TWI813251B - 薄膜捲繞體及薄膜捲繞體之製造方法 - Google Patents

薄膜捲繞體及薄膜捲繞體之製造方法 Download PDF

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Abstract

為了提供可抑制捲繞缺陷的發生之薄膜捲繞體。 薄膜捲繞體(1)係具備被捲繞之樹脂薄膜(20)，樹脂薄膜(20)係在該樹脂薄膜(20)的寬度方向之兩端具有滾紋部(31,32)，滾紋部(31,32)係具備彼此隔著間隔規則地排列之複數個單位滾紋(40)，各單位滾紋(40)係包含：形成於樹脂薄膜(20)的上表面(21)且朝向上方突出之圓周狀的上側凸部(41)、及形成於樹脂薄膜(20)的下表面(22)且朝向下方突出之圓周狀的下側凸部(42)，在俯視下，下側凸部(42)配置在上側凸部(41)的內側且與上側凸部(41)呈同心圓狀。

Description

薄膜捲繞體及薄膜捲繞體之製造方法
本發明係關於具備有在其兩端具有滾紋部且被捲繞的樹脂薄膜之薄膜捲繞體、以及該薄膜捲繞體之製造方法。
在偏光板的透明保護薄膜等所使用之樹脂薄膜，一般而言，是在藉由熔融擠壓成形法等製造成長條狀的薄膜之後，捲繞成卷筒狀而以薄膜捲繞體(薄膜卷)的形式被保管及輸送。在該薄膜捲繞體的捲繞、輸送時，可能發生捲繞偏差而使薄膜捲繞體成為望遠鏡狀的情況。
為了抑制該捲繞偏差的發生並在薄膜捲繞體中於樹脂薄膜之間確保空氣層，是在樹脂薄膜的端部實施滾紋(knurling)加工。作為如此般的滾紋加工之一，已知有以下方法：朝向樹脂薄膜照射雷射光而讓該樹脂薄膜的表面局部地熱熔融或剝蝕(ablation)，藉此在樹脂薄膜形成凸部的方法(參照例如專利文獻1及2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2017-021323號公報 [專利文獻2]日本特開2017-047978號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，若藉由上述雷射照射所形成的凸部的高度過低，會使樹脂薄膜間的空氣層變窄，造成樹脂薄膜彼此接觸而發生帶狀凸痕(gauge band)。另一方面，若該凸部的高度過高，會使樹脂薄膜間的空氣層變寬，而導致造成裂點(knick)缺陷的原因之挫曲變形隨著時間經過而發生。亦即存在以下問題：若藉由上述雷射照射所形成的凸部之高低不一致，在薄膜捲繞體可能發生帶狀凸痕、挫曲變形等的捲繞缺陷。
又上述凸部僅形成在樹脂薄膜的上表面。因此存在以下問題：若在樹脂薄膜捲繞時的張力、接觸輥之按壓力改變而變強，可能使凸部變形而無法維持既定高度，造成樹脂薄膜彼此接觸而發生帶狀凸痕。
於是，本發明之目的是為了提供可抑制捲繞缺陷的發生之薄膜捲繞體、以及該薄膜捲繞體之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本案發明人等發現到，藉由將圓周狀的凸部形成在樹脂薄膜的兩面可達成上述目的，而達到本發明的完成。
亦即，依據本發明所提供的薄膜捲繞體，係具備有被捲繞的樹脂薄膜之薄膜捲繞體，前述樹脂薄膜，係在前述樹脂薄膜之寬度方向的兩端具有滾紋部，前述滾紋部，係具備彼此隔著間隔規則地排列之複數個單位滾紋，各個前述單位滾紋係包含：形成於前述樹脂薄膜的上表面且朝向上方突出之圓周狀的第1凸部、及形成於前述樹脂薄膜的下表面且朝向下方突出之圓周狀的第2凸部，在俯視下，第2凸部配置在前述第1凸部的內側且與前述第1凸部呈同心圓狀。
又本發明的薄膜捲繞體可構成為，前述第2凸部的高度比前述第1凸部的高度低。
又本發明的薄膜捲繞體可構成為，前述第1凸部係在前述樹脂薄膜的上表面形成一圈的圓形形狀，前述第2凸部係在前述樹脂薄膜的下表面形成一圈的圓形形狀。
又本發明的薄膜捲繞體可構成為，前述樹脂薄膜的厚度為20μm~50μm，前述滾紋部配置在距離前述樹脂薄膜的緣部2mm~30mm的範圍內，前述滾紋部中之單位滾紋的數密度為8個/cm 2~100個/cm 2，前述第1凸部的直徑為大於40μm且1500μm以下，前述第2凸部的直徑為40μm以上且小於1500μm，前述第1凸部的高度為4μm~6μm，前述第1凸部的高度之標準偏差為3μm以下，前述第2凸部的高度為2μm~4μm，前述第2凸部的高度之標準偏差為2μm以下。
又依據本發明所提供的薄膜捲繞體之製造方法，係上述薄膜捲繞體之製造方法，其係具備：在樹脂薄膜之寬度方向的兩端形成前述滾紋部之第1工序、及將前述樹脂薄膜捲繞之第2工序，前述第1工序係包含：對前述樹脂薄膜照射雷射光，讓前述雷射光沿著圓周狀的掃描路徑進行掃描而形成前述單位滾紋。
又本發明的薄膜捲繞體之製造方法可構成為，前述雷射光的光點直徑係前述掃描路徑的直徑以上。
又本發明的薄膜捲繞體之製造方法可構成為，前述雷射光的照射功率為3W~30W，前述雷射光的照射脈衝為5kHz~20kHz，前述雷射光的光點直徑為20μm~1000μm，前述雷射光的掃描速度為500mm/sec~10000mm/sec，前述雷射光之掃描路徑的直徑為20μm~500μm。 [發明之效果]
依據本發明，因為形成於樹脂薄膜之第1及第2凸部分別具有圓周形狀，在藉由雷射照射來形成單位滾紋時，不致發生雷射光的照射量局部變動的部位。因此，可減少單位滾紋的高度不一致，而能抑制薄膜捲繞體中之捲繞缺陷的發生。
又依據本發明，因為在樹脂薄膜的上下兩面形成有第1及第2凸部，在被重疊捲繞的樹脂薄膜之間介入許多接點。因此，縱使在樹脂薄膜捲繞時的張力、接觸輥之按壓力改變而變強的情況，仍可抑制第1及第2凸部變形而變低，因此可抑制薄膜捲繞體之捲繞缺陷的發生。
而且，依據本發明，在俯視下，第2凸部配置在第1凸部的內側，且該第2凸部與第1凸部呈同心圓狀，在第1凸部的背側以與該第1凸部重疊的方式配置第2凸部。因此，縱使在樹脂薄膜捲繞時的張力、接觸輥之按壓力改變而變強導致第1或第2凸部之一方被推入的情況，因為第1或第2凸部之另一方可反抗該推入，可進一步抑制第1或第2凸部變形而變低。
以下，針對本發明的實施形態根據圖式做說明。
圖1係顯示本實施形態的薄膜捲繞體1之立體圖。圖2係顯示本實施形態的薄膜捲繞體1之樹脂薄膜20的俯視圖，其是圖1的II部之放大圖。
本實施形態的薄膜捲繞體1，如圖1所示般係具備：圓柱狀的捲芯10、及被捲繞於該捲芯10之樹脂薄膜20。如後述般，該薄膜捲繞體1是以捲芯10為中心將長條狀的樹脂薄膜20重疊捲繞而形成的，被捲繞的樹脂薄膜20是構成薄膜捲繞體1中的積層部(參照圖6(a))。
該薄膜捲繞體1，是在做成最終製品之前將樹脂薄膜20暫時捲繞而獲得的中間製品卷。接下來，從該中間製品卷將樹脂薄膜20退繞並實施切割加工等的必要加工，藉此製造最終製品。
作為該薄膜捲繞體1的樹脂薄膜20之用途沒有特別的限定，例如可舉出液晶顯示裝置等的影像顯示裝置用之光學薄膜的例子，更具體的說，可列舉透明保護薄膜、偏光薄膜、增亮薄膜、光擴散薄膜、聚光薄膜、及反射薄膜等。本實施形態的樹脂薄膜20較佳為用於作為為了構成偏光板而積層於偏光子之透明保護薄膜。
該樹脂薄膜20，雖沒有特別的限定，較佳為具有20μm~50μm的厚度T 1(參照圖3(b))(20μm≦T 1≦50μm)，如此藉由後述雷射加工可在樹脂薄膜20的兩面同時形成凸部41,42。又該樹脂薄膜20雖沒有特別的限定，係具有300mm~2500mm的寬度W 1(300mm≦W 1≦2500mm)。
該樹脂薄膜20，是由透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻擋性、及等向性等優異之熱塑性樹脂所構成。作為構成該樹脂薄膜20之熱塑性樹脂沒有特別的限定，可舉出日本特許第5578759號所記載的樹脂為例，例如可列舉：纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、環狀聚烯烴樹脂、聚芳酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、以及其等的混合物。特別是在使用樹脂薄膜20來作為偏光板用之透明保護薄膜的情況，樹脂薄膜20較佳為(甲基)丙烯酸樹脂所構成。
作為該樹脂薄膜20的製法沒有特別的限定，可採用熔融擠壓成形法、鑄膜法(casting)、及壓延成形法(calendering)等之公知製法。作為熔融擠壓成形法可舉出T模鑄膜法及吹膜法(inflation)，基於生產性等觀點，較佳為使用T模鑄膜法來製造樹脂薄膜20。
本實施形態的樹脂薄膜20，係在該樹脂薄膜20的寬度方向之兩端具備滾紋部31,32。各個滾紋部31,32是由藉由後述雷射加工所形成之複數個單位滾紋40所構成。
一方的滾紋部31，是沿著樹脂薄膜20之一方的端部20a延伸之帶狀區域。更具體的說，如圖2所示般，該滾紋部31是由第1假想直線VL 1和第2假想直線VL 2所規定之帶狀區域。在此，第1假想直線VL 1是指，通過在樹脂薄膜20的寬度方向上離一方的端部20a最近的位置之單位滾紋40的外周上且與該端部20a平行地延伸之假想上的直線。又第2假想直線VL 2是指，通過在樹脂薄膜20的寬度方向上離一方的端部20a最遠的位置之單位滾紋40的外周上且與該端部20a平行地延伸之假想上的直線。
另一方的滾紋部32是沿著樹脂薄膜20之另一方的端部20b呈帶狀延伸之區域。更具體的說，雖未圖示出，該滾紋部32也是由第3假想直線和第4假想直線所規定之帶狀區域。在此，第3假想直線是指，通過在樹脂薄膜20的寬度方向上離另一方的端部20b最近的位置之單位滾紋40的外周上且與該端部20b平行地延伸之假想上的直線。又第4假想直線是指，通過在樹脂薄膜20的寬度方向上離該端部20b最遠的位置之單位滾紋40的外周上且與該端部20a平行地延伸之假想上的直線。
一方的滾紋部31設置在距離樹脂薄膜20之一方的端部20a既定的範圍內。同樣的，另一方的滾紋部32也是設置在距離樹脂薄膜20之另一方的端部20b既定的範圍內。該既定範圍較佳為2mm以上，較佳為30mm以下。若滾紋部31,32的寬度過窄，其效果可能無法充分發揮，若滾紋部31,32的寬度過大，樹脂薄膜20的產率可能降低。
圖3(a)係顯示本實施形態的單位滾紋40之俯視圖，其是圖2的IIIA部之放大圖。圖3(b)係顯示本實施形態的單位滾紋40之剖面圖，其是沿著圖3(a)的IIIB-IIIB線之剖面圖。
如後述般，各單位滾紋40是對樹脂薄膜20的上表面21照射雷射光121，讓該樹脂薄膜20局部地熱熔融或剝蝕而形成的。因此，如圖3(a)及圖3(b)所示般，各單位滾紋40是包含形成於樹脂薄膜20的上表面21之上側凸部41。該上側凸部41，是在樹脂薄膜20的上表面21比周圍更朝向上方突出，在俯視下具有一圈圓周狀(圓環狀)的形狀，在該上側凸部41的內側僅存在圓形凹陷的上側凹部411。
又在圖3(a)所示的例子，上側凸部41的圓周形狀是真圓，但該上側凸部41的圓周形狀並不限定於此。亦即，該上側凸部41的圓周形狀，只要是不帶有角之圓的環狀形狀且短徑對長徑的比率為80%以上的形狀即可，除了真圓以外，還包含橢圓、長圓(將半圓彼此用一對的直線連接而成的形狀)、及使角成為圓角之多角形等。
又在本實施形態，因為如後述般藉由將雷射光無間隙地呈圓周狀掃描來形成單位滾紋40，各單位滾紋40包含形成於樹脂薄膜20的下表面22之下側凸部42。該下側凸部42，是在樹脂薄膜20的下表面22比周圍更朝向下方突出，在俯視下具有一圈圓周狀(圓環狀)的形狀，在該下側凸部42的內側僅存在圓形凹陷的下側凹部421。
又在圖3(a)所示的例子，下側凸部42的圓周形狀是真圓，但該下側凸部42的圓周形狀並不限定於此。亦即，該下側凸部42的圓周形狀，只要是不帶有角之圓的環狀形狀且短徑對長徑的比率為80%以上的形狀即可，除了真圓以外，還包含橢圓、長圓(將半圓彼此用一對的直線連接而成的形狀)、及使角成為圓角之多角形等。
又該下側凸部42，在俯視下，配置在上側凸部41的內側且與該上側凸部41呈同心圓狀。亦即，下側凸部42是在上側凸部41的背側配置成與該上側凸部41重疊。
上側凸部41的高度H 1沒有特別的限定，較佳為4μm~6μm(4μm≦H 1≦6μm)，該上側凸部41之高度H 1的標準偏差σ 1較佳為3μm以下(σ 1≦3μm)。藉由使上側凸部41之高度H 1在上述範圍內，且使該上側凸部41之高度H 1的標準偏差σ 1在上述上限值以下，可抑制上側凸部41的高度H 1之不一致，可抑制帶狀凸痕、挫曲變形等的捲繞缺陷發生。
相對於此，下側凸部42的高度H 2沒有特別的限定，較佳為2μm~4μm(2μm≦H 2≦4μm)，該下側凸部42之高度H 2的標準偏差σ 2較佳為2μm以下(σ 2≦2μm)。藉由使下側凸部42的高度H 2在上述範圍內，且使該下側凸部42之高度H 2的標準偏差σ 2在上述上限值以下，可抑制下側凸部42之高度H 2的不一致，可抑制帶狀凸痕、挫曲變形等的捲繞缺陷發生。
在本實施形態，下側凸部42的高度H 2比上側凸部41的高度H 1低(H 2＜H 1)。因此，縱使在樹脂薄膜20捲繞時的張力、接觸輥110之按壓力改變而變強導致上側凸部41被推入的情況，在下側凸部42的高度H 2會反抗該推入，因此可抑制上側凸部41發生下側凸部42的高度以上之變形。
在此，上側凸部41的高度H 1是相對於上側基準面的高度。該上側基準面是指，在樹脂薄膜20的上表面21，以作為測定對象之上側凸部41的中心為其中心，通過該上側凸部41的中心和其他上側凸部41的中心之間的中點之假想圓周的平均高度。在此，其他上側凸部41是指，在樹脂薄膜20的上表面21，距離作為測定對象的上側凸部41最近的位置之上側凸部41。
同樣的，下側凸部42的高度H 2是相對於下側基準面的高度。該下側基準面是指，在樹脂薄膜20的下表面22，以作為測定對象之下側凸部42的中心為其中心，通過該下側凸部42的中心和其他下側凸部42的中心之間的中點之假想圓周的平均高度。在此，其他下側凸部42是指，在樹脂薄膜20的下表面22，距離作為測定對象的下側凸部42最近的位置之下側凸部42。
該上側及下側凸部41,42的高度H 1,H 2，較佳為使用光干涉式的光學測定器(例如，株式會社基恩斯(Keyence)製：WI-5000)來測定。藉由採用如此般非接觸方式的測定器，可避免在測定時讓上側及下側凸部41,42變形。
又上側凸部41的高度H 1之標準偏差σ 1沒有特別的限定，可藉由測定在樹脂薄膜20的上表面21沿著該樹脂薄膜20的長度方向在50mm的範圍內所存在之所有的上側凸部41之高度H 1來算出。同樣的，下側凸部42的高度H 2之標準偏差σ 2也是，沒有特別的限定，可藉由測定在樹脂薄膜20的下表面22沿著該樹脂薄膜20之長度方向在50mm的範圍內所存在之所有的下側凸部42之高度H 2來算出。
上側凸部41的直徑D 1沒有特別的限定，較佳為大於40μm且1500μm以下(40μm＜D 1≦1500μm)。下側凸部42的直徑D 2沒有特別的限定，較佳為40μm以上且小於1500μm(40μm≦D 2＜1500μm)。當上側及下側凸部41,42的直徑D 1,D 2在上述範圍外的情況，滾紋部31,32可能無法將其效果充分地發揮。
又上側凸部41的直徑D 1，如圖3(a)及圖3(b)所示般，是將在該上側凸部41的徑向上之最高點在周方向相連而構成之圓周狀的稜線RL 1之直徑。同樣的，下側凸部42的直徑D 2，是將在該下側凸部42的徑向上之最高點在周方向相連而構成之圓周狀的稜線RL 2之直徑。
如圖2所示般，一方的滾紋部31是藉由將以上所說明之複數個單位滾紋40彼此隔著間隔規則地排列而構成。具體而言，在該滾紋部31中，沿著樹脂薄膜20的寬度方向將4個單位滾紋40以第1節距P 1等間隔地排列，藉此形成一個單位滾紋列45。而且，將複數個單位滾紋列45沿著樹脂薄膜20的長度方向以第2節距P 2等間隔地排列。沿著樹脂薄膜20的長度方向相鄰的單位滾紋列45彼此，是在樹脂薄膜20的寬度方向，以相當於第1節距P 1的一半之第3節距P 3錯開配置，藉此將複數個單位滾紋列45交替地配置。亦即，在本實施形態，藉由將複數個單位滾紋40配置成鋸齒狀來構成一方的滾紋部31。
雖未圖示出，另一方的滾紋部32也是與上述一方的滾紋部31同樣的，藉由將複數個單位滾紋40彼此隔著間隔規則地排列來形成。具體而言，在本實施形態，藉由將複數個單位滾紋40配置成鋸齒狀來構成另一方的滾紋部32。
滾紋部31,32中之單位滾紋40的數密度ND沒有特別的限定，較佳為8個/cm 2~100個/cm 2(8個/cm 2≦ND≦100個/cm 2)。若單位滾紋40的數密度ND小於上述下限值，滾紋部31,32的效果可能無法充分地發揮。另一方面，若單位滾紋40的數密度ND超過上述上限值，在滾紋部31,32容易發生樹脂薄膜20的破裂。
又構成滾紋部31,32之單位滾紋40的數量並不限定於上述。又滾紋部31,32中之單位滾紋40的配置也是，只要將複數個單位滾紋40彼此隔著間隔規則地排列即可，並不限定於上述。例如，可藉由將複數個單位滾紋40配置成格子狀(矩陣狀)來構成滾紋部31,32。
接下來，針對以上所說明之薄膜捲繞體1之製造方法，參照圖4~圖6(b)做說明。
圖4係顯示本實施形態的薄膜捲繞體1之製造工序的立體圖。圖5(a)及圖5(b)係顯示本實施形態的雷射光121之光點直徑SD和掃描圖案123之半徑PD的關係圖，圖5(a)是俯視圖，圖5(b)是沿著圖5(a)的VB-VB線之剖面圖。圖6(a)係顯示本實施形態的薄膜捲繞體1之樹脂薄膜20的積層部之剖面圖，圖6(b)係顯示比較例的薄膜捲繞體1’之樹脂薄膜20’的積層部之剖面圖。
製造上述薄膜捲繞體1之製造方法係具備：在樹脂薄膜20的寬度方向之兩端20a,20b形成滾紋部31,32之滾紋工序、及將形成有滾紋部31,32之樹脂薄膜20捲繞之捲繞工序。又可從成形工序到滾紋工序將樹脂薄膜20連續地供應，該成形工序是使用T模鑄膜法等將樹脂薄膜20成形為薄膜狀。
具體而言，如圖4所示般，利用捲繞裝置(未圖示)讓捲芯10旋轉，將長條狀的樹脂薄膜20沿著該樹脂薄膜20的長度方向連續地搬送，一邊藉由接觸輥110按壓一邊將樹脂薄膜20捲繞在捲芯10上。又在樹脂薄膜20與接觸輥110接觸之前，藉由雷射照射裝置120朝向樹脂薄膜20的上表面21照射雷射光121，在該樹脂薄膜20的寬度方向之兩端20a,20b形成滾紋部31,32。
又在本實施形態，是一邊將樹脂薄膜20朝向接觸輥110搬送，一邊對該樹脂薄膜20照射雷射光121來形成單位滾紋40，但並不限定於此。例如，每當要照射雷射光121來形成單位滾紋40時，讓樹脂薄膜20的搬送停止亦可。
在本實施形態，在滾紋工序，藉由雷射照射裝置120照射雷射光121之圓形的光點122，並將該雷射光121沿著圓周狀的掃描路徑123進行掃描，藉此形成包含上述上側及下側凸部41,42之單位滾紋40。又雷射光的掃描可使用基於檢流計掃描(Galvano scan)、XY載台掃描等的方法。
如此般，在本實施形態，形成於樹脂薄膜20之上側及下側凸部41,42具有不帶角部及端部之圓周形狀，且雷射光121的掃描路徑123呈圓周狀，因此不致發生雷射光121的照射量局部變動的部位。因此，可減少單位滾紋40的高度不一致，可抑制薄膜捲繞體2上之捲繞缺陷的發生。因為(甲基)丙烯酸樹脂所構成的薄膜容易因殘留應力而隨著時間經過發生變形，當樹脂薄膜20是由(甲基)丙烯酸樹脂所構成的情況特別的有效。
在該滾紋工序，如圖5(a)及圖5(b)所示般，雷射光121的光點122較佳為具有真圓形狀，該雷射光121的光點直徑SD較佳為20μm~1000μm(20μm≦SD≦1000μm)。又較佳為，雷射光121的掃描路徑123也具有真圓形狀，該掃描路徑123的直徑PD也是20μm~500μm(20μm≦PD≦500μm)。又基於雷射照射裝置120之雷射光121的掃描速度較佳為500mm/sec~10000mm/sec。又雷射光121的掃描路徑123之直徑PD是指，在樹脂薄膜20的上表面21移動之雷射光121的光點122之中心LC的軌跡之直徑。
又在圖5(a)所示的例子，雷射光121的掃描路徑123之圓周形狀呈真圓，但該掃描路徑123的圓周形狀並不限定於此。亦即，該掃描路徑123的圓周形狀，只要是不帶有角之圓的環狀形狀且短徑對長徑的比率為80%以上的形狀即可，除了真圓以外，還包含橢圓、長圓(將半圓彼此用一對的直線連接而成的形狀)、及使角成為圓角之多角形等。
如此般，在本實施形態，雷射光121的光點直徑SD大小為掃描路徑123的直徑PD以上(SD≧PD)。因此，如圖5(a)及圖5(b)所示般，沿著掃描路徑123移動之雷射光121的光點122的軌跡會在該掃描路徑123的中心部重複或接觸，可將雷射光121無間隙地呈圓周狀進行掃描。如此般，該雷射光121的軌跡成為沒有間隙的圓形形狀，因此可在樹脂薄膜20的上表面21讓雷射光121集中。又在本實施形態，是沿著掃描路徑123讓雷射光121的光點122移動一周，但並不限定於此，讓雷射光121的光點122沿著掃描路徑123移動複數周亦可。
如此般使雷射光121的光點直徑SD成為掃描路徑123的直徑PD以上且在樹脂薄膜20的上表面21讓雷射光121集中，如圖5(b)所示般，在樹脂薄膜20的上下兩面21,22，被雷射光121照射的部位之樹脂材料會流動而向外側擠壓。藉此，讓在內側具有上側凹部411之上側凸部41形成於樹脂薄膜20的上表面21，同時讓在內側具有下側凹部421之下側凸部42形成於樹脂薄膜20的下表面22。亦即，藉由對樹脂薄膜20的上表面21進行雷射光121的一次照射，可同時形成上側凸部41和下側凸部42。又可讓流動化之上側及下側凹部411,421的部分之樹脂材料向外周側集中，因此可高效率地獲得上側及下側凸部41,42的高度。
這時，因為雷射光121照射在樹脂薄膜20的上表面21，使下側凸部42配置在上側凸部41的內側，且使下側凸部42的高度H 2比上側凸部41的高度H 1低(H 2＜H 1)。又因為藉由雷射照射來同時形成上側及下側凸部41,42，使下側凸部42與上側凸部41呈同心圓狀。亦即，因為上側凸部41和下側凸部42是藉由一次雷射照射而同時形成，在俯視下之上側凸部41和下側凸部42的位置關係被高精度地規定。
作為雷射光121的具體例可使用：ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、及XeCl準分子雷射等的準分子雷射，YAG雷射、YLF雷射、YVO 4雷射、及鈦藍寶石雷射等的固體雷射，半導體雷射、光纖雷射、以及二氧化碳雷射等。基於利用高功率而使生產性提高的觀點，作為雷射光121較佳為使用二氧化碳雷射。
又基於雷射照射裝置120之雷射光121的照射功率較佳為3W~30W。再者，基於雷射照射裝置120之雷射光121的照射脈衝較佳為5kHz~20kHz。
接下來，形成有滾紋部31,32之樹脂薄膜20，是沿著其長度方向被搬送，一邊藉由接觸輥110按壓一邊被捲繞。又代替接觸輥110或除了接觸輥110以外，可使用不按壓樹脂薄膜20之接近輥(near roll)。或是，不使用接觸輥110及接近輥而將樹脂薄膜20捲繞亦可。
這時，如圖6(b)所示般，在不具備下側凸部之比較例的薄膜捲繞體1’，若在樹脂薄膜20’捲繞時的張力、接觸輥的按壓力改變而變強，可能使上側凸部41’變形而變得無法維持既定高度，導致樹脂薄膜20’彼此接觸而發生帶狀凸痕。
相對於此，在本實施形態，如圖6(a)所示般，除了在樹脂薄膜20的上表面21形成有上側凸部41，在該樹脂薄膜20的下表面22也形成有下側凸部42，在被重疊捲繞的樹脂薄膜之間介入許多接點。因此，縱使在樹脂薄膜20捲繞時的張力、接觸輥110之按壓力改變而變強的情況，仍可抑制上側及下側凸部41,42變形而變低，因此可抑制薄膜捲繞體1上之捲繞缺陷的發生。
再者，在本實施形態，在俯視下，下側凸部42配置在上側凸部41的內側，且該下側凸部42與上側凸部41呈同心圓狀，在上側凸部41的背側以與該上側凸部41重疊的方式配置下側凸部42。因此，縱使在樹脂薄膜20捲繞時的張力、接觸輥110之按壓力改變而變強導致上側凸部41被推入的情況，因為下側凸部42可反抗該推入，可進一步抑制上側及下側凸部41,42變形而變低。
又以上所說明的實施形態，是為了易於理解本發明所記載的，並非用於限定本發明所記載的。因此，上述實施形態所揭示之各要素，當然也包含屬於本發明的技術範圍之所有的設計變更及均等物。
1:薄膜捲繞體 10:捲芯 20:樹脂薄膜 21:上表面 22:下表面 31,32:滾紋部 40:單位滾紋 41:上側凸部 411:上側凹部 42:下側凸部 421:下側凹部 45:單位滾紋列 110:接觸輥 120:雷射照射裝置 121:雷射光 122:光點 123:掃描路徑
[圖1]係顯示本發明的實施形態之薄膜捲繞體的立體圖。 [圖2]係顯示本發明的實施形態之薄膜捲繞體的樹脂薄膜之俯視圖，其是圖1的II部之放大圖。 [圖3(a)]係顯示本發明的實施形態之單位滾紋的俯視圖，其是圖2的IIIA部之放大圖；[圖3(b)]係顯示本發明的實施形態之單位滾紋的剖面圖，其是沿著圖3(a)的IIIB-IIIB線之剖面圖。 [圖4]係顯示本發明的實施形態之薄膜捲繞體的製造工序之立體圖。 [圖5(a)及圖5(b)]係顯示本發明的實施形態之雷射光的光點直徑和掃描圖案的半徑之關係圖，圖5(a)是俯視圖，圖5(b)是沿著圖5(a)的VB-VB線之剖面圖。 [圖6(a)]係顯示本發明的實施形態之薄膜捲繞體的樹脂薄膜之積層部的剖面圖；[圖6(b)]係顯示比較例之薄膜捲繞體的樹脂薄膜之積層部的剖面圖。
20:樹脂薄膜
21:上表面
22:下表面
40:單位滾紋
41:上側凸部
42:下側凸部
411:上側凹部
421:下側凹部
D1:上側凸部的直徑
D2:下側凸部的直徑
H1:上側凸部的高度
H2:下側凸部的高度
RL1,RL2:稜線
T1:樹脂薄膜的厚度

Claims (7)

  1. 一種薄膜捲繞體，係具備有被捲繞的樹脂薄膜之薄膜捲繞體， 前述樹脂薄膜，係在前述樹脂薄膜之寬度方向的兩端具有滾紋部， 前述滾紋部，係具備彼此隔著間隔規則地排列之複數個單位滾紋， 各個前述單位滾紋係包含：形成於前述樹脂薄膜的上表面且朝向上方突出之圓周狀的第1凸部、及形成於前述樹脂薄膜的下表面且朝向下方突出之圓周狀的第2凸部， 在俯視下，第2凸部配置在比前述第1凸部更內側且與前述第1凸部呈同心圓狀。
  2. 如請求項1所述之薄膜捲繞體，其中， 前述第2凸部的高度比前述第1凸部的高度低。
  3. 如請求項1所述之薄膜捲繞體，其中， 前述第1凸部係在前述樹脂薄膜的上表面形成一圈的圓形形狀， 前述第2凸部係在前述樹脂薄膜的下表面形成一圈的圓形形狀。
  4. 如請求項1所述之薄膜捲繞體，其中， 前述樹脂薄膜的厚度為20μm~50μm， 前述滾紋部配置在距離前述樹脂薄膜的緣部2mm ~30mm的範圍內， 前述滾紋部中之單位滾紋的數密度為8個/cm 2~100個/cm 2， 前述第1凸部的直徑為大於40μm且1500μm以下， 前述第2凸部的直徑為40μm以上且小於1500μm， 前述第1凸部的高度為4μm~6μm， 前述第1凸部的高度之標準偏差為3μm以下， 前述第2凸部的高度為2μm~4μm， 前述第2凸部的高度之標準偏差為2μm以下。
  5. 一種薄膜捲繞體之製造方法，係如請求項1至4中之任一項所述之薄膜捲繞體之製造方法， 其係具備：在樹脂薄膜之寬度方向的兩端形成前述滾紋部之第1工序、及將前述樹脂薄膜捲繞之第2工序， 前述第1工序係包含：對前述樹脂薄膜照射雷射光，讓前述雷射光沿著圓周狀的掃描路徑進行掃描而形成前述單位滾紋。
  6. 如請求項5所述之薄膜捲繞體之製造方法，其中， 前述雷射光的光點直徑係前述掃描路徑的直徑以上。
  7. 如請求項5所述之薄膜捲繞體之製造方法，其中， 前述雷射光的照射功率為3W~30W， 前述雷射光的照射脈衝為5kHz~20kHz， 前述雷射光的光點直徑為20μm~1000μm， 前述雷射光的掃描速度為500mm/sec~10000mm/sec， 前述雷射光的掃描路徑之直徑為20μm~500μm。
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