TWI818568B

TWI818568B - 鏡頭模組（六）

Info

Publication number: TWI818568B
Application number: TW111120703A
Authority: TW
Inventors: 其阿彌一隆
Original assignee: 大陸商信泰光學（深圳）有限公司; 亞洲光學股份有限公司
Priority date: 2022-06-02
Filing date: 2022-06-02
Publication date: 2023-10-11
Also published as: CN116626841A; TW202349045A

Abstract

一種鏡頭模組，包括一基座、一可移動鏡群、一磁石部以及一線圈部。可移動鏡群具有一光軸，該可移動鏡群可沿著一第一方向移動，該第一方向與該光軸平行。磁石部設置在該基座與該可移動鏡群其中之一者。線圈部對應該磁石部而設置在該基座與該可移動鏡群中的另一者。

Description

鏡頭模組(六)

本發明涉及光學領域，更具體地說，涉及一種鏡頭模組。

一般的鏡頭模組包括有複數個透鏡群，在進行變焦(ZOOM)操作時，部份的透鏡群需要移動，然而如何使透鏡群能夠穩定且正確的移動至預定位置，一直都是持續研究的課題。

本發明之目的在於提供一種鏡頭模組，透過將正弦波函數應用在線圈電流上，且在元件尺寸的限制下，無論透鏡群移動至何位置，都能夠提供穩定及無縫(seamless)的驅動力，而且特別是在長行程的移動中，具有優異的表現。

本發明其中一實施例的鏡頭模組包括一基座、一可移動鏡群、一磁石部以及一線圈部。可移動鏡群具有一光軸，該可移動鏡群可沿著一第一方向移動，該第一方向與該光軸平行。磁石部設置在該基座與該可移動鏡群其中之一者。線圈部對應該磁石部而設置在該基座與該可移動鏡群中的另一者。

在另一實施例中，該線圈部由二線圈所組成，該磁石部包括至少三磁石，該等線圈沿著該第一方向排列，該等磁石為單極磁石，且以極性交錯方式沿著該第一方向排列。

在另一實施例中，鏡頭模組更包括一磁性體元件，該等磁石貼附於該磁性體元件。

在另一實施例中，該等磁石符合條件w(p)≧w(m)，其中w(p)為該等磁石的磁節距，w(m)為每一磁石的寬度。

在另一實施例中，該等磁石符合條件w(c)=(1.5+n)w(p),n=0,1,2....，其中w(c)為該等線圈中心間的距離，w(p)為該等磁石的磁節距。

在另一實施例中，該等磁石符合條件w(ec-ec)=w(p)，其中w(ec-ec)為該等線圈中推力產生部分(即繞組的中心部分)的中心之間的距離。

在另一實施例中，該等磁石符合條件1.0mm≦w(m)≦1.35mm，其中w(m)為每一磁石的寬度。

在另一實施例中，該線圈部由二線圈所組成，該磁石部包括一多極磁化的磁石，該等線圈沿著該第一方向排列，該磁石的磁極以交錯方式沿著該第一方向排列。

在另一實施例中，該等線圈包括一第一線圈以及一第二線圈，而施加於該第一線圈以及該第二線圈的電流為I_c1=Icom．

以及

，其中 I_c1為施加於該第一線圈的電流，I_c2為施加於該第二線圈的電流，Icom為該第一、二線圈共通電流，Y為該線圈部的位置，θ為Y=0時的相位偏移量。

在另一實施例中，鏡頭模組更包括一位置磁石、一感測器以及一驅動單元。位置磁石設置在該基座上。感測器設置在該可移動鏡群上，用於偵測該位置磁石的位置或移動距離。驅動單元由該感測器接收該位置磁石的移動距離或位置訊息，然後相應調整輸入該線圈部的電流。

30:鏡頭模組

301:驅動單元

302:透鏡群

303:基座

304:導向桿

305、305’:驅動單元

308、308’:位置感測單元

3021、3021’:鏡框

3021a:支架

3021b、3021b’:套筒

3021c、3021c’:凸耳

3021d、3021d’:框體

3022:透鏡

3031:側壁

3032:側壁

3051、3051’:磁石部

3052、3052’:線圈部

3052a:第一線圈

3052b:第二線圈

3053:磁性體元件

3054:直線

3055:多極磁化的磁石

3071、3071’:軟性電路板

3072、3072’:電連接部

3081、3081’:感測器

3082、3082’:位置磁石

3083:電路板

OA:光軸

X:第一方向

Y:第二方向

第1圖是根據本發明第一實施例的鏡頭模組的結構示意圖。

第2圖是根據本發明第一實施例的鏡頭模組由另一角度觀察的結構示意圖。

第3圖為第1、2圖鏡頭模組其中一透鏡群的結構示意圖。

第4圖為第1、2圖鏡頭模組其中一透鏡群由另一角度觀察的結構示意圖。

第5圖為第1、2圖鏡頭模組其中一透鏡群由又一角度觀察的結構示意圖。

第6圖為第1、2圖鏡頭模組的基座的結構示意圖。

第7圖為第1、2圖鏡頭模組的基座由另一角度觀察的結構示意圖。

第8圖是根據本發明第二實施例的鏡頭模組的結構示意圖。

第9圖是根據本發明第二實施例的鏡頭模組由另一角度觀察的結構示意圖。

第10圖為第8、9圖鏡頭模組其中一透鏡群的結構示意圖。

第11圖為第8、9圖鏡頭模組其中一透鏡群由另一角度觀察的結構示意圖。

第12圖為第8、9圖鏡頭模組的基座的結構示意圖。

第13圖是根據本發明第一實施例的鏡頭模組的線圈部以及磁石部的前視圖；

第14圖是根據本發明第一實施例的鏡頭模組的線圈部以及磁石部的底視圖；

第15圖是根據本發明第一實施例的鏡頭模組的磁石部貼附於一磁性體元件的結構示意圖。

第16圖是根據本發明第一實施例的鏡頭模組的磁石部貼附於一磁性體元件由另一角度觀察的結構示意圖。

第17圖是根據本發明第一實施例的鏡頭模組的磁石部為一多極磁化的磁石的結構示意圖。

第18圖是第17圖的磁石部的前視圖。

第19圖以弗萊明左手定則來說明本發明第一實施例的鏡頭模組的線圈部的受力情形。

第20圖顯示本發明第一實施例的鏡頭模組的線圈部移動情形以及相應的電流分配率。

第21圖係依據本發明第一實施例的鏡頭模組的方塊圖。

第22圖顯示本發明量測磁石部的磁通量密度的位置。

第23圖為第22圖的線圈部以及磁石部的上視圖。

第24圖顯示不同磁石寬度在不同位置量測得到的磁通量密度。

第25圖顯示磁石寬度w(m)=1.2mm磁通量密度的誤差容許量。

第26圖顯示線圈因位置不同導致其受力有±3%的脈動幅值。

第27圖顯示誤差容許量與磁石寬度的關連。

第28圖顯示在磁石寬度1.2mm的情況下，線圈移動過程中，於磁石不同位置所量測得到的磁通量密度(T)及誤差容許量(%)的關聯。

第29圖顯示接續第28圖之後的線圈移動過程中，於磁石不同位置所量測得到的磁通量密度(T)及誤差容許量(%)的關聯。

第30圖顯示接續第29圖之後的線圈移動過程中，於磁石不同位置所量測得到的磁通量密度(T)及誤差容許量(%)的關聯。

第31圖顯示接續第30圖之後的線圈移動過程中，於磁石不同位置所量測得到的磁通量密度(T)及誤差容許量(%)的關聯。

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。

請同時參閱第1、2圖，本發明第一實施例的鏡頭模組30包括一基座303，在基座303內沿著第一方向X設置有複數個透鏡群，該等透鏡群具有沿著第一方向X延伸的光軸OA，其中有些透鏡群為固定鏡群，有些透鏡群為可移動透鏡群，第1、2圖中僅顯示其中一可移動透鏡群302作為代表。透鏡群302包括一鏡框3021、以及設置在鏡框3021內的一枚或多枚透鏡3022。

所有透鏡群302藉由導引單元加以支撐。在本實施例中，導引單元包括二平行的導向桿304，導向桿304於複數個透鏡群302的兩側沿著第一方向X延伸，用於支撐複數個透鏡群302。可以瞭解到，導引單元也可以包括不同數目的導向桿，或者導引單元也可以改用導軌、導槽等其他不同結構來提供支撐作用。

請同時參閱第3、4、5圖，鏡框3021的一側邊設置有一支架3021a以及一套筒3021b，另一側邊則設置有一凸耳3021c以及一框體3021d。其中一導向桿304穿設於套筒3021b，在導向桿304的支撐及導引下，透鏡群302能沿著第一方向X滑動。支架3021a用於支撐一線圈部3052，該線圈部3052可以纏繞、掛勾、粘著或是其他任意方式固定在支架3021a上。框體3021d沿第一方向X延伸，用於固設一位置磁石3082。凸耳3021c的橫斷面為C字型因而具有一側向開口，用於容納另一導向桿304，在凸耳3021c下方則設置一軟性電路板3071，軟性電路板3071電性連接於線圈部3052。

請同時參閱第6、7圖，基座303沿著第二方向Y延伸出二側壁3031、3032，其中第二方向Y與前述第一方向X垂直。在其中一側壁3031設置有一磁石部3051，而在另一側壁3032則設置有一電路板3083，在電路板3083上設置一感測器(例如為霍爾元件)3081，而軟性電路板3071也電性連接於此電路板3083。在另一方面，側壁3032上向外延伸出一電連接部3072，電連接部3072與外部電源(未圖示)電性連接，用於導入電流，提供電力給電路板上的感測器3081以及經由軟性電路板3071提供電力給鏡框3021上的線圈部3052。

在本實施例中，線圈部3052設置在透鏡群302上，而磁石部3051則設置在基座303上，線圈部3052以及磁石部3051組成本發明鏡頭模組30的驅動單元305，磁石部3051產生磁場，當通電時線圈部3052即受力而移動，進而帶動透鏡群302沿第一方向X來移動。另外，設置在側壁3032上的感測器3081與鏡框3021上位置磁石3082相對，感測器3081與位置磁石3082組成一位置感測單元308，當透鏡群302移動時，感測器3081也能同時偵測到位置磁石的位置或移動距離，藉此來調整施加於線圈部3052的電流，進而改變線圈部3052的受力大小，其細節容後再詳述。

可以瞭解到，線圈部3052以及磁石部3051的位置可以對調，也就是將線圈部3052改為設置在基座303上，而磁石部3051則設置在透鏡群302上。請同時參閱請第8~12圖所示本發明第二實施例的鏡頭模組，其中與第1~7圖相同部份給予相同元件符號並省略其說明。如圖所示，線圈部3052’改設置在基座303的側壁3031上，而磁石部3051’則設置在透鏡群的鏡框3021’上，線圈部3052’以及磁石部3051’組成一驅動單元305’來驅動透鏡群302。

又，如第12圖所示，基座303的側壁3031向外延伸出電連接部3072’，軟性電路板3071’設置在基座303的側壁3031上，具體而言，軟性電路板3071’彎折並跨過基座303的側壁3031，軟性電路板3071’在側壁3031的外側電性連接於電連接部3072’(第9圖)，而在側壁3031的內側則大致上延伸呈L形(第12圖)，感測器(霍爾元件)3081’設置在軟性電路板3071’上。外部電源(未圖示)可經由電連接部3072’以及軟性電路板3071’提供電力給感測器3081’以及線圈部3052’。

請同時參閱第10、11圖，鏡框3021’的一側邊設置有一套筒3021b’以及一框體3021d’，另一側邊則設置有一凸耳3021c’。其中套筒 3021b’及凸耳3021c’分別用於穿設及容納二平行導向桿304，框體3021d’沿第一方向X延伸，用於固設磁石部3051’，使磁石部3051’能與線圈部3052’的位置相對，在框體3021d’上同時固設位置磁石3082’，用於與感測器(霍爾元件)3081’位置相對，感測器3081’與位置磁石3082’組成一位置感測單元308’，值得注意的是磁石部3051’與位置磁石3082’位於框體3021d’的相反二側。

底下將進一步說明線圈部以及磁石部的細節，其中僅以第一實施例的線圈部3052以及磁石部3051為代表進行說明，至於第二實施例所揭示的線圈部3052’以及磁石部3051’，由於與第一實施例相似，故省略其說明。請參閱第13、14圖，線圈部3052包括第一線圈3052a以及第二線圈3052b，磁石部3051包括至少三個磁石，線圈及磁石皆是沿著第一方向X(即透鏡群302的驅動方向)來排列。磁石可為單極磁石，所謂單極磁石，通常指的是利用其中一極磁力而已，實際上另一極還是存在的。本發明磁石係以N極、S極、N極....(或S極、N極、S極...)極性交錯排列的方式來配置。為了改善磁力性能及組裝方便，可以將該等磁石貼附於一磁性體元件3053，如第15、16圖所示，該磁性體元件3053可為SPCC冷軋鋼材製成的磁軛(Magnetic Yoke)。另外，複數個單極磁石也可用一個多極磁化的磁石3055來取代，如第17、18圖所示。

請再參閱第13圖，假設w(m)為單極磁石的寬度，w(p)為磁節距(Magnet Pitch)，也就是單極磁石的中線間距或是多極磁化的狀況下各磁極的磁邊界線的間距，w(c)為二線圈中心間的距離，w(ec-ec)為第一線圈3052a以及第二線圈3052b中推力產生部分(即繞組的中心部分)的中心之間的距離，本發明將滿足以下至少一條件式：

w(p)≧w(m) (1)

w(c)=(1.5+n)w(p),n=0,1,2.... (2)

w(ec-ec)=w(p) (3)

其中，當w(p)>w(m)時代表單極磁石之間存在間隙，而當w(p)=w(m)時可得到較佳的磁路效率。當w(m)在1.00mm~1.35mm範圍內時，有利於控制線圈與磁石的相對位置，而較佳者為w(m)=1.2mm。當n=0時可以得到最小化的尺寸。

值得注意的是，以上設計並不包含實際元件精度以及組裝精度所造成的誤差。

欲控制線圈與磁石的相對位置，必須在考慮電流極性與電流分配比率的關聯後，來提供線圈電流，其中無論透鏡群的位置如何，都要能確保驅動透鏡群的作用力穩定，而且都可以進行無縫且穩定的控制。本發明對於線圈電流極性以及電流分配比率是以線圈位置作為變數的正弦波波形，且兩個線圈之間有90°的相位差，假設I_c1為對於第一線圈3052a所施加的電流，I_c2為對於第二線圈3052b所施加的電流，Icom為第一、二線圈共通電流，Y為線圈位置，θ為Y=0時的相位偏移量(取決於線圈與磁石的相對位置)，則本發明施加於第一、二線圈的電流為：

其中電流Icom的設定，除要能控制透鏡群的移動位置外，還需考慮在重力及外來干擾震動的情況下依然能使透鏡群保持在設定的位置。

當相位偏移量θ=0時，式子(4)、(5)可改寫為：

I_c1=Icom．α1 (6)

I_c1=Icom．α2 (7)

其中α1、α2為電流分配率(Current Distribution Rate)，且

請參閱第19圖，根據弗萊明左手定則(Fleming's Left Hand Rule)，食指代表磁場方向，中指代表電流方向，姆指代表受力方向，因此如果將一線圈放置在磁石所建立的磁場B中，當電流I通過該線圈時，該線圈將受到力F的作用，且F=I×B，其中F、I、B皆為向量，×為外積(Cross Product)。

請參閱第20圖，對於第一線圈3052a施加電流Icom．α1及對第二線圈3052b施加電流Icom．α2，則第一線圈3052a及第二線圈3052b將受到力F作用，然後由線圈位置Y=0開始向右移動，第20圖同時顯示第一線圈3052a及第二線圈3052b在不同位置時相應的電流分配比率α1、α2的變化。

請參閱第21圖，第21圖係依據本發明第一實施例的鏡頭模組的方塊圖。如圖所示，驅動單元(例如驅動晶片)301接收變焦倍率訊號或預定位置訊號S1時，即分別輸出相應電流Icom．α1．dir以及Icom．α2．dir至第一線圈3052a以及第二線圈3052b，其中dir為移動方向係數，當沿著第一方向X移動時dir為+1，當沿著第一方向X的相反方向移動時dir為-1。如先前第19、20圖所示，於是第一線圈3052a以及第二線圈3052b將受力而開始移動，然後帶動透鏡群的鏡框3021沿著第一方向X或其相反方向來移動，感測器3082偵測鏡框3021上位置磁石3082的位置或移動距離，然後輸出即時位置訊號S2給驅動單元301，使驅動單元301調整輸出的電流Icom．α1．dir以及Icom．α2．dir至第一線圈3052a以及第二線圈3052b，經由不斷的調整輸出電流，將可以準確的控制透鏡群的鏡框3021移動至預定位置。

請同時參閱第22、23圖，本發明對於磁石部3051的中間位置的磁通量密度進行量測，這些量測點排列成一直線3054，並且與第一方向X(也就是第一線圈3052a以及第二線圈3052b移動方向)平行。請參閱第24圖，第24圖顯示不同磁石寬度在不同位置量測得到的磁通量密度，圖中將七個不同磁石寬度w(m)=0.8mm,1.0mm,1.15mm,1.2mm,1.3mm,1.5mm,1.8mm的磁通量密度呈現在同一圖面中以利比較。在設計上，磁通量密度的波形愈接近正弦波愈好，並且磁通量密度的最大值也要大。經研究，磁石寬度愈小則磁通量密度的波形愈接近正弦波，為評估與正弦波趨近程度，首先定義45°點誤差(45° Point Error)，請參閱第25圖，第25圖所示為磁石寬度w(m)=1.2mm的磁石在不同位置量測磁通量密度的結果，其中將真實的量測波形與理想正弦波取四個點

,

,

,

進行比較，四個點的誤差都不得超過誤差容許量(Tolerance of 45° Point)，所謂誤差容許量=(量測點真實值-量測點理想值)/真實峰值，本發明將誤差容許量訂為9.7%，由於在第25圖中四個點

,

,

,

的誤差都在9.7%以內，故磁石寬度w(m)=1.2mm的磁通量密度波形可視為近似正弦波。

又，線圈因位置不同導致其受力有±3%的脈動幅值(Pulsation Value)，如第26圖所示線圈受力的脈動幅值為平均力的±3%，而在線圈的驅動電流為正弦波的情況下，磁通量密度的誤差容許量與線圈受力的脈動幅值有1/4倍的相關性，故本發明將誤差容許量設定在最多為3%×4=12%。

另外值得注意的是，當磁石寬度小於某值時，磁通量密度會急遽變小。請參閱第27圖，由第27圖可看出，當磁石寬度小於1.0mm時，磁通量密度會急遽變小。在另一方面，如果磁石寬度增加至大於某值時，磁通量密度反而會趨於飽和，因此為了要接近正弦波，磁石寬度的大小是有限制的，由第27圖可知，磁石寬度不可大於1.5mm。再由第27圖可知，在誤差容許量最多為12%的情況下，磁石寬度必須小於等於1.35mm，綜上所述，本發明的磁石寬度w(m)需符合1.0mm≦w(m)≦1.35mm。

底下表1~表7顯示本發明磁石寬度w(m)與相對應的電流分配率α1、α2詳細數據：

第28圖顯示在磁石寬度1.2mm的情況下，線圈移動過程中，於磁石不同位置所量測得到的磁通量密度(T)及誤差容許量(%)的關聯，其中面積I、II因形狀對稱故可互相抵銷，而面積III、IV因形狀對稱也可互相抵銷。表8、表9顯示在磁石不同位置相對應的各項數據，須說明的是表9中線圈-力的最大值為0.248，最小值為0.237，中心值為0.2425。

當線圈繼續往前移動時，遭遇到磁場的磁通量密度會略微變化，第29圖顯示該移動期間磁通量密度(T)及誤差容許量(%)的關聯，表 10則顯示在磁石的不同位置相對應的各項數據。

當線圈再繼續往前移動時，磁通量密度的變化如第30圖所示，表11則顯示該移動期間在磁石的不同位置相對應的各項數據。

當線圈再繼續往前移動時，磁通量密度的變化如第31圖所示。

以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。

301:驅動單元

303:基座

3021:鏡框

3051:磁石部

3052a:第一線圈

3052b:第二線圈

3081:感測器

3082:位置磁石

Claims

一種鏡頭模組，包括：一基座；一可移動鏡群，具有一光軸，該可移動鏡群可沿著一第一方向移動，該第一方向與該光軸平行；一磁石部，設置在該基座與該可移動鏡群其中之一者；一線圈部，對應該磁石部而設置在該基座與該可移動鏡群中的另一者；其中該磁石部包括至少三磁石，且以極性交錯方式沿著該第一方向排列。
一種鏡頭模組，包括：一基座；一可移動鏡群，具有一光軸，該可移動鏡群可沿著一第一方向移動，該第一方向與該光軸平行；一磁石部，設置在該基座與該可移動鏡群其中之一者，該磁石部包括至少三磁石；一線圈部，對應該磁石部而設置在該基座與該可移動鏡群中的另一者；一磁性體元件，該等磁石貼附於該磁性體元件。
一種鏡頭模組，包括：一基座；一可移動鏡群，具有一光軸，該可移動鏡群可沿著一第一方向移動，該第一方向與該光軸平行；一磁石部，設置在該基座與該可移動鏡群其中之一者；一線圈部，對應該磁石部而設置在該基座與該可移動鏡群中的另一者；其中該線圈部由二線圈所組成，該磁石部包括至少三磁石；其中該等磁石符合以下條件：w(p)≧w(m)，其中w(p)為該等磁石的磁節距，w(m)為每一磁石的寬度。
一種鏡頭模組，包括：一基座；一可移動鏡群，具有一光軸，該可移動鏡群可沿著一第一方向移動，該第一方向與該光軸平行；一磁石部，設置在該基座與該可移動鏡群其中之一者；一線圈部，對應該磁石部而設置在該基座與該可移動鏡群中的另一者；其中該線圈部由二線圈所組成，該磁石部包括至少三磁石；其中該等磁石符合以下條件：w(c)=(1.5+n)w(p),n=0,1,2....，其中w(c)為該等線圈中心間的距離，w(p)為該等磁石的磁節距。
一種鏡頭模組，包括：一基座；一可移動鏡群，具有一光軸，該可移動鏡群可沿著一第一方向移動，該第一方向與該光軸平行；一磁石部，設置在該基座與該可移動鏡群其中之一者；一線圈部，對應該磁石部而設置在該基座與該可移動鏡群中的另一者；其中該線圈部由二線圈所組成，該磁石部包括至少三磁石；其中該等磁石符合以下條件：w(ec-ec)=w(p)，其中w(ec-ec)為該等線圈中推力產生部分(即繞組的中心部分)的中心之間的距離。
一種鏡頭模組，包括：一基座；一可移動鏡群，具有一光軸，該可移動鏡群可沿著一第一方向移動，該第一方向與該光軸平行；一磁石部，設置在該基座與該可移動鏡群其中之一者；一線圈部，對應該磁石部而設置在該基座與該可移動鏡群中的另一者；其中該線圈部由二線圈所組成，該磁石部包括至少三磁石；其中該等磁石符合以下條件：1.0mm≦w(m)≦1.35mm，其中w(m)為每一磁石的寬度。
一種鏡頭模組，包括：一基座；一可移動鏡群，具有一光軸，該可移動鏡群可沿著一第一方向移動，該第一方向與該光軸平行；一磁石部，設置在該基座與該可移動鏡群其中之一者；一線圈部，對應該磁石部而設置在該基座與該可移動鏡群中的另一者；其中該線圈部由二線圈所組成，該磁石部包括至少三磁石；其中該等線圈包括一第一線圈以及一第二線圈，而施加於該第一線圈以及該第二線圈的電流為：
其中I_c1為施加於該第一線圈的電流，I_c2為施加於該第二線圈的電流，Icom為該第一、二線圈共通電流，Y為該線圈部的位置，θ為Y=0時的相位偏移量。
如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的鏡頭模組，其更包括：一位置磁石，設置在該基座上；一感測器，設置在該可移動鏡群上，用於偵測該位置磁石的位置或移動距離；一驅動單元，由該感測器接收該位置磁石的移動距離或位置訊息，然後相應調整輸入該線圈部的電流。
如申請專利範圍第2項至第7項中任一項所述的鏡頭模組，其中該線圈部由二線圈所組成，該磁石部包括至少三磁石，該等線圈沿著該第一方向排列，該等磁石為單極磁石，且以極性交錯方式沿著該第一方向排列。
一種鏡頭模組，包括：一基座；一可移動鏡群，具有一光軸，該可移動鏡群可沿著一第一方向移動，該第一方向與該光軸平行；一磁石部，設置在該基座與該可移動鏡群其中之一者；一線圈部，對應該磁石部而設置在該基座與該可移動鏡群中的另一者；其中該線圈部由二線圈所組成，該磁石部包括一多極磁化的磁石，該等線圈沿著該第一方向排列，該磁石的磁極以交錯方式沿著該第一方向排列。