TWI820451B - 附防污層之光學膜 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種適於確保防污層之耐剝離性並且抑制防污性下降的附防污層之光學膜。
本發明之附防污層之光學膜F依序具備透明基材11、硬塗層12、無機氧化物基底層13及防污層14。防污層14係配置於無機氧化物基底層13上之乾式塗佈膜。藉由奈米壓痕法測定防污層14之與無機氧化物基底層13為相反側之表面14a,所得之25℃下之硬度(GPa)與彈性回覆率之積為0.8以上。
Description
本發明係關於一種附防污層之光學膜。
為了實現防污性,於觸控面板顯示器等顯示器之圖像顯示側之外表面,例如貼合有附防污層之光學膜。附防污層之光學膜具備透明基材、及配置於該透明基材之一面側之最外表面之防污層。藉由防污層,抑制手部油脂等污染物質附著於顯示器表面,又,使附著之污染物質容易被去除。例如下述專利文獻1中記載有與此種附防污層之光學膜相關之技術。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-52221號公報
[發明所欲解決之問題]
使用附防污層之光學膜時,例如藉由擦拭作業去除附著於防污層之污染物質。然而,對防污層反覆進行擦拭作業會導致防污層之防污性下降,又,會導致防污層剝離。為了維持附防污層之光學膜之防污功能,不希望出現防污層之防污性下降及防污層剝離。
本發明提供一種適於確保防污層之耐剝離性並且抑制防污性下降的附防污層之光學膜。
[解決問題之技術手段]
本發明[1]包含附防污層之光學膜,其依序具備透明基材、硬塗層、無機氧化物基底層及防污層,上述防污層係配置於上述無機氧化物基底層上之乾式塗佈膜,藉由奈米壓痕法測定上述防污層之與上述無機氧化物基底層為相反側之表面,所得之25℃下之硬度(GPa)與彈性回覆率之積為0.8以上。
本發明[2]包含如上述[1]所記載之附防污層之光學膜,其中藉由奈米壓痕法測定上述防污層之上述表面,所得之25℃下之彈性回覆率為0.76以上。
本發明[3]包含如上述[1]或[2]所記載之附防污層之光學膜,其中上述防污層具有1 nm以上25 nm以下之厚度。
本發明[4]包含如上述[1]至[3]中任一項所記載之附防污層之光學膜,其中上述無機氧化物基底層包含二氧化矽。
本發明[5]包含如上述[1]至[4]中任一項所記載之附防污層之光學膜,其中上述無機氧化物基底層具有50 nm以上之厚度。
本發明[6]包含如上述[1]至[5]中任一項所記載之附防污層之光學膜,其中上述硬塗層具有1 μm以上50 μm以下之厚度。
[發明之效果]
如上所述,本發明之附防污層之光學膜係於無機氧化物基底層上配置有防污層之乾式塗佈膜。此種構成適於確保附防污層之光學膜之防污層具有高接合力,因此,適於確保防污層之耐剝離性。又,對於附防污層之光學膜,藉由奈米壓痕法測定防污層之與無機氧化物基底層為相反側之表面,所得之25℃下之硬度(GPa)與彈性回覆率之積為0.8以上。此種構成適於抵抗對防污層之擦拭作業之影響,抑制防污層之防污性下降。
如圖1所示,光學膜F作為本發明之附防污層之光學膜之一實施方式,朝向厚度方向T之一側依序具備透明基材11、硬塗層12、無機氧化物基底層13及防污層14。於本實施方式中,光學膜F朝向厚度方向T之一側依序具備具備透明基材11、硬塗層12、密接層15、無機氧化物基底層13及防污層14。又,光學膜F具有於與厚度方向T正交之方向(面方向)上擴展之形狀。
透明基材11係具有可撓性之透明樹脂膜。作為透明基材11之材料,例如可例舉聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、降莰烯樹脂、聚芳酯樹脂及聚乙烯醇樹脂。作為聚酯樹脂,例如可例舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、及聚萘二甲酸乙二酯。作為聚烯烴樹脂,例如可例舉聚乙烯、聚丙烯及環烯烴聚合物(COP)。作為纖維素樹脂,例如可例舉三乙醯纖維素(TAC)。該等材料可單獨使用,亦可併用兩種以上。作為透明基材11之材料,就透明性及強度之觀點而言,可使用選自由聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、及纖維素樹脂所組成之群中之一種,更佳為使用選自由PET、COP、及TAC所組成之群中之一種。
亦可對透明基材11之硬塗層12側表面進行表面改質處理。作為表面改質處理,例如可例舉電暈處理、電漿處理、臭氧處理、底塗處理、輝光處理、及偶合劑處理。
就強度之觀點而言,透明基材11之厚度較佳為5 μm以上,更佳為10 μm以上,進而較佳為20 μm以上。就操作性之觀點而言,透明基材11之厚度較佳為300 μm以下,更佳為200 μm以下。
透明基材11之全光線透過率(JIS K 7375-2008)較佳為80%以上,更佳為90%以上,進而較佳為95%以上。於觸控面板顯示器等之顯示器之表面具備光學膜F情形時,此種構成適於確保對該光學膜F要求之透明性。透明基材11之全光線透過率例如為100%以下。
硬塗層12配置於透明基材11之厚度方向T之一面上。硬塗層12係用以使光學膜F之露出表面(圖1中為上表面)不易形成擦傷之層。
硬塗層12係硬化性樹脂組合物之硬化物。作為硬化性樹脂組合物所含有之硬化性樹脂,例如可例舉聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、胺基甲酸酯丙烯酸酯樹脂、醯胺樹脂、聚矽氧樹脂、環氧樹脂、及三聚氰胺樹脂。該等硬化性樹脂可單獨使用,亦可併用兩種以上。就確保硬塗層12之高硬度之觀點而言,作為硬化性樹脂,較佳為使用胺基甲酸酯丙烯酸酯樹脂。
又,作為硬化性樹脂組合物,例如可例舉紫外線硬化型樹脂組合物、及熱硬化型樹脂組合物。作為硬化性樹脂組合物,較佳為使用紫外線硬化型樹脂組合物,因其無須進行高溫加熱便可硬化,故而有助於提昇光學膜F之製造效率。紫外線硬化型樹脂組合物包括選自由紫外線硬化型單體、紫外線硬化型低聚物、及紫外線硬化型聚合物所組成之群中之至少一種。作為紫外線硬化型樹脂組合物之具體例,可例舉日本專利特開2016-179686號公報所記載之硬塗層形成用組合物。
硬化性樹脂組合物亦可含有微粒子。於硬化性樹脂組合物中調配微粒子,有助於調整硬塗層12之硬度、表面粗糙度、折射率,以及對硬塗層12賦予防眩性。作為微粒子,例如可例舉金屬氧化物粒子、玻璃粒子及有機粒子。作為金屬氧化物粒子之材料,例如可例舉氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣、氧化錫、氧化銦、氧化鎘、及氧化銻。作為有機粒子之材料,例如可例舉聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、丙烯酸系樹脂-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺、及聚碳酸酯。
為了確保硬塗層12之硬度從而以此確保防污層14表面之硬度,硬塗層12之厚度較佳為1 μm以上,更佳為3 μm以上,進而較佳為5 μm以上。就確保光學膜F之柔軟性之觀點而言,硬塗層12之厚度較佳為50 μm以下,更佳為40 μm以下,進而較佳為35 μm以下,尤其較佳為30 μm以下。
亦可對硬塗層12之密接層15側表面進行表面改質處理。作為表面改質處理,例如可例舉電漿處理、電暈處理、臭氧處理、底塗處理、輝光處理、及偶合劑處理。為了於硬塗層12與密接層15之間確保高密接力,較佳為對硬塗層12之密接層15側表面進行電漿處理。
密接層15係用以確保無機氧化物層(於本實施方式中為無機氧化物基底層13)對於透明基材11之密接力的層。密接層15配置於硬塗層12之厚度方向T之一面上。作為密接層15之材料,例如可例舉矽、銦、鎳、鉻、鋁、錫、金、銀、鉑、鋅、鈦、鎢、鋯、鈀等金屬、該等金屬之2種以上之合金、及該等金屬之氧化物。為了兼具對於有機層(具體而言為硬塗層12)及無機氧化物層(於本實施方式中,具體而言為無機氧化物基底層13)雙方之密接性、以及密接層15之透明性,作為密接層15之材料,較佳為使用銦錫氧化物(ITO)或氧化矽(SiOx)。於使用氧化矽作為密接層15之材料之情形時,較佳為使用氧量少於化學計量組成之SiOx,更佳為使用x為1.2以上1.9以下之SiOx。
為了確保硬塗層12與無機氧化物基底層13之間之密接力,同時實現密接層15之透明性,密接層15之厚度較佳為1 nm以上10 nm以下。
無機氧化物基底層13係用以於防污層14中確保耐剝離性之層。作為無機氧化物基底層13之材料,例如可例舉二氧化矽(SiO2
)及氟化鎂,較佳為使用二氧化矽。
就確保防污層14之耐剝離性之觀點而言,無機氧化物基底層13之厚度較佳為50 nm以上,更佳為65 nm以上,進而較佳為80 nm以上,尤其較佳為90 nm以上。無機氧化物基底層13之厚度例如為300 nm以下。
防污層14係具有防污功能之層。防污層14配置於無機氧化物基底層13之厚度方向T之一面上。防污層14於厚度方向T之一側具有表面14a(外表面)。防污層14之防污功能包括抑制使用光學膜F時手部油脂等污染物質附著於膜露出面之功能,以及使附著之污染物質容易被去除之功能。
作為防污層14之材料,例如可例舉含氟基之有機化合物。作為含氟基之有機化合物,較佳為使用具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物。作為具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物,例如可例舉下述通式(1)所示之化合物。
R1
-R2
-X-(CH2
)m
-Si(OR3
)3
(1)
通式(1)中,R1
表示烷基中之一個以上之氫原子被氟原子取代之直鏈狀或支鏈狀之氟化烷基(碳數為例如1以上20以下),較佳為表示烷基之所有氫原子被氟原子取代之全氟烷基。
R2
表示至少包含一個全氟聚醚(PFPE)基之重複結構的結構,較佳為表示包含兩個PFPE基之重複結構的結構。作為PFPE基之重複結構,例如可例舉直鏈狀PFPE基之重複結構及支鏈狀PFPE基之重複結構。作為直鏈狀PFPE基之重複結構,例如可例舉-(OCn
F2n
)p
-所示之結構(n表示1以上20以下之整數,p表示1以上50以下之整數。下同)。作為支鏈狀PFPE基之重複結構,例如可例舉-(OC(CF3
)2
)p
-所示之結構及-(OCF2
CF(CF3
)CF2
)p
-所示之結構。作為PFPE基之重複結構,較佳為可例舉直鏈狀PFPE基之重複結構,更佳為可例舉-(OCF2
)p
-及-(OC2
F4
)p
-。
R3
表示碳數1以上4以下烷基,較佳為表示甲基。
X表示醚基、羰基、胺基或醯胺基,較佳為表示醚基。
m表示1以上之整數。又,m表示較佳為20以下、更佳為10以下、進而較佳為5以下之整數。
此種具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物中,較佳為使用下述通式(2)所示之化合物。
CF3
-(OCF2
)q
-(OC2
F4
)r
-O-(CH2
)3
-Si(OCH3
)3
(2)
通式(2)中,q表示1以上50以下之整數,r表示1以上50以下之整數。
又,具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物可單獨使用,亦可併用兩種以上。
防污層14係藉由乾式塗佈法形成之膜(乾式塗佈膜)。作為乾式塗佈法,可例舉濺鍍法、真空蒸鍍法、及CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相沈積)。防污層14較佳為藉由真空蒸鍍法形成之膜(真空蒸鍍膜)。
防污層14之材料含有具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物,且防污層14為乾式塗佈膜(較佳為真空蒸鍍膜),此構成適於確保防污層14對無機氧化物基底層13具有高接合力,因此適於確保防污層14之耐剝離性。防污層14之耐剝離性較高,有助於維持防污層14之防污功能。
藉由奈米壓痕法測定防污層14之表面14a,所得之25℃下之硬度(表面硬度H)較佳為1.05 GPa以上,更佳為1.1 GPa以上,更較佳為1.15 GPa以上,進而較佳為1.2 GPa以上,進而更佳為1.25 GPa以上,尤其較佳為1.3 GPa以上。此種構成適於抵抗擦拭作業對防污層14之影響,抑制防污層14之防污性下降。藉由奈米壓痕法測定防污層14之表面14a,所得之25℃下之硬度(表面硬度H)較佳為30 GPa以下,更佳為20 GPa以下,進而較佳為15 GPa以下。此種構成適於確保防污層14之彎曲性,因此,適於確保光學膜F之彎曲性。
奈米壓痕法係以奈米級測定試樣之各種物性之技術。於本實施方式中,奈米壓痕係依照ISO14577實施。奈米壓痕法要實施將壓頭壓入設置於平台上之試樣之過程(負荷施加過程),以及於其後實施自試樣拔出壓頭之過程(負荷去除過程),一連串過程中,測定作用於壓頭-試樣間之負荷、及壓頭相對於試樣之相對位移(負荷-位移測定)。藉此,可獲得負荷-位移曲線。根據該負荷-位移曲線,可對測定試樣求出基於奈米級測定之硬度、彈性模數等物性。藉由奈米壓痕法進行之防污層表面之負荷-位移測定例如可使用奈米壓痕儀(商品名「Triboindenter」,Hysitron公司製造)。於該測定中,測定模式設為單一壓入測定,測定溫度設為25℃,使用壓頭設為Berkovich(三角錐)型金剛石壓頭,負荷施加過程中壓頭對測定試樣之最大壓入深度(最大位移H1)設為200 nm,該壓頭之壓入速度設為20 nm/秒,負荷去除過程中自測定試樣拔出壓頭之速度設為20 nm/秒。基於本測定所得之負荷-位移曲線,可獲得最大負荷Pmax(最大位移H1時作用於壓頭之負荷)、接觸投影面積Ap(最大負荷時壓頭與試樣間之接觸區域之投影面積)、及負荷去除過程後試樣表面之塑性變形量H2(壓頭離開試樣表面後維持於該試樣表面之凹部之深度)。然後,可根據最大負荷Pmax與接觸投影面積Ap計算出防污層表面之硬度(=Pmax/Ap)。又,可根據最大位移H1與塑性變形量H2計算出經歷負荷施加及其後之負荷去除後,防污層表面之後述彈性回覆率(=(H1-H2)/H1)。
作為調整防污層14之表面硬度H之方法,例如可例舉調整硬塗層12之硬度及厚度,以及調整對於防污層14而言之基底層之硬度及厚度。
藉由奈米壓痕法測定防污層14之表面14a,所得之25℃下之彈性回覆率(彈性回覆率R)較佳為0.76以上,更佳為0.80以上,進而較佳為0.815以上,尤其較佳為0.85以上。此種構成適於抵抗擦拭作業對防污層14之影響,抑制防污層14之防污性下降。藉由奈米壓痕法測定防污層14之表面14a,所得之25℃下之彈性回覆率(彈性回覆率R)較佳為1.0以下,更佳為0.95以下。此種構成適於確保防污層14之彎曲性,因此,適於確保光學膜F之彎曲性。作為調整防污層14之彈性回覆率R之方法,例如可例舉調整硬塗層12之硬度及彈性模數,以及調整對於防污層14而言之基底層之硬度及彈性模數。
防污層14之表面硬度H(GPa)與彈性回覆率R之積為0.8以上,較佳為0.9以上,更佳為1.0以上,進而較佳為1.1以上。此種構成適於抵抗擦拭作業對防污層14之影響,抑制防污層14之防污性下降。防污層14之表面硬度H(GPa)與彈性回覆率R之積較佳為2.0以下,更佳為1.7以下,進而較佳為1.5以下。此種構成適於確保防污層14之彎曲性,因此,適於確保光學膜F之彎曲性。
防污層14之表面14a之水接觸角(純水接觸角)較佳為110°以上,較佳為111°以上,更佳為112°以上,進而較佳為113°以上,尤其較佳為114°以上。表面14a之水接觸角如此高之構成適於實現防污層14之高防污性。該水接觸角例如為130°以下。藉由於防污層14之表面14a(露出表面)形成直徑2 mm以下之水滴(純水之液滴),測定該水滴相對於表面14a之接觸角而求出水接觸角。例如藉由調整防污層14之組成、表面14a之粗糙度、硬塗層12之組成、及硬塗層12之防污層14側表面之粗糙度可調整表面14a之水接觸角。
防污層14之厚度較佳為1 nm以上,更佳為3 nm以上,進而較佳為5 nm以上,尤其較佳為7 nm以上。此種構成適於實現防污層14之上述之表面硬度。防污層14之厚度較佳為25 nm以下,更佳為20 nm以下,進而較佳為18 nm以下。此種構成適於防污層14之上述水接觸角。
準備透明基材11後,例如以輥對輥方式於透明基材11上依序形成硬塗層12、密接層15及防污層14,藉此可製作光學膜F。
例如於透明基材11上塗佈硬化性樹脂組合物形成塗膜後,使該塗膜硬化,藉此可形成硬塗層12。於硬化性樹脂組合物含有紫外線化型樹脂之情形時,藉由照射紫外線使上述塗膜硬化。於硬化性樹脂組合物含有熱硬化型樹脂之情形時,藉由加熱使上述塗膜硬化。
視需要對形成於透明基材11上之硬塗層12之露出表面進行表面改質處理。於進行電漿處理作為表面改質處理之情形時,例如使用氬氣作為惰性氣體。又,電漿處理時之放電功率例如為10 W以上,且例如為10000 W以下。
藉由以乾式塗佈法成膜材料而形成無機氧化物基底層13。作為乾式塗佈法,可例舉濺鍍法、真空蒸鍍法及CVD,較佳為使用濺鍍法。
濺鍍法係於濺鍍室內在真空條件下一面導入氣體,一面對配置於陰極上之靶施加負電壓。藉此,產生輝光放電,使氣體原子離子化,使該氣體離子高速碰撞靶表面,使靶材料自靶表面彈出,使彈出之靶材料沈積於規定面上。就成膜速度之觀點而言,作為濺鍍法,較佳為反應性濺鍍。反應性濺鍍係使用金屬靶作為靶,使用氬氣等惰性氣體與氧氣(反應性氣體)之混合氣體作為上述氣體。藉由調整惰性氣體與氧氣之流量比(sccm),可調整成膜之無機氧化物所含之氧之比率。
作為用以實施濺鍍法之電源,例如可例舉DC(Direct Current,直流)電源、AC(Alternating Current,交流)電源、RF(Radio Frequency,射頻)電源、及MFAC(Medium Frequency Alternating Current,中波交流)電源(頻帶為數kHz~數MHz之AC電源)。濺鍍法之放電電壓例如為200 V以上,且例如為1000 V以下。又,實施濺鍍法之濺鍍室內之成膜氣壓較佳為0.01 Pa以上,更佳為0.05 Pa以上,進而較佳為0.1 Pa以上。此種構成適於形成材料緻密沈積之防污層14,因此較佳。又,就放電穩定性之觀點而言,成膜氣壓例如為2 Pa以下。
於無機氧化物基底層13上,例如以乾式塗佈法成膜含氟基之有機化合物,藉此形成防污層14。作為乾式塗佈法,例如可例舉真空蒸鍍法、濺鍍法及CVD,較佳為使用真空蒸鍍法。
例如可以如上方式製造光學膜F。例如經由黏著劑將透明基材11側貼合於被黏著體來使用光學膜F。作為被黏著體,例如可例舉觸控面板顯示器等顯示器之圖像顯示側配置的透明罩。
如上所述,光學膜F中,防污層14係配置於無機氧化物基底層13上之乾式塗佈膜。此種構成適於確保光學膜F之防污層14之高接合力,因此,適於確保防污層14之耐剝離性。防污層14之耐剝離性較高,有助於維持防污層14之防污功能。
如上所述,光學膜F中,防污層14之表面硬度H(GPa)與彈性回覆率R之積為0.8以上,較佳為0.9以上,更佳為1.0以上,進而較佳為1.1以上。此種構成適於抵抗擦拭作業對防污層14之影響,抑制防污層14之防污性下降。
另外,光學膜F中,如上所述,藉由奈米壓痕法測定防污層14之表面14a,所得之25℃下之彈性回覆率R較佳為0.76以上,更佳為0.80以上,進而較佳為0.815以上,尤其較佳為0.85以上。此種構成適於抵抗擦拭作業對防污層14之影響,抑制防污層14之防污性下降。
如上所述,光學膜F適於確保防污層14之耐剝離性,並且抑制防污性下降。
光學膜F亦可具備具有規定光學功能之層(光學功能層)。於光學功能層包含複數層之情形時,此種光學功能層之防污層14側表面之層較佳為兼作為上述無機氧化物基底層13。
圖2表示光學膜F於密接層15與防污層14之間具備光學功能層20之情形。如下所述,該光學功能層20於防污層14側表面具有兼作為無機氧化物基底層13之層。
光學功能層20係配置於密接層15之厚度方向T之一面上。本變化例中,光學功能層20係用以抑制外界光之反射強度之抗反射層。即,於本變化例中,光學膜F係附防污層之抗反射膜。
光學功能層20(抗反射層)於厚度方向上交替具有折射率相對較大之高折射率層、及折射率相對較小之低折射率層。於抗反射層,藉由該層所包含之複數個薄層(高折射率層、低折射率層)之複數個界面產生之反射光間之干涉作用,使淨反射光強度衰減。又,於抗反射層,藉由調整各薄層之光學膜厚(折射率與厚度之積),可表現出使反射光強度衰減之干涉作用。於本實施方式中,具體而言,此種作為抗反射層之光學功能層20朝向厚度方向T之一側依序具有第1高折射率層21、第1低折射率層22、第2高折射率層23、兼作為上述無機氧化物基底層13之第2低折射率層24。
第1高折射率層21及第2高折射率層23分別包含波長550 nm下之折射率較佳為1.9以上之高折射率材料。要兼具高折射率與可見光之低吸收性,作為高折射率材料,例如可例舉氧化鈮(Nb2
O5
)、氧化鈦、氧化鋯、摻錫氧化銦(ITO)、及摻銻氧化錫(ATO),較佳為使用氧化鈮。
第1高折射率層21之光學膜厚(折射率與厚度之積)例如為20 nm以上,且例如為55 nm以下。第2高折射率層23之光學膜厚例如為60 nm以上,且例如為330 nm以下。
第1低折射率層22及第2低折射率層24分別包含波長550 nm下之折射率較佳為1.6以下之低折射率材料。要兼具低折射率與可見光之低吸收性,作為低折射率材料,例如可例舉二氧化矽(SiO2
)及氟化鎂,較佳為使用二氧化矽。如上所述,SiO2
及氟化鎂亦適宜用作無機氧化物基底層13之材料。
第1低折射率層22之光學膜厚例如為15 nm以上,且例如為70 nm以下。第2低折射率層24之光學膜厚例如為100 nm以上,且例如為160 nm以下。
可藉由分別以乾式塗佈法成膜材料而形成第1高折射率層21、第1低折射率層22及第2高折射率層23。可藉由以乾式塗佈法成膜材料而形成兼作為無機氧化物基底層13之第2低折射率層24。作為乾式塗佈法,可例舉濺鍍法、真空蒸鍍法及CVD,較佳為使用濺鍍法。作為濺鍍法,就成膜速度之觀點而言,較佳為反應性濺鍍。濺鍍法之條件中,與無機氧化物基底層13之形成相關之濺鍍法之條件與上述相同。
圖2所示之光學膜F中,防污層14係配置於第2低折射率層24(無機氧化物基底層13)上之乾式塗佈膜。對於圖2所示之光學膜F,藉由奈米壓痕法測定防污層14之表面14a,所得之25℃下之表面硬度H(GPa)與彈性回覆率R之積為0.8以上,較佳為0.9以上,更佳為1.0以上,進而較佳為1.1以上。對於圖2所示之光學膜F,藉由奈米壓痕法測定防污層14之表面14a,所得之25℃下之彈性回覆率R較佳為0.76以上,更佳為0.80以上,進而較佳為0.815以上,尤其較佳為0.85以上。此種光學膜F適於確保防污層14之耐剝離性,並且抑制防污性下降。
[實施例]
以下示出實施例對本發明進行具體說明。本發明並不限定於實施例。又,以下記載之調配量(含量)、物性值、參數等具體數值可替換為上述「實施方式」中記載之與其對應之調配量(含量)、物性值、參數等相當記載之上限(定義為「以下」或「未達」之數值)或下限(定義為「以上」或「超過」之數值)。
[實施例1]
首先,於作為透明基材之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(商品名「50U48」,厚度50 μm,東麗公司製造)之單面形成硬塗層(硬塗層形成步驟)。具體而言,首先,將以下成分混合,獲得混合液:紫外線硬化型單體及低聚物之混合物(包含胺基甲酸酯丙烯酸酯作為主成分)之乙酸丁酯溶液(商品名「UNIDIC17-806」,固形物成分濃度80質量%,DIC公司製造)100質量份(固形物成分換算)、光聚合起始劑(商品名「IRGACURE906」,BASF公司製造)5質量份、調平劑(商品名「GRANDICPC4100」,DIC公司製造)0.01質量份。其次,藉由添加環戊酮(CPN)與丙二醇單甲醚(PGM)之混合溶劑(CPN與PGM之質量比為45:55),將混合液之固形物成分濃度調整為36%。藉此,製備紫外線硬化性之樹脂組合物(清漆)。其次,於上述PET膜之單面塗佈樹脂組合物,形成塗膜。其次,藉由加熱使該塗膜乾燥後,藉由照射紫外線使其硬化。加熱溫度設為90℃,加熱時間設為60秒。照射紫外線時,使用高壓水銀燈作為光源,使用波長365 nm之紫外線,累計照射光量設為300 mJ/cm2
。藉此,於PET膜上形成厚度5 μm之硬塗層(HC)。
其次,藉由輥對輥方式之電漿處理裝置,於1.0 Pa之真空環境下對附HC層之PET膜之HC層表面進行電漿處理。該電漿處理使用氬氣作為惰性氣體,放電功率設為780 W。
其次,於電漿處理後之附HC層之PET膜之HC層上,依序形成密接層及無機氧化物基底層(濺鍍成膜步驟)。具體而言,藉由輥對輥方式之濺鍍成膜裝置,於附HC層之PET膜之HC層上,依序形成作為密接層之厚度2.0 nm之銦錫氧化物(ITO)層、及作為無機氧化物基底層之厚度165 nm之SiO2
層。形成密接層時,使用ITO靶,使用氬氣作為惰性氣體,使用相對於氬氣100體積份為10體積份之氧氣作為反應性氣體,將放電電壓設為350 V,將成膜室內之氣壓(成膜氣壓)設為0.4 Pa,藉由MFAC濺鍍成膜ITO層。形成無機氧化物基底層時,使用Si靶,使用100體積份之氬氣及30體積份之氧氣,將放電電壓設為350 V,將成膜氣壓設為0.3 Pa,藉由MFAC濺鍍形成SiO2
層。
其次,形成防污層(防污層形成步驟)。具體而言,藉由使用含全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物作為蒸鍍源之真空蒸鍍法,於無機氧化物基底層上形成厚度12 nm之防污層。蒸鍍源係將信越化學工業公司製造之「KY1903-1」(含全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物,固形物成分濃度20質量%)乾燥所得之固形物成分。又,真空蒸鍍法之蒸鍍源之加熱溫度設為260℃。
以如上方式製作實施例1之光學膜。實施例1之光學膜朝向厚度方向一側依序具備透明基材(樹脂膜)、硬塗層、密接層、無機氧化物基底層及防污層。
[實施例2]
將HC層之厚度改為10 μm來代替5 μm,除此以外,以與實施例1之光學膜同樣之方式製作實施例2之光學膜。
[實施例3]
將HC層之厚度改為10 μm來代替5 μm,且將無機氧化物基底層之厚度改為100 nm來代替165 nm,除此以外,以與實施例1之光學膜同樣之方式製作實施例3之光學膜。
[實施例4]
將形成無機氧化物基底層時之成膜氣壓改為0.1 Pa來代替0.3 Pa,除此以外,以與實施例1之光學膜同樣之方式製作實施例4之光學膜。
[實施例5]
將HC層之厚度改為10 μm來代替5 μm,且將形成無機氧化物基底層時之成膜氣壓改為0.1 Pa來代替0.3 Pa,除此以外,以與實施例1之光學膜同樣之方式製作實施例5之光學膜。
[實施例6]
將防污層之厚度改為8 nm來代替12 nm,除此以外,以與實施例1之光學膜同樣之方式製作實施例6之光學膜。
[實施例7]
將防污層之厚度改為6 nm來代替12 nm,除此以外,以與實施例1之光學膜同樣之方式製作實施例7之光學膜。
[實施例8]
將防污層之厚度改為16 nm來代替12 nm,除此以外,以與實施例1之光學膜同樣之方式製作實施例8之光學膜。
[實施例9]
首先,於作為透明基材之PET膜(商品名「50U48」,厚度50 μm,東麗公司製造)之單面形成硬塗層。具體而言,首先,將以下成分混合,獲得混合液:紫外線硬化型多官能丙烯酸酯樹脂(商品名「Z-850-50H-D」,固形物成分濃度44質量%,Aica Kogyo公司製造)100質量份(固形物成分換算)、光聚合起始劑(商品名「OMNIRAD2959」,BASF公司製造)4質量份、調平劑(商品名「LE-303」,共榮社化學公司製造)0.05質量份。其次,藉由向該混合液中添加甲基異丁基酮,將混合液之固形物成分濃度調整為40%。藉此,製備紫外線硬化性之樹脂組合物(清漆)。其次,於上述PET膜之單面塗佈樹脂組合物,形成塗膜。其次,藉由加熱使該塗膜乾燥後,藉由照射紫外線使其硬化。加熱溫度設為80℃,加熱時間設為60秒。照射紫外線時,使用高壓水銀燈作為光源,使用波長365 nm之紫外線,累計照射光量設為300 mJ/cm2
。藉此,於PET膜上形成厚度5 μm之硬塗層(HC)。
其次,藉由輥對輥方式之電漿處理裝置,於1.0 Pa之真空環境下對附HC層之PET膜之HC層表面進行電漿處理。該電漿處理中,使用氬氣作為惰性氣體,將放電功率設為150 W。
其次,於電漿處理後之附HC層之PET膜之HC層上,依序形成密接層及抗反射層。具體而言,藉由輥對輥方式之濺鍍成膜裝置,於電漿處理後之附HC層之PET膜之HC層上,依序形成作為密接層之厚度1.5 nm之銦錫氧化物(ITO)層、作為第1高折射率層之厚度12 nm之Nb2
O5
層、作為第1低折射率層之厚度28 nm之SiO2
層、作為第2高折射率層之厚度100 nm之Nb2
O5
層、作為第2低折射率層之厚度85 nm之SiO2
層。形成密接層時,使用ITO靶,使用氬氣作為惰性氣體,使用相對於氬氣100體積份為10體積份之氧氣作為反應性氣體,將放電電壓設為400 V,將成膜室內之氣壓(成膜氣壓)設為0.2 Pa,藉由MFAC濺鍍成膜ITO層。形成第1高折射率層時,使用Nb靶,使用100體積份之氬氣及5體積份之氧氣,將放電電壓設為415 V,將成膜氣壓設為0.7 Pa,藉由MFAC濺鍍成膜Nb2
O5
層。形成第1低折射率層時,使用Si靶,使用100體積份之氬氣及30體積份之氧氣,將放電電壓設為350 V,將成膜氣壓設為0.7 Pa,藉由MFAC濺鍍成膜SiO2
層。形成第2高折射率層時,使用Nb靶,使用100體積份之氬氣及13體積份之氧氣,將放電電壓設為460 V,將成膜氣壓設為0.7 Pa,藉由MFAC濺鍍成膜Nb2
O5
層。形成第2低折射率層時,使用Si靶,使用100體積份之氬氣及30體積份之氧氣,將放電電壓設為340 V,將成膜氣壓設為0.7 Pa,藉由MFAC濺鍍成膜SiO2
層。以如上方式,於附HC層之PET膜之HC層上,經由密接層積層形成抗反射層(第1高折射率層、第1低折射率層、第2高折射率層、第2低折射率層)。於本實施例中,第2低折射率層為對防污層而言之無機氧化物基底層。
其次,於形成之抗反射層上(即,第2低折射率層上)形成防污層。具體而言,與實施例1中之防污層形成步驟相同。
以如上方式製作實施例9之光學膜。實施例9之光學膜朝向厚度方向一側依序具備透明基材(樹脂膜)、硬塗層、密接層、抗反射層(包含作為無機氧化物基底層之第2低折射率層)及防污層。
[比較例1]
將HC層之厚度改為10 μm來代替5 μm,且將無機氧化物基底層之厚度改為30 nm來代替165 nm,除此以外,以與實施例1之光學膜同樣之方式製作比較例1之光學膜。
<防污層表面之硬度與彈性回覆率>
對於實施例1~9及比較例1之各光學膜之防污層表面,藉由奈米壓痕法進行負荷-位移測定。具體而言,首先,自光學膜切出測定試樣(5 mm×5 mm)。其次,使用奈米壓痕儀(商品名「Triboindenter」,Hysitron公司製造),依照ISO14577進行測定試樣之防污層表面之負荷-位移測定,獲得負荷-位移曲線。本測定中,測定模式設為單一壓入測定,測定溫度設為25℃,使用壓頭設為Berkovich(三角錐)型金剛石壓頭,負荷施加過程中壓頭對測定試樣之最大壓入深度(最大位移H1)設為200 nm,該壓頭之壓入速度設為20 nm/秒,負荷去除過程中壓頭自測定試樣之拔出速度設為20 nm/秒。基於所得之負荷-位移曲線,獲得最大負荷Pmax(最大位移H1時作用於壓頭之負荷)、接觸投影面積Ap(最大負荷時壓頭與試樣間之接觸區域之投影面積)、及負荷去除過程後試樣表面之塑性變形量H2(壓頭離開試樣表面後維持於該試樣表面之凹部之深度)。然後,根據最大負荷Pmax與接觸投影面積Ap,計算出防污層之表面硬度(=Pmax/Ap)。又,根據最大位移H1與塑性變形量H2,計算出經過負荷施加與其後之去除負荷後防污層表面之彈性回覆率(=(H1-H2)/H1)。該等表面硬度(GPa)及彈性回覆率(%)示於表1中。
<水接觸角>
對於實施例1~9及比較例1之各光學膜,防污層表面之水接觸角。首先,藉由對光學膜之防污層表面滴加約1 μL之純水而形成水滴。其次,測定防污層表面上之水滴之表面與防污層表面所成之角度。測定時使用接觸角計(商品名「DMo-501」,協和界面科學公司製造)。將其測定結果作為初始水接觸角θ0
表示於表1中。
<橡皮擦劃擦試驗>
對於實施例1~9及比較例1之各光學膜,調查經過橡皮擦劃擦試驗後防污層表面之防污性下降之程度。具體而言,首先,使橡皮擦於光學膜之防污層表面往返移動進行劃擦,實施劃擦試驗(第1橡皮擦劃擦試驗)。該試驗使用Minoan公司製造之橡皮擦(Φ6 mm),將橡皮擦對防污層表面之負荷設為1 kg/6 mmΦ,將橡皮擦於防污層表面上之劃擦距離(往返移動之單程)設為20 mm,將橡皮擦之劃擦速度設為40 rpm,將橡皮擦在防污層表面往返移動之次數設為3000次往返。其次,以與初始水接觸角θ0
之測定方法相同之方法測定光學膜之防污層表面橡皮擦劃擦部位之水接觸角。將其測定結果作為第1橡皮擦劃擦試驗後之水接觸角θ1
示於表1中。
其次,再次使橡皮擦往返移動劃擦光學膜之防污層表面,實施劃擦試驗(第2橡皮擦劃擦試驗)。劃擦條件與第1橡皮擦劃擦試驗相同(使橡皮擦往返移動之次數設為第1橡皮擦劃擦試驗與其後之第2橡皮擦劃擦試驗合計6000次往返)。其次,以與初始水接觸角θ0
之測定方法相同之方法測定光學膜之防污層表面橡皮擦劃擦部位之水接觸角。將其測定結果作為第2橡皮擦劃擦試驗後之水接觸角θ2
示於表1中。圖3係繪製有實施例1~9及比較例1之各光學膜之表面硬度H與彈性回覆率R之積及水接觸角θ2
之圖表。圖3之圖表中,橫軸表示表面硬度H(GPa)與彈性回覆率R之積(R×H),縱軸表示水接觸角θ2
(°)。圖3中,點圖E1~E9表示實施例1~9之測定結果,點圖C1表示比較例1之測定結果。
<評估>
實施例1~9之各光學膜與比較例1之光學膜相比,經過橡皮擦劃擦試驗(第1橡皮擦劃擦試驗、第2橡皮擦劃擦試驗)後防污層表面之水接觸角下降之程度明顯更小,因此,防污性下降明顯更少(於防污層表面,水接觸角下降越少,則防污性下降越少)。
[表1]
HC層之厚度 (μm) | 無機氧化物基底層 | 防污層 | ||||||||
厚度 (nm) | 成膜氣壓 (Pa) | 厚度 (nm) | 表面硬度H (GPa) | 彈性回覆率R | H×R | 水接觸角θ0 (°) | 水接觸角θ1 (°) | 水接觸角θ2 (°) | ||
實施例1 | 5 | 165 | 0.3 | 12 | 1.19 | 0.819 | 0.975 | 113.9 | 101.8 | 100.0 |
實施例2 | 10 | 165 | 0.3 | 12 | 1.25 | 0.828 | 1.035 | 114.7 | 101.9 | 101.0 |
實施例3 | 10 | 100 | 0.3 | 12 | 1.07 | 0.808 | 0.865 | 115.3 | 102.0 | 96.1 |
實施例4 | 5 | 165 | 0.1 | 12 | 1.29 | 0.861 | 1.111 | 115.1 | 101.5 | 100.8 |
實施例5 | 10 | 165 | 0.1 | 12 | 1.33 | 0.861 | 1.145 | 117.1 | 103.0 | 102.5 |
實施例6 | 5 | 165 | 0.3 | 8 | 1.19 | 0.819 | 0.975 | 115.1 | 101.4 | 100.7 |
實施例7 | 5 | 165 | 0.3 | 6 | 1.18 | 0.819 | 0.966 | 116.3 | 96.3 | 92.4 |
實施例8 | 5 | 165 | 0.3 | 16 | 1.19 | 0.819 | 0.975 | 111.7 | 101.1 | 98.5 |
實施例9 | 5 | 85 | 0.7 | 12 | 1.59 | 0.710 | 1.129 | 119.6 | 108.0 | 100.8 |
比較例1 | 10 | 30 | 0.3 | 12 | 1.01 | 0.750 | 0.758 | 115.4 | 83.5 | 70.0 |
11:透明基材
12:硬塗層
13:無機氧化物基底層
14:防污層
14a:表面
15:密接層
20:光學功能層
21:第1高折射率層
22:第1低折射率層
23:第2高折射率層
24:第2低折射率層
F:光學膜(附防污層之光學膜)
T:厚度方向
圖1係本發明之光學膜之一實施方式之剖視模式圖。
圖2係本發明之光學膜之變化例之剖視模式圖(本變化例中,光學膜具備抗反射層)。
圖3係繪製有對實施例1~9及比較例1之各光學膜測定之表面硬度H與彈性回覆率R之積(橫軸)及第2橡皮擦劃擦試驗後之水接觸角θ2
(縱軸)之測定結果的圖表。
11:透明基材
12:硬塗層
13:無機氧化物基底層
14:防污層
14a:表面
15:密接層
F:光學膜(附防污層之光學膜)
T:厚度方向
Claims (5)
- 一種附防污層之光學膜,其依序具備透明基材、硬塗層、無機氧化物基底層及防污層,上述無機氧化物基底層包含二氧化矽,上述防污層係配置於上述無機氧化物基底層上之具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物的真空蒸鍍膜,上述具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物為下述通式(1)所示之化合物:R1-R2-X-(CH2)m-Si(OR3)3 (1)通式(1)中,R1表示全氟烷基,R2表示包含-(OCF2)p-及-(OC2F4)p-之全氟聚醚基之重複結構,p表示1以上50以下之整數,R3表示碳數1以上4以下之烷基,X表示醚基、羰基、胺基或醯胺基,m表示1以上之整數,藉由奈米壓痕法測定上述防污層之與上述無機氧化物基底層為相反側之表面,所得之25℃下之硬度(GPa)與彈性回覆率之積為0.8以上,上述硬度為1.05GPa以上。
- 如請求項1之附防污層之光學膜,其中藉由奈米壓痕法測定上述防污層之上述表面,所得之25℃下之彈性回覆率為0.76以上。
- 如請求項1或2之附防污層之光學膜,其中上述防污層具有25nm以下之厚度。
- 如請求項1或2之附防污層之光學膜,其中上述無機氧化物基底層具有超過100nm之厚度。
- 如請求項1或2之附防污層之光學膜,其中上述硬塗層具有1μm以上50μm以下之厚度。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001188102A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-10 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止フィルム |
JP2002243904A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Toppan Printing Co Ltd | 光吸収性反射防止積層体、及びそれを用いた液晶表示装置 |
JP2006134867A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-05-25 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
JP2006261091A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-09-28 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル |
JP2019032524A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 日東電工株式会社 | 反射防止フィルム |
TWI675077B (zh) * | 2014-10-30 | 2019-10-21 | 日商Agc股份有限公司 | 附防污膜之基體 |
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JP6163796B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2017-07-19 | ダイキン工業株式会社 | パーフルオロポリエーテル基含有シラザン化合物 |
KR20150110984A (ko) * | 2014-03-24 | 2015-10-05 | 나노크리스탈주식회사 | 표면 처리 화합물 및 이를 포함하는 방오성 코팅막 형성방법 |
KR101909804B1 (ko) * | 2014-07-07 | 2018-10-18 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 퍼플루오로(폴리)에테르 변성 아미드 실란 화합물을 포함하는 조성물 |
JP6825825B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2021-02-03 | デクセリアルズ株式会社 | 積層薄膜、及び積層薄膜の製造方法 |
JP7217118B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2023-02-02 | 日東電工株式会社 | 保護フィルム付き光学フィルム |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001188102A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-10 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止フィルム |
JP2002243904A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Toppan Printing Co Ltd | 光吸収性反射防止積層体、及びそれを用いた液晶表示装置 |
JP2006134867A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-05-25 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
JP2006261091A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-09-28 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル |
TWI675077B (zh) * | 2014-10-30 | 2019-10-21 | 日商Agc股份有限公司 | 附防污膜之基體 |
JP2019032524A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 日東電工株式会社 | 反射防止フィルム |
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