TWI816776B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI816776B TW108113081A TW108113081A TWI816776B TW I816776 B TWI816776 B TW I816776B TW 108113081 A TW108113081 A TW 108113081A TW 108113081 A TW108113081 A TW 108113081A TW I816776 B TWI816776 B TW I816776B
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鄭知泳
金雅珑
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Abstract

一種顯示裝置，包含：基板，包含顯示區域和外圍區域；像素電極，在顯示區域中並且彼此間隔開；像素定義層，暴露像素電極的上表面，覆蓋像素電極的邊緣，並包含無機絕緣材料；輔助電極，在像素定義層上；第一中間層，在像素電極中第一像素電極上；第一相對電極，在第一中間層上；第二中間層，在像素電極中的第二像素電極上，第二像素電極與第一像素電極相鄰；第二相對電極，在第二中間層上，透過輔助電極與第一相對電極電連接；電源電壓供應線，在外圍區域；連接電極層，將輔助電極與電源電壓供應線電連接。

Description

顯示裝置
相關申請的交叉引用
2018年4月30日在韓國智慧財產局提交的標題為「顯示裝置」的韓國專利申請號No.10-2018-0050161的申請案的全部內容透過引用結合於此。
一個或多個實施例涉及顯示設備。
有機發光顯示裝置是一種顯示裝置，其中，每個像素包含有機發光二極體。有機發光二極體包含像素電極、發光層和相對電極。
在實現全色的有機發光顯示裝置的情況下，在每個像素區域中發射不同顏色的光。可以透過使用沉積遮罩來形成在多個像素中的每個像素中與發光層形成為一體的相對電極。隨著有機發光顯示裝置的解析度逐漸變高，沉積製程中使用的遮罩的開口狹縫的寬度變窄，並且需要逐漸減小的開口狹縫的寬度分佈。另外，為了製造高解析度有機發光裝置，需要減少或消除陰影效應。因此，可以使用利用附著到遮罩的基板執行沉積製程的方法。
根據一個或多個實施例，一種顯示裝置包含：基板，包含顯示區域和顯示區域外部的外圍區域；複數個像素電極，在顯示區域中並且彼此間隔開；像素定義層，暴露像素電極中的每一個的上表面的一部分，覆蓋像素電極的邊緣，並包含無機絕緣材料；輔助電極，在像素定義層上；第一中間層，在像素電極中第一像素電極上；第一相對電極，在第一中間層上；第二中間層，在像素電極中的第二像素電極上，第二像素電極與第一像素電極相鄰；第二相對電極，在第二中間層上，透過輔助電極與第一相對電極電連接；電源電壓供應線，在外圍區域；連接電極層，將輔助電極與電源電壓供應線電連接。
電源電壓供應線可以與輔助電極間隔開並且在平面圖中圍繞輔助電極的一部分。
連接電極層可以位於輔助電極和電源電壓供應線上。
輔助電極可以與像素定義層的上表面直接接觸。
顯示裝置可進一步包含覆蓋第一相對電極或第二相對電極中的至少一個的導電保護層。
導電保護層的寬度可以大於第一相對電極或第二相對電極中的至少一個的寬度，並且導電保護層可以與相對電極和輔助電極直接接觸。
連接電極層的材料可以與導電保護層的材料相同。
導電保護層可包含透明導電氧化物。
顯示裝置可進一步包含覆蓋第一相對電極或第二相對電極中的至少一個的絕緣保護層。
絕緣保護層可以包含無機絕緣材料。
顯示裝置可進一步包含覆蓋連接電極層的絕緣層，其中絕緣層包含與絕緣保護層的材料相同的材料。
根據一個或多個實施例，顯示裝置包含：複數個像素電極，設置在顯示區域中並且彼此間隔開；像素定義層，暴露像素電極的每個上表面的一部分，覆蓋像素電極的邊緣，並包含無機絕緣材料；輔助電極，在像素定義層上；第一中間層和第一相對電極，皆在像素電極中的第一像素電極上；第一導電保護層，在第一相對電極上；第二中間層和第二相對電極，皆在像素電極中的第二像素電極上；第二導電保護層，在第二相對電極上。
輔助電極可以覆蓋顯示區域並包含與像素電極對應的孔。
輔助電極可以僅位於像素定義層上。
第一導電保護層和第二導電保護層中的每一個的端部可以與輔助電極接觸。
第一導電保護層或第二導電保護層中的至少一個可包含透明導電氧化物。
顯示裝置可進一步包含分別對應於第一導電保護層和第二導電保護層的第一絕緣保護層和第二絕緣保護層。
第一絕緣保護層和第二絕緣保護層可以包含無機絕緣材料。
第一絕緣保護層和第二絕緣保護層中的每一個的端部可以與輔助電極接觸。
像素定義層可進一步包含位於與每一個像素電極的端部對應的位置中的隆起。
顯示裝置可進一步包含在像素定義層下方的絕緣層，其中，從絕緣層到像素定義層中不與各像素電極重疊的區域的高度小於從絕緣層到隆起的高度。
顯示裝置可進一步包含電連接到輔助電極的電源電壓供應線。
電源電壓供應線可以與輔助電極間隔開。
顯示裝置可進一步包含將輔助電極電連接到電源電壓供應線的連接電極層。
連接電極層可以覆蓋電源電壓供應線以及輔助電極的邊緣。
100:基板
110:絕緣層
120:像素定義層
130、130':輔助電極
140、150:電源電壓供應線
170:連接電極層
171、172、173:電極層
180:絕緣層
211、212、213:像素電極
221、222、223:中間層
231、232、233:相對電極
241、242、243:導電保護層
251、252、253:絕緣保護層
310、410、510:保護層
320、420、520:光敏樹脂層
Cst:儲存電容器
DA:顯示區域
DL:資料線
ELVDD:第一電源電壓
ELVSS:第二電源電壓
H:孔
h1、h2:高度
M1-OP、M1'-OP、M1"-OP、M2-OP、M2'-OP、M3-OP、M3'-OP、M3"-OP:開口
M1、M1'、M1"、M2、M2'、M3、M3'、M3":遮罩
OLED1~OLED3:有機發光二極體
PA:外圍區域
PX1~PX3:像素
PC:像素電路
PL:驅動電壓線
SL:掃描線
T1、T2:薄膜電晶體
△d、△OW:距離
透過參考圖式詳細描述例示性實施例，本發明的各項特徵對於本領域技術者將變得顯而易見，其中：第1圖係繪示根據一實施例的顯示裝置的示意性平面圖；第2圖係繪示根據一實施例的顯示裝置的像素的等效電路圖；第3圖係繪示根據一實施例的沿第1圖中的線III-III'截取的顯示裝置的截面圖；第4A圖係繪示根據一實施例的像素定義層的斜面周圍的放大圖；第4B圖係繪示根據另一實施例的像素定義層的斜面周圍的放大圖；第5圖係繪示根據另一實施例的顯示裝置的截面圖；第6圖係繪示根據另一實施例的顯示裝置的截面圖；第7圖係繪示根據一實施例的顯示裝置中的輔助電極與電源電壓供應線的電連接的平面圖；第8圖係繪示根據一實施例的顯示裝置的截面圖；第9圖係繪示根據另一實施例的顯示裝置的截面圖；第10圖係繪示根據另一實施例的顯示裝置的截面圖；第11圖係繪示根據另一實施例的顯示裝置的截面圖； 第12圖係繪示根據一實施例的圖案化像素電極的製程；第13A圖至第13C圖係繪示根據另一實施例的圖案化對應於第一像素的區域的製程；第14A圖至第14C圖係繪示根據另一實施例的圖案化與第二像素對應的區域的製程；第15A圖至第15C圖係繪示根據另一實施例的與第三像素對應的區域中的圖案化製程；以及第15D圖係繪示第15C圖的圖案化製程的修改實施例。
現在將詳細參考實施例，其示例在所附圖式中繪示，其中，類似的標號始終表示類似的元件。在這方面，本實施例可以具有不同的形式，並且不應該被解釋為限於這裡闡述的描述。因此，下面僅透過參考所附圖式來描述實施例，以解釋本案的各個特性。如這裡所使用的，術語“及/或”包含一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。在整個揭露內容中，表達“容、b或c中的至少一個”表示僅a、僅b、僅c、a和b、a和c、b和c、a、b和c全部或其變體。
由於本揭露允許各種修改和許多實施例，因此將在所附圖式中繪示出特定實施例並在書面描述中詳細描述。從以下結合所附圖式揭露各種實施例的詳細描述中，本案的效果和特徵以及實現該目的的方法對於本領域具有通常知識者將變得顯而易見。然而，本案可以以許多不同的形式實施，並且不應該被解釋為限於這裡闡述的實施例。
在下文中，將參考所附圖式詳細描述實施例。所附圖式中相同的元件符號表示相同的元件，因此將省略其描述。
應當理解，儘管這裡可以使用術語“第一”、“第二”等來描述各種部件，但是這些部件不應受這些術語的限制。這些元件僅用於區分一個元件與另一個元件。
如這裡所使用的，單數形式“一(a)”、“一(a)所和“一(the)”也旨在包含複數形式，除非上下文另有明確說明。
將進一步理解，本文使用的術語“包含(comprise)”及/或“包含(comprising)”指定特徵或元件的存在，但不排除一個或多個其他特徵或元件的存在或附加。
應當理解，當層、區域或元件被稱為“形成在(formed on)多另一層、區域或元件上時，它可以直接或間接地形成在另一層、區域或元件上。也就是說，例如，可以存在中間層、區域或元件。
為了便於解釋，可誇大圖式中的元件尺寸。換句話說，由於為了便於解釋而任意地繪示圖式中的部件的尺寸和厚度，因此以下實施例不限於此。
當某個實施例可以不同地實現時，可以與所描述的順序不同地執行特定的製程順序。例如，兩個連續描述的製程可以基本上同時執行或者以與所描述的順序相反的順序執行。
應當理解，當層、區域或元件被稱為“連接到(connected to)”或“耦合到(coupled to)”另一層、區域或元件時，它可以“直接連接或耦合(directly connected or coupled)”到另一層、區域或元件，或“間接連接到(indirectly connected)”其他層、區域或元件，其間具有中間元件。例如，當層、區域或元件被稱為電“連接到”或“耦合”到另一層、區域或元件時，它 可以“直接連接或耦合”到另一層、區域，或者元件，或“間接連接到”其他層、區域或元件，其間具有插入元件。
第1圖是根據實施例的顯示裝置的示意性平面圖。如第1圖所示，顯示裝置包含可以顯示圖像的顯示區域DA以及在顯示區域DA外部的外圍區域PA。可以理解，第1圖係繪示顯示裝置的基板100。例如，可以理解的是，基板100包含顯示區域DA和外圍區域PA。
在顯示區域DA中，設置發射具有不同顏色的光的像素。與此相關，第1圖係繪示分別發射紅光、綠光和藍光的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第1圖係繪示第一像素PX1至第三像素PX3以五格(pentile)類型排列的結構，但是可以進行各種修改。
外圍區域PA是非顯示區域，並且可以包含驅動器、電源電壓供應線等，以向像素提供電訊號或電力。外圍區域PA可以包含焊墊(pad)，該焊墊是電裝置、印刷電路板等可以彼此連接的區域。
第2圖是根據實施例的顯示裝置的像素的等效電路圖。參考第2圖，像素包含像素電路PC和連接到像素電路PC的顯示元件。第2圖係繪示作為顯示元件的有機發光二極體OLED。像素電路PC可以包含第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2和儲存電容器Cst。
第二薄膜電晶體T2是連接到掃描線SL和資料線DL的開關薄膜電晶體。根據從掃描線SL輸入的開關電壓，當資料電壓從資料線DL輸入到第二薄膜電晶體T2時，第二薄膜電晶體T2將資料電壓傳輸到第一薄膜電晶體T1。儲存電容器Cst連接到第二薄膜電晶體T2和驅動電壓線PL，並且儲存與從第二薄膜電晶體T2接收的電壓和提供給驅動電壓線PL的第一電源電壓ELVDD之間的差相對應的電壓。
第一薄膜電晶體T1是連接到驅動電壓線PL和儲存電容器Cst的驅動薄膜電晶體。對應於儲存在儲存電容器Cst中的電壓值，第一薄膜電晶體T1可以控制從驅動電壓線PL流過有機發光二極體OLED的驅動電流Id。有機發光二極體OLED可以根據驅動電壓Id以一定亮度發光。有機發光二極體OLED的相對電極(例如，陰極)可以接收第二電源電壓ELVSS。
第2圖係繪示像素電路PC包含兩個薄膜電晶體T1和T2以及一個儲存電容器Cst。或者，可以根據像素電路PC的設計不同地修改薄膜電晶體的數量和儲存電容器的數量。
第3圖是根據實施例的沿第1圖的線III-III'截取的顯示裝置的截面圖。參考第3圖，顯示區域DA中的第一像素PX1至第三像素PX3中的每一個皆包含像素電路PC。像素電路PC設置在基板100和絕緣層110之間，並且包含參考第2圖描述的薄膜電晶體、儲存電容器等。基板100可包含聚合物樹脂，例如聚醚碸(polyethersulfone，PES)、聚芳酯(polyarylate，PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate，CAP)等
絕緣層110可以覆蓋像素電路PC。絕緣層110可以是提供平坦表面的平坦化絕緣層。絕緣層110可以包含有機絕緣層，例如PI等。在基板100和絕緣層110之間，像素電路PC的元件可以包含例如半導體層、薄膜電晶體的閘電極、源電極和汲電極和儲存電容器的電極板。另外，無機絕緣層及/或有機絕緣層可以設置在薄膜電晶體的半導體層和閘電極之間，薄膜電晶體的閘電極與源電極或汲電極之間，或是在基板100和絕緣層110之間可進一步包含構成儲存電容器的電極板。
第一像素PX1至第三像素PX3可以分別包含第一有機發光二極體OLED1、第二有機發光二極體OLED2和第三有機發光二極體OLED3，且每個都連接至像素電路PC。第一有機發光二極體OLED1至第三有機發光二極體OLED3中的每一個可包含像素電極、中間層和相對電極。第一有機發光二極體OLED1包含第一像素電極211、第一中間層221和第一相對電極231。第二有機發光二極體OLED2包含第二像素電極212、第二中間層222和第二相對電極232。第三有機發光二極體OLED3包含第三像素電極213、第三中間層223和第三相對電極233。
第一中間層221和第一相對電極231對應於第一像素電極211圖案化。第二中間層222和第二相對電極232對應於第二像素電極212圖案化。第三中間層223和第三相對電極233對應於第三像素電極213圖案化。
第一像素電極211至第三像素電極213設置在絕緣層110上以彼此間隔開。第一像素電極211至第三像素電極213可以包含由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或者它們的化合物等形成的反射層。或者，第一像素電極211至第三像素電極213可以包含上述反射層和上面及/或在反射層下面的透明導電氧化物(TCO)層。TCO層可以例如由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)形成。在一個實施例中，第一像素電極至第三像素電極可以包含由ITO/Ag/ITO形成的三個子層。
第一像素電極211至第三像素電極213的端部被像素定義層120覆蓋。像素定義層120可以包含與每個像素對應的開口，例如，暴露第一至第三像素電極211-213的中心部分的開口，從而定義像素。
像素定義層120可以由諸如氮化矽(SiNx，x>0)、氧化矽(SiOx，x>0)、氮氧化矽(SiOxNy，x>0，y>0)或碳氧化矽(SiOC)的無機絕緣材料形成。 如第3圖所示，在製造顯示裝置的製程中，其中每個像素的中間層和相對電極對應於像素的像素電極被圖案化，像素定義層120的一部分可以被暴露並且沒有被中間層或相對電極的材料覆蓋。氧氣或水分可以穿透暴露的像素定義層120的一部分。作為比較例，當像素定義層由有機絕緣材料形成時，像素定義層可以提供水分或氧氣可以穿透的路徑，並且有機發光二極體可能被氧氣或濕氣損壞。然而，根據實施例，由於像素定義層120由無機絕緣材料形成，因此可以防止或大幅減少上述問題。
輔助電極130設置在像素定義層120上。輔助電極130可以僅設置在像素定義層120上。輔助電極130可以直接接觸像素定義層120的上表面。輔助電極130可以包含具有低電阻金屬的金屬層，例如鉬(Mo)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鋁(Al)或其合金。或者，輔助電極130可進一步包含在上述金屬層上方及/或下方由諸如ITO的材料形成的透明導電氧化物層。
第一中間層221至第三中間層223分別設置在透過像素定義層120的開口暴露的第一像素電極211至第三像素電極213上。第一中間層221至第三中間層223可各自包含發射紅光、綠光和藍光的發光層，例如，有機發光層。第一中間層221至第三中間層223可各自包含在發光層上方及/或下方的功能層。功能層可以包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的至少一種。第一中間層221、第二中間層222、和第三中間層223彼此隔開。類似地，第一中間層221的子層(例如，發光層、HIL、HTL、ETL及/或EIL)與第二中間層222的子層和第三中間層223的子層彼此隔開。
第一相對電極231至第三相對電極233分別設置在第一中間層221至第三中間層223上。第一相對電極231至第三相對電極233可以由具有低功函數的導電材料形成。例如，第一相對電極231至第三相對電極233可以包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻 (Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)或其合金。在一個實施例中，第一相對電極231至第三相對電極233可以包含鋁(Al)、銀(Ag)或鎂(Mg)和銀(Ag)的合金(Mg：Ag)。在一個實施例中，第一相對電極231至第三相對電極233可以包含銀(Ag)大於鎂(Mg)的合金。
儘管第一相對電極231至第三相對電極233分別對應於第一像素電極211至第三像素電極213圖案化並且彼此間隔開，但是第一相對電極231至第三相對電極233可以經由輔助電極130彼此電連接。第一相對電極231至第三相對電極233的端部可以比第一中間層221至第三中間層223的端部延伸得更遠，從而直接接觸輔助電極130。
第4A圖是根據實施例的像素定義層120的斜面的周邊的放大圖。第4B圖是根據另一實施例的像素定義層120的斜面的周邊的放大圖。第4A圖和4B可以各自對應於第3圖的區域IV。
參照第4A圖，像素定義層120由無機絕緣材料形成並覆蓋第一像素電極211的端部。輔助電極130設置在像素定義層120上。輔助電極130的一端可以與像素定義層120的斜面與第一像素電極211的上表面接觸的點間隔距離“離“。因此，可以防止橫向電流洩漏。在一個實施例中，上述距離“在一可以是約2μm至3μm。
由於像素定義層120由無機絕緣材料形成，所以朝向像素定義層120的上表面突出的隆起可以形成在像素定義層120的與像素電極的端部對應的部分上。與此相關，第4A圖係繪示像素定義層120上的隆起設置在與第一像素電極211的端部對應的位置，並且從絕緣層110到隆起的高度h1(例如，隆起的頂峰)大於從絕緣層110到沿z軸不與第一像素電極211重疊的像素定義層120的上表面的高度h2。像素定義層120的斜面的角度θ可以小於約70度，但是足夠大以提供具有沿著z軸與第一像素電極211的一部分重疊的頂峰(peak)的隆起。
輔助電極130可以形成為覆蓋像素定義層120的上表面的一部分。如第4A圖所示，輔助電極130的一端可以與像素電極間隔開，例如，第一像素電極211的端部隔開一定距離△端，例如，足夠大的距離使得輔助電極130不沿z軸與像素定義層120或第一中間層221的隆起重疊。或者，如第4B圖所示，輔助電極130'的一端可以與寬度△OW相對應地與第一像素電極211的端部重疊，使得輔助電極130'的端部也與第一中間層221重疊，例如，在第一中間層221下方，以及像素定義層120沿z軸的隆起。
第5圖是根據另一實施例的顯示裝置的截面圖。與上面參照第3圖描述的顯示器不同，第5圖的顯示裝置可以進一步地覆蓋了覆蓋在相對電極的導電保護層。參考第3圖、第4A圖和第4B圖描述除導電保護層之外的元件。因此，下面將描述第3圖和第5圖之間的差異。
在製程期間或之後，導電保護層可以保護導電保護層下面的一層(或多層)，例如，相對電極，中間層或其類似物。與此相關，第5圖係繪示第一導電保護層241至第三導電保護層243，每個導電保護層在每個像素中被圖案化。
第一導電保護層241至第三導電保護層243彼此間隔開，並且可以分別在第一相對電極231至第三相對電極233上圖案化。第一導電保護層241至第三導電保護層243可以分別覆蓋整個第一相對電極231至第三相對電極233。例如，第一導電保護層241可以完全覆蓋第一相對電極231。同樣地，第二導電保護層242可以完全覆蓋第二相對電極232。第三導電保護層243可以完全覆蓋第三相對電極233。
第一導電保護層241至第三導電保護層243可以包含具有高導電率和低水蒸氣透過率(water vapor transmission rate，WVTR)的透明導電材料，透過該透明導電材料透射從發光層發射的光。例如，第一導電保護層241至第三 導電保護層243可以包含透明導電氧化物，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)。第一導電保護層241至第三導電保護層243可以具有大約10Å至大約1大約的厚度。
例如，沿著第一導電保護層241至第三導電保護層243的x軸和y軸的寬度可以大於第一相對電極231至第三相對電極233的寬度。與此相關，第5圖的放大圖係繪示第一導電保護層241的一端可以延伸超出第一相對電極231的一端，使得第一導電保護層241接觸第一相對電極231的上表面。第一導電保護層241的端部可以接觸輔助電極130。同樣地，第二導電保護層242的一端可以延伸超出第二相對電極232的一端，並且第三導電保護層243的一端可以延伸超過第三相對電極233的一端。第一導電保護層241可以用作將第一相對電極231連接到輔助電極130的介質。類似地，第二導電保護層242和第三導電保護層243中的每一個可以用作分別將第二相對電極232和第三相對電極233中的每一個連接到輔助電極130的介質。
第6圖是根據另一實施例的顯示裝置的截面圖。與上面參照第5圖描述的顯示裝置不同，第6圖的顯示裝置可進一步包含絕緣保護層。參考第3圖、第4A圖、第4B圖和第5圖描述除絕緣保護層之外的元件。因此，下面將描述第3圖、第4A圖、第4B圖和第5圖以及第6圖之間的差異。
在製程期間或之後，絕緣保護層可以保護絕緣保護層下面的一層(或多層)、例如導電保護層、相對電極、中間層或其類似物。與此相關，第6圖係繪示第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253，每個絕緣保護層在每個像素中被圖案化。
第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253彼此間隔開，並且可以分別在第一導電保護層241至第三導電保護層243上圖案化。第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253可以分別覆蓋整個第一相對電極241至第三相對電極 243。第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253的寬度(例如，沿x軸和y軸)可以分別大於第一導電保護層241至第三導電保護層243的寬度。
參照第6圖的放大圖，第一絕緣保護層251的一端可以延伸超出第一導電保護層241的一端並接觸輔助電極130。類似地，第二導電保護層252的一端可以延伸超出第二導電保護層242的一端並接觸輔助電極130。第三導電保護層253的一端可以延伸超出第三導電保護層243的一端並接觸輔助電極130。第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253可以包含諸如氮化矽、氧化矽等的無機絕緣材料。
第7圖係繪示根據實施例的顯示裝置中的輔助電極130與電源電壓供應線的電連接的平面圖。第一電源電壓供應線140和第二電源電壓供應線150設置在基板100的外圍區域PA中。第一電源電壓提供線140提供第一電源電壓ELVDD到顯示區域DA的每一個像素，且第二電源電壓提供線150提供第二電源電壓ELVSS到顯示區域DA的每一個像素。
與此相關，第7圖繪示了第一電源電壓供應線140與基板100的一側相鄰並且沿著x軸延伸，並且第二電源電壓供應線150沿著邊緣延伸，例如，沿著與第一電源電壓供應線140不相鄰的基板100的邊緣，以部分地圍繞顯示區域DA。例如，第二電源電壓供應線150可以沿著x軸和y軸延伸，以沿著基板100的三個側面部分地圍繞顯示區域DA。
第7圖繪示了第一電源電壓供應線140設置於鄰近基板100的一側。或者，在大型顯示裝置中，第一電源電壓供應線140可以以對稱形式設置，以使顯示區域DA位於其中心，以防止提供第一電源電壓的電線中的電壓降。
輔助電極130可以設置在顯示區域DA中。輔助電極130包含顯示區域DA的像素，例如，與像素電極對應的孔H。孔H可以彼此間隔開，並且輔 助電極130可以形成為一體。每個孔H與每個像素電極重疊。輔助電極130可以具有與顯示區域DA的區域對應的尺寸，而不是孔H的區域，因此可以減小其自身的電阻。因此，在小型和大型顯示裝置中，輔助電極130可大大減少電壓降，並提供第二電源電壓ELVSS到每個像素的相對電極。透過使用包含鉬(Mo)、鈦(Ti)、銅(Cu)或其類似物的低電阻金屬作為輔助電極130，可以有效地防止由電壓降引起的問題。
輔助電極130可以被第二電源電壓供應線150部分地圍繞。與此相關，第7圖繪示了第二電源電壓供應線150沿著具有矩形形狀的輔助電極130的三個側面延伸，從而圍繞輔助電極130的一部分。輔助電極130與第二電源電壓供應線150間隔開並透過連接電極層170電連接到第二電源電壓供應線150。
連接電極層170可以沿著輔助電極130的邊緣延伸。例如，如第7圖所示，連接電極層170沿著具有矩形形狀的輔助電極130的三個側面延伸，並且具有側面敞開的開環(open loop)形狀。連接電極層170可以設置在輔助電極130和第二電源電壓供應線150上，並且沿著z軸與輔助電極130的一部分和第二電源電壓供應線150的一部分重疊。
第8圖是根據實施例的顯示裝置的截面圖。第8圖對應於第7圖的線VIIIa-VIIIa'和VIIIb-VIIIb'。
根據第8圖的線VIIIa-VIIIa'的橫截面繪示了顯示區域DA。第一有機發光二極體OLED1至第三有機發光二極體OLED3設置在顯示區域DA中。以上參照第3圖至第4B圖描述了各自設置在顯示區域DA中的第一有機發光二極體OLED1至第三有機發光二極體OLED3和輔助電極130的結構。因此，在下文中描述外圍區域PA。
參照根據第8圖的線VIIIb-VIIIb'的橫截面，第二電源電壓供應線150設置在外圍區域PA中。在一個實施例中，第二電源電壓供應線150的邊緣可 以被絕緣層110覆蓋，並且第二電源電壓供應線150的一部分可以透過絕緣層110的孔暴露。
在顯示區域DA中，彼此間隔開的第一相對電極231至第三相對電極233可以經由像素定義層120上的輔助電極130彼此電連接。輔助電極130可以僅設置在像素定義層120上。因此，輔助電極130的邊緣的一端與第二電源電壓供應線150間隔開。輔助電極130透過連接電極層170電連接到第二電源電壓供應線150。
連接電極層170可以設置在輔助電極130和第二電源電壓供應線150上方，從而沿z軸覆蓋輔助電極130的一部分和第二電源電壓供應線150的一部分。例如，連接電極層170的與顯示區域DA相鄰的第一部分(例如，內邊緣部分)可以直接接觸輔助電極130的外邊緣端。連接電極層170的遠離顯示區域DA的第二部分(例如，外邊緣部分)可以直接接觸第二電源電壓供應線150。第8圖繪示了連接電極層170直接接觸第二電源電壓供應線150。然而，在另一實施例中，導電層可以進一步設置在第二電源電壓供應線150和連接電極層170之間。導電層可以是一個相同的層中的像素電極的上和材料相同的材料的像素電極的形成。
連接電極層170可以包含與第一相對電極231至第三相對電極233不同的材料。連接電極層170可以包含具有優異導電性和低WVTR的金屬或透明導電材料。在一個實施例中，連接電極層170可以由透明導電材料形成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)。第一至第三連接電極層170可以具有大約至大約1μm的厚度。
第9圖是根據另一實施例的顯示裝置的截面圖。第9圖對應於第7圖的線VIIIa-VIIIa'和VIIIb-VIIIb'。
根據第9圖的線VIIIa-VIIIa'的橫截面對應於顯示區域DA。顯示區域DA包含第一像素電極211至第三像素電極213、第一中間層221至第三中間層223、第一相對電極231至第三相對電極233、第一導電保護層241至第三導電保護層243、以及輔助電極130，以上參照第5圖描述。因此，在下文中描述外圍區域PA。
參照根據第9圖的線VIIIb-VIIIb'的橫截面，連接電極層170可以由多個層形成。連接電極層170可以包含順序堆疊的第一電極層171至第三電極層173。
第一電極層171至第三電極層173可以包含與在顯示區域DA上圖案化的第一導電保護層241至第三導電保護層243的材料相同的材料。例如，由於第一電極層171可以在圖案化第一導電保護層241的製程中形成，因此第一電極層171的材料可以與第一導電保護層241的材料相同。同樣地，第二電極層172和第三電極層173的材料可以分別與第二導電保護層242和第三導電保護層243的材料相同。第一電極層171至第三電極層173可各自包含透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)。
第9圖繪示了連接電極層170由三層形成。或者，連接電極層170可以包含選自第一電極層171至第三電極層173中的一個或兩個層。
第10圖是根據另一實施例的顯示裝置的截面圖。第10圖對應於第7圖的線VIIIa-VIIIa'和VIIIb-VIIIb'。
根據第10圖的線VIIIa-VIIIa'的橫截面對應於顯示區域DA。顯示區DA包含第一像素電極211至第三像素電極213、第一中間層221至第三中間層223、第一相對電極231至第三相對電極233、第一導電保護層241至第三導電保 護層243、第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253、及輔助電極130，其在上面參考第6圖描述。因此，在下文中描述外圍區域PA。
參照根據第10圖的線VIIIb-VIIIb'的橫截面，輔助電極130可以透過連接電極層170電連接到第二電源電壓供應線150。絕緣層180可以設置在連接電極層170上。絕緣層180可以覆蓋連接電極層170的至少一部分。
連接電極層170可以是單層。可以在圖案化在顯示區域DA上圖案化的第一導電保護層241至第三導電保護層243中的一個的製程中形成連接電極層170。因此，連接電極層170的材料可以與第一導電保護層241至第三導電保護層243中的一個的材料相同。作為實施例，連接電極層170可以以與在第一導電保護層241至第三導電保護層243中最後圖案化的導電保護層的圖案化製程相同的製程形成。在這種情況下，連接電極層170的材料可以與最後圖案化並且如上所述的導電保護層的材料相同。
絕緣層180可以包含無機絕緣材料。例如，可以在對顯示區域DA上的第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253中的一個進行圖案化的製程中形成絕緣層180。因此，絕緣層180的材料可以與第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253中的一個的材料相同。例如，絕緣層180可以在圖案化絕緣保護層的製程中形成，絕緣保護層是要形成的第一保護層251至第三保護層253中的最後一個，並且可以包含與圖案化的絕緣保護層相同的材料。
第一導電保護層241至第三導電保護層243中的每一個以及第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253中的每一個可以在顯示區域DA上順序地圖案化。例如，可以圖案化第一導電保護層241，然後可以圖案化第一絕緣保護層251。同樣地，可以圖案化第二導電保護層242，然後可以圖案化第二絕緣保護層252。另外，可以圖案化第三導電保護層243，然後可以圖案化第三絕緣 保護層253。在這種情況下，連接電極層170和絕緣層180可以包含與導電保護層和絕緣保護層相同的材料，兩者都對應於顯示區域DA的像素。
作為實施例，連接電極層170和絕緣層180可以分別包含與第一導電保護層241和第一絕緣保護層251相同的材料。或者，連接電極層170和絕緣層180可以分別包含與第二導電保護層242和第二絕緣保護層252相同的材料，或者分別包含與第三導電保護層243和第三絕緣保護層253相同的材料。
第11圖是根據另一實施例的顯示裝置的截面圖。第11圖繪示了第10圖的顯示設備的修改實施例。第11圖對應於第7圖的線VIIIa-VIIIa'和VIIIb-VIIIb'。
根據第11圖的線VIIIa-VIIIa'的橫截面對應於顯示區域DA。顯示區DA包含第一像素電極211至第三像素電極213、第一中間層221至第三中間層223、第一相對電極231至第三相對電極233、第一導電保護層241至第三導電保護層243、第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253、以及輔助電極130，其在上面參考第6圖描述。因此，在下文中描述外圍區域PA。
參考根據第11圖的線VIIIb-VIIIb'的橫截面，與上面參考第10圖的線VIIIb-VIIIb'提供的描述不同，連接電極層170可以具有多個層。與此相關，第11圖繪示了連接電極層170包含第一電極層171至第三電極層173。
第一電極層171至第三電極層173可以包含與分別在顯示區域DA上圖案化的第一導電保護層241至第三導電保護層243的材料相同的材料。由於可以以圖案化第一導電性保護層241的製程來形成第一電極層171，因此第一導電性保護層241的材料可以與第一電極層171相同。同樣地，第二電極層172和第三電極層173的材料可以分別與第二導電保護層242和第三導電保護層243的材料相同。
絕緣層180可以覆蓋連接電極層170的至少一部分。絕緣層180可以包含無機絕緣材料。絕緣層180可以包含與第一絕緣保護層251至第三絕緣保護層253中的一個相同的材料。
絕緣層180可以以與設置在絕緣層180正下方的第三電極層173相同的遮罩製程形成。在這種情況下，第三電極層173和絕緣層180可以包含與第一導電保護層241至第三導電保護層243之一的材料以及直接設置在第一導電保護層241至第三導電保護層243之一上的絕緣保護層的材料相同的材料。例如，當第三電極層173在與第三導電保護層243的製程相同的製程中被圖案化並且包含與第三導電保護層243的材料相同的材料時，絕緣層180可以在與第三絕緣保護層253相同的製程中被圖案化，並且包含與第三絕緣保護層253相同的材料。
第11圖繪示連接電極層170包含三個電極層。或者，第11圖的第一電極層171和第二電極層172中的一個可以不被包含在內。
第12圖至第15C圖是根據實施例的製造顯示裝置的製程的顯示裝置的截面圖。
參考第12圖，形成像素定義層120和輔助電極130。在形成像素定義層120和輔助電極130之前，在基板100上形成像素電路PC和第二電源電壓供應線150。然後，絕緣層110被形成，並且第一像素電極211至第三像素電極213形成在絕緣層110上。第一像素電極211至第三像素電極213可以例如透過使用例如濕式蝕刻法的方法圖案化。
像素定義層120和輔助電極130可以在相同的遮罩製程中形成。例如，可以在整個基板100上形成無機絕緣材料層和金屬材料層，以覆蓋第一像素電極211至第三像素電極213。然後，可以形成具有與第一像素電極211至第三像素電極213對應的開口的光阻劑。然後，透過蝕刻(例如，乾式蝕刻)金屬材料層來形成輔助電極130，並且透過蝕刻(例如，乾式蝕刻)無機絕緣材料層來 形成像素定義層120。然後，當去除光阻劑時，像素定義層120和輔助電極130保留，如第12圖所示。
由於輔助電極130以與像素定義層120相同的遮罩製程形成，因此可以防止對包含無機絕緣材料的像素定義層120的損壞，並且輔助電極130可以僅設置在像素定義層120。作為比較例，當形成像素定義層120時，在像素定義層120上形成金屬材料層，然後，透過蝕刻金屬材料層，用來形成輔助電極130用於蝕刻輔助電極130的氣體的選擇率(selection rate)很低。因此，像素定義層120可能被損壞，從而在像素定義層120的斜面上形成巨幅的(radical)高度差。當在形成巨幅的高度差的像素定義層120上形成中間層和相對電極時，可能發生相對電極損壞的問題。然而，根據實施例，由於蝕刻輔助電極130，然後，在相同的製程中蝕刻像素定義層120，所以可以防止或大大減少上述問題。
第13A圖至第13C圖係繪示圖案化與第一像素相對應的區域的製程。
參照第13A圖，第一中間層221和第一相對電極231形成在第一像素電極211上。第一保護層310和第一光敏樹脂層320形成在顯示區域DA中。第一遮罩M1可以覆蓋外圍區域PA並且包含與顯示區域DA對應的開口M1-OP。
第一保護層310和第一光敏樹脂層320均可包含與第一像素電極211對應的開口。第一保護層310中的開口可以大於第一光敏樹脂層320中的開口。
作為實施例，在其中設置有像素定義層120和輔助電極130的基板100的顯示區域DA中，形成非光敏材料層和光敏樹脂層。將光阻劑樹脂層的一部分曝光並蝕刻，從而形成具有開口的第一光敏樹脂層320。然後，可以透過第一光敏樹脂層選擇性地去除非光敏材料層來形成具有開口的第一保護層310。
非光敏材料層可以由氟化樹脂形成。例如，非光敏材料層可包含75至95wt%的氟代醚，其透過在醚結構中用氟部分取代氫而獲得，和5至25wt%的樹脂聚合物。當非光敏材料層包含上述材料時，透過使用含有氫氟醚等的溶液形式的剝離劑除去部分非光敏材料層，從而形成具有開口的第一保護層310。
接著，第一中間層221和第一相對電極231形成在基板100上，其中設置有第一保護層310和第一光敏性樹脂層320。第一中間層221和第一相對電極231的材料可以各自形成在第一像素電極211上，以及第一光敏樹脂層320上或第一遮罩M1上。
第一中間層221包含發光層，並且可以具有這樣的結構，進一步包含一個HIL、HTL、ETL、HIL等中的一個。第一相對電極231可以包含具有低功函數的金屬。以上金屬材料參考第3圖描述。可以透過使用熱沉積方法或其類似方式形成第一中間層221和第一相對電極231。
第一相對電極231的材料可以沿著垂直於或傾斜(inclined)(或傾斜(oblique))朝向基板100的方向沉積。因此，第一相對電極231可以覆蓋整個第一中間層221並且在第一保護層310的開口中接觸輔助電極130。
參照第13B圖，可以形成第一導電保護層241和第一電極層171。從基板100去除第一遮罩M1，並且將第二遮罩M2設置在基板100上。第二遮罩M2包含對應於顯示區域DA的開口M2-OP，其大於第一遮罩M1的開口M1-OP。第二遮罩M2可以暴露外圍區域PA的一部分，使得第二電源電壓供應線150被暴露。因此，可以暴露輔助電極130的邊緣和第二電源電壓供應線150。
然後，透過沉積具有優異導電性和低WVTR的材料，例如透明導電氧化物，以對應於基板100的整個區域，可以形成第一導電保護層241和第 一電極層171。第一導電保護層241和第一電極層171可以例如透過使用濺射法等形成。
可以形成第一導電保護層241以覆蓋整個第一相對電極231。由於第一導電保護層241的材料可以沿著與基板100垂直或傾斜的方向沉積，所以第一導電保護層241可以形成為覆蓋整個第一相對電極231並且在第一保護層310中的開口中接觸輔助電極130。第一電極層171設置在彼此間隔開的輔助電極130和第二電源電壓供應線150上，以將輔助電極130電連接到第二電源電壓供應線150。
參考第13C圖，可以形成第一絕緣保護層251。從基板100去除第二遮罩M2，並且在基板100上設置第三遮罩M3。第三遮罩M3包含對應於顯示區域DA的開口M3-OP，其小於第二遮罩M2的開口M2-OP。例如，第三遮罩M3的開口M3-OP可以具有與第一遮罩M1的開口M1-OP相同的尺寸。因此，輔助電極130的邊緣以及第二電源電壓供應線150可被第三遮罩M3覆蓋。
然後，可以透過在基板100上沉積無機絕緣材料以對應於基板100的整個區域來形成第一絕緣保護層251。第一絕緣保護層251可以包含氮化矽、氧氮化矽、氧化矽等。第一絕緣保護層251可以透過使用化學氣相沉積法等形成。
由於第一絕緣保護層251的材料沿著與基板100垂直或傾斜的方向沉積，所以第一絕緣保護層251可以覆蓋整個第一導電保護層241並且在第一保護層310的開口中接觸輔助電極130。
然後，透過剝離製程去除第一保護層310。例如，可以透過使用含有氫氟醚的溶液去除第一保護層310。當去除第一保護層310時，第一保護層310上的第一光敏樹脂層320和沉積在第一光敏樹脂層320上的材料一起被去除。因此，第一中間層221、第一相對電極231、第一導電保護層241和第一絕 緣保護層251保留在第一像素電極211上。將輔助電極130連接到第二電源電壓供應線150的第一電極層171保留在外圍區域PA中。
第14A圖至第14C圖係繪示在對應於第二像素的區域中執行的圖案化製程。
參照第14A圖，形成包含對應於第二像素電極212的開口的第二保護層410，並且在第二保護層410上形成第二光敏樹脂層420。第一遮罩M1'可以覆蓋外圍區域PA並且包含對應於顯示區域DA的開口M1'-OP。第二保護層410由非光敏材料形成，例如氟化樹脂。以上參考第一保護層310提供了其詳細描述。
然後，在其上設置有第二保護層410和第二光敏樹脂層420的基板100上形成第二中間層222和第二相對電極232。第二中間層222和第二相對電極232的材料可以各自設置在第二像素電極212上，以及設置在第二光敏樹脂層420上或第一遮罩M1上。以上參考第3圖描述了第二中間層222和第二相對電極232的材料。
由於第二相對電極232的材料可以沿著與基板100垂直或傾斜的方向沉積，所以第二相對電極232可以形成為覆蓋整個第二中間層222並且在第二保護層410的開口中接觸輔助電極130。
參照第14B圖，可以形成第二導電保護層242和第二電極層172。從基板100去除第一遮罩M1'，並且在基板100上設置第二遮罩M2'。第二遮罩M2'包含對應於顯示區域DA的開口M2'-OP，其大於第一遮罩M1'的開口。第二遮罩M2'可以暴露外圍區域PA的一部分，使得第二電源電壓供應線150被暴露。因此，對應於輔助電極130的邊緣和第二電源電壓供應線150的區域可以暴露於外部。
然後，對應於基板100的整個區域沉積具有優異導電性和WVTR特性的材料，例如透明導電氧化物，從而形成第二導電保護層242和第二電極層172。第二導電保護層242和第二電極層172可以例如透過使用濺射法等形成。
可以形成第二導電保護層242以覆蓋整個第二相對電極232。由於第二導電保護層242的材料可以沿著與基板100垂直或傾斜的方向沉積，所以第二導電保護層242可以形成為覆蓋整個第二相對電極232並且在第二保護層410讀開口中接觸輔助電極130。第二電極層172可以設置在第一電極層171上。第二電極層172和第一電極層171可以將輔助電極130電連接到彼此間隔開的第二電源電壓供應線150。
參考第14C圖，可以形成第二絕緣保護層252。從基板100去除第二遮罩M2'，並且在基板100上設置第三遮罩M3'。第三遮罩M3'包含開口M3'-OP比第二遮罩M2的'小，並且可以覆蓋外圍區域PA。因此，輔助電極130的邊緣和第二電源電壓供應線150可以被第三遮罩M3'覆蓋。
然後，可以透過沉積與基板100的整個區域相對應的無機絕緣材料來形成第二絕緣保護層252。第二絕緣保護層252可以包含氮化矽、氮氧化矽、氧化矽等。第二絕緣保護層252可以透過使用化學氣相沉積法等形成。由於第二絕緣保護層252的材料可以沿著與基板100垂直或傾斜的方向上沉積，所以第二絕緣保護層252可以形成為覆蓋整個第二導電層242並且在第二保護層410的開口中接觸輔助電極130。
然後，透過剝離製程去除第二保護層410。如上參考第13C圖所述，可以透過使用含有氫氟醚的溶液去除第二保護層410。當去除第二保護層410時，第二保護層410上的第二光敏樹脂層420和沉積在第二光敏樹脂層420上的材料一起被去除。因此，第二中間層222、第二相對電極232、第二導電保護 層242和第二絕緣保護層252保留在第二像素電極212上。第一電極層171上的第二電極層172保留在外圍區域PA中，其中第二電極層172可以將輔助電極130連接到第二電源電壓供應線150。
第15A圖至第15C圖係繪示與第三像素對應的區域中的圖案化製程。
參照第15A圖，形成包含與第三像素電極213對應的開口的第三保護層510，並且在第三保護層510上形成第三光敏樹脂層520。第一遮罩M1"可以覆蓋外圍區域PA並具有對應於顯示區域DA的開口M1"-OP。第三保護層510由非光敏材料形成，例如氟化樹脂。以上參考第一保護層310提供了其詳細描述。
然後，在其上設置有第三保護層510和第三光敏樹脂層520的基板100上形成第三中間層223和第三相對電極233。第三中間層223和第三相對電極233的材料可以各自形成在第三像素電極213上，以及第三光敏樹脂層520和第一遮罩M1"上。以上參照第3圖描述了第三中間層223和第三相對電極233的材料。
由於第三相對電極233的材料可以沿著與基板100垂直或傾斜的方向沉積，所以第三相對電極233可以形成為覆蓋整個第三中間層223並且在第三保護層510的開口中接觸輔助電極130。
參照第15B圖，可以形成第三導電保護層243和第三電極層173。從基板100去除第一遮罩M1"，並且將第二遮罩M2"設置在基板100上。第二遮罩M2"可以包含對應於第三像素電極213的開口M2"-OP，其大於第一遮罩M1"的開口，並且可以暴露與第二電源電壓供應線150對應的區域。例如，可以暴露與輔助電極130的邊緣和第二電源電壓供應線150對應的區域。
然後，對應於基板100的整個區域沉積具有優異導電性和WVTR特性的材料，例如透明導電氧化物，從而形成第三導電保護層243和第三電極層173。第三導電保護層243和第三電極層173可以是，例如，透過使用濺射法等形成
可以形成第三導電保護層243以覆蓋整個第三相對電極233。由於第三導電保護層243的材料可以沿著與基板100垂直或傾斜的方向沉積，所以第三導電保護層243可以形成為覆蓋整個第三相對電極233並且在第三保護層510的開口中接觸輔助電極130。第三電極層173可以設置在第二電極層172上。第三電極層173、第一電極層171和第二電極層172可以將輔助電極130電連接到第二電源電壓提供線150。
參考第15C圖，可以形成第三絕緣保護層253。從基板100去除第二遮罩M2"，並且在基板100上設置第三遮罩M3"。第三遮罩M3"包含對應於顯示區域DA的開口M3"-OP。開口M3"-OP可以小於第二遮罩M2"的開口，並且可以覆蓋外圍區域PA。因此，輔助電極130的邊緣和第二電源電壓供應線150可以被第三遮罩M3"覆蓋。
然後，可以透過沉積與整個基板100相對應的諸如氮化矽的無機絕緣材料來形成第三絕緣保護層253。第三絕緣保護層253可以透過使用化學氣相沉積法等來形成
由於第三絕緣保護層253的材料可以沿著與基板100垂直或傾斜的方向沉積，所以第三絕緣保護層253可以形成為覆蓋整個第三導電層243並且在第三保護層510的開口中接觸輔助電極130。
然後，當透過剝離製程去除第三保護層510時，第三中間層223、第三相對電極233、第三導電保護層243和第三絕緣保護層253保留在第三像素電極213上。在第一電極層171和第二電極層172上的第三電極層173保留在 外圍區域PA中，其中第三電極層173可將輔助電極130連接到第二電源電壓提供線150。
第15D圖係繪示第15C圖的圖案化製程的修改實施例。參照第15D圖，在執行參考第15B圖描述的製程之後，當第二遮罩M2"保持原樣時，可以對應於基板100的整個區域沉積無機絕緣材料。在這種情況下，第三絕緣保護層253可以形成在第三導電保護層243上，並且絕緣層180可以形成在第三電極層173上。也就是說，根據參考第12圖至第15B圖以及第15D圖描述的製程形成的顯示裝置可以對應於上面參照第11圖描述的結構。
透過省略上面參照第12圖至第15D圖描述的製程中的一些製程，可以製造上面參考第3圖至第6圖以及第8圖至第10圖描述的顯示裝置。例如，透過省略參考第13B圖和第13C圖描述的製程中的至少一個，參考第14B圖和第14C圖描述的製程中的至少一個，或者參考第15B圖和第15C圖描述的製程中的至少一個製程，或者取決於從覆蓋外圍區域PA的第一遮罩M1至第三遮罩M3中選擇哪一個，可以製造上述參考第8圖至第10圖描述的顯示裝置、或者與第8圖至第10圖的修改實施例相對應的顯示裝置。
根據實施例，可以防止由於經由像素定義層引入雜質而導致的有機發光二極體的劣化。另外，根據實施例，可以在製程期間或之後保護相對電極，並且可以將共用電源電壓穩定地施加到相對電極，其中透過使用保護層(或複數個保護層)、輔助電極，連接電極層等的結構為每個像素圖案化相對電極。
當在基板黏附到遮罩的情況下執行沉積製程時，可能存在遮罩損壞像素定義層的問題。本發明提供的實施例是為了解決包含上述問題的若干問題。一個或多個實施例包含顯示裝置，顯示裝置包含在每個像素中圖案化的相對電極，以及用於向顯示裝置中的相對電極提供共用電源電壓的結構。
這裡已經揭露了例示性實施例，以及雖然使用了特定的術語，但是它們被使用並且將僅被解釋為一般的和描述性的意義，而不是為了限制的目的。在一些情況下，對於本領域具有通常知識者而言顯而易見的是，從本申請所提出的內容中，除非另外具體指出，否則結合特定實施例描述的特徵、特性及/或元件可以單獨使用或與特徵、特性、及/或元件組合使用。因此，本領域之具有通常知識者將會理解，在不脫離如所附申請專利範圍中闡述的本發明的精神和範圍的情況下，可以進行形式和細節上的各種改變。
100:基板
110:絕緣層
120:像素定義層
130:輔助電極
211、212、213:像素電極
221、222、223:中間層
231、232、233:相對電極
OLED1~OLED3:有機發光二極體
PX1~PX3:像素
PC:像素電路

Claims (24)

  1. 一種顯示裝置，包含：一基板，包含一顯示區域和該顯示區域外的一外圍區域；複數個像素電極，在該顯示區域中並且彼此間隔開；一像素定義層，暴露各該像素電極的上表面的一部分，覆蓋各該像素電極的邊緣，並包含無機絕緣材料；一輔助電極，在該像素定義層上；一第一中間層，在各該像素電極中的一第一像素電極上；一第一相對電極，在該第一中間層上；一第二中間層，在各該像素電極中的一第二像素電極上，該第二像素電極與該第一像素電極相鄰；一第二相對電極，在該第二中間層上，透過該輔助電極與該第一相對電極電連接；一電源電壓供應線，在該外圍區域；以及一連接電極層，將該輔助電極電連接到該電源電壓供應線。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中，該電源電壓供應線與該輔助電極彼此間隔開，並且在平面圖中圍繞該輔助電極的一部分。
  3. 如請求項1所述的顯示裝置，其中，該連接電極層位於該輔助電極和該電源電壓供應線上。
  4. 如請求項1所述的顯示裝置，其中，該輔助電極與該像素定義層的上表面直接接觸。
  5. 如請求項1所述的顯示裝置，進一步包含一導電保護層，該導電保 護層覆蓋該第一相對電極或該第二相對電極中的至少一個。
  6. 如請求項5所述的顯示裝置，其中，該導電保護層的寬度大於該第一相對電極或該第二相對電極中的至少一個的寬度，並且該導電保護層與該相對電極及該輔助電極直接接觸。
  7. 如請求項5所述的顯示裝置，其中，該連接電極層的材料與該導電保護層的材料相同。
  8. 如請求項5所述的顯示裝置，其中，該導電保護層包含透明導電氧化物。
  9. 如請求項1所述的顯示裝置，進一步包含一絕緣保護層，該絕緣保護層覆蓋該第一相對電極或該第二相對電極中的至少一個。
  10. 如請求項9所述的顯示裝置，其中，該絕緣保護層包含無機絕緣材料。
  11. 如請求項9所述的顯示裝置，進一步包含覆蓋該連接電極層的一絕緣層，其中該絕緣層包含與該絕緣保護層的材料相同的材料。
  12. 一種顯示裝置，包含：複數個像素電極，設置在一顯示區域中並且彼此間隔開；一像素定義層，暴露各該像素電極的上表面的一部分，覆蓋各該像素電極的邊緣，並包含無機絕緣材料；一輔助電極，在該像素定義層上；一第一中間層及一第一相對電極，兩者皆位於各該像素電極中的一第一像素電極上；一第一導電保護層，在該第一相對電極上；一第二中間層及一第二相對電極，兩者皆位於各該像素電極中的一 第二像素電極上；一第二導電保護層，在該第二相對電極上；以及一電源電壓供應線，設置在該顯示區域外並且電連接到該輔助電極。
  13. 如請求項12所述的顯示裝置，其中，該輔助電極覆蓋該顯示區域並包含與該複數個像素電極對應的複數個孔。
  14. 如請求項12或13所述的顯示裝置，其中，該輔助電極僅位於該像素定義層上。
  15. 如請求項12所述的顯示裝置，其中，該第一導電保護層和該第二導電保護層中的每一個的端部與該輔助電極接觸。
  16. 如請求項12所述的顯示裝置，其中，該第一導電保護層或第二導電保護層中的至少一個包含透明導電氧化物。
  17. 如請求項12所述的顯示裝置，進一步包含分別對應於該第一導電保護層和該第二導電保護層的一第一絕緣保護層和一第二絕緣保護層。
  18. 如請求項17所述的顯示裝置，其中，該第一絕緣保護層和該第二絕緣保護層包含無機絕緣材料。
  19. 如請求項17所述的顯示裝置，其中，該第一絕緣保護層和該第二絕緣保護層中的每一個的端部與該輔助電極接觸。
  20. 如請求項12所述的顯示裝置，其中，該像素定義層進一步包含位於與各該像素電極的端部對應的位置中的隆起。
  21. 如請求項20所述的顯示裝置，進一步包含位於該像素定義層下方的一絕緣層，其中從該絕緣層到該像素定義層中不與各該像素電極重疊的區域 的高度小於從該絕緣層到該隆起的高度。
  22. 如請求項12所述的顯示裝置，其中，該電源電壓供應線與該輔助電極間隔開。
  23. 如請求項22所述的顯示裝置，進一步包含一連接電極層，該連接電極層將該輔助電極電連接到該電源電壓供應線。
  24. 如請求項23所述的顯示裝置，其中，該連接電極層覆蓋該電源電壓供應線，以及覆蓋該輔助電極的邊緣。
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