TWI813572B - 表膜組件、微影裝置及用於微影裝置之動態氣鎖 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種表膜組件，該表膜組件包含一表膜框架，該表膜框架界定一表膜附接至之一表面。該表膜組件包含允許該表膜在應力下擴展之一或多個三維擴展結構。本發明亦關於一種用於一圖案化器件之表膜組件，其包含用於將該表膜組件朝向及遠離該圖案化器件移動之一或多個致動器。

Description

表膜組件、微影裝置及用於微影裝置之動態氣鎖

本發明係關於一種表膜及一種表膜組件。表膜組件可包含表膜及用於支撐表膜之框架。表膜可適合於與用於微影裝置之圖案化器件一起使用。本發明具有結合EUV微影裝置及EUV微影工具之特定(但非獨占式)用途。

微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案自圖案化器件(例如光罩)投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

由微影裝置使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵之最小大小。相比於習知微影裝置(其可例如使用具有193奈米之波長之電磁輻射)，使用為具有在4奈米至20奈米範圍內之波長之電磁輻射的EUV輻射之微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。

在微影裝置中可使用圖案化器件將圖案賦予至輻射光束。圖案化器件可受到表膜保護免於粒子污染。表膜可由表膜框架支撐。

在微影中使用表膜係熟知及公認的。DUV微影裝置中之典型表膜為遠離圖案化器件而定位且在使用時在微影裝置之焦平面之外的隔膜。由於表膜在微影裝置之焦平面之外，故落在表膜上之污染粒子在微影 裝置中係離焦的。因此，污染粒子之影像未被投影至基板上。若表膜不存在，則落在圖案化器件上之污染粒子將投影至基板上且將把缺陷引入至所投影圖案中。

可需要在EUV微影裝置中使用表膜。EUV微影與DUV微影之不同之處在於其通常在真空中執行且圖案化器件通常為反射的而非為透射的。

需要提供克服或減輕與先前技術相關聯的一或多個問題之表膜及/或表膜組件。本文中所描述之本發明之實施例可在EUV微影裝置中具有用途。本發明之實施例亦可在DUV微影裝置或另一形式之微影裝置中具有用途。

根據本文中所描述之一第一態樣，提供一種表膜組件。該表膜組件包含一表膜框架，該表膜框架界定一表膜附接至之一表面。該表膜組件進一步包含允許該表膜在應力下擴展之一或多個三維擴展結構。

以此方式，可增加表膜組件之壽命及可靠度。

該等三維擴展結構中之至少一者可形成於該表膜框架內且藉此被賦予至該表膜。舉例而言，藉由在該表膜框架內形成該等三維擴展結構且將該表膜沈積於該表膜框架頂上，亦可將該等三維擴展結構賦予至該表膜。

該等三維擴展結構中之至少一者可形成一彈簧。舉例而言，一彈簧可包含形成於該表膜框架內之至少一個V形構造。該至少一個結構可包含形成於該表膜框架內且圍繞該表膜之一中心部分而定位之複數個彈簧。該表膜之該中心部分為不與該框架直接接觸的該表膜之一部分。 以此方式，可較準確地控制對表膜內之應力之控制。該至少一個彈簧可為一片彈簧。

該等三維擴展結構中之至少一者可存在於該表膜之該中心部分上。

該框架可包含一基板且該表膜組件可包含介於該基板與該表膜之間的至少一個彈簧層。至少一個彈簧可形成於該彈簧層內。一額外彈簧層進一步增加選擇表膜內之一所要應力之能力。

至少一個三維擴展結構可包含一人字形圖案。該人字形圖案可橫越一整個表膜或在一表膜之一外部(例如非影像場)部分上延伸。

該至少一個三維擴展結構可導致橫越該表膜之一表面之粗糙度。

根據本文中所描述之一第二態樣，提供一種表膜組件，其包含一表膜框架，該表膜框架界定一表膜附接至之一表面。該表面包含用於減小黏接劑散佈之至少一個黏接劑邊界。提供一黏接劑邊界會減小黏接劑散佈之傾向且因此減小圖案化器件與表膜之間的空間之污染。

該至少一個黏接劑邊界可包含一圓形邊界。另外或替代地，該至少一個黏接劑邊界可包含一線邊界。藉由提供圓形邊界，可將黏接劑施加於圓形邊界內，從而致使黏接劑在圓形邊界內散佈及居中，但減小延伸超出該圓形邊界之黏接劑之量。以此方式，有益地增加可施加黏接劑之準確度。

該線邊界可鄰近於該框架之一邊緣而定位，該框架之該邊緣鄰近於該表膜之一中心部分，其中該表膜之該中心部分為不與該表膜框架直接接觸的該表膜之一部分。

該線邊界可定位於該圓形邊界與該表膜之一中心部分之間。

該至少一個邊界可包含該框架內之一凹槽。

該表膜組件可包含與該圓形邊界實質上同心之黏接劑。

根據本文中所描述之一第三態樣，提供一種表膜組件，其包含一表膜框架、一表膜，及用於將該表膜組件朝向及遠離一圖案化器件移動之一或多個致動器。以此方式，可敞開及封閉該表膜與一圖案化器件之間的空間，從而允許處理彼空間。舉例而言，當敞開時，可沖洗該空間，而在封閉時，可密封該空間並將其壓力控制。

該等致動器可經組態以將該表膜組件在一封閉組態與一敞開組態之間轉變，在該封閉組態中，一實質上密封體積形成於該表膜與一圖案化器件之間，且在該敞開組態中，該表膜與該圖案化器件之間的一體積與一周圍環境流體連通。

根據本文中所描述之一第四態樣，提供一種表膜組件，其包含一表膜框架，該表膜框架界定表膜附接至之一表面。該表膜框架包含具有一第一熱膨脹係數(CTE)之一第一材料及具有一第二熱膨脹係數之一第二材料。以此方式，可調整並選擇該表膜框架之總CTE以便減小(或增加)關於該表膜之CTE之差。表膜與表膜框架之間的CTE之差導致在製造期間在處理(諸如退火)之後的表膜內之應力。藉由控制表膜框架之總CTE，可控制表膜內之應力之量。

該第一材料可包含矽。該第一材料可包含複數個穿孔且該第二材料位於該複數個穿孔內。在其他實施例中，該第一材料可包含一或多個通道，且該第二材料可提供於該一或多個通道內。

該第二材料可至少部分地環繞該第一材料。

該第二材料可包含一金屬。舉例而言，該第二材料可包含鋁及/或鉬。

根據本文中所描述之一第五態樣，提供一種表膜組件，其包含一表膜框架，該表膜框架界定表膜附接至之一表面，其中該表膜框架接合至該表膜。該表膜可為一經退火之表膜且該框架可在此退火之後接合至該表膜。

該表膜框架可包含一熱膨脹係數(CTE)低於矽之CTE的一材料。舉例而言，該表膜框架可包含一玻璃陶瓷材料，諸如ZERODUR®。

該表膜框架可以使用在小於大致160攝氏度之一溫度下操作的一接合程序而接合至該表膜。以此方式，可使用包含矽之表膜框架，同時在表膜內達成大致200MPa的非操作應力(亦即預應力)。該表膜框架可已使用光學接觸接合、氫接合、金擴散接合或陽極接合中之至少一者而接合至該表膜。應瞭解，可使用任何其他接合方法，其中一特定接合方法在在製造之後會導致表膜內之所要預應力的溫度下進行操作。僅作為實例，接合之其他實例包括機械(例如螺栓、固定件等)、陶瓷生坯接合(其中呈生坯狀態之陶瓷材料之兩個片件接合在一起且在燒結期間改變成整體式部分，且關於該陶瓷生坯接合，另一常見術語為共點火接合)、直接接合、玻璃接合、原子擴散接合及雷射切除輔助接合。

該表膜框架可以單一片件形成。亦即，該表膜框架可使得其不包含已連接(例如經由黏接劑或機械保留構件)以便形成整體之複數個片件。以此方式，表膜組件之構件之間的許多界面減小，藉此減小微粒污 染。

該表膜框架可包含用以減小除氣之一惰性塗層。

以上態樣中之任一者之表膜可包含二矽化鉬(MoSi₂)。該表膜內之應力可在100MPa至250MPa之範圍內，例如在室溫下大致200MPa。

該表膜可包含一基於石墨之材料。該表膜內之應力可在300MPa至450MPa之範圍內，例如在室溫下大致400MPa。

根據本文中所描述之一第六態樣，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影裝置。根據任何前述態樣之一表膜係在該圖案化器件附近定位以防止粒子接觸該圖案化器件。

根據本文中所描述之一第七態樣，提供一種製造一表膜組件之方法。該方法包含：將一表膜沈積至一基板上；將一表膜框架接合至該表膜使得該表膜係介於該表膜框架與該基板之間；蝕刻該基板以留下該表膜及該表膜框架。

該表膜框架可在低於160攝氏度之一溫度下接合至該表膜。

該方法可進一步包含在將該表膜沈積至一基板上之後且在將一表膜框架接合至該表膜之前使該表膜退火。

根據本文中所描述之一第八態樣，提供一種表膜組件，其包含一表膜框架，該表膜框架界定一表膜附接至之一表面，其中一電腦可讀及可寫追蹤器件提供於該表膜框架上或該表膜框架中。

該追蹤器件可經組態以儲存該表膜及/或該表膜組件之一唯一識別符。

該追蹤器件可經組態以儲存指示該表膜之使用歷史及/或對彼表膜特定之資訊，諸如離線量測之參數(例如透射率、反射率等)的操作資料。

根據本文中所描述之一第九態樣，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影裝置，該微影裝置包含一包含一處理器之控制器，該處理器經組態以執行電腦可讀指令以致使一收發器配置自根據該第八態樣之一表膜組件之一追蹤器件讀取並寫入至該追蹤器件。

該等電腦可讀指令可經組態以致使該處理器自該追蹤器件獲得一或多個操作資料項且判定該一或多個操作資料項是否超過一臨限值。

該等電腦可讀指令可經組態以致使該處理器回應於判定出該一或多個操作資料項超過一臨限值而使該微影裝置卸載該表膜組件。

該等電腦可讀指令可經組態以致使該處理器使該收發器配置將指示該表膜組件已被卸載之資料寫入至該追蹤器件。

該等電腦可讀指令可經組態以致使該處理器回應於判定出該一或多個操作資料項並不超過該臨限值，而使該收發器在該微影裝置之使用期間將操作資料記錄於該追蹤器件上。

根據本文中所描述之一第十態樣，提供一種表膜組件，該表膜組件包含一表膜框架，該表膜框架界定一表膜附接至之一表面，其中該表膜經組態以在使用中展現一或多個皺折，其中該一或多個皺折經組態以將一入射輻射光束之一部分反射遠離一基板。

該表膜可經組態成使得該等皺折產生與由圖案化器件之表 面界定之一平面成大於35mrad的一最大角度。

該表膜可經組態成使得該等皺折產生與由該圖案化器件之該表面界定之一平面成小於300mrad的一最大角度。

該表膜可經組態以在使用期間反射大致0.4%的一入射輻射光束。

根據本文中所描述之一第十一態樣，提供一種表膜組件，其包含：一表膜框架，其界定一表膜附接至之一表面；及一或多個抗張層，其提供於該表膜之一表面上且向內延伸超出該表膜框架之一內部邊緣。該一或多個抗張層用以既強化該表膜組件又維持該表膜中之張力。

該一或多個抗張層中之至少一者可提供於該表膜之一頂面上使得該表膜定位於該抗張層與該框架之間。該一或多個抗張層中之至少一者可提供於該表膜之一底面上。該一或多個抗張層可包含提供於該表膜之一頂面上之一第一抗張層，及提供於該表膜之一底面上之一第二抗張層。

該一或多個抗張層中之至少一者包含自該表膜框架之該內部邊緣向內延伸之一第一部分，及自該表膜框架之該內部邊緣向外延伸之一第二部分，其中該第二部分長於該第一部分。以此方式，該抗張層之大部分可與該表膜框架連通(直接地或經由該表膜)，藉此進一步強化該表膜組件。

該一或多個抗張層中之至少一者可包含一多層結構。

根據本文中所描述之一第十二態樣，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影裝置，其包含根據該第十一態樣之表膜組件。

根據本文中所描述之一第十三態樣，提供一種用於一微影裝置之動態氣鎖，其包含根據上文所闡明的表膜組件中之任一者之表膜組件。

應瞭解，結合以上所描述之態樣中之一或多者所描述的特徵可與其他態樣組合地利用。

10:琢面化場鏡面器件

11:琢面化光瞳鏡面器件

15:表膜組件

17:表膜框架/晶圓

19:表膜

22:附接機構

24:經圖案化表面

26:污染粒子

35:表膜組件

36:凹口

36':片彈簧

37:凹口

37':片彈簧

38:基板

39:框架

40:凹口

41凹口

42:影像場

43:凹口

51:鋸形缺口

52:鋸形缺口

53:基板

54:彈簧層

55:表膜組件

56:屏蔽層

57:表膜層

58:擴展結構

59:擴展結構

70:框架

71:彈簧

72:支撐表膜

75:表膜框架

80:隔膜

80':人字形結構

81:外部界限

90:表膜組件

91:表膜

92:影像場部分

93:人字形部分

100:表膜組件

101:表膜

102:影像場部分

120:表膜

121:軸線

122:軸線

130:弓形基板

131:表膜

140:弓形基板

141:表膜

150:矽基板

151:表膜

152:低溫電漿增強型化學氣相沈積(PECVD)氧化物層

161:表膜層

170:表膜組件

171:表膜框架

172:圓形邊界

173:額外邊界

174:內部邊緣/內部邊界

180:黏接劑

181:黏接劑

190:表膜組件

191:表膜框架

192:表膜

193:表面

200:矽晶圓

201:邊界區

202:區

203:複合區

210:連續帶

215:穿孔

220:填充物材料

221:矽基板

222:表膜框架

223:表膜組件

224:表膜

231:表膜

232:基板

234:表膜框架

302:表膜

304:輻射光束

306:經圖案化輻射光束

308:基板

310:反射部分

402:表膜

500:表膜組件

502:表膜框架

504:表膜

506:抗張層

506a:第一部分

506b:第二較大部分

508:向內邊緣

510:表膜組件

512:抗張層

512a:第一部分

512b:第二較大部分

514:表膜組件

B:極紫外線(EUV)輻射光束

IL:照明系統

LA:微影裝置

MA:圖案化器件/光罩

MT:支撐結構

P₁:壓力/環境壓力

P₂:壓力

PS:投影系統

SO:輻射源

W:基板

W_h:皺折高度

WT:基板台

α:角度

現在將僅作為實例參看隨附示意性圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中：- 圖1示意性地描繪包含微影裝置之微影系統，該微影裝置包括表膜組件；- 圖2示意性地描繪表膜組件；- 圖3(包含圖3a、圖3b及圖3c)示意性地描繪表膜組件之建構的階段，該表膜組件具有擴展結構以允許在應力下擴展表膜；- 圖4以俯視圖示意性地描繪圖3之表膜；- 圖5為展示表膜中之應力如何隨著圖3中所展示之擴展結構之勁度而變化的曲線圖；- 圖6(包含圖6a、圖6b、圖6c及圖6d)示意性地描繪具有不同擴展結構之表膜組件之建構的階段；- 圖7示意性地描繪具有複數個擴展結構之表膜組件；- 圖8描繪經蝕刻以提供在兩個維度中起作用之擴展結構的基板；- 圖9(包含圖9a及圖9b)描繪具備人字形擴展結構之基板；- 圖10示意性地描繪沿著表膜組件之邊緣部分具有人字形擴展結構的表膜組件； - 圖11示意性地描繪橫越表膜之表面具有人字形擴展結構的表膜組件；- 圖12示意性地描繪具有人字形擴展結構之表膜；- 圖13(包含圖13a、圖13b及圖13c)示意性地描繪為了減小表膜張力之表膜組件之機械彎曲；- 圖14(包含圖14a、圖14b及圖14c)示意性地描繪為了增加表膜張力之表膜組件之機械彎曲；- 圖15示意性地描繪具有藉由表面粗糙度提供之擴展結構之表膜的建構；- 圖16示意性地描繪具有藉由表面粗糙度提供之擴展結構之表膜的替代建構；- 圖17示意性地描繪包含黏接劑邊界之表膜框架；- 圖18(包含圖18a及圖18b)描繪包含黏接劑邊界之表膜框架；- 圖19a描繪處於敞開組態中之表膜組件；- 圖19b描繪處於封閉組態中之表膜組件；- 圖19c描繪在沖洗周圍體積之後的圖19b之表膜組件；- 圖20a至圖20c示意性地描繪根據一實施例之製造表膜框架的階段；- 圖21a至圖21b示意性地描繪表膜框架之替代實例；- 圖22示意性地描繪根據一實施例之具有表膜框架的表膜組件；- 圖23a至圖23b示意性地描繪根據另一實施例之製造表膜組件的階段；- 圖24為指示在圖23中所描繪之方法中表膜內之預應力相對於接合 溫度如何改變的曲線圖；- 圖25示意性地描繪來自表膜之輻射朝向基板之反射；- 圖26示意性地描繪來自起皺表膜之輻射遠離基板之反射；及- 圖27a至圖27c示意性地描繪藉由施加至少一個抗張層而強化之表膜組件的實例配置。

圖1展示根據本文中所描述之一個實施例的包括表膜組件15之微影系統。該微影系統包含輻射源SO及微影裝置LA。輻射源SO經組態以產生極紫外線(EUV)輻射光束B。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA(例如光罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節該輻射光束B。投影系統經組態以將輻射光束B(現在由光罩MA而圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此種狀況下，微影裝置將經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。

輻射源SO、照明系統IL及投影系統PS可皆經建構及配置成使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下之氣體(例如氫氣)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。在充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。

輻射源SO可採取任何形式，且可例如屬於可被稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。在替代實例中，輻射源SO可包含一或多個自由電子雷射。該一或多個自由電子雷射可經組態以發射可提供至一或多個微影 裝置之EUV輻射。

輻射光束B自輻射源SO傳遞至照明系統IL中，該照明系統經組態以調節輻射光束。照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起向輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要角度分佈。輻射光束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化器件MA上。圖案化器件MA受到表膜19保護，該表膜係由表膜框架17固持於適當的位置。表膜19及表膜框架17一起形成表膜組件15。圖案化器件MA(其可例如為光罩)反射並圖案化輻射光束B。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或器件。

在自圖案化器件MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面，該複數個鏡面經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射光束，從而形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用為4之縮減因數。入射於基板W上之經圖案化輻射光束可包含輻射帶。輻射帶可被稱作曝光隙縫。在掃描曝光期間，基板台WT及支撐結構MT之移動可使得曝光隙縫遍及基板W之曝光場而行進。儘管投影系統PS在圖1中具有兩個鏡面，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如六個鏡面)。

圖1所展示之輻射源SO可包括未說明之構件。舉例而言，光譜濾光器可提供於輻射源中。光譜濾光器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線輻射。

如上文簡要地描述，表膜組件15包括鄰近於圖案化器件MA而提供之表膜19。表膜19提供於輻射光束B之路徑中使得輻射光束B在其自照明系統IL接近圖案化器件MA時及在其由圖案化器件MA朝向投影系統PS反射時兩種情況下傳遞通過表膜19。表膜19包含對EUV輻射實質上透明的表膜(但其將吸收少量EUV輻射)。表膜19用以保護圖案化器件MA免於粒子污染。表膜19在本文中可被稱作EUV透明表膜。

儘管可努力維持微影裝置LA內部之清潔環境，但粒子可仍存在於微影裝置LA內部。在不存在表膜19之情況下，粒子可沈積至圖案化器件MA上。圖案化器件MA上之粒子可不利地影響被賦予至輻射光束B之圖案且因此影響轉印至基板W之圖案。表膜19在圖案化器件MA與微影裝置LA中之環境之間提供障壁以便防止粒子沈積於圖案化器件MA上。

在使用中，表膜19定位成與圖案化器件MA相隔某距離，該距離足以使得入射於表膜19之表面上之任何粒子並不在輻射光束B之焦平面中。表膜19與圖案化器件MA之間的此分離度用以減小表膜19之表面上之任何粒子將圖案賦予至輻射光束B之範圍。應瞭解，在粒子存在於輻射光束B中但處於不在輻射光束B之焦平面中的位置處(亦即不在圖案化器件MA之表面處)的情況下，則該粒子之任何影像將在基板W之表面處焦點未對準。在一些實施例中，表膜19與圖案化器件MA之間的分離度可例如介於2mm與3mm之間(例如約2.5mm)。在一些實施例中，如下文更詳細地描述，表膜19與圖案化器件之間的分離度可為可調整的。

圖2為以橫截面且更詳細地對表膜組件15及圖案化器件MA進行的示意性說明。圖案化器件MA具有經圖案化表面24。表膜框架17圍繞表膜19之周邊部分支撐表膜19。表膜框架17可包括附接機構22，該附 接機構經組態以允許表膜框架以可移除方式可附接至圖案化器件MA(亦即允許表膜框架可附接至圖案化器件MA及自圖案化器件MA可拆卸)。附接機構22經組態以與提供於圖案化器件MA上之附接特徵(圖中未繪示)嚙合。舉例而言，附接特徵可為自圖案化器件MA延伸之突起部。附接機構22可例如包含與突起部嚙合且將表膜框架17緊固至圖案化器件MA之鎖定部件。應注意，雖然在本文中被稱作表膜框架，但表膜框架17在別處可被稱作表膜邊界。另外，表膜框架17(或「邊界」)可經由另一表膜框架附接至光罩。舉例而言，參看專利申請案第WO 2016079051 A2號之圖4B，其展示包含表膜隔膜19、邊界部分20(其可在一些配置中對應於本申請案之「框架17」之位置處的一般(但非特定)構件)及待經由如WO 2016079051之圖12及31中所展示之附接機構附接至圖案化器件MA的額外框架17的配置。可提供複數個附接機構及相關聯附接特徵。附接機構可圍繞表膜框架17而分佈(例如，兩個附接機構在框架之一側上且兩個附接機構在框架之相對側上)。相關聯附接特徵可圍繞圖案化器件MA之周邊而分佈。

圖2示意性地展示污染粒子26。污染粒子26入射於表膜19上且由表膜19固持。表膜19固持污染粒子充分遠離光罩MA之經圖案化表面24，使得其並未藉由微影裝置LA成像至基板上。

根據本發明之一實施例之表膜組件可允許提供在使用期間保持實質上無缺陷的光罩圖案(在圖案化器件上)(該光罩圖案受保護免受表膜污染)。

表膜組件15可藉由將表膜19(其可由例如多晶矽(pSi)製成)沈積於待提供框架17之基板正上方予以建構。基板可例如為矽晶圓。在沈積表膜19之膜之後，可選擇性地回蝕基板以移除基板之中心部分且僅留下 外部周邊，從而形成用以支撐表膜19之框架17。表膜19之厚度可謂例如大約15nm至50nm。

表膜19需要「預應力」位準(亦即，當不在使用中時存在於表膜19內且因此在掃描操作期間不經受輻射及氣體壓力的應力位準)。表膜19內之預應力允許表膜19耐受由在掃描操作期間之溫度及氣體壓力改變引起的壓力差。然而，在預應力過大的情況下，此將減小表膜組件15之總體壽命。因而，需要給出表膜19最小預應力(在所描繪之x-y平面中)以便限制在表膜19上在給定壓力下的偏轉(在y方向上)。當表膜19在y方向上之偏轉過大時，表膜19可能破裂及/或觸摸表膜19之周圍區域中之其他構件。

表膜19之預應力較佳受限的，此係由於表膜19之應力較佳顯著低於從中形成表膜19之材料之最終張應力或屈服強度。預應力與最終張應力之間的裕度應儘可能地大，從而增加表膜19之壽命及可靠度。

可經由一或多個機制將預應力併入表膜19中，該一或多個機制包括化學計量、氫化、控制晶體大小、摻雜及在表膜19沈積至晶圓17上期間之熱膨脹係數(CTE)之選擇性失配。表膜19亦可包含多個層(例如用以保護表膜19免於例如氫自由基之罩蓋層)。歸因於表膜組件15之表膜19部分之層之間的CTE失配及可供沈積表膜19之不同層之異質磊晶製程，多層表膜19之每一層中之應力可不同。

使用化學計量、氫化、晶體大小選擇(亦即晶界之數目)、摻雜及其他因素皆可影響表膜19之層之化學穩定性。通常，雖然用以製造表膜19之製程可導致所要預應力(其中所要預應力相對高)，但使用以上所概述技術係使得自熱化學觀點，表膜19可能不具有最穩定組態。舉例而 言，自二矽化鉬(MoSi₂)建構之表膜依據預應力按指數律地較快速氧化。此外，在以互補金氧半導體(CMOS)為基礎之製造製程中使用上文所概述之方法通常難以獲得低於600MPa之值的預應力。在一些實施例中，獲得預應力大約為大致100MPa至200MPa之表膜19係理想的。

另外，表膜框架17與表膜19相比係大體上不可撓的，從而除了所要預應力以外亦導致內應力。因而，表膜19內例如為100MPa之預應力實際上可為100MPa之預應力±由表膜框架15造成的偏差。換言之，表膜19之一些部分可處於比其他部分更高的應力下，從而在表膜19中產生較大的機械弱點。

表膜19內之平均預應力在所描繪之x維度及y維度兩者上大體上相同。在一實施例中，需要防止具有高(大約300mrad)角度之皺折(在x-y平面與z維度之間)。一種用以減小具有高角度之局部皺折之方式係藉由減小在掃描(x)方向上之預應力。為了防止在靜止期間屈曲，在掃描(x)方向上之應力僅需要少量大於柏松比v(針對MoSi₂大致為0.17至0.25)乘以在y方向上之應力σ_y-亦即：σ_x=v*σ_y。

在曝光期間，在非掃描(y)方向上之應力σ_y將比在掃描(x)方向上之應力σ_x較快速下降大致十倍。然而，因為σ_x將比v*σ_y低得多，所以可在表膜19上發生於曝光隙縫內之屈曲模式將具有低階，因此發生局部高皺折角度之機會亦較低。最低階屈曲模式為正弦之一個週期，亦即單個皺折。需要能量來將表膜19拉成高階屈曲模式(亦即使得表膜19含有多個皺折)。存在之能量愈高，歸因於例如表膜192中之缺陷，局部地表膜192將被拉成高角度(局部)的機會愈高。因而，在實施例中，使用本文所描述 技術可減小在掃描方向上之預應力之量。

需要將表膜19之內部微結構與表膜19內之預應力解耦。亦即，以機械方式(或非固有地)控制表膜19中之預應力，而非經由表膜19之固有微結構控制表膜19中之預應力係有益的。此允許將表膜19製造為使得儘可能化學上惰性的，同時仍允許將表膜19內之預應力調節至所要位準。

圖3示意性地說明根據一實施例之製造表膜組件35的階段。藉由將兩個凹口36、37蝕刻至將提供框架之基板38(例如矽晶圓)中來製造表膜組件35，如圖3a中所展示。將表膜19沈積至有凹口基板38上，如圖3b中所展示。接著回蝕基板38以提供具有框架39之表膜組件35，如圖3c中所展示。在回蝕之後，凹口36、37導致包含呈片彈簧(例如v形構造)36'、37'之形式的兩個擴展結構之框架39。片彈簧36'、37'減小表膜19在x維度(亦即掃描方向)上之預應力。

可藉由調整凹口36、37之深度(亦即其在z維度中之範圍)及其在基板38之x-y平面上之位置來控制片彈簧36'、37'之長度及厚度。以此方式，可控制由片彈簧36'、27'提供之應力減小。另外，可在掃描(x)維度及非掃描(y)維度兩者上獨立調整片彈簧之勁度。舉例而言，如圖4中所描繪，可將凹口定位於基板上以提供在掃描方向(x)上比在在非掃描方向(y)上低的應力。詳言之，在圖4中，凹口40、41經定位成較接近於(在x維度中)所要影像場42，藉此得到相對靈活的片彈簧，而凹口43、44可經定位成較遠離所要影像場42(在y維度中)，從而產生較硬片彈簧。

圖5為展示表膜中之應力依據片彈簧(諸如片彈簧36'、37')之勁度如何變化的曲線圖。自圖5可看到，藉由使片彈簧36'、37'之勁度 變化，有可能在寬頻帶內控制表膜內之預應力。

因此，使用一或多個擴展結構可增加在生產之後的表膜內之預應力與彼表膜之最終張應力之間的裕度，藉此改良表膜之壽命及可靠度。另外，在表膜出現嚴重故障的情況下，經由擴展結構達成之減小之張力意謂較少彈性能量儲存於表膜內。因而，表膜之破裂將會導致表膜片件將被發射至微影裝置之其他區域中的可能性較低。

應瞭解，雖然圖3及圖4描繪包含單個凹口之擴展結構，但具有額外凹口及/或其他圖案之擴展結構可經蝕刻至從中形成表膜框架之基板中，以便提供具有不同屬性之擴展結構。以此方式，可提供具有不同預應力之表膜。在一些實施例中，可將其他層用於製造表膜組件以便提供較複雜擴展結構。舉例而言，圖6示意性地說明表膜組件55(圖6d)之製造階段。藉由將鋸形缺口51、52蝕刻至基板53(例如矽晶圓)中來製造表膜組件55。將彈簧層54沈積至基板53上使得彈簧層54被收納於基板內且採取鋸形缺口51、52之形式。舉例而言，彈簧層54可由諸如銅、金、銀等之金屬形成。在其他實施例中，彈簧層54可由諸如SiOx、SiN或MoSi之其他材料形成。屏蔽層56在所要影像場上方沈積於基板53與彈簧層54之間。屏蔽層53無需沈積於鋸形缺口51、52內。在沈積彈簧層54之後移除屏蔽層53導致圖6c中所說明之配置，在該圖中彈簧層54被限定至大體上在鋸形缺口51、52內之區域。將表膜層57沈積至彈簧層54及基板53上。回蝕基板53會提供具有兩個擴展結構58、59之表膜組件55。除了鋸形缺口51、52之屬性(例如深度、寬度)以外，亦可選擇彈簧層54之屬性從而獲得表膜57內之所要預應力，且可達成具有極低勁度位準之表膜框架。應瞭解，雖然在圖6之例示性配置中描繪單個彈簧層54，但在其他實施例中， 可提供多於一個彈簧層。在提供多於一個彈簧層的情況下，可提供具有不同材料之彈簧層。

在一些實施例中，可蝕刻基板及/或彈簧層以便將擴展結構彼此隔離。在理論上理想之配置中，可藉由無窮大數目個擴展結構(例如彈簧)自表膜框架懸掛表膜，每一擴展結構皆不具有與擴展結構之任何其他者之內部連接。雖然不可能提供無窮大數目個擴展結構，但自本文中之教示應瞭解，可在以上所描述之通用技術內利用不同蝕刻圖案以將每一擴展結構與每個其他擴展結構彼此隔離。圖7示意性地說明表膜框架75之俯視圖，其中框架70已經蝕刻以提供支撐表膜72的呈彈簧71之形式的複數個經隔離擴展結構。

雖然以上實例已描述在單一維度中進行操作、在圖3及圖6中沿著x軸擴展及收縮之擴展結構，但在其他實施例中，可形成在複數個維度中起作用以便控制在x及z兩個維度中在表膜內之應力的擴展結構。圖8為展示已經蝕刻以提供在所描繪之x及z兩個維度中起作用的擴展結構之基板之透視圖的像片。

在一實施例中，可蝕刻表膜框架以提供被稱作「人字形」圖案的圖案，該圖案在x-y平面、z-y平面及z-x平面中包含類鋸齒(或鋸齒形)結構。圖9a為說明具有以虛線輪廓81示意性地描繪之外部界限之隔膜80的像片。參看圖9b，隔膜80已經摺疊以提供人字形結構80'。可看到，藉由人字形結構80'，隔膜80小於外部界限81。

人字形結構可以複數種方式用於表膜組件內。在一項實施例中，將人字形結構施加至表膜組件之外部部分。參看圖10，表膜組件90包含表膜91，該表膜具有影像場(或中心)部分92，及表膜組件90之框架 (或邊緣)部分上之呈人字形部分93之形式的擴展結構。在圖10中，以影線示意性地說明人字形結構。人字形經圖案化邊緣部分93可根據以上參看圖6所描述之技術例如使用不同蝕刻圖案予以建構。

在另一實施例中，表膜之整個表面可形成為包含人字形結構。參看圖11，其展示表膜組件100，其中整個表膜101(包括影像場部分102)包含人字形結構(以影線示意性地說明)。藉由形成具有人字形結構之整個表膜101，如在圖11之例示性配置中一樣，表膜101之整個表面促成橫越表膜101之預應力減小。在測試中，已使用有限元素法來模型化具有人字形圖案之表膜，其結果已展示出：相比於不具有人字形結構之表膜，表膜內之平均應力可減小了多於10倍，而由表膜之任何部分經歷之最大應力減小了多於6倍。

在橫越表膜之整個表面(或表膜之表面之至少大部分)施加人字形結構的情況下，表膜可形成為具有0Pa之總預應力。在一例示性實施例中，平面外結構(亦即擴展結構在z維度中之範圍)大約為0.1mm至0.5mm，且人字形圖案具有為0.2mm至1mm之空間頻率。在此實施例中，由於由人字形結構(相比於扁平表膜)提供之額外表面積比在生產期間之表膜之收縮率大若干數量級，故表膜在建構之後將不具有預應力。出人意料地，雖然不具有預應力之表膜通常在使用期間將不可接受地下垂(亦即導致表膜上之粒子被帶入至焦平面中之下垂)，但已發現，人字形結構具有額外益處，此係因為其相比於扁平表膜在至少一個方向上將相當大彎曲勁度引入至表膜。參看圖12，說明具有人字形結構之表膜120。表膜120之人字形結構提供相對較高彎曲勁度以圍繞軸線121彎曲，從而導致表膜120之下垂減小，其中圍繞軸線122之彎曲勁度較低。由人字形結構引入 之彎曲勁度抑制在使用期間之平面外偏差(例如在z維度中之下垂)。

因此，橫越整個表膜或在表膜之外部(例如框架、邊緣或非影像場)部分上使用包含人字形結構之一或多個擴展結構可增加在生產之後的表膜內之預應力與彼表膜之最終張應力之間的裕度，藉此改良表膜之壽命及可靠度。另外，在表膜出現嚴重故障的情況下，經由人字形結構達成之減小之張力意謂較少彈性能量儲存於表膜內。因而，表膜之破裂將會導致表膜片件將被發射至微影裝置之其他區域中的可能性較低。

可使用大體上在上文所闡明之方法而在表膜內形成人字形圖案。亦即，可在將表膜沈積於基板(例如矽晶圓)上之前且在回蝕基板之前首先將人字形圖案蝕刻至基板中。相比於以上參看圖3及圖6所描述之方法，為了橫越表膜之整個表面提供人字形件，可預蝕刻基板之整個表面，而非僅預蝕刻基板之將形成表膜框架的外部部分。在其他實施例中，可藉由僅在吾人預期到表膜將在使用期間經受熱負荷的情況下引入人字形圖案之局域化部分來調節表膜中之應力。

在一實施例中，可在將表膜材料沈積至基板上之前經由基板之機械彎曲來控制表膜內之應力。舉例而言，參看圖13a，可以機械方式將基板130彎曲成弓形。可將表膜131沈積至弓形基板130之外部(凸)表面上(圖13b)。最後，可釋放基板130內之機械負荷，藉此將機械壓縮引入至表膜131中(圖13c)。歸因於機械壓縮被引入至表膜131中，在另外生產步驟(例如背蝕、退火等)之後的表膜131內之張力與表膜131沈積至最初扁平基板上之情形相比將較低。

在將表膜材料沈積至基板上之前之基板之彎曲亦可用以增加張力。舉例而言，參看圖14a，可以機械方式將基板140彎曲成弓形。 可接著將表膜141沈積至弓形基板140之內部(凹)表面上(圖14b)。最後，可釋放基板140內之機械負荷，藉此引入機械張力。

在一些實施例中，可以與「史東納(Stoney)方程式」類似地計算機械地添加或自表膜移除的依據在製造期間供沈積表膜之基板之曲率半徑而變化的應力：

其中E_s為基板之楊氏模量、h_s為基板之厚度、h_f為表膜之厚度、v_s為基板之柏松比且R為已經由彎曲機械地引入之基板之曲率半徑。然而，應瞭解，所添加或移除之應力之量可不同且可較小。

應理解，經由機械彎曲而控制表膜內之應力不限於單層，且可與沈積於基板上之表膜之每一額外層一起複製。以此方式，可視需要調節表膜之個別層之應力。另外，使用機械彎曲可用以控制在多於一個方向上之應力。舉例而言，基板可在不同方向上機械地彎曲。針對表膜之不同層，彎曲方向可不同。

另外，可提供回饋迴路，其中提供感測器(圖中未繪示)以量測在表膜之沈積期間隨著表膜層較厚地生長而出現的力。可接著基於回饋控制基板之機械彎曲，以保證貫穿表膜層之整個厚度之相同應力。表膜之第一原子層中之回饋可尤其有益，此係因為應力在第一原子層中與在表膜之「本體」中不同地產生。

上文參看圖11、圖12已描述可橫越表膜表面整體產生人字形圖案。在一替代實施例中，可在製造期間將其他圖案或隨機「粗糙度」引入至表膜中以便降低表膜之最終預應力。與以上所描述之方法相似地，為了將「粗糙度」引入至表膜中，可將粗糙度引入至該表膜待沈積之基板 之表面上。可使用許多機制以將粗糙度引入至基板之表面上。舉例而言，參看圖15，可將低溫電漿增強型化學氣相沈積(PECVD)氧化物層152(例如二氧化矽)提供於矽基板150之表面上。PECVD氧化物層152提供背面「蝕刻終止」層，表膜151沈積於該背面「蝕刻終止」層上。低溫PECVD氧化物具有比矽大得多的固有粗糙度。表膜151在其沈積於PECVD氧化物層152上時將呈現此粗糙度。

在其他實施例中，氫氧化鉀(KOH)可用以蝕刻表膜待沈積至之矽基板之表面。詳言之，可首先將抗蝕劑沈積至矽基板上且使用微影運用圖案來圖案化經沈積抗蝕劑。舉例而言，可在抗蝕劑內形成棋盤形圖案。在抗蝕劑內以微影方式形成圖案之後，可(例如使用KOH)蝕刻矽。舉例而言，可蝕刻矽以產生逆金字塔形狀，該等逆金字塔形狀提供所要粗糙度。可接著移除抗蝕劑且清潔基板。可運用熱氧化物使經清潔基板氧化，以圓化在蝕刻期間所產生之任何銳邊且產生「蝕刻終止層」。可接著將表膜沈積至經氧化基板上，而準備好正常表膜製造。

應瞭解，可使用其他蝕刻劑。舉例而言，在其他實施例中，可使用各向同性乾式或濕式蝕刻。在另一實施例中，可在移除抗蝕劑之前經由二氧化矽之各向同性蝕刻而產生粗糙度。

將「粗糙度」添加至表膜可限於表膜之部分，而非橫越表膜之整個表面被提供。舉例而言，與在參看圖3及圖6所描述之實施例中產生彈簧之方式相似地，可沿著表膜之一或多個邊緣部分或在表膜之其他部分處將粗糙度添加至表膜。舉例而言，可藉由僅在吾人預期到表膜將在使用期間經受熱負荷的情況下引入粗糙度之局域化部分來調節表膜中之應力。

藉由將粗糙度或圖案添加至表膜而產生的特徵之側向尺寸較佳大於表膜之厚度。舉例而言，參看圖16，特徵(其被描繪為在圖16之例示性配置中形成三角形圖案)之側向尺寸X大於表膜層161之厚度y。

在一些實施例中，添加至表膜之粗糙度之尺寸及組態可經選擇使得其相比於由扁平表膜提供之表面積而提供橫越表膜之大致介於0.045%至0.095%之間的額外表面積。一旦表膜係獨立的(例如在製造表膜組件之其他步驟，諸如回蝕之後)，則應力相比於由扁平表膜提供之應力將依據經由表膜材料之楊氏模量而平移的額外表面積而減小。

可使用黏接劑將表膜附接至表膜框架。手動分配為將表膜附接至表膜框架所需之少量黏接劑歸因於製程變化及操作者不準確性可為困難的。舉例而言，當施加過多黏接劑(製程變化)且黏接劑之部分經定位成過於遠離框架之內側時可發生問題。框架與表膜之間的毛細效應可導致黏接劑在表膜與圖案化器件MA之間的封閉體內部行進。封閉體內部的黏接劑可導致圖案化器件之嚴重污染。

圖17示意性地描繪包含表膜框架171的表膜組件170。表膜框架包含具有內部邊緣174之框架邊界。在內部邊緣174之外，表膜之中心部分並不與框架直接接觸。圓形邊界172提供於框架邊界上。圓形邊界172已雕刻於框架材料(其可為例如矽)內。已發現，藉由將經雕刻圓形物提供於框架邊界上，該等圓形物向供應於環形交叉口之中心區域中的黏接劑提供居中功能。具有高接觸角之黏接劑小滴緊接在分配之後開始潤濕。圓形邊界172充當障壁，從而致使黏接劑在邊界172內自定中心。

亦提供額外邊界173。在所描繪之實施例中，額外邊界173採取雕刻至框架171中之直線之形式。該額外邊界173在施加過多黏接劑 之情況下充當另一障壁。圖18a為展示圓形邊界172之居中效應的像片，其中可看到，黏接劑180已形成黏接劑之大體上居中之圓形圓點，其與圓形邊界172大體上同心。在所描繪之實施例中，圓形邊界172之直徑為大約1.4mm。

可藉由蝕刻基板提供圓形邊界172及額外邊界173。舉例而言，可將邊界172、173雷射蝕刻至矽基板中。

圖18b為展示包含過大體積之黏接劑181圓點被添加至表膜框架171之情形的像片。在圖18b中，可看到，額外邊界173充當另一障壁，從而防止黏接劑181在其可能污染表膜與圖案化器件MA之間的封閉體的情況下會擴展超出框架之內部邊界174。

提供圓形邊界172及/或額外邊界173會顯著降低黏接劑到達封閉體之風險，且改良可手動執行的黏接劑分配之簡易性及準確度。

應瞭解，表膜附接至之表膜框架相比於表膜自身相對而言係剛性的。框架之勁度與如以上所描述的添加至表膜之預應力組合會在掃描操作期間溫度升高時導致表膜起皺之問題。在掃描期間，溫度可升高達幾百攝氏度。

在一實施例中，提供用以將表膜框架在朝向及遠離圖案化器件MA之方向平移，以便封閉及敞開表膜與圖案化器件MA之間的區域之機構。參看圖19，展示表膜組件190以及圖案化器件MA。表膜組件190包含表膜框架191及表膜192。提供致動器(圖中未繪示)以將表膜組件沿著所描繪z維度平移。在圖19a中，以敞開組態展示表膜組件，其中表膜組件190與圖案化器件MA間隔開。在敞開組態中，表膜192與圖案化器件MA之間的體積中之壓力相同，其在圖19a中表示為P₁。

應瞭解，如對熟習此項技術者將顯而易見的是，致動器可採取任何適當形式。

致動器經組態以允許藉由將表膜組件190朝向圖案化器件MA平移直至表膜框架191與圖案化器件MA實體接觸而使表膜組件190轉變成封閉組態。在封閉組態中，圖案化器件MA與表膜192之間的體積與圖案化器件MA周圍之外部環境實體上分離。表膜框架191可包含表面193上之經配置以與圖案化器件MA接觸的密封部件(圖中未繪示)。圖案化器件MA可包含用於與表膜框架191界接之對應密封部件(圖中未繪示)。

在圖19a中，表膜192與圖案化器件MA之間的封閉體中之壓力仍為與圖案化器件MA周圍之壓力相同之壓力P₁。

在掃描操作期間，可將表膜組件190轉變至封閉組態，且可自圖案化器件MA及表膜組件190周圍之環境沖洗氣體，藉此降低圖案化器件MA周圍之環境中的壓力。如圖19c中所描繪，在沖洗周圍區域之後，圖案化器件MA與表膜192之間的體積中之壓力大於圖案化器件MA周圍之壓力(在圖19c中表示為P₂)。因而，表膜192可在z維度中遠離圖案化器件MA而弓曲。

在將表膜組件190自敞開組態轉變成封閉組態之前，可選擇性地調整圖案化器件MA周圍之環境壓力(在圖19a中表示為P₁)。舉例而言，在一些實施例中，經由引入諸如(例如)氫氣之氣體，壓力可達到大致2Pa。

藉由增加圖案化器件MA與表膜192之間的壓力，至圖案化器件之熱連接得以改良。此允許經由圖案化器件MA與表膜192之間的體積中之氣體之傳導而進行較大冷卻。壓力亦可自表膜192之另一側增加， 以便藉此減小遍及表膜192之壓力差。以此方式，遍及表膜192之壓力差，且因此控制表膜192中之張力。

藉由確保經由壓力P₁、P₂之差誘發的表膜192中之張力大於由框架191誘發的表膜192中之張力，表膜192在掃描操作期間經受高熱負荷時將顯著較小程度地起皺。另外，藉由封閉表膜192與圖案化器件MA之間的體積，延續部分在掃描操作期間無法進入彼體積。

在以上所描述之實施例中，其指示表膜經沈積至之基板可為結晶矽晶圓。在此項技術內偏好將結晶矽用作表膜之基板具有許多原因，包括行業在處理結晶矽晶圓方面具有大量經驗。另外，結晶矽晶圓之熱膨脹係數(CTE)(2.6um/m/K)與多晶表膜材料之CTE(大致4um/m/K)匹配，使得在製造製程期間引入相對極小熱應力。因此，結晶矽快速變成表膜經生長至之預設表面，即使在表膜係自具有與多晶表膜材料不同的CTE之材料建構的情況下。

在一些實施例中，可自CTE為大致8um/m/K的MoSi₂或CTE為大致1um/m/K的基於石墨之材料建構表膜。如以上所描述，在高溫(例如大致800攝氏度)下之退火期間，為了改良表膜之微結構，表膜組件內之內應力為小的(例如接近零)。然而，在漸漸冷卻(例如至室溫)期間，大的CTE失配引入於表膜與基板之間，從而導致應力積聚，從而貢獻於如以上所描述的表膜組件內之大預應力。

在一實施例中，藉由產生由複合材料形成之表膜框架來調整表膜框架之CTE。參看圖20a，其描繪將形成表膜組件之表膜框架之矽晶圓200。應瞭解，在其他實施例中，基板可具有不同材料。

邊界區201被界定於基板200上，該邊界區界定表膜框架之 邊緣。雖然邊界區201在圖20a中被展示為具有大體上矩形形狀，但應理解，可使用其他形狀。舉例而言，成圓形之表膜框架可將較小應力集中引入於表膜內，且因此在一些實施例中可尤其有益。自基板200之邊界區201內移除矽之部分以形成含有供收納另一材料之一或多個區域的區202。運用CTE與矽之CTE不同的第二(或填充物)材料填充經移除區域以形成複合區203。使用基板200來建構表膜組件可接著正常進行。複合區203確保使用基板200所建構之表膜組件之表膜框架具有所要CTE。可藉由選擇填充物材料且藉由選擇填充物材料在邊界區201內分佈之方式來調整CTE。

舉例而言，在一項實施例中，可在如圖21a中所描繪之連續帶210中自邊界區201移除矽。在一替代實施例中，可將邊界區201穿孔以界定複數個穿孔215。可接著施加填充物材料使得其填充該等穿孔。應瞭解，圖21a、圖21b中所描繪之配置僅僅係例示性的，且可以任何配置自邊界區201移除材料。

在一實施例中，在填充之後，填充物材料可部分地或完全地環繞邊界區。圖22展示通過表膜組件223之橫截面，其中填充物材料220駐留於矽基板221內之穿孔內部及周圍，藉此環繞矽基板221。矽基板221及填充物材料220一起形成表膜框架222。在圖22中，基板已經回蝕，從而形成具有表膜224之表膜組件223。

使用填充物材料，可減小或增加表膜框架之CTE以便增加或減小表膜內之預應力。

填充物材料可為具有與表膜將經沈積至(在一實例中為矽)且從中將形成表膜框架的基板材料不同的CTE之任何適當材料。僅作為實 例，填充物材料可為具有相對較高CTE之材料。較佳地，填充物材料為延性材料。較佳地，填充物材料為並不除氣之材料。在實例實施例中，填充物材料為金屬。在特定實例中，舉例而言，填充物材料為鋁或鉬。在一實施例中，可在邊界部分之不同部分處移除基板之不同量。以此方式，可遍及表膜組件內之預應力達成額外的局域化控制。

如以上所描述，一旦已將填充物材料添加至基板，用於製造之所有其他處理步驟就可有益地不變，使得複合框架之使用可容易被引入至現有製造製程中。在一實施例中，可在單獨操作中將表膜框架與表膜接合，而非利用基板來形成表膜框架。可接著完全蝕刻基板(使得基板之部分皆不保持在表膜組件中)。圖23描繪實例表膜組件230之建構階段，其中表膜231已經沈積至基板232上。基板可例如為結晶矽。一旦表膜231已沈積至基板232上，就可根據習知表膜製造方法使表膜退火。然而，在退火之後，可將框架233接合至表膜231。將框架233接合至表膜之與接觸基板232之側相對的側。可接著將基板完全回蝕以移除基板，從而留下包含表膜231及框架234之表膜組件230。以此方式，在製造之後表膜內的預應力係取決於表膜231與框架234之間的CTE之差，及發生框架234至表膜231之接合所處的溫度。

應瞭解，如本文中所使用之術語「接合」係用以區分表膜沈積至基板上之製程。亦即，當在先前配置中時，表膜在其已沈積於基板上之後黏附至基板，此不同於當前配置，在該當前配置中，框架在表膜已經退火之後接合至表膜。

可根據任何材料建構框架234，使得可取決於表膜組件之所要屬性(諸如預應力)來選擇框架234之CTE。另外，可選擇接合框架234 之方法(及(因此)溫度)以進一步獲得表膜組件230之所要屬性。舉例而言，在一項實施例中，表膜框架234可包含鋰-鋁矽酸鹽玻璃陶瓷，諸如來自Schott AG之ZERODUR®。ZERODUR具有極低CTE且因此幾乎無膨脹，從而導致施加於表膜上且施加於圖案化器件MA上之極低力。

在一實施例中，框架234可包含矽且可需要提供在表膜231內的在100MPa至250MPa之範圍內，例如大致200MPa的預應力。為了達成大致200MPa之預應力，可在低於大致160攝氏度之溫度下將框架234接合至表膜231。舉例而言，可使用諸如光學接觸接合及氫接合之接合技術，其在大致介於20攝氏度至25攝氏度之間的溫度下進行操作。可與矽框架一起使用以獲得大致200MPa之預張力的其他實例接合技術包括金擴散接合(在大致50攝氏度之溫度下進行操作)及陽極接合(在大致160攝氏度之溫度下進行操作)。

應瞭解，在表膜231內需要不同量之預應力的情況下，可選擇不同接合溫度。圖24為展示MoSi表膜內之預應力如何隨著矽框架接合至表膜所處之溫度而增加的的曲線圖。應瞭解，所要預應力可取決於大量因素，包括例如表膜231之成份。作為實例，在使用基於石墨之表膜231之實施例中，在300MPa至450MPa之範圍內(例如大致400MPa)的預應力可為所要的，且可相應地選擇表膜框架234之材料及接合溫度。詳言之，在給定溫度T下之表膜231內之預應力σ可由以下方程式給出：σ=-E_pellicle((CTE_pellicle-CTE_frame)/(1-v_pellicle))(T-T_bonding) (1)

其中E_pellicle為表膜之楊氏模量、CTE_pellicle為表膜之CTE、CTE_frame為表膜框架之CTE、v_pellicle為表膜之柏松比且T_bonding為接合溫度。

參看圖23所描述之方法另外可為有利的，此係因為可以任 何所要大小及形狀建構框架。在建構表膜組件之其他方法中，可將自表膜經生長之經蝕刻基板形成之表膜框架組裝至另一框架上以供置放於圖案化器件上。參看圖23所描述之方法有利地避免進一步建構(例如黏合、組裝)且減小構件之間的界面之數目，藉此減小可造成污染之粒子之產生且減小在製造期間施加於表膜231上之應力。亦即，表膜框架可由單個片件形成，而非由殘餘基板邊界及添加另一框架元件形成。另外框架234之建構相比於其他表膜組件建構技術可更直接了當的。舉例而言，可加工表膜框架234且可自框架材料之單個片件加工表膜框架234。

在一實施例中，表膜框架234可在接合至表膜231之前用化學上惰性塗層塗佈。以此方式，可減小或消除表膜框架234之除氣。

在一實施例中，可運用化學塗層塗佈整個表膜框架234，該化學塗層抵抗用以蝕刻基板232之蝕刻。可接著在蝕刻基板232之前建構及清潔整個表膜組件230，藉此增加良率。

在以上關於圖23及圖24所描述之實例中，描述了框架234可包含矽。然而，在其他實施例中，框架可包含並非矽之材料。舉例而言，接著框架234可包含鋁、鈦、鈹、氮化鋁、zerodur®、氧化矽及碳化矽中之至少一者。可取決於接合溫度及所要表膜預應力來選擇框架材料之選擇。

在一實施例中，可選擇表膜之預應力使得表膜以特定方式起皺(例如具有特定所要尺寸之皺折)以便改良微影裝置之效能。參看圖25，其展示受表膜302保護之圖案化器件MA。輻射光束304傳遞通過表膜302且入射於圖案化器件MA上。經圖案化輻射光束306自圖案化器件MA反射、傳遞通過表膜302且入射於基板308之所要區域處。然而，表膜302 並非對輻射光束304完全透明。輻射光束304之一部分係由表膜302吸收，而部分310係自表膜302反射。反射部分310可為例如輻射光束304的大約0.4%。反射部分310並不遵循與經圖案化輻射光束306相同之路徑且因此並未入射於基板308之所要區域上。另外，由於反射部分310決不與圖案化器件MA相互作用，故並未運用所要圖案來圖案化反射部分310。因而，反射光束306可導致疊對誤差及/或減小之對比度。

在一實施例中，選擇表膜屬性以便使得產生皺折，該等皺折沿著不與基板相交之傳播路徑反射入射輻射光束之至少一部分。圖26繪示與圖25中所展示之配置相似的配置，其中類似構件具備類似元件符號。然而，在圖26中，表膜402經組態以使得造成反射部分310遵循不與基板308相交之路徑之方式起皺。因而，在圖26之實施例中，部分310並不導致對比或疊對誤差減小。應瞭解，沒有可能防止自表膜402全部反射至基板上(例如自皺折之波谷之波峰反射部分)，但藉由選擇適當皺折，可減小自表膜反射至基板上之輻射之量。

可使用本文中所描述之技術中的任一者來控制存在於表膜402內之預應力從而控制表膜402之起皺品質。另外，亦可控制表膜402之溫度。在一實施例中，選擇表膜402之預應力及溫度使得在室溫下造成具有與由表膜之表面界定之平面成大於大致35mrad的角度α的皺折。然而，應瞭解，所要皺折角度可取決於圖案化器件與基板之間的光學路徑長度而變化。

在一實施例中，表膜402經受大致240MPa之預應力。在一實施例中，表膜402可加熱至介於大致200攝氏度至450攝氏度之間的操作溫度(例如在圖案化操作期間)。在表膜402包含大致240MPa之預應力 且經加熱至大致450攝氏度的例示性實施例中，表膜402可展現具有高達大致40mrad之最大局部角度α及大約10μm之皺折高度Wh之皺折。然而，通常應瞭解，皺折高度可不同且皺折高度可取決於表膜之材料成份。在輻射光束304之波長為大約13.5nm之實施例中，表膜可經組態以展現具有大約10μm之最小高度之皺折。雖然通常可預期表膜402中之皺折可增加入射輻射光束304之吸收率，但已判定出，歸因於具有小於大致300mrad之局部角度之皺折的輻射光束304之吸收率之任何增加可為可接受的。

表膜可具有其有效及/或期間發生故障之可能性在所要臨限值內之有限時間。舉例而言，對於一些表膜，狀況可能為：在某一使用時間之後，表膜變得足夠可能發生故障，使得較佳避免其使用。在表膜出現嚴重故障之情況下，存儲於表膜內之彈性能量可導致表膜破裂，其繼而可導致表膜片件被發射至微影裝置之其他區域中，藉此導致微影裝置之停工時間。

為了允許作出關於是否應使用表膜之判定，實施例在表膜之表膜框架內提供無線可讀及可寫追蹤器件。舉例而言，表膜框架可包括近場通信(NFC)晶片(諸如RFID「標籤」)。舉例而言，可在製造期間將追蹤器件安裝至表膜框架中，或將追蹤器件安裝至圖案化器件上。追蹤器件具備唯一地識別表膜及/或表膜組件之序號。追蹤器件可進一步儲存可用以追蹤表膜之操作歷史之操作資料。舉例而言，操作資料可包括表膜已經曝光之曝光次數、製造時間、輻射總量(例如基於曝光次數及每次曝光之已知功率)及/或可用以判定表膜是否已達到其使用壽命終點之任何其他資訊。追蹤器件亦可儲存表膜特定資訊，例如離線地量測之參數值清單(例 如EUV透射、反射等)。

當將表膜/圖案化器件組合裝載至微影裝置中時，可(亦即藉由控制器)致使提供於微影裝置內之收發器配置(包含例如單一收發器或單獨接收器及傳輸器)讀取表膜之序號以及操作資料。控制器可判定操作資料項中之一或多個特定操作資料項是否超過臨限值。舉例而言，控制器可判定表膜已經曝光之曝光次數或自製造以來之時間是否超過臨限值。若控制器判定操作資料項中之一或多者超過臨限值，則微影裝置可卸載表膜/圖案化器件組合。控制器可進一步致使收發器將資料寫入至追蹤晶片以將表膜標記為不可用的或指示其已拒絕供特定微影裝置使用。

若判定特定操作資料項並不超過其相關臨限值，則控制器追蹤在操作期間之表膜之使用。舉例而言，控制器可記錄表膜經曝光之曝光次數且可致使收發器將彼資料寫入至追蹤器件。可在使用期間或在自微影裝置移除表膜/圖案化器件之卸載操作期間將追蹤資料寫入至追蹤器件。

在自微影裝置移除之後，即可讀取表膜/圖案化器件組合內之追蹤器件以判定表膜是否已被標記為不可用的，或操作資料項中之一或多者是否超過臨限值。可接著判定是否為圖案化器件替換表膜。

圖27a至圖27c示意性地描繪藉以可強化表膜組件以防止在使用或製造期間破裂的其他配置。參看圖27a，表膜組件500包含支撐表膜504之表膜框架502。表膜框架502可例如如以上所描述進行製造。將抗張層506施加至表膜配置500之「前側」或「頂部」側(亦即使得表膜504安置於抗張層506與表膜框架502之間)。應瞭解，可以任何適當方式(諸如藉由任何形式之沈積或藉由使抗張層506生長於表膜504上)將抗張層506 提供至表膜504上。

在如圖27a中所描繪之橫截面中進行檢視，抗張層506向內橫向地延伸超出表膜框架502之向內邊緣508(例如重疊或橋接表膜框架502之向內邊緣508)。表膜框架之向內邊緣508之部位通常為表膜組件中之弱點及表膜組件常常經受機械故障之部位。所存在之在邊緣508處之弱點上方延伸的抗張層506用以維持表膜504中之張力且強化表膜組件500。以此方式，抗張層506允許使表膜504相比於在不存在抗張層506的情況下將可能之情形經受額外預張力。如上文詳細所論述，將適當及足夠位準之預張力施加至表膜504藉由防止起皺從而改良表膜組件之光學屬性。抗張層508較佳僅在表膜504之非光學作用部分上方而向內延伸。亦即，抗張層508較佳並不向內延伸達其將與輻射光束B之光束路徑重疊之程度。如在圖27a中所描繪之配置中，較佳(但非必要)的是使抗張層508自邊緣508向外的範圍大於自邊緣508向內的範圍，從而提供較大強度。以此方式，如圖27a中所描繪，抗張層506包含自邊緣508向內延伸之第一部分506a，及自邊緣508向外延伸之第二較大部分506b。

如參看圖27b中之表膜組件510所展示，可替代地將抗張層512施加至表膜504之「底部」或「底面」。如同表膜組件500中之抗張層506一樣，表膜組件510之抗張層512橫越表膜框架502與表膜504之間的內部邊界延伸，藉此強化表膜組件510。在圖27b之配置中，抗張層506之第一部分512a自邊緣508向內延伸，且第二較大部分512b自邊緣508向外延伸。另外，在配置510中，第二部分512b自502在表膜之複數個面上方延伸。詳言之，在圖27a之實例中，第二部分512b在表膜框架504之所有曝光面(例如除表膜504經施加至之「頂」面之外的所有面)上方延伸。以此 方式，抗張層512特別能夠強化表膜組件510且允許表膜504具有較大預張力。

另外，如圖27c中所描繪，表膜組件514可包含抗張層506及抗張層512兩者。抗張層可包含任何合適材料。舉例而言，抗張層可包含鉬(Mo)、釕(Ru)、良好黏附之金屬層，諸如鋁(Al)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、釩(V)、鉻(Cr)、鈮(Nb)、鉿(Hf)、鎢(W)等、氧化物，諸如TiO2、Ta2O5等、氮化物，諸如TiN、TaN、CrN、SiN，或碳化物，諸如TiC、TaC、SiC等。通常，可使用充分黏附且可運用足夠張應力(如藉由特定應用之特定要求判定)沈積的任何材料。另外，抗張層可包含多層結構，其中每一層包含不同材料。舉例而言，抗張層可包含張力提供層頂上之罩蓋保護層。僅作為實例，抗張層可包含具有鉬之第一層以提供張力，及具有ZrO2之第二層以充當保護層。另外，提供於前側上之抗張層(諸如抗張層506)可具有與提供於背部上之抗張層(諸如抗張層512)不同的結構及成份。有益地，此允許不同材料用以匹配於表膜504「上方」及「下方」之不同操作條件。其進一步瞭解，可取決於所用之特定材料來選擇抗張層之厚度及抗張層在邊緣508之任一側延伸之距離。

通常，上文所描述之配置提供可取決於應用要求而選擇在非操作條件(例如預應力)下之應力的表膜組件。舉例而言，在需要提供比當前可達成之預張力低的預張力的情況下，可在允許所要熱化學性質的同時改良表膜之壽命。亦即，上述技術允許在製造表膜組件之後將表膜之熱化學性質與存在於表膜中之預應力分離。另外，在表膜出現嚴重故障的情況下，可經由以上所揭示之配置而達成的減小之張力係使得較少彈性能量儲存於表膜內。因而，表膜之破裂將會導致表膜片件將被發射至微影裝置 之其他區域中的可能性較低，藉此減小微影裝置之停工時間。另外，雖然上文所描述之配置係關於用以保護圖案化器件MA之表膜加以描述，但應理解，本文中所描述之上述表膜組件可用於其他應用：用於微影及更廣泛應用。舉例而言，上文所描述之配置可用以提供用於動態氣鎖中之表膜組件。

在一實施例中，本發明可形成光罩檢測裝置之部分。光罩檢測裝置可使用EUV輻射以照明光罩且使用成像感測器以監測自光罩反射之輻射。由成像感測器接收之影像係用以判定缺陷是否存在於光罩中。光罩檢測裝置可包括經組態以自EUV輻射源接收EUV輻射且將其形成為待導向於光罩處之輻射光束的光學件(例如鏡面)。光罩檢測裝置可進一步包括經組態以收集自光罩反射之EUV輻射且在成像感測器處形成光罩之影像的光學件(例如鏡面)。光罩檢測裝置可包括一處理器，該處理器經組態以分析成像感測器處之光罩之影像且自彼分析判定是否任何缺陷存在於光罩上。處理器可經進一步組態以判定經偵測光罩缺陷在光罩由微影裝置使用時在投影至基板上之影像中是否將造成不可接受的缺陷。

在一實施例中，本發明可形成度量衡裝置之部分。度量衡裝置可用以量測形成於基板上之抗蝕劑中之經投影圖案相對於已經存在於基板上之圖案之對準。相對對準之此量測可被稱作疊對。度量衡裝置可例如經定位成緊鄰於微影裝置且可用以量測在基板(及抗蝕劑)已被處理之前之疊對。

儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光 罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置的部件。此等裝置通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。

術語「EUV輻射」可被認為涵蓋具有在4奈米至20奈米之範圍內(例如在13奈米至14奈米之範圍內)之波長之電磁輻射。EUV輻射可具有小於10奈米(例如在4奈米至10奈米之範圍內，諸如6.7奈米或6.8奈米)之波長。

儘管上文描述了輻射源SO可為雷射產生電漿LPP源，但可使用任何合適源以產生EUV輻射。舉例而言，可藉由使用放電以將燃料(例如錫)轉換成電漿狀態產生EUV發射電漿。此類型之輻射源可被稱作放電產生電漿(DPP)源。可由電源供應器產生放電，該電源供應器可形成輻射源之部分或可為經由電連接而連接至輻射源SO的單獨實體。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、表膜磁頭等。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍及條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

1.一種表膜組件，該表膜組件包含一表膜框架，該表膜框架界定一表膜附接至之一表面；其中該表膜組件包含允許該表膜在應力下擴展之一或多個三維擴展結構。

2.如條項1之表膜組件，其中該等三維擴展結構中之至少一者形成於該表膜框架內且藉此被賦予至該表膜。

3.如條項1或2之表膜組件，其中該等三維擴展結構中之至少一者形成一彈簧。

4.如條項3之表膜組件，其中該彈簧包含形成於該表膜框架內之至少一個V形構造。

5.如任一前述條項之表膜組件，其中該至少一個結構包含形成於該表膜框架內且圍繞該表膜之一中心部分而定位之複數個彈簧。

6.如條項2或附屬於其之任何條項之表膜組件，其中該至少一個彈簧為一片彈簧。

7.如任一前述條項之表膜組件，其中該等三維擴展結構中之至少一者存在於該表膜之一中心部分上。

8.如條項7之表膜組件，其中該框架包含一基板且該表膜組件包含介於該基板與該表膜之間的至少一個彈簧層，其中至少一個彈簧形成於該彈簧層內。

9.如任一前述條項之表膜組件，其中該至少一個三維擴展結構包含一人字形圖案。

10.如條項9之表膜組件，其中該至少一個三維擴展結構包含橫越該表膜之一總表面之大部分而延伸的一人字形圖案。

11.如任一前述條項之表膜組件，其中該至少一個三維擴展結構導致橫越該表膜之一表面之粗糙度。

12.一種表膜組件，該表膜組件包含一表膜框架，該表膜框架界定一表膜附接至之一表面。

其中該表面包含用於減小黏接劑散佈之至少一個黏接劑邊界。

13.如條項12之表膜組件，其中該至少一個黏接劑邊界包含一圓形邊界。

14.如條項12或13之表膜組件，其中該至少一個黏接劑邊界包含一線邊界。

15.如條項14之表膜組件，其中該線邊界鄰近於該框架之一邊緣而定位，該框架之該邊緣鄰近於該表膜之一中心部分。

16.如附屬於條項13之條項14或145之表膜組件，其中該線邊界定位於該圓形邊界與該表膜之一中心部分之間。

17.如條項12至16中任一項之表膜組件，其中該至少一個邊界包含該框架內之一凹槽。

18.如條項12至17中任一項之表膜組件，其中該表膜組件包含與該圓形邊界實質上同心之黏接劑。

19.一種表膜組件，其包含：一表膜框架；一表膜；用於將該表膜組件朝向及遠離一圖案化器件移動之一或多個致動器。

20.如條項19之表膜組件，其中該等致動器經組態以將該表膜組件在一封閉組態與一敞開組態之間轉變，在該封閉組態中，一實質上密封體積形成於該表膜與一圖案化器件之間，且在該敞開組態中，該表膜與該圖案化器件之間的一體積與一周圍環境流體連通。

21.一種表膜組件，其包含： 一表膜框架，其界定表膜附接至之一表面；其中該表膜框架包含具有一第一熱膨脹係數之一第一材料及具有一第二熱膨脹係數之一第二材料。

22.如條項21之表膜組件，其中該第一材料包含矽。

23.如條項21或22之表膜組件，其中該第一材料包含複數個穿孔且該第二材料位於該複數個穿孔內。

24.如條項21、22或23之表膜組件，其中該第二材料至少部分地環繞該第一材料。

25.如條項21至24中任一項之表膜組件，其中該第二材料包含一金屬。

26.一種表膜組件，其包含：一表膜框架，其界定表膜附接至之一表面；其中該表膜框架接合至該表膜。

27.如條項26之表膜框架，其中該表膜為一經退火之表膜，且該表膜框架在退火之後接合至該表膜。

28.如條項26或27之表膜組件，其中該表膜框架包含一熱膨脹係數(CTE)低於矽之CTE的一材料。

29.如條項26、27或28之表膜組件，其中該表膜框架包含一玻璃陶瓷材料。

30.如條項26至29中任一項之表膜組件，其中該表膜框架已使用在小於大致160攝氏度之一溫度下進行操作的一接合工序而接合至該表膜。

31.如條項26至30中任一項之表膜組件，其中該表膜框架已使用光學接觸接合、氫接合、金擴散接合或陽極接合中之至少一者而接合至該表 膜。

32.如條項26至31中任一項之表膜組件，其中該表膜框架以單一片件形成。

33.如條項26至32中任一項之表膜組件，其中該表膜框架包含用以減小除氣之一惰性塗層。

34.如條項26至33中任一項之表膜組件，其中該表膜框架不包含矽。

35.如條項26至34中任一項之表膜組件，其中該表膜框架包含鋁、鈦、鈹、氮化鋁、zerodur®、氧化矽及碳化矽中之至少一者。

36.一種表膜組件，該表膜組件包含一表膜框架，該表膜框架界定一表膜附接至之一表面；其中當運用用於圖案化待圖案化之一基板之一輻射光束進行輻照時，該表膜包含一或多個皺折且部分地反射該輻射光束；且其中該一或多個皺折經組態以將該輻射光束之一部分反射遠離待圖案化之該基板。

37.如條項36之表膜組件，其中該表膜經組態使得該等皺折產生與由圖案化器件之表面界定之一平面成大於35mrad的一最大角度。

38.如條項36或37之表膜組件，其中該表膜經組態使得該等皺折產生與由該圖案化器件之該表面界定之一平面成小於300mrad的一最大角度。

39.如條項36、37或38之表膜組件，其中該表膜經組態以在使用期間反射大致0.4%的一入射輻射光束。

40.如任一前述條項之表膜組件，其中該表膜包含二矽化鉬 (MoSi₂)，且其中該表膜內之一平均應力在室溫下係在100MPa至250MPa之一範圍內。

41.如任一前述條項之表膜組件，其中該表膜包含一基於石墨之材料，且其中該表膜內之一平均應力在室溫下係在300MPa至450MPa之一範圍內。

42.一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影裝置，其包含一如任一前述條項之表膜組件，該表膜組件在該圖案化器件附近定位以防止粒子接觸該圖案化器件。

43.一種製造一表膜組件之方法，其包含：將一表膜沈積至一基板上；將一表膜框架接合至該表膜使得該表膜係介於該表膜框架與該基板之間；蝕刻該基板以留下該表膜及該表膜框架。

44.如條項43之方法，其中該表膜框架在低於160攝氏度之一溫度下接合至該表膜。

45.如條項43或44之方法，其進一步包含在將該表膜沈積至該基板上之後且在將該表膜框架接合至該表膜之前使該表膜退火。

46.一種表膜組件，其包含：一表膜框架，其界定一表膜附接至之一表面；其中一電腦可讀及可寫追蹤器件提供於該表膜框架上或該表膜框架中。

47.如條項46之表膜組件，其中該電腦可讀及可寫追蹤器件經組態以儲存該表膜及/或該表膜組件之一識別符。

48.如條項46或47之表膜組件，其中該電腦追蹤器件經組態以儲存指示該表膜之使用歷史及/或表膜特定屬性之操作資料。

49.一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影裝置，其包含一包含一處理器之控制器，該處理器經組態以執行電腦可讀指令以致使一收發器配置自一如條項46至48中任一項之表膜組件之一追蹤器件讀取並寫入至該追蹤器件。

50.如條項49之微影裝置，其中該等電腦可讀指令經組態以致使該處理器自該追蹤器件獲得一或多個操作資料項且判定該一或多個操作資料項是否超過一臨限值。

51.如條項50之微影裝置，其中該等電腦可讀指令經組態以致使該處理器回應於判定出該一或多個操作資料項超過一臨限值而使該微影裝置卸載該表膜組件。

52.如條項51之微影裝置，其中該等電腦可讀指令經組態以致使該處理器使該收發器配置將指示該表膜組件已被卸載之資料寫入至該追蹤器件。

53.如條項50或52之微影裝置，其中該等電腦可讀指令經組態以致使該處理器回應於判定出該一或多個操作資料項並不超過該臨限值，而使該收發器在該微影裝置之使用期間將操作資料記錄於該追蹤器件上。

54.一種表膜組件，其包含：一表膜框架，其界定一表膜附接至之一表面；及一或多個抗張層，其與該表膜機械連通且向內延伸超出該表膜框架之一內部邊緣。

55.如條項54之表膜組件，其中該一或多個抗張層中之至少一者提 供於該表膜之一頂面上使得該表膜定位於該抗張層與該框架之間。

56.如條項54或55之表膜組件，其中該一或多個抗張層中之至少一者提供於該表膜之一底面上。

57.如條項54、55或56之表膜組件，其中該一或多個抗張層包含提供於該表膜之一頂面上之一第一抗張層，及提供於該表膜之一底面上之一第二抗張層。

58.如條項54至57中任一項之表膜組件，其中該一或多個抗張層中之至少一者包含自該表膜框架之該內部邊緣向內延伸之一第一部分，及自該表膜框架之該內部邊緣向外延伸之一第二部分，其中該第二部分長於該第一部分。

59.如條項54至57中任一項之表膜組件，其中該一或多個抗張層中之至少一者包含一多層結構。

60.一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影裝置，其包含一如條項54至59中任一項之表膜組件，該表膜組件在該圖案化器件附近定位以防止粒子接觸該圖案化器件。

61.一種用於一微影裝置之動態氣鎖，其包含一如條項1至41、46至48或54至59中任一項之表膜組件。

53:基板

55:表膜組件

57:表膜層

58:擴展結構

59:擴展結構

Claims (20)

1. 一種表膜組件，其包含：一表膜框架，該表膜框架界定一表面，一表膜附接至或經配置以附接至該表面；及一或多個三維擴展結構，其允許該表膜在應力下相對於該表膜框架擴展。
2. 如請求項1之表膜組件，其中該一或多個三維擴展結構中之至少一個三維擴展結構形成於該表膜框架內且藉此經配置以被賦予(imparted)至該表膜。
3. 如請求項1之表膜組件，其中該一或多個三維擴展結構中之至少一個三維擴展結構形成一彈簧。
4. 如請求項3之表膜組件，其中該彈簧包含形成於該表膜框架內之至少一個V形構造。
5. 如請求項1之表膜組件，其中該一或多個三維擴展結構包含複數個彈簧，該複數個彈簧形成於該表膜框架內且經配置成圍繞該表膜之一中心部分而定位。
6. 如請求項3之表膜組件，其中該彈簧為一片彈簧(leaf-spring)。
7. 如請求項1之表膜組件，其包含該表膜且其中該一或多個三維擴展結構中之至少一個三維擴展結構存在於該表膜之一中心部分上。
8. 如請求項7之表膜組件，其中該框架包含一基板且該表膜組件包含經配置以介於該基板與該表膜之間的至少一個彈簧層，其中至少一個彈簧形成於該至少一個彈簧層內。
9. 如請求項8之表膜組件，其中該至少一個彈簧層經蝕刻以提供複數個經隔離擴展結構。
10. 如請求項8之表膜組件，其中該至少一個彈簧層係由一金屬形成。
11. 如請求項1之表膜組件，其中該一或多個三維擴展結構包含一人字形圖案。
12. 如請求項11之表膜組件，其中該一或多個三維擴展結構包含經配置成橫越該表膜之一整個表面之一大部分而延伸之該人字形圖案。
13. 如請求項1之表膜組件，其中該一或多個三維擴展結構經配置以導致橫越該表膜之一表面之粗糙度。
14. 如請求項13之表膜組件，其中該粗糙度是藉由化學氣相沈積或蝕刻 產生的。
15. 如請求項1之表膜組件，其中該一或多個三維擴展結構經配置以提供於該表膜框架與該表膜之間。
16. 如請求項1之表膜組件，其中該一或多個三維擴展結構經配置以在該表膜框架與該表膜之間形成一連接。
17. 如請求項1之表膜組件，其包含該表膜且該表膜包含二矽化鉬(MoSi₂)，且其具有在室溫下自100MPa至250MPa之一範圍內的該表膜內之一平均應力。
18. 如請求項1之表膜組件，其包含該表膜且該表膜包含一基於石墨之材料，且其具有在室溫下自300MPa至450MPa之一範圍內的該表膜內之一平均應力。
19. 一種微影裝置，其經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上，該微影裝置包含如請求項1至18中任一項之表膜組件，該表膜組件在該圖案化器件附近定位以防止粒子接觸該圖案化器件。
20. 一種用於一微影裝置之動態氣鎖，該動態氣鎖包含如請求項1至18中任一項之表膜組件。