座主體部，該卡盤連桿部以能夠移動的方式與 該引導部結合；以及一底座齒輪部，形成在該底座主體部，與該卡盤旋轉部連接。
  17. 根據請求項15所述的基板清洗裝置，其中，該卡盤連桿部包括：一引導滑塊，以能夠移動的方式結合在該卡盤底座；一連桿部件，與該引導滑塊連接，當該引導滑塊移動時，沿著該卡盤底座的半徑方向直線移動；以及一連桿齒輪部，形成在該連桿部件，以與該蓋限制部嚙合來移動。
  18. 根據請求項17所述的基板清洗裝置，其中，該蓋限制部包括：一蓋限制軸部，以能夠旋轉的方式設置在該真空卡盤部；一限制齒輪部，形成在該蓋限制軸部，以與該連桿齒輪部嚙合；一蓋限制桿，與該蓋限制軸部連接，以對該環形蓋部施加壓力及解除對該環形蓋部的施壓；以及一限制輥部，以能夠旋轉的方式設置在該蓋限制桿，以與該環形蓋部滾動接觸。
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