TWI818183B - 樹脂黏貼機 - Google Patents

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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

[課題]本發明提供一種可降低被覆於晶圓之樹脂的厚度偏差之樹脂黏貼機。[解決手段]一種樹脂黏貼機，具備：加工室；溫度測量部，其測量加工室中之溫度；以及控制部，其控制各機構，其中，該加工室包含：保持部，其保持晶圓；工作台，其與保持部對向；樹脂供給部，其對工作台供給液狀樹脂；移動部，其使保持部與工作台相對地接近；以及硬化部，其使液狀樹脂硬化。控制部包含相關關係資料儲存部，其記錄溫度與移動部在各溫度下之移動量的相關關係資料，作為用以使所被覆之樹脂的厚度即使在不同溫度中仍為定值的資料，並參照相關關係資料而於移動部設定與溫度測量部所測量之溫度相應的移動量，將預定厚度的樹脂被覆於晶圓。

Description

樹脂黏貼機
本發明係關於一種在晶圓之一側的面被覆樹脂之樹脂黏貼機。
藉由使保持有晶圓之保持部與供給液狀樹脂之工作台接近而在晶圓之一側的面被覆樹脂的技術已為人所知（參照專利文獻1）。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2017-168565號公報
[發明所欲解決的課題] 在以樹脂被覆附凸塊之晶圓的凸塊面來吸收凹凸，並從相反面進行切割或研削的情況下，若樹脂的厚度不固定，則有導致切口深度或研削後的厚度產生偏差的問題。樹脂黏貼機中，通常係在晶圓上被覆液狀樹脂後使液狀樹脂硬化，因此在使液狀樹脂硬化時所產生的熱有時會殘留於樹脂黏貼機內而使保持部或工作台膨脹。又，已由固定值來決定保持部與工作台要接近到何種程度才會將樹脂被覆於晶圓，但由於保持部或工作台會因溫度而伸縮，因此實際上保持部與工作台之間的距離會因溫度而異，而液狀樹脂往晶圓的推壓量會不同，故有無法將樹脂被覆成均等厚度的問題。
本發明係鑒於所述問題點而完成，其目的在於提供一種可降低被覆於晶圓之樹脂的厚度偏差的樹脂黏貼機。
[發明所欲解決的課題] 為了解決上述課題而達成目的，本發明之樹脂黏貼機係在晶圓之一側的面被覆所要求之厚度的樹脂的樹脂黏貼機，且具備：加工室；溫度測量部，其測量該加工室中之溫度；以及控制部，其控制各機構，其中，該加工室包含：保持部，其保持晶圓；工作台，其與該保持部對向；樹脂供給部，其對該工作台供給液狀樹脂；移動部，其使該保持部與該工作台相對地接近；以及硬化部，其使已被覆於晶圓之該液狀樹脂硬化；該控制部，包含相關關係資料儲存部，其記錄溫度與該移動部在各溫度下之移動量的相關關係資料，該相關關係資料係根據在不同溫度的該加工室中使該移動部移動相同量時所被覆之樹脂厚度的測量結果而取得，且係作為用以使所被覆之樹脂的厚度即使在不同溫度中仍為定值的資料，並參照該相關關係資料，於該移動部設定與該溫度測量部所測量之溫度相應的移動量，將預定厚度的樹脂被覆於晶圓。
該溫度測量部亦可測量保持部與該工作台之任一者的溫度。
該溫度測量部亦可測量保持部與該工作台的溫度，將其平均作為該樹脂黏貼機的溫度。
[發明功效] 本案發明可降低被覆於晶圓之樹脂的厚度偏差。
針對用以實施本發明的方式（實施方式），一邊參照圖式一邊進行詳細說明。本發明並不限定於以下實施方式所記載的內容。又，以下所記載的構成要件中包含本發明所屬技術領域中具有通常知識者可輕易設想者、實質上相同者。再者，以下所記載的構成能適當組合。又，在不超出本發明之主旨的範圍內，可進行構成的各種省略、取代或變更。
［第一實施方式］ 根據圖式說明本發明之第一實施方式的樹脂黏貼機1。圖1係顯示第一實施方式之樹脂黏貼機1之構成例的立體圖。樹脂黏貼機1係於晶圓200之一側的面亦即正面201上被覆樹脂302（參照圖9及圖10）的裝置。
第一實施方式中，樹脂黏貼機1的樹脂302之被覆對象亦即晶圓200係以例如矽、藍寶石、鎵砷等為母材的圓板狀半導體晶圓或光元件晶圓等，由於係樹脂黏貼機1之第一實施方式的加工對象，因此亦稱為被加工物。晶圓200具備：元件區域202，其在正面201形成有元件（參照圖3）；以及外周剩餘區域203，其圍繞元件區域202（參照圖3）。
晶圓200係於元件之正面裝配了具有電極功能的多個凸塊204（參照圖3）。凸塊204係從元件之正面突出。元件因在正面裝配了凸塊204而具有凹凸。晶圓200的與正面201為相反側的背面205（參照圖3）形成為平坦。
第一實施方式中，晶圓200係於元件之正面裝配凸塊204而具有凹凸，因此更加突顯本發明之第一實施方式的樹脂黏貼機1之作用效果，但本發明並不限定於此，例如，可為將元件與藉由引線接合形成於元件的未圖示之線材進行密封的密封劑係由所謂封膜樹脂所形成而具有凹凸的封裝基板，亦可為不具有凹凸的形態，亦可為元件形成前的原切片晶圓（As-Sliced Wafer）。
如圖1所示，樹脂黏貼機1具有：加工室10；溫度測量部15，其測量加工室10中的溫度；以及控制部70，其控制各機構。樹脂黏貼機1的加工室10包含：保持部20，其保持晶圓200；工作台30，其與保持部20對向；樹脂供給部40，其對工作台30供給液狀樹脂301；移動部50，其使保持部20與工作台30相對地接近以將液狀樹脂301被覆於晶圓200；以及硬化部60，其使已被覆於晶圓200之液狀樹脂301硬化。
保持部20係從上方側將晶圓200吸引保持於下方側的端部。保持部20係藉由移動部50而支撐為可於垂直方向移動。保持部20在垂直方向中比晶圓200之保持位置更上方進一步具備推壓力測量部22。推壓力測量部22可測量透過保持部20施加於下方之推壓力，藉此，可測量以保持部20推壓液狀樹脂301而使其展開時的推壓力。
工作台30具有稍大於晶圓直徑的保持面31。工作台30係以保持面31保持從下述薄片供給部90供給之薄片92。從樹脂供給部40將液狀樹脂301供給至以保持面31保持之薄片92上。工作台30係於垂直方向的下方設有硬化部60並與硬化部60形成為一體。下方的硬化部60係隔著以保持面31保持之薄片92而使供給至薄片92上之液狀樹脂301硬化。
樹脂供給部40係具備：樹脂供給源41，其為液狀樹脂301的供給源；以及噴嘴42，其從樹脂供給源41朝向工作台30之保持面31導入液狀樹脂301。第一實施方式中，樹脂供給部40所供給之液狀樹脂301宜採用具有0.5Pa･s以上且400Pa･s以下之黏度者。
在第一實施方式中，樹脂供給部40所供給之液狀樹脂301係採用紫外線硬化性樹脂，但本發明並不限定於此，亦可採用熱固性樹脂。樹脂供給部40所供給之液狀樹脂301在採用紫外線硬化性樹脂的情形中，例如是以紫外線硬化性樹脂等硬化性樹脂成分與丙烯酸系聚合物等黏合劑聚合物成分構成。又，樹脂供給部40所供給之液狀樹脂301在採用熱固性樹脂的情形中，是以環氧樹脂或苯酚樹脂等熱固性樹脂成分與丙烯酸系聚合物等黏合劑聚合物成分構成。又，樹脂供給部40所供給之液狀樹脂301亦可採用將紫外線硬化性樹脂與熱固性樹脂混合而成者。
第一實施方式中，由於採用紫外線硬化性樹脂作為液狀樹脂301，故採用下述方式：作為硬化部60，係將照射紫外線62（參照圖9）的多個紫外線照射部61（參照圖2等）在水平方向上排列而設置。紫外線照射部61例如為紫外線LED。因此，第一實施方式中，工作台30及下述薄片92係以使至少一部分的紫外線62穿透的材料等構成。工作台30例如為對於紫外線為透明的玻璃台。此外，本發明中並不限定於此，例如，亦可為下述方式：採用熱固性樹脂作為液狀樹脂301，採用加熱器作為硬化部60，並且工作台30及薄片92為具有充分導熱性的材料等構成。
控制部70係控制各部及各機構以使第一實施方式之樹脂黏貼機1實施各動作。控制部70係具有下述構件的電腦：具有如CPU（central processing unit，中央處理單元）之微處理器的運算處理裝置；具有如ROM（read only memory，唯讀記憶體）或RAM（random access memory，隨機存取記憶體）之記憶體的記憶裝置；以及輸入輸出界面裝置。控制部70的運算處理裝置係遵循記憶在記憶裝置之電腦程式而實施運算處理，透過輸入輸出界面裝置將用以控制樹脂黏貼機1之控制訊號輸出至樹脂黏貼機1的各部及各機構。
控制部70包含相關關係資料儲存部71。相關關係資料儲存部71的功能係藉由控制部70的記憶裝置記錄預定的相關關係資料73（參照圖7）而實現。關於相關關係資料73，於以下敘述。
如圖1所示，樹脂黏貼機1進一步具備：卡匣81、82；搬入搬出部83；以及搬送部86。卡匣81、82皆為具有多個槽之晶圓200用的收納器。卡匣81係收納以樹脂黏貼機1進行加工處理前的晶圓200，卡匣82係收納以樹脂黏貼機1進行加工處理後的晶圓200。
搬入搬出部83將加工處理前的晶圓200從卡匣81搬出至下述晶圓檢測部110的暫置台111，並且將加工處理後的晶圓200從下述剩餘部分去除部120搬入卡匣82。
搬送部86將經以晶圓檢測部110測量晶圓直徑，將已進行中心對位及方向對位之晶圓200從暫置台111搬送往保持部20，並且將正面201已被覆樹脂302之晶圓200從保持部20搬送往剩餘部分去除部120。
如圖1所示，樹脂黏貼機1進一步具備薄片供給部90。薄片供給部90從由兩面平坦的薄片92捲繞成滾筒狀而成的薄片滾筒91拉出薄片92，以預定的長度切斷薄片92，藉由設於薄片搬送部93之垂直方向下方的吸附部94（參照圖2）吸附保持已切斷之薄片92，並藉由以驅動部95產生驅動作用之薄片搬送部93將以吸附部94吸附保持之薄片92搬送往工作台30之保持面31。第一實施方式中，薄片92形成為稍大於工作台30之保持面31。第一實施方式中，薄片92的材料係使至少一部分的紫外線62穿透的材料等，例如採用聚烯烴（Poly Olefin，PO）或聚對苯二甲酸乙二醇酯（Poly Ethylene Terephthalate，PET）等。
如圖1所示，樹脂黏貼機1進一步具備：晶圓檢測部110。如圖1所示，晶圓檢測部110進一步具備：暫置台111、照明部112及攝像部113。照明部112係於晶圓200之厚度方向上比暫置台111更下方，在晶圓200之徑向亦即水平方向上延伸而形成，其朝向載置於上方之暫置台111的晶圓200照射光線。攝像部113係於晶圓200之厚度方向上比暫置台111之中央更上方，朝向下方而設置，其拍攝載置於下方之暫置台111的晶圓200，並且檢測從照明部112照射之照射光。攝像部113拍攝晶圓200以檢測晶圓200的中心，並且檢測從照明部112照射之照射光以檢測晶圓200之徑向的形狀。
晶圓檢測部110可根據攝像部113所拍攝的晶圓200之徑向的形狀的檢測結果來測量晶圓200之徑向的尺寸，亦即晶圓直徑。又，晶圓檢測部110根據攝像部113所拍攝的晶圓200之中心的檢測結果及徑向之形狀的檢測結果，進行晶圓200的中心對位及方向對位。
如圖1所示，樹脂黏貼機1進一步具備：剩餘部分去除部120。剩餘部分去除部120具有：保持台121，其保持正面201上已被覆樹脂302之晶圓200；以及切斷器122，其將被覆保持台121所保持之晶圓200之正面201的樹脂302之中，比晶圓200的外緣更往徑向突出的剩餘部分切斷而去除。
以下針對第一實施方式之樹脂黏貼機1的動作進行說明。圖2係顯示圖1之樹脂黏貼機1中的薄片載置動作之主要部分的剖面圖。圖3係顯示圖1之樹脂黏貼機1中的晶圓保持動作之主要部分的剖面圖。圖4係顯示圖1之樹脂黏貼機1中的樹脂供給動作之主要部分的剖面圖。圖5係說明圖1之樹脂黏貼機1中的移動量27的剖面圖。圖6係顯示在圖1之樹脂黏貼機1中在預定移動量27下加工室10中的溫度與所被覆之樹脂302的樹脂厚度312之相關關係的圖表。圖7係顯示在圖1之樹脂黏貼機1中被覆預定樹脂厚度312之樹脂302的情形下加工室10中的溫度與移動量27之相關關係的圖表。圖8（A）及圖8（B）係說明圖1之樹脂黏貼機1中的樹脂被覆動作之主要部分的剖面圖。圖8（A）係顯示保持部20與工作台30接近前，圖8（B）係顯示保持部20與工作台30接近後。圖9係說明圖1之樹脂黏貼機1中的硬化動作之主要部分的剖面圖。圖10係說明圖1之樹脂黏貼機1中的剩餘部分去除動作之主要部分的剖面圖。
如圖2所示，樹脂黏貼機1實施薄片載置動作，所述薄片載置動作係薄片供給部90將薄片92供給至工作台30之保持面31。薄片載置動作係在用於使樹脂黏貼機1在晶圓200之正面201被覆樹脂302的一系列動作中能省略的處理，但由於可藉由薄片92來抑制供給至工作台30之保持面31的液狀樹脂301所造成的污染損傷等，故以實施為佳。
如圖3所示，樹脂黏貼機1實施晶圓保持動作，所述晶圓保持動作係保持部20保持晶圓200。如圖3所示，保持部20具備：吸附部20-2，其在下表面形成平坦的保持面20-1；以及框體20-3，其將吸附部20-2嵌入上表面中央部的凹部而固定。吸附部20-2具有由具備大量多孔洞的多孔陶瓷等所構成的圓盤形狀，透過未圖示的真空吸引路徑而與未圖示的真空吸引源連接，以保持面20-1整個表面吸引保持晶圓200。
在晶圓保持動作中，首先，形成移動部50將保持部20之保持面20-1從工作台30之保持面31充分分離的狀態。在晶圓保持動作中，接著，搬送部86將已經由晶圓檢測部110檢測晶圓直徑或已進行中心對位及方向對位的晶圓200在其背面205側朝向垂直方向的上方的狀態下搬送至保持部20之保持面20-1的下方。在晶圓保持動作中，保持部20以保持面20-1吸引被搬送至保持面20-1下方之晶圓200的朝向上方的背面205側。藉此，在晶圓保持動作中，如圖3所示，保持部20在使裝配有凸塊204之正面201側與下方的工作台30之保持面31對向的狀態下，以保持面20-1吸引保持晶圓200。
如圖4所示，樹脂黏貼機1實施樹脂供給動作，所述樹脂供給動作係樹脂供給部40將液狀樹脂301供給至與保持部20對向之工作台30。
具體而言，在樹脂供給動作中，首先，控制部70係根據由晶圓檢測部110所得之晶圓直徑、與針對被覆於晶圓200之正面201的液狀樹脂301所要求之樹脂厚度311（參照圖5），計算液狀樹脂301的適當供給量。此外，針對液狀樹脂301所要求之樹脂厚度311係根據針對被覆於晶圓200之正面201的樹脂302所要求之樹脂厚度312（參照圖9）、與液狀樹脂301硬化而成為樹脂302時的收縮率而計算。
在樹脂供給動作中，接著，樹脂供給部40使噴嘴42的前端從已自工作台30之保持面31上退出的退出位置移動至朝向工作台30之保持面31的供給位置。在樹脂供給動作中，其後，樹脂供給部40係從噴嘴42朝向已在薄片載置動作中載置有薄片92的工作台30之保持面31，供給控制部70所計算之適當供給量的液狀樹脂301。
此外，在第一實施方式之樹脂黏貼機1中，薄片載置動作、晶圓保持動作、樹脂供給動作的實施順序並不限定於此順序。在第一實施方式之樹脂黏貼機1中，具體而言，只要在薄片載置動作之後實施樹脂供給動作即可，晶圓200側之處理動作亦即晶圓保持動作、與一連串工作台30側之動作處理亦即薄片載置動作及樹脂供給動作，何者先實施何者後實施皆可，亦可並行實施。下述樹脂被覆動作則是在薄片載置動作、晶圓保持動作及樹脂供給動作的所有處理動作實施後實施。
如圖8（A）及圖8（B）所示，樹脂黏貼機1實施樹脂被覆動作，所述樹脂被覆動作係移動部50使保持部20與工作台30相對地接近以在晶圓200上被覆液狀樹脂301。此處，如圖5所示，樹脂黏貼機1的控制部70係以在晶圓200上被覆預定樹脂厚度312之樹脂302的方式，參照記錄於相關關係資料儲存部71之相關關係資料73，並於移動部50設定與溫度測量部15測量到之溫度相應的保持部20與工作台30之相對移動量27。
第一實施方式中，如圖5所示，溫度測量部15包含：熱電偶15-1，其朝向保持部20的吸附部20-2之保持面20-1，且被安裝於框體20-3內部的孔中；以及放射型溫度計15-2，其朝向工作台30之保持面31並安裝於保持部20的側邊。第一實施方式中，溫度測量部15以熱電偶15-1測量加工室10中的保持部20的溫度，並以放射型溫度計15-2測量工作台30的溫度。本發明中，溫度測量部15並不限定於上述第一實施方式的方式，只要係可測量加工室10中的溫度的方式，則亦可為任何方式，但較佳為如上述第一實施方式，測量與液狀樹脂301之被覆直接相關的保持部20與工作台30之至少任一者的溫度，更佳為測量兩者的溫度。
第一實施方式之樹脂黏貼機1中，為了預先將相關關係資料73記錄於相關關係資料儲存部71，必須預先實施預定的試驗。預定的實驗，具體而言，首先，在不同溫度的加工室10中，測量藉由移動部50使保持部20與工作台30以相同移動量27相對地移動時所被覆之樹脂302的樹脂厚度312。換言之，藉由預定的實驗，可取得將移動部50所致之移動量27設為定值時的加工室10中的溫度與所被覆之樹脂302的樹脂厚度312之相關關係，更詳細而言，對於實驗結果，進一步以預定的平滑近似函數進行擬合處理，藉此可取得例如如圖6所示的相關關係資料72。
此處，在第一實施方式之樹脂黏貼機1中預先實施的預定實驗中，作為加工室10中的溫度，較佳為採用由熱電偶15-1測量的保持部20之溫度與由放射型溫度計15-2測量的工作台30之溫度的算術平均值，此情況下，可用適當的代表值來處理加工室10中的溫度。此外，本發明中，在樹脂黏貼機1中預先實施的預定實驗中處理的加工室10中的溫度並不限定於此方式，可採用由熱電偶15-1測量的保持部20之溫度，亦可採用由放射型溫度計15-2測量的工作台30之溫度，亦可採用其他場所或方法所測量的加工室10中的溫度。
又，在樹脂被覆動作中將液狀樹脂301變形時，如圖5所示，若考量到凸塊204會陷入液狀樹脂301，則在保持部20的保持面20-1與工作台30的保持面31之間成為厚度210的晶圓200、目標為所要求之樹脂厚度311的液狀樹脂301及具有已知之厚度97的薄片92在垂直方向上層積的狀態。有鑒於此，在第一實施方式之樹脂黏貼機1中預先實施的預定實驗中，係考量圖5所示的薄片92之厚度97及晶圓200之厚度210而實施，並適當進行扣除等的修正。又，此預定實驗中，與在樹脂供給動作中計算液狀樹脂301之適當供給量時同樣地，係考量液狀樹脂301硬化而成為樹脂302時的收縮率來實施，並適當進行修正。此外，此預定實驗中，在省略薄片載置動作的情況中，無需考量薄片92之厚度97進行扣除等的修正。
第一實施方式中，如圖6所示，相關關係資料72係在實際上使用樹脂黏貼機1時的加工室10中的溫度範圍內，以樹脂厚度312對應溫度增加而減少的單調遞減函數（monotone decreasing function）來表現。此被認為是因為在該溫度範圍內，樹脂黏貼機1之加工室10內的裝置系統亦即保持部20、工作台30及移動部50等各零件的熱膨脹使晶圓200的正面201與薄片92的上表面之間的間隔減少，故液狀樹脂301的收縮率及樹脂302的熱膨脹成為根據該間隔而決定最終的樹脂302之樹脂厚度312的因素。又，第一實施方式中，相關關係資料72係在該溫度範圍內，以線性函數進行近似來表現溫度與樹脂厚度312。此被認為是由於在該溫度範圍內，上述各部的熱膨脹等能夠以線性函數進行近似，故上述該間隔的減少變得同樣能夠以線性函數進行近似。
第一實施方式之樹脂黏貼機1中，必須進一步針對各種移動量27分別根據由上述預定實驗所取得之多個相關關係資料72，預先實施預定的資料加工。具體而言，藉由預定的資料加工，根據此等多個相關關係資料72，可取得所被覆之樹脂302的樹脂厚度312成為預定值之情形的加工室10中的溫度與移動部50所致之移動量27的相關關係，藉由預定的電腦運算，可取得例如如圖7所示的相關關係資料73。如此進行所取得之相關關係資料73，成為用以使所被覆之樹脂302的樹脂厚度312即使在加工室10中溫度不同時仍為定值的資料。第一實施方式之樹脂黏貼機1係將如此進行所取得之相關關係資料73記錄於相關關係資料儲存部71。
第一實施方式中，由於係在實際上使用樹脂黏貼機1時的加工室10中的溫度範圍內，以樹脂厚度312對應溫度增加而減少的單調遞減函數來表現相關關係資料72，因此與相關關係資料72同樣地，如圖7所示，係以樹脂厚度312對應溫度增加而減少的單調遞減函數來表現相關關係資料73。又，第一實施方式中，由於係在該溫度範圍內，以線性函數進行近似來表現溫度與移動量27，因此與相關關係資料72同樣地，相關關係資料73係以線性函數進行近似來表現溫度與移動量27。
在樹脂被覆動作中，如圖8（A）及圖8（B）所示，僅以控制部70參照記錄於相關關係資料儲存部71之相關關係資料73而設定之移動量27，移動部50使保持部20往下方移動而接近工作台30，藉此透過晶圓200及薄片92，利用保持部20之保持面20-1與工作台30之保持面31，推壓位於其等之間的液狀樹脂301而使其在水平方向上展開。藉此，在樹脂被覆動作中，於晶圓200的正面201與薄片92之間，使被覆晶圓200的正面201的液狀樹脂301成形。在樹脂被覆動作中，由於薄片92是平坦的，故與薄片92接觸之液狀樹脂301的表面形成為平坦。
如圖9所示，樹脂黏貼機1實施硬化動作，所述硬化動作係硬化部60使樹脂被覆動作中被覆於晶圓200之液狀樹脂301硬化而形成樹脂302。
具體而言，在硬化動作中，如圖9所示，第一實施方式中，硬化部60的紫外線照射部61係隔著工作台30及薄片92而對紫外線硬化型樹脂亦即液狀樹脂301照射紫外線62，藉此使液狀樹脂301進行紫外線硬化反應而形成已硬化之樹脂302。在硬化動作中，伴隨著液狀樹脂301硬化而成為樹脂302，樹脂厚度311之液狀樹脂301會收縮，並變成比樹脂厚度311更薄的樹脂厚度312之樹脂302。
如圖10所示，樹脂黏貼機1實施剩餘部分去除動作，所述剩餘部分去除動作係剩餘部分去除部120將被覆晶圓200之正面201的樹脂302之中，比晶圓200的外緣更往徑向突出的剩餘部分切斷而去除。
具體而言，在剩餘部分去除動作中，首先，搬送部86將經過到硬化動作為止的處理動作而在正面201被覆有樹脂302之晶圓200，從保持部20搬送往剩餘部分去除部120，將所被覆之樹脂302側設為垂直方向的下方側而載置於保持台121上。
在剩餘部分去除動作中，接著，如圖10所示，剩餘部分去除部120係沿著藉由保持台121保持之晶圓200的外緣往垂直方向的下方，以切斷器122朝向樹脂302形成切口。在剩餘部分去除動作中，其後，剩餘部分去除部120使朝向樹脂302形成切口之狀態的切斷器122沿著晶圓200的外緣在圓周方向上移動，藉此將樹脂302的剩餘部分切除。此外，在剩餘部分去除動作中，藉由預先使切斷器122形成超過樹脂302到薄片92為止的切口，而可配合樹脂302之剩餘部分的切除，將薄片92的剩餘部分也一起切除。又，在剩餘部分去除動作中，較佳為即使無樹脂302的剩餘部分的情況下，亦為了切除薄片92的剩餘部分而實施。
第一實施方式之樹脂黏貼機1係藉由實施從上述薄片載置動作至剩餘部分去除動作為止的各處理，而可得到於一側之面亦即正面201的整個表面已被覆所要求之樹脂厚度312之樹脂302的晶圓200。
第一實施方式之樹脂黏貼機1具有如以上的構成，因此控制部70包含相關關係資料儲存部71，其記錄加工室10中的溫度與由該移動部50在各溫度下所致之移動量27的相關關係資料73，該相關關係資料73係在不同溫度的加工室10中，根據藉由移動部50使保持部20與工作台30僅相對地移動相同移動量27時所被覆之樹脂302的樹脂厚度312的測量結果而取得，並作為用以使被覆之樹脂302的樹脂厚度312即使在加工室10中溫度不同時仍為定值的資料；所述控制部70並參照相關關係資料73，於移動部50設定與溫度測量部15所測量之溫度相應的移動量27，將預定樹脂厚度312的樹脂302被覆於晶圓200。因此，第一實施方式之樹脂黏貼機1係因應加工室10中的溫度，以可被覆所要求之樹脂厚度312的樹脂302之方式變更移動部50所設定之移動量27，因此會發揮可降低因加工室10中的溫度偏差而可能發生的被覆於晶圓200之樹脂302的厚度偏差的作用效果。
以往的方法中，具有下述問題：將被覆於晶圓200之樹脂302的樹脂厚度312設定為100μm之情形，加工室10中的溫度在上述該溫度範圍內僅稍微偏差1℃左右，被覆於晶圓200之樹脂302的厚度偏差便成為2μm左右，而導致其相對誤差變成2%。然而，第一實施方式之樹脂黏貼機1係在每次實施樹脂被覆動作時測量加工室10中的溫度，而將移動部50所設定之移動量27最佳化，故明白可在相對誤差換算下，將因加工室10中的溫度偏差而可能發生的被覆於晶圓200之樹脂302的厚度偏差大幅降低。
又，如上述專利文獻1的方法所述，在控制樹脂被覆動作中對於液狀樹脂301之推壓力的情形，具有因液狀樹脂301的黏度偏差而導致被覆於晶圓200之樹脂302的厚度偏差大量發生的問題。然而，第一實施方式之樹脂黏貼機1係將樹脂被覆動作中的控制因素設為直接作用於樹脂厚度312之參數亦即移動量27來代替推壓力，故明白實質上可避免因液狀樹脂301的黏度偏差而可能發生的被覆於晶圓200之樹脂302的厚度偏差。
又，第一實施方式之樹脂黏貼機1的溫度測量部15係測量保持部20與工作台30之至少任一者的溫度。因此，第一實施方式之樹脂黏貼機1可採用與液狀樹脂301接近的保持部20或工作台30之溫度作為加工室10中的溫度，故可準確地獲取保持部20、工作台30及移動部50等各零件以及樹脂302的熱膨脹，而使移動部50所設定之移動量27最佳化，因此會發揮可適當降低因加工室10中的溫度偏差而可能發生的被覆於晶圓200之樹脂302的厚度偏差的作用效果。
再者，第一實施方式之樹脂黏貼機1的溫度測量部15係測量保持部20與工作台30的溫度，將其平均作為樹脂黏貼機1的加工室10中的溫度。因此，第一實施方式之樹脂黏貼機1可更準確地獲取液狀樹脂301的溫度作為加工室10中的溫度，而可使移動部50所設定之移動量27最佳化，因此會發揮可更適當地降低因加工室10中的溫度偏差而可能發生的被覆於晶圓200之樹脂302的厚度偏差的作用效果。
［第二實施方式］ 根據圖式說明本發明之第二實施方式之樹脂黏貼機1。圖11（A）及圖11（B）係顯示第二實施方式之樹脂黏貼機1的膠膜黏貼動作之主要部分的剖面圖。圖11（A）係顯示往晶圓200黏貼膠膜220前，圖11（B）係顯示往晶圓200黏貼膠膜220後。圖12係顯示第二實施方式之樹脂黏貼機1的樹脂被覆動作之主要部分的剖面圖。圖11（A）、圖11（B）及圖12中，對於與第一實施方式相同部分標註相同符號並省略說明。
第二實施方式之樹脂黏貼機1係在第一實施方式中追加膠膜黏貼部130。如圖11（A）及圖11（B）所示，膠膜黏貼部130具備：保持台131，其保持膠膜220之黏貼對象亦即晶圓200及裝設於膠膜220之外緣部的環狀框架225；以及未圖示的膠膜供給部，其供給膠膜220並將其黏貼於晶圓200及環狀框架225。此外，在第二實施方式中，膠膜黏貼部130雖具備膠膜供給部，但本發明中並不限定於此，亦可省略膠膜供給部，而由工作人員（操作員）供給膠膜220並將其黏貼於晶圓200及環狀框架225。
如圖11（A）及圖11（B）所示，與保持部20同樣地，保持台131具備：吸附部131-2，其於上表面形成平坦的保持面131-1；以及框體131-3，其將吸附部131-2嵌入於上表面中央部之凹陷部並固定。吸附部131-2係以與吸附部20-2同樣的材料構成，且與吸附部20-2同樣地，透過未圖示的真空吸引路徑而與未圖示的真空吸引源連接，以保持面131-1整個表面吸引保持晶圓200及環狀框架225。
膠膜黏貼部130中使用之膠膜220具備：膠膜基材221，其比晶圓200之晶圓直徑更大；以及黏著層222，其設置於膠膜基材221之一側的面。膠膜220係在膠膜基材221中，於與晶圓200之元件區域202對向的中央區域不具有黏著層222，而於外周區域具有黏著層222，此外周區域係包含與晶圓200之外周剩餘區域203及環狀框架225對向之外緣部。
以下針對第二實施方式之樹脂黏貼機1的動作進行說明。第二實施方式之樹脂黏貼機1的動作係在第一實施方式中，於晶圓保持動作之前追加實施膠膜黏貼動作，伴隨於此，變更樹脂被覆動作而成。
如圖11（A）及圖11（B）所示，樹脂黏貼機1實施膠膜黏貼動作，所述膠膜黏貼動作係膠膜黏貼部130將膠膜220黏貼於晶圓200的預定被覆樹脂302之面亦即正面201，並將環狀框架225裝設於膠膜220之外緣部。
具體而言，在膠膜黏貼動作中，首先，如圖11（A）所示，膠膜黏貼部130的保持台131以保持面131-1的中央區域從背面205側吸引保持晶圓200，並且以保持面131-1的外周區域吸引保持環狀框架225。在膠膜黏貼動作中，接著，膠膜黏貼部130的膠膜供給部將膠膜220供給至晶圓200及環狀框架225的上方，使不具有黏著層222之中央區域與晶圓200之元件區域202的正面201側對向，並使具有黏著層222之外周區域的黏著層222側之面與晶圓200之外周剩餘區域203的正面201側及環狀框架225對向。
如圖11（B）所示，在膠膜黏貼動作中，其後，膠膜黏貼部130的膠膜供給部使膠膜220的不具有黏著層222之中央區域密接於晶圓200之元件區域202的正面201側，並將膠膜220的具有黏著層222之外周區域透過黏著層222黏貼於晶圓200之外周剩餘區域203的正面201側及環狀框架225。
在第二實施方式之樹脂被覆動作中，係在第一實施方式之樹脂被覆動作中，使控制部70參照記錄於相關關係資料儲存部71之相關關係資料73，於移動部50設定移動量27時，追加實施進一步扣除膠膜黏貼動作中與晶圓200之元件區域202的正面201側密合的膠膜220的不具有黏著層222之中央區域的厚度，亦即膠膜基材221的厚度等的修正，藉此於移動部50設定已修正膠膜220相應之厚度的情形中之使保持部20與工作台30接近的移動量27。
在第二實施方式之樹脂被覆動作中，在第一實施方式之樹脂被覆動作中，變更成基於已修正膠膜220相應之厚度的情形中之使保持部20與工作台30接近之移動量27的處理。
第二實施方式之樹脂黏貼機1因具有如上述的構成，故與第一實施方式之樹脂黏貼機1同樣地，會發揮可降低因加工室10中的溫度偏差而可能發生的被覆於晶圓200之樹脂302的厚度偏差的作用效果。又，第二實施方式之樹脂黏貼機1亦發揮其他與第一實施方式之樹脂黏貼機1同樣的作用效果。
第二實施方式之樹脂黏貼機1及加工方法係進一步亦將膠膜220相應之厚度進行修正而實施樹脂被覆動作，因此會發揮可抑制因膠膜220相應部分之熱膨脹而可能發生的被覆於晶圓200之樹脂302的厚度變化的作用效果。
又，本發明並不限定於上述實施方式。亦即，可在不超出本發明中心思想之範圍內實施各種變形。
1:樹脂黏貼機 10:加工室 15:溫度測量部 15-1:熱電偶 15-2:放射型溫度計 20:保持部 27:移動量 30:工作台 40:樹脂供給部 50:移動部 60:硬化部 70:控制部 71:相關關係資料儲存部 72,73:相關關係資料 90:薄片供給部 92:薄片 97:厚度 110:晶圓檢測部 120:剩餘部分去除部 130:膠膜黏貼部 200:晶圓 201:正面 204:凸塊 205:背面 210:厚度 220:膠膜 221:膠膜基材 222:黏著層 225:環狀框架 301:液狀樹脂 302:樹脂 311,312:樹脂厚度
圖1係顯示第一實施方式之樹脂黏貼機之構成例的立體圖。 圖2係顯示圖1之樹脂黏貼機中的薄片載置動作之主要部分的剖面圖。 圖3係顯示圖1之樹脂黏貼機中的晶圓保持動作之主要部分的剖面圖。 圖4係顯示圖1之樹脂黏貼機中的樹脂供給動作之主要部分的剖面圖。 圖5係說明圖1之樹脂黏貼機中的移動量的剖面圖。 圖6係顯示在圖1之樹脂黏貼機中在預定移動量下加工室中的溫度與所被覆之樹脂的樹脂厚度之相關關係的圖表。 圖7係顯示在圖1之樹脂黏貼機中被覆預定樹脂厚度之樹脂的情形下加工室中的溫度與移動量之相關關係的圖表。 圖8（A）及圖8（B）係說明圖1之樹脂黏貼機中的樹脂被覆動作之主要部分的剖面圖。 圖9係說明圖1之樹脂黏貼機中的硬化動作之主要部分的剖面圖。 圖10係說明圖1之樹脂黏貼機中的剩餘部分去除動作之主要部分的剖面圖。 圖11（A）及圖11（B）係顯示第二實施方式之樹脂黏貼機的膠膜黏貼動作之主要部分的剖面圖。 圖12係顯示第二實施方式之樹脂黏貼機的樹脂被覆動作之主要部分的剖面圖。
1:樹脂黏貼機
10:加工室
15:溫度測量部
20:保持部
22:推壓力測量部
30:工作台
31:保持面
40:樹脂供給部
41:樹脂供給源
42:噴嘴
60:硬化部
70:控制部
71:相關關係資料儲存部
81:卡匣
82:卡匣
83:搬入搬出部
86:搬送部
90:薄片供給部
91:薄片滾筒
92:薄片
93:薄片搬送部
95:驅動部
110:晶圓檢測部
111:暫置台
112:照明部
113:攝像部
120:剩餘部分去除部
121:保持台
122:切斷器
130:膠膜黏貼部
200:晶圓
201:正面
301:液狀樹脂

Claims (3)

  1. 一種樹脂黏貼機，在晶圓之一側的面被覆所要求之厚度的樹脂，該樹脂黏貼機具備： 加工室； 溫度測量部，其測量該加工室中之溫度；以及 控制部，其控制各機構， 其中，該加工室包含： 保持部，其保持晶圓； 工作台，其與該保持部對向； 樹脂供給部，其對該工作台供給液狀樹脂； 移動部，其使該保持部與該工作台相對地接近；以及 硬化部，其使已被覆於晶圓之該液狀樹脂硬化； 該控制部， 包含相關關係資料儲存部，其記錄溫度與該移動部在各溫度下之移動量的相關關係資料，該相關關係資料係根據在不同溫度的該加工室中使該移動部移動相同量時所被覆之樹脂厚度的測量結果而取得，且係作為用以使所被覆之樹脂的厚度即使在不同溫度中仍為定值的資料， 並參照該相關關係資料，於該移動部設定與該溫度測量部所測量之溫度相應的移動量， 將預定厚度的樹脂被覆於晶圓。
  2. 如請求項1之樹脂黏貼機，其中， 該溫度測量部測量保持部與該工作台之任一者的溫度。
  3. 如請求項1之樹脂黏貼機，其中， 該溫度測量部測量保持部與該工作台的溫度，將其平均作為該樹脂黏貼機的溫度。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7285718B2 (ja) * 2019-07-23 2023-06-02 株式会社ディスコ 加工方法及び樹脂貼り機
JP2021190611A (ja) * 2020-06-02 2021-12-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法、保護部材貼着装置、及び、加工装置
CN114904692B (zh) * 2022-05-27 2023-07-28 苏州光宝科技股份有限公司 一种带有自辨别自检测效果的高精度晶圆喷涂设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142431A (ja) * 1993-11-16 1995-06-02 Nippon Steel Corp ウェーハ接着装置
JP2017168565A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 株式会社ディスコ 保護部材形成装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040023439A1 (en) * 2002-07-03 2004-02-05 Kazunari Kimino Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP4217551B2 (ja) * 2003-07-02 2009-02-04 キヤノン株式会社 微細加工方法及び微細加工装置
US20080097657A1 (en) * 2004-10-14 2008-04-24 Celerity, Inc. Method and System for Wafer Temperature Control
JP5670208B2 (ja) * 2011-01-13 2015-02-18 株式会社ディスコ 樹脂塗布装置
US9439335B2 (en) * 2011-12-08 2016-09-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electronic component mounting line and electronic component mounting method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142431A (ja) * 1993-11-16 1995-06-02 Nippon Steel Corp ウェーハ接着装置
JP2017168565A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 株式会社ディスコ 保護部材形成装置

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