TWI810313B - 觸控感測單元及包含其之顯示裝置 - Google Patents

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TWI810313B
TWI810313B TW108120149A TW108120149A TWI810313B TW I810313 B TWI810313 B TW I810313B TW 108120149 A TW108120149 A TW 108120149A TW 108120149 A TW108120149 A TW 108120149A TW I810313 B TWI810313 B TW I810313B
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方景楠
李昶昊
韓惠允
鄭榮培
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Abstract

一種包含複數個第一感測電極以及與複數個第一感測電極相交並絕緣的複數個第二感測電極的觸控感測單元。複數個第一感測電極包含複數個第一感測器部以及將各複數個第一感測器部彼此相互連接的複數個第一連接部。複數個第二感測電極包含複數個第二感測器部、從複數個第二感測器部延伸的複數個桿式感測器、以及將各複數個第二感測器部彼此相互連接的複數個第二連接部。各複數個第一感測器部包含向內形成凹入的複數個凹陷處。各複數個桿式感測器係設置以至少部分地被複數個凹陷處之各個凹陷處環繞。

Description

觸控感測單元及包含其之顯示裝置
本申請案主張於2018年9月19日向韓國智慧財產局提出之申請案號為10-2018-0112025之優先權,其全部揭露之內容併入此處作為參考。
本揭露關於一種顯示裝置,更具體而言,係關於一種觸控感測單元及包含其之顯示裝置。
顯示裝置為可用於顯示多媒體之各種產品重要的組件。現今可取得許多不同類型的顯示裝置。常用的顯示裝置之實例包含有機發光顯示裝置(OLED)及液晶顯示裝置(LCD)。
如那些用於智慧型手機及平板電腦的現代化使用者介面(modern user interfaces)通常利用觸控作為輸入的主要手段。為了感測使用者的觸控,可使用觸控感測單元。觸控感測單元可併入顯示裝置以便使用單一表面顯示多媒體並感測觸控輸入。例如,觸控感測器可附接至顯示面板的一個表面或可與顯示面板一體成形地製造。使用者可以藉由按壓或觸碰觸控感測單元輸入資訊,同時觀看顯示在顯示裝置螢幕上的影像。
提供一種觸控感測單元,其包含複數個第一感測電極以及與複數個第一感測電極相交並絕緣之複數個第二感測電極。複數個第一感測電極包含複數個第一感測器部以及將各複數個第一感測器部彼此相互連接的複數個第一連接部。複數個第二感測電極包含複數個第二感測器部、從複數個第二感測器部延伸的複數個桿式感測器、以及將各複數個第二感測器部彼此相互連接的複數個第二連接部。各複數個第一感測器部包含向內形成凹入的複數個凹陷處。各複數個桿式感測器係設置以至少部分地被複數個凹陷處之各個凹陷處環繞。
提供一種顯示裝置,其包含具有顯示區以及至少部分地環繞顯示區之非顯示區的基層。複數個第一訊號線設置在非顯示區的第一側邊界上。複數個第二訊號線設置在非顯示區的第二側邊界上。接地線設置在非顯示區的第三側邊界上。複數個第一感測電極設置在顯示區中且連接至複數個第一訊號線。複數個第二感測電極設置在顯示區中、連接至複數個第二訊號線、且與複數個第一感測電極相交並絕緣。複數個接地電極設置在顯示區中、連接至接地線、且設置在複數個第一感測電極及複數個第二感測電極之間。各複數個接地電極與複數個第一感測電極以及複數個第二感測電極絕緣。
1、2:顯示裝置
10:第一基板
20:電路層
30:發光元件層
40:封裝層
50:觸控層
50a、50a_1~50a_11:觸控感測單元
51:基層
52:第一觸控導電層
52a:感測電極
53:第一觸控絕緣層
54:第二觸控導電層
55:第二觸控絕緣層
60:第二基板
101:基底基板
201:第一緩衝層
211:閘極絕緣層
212:層間介電層
220:保護層
311:第一像素電極
312:有機發光層
313:第二像素電極
450:封裝層
451:第一無機層
452:有機層
453:第二無機層
510:第一感測電極
511、511a、511b:第一感測器部
512:第一連接部
513a、513b、513c、513d:凹陷處
520:第二感測電極
520a:感測電極延伸
521、521a、521b:第二感測器部
522、522a、522b:第二連接部
523、523_1a、523_1b、523_1c、523_1d、523a、523b、523c、523d:桿式感測器
523W1:第一寬度
523W2:第二寬度
530、531、532、533、534、535:第一訊號線
540、541、542、543、544:第二訊號線
550、551、552、553、554:第三訊號線
561a、561b、561c、561d:第一虛擬電極
562a、562b、562c、562d:第二虛擬電極
563:接地電極
563a、563b、563c、563d:接地圖樣
564a:第三連接部
564b:第四連接部
564c:第五連接部
565、566:虛擬電極
601:覆蓋窗
610:黏合構件
A1、A2、A3:半導體層
AA1、AA2、AB1、AB2、AC1、AC2、AD1、AF1、AG1:區域
BA:彎曲區域
C1、C2、C3:路徑
Cbg、Cbr、Cbt、Cfg、Cfr、Cft、Csg:電容
Cm:互感電容
CNT1~CNT6:接觸孔
D1、D2、D3:汲極電極
DA、DA1:顯示區
dr1~dr7:方向
DS:偵測訊號
G1、G2、G3:閘極電極
GNL:接地線
GNLa、GNLb:接地線層
ISU-PDR、ISU-PDT:輸入焊墊
NBA1、NBA2:非彎曲區域
NDA:非顯示區
PDL:像素定義層
PXA_B、PXA_G、PXA_R:發光區
r1~r5:等效電阻
S1、S2、S3:源極電極
SS:感測訊號
SUT1、SUT2、SUT3、SUT4:單元感測區域
TPA、TPA1、TPA2:焊墊終端區域
TR1、TR2、TR3:薄膜電晶體
本揭露更完整的說明以及其伴隨而來的許多優點將藉由詳細描述例示性實施例時一併參閱其所附圖式而變得更顯而易見,其中: 第1圖係繪示根據本揭露之例示性實施例的有機發光顯示裝置的平面圖;第2圖係繪示根據本揭露之例示性實施例的有機發光顯示裝置的截面圖;第3圖係示意性地繪示根據本揭露之例示性實施例的觸控感測單元之結構的截面圖;第4圖係示意性地繪示根據本揭露之例示性實施例的觸控感測單元之配置的平面圖;第5圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之第4圖所示的觸控感測單元之區域AA1的佈局示意圖。
第6圖係繪示第5圖之區域AA2的放大圖。
第7圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之沿著第6圖中的線I1-I1’裁切觸控感測單元的截面圖;第8圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之沿著第5圖中的線I2-I2’裁切觸控感測單元的截面圖;根據本揭露之例示性實施例,第9圖係繪示當觸控事件發生時的觸控感測單元的等效電路圖;第10圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之一部分的觸控感測單元之佈局示意圖;根據本揭露之例示性實施例,第11圖係繪示沿著第10圖中的線II1-II1’裁切觸控感測單元的截面圖; 第12圖係示意性地繪示根據本揭露之例示性實施例之觸控感測單元之配置平面圖;第13圖係繪示對應第12圖的觸控感測單元中的區域AB1的部分的佈局示意圖;第14圖係繪示對應第12圖的觸控感測單元中的區域AB2的部分的佈局示意圖;第15圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之沿著第13圖中的線III1-II1’裁切觸控感測單元的截面圖;第16圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之沿著第14圖中的線III2-III2’裁切觸控感測單元的截面圖;根據本揭露之例示性實施例,第17圖係繪示當觸控事件發生時的觸控感測單元的等效電路圖;第18圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之一部分的觸控感測單元的佈局示意圖;第19圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之沿著第18圖中的線IV1-IV1’裁切觸控感測單元的截面圖;第20圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之一部分的觸控感測單元的佈局示意圖;第21圖係示意性地繪示根據本揭露之例示性實施例之觸控感測單元之配置的平面圖;第22圖係繪示對應第21圖的觸控感測單元中的區域AC1的部分的佈局示意圖; 第23圖係繪示對應第21圖的觸控感測單元中的區域AC2的部分的佈局示意圖;第24圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之沿著第23圖中的線V1-V1’裁切觸控感測單元的截面圖;第25圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之沿著第23圖中的線V2-V2’裁切觸控感測單元的截面圖;第26圖係示意性地繪示根據本揭露之例示性實施例之觸控感測單元之配置的平面圖;第27圖係繪示對應第21圖的觸控感測單元中的區域AD1的部分的佈局示意圖;第28圖及第29圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之觸控感測單元之部分的佈局示意圖;第30圖係示意性地繪示根據本揭露之例示性實施例之觸控感測單元之配置的平面圖;第31圖係繪示對應第30圖的觸控感測單元中的區域AF1的部分的佈局示意圖;第32圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之一部分的觸控感測單元的佈局示意圖;第33圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之一部分的觸控感測單元的佈局示意圖;第34圖係繪示第1圖之區域AG1的放大圖;第35圖係繪示沿著第34圖之線VI1-VI1’裁切的截面圖;以及 第36圖係繪示根據本揭露之例示性實施例之有機發光顯示裝置的透視圖。
藉由下列實施例的詳細描述及所附圖式將更易於理解本揭露更完整的概念以及其伴隨而來的許多態樣。然而,本發明概念以許多不同形式實現,而不應該解釋為僅限制於本文所闡述的實施例。而是提供這些實施例使得本揭露周密且完整,並對所屬領域具有通常知識者充分地傳達本發明之觀念。
應理解的是當一構件或一層被指為「上(on)」、「連接(connected to)」或「耦合(coupled to)」另一構件或另一層時,其可以是直接或直接連接在另一構件或另一層上,或者可能存在插置於其中的構件或層。
根據本揭露的各種例示性實施例,顯示裝置可以是用作為顯示視訊或靜止影像(still image)的各種裝置的顯示螢幕。可以設置各種顯示器以單像地(monoscopically)或立體地(stereoscopically)顯示視訊或靜止影像。這些顯示裝置可併入如行動通訊終端、智慧型手機、平板個人電腦、筆記型電腦、智慧型手錶及導航裝置的可攜式電子裝置,以及如電視、監視器、電子看板的常備電子裝置,以及如物聯網(Internet of Things)裝置的智慧家電。
下文中,本發明的之例示性實施例將參照所附圖式而詳細描述。於下文描述中,將以有機發光顯示裝置作為顯示裝置的實例描述。然而,應理解的是本揭露並不以此為限。根據本揭露之例示性實施例,顯示裝置亦可在不偏離本揭露之範疇下應用於如液晶顯示裝置、場發射顯示裝置、電泳顯示裝置、 量子點顯示裝置或微發光二極體(micro LED)顯示裝置的其他顯示裝置。在說明書及圖式通篇中,相同元件符號可代表相同元件。
第1圖係繪示根據本揭露之例示性實施例的有機發光顯示裝置的平面圖。第2圖係繪示根據本揭露之例示性實施例的有機發光顯示裝置的截面圖。
參照第1圖,根據本揭露之例示性實施例,有機發光顯示裝置1可大致上具有矩形形狀,其在第一方向dr1上較第二方向dr2上長。例如,有機發光顯示裝置1的邊界可包含在第一方向dr1上延伸的較長邊以及在第二方向dr2上延伸的較短邊。
為便於說明,在本文中,在圖中的垂直方向定義為第一方向dr1,以及圖中的水平方向定義為第二方向dr2。此外,與第一方向dr1及第二方向dr2正交(orthogonal)的方向定義為第三方向dr3,且第三方向dr3可以自頁面朝外延伸。此外,對於在平面上不同於第一方向dr1及第二方向dr2的傾斜方向,在相對於虛擬參考點(imaginary reference point)的左上方向延伸的方向定義為第四方向dr4,在相對於虛擬參考點的右上方向延伸的方向定義為第五方向dr5,在相對於虛擬參考點的左下方向延伸的方向定義為第六方向dr6,在相對於虛擬參考點的右下方向延伸的方向定義為第七方向dr7。值得注意的是,本揭露之例示性實施例並不以上述定義的方向為限,且第一方向dr1至第七方向dr7是為了說明的目的而提供的相關方向。
有機發光顯示裝置1可包含顯示區DA1及非顯示區NDA。
顯示區DA1定義為用於顯示影像的區域。有機發光顯示裝置1可包含複數個像素,且複數個像素全部設置在顯示區DA1中。顯示區DA1亦可作為用來辨識使用者之觸控輸入並且顯示影像的區域。
非顯示區NDA定義為沒有顯示影像的區域。例如,在非顯示區NDA中沒有設置像素。非顯示區NDA可設置在顯示區DA1的外側上,並且可以至少部分地圍繞顯示區DA1。
可在非顯示區NDA的某些部份中設置麥克風模組、照相機模組及感測模組等。在本揭露的例示性實施例中,感測模組可包含亮度感測器(luminance sensor)、鄰近度感測器(proximity sensor)、紅外線感測器(infrared sensor)及/或超音波感測器(ultrasonic sensor)。
參照第2圖,在本揭露的例示性實施例中,有機發光顯示裝置1可包含第一基板10、設置在第一基板10上的電路層20、設置在電路層20上的發光元件層30、設置在發光元件層30上的封裝層40、設置在封裝層40上的觸控層50以及設置在觸控層50上的第二基板60。然而,應理解的是本揭露並不以此為限。各層可以單層或多層製成。根據需求可加上其他層或是可以省略這裡所描述的一些層。有機發光顯示裝置1的層疊結構將在之後參照第35圖來描述。
如第35圖中所示,第二基板60包含覆蓋窗601。覆蓋窗601的上表面可為使用者輸入工具(例如手指或觸控筆)所觸碰的表面。
如第3圖中所示,有機發光顯示裝置1可包含觸控感測單元50a。在本揭露的例示性實施例中,觸控感測單元50a可設置在觸控層50中。觸控感測單元50a的組成元件之配置將參照第3圖及第4圖描述。
第3圖為示意性地說明根據本揭露一例示性實施例的觸控感測單元之結構的截面圖。第4圖為示意性地說明根據本揭露上述的例示性實施例的觸控感測單元之配置的平面圖。
參照第3圖及第4圖,觸控感測單元50a可具有多層結構且可設置在基層51上。觸控感測單元50a包含複數個感測電極、連接至複數個感測電極的複數個訊號線以及至少一個絕緣層(例如,第一觸控絕緣層53)。可組裝觸控感測單元50a以藉由例如電容式感測(capacitive sensing)來感測外部訊號源的輸入。一般而言,感測電極配置在落入上述之顯示區DA1中的區域,複數個訊號線配置在落入非顯示區NDA中的區域,且至少一個第一觸控絕緣層53可設置在顯示區DA1及非顯示區NDA的整個表面上。然而,應理解的是本揭露並不以此為限。
如第3圖所示,在本揭露之例示性實施例中的觸控感測單元50a可包含在第三方向dr3上彼此堆疊的第一觸控導電層52、第一觸控絕緣層53、第二觸控導電層54及第二觸控絕緣層55。根據本揭露之例示性實施例,可省略第二觸控絕緣層55。
觸控感測單元50a可設置在基層51上。基層51可對應於上述的封裝層40。在本揭露的例示性實施例中,基層51可對應於封裝層450(參見第35圖)的第二無機層453(參見第35圖)。例如,第一觸控導電層52可直接設置在封裝層450的第二無機層453上。然而,應理解的是本揭露並不以此為限。有機發光顯示裝置1可進一步包含可充當基層51的觸控緩衝層。觸控緩衝層可設置在封裝層450的第二無機層453上。第一觸控導電層52可設置在觸控緩衝層上。可組裝觸控緩衝層以平滑化(smoothen)封裝層450的表面並避免濕氣或空氣的滲透。觸控緩衝層可以是含有氮化矽(silicon nitride,SiNx)的無機層。
第一觸控導電層52及第二觸控導電層54中的每一個可由單層或在第三方向dr3上層疊的多層而製成。當觸控導電層以單層製成時,其可包含金屬層或透明導電層。例如,金屬層可包含鉬(molybdenum)、銀(silver)、鈦(titanium)、銅(copper)、鋁(aluminum)及/或其合金。透明導電層可包含像是氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅(ZnO)及/或氧化銦鋅錫(indium tin zinc oxide,ITZO)的透明導電氧化物。此外,透明導電層可包含如PEDOT的導電聚合物、金屬奈米線、石墨烯(graphene)等。
當觸控導電層由多層製成時,其可包含多重金屬層。多重金屬層可具有例如鈦(Ti)/鋁(Al)/鈦(Ti)的三層結構。觸控導電層可包含至少一個金屬層及至少一個透明導電層。
第一觸控導電層52及第二觸控導電層54中的每一個包含複數個圖樣。在下文描述中,假設第一觸控導電層52包含第一導電圖樣,且第二觸控導電層54包含第二圖樣。第一導電圖樣及第二導電圖樣中的每一個可包含訊號線及感測電極。
可基於所需的靈敏度來決定感測電極的層疊結構及材料。電阻電容延遲(RC delay)可影響靈敏度。由於包含金屬層的感測電極之電阻小於透明導電層的電阻,RC值下降。因此,感測電極之間定義的電容器之充電時間減少。相較於金屬層,包含透明導電層的感測電極對於使用者來說具有較低的可視度,並增加輸入區域以增加電容器的電容。
在本揭露的例示性實施例中,包含金屬層的感測電極可具有網格形狀以避免他們被使用者看到。然而,應理解的是本揭露並不以此為限。可調整封裝層450的厚度以避免因發光源件層30之組成元件所產生的雜訊影響觸控 感測單元50a。第一觸控絕緣層53及第二觸控絕緣層55中的每一個可由單層或多層結構製成。第一觸控絕緣層53及第二觸控絕緣層55中的每一個可包含無機材料、有機材料及/或有機-無機複合材料。無機材料可包含氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鈦(titanium oxide)、氧化矽(silicon oxide)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧化鋯(zirconium oxide)及/或氧化鉿(hafnium oxide)。有機材料可包含丙烯酸樹脂(acrylic resin)、甲基丙烯酸樹脂(methacrylic resin)、聚異戊二烯橡膠(polyisoprene)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、胺基甲酸乙酯樹脂(urethane resin)、纖維素樹脂(cellulose resin)、矽氧烷樹脂(siloxane resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)及/或苝樹脂(perylene resin)。
如第4圖中所示,感測電極可設置在落入有機發光顯示裝置之顯示區DA的區域中,且訊號線可設置在落入非顯示區NDA中的區域中。因此,可在基層51中分別定義對應於顯示區DA1及非顯示區NDA的區域。
感測電極包含複數個第一感測電極510及複數個第二感測電極520。在例示性實施例中,假設第一感測電極510為感測電極,而第二感測電極520為驅動電極。可選地,第一感測電極510可為驅動電極,而第二感測電極520可為感測電極。
第一感測電極510與第二感測電極520相交。第一感測電極510在第二方向dr2上延伸並相互平行配置。第二感測電極520在第一方向dr1上延伸並相互平行配置。第一感測電極510及第二感測電極520可為彼此相互絕緣且例如,可彼此相互間隔。
第一感測電極510及第二感測電極520可藉由互感電容感測(mutual-capacitance sensing)感測外部輸入。而且,可藉由互感電容感測在在第一時段期間取得外部輸入的座標,然後可藉由自感電容感測(self-capacitance sensing)在第二時段期間再取得外部輸入的座標。
第一感測電極510中的每一個包含第一感測器部511及第一連接部512。第一感測器部511在第二方向dr2上配置。第一連接部512中的每一個連接第一感測器部511中彼此相鄰的兩個。第一感測器部511及第一連接部512可設置在相同的層上。第一感測器部511中之兩相鄰者可經由第一連接部512實質上物理性連接。
各第二感測電極520包含第二感測器部521及第二連接部522。第二感測電極部521在第一方向dr1上設置。各第二連接部522連接第二感測器部521中之兩相鄰者。第二感測器部521可設置在與第二連接部522不同的層上。第二連接部522可設置在與第一連接部512不同的層上並橫越(traverse)第一連接部521,使得他們彼此相互絕緣。
第二感測電極520可進一步包含標有第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d的桿式感測器523。桿式感測器可從第二感測器部521延伸。第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d中的每一個可具有穿過第一感測器部511的形狀,這將在之後參照第5圖詳細描述。
訊號線包含第一訊號線530、第二訊號線540及第三訊號線550。第一訊號線530連接至第一感測電極510的第一端。根據本揭露之例示性實施例,第一訊號線530可連接至第一感測電極510的右端,且可大致上在第一方向dr1上沿著落入非顯示區NDA中的區域的右邊界延伸。
第二訊號線540連接至第二感測電極520的第一端。根據本揭露之例示性實施例,第二訊號線540可連接至第二感測電極520的上端且可彎曲以便大致上沿著左邊界延伸。
第三訊號線550連接至第二感測電極520的相對端(opposed end)。根據本揭露之例示性實施例,第三訊號線550可連接至第二感測電極520的下端且可大致上鄰近下邊界設置。
如圖所示,各第二感測電極520可以是雙線的(double-routed),而各第一感測電極510可為單線的(single-routed)。第一感測電極510可施加以第一參考電壓訊號,同時第二感測電極520可施加以第二參考電壓訊號。施加至各第一感測電極510的第一參考電壓訊號的電壓位準可以低於施加至各第二感測電極520的第二參考電壓訊號的電壓位準。
由於第二感測電極520被施加了具有較高電壓位準的訊號,在觸控感測電極中的電壓位準會因訊號線連接至感測電極的距離而有非常大的不同。例如,若一個訊號線僅連接至第二感測電極520的一端,相鄰於該端之第二感測器部521的電壓位準可與相鄰於相對端之第二感測器部521的電壓位準不同。有鑑於上述,第二訊號線540及第三訊號線550分別連接至第二感測電極520的第一端及相對端,以便降低第二感測器部521的電壓位準在驅動電極的兩端之間的差值。值得注意的是,連接至第二感測電極520的訊號線的數量及訊號線的配置並不以圖式中所示為限。
觸控感測單元50a可進一步包含接地線GNL。接地線GNL可設置在第二訊號線540及複數個感測電極之間。可對接地線GNL施加第三參考電壓訊號(例如,具有與施加至共用電極相同位準的電壓訊號)。第三參考電壓訊號可以 是但不限於是具有電壓位準低於第一參考電壓訊號及第二參考電壓訊號的電壓位準的電壓訊號。接地線GNL可避免第二訊號線540與複數個第一感測電極510及第二感測電極520之間的耦合。
接地線GNL可進一步設置在第一訊號線530及第二訊號線540之間以及第二訊號線540及第三訊號線550之間。
在本揭露的例示性實施例中,焊墊終端區域TPA可形成在有機發光顯示裝置1之非顯示區NDA的一側上。焊墊終端區域TPA包含連接至訊號線的複數個焊墊終端。焊墊終端區域TPA可包含連接至第一訊號線530的第一焊墊終端區域TPA1、連接至第二訊號線540及第三訊號線550的第二焊墊終端區域TPA2。第二焊墊終端區域TPA2可包含(也可不包含)連接至接地線GNL的焊墊終端。
在本揭露的一例示性實施例中,第一焊墊終端區域TPA1可設置在非顯示區NDA的右下區域,且第二焊墊終端區域TPA2可設置在非顯示區NDA的左下區域。值得注意的是,焊墊終端區域TPA的位置並不以此為限。焊墊終端區域TPA的位置可取決於與其他可連接至觸控構件的元件建立電性連接所需的配置而變化。
彼此相鄰的第一感測電極510的第一感測器部511及第二感測電極520的第二感測器部521可形成複數個單元感測區域(例如,第一單元感測區域SUT1至第四單元感測區域SUT4)。例如,在第二方向dr2上彼此相鄰的兩個第一感測器部511各取一半,並在第一方向dr1上彼此相鄰的兩個第二感測器部521各取一半,就可以形成一個正方形或矩形,且該個正方形或矩形的中心點就是第一感測電極510及第二感測電極520的交會點。藉由相鄰的第一感測器部511的半 區及相鄰的第二感測器部521的半區所定義的區域可以是單一個單元感測區域。可以將複數個單元感測區域配置在列方向上以及行方向上。行方向(column direction)可對應於第一方向dr1,且列方向(row direction)可對應於第二方向dr2。
在第一單元感測區域SUT1至第四單元感測區域SUT4的每一個中,測量相鄰驅動電極與感測電極之間的電容值以測定是否有觸控輸入,如果有觸控輸入,可以觸控輸入的座標來定義觸控輸入的位置。
第一單元感測區域SUT1至第四單元感測區域SUT4中的每一個可以大於一個像素的發光區,這將在之後描述。例如,第一單元感測區域SUT1至第四單元感測區域SUT4中的每一個可以覆蓋複數個發光區。例如,第一單元感測區域SUT1至第四單元感測區域SUT4中的每一個的一側的長度可以在3.5mm至4.5mm的範圍中,但這些區域的尺寸並不限於此範圍中。
接下來,將參照第5圖至第8圖描述感測電極的配置。
根據本揭露之例示性實施例,第5圖係繪示觸控感測單元50a在第4圖所示區域AA1中的佈局示意圖。第6圖係繪示第5圖的區域AA2的放大圖。根據本揭露之例示性實施例,第7圖係繪示沿著第6圖的線I1-I1’裁切觸控感測單元50a的截面圖。根據本揭露之例示性實施例,第8圖係繪示沿著第5圖的線I2-I2’裁切觸控感測單元50a的截面圖。
值得注意的是,第4圖中所示區域AA1包含了四個單元感測區域,例如,在矩陣中彼此相鄰配置的第一單元感測區域SUT1至第四單元感測區域SUT4。為便於說明,將描述設置在第一單元感測區域SUT1中的第一感測電極510及第二感測電極520。應理解的是,對於設置在第一單元感測區域SUT1中的感測電極的描述可以等同地施加至設置在其他單元感測區域(例如,第二單元感 測區域SUT2至第四單元感測區域SUT4)中的第一感測電極510及第二感測電極520。
參照第5圖至第8圖,複數個第一感測電極510及複數個第二感測電極520彼此相互間隔。第一感測電極510可包含複數個凹陷處。第二感測電極520可包含至少部分地被第一感測電極510的凹陷處分別環繞的複數個桿式感測器。
複數個凹陷處指的是第一感測器部511向內形成凹入(indented inwardly)的部分。桿式感測器指的是從第二感測器部521延伸且至少部分地被凹陷處分別環繞的突出。例如,桿式感測器可具有分別穿過第一感測器部511的凹陷處的形狀。
第一感測電極510的凹陷處及第二感測電極520的各個桿式感測器可彼此相互間隔。
根據本揭露的例示性實施例,相對於第一單元感測區域SUT1的中央(在圖中第一連接部512的中央),第一感測電極510可包含四個凹陷處,且第二感測電極520可包含四個桿式感測器。
第一感測電極510可包含在第四方向dr4上形成凹入的第一凹陷處513a、在第五方向dr5上形成凹入的第二凹陷處513b、在第六方向dr6上形成凹入的第三凹陷處513c以及在第七方向dr7上形成凹入的第四凹陷處513d。第一凹陷處513a及第三凹陷處513c可彼此形成在相同的第一感測器部511中,且第二凹陷處513b及第四凹陷處513d可彼此形成在相同的第一感測器部511中。
第二感測電極520可包含在第四方向dr4上從第二感測器部521延伸的第一桿式感測器523a、在第五方向dr5上從第二感測器部521延伸的第二桿式 感測器523b、在第六方向dr6上從第二感測器部521延伸的第三桿式感測器523c以及在第七方向dr7上從第二感測器部521延伸的第四桿式感測器523d。第一桿式感測器523a及第二桿式感測器523b可形成在相同的單個第二感測器部521上,且第三桿式感測器523c及第四桿式感測器523d可形成在相同的單個第二感測器部521上。
第一桿式感測器523a可以至少部分地被第一凹陷處513a環繞,第二桿式感測器523b可以至少部分地被第二凹陷處513b環繞,第三桿式感測器523c可以至少部分地被第三凹陷處513c環繞,以及第四桿式感測器523d可以至少部分地被第四凹陷處513d環繞。第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d可以大致上以平行於第二感測器部521之間的邊界線的方向延伸,其中第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d自第二感測器部521之間的邊界線延伸,且第一感測器部511設置在其之間。
由於第二感測電極520包含第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d,相較於沒有桿式感測器時,可以增加第一感測電極510及第二感測電極520之間的邊界線的總長。因此,加寬了可以在第一感測電極510及第二感測電極520之間產生電容的區域,而增加了第一感測電極510及第二感測電極520之間的互感電容Cm(mutual capacitance)。
根據本揭露的例示性實施例,第一感測電極510及第二感測電極520可包含網格形式的電極。第一感測電極510可包含在第五方向dr5上延伸的複數個第一電極線511a以及在與第五方向dr5相交(例如直角)的第四方向dr4上延伸的複數個第二電極線511b。第二感測電極520可以包含在第五方向dr5上延伸的複數個第三電極線521a以及在第四方向dr4上延伸的複數個第四電極線521b。像素 的第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B可以形成在藉由彼此相交的第一電極線511a和第二電極線511b以及彼此相交的第三電極線521a和第四電極線521b所形成的網孔中,這將在之後參照第34圖來描述。
屬於一個第一感測電極510的第一電極線511a及第二電極線511b可彼此物理性連接。另一方面,屬於一個第二感測電極520的第三電極線521a及第四電極線521b可能不會彼此物理性連接。屬於一個第二感測器部521的第三電極線521a及第四電極線521b可彼此物理性連接。值得注意的是,包含在一個第二感測器部521中的第三電極線521a及第四電極線521b可與屬於另一個第二感測器部的第三電極線及第四電極線彼此間隔。
可以藉由設置在與第二桿測器部521不同層上的第二連接部522來電性連接相鄰的第二感測器部521。例如,相鄰的第二感測器部521可藉由兩個第二連接部522a及522b電性連接。即使兩個第二連接部522a及522b中的一個未連接,相鄰的第二感測器部521可藉由兩個第二連接部522a及522b中的另一個彼此電性連接。
當俯視時,第一連接部512可不僅設置在相鄰的第一感測器部511之間,也可以設置在相鄰的第二感測器部521之間及彼此相鄰的兩個第二連接部522a及522b之間。
接下來,將描述第一感測電極510及第二感測電極520之間的層疊關係。
首先,第二連接部522可設置在基層51上。第二連接部522可對應於上述的第一觸控導電層52。包含有第一接觸孔CNT1的第一觸控絕緣層53可設置在第二連接部522上,且可以因此暴露第二連接部522的一部分。
第一感測器部511、第一連接部512及第二感測器部521可設置在第一觸控絕緣層53上。第一感測器部511、第一連接部512及第二感測器部521可 對應於上述的第二觸控導電層54。第二感測器部521可與藉由第一接觸孔CNT1暴露的第二連接部522接觸。
第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d可以和包含有第一凹陷處513a至第四凹陷處513d的第一感測器部511設置在相同的層上。例如,第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d可對應於第二觸控導電層54。
雖然圖中的感測電極包含類似網格的電極線,此僅為說明性的。在其他實施中,感測電極可以共用電極圖樣來實施。各共用電極圖案可在第三方向dr3上重疊複數個發光區(例如,第34圖中的第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B)。
接下來,將描述發生在第一單元感測區域SUT1至第四單元感測區域SUT4的觸控事件。
根據本揭露之例示性實施例,第9圖係繪示當觸控事件發生時的觸控感測單元50a的等效電路圖。
當觸控事件發生時,在觸控事件點處的第一感測電極510及第二感測電極520之間所定義的互感電容Cm改變。參照第9圖,當觸控事件發生時,在互感電容Cm的兩端之間形成電容(下文中稱為觸控電容)。觸控電容可包含兩個串接的電容Cft及Cfr
觸控電容Cft形成在輸入工具(例如手指或觸控筆)以及第一感測電極510和第二感測電極520中被施加了偵測訊號DS的那一個電極之間。觸控電容Cfr則形成在輸入工具(例如手指或觸控筆)以及第一感測電極510和第二感測電極520中的另一個之間。微處理器可讀取來自該另一個感測電極的感測訊號SS,並從該感測訊號SS測量發生在輸入工具進行輸入前以及進行輸入後的電容變化△Cm。可藉由感測該感測訊號SS的電流變化來測量電容的改變△Cm
第9圖進一步示出分別在系統接地及第一感測電極之間以及在系統接地及第二感測電極之間的電容Cbt及Cbr、在系統接地及接地之間的電容Cbg、以及在輸入工具及接地之間的電容Cfg。系統接地可以是指施加至第35圖所示的第二像素電極313的電壓位準或是一個可比較的電壓位準。此外,第9圖示出了輸入焊墊ISU-PDT以及施加了偵測訊號DS的感測電極之間的等效電阻r1、輸出焊墊ISU-PDR及該另一個感測電極之間的等效電阻r2、以及藉由輸入工具形成的等效電阻r3、r4及r5。
當觸控感測單元50a的上表面及覆蓋窗601的上表面之間的距離減少,觸控電容Cft及Cfr增加。例如,對於折疊式有機發光顯示裝置,觸控感測單元50a的上表面及覆蓋窗601的上表面之間的距離可以小於0.5mm,以提供有效的折疊特性。
當觸控感測單元50a的上表面及覆蓋窗601的上表面之間的距離減少,沿著第9圖第一路徑C1傳送的訊號量減少,且沿著第9圖之第二路徑C2傳送的訊號量增加。
根據本揭露之例示性實施例,在觸控感測單元50a中,第二感測電極520的第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d分別設置在第一感測電極510的第一凹陷處513a至第四凹陷處513d,因此增加了第一感測電極510及第二感測電極520之間的區域,並且可以使互感電容Cm增加。
下文中,將描述根據本揭露之例示性實施例的觸控感測單元。在下列描述中,可以將未詳細描述的元件視為至少類似於第1圖至第9圖中已描述的對應元件。
第10圖係繪示根據本揭露之例示性的觸控感測單元的一部分的佈局示意圖。根據本揭露之例示性實施例,第11圖係繪示沿著第10圖的線II1-II1’裁切觸控感測單元的截面圖。第10圖及第11圖所示的實例分別為第5圖及第8圖所示的實例的變型。
根據本揭露之例示性實施例,第10圖及第11圖的觸控感測單元50a_1除了進一步包含複數個虛擬電極(dummy electrode)之外,大致上與第5圖及第8圖所示的觸控感測單元50a一樣。
觸控感測單元50a_1可進一步包含複數個虛擬電極。虛擬電極可以經由與第一感測電極510及第二感測電極520相同的製程來形成,以便他們可包含相同的材料且可具有相同的層疊結構。
虛擬電極為浮動電極且不與第一感測電極510或第二感測電極520電性連接。透過這樣的方式來設置虛擬電極,有可能使第一感測器部511及第二感測器部521之間的邊界線較不引人注意。
當第一感測電極510及第二感測電極520具有網格形狀時,虛擬電極亦可具有網格形狀,並且可以與各個感測器部間隔數毫米(several mm)。然而,應理解的是,本揭露並不以此為限。
觸控感測單元50a_1可包含分別設置在第一感測器部511及第二感測器部521之間的複數個第一虛擬電極561a至561d,還有分別設置在第一凹陷處513a至第四凹陷處513d以及第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d之間的複數個第二虛擬電極562a至562d。在單一個單位感測區中,觸控感測單元50a_1可包含四個第一虛擬電極561a至561d及四個第二虛擬電極562a至562d。
第一虛擬電極561a至561d可設置在第一感測器部511及第二感測器部521之間以調整它們之間的間隔。在第一感測器部511及第二感測器部521之間的邊界線大致上可以相對於第一單元感測區域SUT1的假想中心點(imaginary center point)分別延伸在第四方向dr4至第七方向dr7上。四個第一感測器部511可以大致上平行於第一感測器部511及第二感測器部521之間的邊界線方向的形狀來設置。
在本揭露的例示性實施例中,在第一單元感測區域SUT1中,第一虛擬電極561a至561d可以包含在第一感測器部511及第二感測器部521之間大致上沿第四方向dr4延伸的第一虛擬圖樣、在第一感測器部511及第二感測器部521之間大致上沿第五方向dr5延伸的第二虛擬圖樣、在第一感測器部511及第二感測器部521之間大致上沿第六方向dr6延伸的第三虛擬圖樣以及在第一感測器部511及第二感測器部521之間大致上沿第七方向dr7延伸的第四虛擬圖樣。雖然圖中所示的第一虛擬圖樣至第四虛擬圖樣具有矩形形狀,此僅為說明性的,而且他們可具有各種不同的形狀。
第二虛擬電極562a至562d可設置在第一感測電極510的第一凹陷處513a至第四凹陷處513d以及第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d之間,以調整其間的間隔。例如,在第一單元感測區域SUT1中,第二虛擬電極562a至562d可包含設置在第一凹陷處513a及第一桿式感測器523a之間的第五虛擬圖樣、設置在第二凹陷處513b及第二桿式感測器523b之間的第六虛擬圖樣、設置在第三凹陷處513c及第三桿式感測器523c之間的第七虛擬圖樣以及設置在第四凹陷處513d及第四桿式感測器523d之間的第八虛擬圖樣。
第二虛擬電極562a至562d可以大致上是U形的,且可以至少部分地分別環繞第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d設置。然而,應理解的是,本揭露並不以此為限,而且也可以採用其他的設置方式。
可以設置第一虛擬電極561a至561d以及第二虛擬電極562a至562d以調整第一感測電極510及第二感測電極520之間的距離。因此,可以調整觸控感測單元50a_1的電容變化△Cm,以符合有機發光顯示裝置所要求的規格。
雖然第10圖中的第一單元感測區域SUT1包含四個第一虛擬電極561a至561d及四個第二虛擬電極562a至562d,其數量及位置並不以第10圖所示為限。可以設置單一個虛擬電極而將其分成數片。可以將虛擬電極設置在第一感測電極510及第二感測電極520內側以調整第一感測電極510及第二感測電極520的面積(參見第32圖及第33圖)。在此情況下,虛擬電極可以設置在第一感測電極510及第二感測電極520的內側以調整面積,以便調整第一感測電極510及第二感測電極520的電容Cm
透過在第一感測器部511及第二感測器部521之間設置第一虛擬電極561a至561d以及第二虛擬電極562a至562d,第一感測器部511與第二感測器部521重疊的區域減少。因此,可減少觸控電容Cft及Cfr。如此一來,有可能增加從輸入工具進行輸入前以及進行輸入後的電容改變△Cm
因為第一虛擬電極561a至561d以及第二虛擬電極562a至562d,第一感測器部511以及第二感測器部521所佔據的區域變得相對較小,減少了與系統接地的重疊區域。如此一來,有可能減少系統接地波動(fluctuation)的影響。
第12圖示意性地繪示了根據本揭露之例示性的觸控感測單元之配置的平面圖。第13圖係繪示與第12圖的觸控感測單元中的區域AB1對應的部分 的佈局示意圖。第14圖係繪示與第12圖的觸控感測單元中的區域AB2對應的部分的佈局示意圖。根據本揭露之例示性實施例,第15圖係繪示在沿著第13圖的線III1-II1’裁切觸控感測單元50a_2的截面圖。根據上面的示性實施例,第16圖係繪示沿著第14-圖的線III2-III2’裁切觸控感測單元的截面圖。根據本揭露之例示性實施例,第17圖係繪示觸控事件發生時的觸控感測單元的等效電路圖。
根據第12圖至第17圖所示之例示性實施例的觸控感測單元50a_2除了進一步包含了第一虛擬電極561a至561d以及接地電極563之外,大致上與第4圖及第5圖所示的觸控感測單元50a一樣。此外,根據此例示性實施例之觸控感測單元50a_2除了以接地電極563置換第二虛擬電極562a至562d之外,大致上與第10圖及第11圖所示的觸控感測單元50a_1一樣。
觸控感測單元50a_2可進一步包含複數個第一虛擬電極561a至561d及複數個接地電極563。複數個第一虛擬電極561a至561d及複數個接地電極563可經由與第一感測電極510及第二感測電極520相同的製程來形成,且因此可包含相同的材料及可具有相同的層疊結構。
第一虛擬電極561a至561d為浮動電極且不與第一感測電極510及第二感測電極520電性連接。複數個接地電極563係電性連接至接地線GNL且不與第一感測電極510及第二感測電極520電性連接。
複數個接地電極563可包含複數個接地圖樣以及將相鄰的接地圖樣彼此電性連接的複數個第三連接部564a。
複數個接地圖樣可以矩陣形式配置。例如,第一單元感測區域SUT1可包含四個接地圖樣。四個接地圖樣可配置為兩列及兩行的矩陣形式。四個接地圖樣可具有相對於第一單元感測區域SUT1的假想中心點對稱的形狀。上 面參考第10圖及第11圖所描述的複數個第二虛擬電極562a至562d可以複數個接地圖樣置換。
在本揭露的例示性實施例中,在第一單元感測區域SUT1中,複數個接地圖樣可包含第一接地圖樣563a至第四接地圖樣563d。第一接地圖樣563a可設置在第一凹陷處513a及第一桿式感測器523a之間。第二接地圖樣563b可設置在第二凹陷處513b及第二桿式感測器523b之間。第三接地圖樣563c可設置在第三凹陷處513c及第三桿式感測器523c之間。第四接地圖樣563d可設置在第四凹陷處513d及第四桿式感測器523d之間。第一接地圖樣563a至第四接地圖樣563d可具有大致上的U型且可以分別環繞第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d設置。然而,應理解的是,本揭露並不以此為限,且也可使用其他的設置方式。
第一接地圖樣563a至第四接地圖樣563d之中相鄰者可藉由第三連接部564a彼此電性連接。在本揭露的例示性實施例中,第三連接部564a可連接彼此在列方向(第二方向dr2)上相鄰的接地圖樣(例如,第一接地圖樣563a及第二接地圖樣563b)。然而,應理解的是,本揭露並不以此為限,且也可使用其他的設置方式。
複數個第三連接部可經由與複數個第二連接部522相同的製程來形成,且因此他們可包含相同的材料並且可在相同的層中形成。例如,第三連接部564a可形成在第一觸控導電層52中。
第一觸控絕緣層53可進一步包含第二接觸孔CNT2,透過第二接觸孔CNT2暴露至少一部分的第三連接部564a。複數個第一接地圖樣563a至第四接地圖樣563d可經由第二接觸孔CNT2與第三連接部564a接觸。
在本揭露的例示性實施例中,接地線GNL可為雙線結構(double-line structure)。例如,在落入非顯示區NDA中的區域中,接地線GNL可包含形成在第一觸控導電層52中的第一接地線層GNLa及形成在第二觸控導電層54中的第二接地線層GNLb。
第一觸控絕緣層53可包含複數個第三接觸孔CNT3,透過第三接觸孔CNT3暴露至少一部分的第一接地線層GNLa。第一接地線層GNLa及第二接地線層GNLb可經由第一觸控絕緣層53的第三接觸孔CNT3彼此相互接觸。
另一方面,相鄰於接地線GNL的接地圖樣彼此相互連接且可連接至第一接地線層GNLa及第二接地線層GNLb的至少其一。例如,第一接地線層GNLa可與接地圖樣接觸。在此情況下,第一接地線層GNLa可延伸至落入顯示區DA1中的區域,且可經由第一觸控絕緣層53的第四接觸孔CNT4與接地圖樣接觸,透過第四接觸孔CNT4暴露第一接地線層GNLa的至少一部分。
在第一感測電極510的第一凹陷處513a至第四凹陷處513d與第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d之間的間隔可藉由接地圖樣調整,以便調整觸控感測單元50a_2的電容改變△Cm
由於所有的複數個接地圖樣都與接地線GNL電性連接,可以對複數個接地圖樣施加第三參考電壓訊號。
在輸入工具及系統接地之間可能形成電容Csg。因此,可能出現雜訊(所謂的「再傳輸(re-transmission)」)。
施加了第三參考電壓訊號的複數個接地圖樣係設置在施加了第一參考電壓訊號的第一感測電極510以及施加了第二參考電壓訊號的第二感測電極520之間,其中第三參考電壓訊號的電壓位準小於第一參考電壓訊號及第二 參考電壓訊號的電壓位準,使得訊號可以沿著第三路徑C3流動至系統接地。雜訊(再傳輸)可沿著第三路徑C3移動至系統接地。
例如,沿著第二路徑C2移動的訊號量可相對減少,並減少雜訊(所謂的再傳輸)。因此,可增加觸控感測單元50a_2的電容之靈敏度(△Cm/Cm)。
例如,藉由設置第一虛擬電極561a至561d及第一接地圖樣563a至第四接地圖樣563d,由第一感測電極510及第二感測電極520佔據的區域變得相對地小,這樣可減少雜訊。因為第一感測電極510及第二感測電極520佔據的區域減少,可減少電容改變△Cm。然而,藉由增加第一感測圖樣的第一凹陷處513a至第四凹陷處513d和第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d之間的邊界線長度,有可能進一步減少電容改變△Cm。此外,藉由在第一感測電極510的第一凹陷處513a至第四凹陷處513d以及第一桿式感測器523a至第四桿式感測器523d之間設置第一接地圖樣563a至第四接地圖樣563d,可減少雜訊,因此可增加電容的靈敏度△Cm/Cm
第18圖係繪示根據本揭露之例示性實施例的一部份觸控感測單元的佈局示意圖。根據上述實施例,第19圖係繪示沿著第18圖的線IV1-IV1’裁切的觸控感測單元的截面圖。
根據第18圖及第19圖之例示性實施例,觸控感測單元50a_3除了進一步包含在單一個單元感測區域SUT1中將在行方向(第一方向dr1)上彼此相鄰的接地圖樣(例如第一接地圖樣563a及第三接地圖樣563c)彼此相連的第四連接部564b之外,係大致上與第13圖及第15圖所示的觸控感測單元50a_2相同。
在第一單元感測區域SUT1中,觸控感測單元50a_3可進一步包含複數個第四連接部564b,所述複數個第四連接部564b將第一接地圖樣563a與第 三接地圖樣563c連接並且將第二接地圖樣563b與第四接地圖樣563d連接。複數個第四連接部564b可經由與複數個第三連接部564a以及複數個第二連接部522相同的製程來形成,且因此他們可包含相同的材料並且可形成在相同的層中。例如,第四連接部564b可形成在第一觸控導電層52中。
第一觸控絕緣層53可進一步包含第五接觸孔CNT5,透過第五接觸孔CNT5暴露至少一部分的第四連接部564b。在行方向上(第一方向dr1)彼此相鄰的複數個接地圖樣可經由在單一個單元感測區域中的第五接觸孔CNT5接觸第四連接部564b。
第20圖係繪示根據本揭露之例示性實施例的一部份觸控感測單元的佈局示意圖。
根據第20圖所示之例示性實施例,觸控感測單元50a_4除了進一步包含了將包含在行方向(第一方向dr1)上彼此相鄰的單元感測區域(例如,第一單元感測區域SUT1及第三單元感測區域SUT3)中的接地圖樣彼此相連的第五連接部564c之外,係大致上與第18圖所示的觸控感測單元50a_3相同。
觸控感測單元50a_4可以進一步包含複數個第五連接部564c,所述複數個第五連接部564c係包含於在行方向(第一方向dr1)上彼此相鄰的單元感測區域中,並且複數個第五連接部564c連接了在行方向(第一方向dr1)上彼此相鄰的複數個接地圖樣。複數個第五連接部564c可經由與複數個第二連接部522、複數個第三連接部564a以及複數個第四連接部564b相同的製程來形成,且因此他們可以包含相同的材料並且可在相同的層中形成。例如,第五連接部564c可以形成在第一觸控導電層52中。
第21係示意性地繪示根據本揭露之例示性實施例的觸控感測單元之配置平面圖。第22圖係繪示對應於第21圖的觸控感測單元中的區域AC1的部分的佈局示意圖。第23圖係繪示對應於第21圖的觸控感測單元中的區域AC2的部分的佈局示意圖。第24圖係繪示根據上述實施例沿著第23圖中的線V1-V1’裁切觸控感測單元的截面圖。第25圖係繪示根據上述實施例沿著第23圖中的線V2-V2’裁切觸控感測單元的截面圖。
根據第21圖至第25圖所示之例示性實施例,觸控感測單元50a_5除了省略了第三連接部564a且接地線GNL的配置不同之外,係大致上與第20圖的觸控感測單元50a_4相同。
接地線GNL可延伸至落入非顯示區NDA中的區域的上邊緣以及左邊緣。可以在左邊緣處在第二訊號線540與複數個第一感測電極510及複數個第二感測電極520之間設置接地線GNL。可以設置接地線GNL以便在上邊緣處與感測電極延伸(sensing electrode extension)520a交會。
感測電極延伸520a可做為將第二感測電極520與第二訊號線540連接的橋電極(bridge electrode)。第二感測電極520的延伸可在第二觸控導電層54中形成,並且可從第二感測電極520的第一端延伸至落入非顯示區NDA中的區域。
第一觸控絕緣層53可包含複數個第六接觸孔CNT6,透過所述第六接觸孔CNT6暴露至少一部分的第二訊號線540(例如,541)。感測電極延伸可經由第一觸控絕緣層53的第六接觸孔CNT6接觸第二訊號線540。
接地線GNL可以在上邊緣處設置的區域中連接與其相鄰的接地圖樣。接地線GNL可以在上邊緣處設置的區域中橫越(traverse)感測電極延伸520a。接地線GNL可與感測電極延伸520a絕緣。
接地線GNL可在左邊緣處包含雙線結構,並且在上邊緣處包含單線結構。在本揭露的例示性實施例中,在上邊緣處的接地線GNL可以僅包含第一接地線層GNLa。接地線GNL可以和在上邊緣處的感測電極延伸520a絕緣,且第一接地線層GNLa可以延伸至落入顯示區DA1中的區域以連接至接地圖樣。
根據本揭露上述例示性實施例,即使省略第三連接部564a,複數個接地圖樣可維持與接地線GNL的電性連接。
值得注意的是,接地線GNL的配置並不以圖中所示為限。可以將接地線GNL設置成在上邊緣處與第三訊號線550相交。在此情況下,可以將接地線GNL設置在第二觸控導電層54中,也可以將第三訊號線550設置在第一觸控導電層52中並且彼此絕緣。此外,可以透過第五連接部564c連接接地線GNL以及接地圖樣。
根據本揭露之例示性實施例,第26圖係示意性地繪示觸控感測單元之配置的平面圖。第27圖係繪示對應於第21圖之觸控感測單元中的區域AD1的部分的佈局示意圖。
根據第26圖及第27圖中所示之例示性實施例,觸控感測單元50a_6除了第一桿式感測器523_1a至第四桿式感測器523_1d的形狀之外,係大致上與第12圖及第13圖中所示的觸控感測單元50a_2相同。
桿式感測器的其中之一(例如,第一桿式感測器523_1a)可以包含具有不同寬度的一個或多個區。例如,第一桿式感測器523_1a至第四桿式感測 器523_1d的其中之一可具有在其延伸的方向上寬度小及寬度大交替出現的形狀。第一桿式感測器523_1a至第四桿式感測器523_1d的其中之一可包含第一寬度523W1以及大於第一寬度523W1的第二寬度523W2。在本揭露的例示性實施例中,第一寬度523W1可以是大約從50μm至150μm的範圍,且第二寬度523W2可以是大約從150μm至200μm的範圍。例如,第一桿式感測器523_1a至第四桿式感測器523_1d可以具有包含有鋸齒狀長邊的形狀。
第一接地圖樣563a至第四接地圖樣563d的形狀可以大致上與第一桿式感測器523_1a至第四桿式感測器523_1d的邊界形狀一致。例如,第一接地圖樣563a至第四接地圖樣563d的最外邊界可以與第一凹陷處513a至第四凹陷處513d的形狀一致,且第一接地圖樣563a至第四接地圖樣563d的內邊界可以與具有鋸齒形狀的第一桿式感測器523_1a至第四桿式感測器523_1d的邊界形狀一致。
第一感測電極510及第二感測電極520之間的邊界線的長度可以藉由第一桿式感測器523_1a至第四桿式感測器523_1d增加。因此,有可能進一步減少電容改變△Cm
雖然圖中所示的第一凹陷處513a至第四凹陷處513d的邊界形狀為直線,但此僅為說明性的。第一凹陷處513a至第四凹陷處513d的邊界形狀可以和具有鋸齒形狀的第一桿式感測器523_1a至第四桿式感測器523_1d的邊界形狀一致。
下文中,將參照第28圖至第31圖描述此例示性實施例的變型。
第28圖及第29圖係繪示根據本揭露之例示性實施例的一部分觸控感測單元的佈局示意圖。
根據第28圖及第29圖所示之例示性實施例,觸控感測單元50a_7及50a_8除了進一步包含第三連接部564a至第五連接部564c中的至少其一之外,係大致上與第27圖中所示的觸控感測單元50a_6相同。
根據該例示性實施例,觸控感測單元50a_7及50a_8除了第一桿式感測器523_1a至第四桿式感測器523_1d及接地圖樣563a至563d的形狀之外,係大致上與上述參照第18圖及第20圖所描述的觸控感測單元相同;且因此,將省略重複的描述。
第30圖係示意性地繪示根據本揭露之例示性實施例的觸控感測單元之配置的平面圖。第31圖係繪示對應於第30圖的觸控感測單元的區域AF1的部分的佈局示意圖。
根據第30圖及第31圖所示之例示性實施例,觸控感測單元50a_9除了接地線GNL的配置不同且進一步包含第三連接部564a至第五連接部564c中的至少其一之外,係大致上與第27圖中所示的觸控感測單元50a_6相同。
根據例示性實施例,觸控感測單元50a_9除了第一桿式感測器523_1a至第四桿式感測器523_1d及接地圖樣563a至563d的形狀之外,係大致上與上述參照第21圖及第22圖所描述的觸控感測單元相同;且因此,將省略重複的描述。
第32圖係繪示根據本揭露例示性實施例的觸控感測單元的佈局示意圖。
根據第32圖所示之例示性實施例,觸控感測單元50a_10除了進一步包含第三虛擬電極565之外,係大致上與第27圖的觸控感測單元50a_6相同。
觸控感測單元50a_10可以進一步包含第三虛擬電極565。第三虛擬電極565係設置在第一感測器部511內,且可以與第一感測器部511間隔開。第三虛擬電極565可以經由與第一及第二感測器部511及521以及第一及第二虛擬電極561a至561d及562a至562d相同的製程來形成,因此可包含相同的材料並且可形成在相同的層上。例如,第三虛擬電極565可以在第二觸控導電層54中形成。
第三虛擬電極565可以具有各種位置及形狀。雖然第32圖中的一個第一感測器部511包含兩個第三虛擬電極565且第三虛擬電極565大致上是三角形,但此僅為說明性的。
藉由在第一感測器部511中設置第三虛擬電極565,減少了在輸入工具(例如,使用者的手指)及第一感測器部511之間的重疊區域。因此,可降低觸控電容Cft及Cfr。如此一來,在輸入工具執行輸入之前以及執行輸入之後的電容改變△Cm有可能增加。此外,由於減少了與系統接地的重疊區域。因此,有可能減少因系統接地的波動造成的影響。
為了調整電容的改變△Cm,可調整第三虛擬電極565佔據的區域,以調整第一感測器部511的區域。
第33圖係繪示根據本揭露之例示性實施例的一部份觸控感測單元的佈局示意圖。
根據第33圖所示之例示性實施例,觸控感測單元50a_11除了進一步包含第四虛擬電極566之外,係大致上與第32圖的觸控感測單元50a_10相同。
觸控感測單元50a_11可進一步包含第四虛擬電極566。第四虛擬電極566可設置在第二感測器部521內,且可與第二感測器部521間隔開。第四虛擬電極566可以經由與第一及第二感測器部511及521以及第一及第二虛擬電極 561a至561d及562a至562d相同的製程來形成,因此可包含相同的材料並且可形成在相同的層上。例如,第四虛擬電極566可以形成在第二觸控導電層54中。
第四虛擬電極566可具有各種位置及形狀。雖然第33圖中的一個第二感測器部521包含兩個第四虛擬電極566且第四虛擬電極566大致上是三角形,此僅為說明性的,且第四虛擬電極566可以具有不同的形狀。
藉由在第一感測器部511及第二感測器部521中分別設置第三虛擬電極565及第四虛擬電極566,減少了輸入工具和第一感測器部511以及第二感測器部521重疊的區域。因此,可降低觸控電容Cft及Cfr。如此一來,有可能增加輸入工具執行輸入之前以及執行輸入之後的電容改變△Cm。此外,藉由在第一感測器部511及第二感測器部521中分別設置第三虛擬電極565及第四虛擬電極566,減少了與系統接地的重疊區域。如此一來,有可能減少因為系統接地的波動造成的影響。
為了調整電容的改變△Cm,可以調整第四虛擬電極566所佔據的區域,這樣可調整第二感測器部521的區域。
下文中,將描述根據上述例示性實施例包含有觸控感測單元50a、50a_1至50a_11的有機發光顯示裝置。
第34圖係繪示第1圖之區域AG1的放大圖。第35圖係繪示沿著第34圖的線VI1-VI1’裁切的截面圖。
參照第34圖,基層51包含發光區及非發光區,所述非發光區係以其至少部分地圍繞發光區域並將發光區彼此分開的方式來設置。發光區可被像素定義層PDL分開。例如,在顯示區DA1中,重疊像素定義層PDL的部分可以是 非發光區,而和像素定義層PDL不重疊的部分可以是發光區。在本揭露的例示性實施例中,非發光區可以是網格的形式,但其形狀並不以此為限。
各感測電極52a的網格圖樣可以定義複數個網孔。網孔可以分別形成在發光區中。網孔可以包含在非發光區中。
發光區可以藉由在有機發光二極體中產生的光的顏色來分群。在第34圖所示的實例中,繪示了根據光的顏色分類的三群發光區。
取決於從有機發光二極體的有機發光層312(參見第35圖)發射出的光的顏色,發光區可以具有不同的面積。可以根據有機發光二極體的種類決定發光區的面積。例如,發光區可以包含第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B。第三發光區PXA_B的面積可以大於第一發光區PXA_R的面積,且第一發光區PXA_R的面積可以大於第二發光區PXA_G的面積。在此例示性實施例中,第一發光區PXA_R發射紅光,第二發光區PXA_G發射綠光以及第三發光區PXA_B發射藍光。然而,應理解的是,本揭露並不以此為限。根據替代性的配置,第一發光區PXA_R至第三發光區PXA_B可發射青藍色(cyan)、洋紅色(magenta)及黃色的光,而不是紅色、綠色及藍色的光。
網孔可分群成具有不同面積的群組。例如,網孔可藉由與之相關的第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B分成三個群組。
在前面的描述中,網孔分別在第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B中形成,但本揭露並不以此為限。各網孔可與兩個或多個發光區相關。此外,雖然第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B具有不同的面積,但此僅為說明性的。所有的第一發光區PXA_R、 第二發光區PXA_G以及第三發光區PXA_B可以具有相同的大小,所有網孔亦可具有相同的尺寸。
當俯視觀看時,網孔的形狀並不以本文所示為限,而可選擇性地具有菱形或其他多邊形。當俯視觀看時,網孔的形狀可以具有多邊形,且該多邊形具有圓角。
當第一感測電極510及第二感測電極520具有網格形狀,第一感測電極510及第二感測電極520不會重疊第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B,因而不會被有機發光顯示裝置的觀看者看見。此外,在第一感測電極510及第二感測電極520中,發光元件層30的電極之間的寄生電容可以降低。
參照第35圖,基底基板101可以是剛性基板或可撓性基板。若基底基板101是剛性基板,其可以是玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷(glass ceramic)基板及/或結晶玻璃(crystalline glass)基板。若基底基板101是可撓性基板,其可以是包含聚合有機材料的薄膜基板或塑膠基板。此外,基底基板101可以包含玻璃纖維增強型塑膠(fiberglass reinforced plastic)(FRP)。
在基底基板101上,可以定義上述的顯示區DA1及非顯示區NDA。
第35圖中所示的基底基板101可以對應於第2圖的第一基板10。
第一緩衝層201設置在基底基板101上。第一緩衝層201使得基底基板101的表面平整化並避免水氣或空氣從這裡滲入。第一緩衝層201可以是無機層。第一緩衝層201可以由單層或多層製成。
在第一緩衝層201上,設置有複數個薄膜電晶體。複數個薄膜電晶體可以是驅動薄膜電晶體(driving thin-film transistor)。
各薄膜電晶體可以包含第一薄膜電晶體TR1、第二薄膜電晶體TR2以及第三薄膜電晶體TR3。第一薄膜電晶體TR1、第二薄膜電晶體TR2以及第三薄膜電晶體TR3可以分別設置在第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B中。例如,第一薄膜電晶體TR1可以設置在第一發光區PXA_R中,第二薄膜電晶體TR2可以設置在第二發光區PXA_G中且第三薄膜電晶體TR3可以設置在第三發光區PXA_B中。
第一薄膜電晶體TR1、第二薄膜電晶體TR2以及第三薄膜電晶體TR3可以分別包含半導體層A1、A2及A3、閘極電極G1、G2及G3、源極電極S1、S2及S3以及汲極電極D1、D2及D3。更具體而言,半導體層A1、A2及A3設置在第一緩衝層201上。半導體層A1、A2及A3可以包含非晶矽(amorphous silicon)、多晶矽(poly silicon)、低溫多晶矽(low-temperature poly silicon)及有機半導體。在本揭露的例示性實施例中,半導體層A1、A2及A3可以是氧化物半導體。半導體層A1、A2及A3可以包含通道區(channel region)以及分別設置在通道區之側邊並以雜質摻雜的源極區及汲極區。
閘極絕緣層211設置在半導體層A1、A2及A3上。閘極絕緣層211可以是無機層。閘極絕緣層211可由單層或多層製成。
閘極電極G1、G2及G3設置在閘極絕緣層211上。閘極電極G1、G2及G3可由導電金屬材料製成。例如,閘極電極G1、G2及G3可以包含鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)及/或鈦(Ti)。閘極電極G1、G2及G3可以由單層或多層製成。
層間介電層212設置在閘極電極G1、G2及G3上。層間介電層212可以是無機層。層間介電層212可由單層或多層製成。
源極電極S1、S2及S3及汲極電極D1、D2及D3設置在層間介電層212上。源極電極S1、S2及S3及汲極電極D1、D2及D3由導電金屬材料製成。例如,源極電極S1、S2及S3及汲極電極D1、D2及D3可包含鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)及/或鉬(Mo)。
源極電極S1、S2及S3及汲極電極D1、D2及D3可經由穿過層間介電層212及閘極絕緣層211的接觸孔分別電連接至半導體層A1、A2及A3的源極區及汲極區。
有機發光顯示裝置1可以進一步在基底基板101上包含儲存電容器及開關薄膜電晶體(switching thin film transistor)。
保護層220設置在源極電極S1、S2及S3及汲極電極D1、D2及D3上。保護層220覆蓋了包含有第一薄膜電晶體TR1、第二薄膜電晶體TR2以及第三薄膜電晶體TR3的電路(circuitry)。保護層220可以是鈍化層(passivation layer)或平坦化層(planarizing layer)。鈍化層可以包含SiO2、SiNx等,且平坦化層可以包含如丙烯酸(acrylic)及聚醯亞胺(polyimide)的材料。保護層220可以包含鈍化層及平坦化層兩者。在此情況下,鈍化層可設置在源極電極S1、S2及S3、汲極電極D1、D2及D3及層間介電層212上,且平坦化層可設置在鈍化層上。保護層220的上表面可以是平的(flat)。
第35圖所示的第一緩衝層201及保護層220可對應於第2圖的電路層20。
複數個第一像素電極311設置在保護層220上。第一像素電極311可以設置在第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B中的每一個內。此外,各第一像素電極311可以是各個有機發光二極體的陽極電極。
第一像素電極311可以分別經由穿過保護層220的通孔(via holes)電性連接至設置在基底基板101上的汲極電極D1、D2及D3(或源極電極S1、S2及S3)。
第一像素電極311可以根據第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B的面積而具有不同的面積。
第一像素電極311可以由具有高功函數的材料製成。第一像素電極311可以包含氧化銦錫(indium-tin-oxide)(ITO)、氧化銦鋅(indium-zinc-oxide)(IZO)、氧化鋅(zinc oxide)(ZnO)、氧化銦(indium oxide)(In2O3)及/或具有在前述材料的餘函數(cofunctions)範圍內的功函數的材料。
像素定義層PDL設置在第一像素電極311上。像素定義層PDL包含複數個開口。第一像素電極311中的每一個的至少一部分係經由各個開口暴露。這些開口可以根據第一發光區PXA_R、第二發光區PXA_G及第三發光區PXA_B的面積而具有不同的寬度。
像素定義層PDL可以包含有機材料或無機材料。在本揭露的例示性實施例中,像素定義層PDL可以包含如光阻劑(photoresist)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)、丙烯酸樹脂(acrylic resin)、矽化合物(silicon compound)以及聚丙烯酸樹脂(polyacrylic resin)的材料。
有機發光層312設置在透過像素定義層PDL曝露的第一像素電極311上。
第二像素電極313設置在有機發光層312上。第二像素電極313可以是延伸橫跨所有像素的共用電極。此外,第二像素電極313可以做為有機發光二極體的陽極。
第二像素電極313可以由具有低功函數的材料製成。第二像素電極313可以包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF、Ba或其化合物或其混合物,例如,Ag與Mg的混合物。低功函數材料可以是任何具有在上述提及的材料的功函數的範圍內的功函數的材料。第二像素電極313可以經由和第一像素電極311形成在同一層上的電極而連接至電源線。
第一像素電極311、有機發光層312及第二像素電極313可以形成有機發光二極體(OLED)。此外,第35圖中所示的第一像素電極311及第二像素電極313可以對應第2圖的發光元件層30。
封裝層450可以設置在第二像素電極313上。封裝層450包含無機層及有機層。封裝層450可以包含複數個彼此層疊的層。如第35圖所示,封裝層450可以由包含有第一無機層451、有機層452及第二無機層453並以上述順序層疊於其中的多層製成。第一無機層451及第二無機層453可以包含氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及/或氮氧化矽(SiONx)。有機層452可以包含環氧化物(epoxy)、丙烯酸酯(acrylate)及/或丙烯酸胺基甲酸酯(urethane acrylate)。
第35圖中所示的封裝層450可以對應第2圖的封裝層40。
觸控感測單元50a可以按照順序設置在封裝層450上。觸控感測單元50a可以對應第2圖的觸控層50。
覆蓋窗601可以設置在觸控層50上。覆蓋窗601可保護發光元件層30、電路層20或觸控層50免於外部物體的刮痕。覆蓋窗601可以藉由像是光學透明膠(optically clear adhesive)(OCA)或光學透明樹脂(optically clear resin)(OCR)的黏合構件610附接至觸控層50。
第35圖中所示的覆蓋窗601及黏合構件610可以對應第2圖的第二基板60。
諸如抗反射膜(anti-reflection film)及偏光膜(polarizing film)的光學構件可以設置在覆蓋窗601上或在覆蓋窗601下,或者可以在覆蓋窗601下設置彩色濾光片。
第36圖係繪示根據本揭露之例示性實施例的有機發光顯示裝置的透視圖。第36圖的有機發光顯示裝置2是一種變型,該變型係指第1圖的有機發光顯示裝置1是可彎曲的。
有機發光顯示裝置2可以折疊。例如,基底基板101可以是具有優異可撓性的可撓性基板,以便其可以在沒有破裂或斷裂的情況下彎曲。第一觸控絕緣層53及第二觸控絕緣層55可以包含前文所列的一種或多種有機材料。
根據本揭露之例示性實施例,有機發光顯示裝置2可以包含相對於彎曲軸可以彎曲的彎曲區域BA、不彎曲的第一非彎曲區域NBA1及第二非彎曲區域NBA2。彎曲區域BA可以包含一部分的顯示區DA以及非顯示區NDA,同樣地,一部分的顯示區DA以及非顯示區NDA可以是第一非彎曲區域NBA1以及第二非彎曲區域NBA2的一部分。
本發明的效果並不以前文為限,並在此預期了其他各種效果。
雖然已為了說明性目的而描述本發明的各種例示性實施例,本技術領域中具有通常知識者將理解的是,在不偏離本發明揭露的範疇及精神下,可對其作各種修改、增加及替換。
50a_6:觸控感測單元
510:第一感測電極
511:第一感測器部
512:第一連接部
513a、513b、513c、513d:凹陷處
520:第二感測電極
521:第二感測器部
522a、522b:第二連接部
523_1a、523_1b、523_1c、523_1d:桿式感測器
523W1:第一寬度
523W2:第二寬度
561a、561b、561c、561d:第一虛擬電極
563a、563b、563c、563d:接地圖樣
564a:第三連接部
AD1:區域
SUT1、SUT2、SUT3、SUT4:單元感測區域

Claims (24)

  1. 一種觸控感測單元,其包含:複數個第一感測電極;以及複數個第二感測電極,與該複數個第一感測電極相交(intersecting)並絕緣;其中該複數個第一感測電極包含複數個第一感測器部以及將各該複數個第一感測器部彼此相互連接的複數個第一連接部;該複數個第二感測電極包含複數個第二感測器部、從該複數個第二感測器部延伸的複數個桿式感測器、以及將各該複數個第二感測器部彼此相互連接的複數個第二連接部;各該複數個第一感測器部包含向內形成的複數個凹陷處;以及各該複數個桿式感測器係分別插入該複數個凹陷處,而被設置以至少部分地被該複數個凹陷處之一各個凹陷處環繞。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測單元,進一步包含:複數個第一電極圖樣,各該複數個第一電極圖樣係設置在該複數個凹陷處之一各個凹陷處以及該複數個桿式感測器之一各個桿式感測器之間,其中,該複數個第一電極圖樣與該複數個第一感測電極以及該複數個第二感測電極絕緣。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之觸控感測單元,其中各該複數個第一電極圖樣為一浮動電極。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之觸控感測單元,其中該複數個第一電極圖樣中的至少一些彼此電性連接。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之觸控感測單元,其中一第一參考電壓訊號施加至該複數個第一感測電極,一第二參考電壓訊號施加至該複數個第二感測電極,以及一第三參考電壓訊號施加至該複數個第一電極圖樣,以及其中該第三參考電壓訊號具有一電壓位準,該電壓位準小於該第一參考電壓訊號之一電壓位準以及該第二參考電壓訊號之一電壓位準。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之觸控感測單元,進一步包含:複數個第二電極圖樣,設置在該複數個第一感測器部以及該複數個第二感測器部之間,並且其中該複數個第二電極圖樣與該複數個第一感測器部以及該複數個第二感測器部絕緣。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之觸控感測單元,進一步包含:複數個第三電極圖樣,設置在該複數個第一感測器部中,並且與該複數個第一感測器部絕緣。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之觸控感測單元,其中各該複數個第一電極圖樣在列方向上及行方向上彼此相互間隔。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之觸控感測單元,進一步包含:將各該複數個第一電極圖樣彼此連接的複數個第三連接部。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之觸控感測單元,其中該複數個第三連接部與該複數個第二連接部設置在相同的層中,且該複數個第三連接部與該複數個第一連接部設置在不同的層上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測單元,其中各該複數個第一感測電極在一第一方向上延伸,各該複數個第二感測電極在與該第 一方向相交的一第二方向上延伸,以及各該複數個桿式感測器在不同於該第一方向及該第二方向的一方向上從該複數個第二感測器部延伸。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測單元,其中各該複數個桿式感測器的一邊界具有一鋸齒形狀(saw-tooth shape)。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之觸控感測單元,其中各該複數個桿式感測器在一第一區中具有一第一寬度,並且在一第二區中具有大於該第一寬度的一第二寬度。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之觸控感測單元,其中該第一寬度等於或大於50μm且小於150μm,以及該第二寬度等於或大於150μm且小於200μm。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測單元,其中該複數個第二連接部以及該複數個第一連接部彼此相交,並且隔著一絕緣層設置在不同的層上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之觸控感測單元,其中該絕緣層包含一有機材料。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測單元,其中該複數個第一感測電極及該複數個第二感測電極各具有一網格形狀。
  18. 一種顯示裝置,其包含:一基層,包含一顯示區以及至少部分地環繞該顯示區的一非顯示區;複數個第一訊號線,設置在該非顯示區的一第一側邊界上;複數個第二訊號線,設置在該非顯示區的一第二側邊界上; 一接地線,設置在該非顯示區的一第三側邊界上;複數個第一感測電極,設置在該顯示區中並與該複數個第一訊號線連接;複數個第二感測電極,設置在該顯示區中、與該複數個第二訊號線連接、且與該複數個第一感測電極相交並絕緣;以及複數個接地電極,設置在該顯示區中、與該接地線連接、且設置在該複數個第一感測電極及該複數個第二感測電極之間,其中各該複數個接地電極與該複數個第一感測電極及該複數個第二感測電極絕緣;其中各該複數個第一感測電極包含向內形成的複數個凹陷處;以及各該複數個第二感測電極包含從該複數個第二感測電極延伸的複數個桿式感測器,各該複數個桿式感測器係分別插入該複數個凹陷處,而被設置以至少部分地被該複數個凹陷處之一各個凹陷處環繞。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置,其中該接地線設置在該複數個第一感測電極及該複數個第二訊號線之間。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之顯示裝置,其中一第一參考電壓訊號施加至該複數個第一訊號線、一第二參考電壓訊號施加至該複數個第二訊號線、以及一第三參考電壓訊號施加至該接地線;以及其中該第三參考電壓訊號具有一電壓位準,該電壓位準小於該第一參考電壓訊號之一電壓位準以及該第二參考電壓訊號之一電壓位準。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置,其中各該複數個接地 電極設置在該複數個凹陷處之一各個凹陷處以及該複數個桿式感測器之一各個桿式感測器之間。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置,其中各該複數個第一感測電極係一感測電極且各該複數個第二感測電極係一驅動電極。
  23. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置,其中該複數個第二訊號線連接至該複數個第二感測電極的複數個第一端;以及其中該顯示裝置進一步包含連接至該複數個第二感測電極之複數個第二端的複數個第三訊號線。
  24. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置,其中各該複數個第二感測電極包含連接至該複數個第二訊號線的一延伸,其中該接地線橫越(traverses)該延伸,且該接地線及該延伸兩者彼此相互絕緣。
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