TWI809388B - 晶片清洗機的控制方法及晶片清洗機 - Google Patents

晶片清洗機的控制方法及晶片清洗機 Download PDF

Info

Publication number
TWI809388B
TWI809388B TW110117095A TW110117095A TWI809388B TW I809388 B TWI809388 B TW I809388B TW 110117095 A TW110117095 A TW 110117095A TW 110117095 A TW110117095 A TW 110117095A TW I809388 B TWI809388 B TW I809388B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
value
preset
wind speed
cleaning machine
control
Prior art date
Application number
TW110117095A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202144092A (zh
Inventor
程壯壯
張明
王廣永
Original Assignee
大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 filed Critical 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司
Publication of TW202144092A publication Critical patent/TW202144092A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI809388B publication Critical patent/TWI809388B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04D27/00—Control, e.g. regulation, of pumps, pumping installations or pumping systems specially adapted for elastic fluids
    • F04D27/004—Control, e.g. regulation, of pumps, pumping installations or pumping systems specially adapted for elastic fluids by varying driving speed
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/02—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic
    • F16K31/04—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic using a motor
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00—Pipe-line systems
    • F17D1/02—Pipe-line systems for gases or vapours
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D3/00—Arrangements for supervising or controlling working operations
    • F17D3/01—Arrangements for supervising or controlling working operations for controlling, signalling, or supervising the conveyance of a product
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D5/00—Protection or supervision of installations
    • F17D5/005—Protection or supervision of installations of gas pipelines, e.g. alarm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一種晶片清洗機的控制方法及晶片清洗機，該方法包括：檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，該第一壓差值為該晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值；根據該第一壓差值、該第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整該晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整該晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量；控制該過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制該排風閥的步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度。

Description

晶片清洗機的控制方法及晶片清洗機
本發明涉及半導體設備技術領域，尤其涉及一種晶片清洗機的控制方法及晶片清洗機。
微環境是一個超潔淨的小空間，與傳統的潔淨室不同之處在於它是將潔淨空間置於晶片清洗機中，而不是將晶片清洗機放入潔淨空間中，同時兼顧風速、壓力等物理量的控制，對於晶片清洗機的微環境來說，除了要保證微環境的正壓外，還要保證各個模塊間氣流的平衡。
為此常用的辦法是在廠務排風壓力穩定的前提下，通過手動調節各個模塊的風機過濾單元(Fan Filter Unit，FFU)的轉速和排風閥門打開的大小來實現各個模塊的氣流平衡。為了達到上述目的，需要對每個模塊的FFU風機轉速和排風閥開度進行手動調節，並用儀器測量風速和壓力的值，最終調節到各個模塊平衡的狀態，從而實現對微環境的控制。
但是，上述方案存在一些問題：首先，當廠務排風壓力變化時或功能模塊的排風管道堵塞時或FFU風機性能下降時，自身無法根據壓力和風速的變化而對相應的FFU風機轉速和排風閥開度進行調整，這樣會導致壓力和氣流的不平衡，造成設備穩定性下降；其次，該方案使用手 動調節，調節量常常是根據人的經驗來定的，需要反復驗證，效率低；最後，無法實現微環境風速壓力的實時監控。因此，此方案存在控制效率低、準確性差，且無法實時對晶片清洗機的風力進行監控的問題，導致設備穩定性差。
本發明實施例的目的是提供一種晶片清洗機的控制方法及晶片清洗機，以解決現有技術中存在的在對晶片清洗機的風量進行控制時，存在的控制效率低、控制準確性低的問題。
第一方面，本發明實施例提供的一種晶片清洗機的控制方法，該方法包括：檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，該第一壓差值為該晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值；根據該第一壓差值、該第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整該晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整該晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量；控制該過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制該排風閥的步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度，以使該晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。
可選地，該控制模型為通過多個不同的調節函數，並根據該基準壓差值和該基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量進行參數訓練確定的；其中，該多個不同的調節函數包括第一預設比例調節傳遞函數、第二預設比例調節傳遞函數、第一預設單通道增益傳遞函數、第二預設單通道增益傳遞函數、第一預設耦合增益傳遞函數、第二預設耦合增 益傳遞函數、第一預設解耦函數和第二預設解耦函數；該第一預設比例調節傳遞函數以及該第一預設單通道增益傳遞函數用於調節該過濾風機轉速與該晶片清洗機內壓與外壓的差值的關聯度，該第二預設比例調節傳遞函數以及該第二預設單通道增益傳遞函數用於調節該步進電機轉動角度與該晶片清洗機排風處的風速之間的關聯度，該第一耦合增益傳遞函數用於調節該步進電機轉動角度與該晶片清洗機內壓與外壓的差值之間的關聯度，該第二耦合增益傳遞函數用於調節該過濾風機轉速與該晶片清洗機排風處的風速之間的關聯度，該第一預設解耦函數用於引入該過濾風機轉速對該晶片清洗機內壓與外壓的差值的影響度，該第二預設解耦函數用於引入該步進電機轉動角度對該晶片清洗機排風處的風速的影響度。
可選地，該根據該第一壓差值、該第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整該晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整該晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量，包括：獲取該第一壓差值和該基準壓差值之間的第一差值；將該第一差值輸入該第一預設比例調節傳遞函數，得到該第一控制量；獲取該第二風速值和該基準風速值之間的第二差值；將該第二差值輸入該第二預設比例調節傳遞函數，得到該第二控制量。
可選地，該控制該過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機的製程槽內輸入氣體，並控制該排風閥的步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度，包括：將該第一控制量和該第二控制量輸入預先構造的驗證函數，以對該第一控制量和該第二控制量進行
Figure 110117095-A0305-02-0005-1
差驗證處理，得到第二壓差值和第二風速值；在該第一壓差值和該第二壓差值之間的差值小於預設第一差值閾值，且該第一風速值和該第二風速值之間的差值小於 預設第二差值閾值的情況下，控制該過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機的製程槽內輸入氣體，並控制該步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度。
可選地，該預先構造的驗證函數為：CV 1=K 11 * MV 1+K 12 * MV 2
CV 2=K 21 * MV 1+K 22 * MV 2
其中，MV1為該第一控制量，MV2為該第二控制量，K11為該第一調節係數，K12為該第二調節係數，K21為該第三調節係數，K22為該第四調節係數，CV1為該第二壓差值，CV2為該第二風速值，該第一調節係數為預設的該第二壓差值和該第一控制量之間的關聯度，該第二調節係數為預設的該第二壓差值和該第二控制量之間的關聯度，該第三調節係數為預設的該第二風速值與該第一控制量之間的關聯度，該第四調節係數為預設的該第二風速值與該第二控制量之間的關聯度。
可選地，該第一調節係數、該第二調節係數、該第三調節係數以及該第四調節係數是基於該基準壓差值、該基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量，通過該控制模型中的該多個不同的調節函數進行訓練得到的。
可選地，在該檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值之後，還包括：基於預設壓差閾值對該第一壓差值進行檢測，並基於預設風速閾值對該第一風速值進行檢測，根據檢測結果確定該晶片清洗機是否發生故障；在確定該晶片清洗機發生故障時，輸出預設報警信息。
第二方面，本發明實施例提供的一種晶片清洗機，包括：製程槽、過濾風機、步進電機、壓差檢測器、風速檢測器、控制器，其 中，該製程槽用於進行晶片的清洗製程；該過濾風機用於對輸入到該晶片清洗機的製程槽的氣體進行過濾；該步進電機與排風閥相連接，用於通過調整排風閥開合度以控制該晶片清洗機的製程槽內氣體的輸出量；該壓差檢測器用於檢測該晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值；該風速檢測器用於檢測該晶片清洗機排風處的風速；該控制器用於檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，該第一壓差值為該晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值；根據該第一壓差值、該第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整該晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整該晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量；控制該過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制該排風閥的步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度，以使該晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。
可選地，該控制器還用於：獲取該第一壓差值和該基準壓差值之間的第一差值；將該第一差值輸入該第一預設比例調節傳遞函數，得到該第一控制量；獲取該第二風速值和該基準風速值之間的第二差值；將該第二差值輸入該第二預設比例調節傳遞函數，得到該第二控制量。
可選地，該控制器還用於：將該第一控制量和該第二控制量輸入預先構造的驗證函數，得到第二壓差值和第二風速值；在該第一壓差值和該第二壓差值之間的差值小於預設第一差值閾值，且該第一風速值和該第二風速值之間的差值預設小於第二差值閾值的情況下，控制該過濾風機基於該第一控制量為該晶片清洗機輸入乾淨的氣體，並控制該步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度，以控制該晶片清洗機的製程槽內氣體的輸出量，以使該晶片清洗機的微環境處於穩定狀態；其中，該預 先構造的驗證函數為：CV 1=K 11 * MV 1+K 12 * MV 2
CV 2=K 21 * MV 1+K 22 * MV 2
其中，MV1為該第一控制量，MV2為該第二控制量，K11為該第一調節係數，K12為該第二調節係數，K21為該第三調節係數，K22為該第四調節係數，CV1為該第二壓差值，CV2為該第二風速值，該第一調節係數為預設的該第二壓差值和該第一控制量之間的關聯度，該第二調節係數為預設的該第二壓差值和該第二控制量之間的關聯度，該第三調節係數為預設的該第二風速值與該第一控制量之間的關聯度，該第四調節係數為預設的該第二風速值與該第二控制量之間的關聯度。
由以上本發明實施例提供的技術方案可見，本發明實施例通過檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，第一壓差值為晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值，根據第一壓差值、第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量，控制過濾風機基於第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制排風閥的步進電機基於第二控制量調整排風閥開合度，以使晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。這樣，可以實時根據晶片清洗機的壓差值和風速值，對過濾風機的轉速和排風閥的開合度進行調整，保證壓力和氣流的平衡，提高設備的穩定性，同時，基於預設的控制模型，確定第一控制量和第二控制量，而不需要人工通過經驗來確定調節量，提高了控制準確性和控制效率。
S102,S104,S106,S302,S304,S306,S308,S310,S312,S314,S316,S318:步驟
501:數據檢測模塊
502:控制量確定模塊
503:控制模塊
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。
圖1為本發明一種晶片清洗機的控制方法的流程示意圖；圖2為本發明一種晶片清洗機的構造的示意圖；圖3為本發明另一種晶片清洗機的控制方法的流程示意圖；圖4為本發明一種多個調節函數的運算關係的示意圖；圖5為本發明一種晶片清洗機的控制裝置的結構示意圖；圖6為本發明一種晶片清洗機的結構示意圖；圖7為本發明另一種晶片清洗機的結構示意圖。
以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。
此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其 他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。
儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些
Figure 110117095-A0305-02-0010-2
差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準
Figure 110117095-A0305-02-0010-3
差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。
本發明實施例提供一種晶片清洗機的控制方法及晶片清洗機。
為了使本技術領域的人員更好地理解本發明中的技術方案，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬本發明 保護的範圍。
實施例一
如圖1所示，本發明實施例提供一種晶片清洗機的控制方法，該方法的執行主體可以為晶片清洗機的控制器，也可以是晶片清洗機的服務器，該服務器可以是獨立的服務器，也可以是由多個服務器組成的服務器集群，該晶片清洗機可以配置有過濾風機以及用於控制排風閥開合度的步進電機，該過濾風機可以用於對輸入到晶片清洗機內的氣體進行過濾，該步進電機可以用於控制晶片清洗機內氣體的輸出量，即步進電機可以通過控制排風閥開合度，來控制晶片清洗機的製程槽內氣體的輸出量。此外，該方法的執行主體還可以是獨立於晶片清洗機的電子設備，該電子設備可以如個人計算機或服務器等設備，本發明實施例中以執行主體為晶片清洗機為例進行詳細說明，對於執行主體為上述電子設備的情況，可以參照下述相關內容處理，在此不再贅述。該方法具體可以包括以下步驟：
在S102中，檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值。
其中，第一壓差值可以為晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值，排風處的內壓可以是排風管內部的壓力值，排風處的外壓可以是排風管外部的大氣壓。
如圖2所示，晶片清洗機中可以包括有用於對半導體材料進行清洗製程的製程槽、用於對輸入到製程槽的氣體進行過濾的過濾風機(如FFU單元)、用於控制排風閥開合度的步進電機，以及用於為晶片清洗機運作提供支撐的電氣區、氣路區、化學管路區等內部的組成部件。其中，FFU單元可以對氣體進行過濾，然後從製程槽的頂端輸入到製程槽 中，並通過排風閥的配合，使得氣體從製程槽的上方輸入，並從製程槽的下方輸出，以將微環境中的雜質顆粒排出晶片清洗機，保證對半導體材料的清洗效果。
另外，如圖2所示，在晶片清洗機的排風處，還可以設置有壓差檢測器和風速檢測器，其中，壓差檢測器可以有兩個檢測端口，分別用於檢測晶片清洗機排風處的外壓以及內壓，並確定晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值。
可以通過壓差檢測器，獲取晶片清洗機排風處的第一壓差值，並通過風速檢測器，獲取晶片清洗機排風處的第一風速值。通過檢測排風處的壓差值和風速值，可以準確的獲取晶片清洗機實際的壓力狀態和風速狀態，以提高後續操作的準確性。
在S104中，根據第一壓差值、第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量。
其中，控制模型可以是根據預設的基準壓差值、預設的基準風速值、預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值等數據進行訓練得到的模型，可以用於根據第一壓差值、第一風速值、基準壓差值和基準風速值，確定第一控制量和第二控制量。
由於晶片清洗機內可以有多個製程槽，所以，不僅需要保證晶片清洗機內部氣體環境的正壓穩定，還要保證多個製程槽之間氣流的平衡。因此，在確定用於調整過濾風機轉速的第一控制量和用於調整排風閥開合度的第二控制量時，需要對第一壓差值和第一風速值進行綜合考 慮，以確定氣流和壓力的平衡，即可以用預設的控制模型以及第一壓差值和第一風速值，確定第一控制量和第二控制量。
例如，可以根據獲取的預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、預設的基準風速值、預設的基準壓差值以及歷史第一控制量和歷史第二控制量，對控制模型進行訓練，然後將檢測到的第一壓差值和第一風速值以及基準風速值和基準壓差值輸入得到的控制模型，以得到第一控制量和第二控制量。
在S106中，控制過濾風機基於第一控制量向晶片清洗機內輸入氣體，並控制排風閥的步進電機基於第二控制量調整排風閥開合度，以使晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。
如圖2所示，在確定了第一控制量和第二控制量後，可以分別基於第一控制量，對FFU單元的轉速進行調整，以控制輸入晶片清洗機內製程槽的氣體的數量和速度，同時，可以基於第二控制量，對排風閥的步進電機的轉動角度(或步進電機的拉伸方向和拉伸距離)進行調整，以對排風閥的開合度(可以是開合的角度或開合的程度等)進行調整，實現對製程槽內氣體的輸出量的調整。
此外，上述是通過調整步進電機的轉動角度等變量，實現步進電機對排風閥開合度的調整，除此之外，在實際應用場景中，可以有多種步進電機對排風閥開合度的調整方法，可以根據實際應用場景的不同而有所不同，本發明實施例對此不作具體限定。
通過對過濾風機的轉速的調整，以及排風閥開合度的調整，可以實現晶片清洗機內壓與外壓差值的穩定，同時也可以實現晶片清洗機內部氣流的穩定，即保證了晶片清洗機內部氣體環境的穩定性。
本發明實施例提供一種晶片清洗機的控制方法，通過檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，第一壓差值為晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值，根據第一壓差值、第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量，控制過濾風機基於第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制排風閥的步進電機基於第二控制量調整排風閥開合度，以使晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。這樣，可以實時根據晶片清洗機的壓差值和風速值，對過濾風機的轉速和排風閥的開合度進行調整，保證壓力和氣流的平衡，提高設備的穩定性，同時，基於預設的控制模型，確定第一控制量和第二控制量，而不需要人工通過經驗來確定調節量，提高了控制準確性和控制效率。
實施例二
如圖3所示，本發明實施例提供一種晶片清洗機的控制方法，該方法具體可以包括以下步驟：
在S302中，檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值。
上述S302的具體處理過程可以參見上述實施例一中的S102的相關內容，在此不再贅述。
在S304中，獲取第一壓差值和基準壓差值之間的第一差值。
其中，基準壓差值可以是根據晶片清洗機的運作需求預先設定的壓差值，對不同型號的晶片清洗機以及不同的清洗製程，可以有不 同的基準壓差值，本發明實施例對此不作具體限定。
在S306中，將第一差值輸入第一預設比例調節傳遞函數，得到第一控制量。
其中，控制模型可以為通過多個不同的調節函數，並根據基準壓差值和基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量進行參數訓練確定的。
多個不同的調節函數包括第一預設比例調節傳遞函數、第二預設比例調節傳遞函數、第一預設單通道增益傳遞函數、第二預設單通道增益傳遞函數、第一預設耦合增益傳遞函數、第二預設耦合增益傳遞函數、第一預設解耦函數和第二預設解耦函數。第一預設比例調節傳遞函數以及第一預設單通道增益傳遞函數可以用於調節過濾風機轉速與晶片清洗機內壓與外壓的差值的關聯度，第二預設比例調節傳遞函數以及第二預設單通道增益傳遞函數可以用於調節步進電機轉動角度與晶片清洗機排風處的風速之間的關聯度，第一耦合增益傳遞函數可以用於調節步進電機轉動角度與晶片清洗機內壓與外壓的差值之間的關聯度，第二耦合增益傳遞函數可以用於調節過濾風機轉速與晶片清洗機排風處的風速之間的關聯度，第一預設解耦函數可以用於引入過濾風機轉速對晶片清洗機內壓與外壓的差值的影響度，第二預設解耦函數可以用於引入步進電機轉動角度對晶片清洗機排風處的風速的影響度。
其中，第一預設比例調節傳遞函數和第二預設比例調節函數與其他多個調節函數之間存在預設關聯關係，例如，上述多個不同的調節函數可以構成如圖4所示的函數運算關係圖。其中，Gc1可以為第一預設比例調節傳遞函數，Gc2可以為第二預設比例調節傳遞函數，G11可以 是第一預設單通道增益傳遞函數，G22可以是第二預設單通道增益傳遞函數，G21可以是第一預設耦合增益傳遞函數，G12可以是第二預設耦合增益傳遞函數，Gd1可以是第一預設解耦函數，Gd2可以是第二預設解耦函數，S為預定時間內第S個歷史檢測週期，SP1可以為基準壓差值，SP2可以為基準風速值，CV1(S)可以是第S個歷史檢測週期的歷史壓差值，CV2(S)可是第S個歷史檢測週期的歷史風速值，D(S)可以是歷史第一控制量與基準壓差值之間的差值，或歷史第二控制量與基準風速值之間的差值。即，第一預設比例調節傳遞函數的輸出值，可以作為第一預設單通道增益傳遞函數和第一預設耦合增益傳遞函數的輸入值。
由於晶片清洗機內可以有多個製程槽，所以，不僅需要保證晶片清洗機內部氣體環境的正壓穩定，還要保證多個製程槽之間氣流的平衡。因此，如圖4所示的函數運算關係圖所示，在確定第一控制量時，不僅需要考慮歷史壓差值對第一控制量的影響，也要同時考慮歷史風速值對第一控制量的影響。即在得到CV1(S)時，需要獲得G11的輸出值和G12的輸出值，即在計算第一控制量的過程中，存在耦合現象。所以，可以通過第一預設解耦函數，對第一預設單通道增益傳遞函數的輸出值與第二預設耦合增益傳遞函數的輸出值的和進行解耦，以得到CV1(S)，即通過第一預設解耦函數，可以用於引入該過濾風機轉速對該晶片清洗機內壓與外壓的差值的影響度。
另外，第一預設比例調節傳遞函數的輸出值為第一預設單通道增益傳遞函數的輸入值，第一預設單通道增益傳遞函數的輸出值，可以用於確定第S個歷史檢測週期的歷史壓差值，所以，第一預設比例調節傳遞函數以及第一預設單通道增益傳遞函數可以用於調節過濾風機轉速與 晶片清洗機內壓與外壓的差值之間的關聯度。
可以將獲取的預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量、基準壓差值和基準風速值，輸入如圖4所示的函數運算關係圖，以對調節參數進行參數訓練，得到對應的控制模型。
這樣，基於圖4中的函數運算關係以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量、基準壓差值和基準風速值，在參數訓練後，可以根據壓差值與風速值之間的影響關係，確定對應的每個調節函數的參數表達式。
在確定了第一預設比較調節函數的參數表達式後，可以將第一差值輸入第一預設比例調節傳遞函數，得到第一控制量。例如，第一預設比例調節傳遞函數的比例參數可以為1：2，則第一控制量即為第一差值的二倍。
在S308中，獲取第二風速值和基準風速值之間的第二差值。
在S310中，將第二差值輸入第二預設比例調節傳遞函數，得到第二控制量。
在S312中，將第一控制量和第二控制量輸入預先構造的驗證函數，以對第一控制量和第二控制量進行
Figure 110117095-A0305-02-0017-4
差驗證處理，得到第二壓差值和第二風速值。
其中，預先構造的驗證函數可以為：CV 1=K 11 * MV 1+K 12 * MV 2
CV 2=K 21 * MV 1+K 22 * MV 2
MV1為第一控制量，MV2為第二控制量，K11為第一調節係數，K12為第二調節係數，K21為第三調節係數，K22為第四調節係數，CV1為第二壓差值，CV2為第二風速值，第一調節係數可以為預設的第二壓差值和第一控制量之間的關聯度，第二調節係數可以為預設的第二壓差值和第二控制量之間的關聯度，第三調節係數可以為預設的第二風速值與第一控制量之間的關聯度，第四調節係數可以為預設的第二風速值與第二控制量之間的關聯度。
其中，第一調節係數、第二調節係數、第三調節係數以及第四調節係數可以是基於基準壓差值、基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量，通過控制模型中的多個不同的調節函數進行訓練得到的。即預先構造的驗證函數可以通過控制模型中的多個不同的調節函數，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量進行訓練得到的。
例如，如圖4所示，可以通過基準壓差值、基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量，對控制模型中的多個不同的調節函數進行訓練。在訓練結束後，可以確定圖4中每個調節函數的函數構成，然後可以根據訓練後的調節函數，以及歷史壓差值和歷史風速值，確定對應的第一子控制量和第二子控制量，並代入上述驗證函數，以得到上述四個調節係數，即得到上述控制模型。
此外，上述驗證函數中的調節係數還可以是基於基準壓差值和基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量確定的，本發明實施例對此不作具體限定。
在S314中，在第一壓差值和第二壓差值之間的差值小於預設第一差值閾值，且第一風速值和第二風速值之間的差值小於預設第二差值閾值的情況下，控制過濾風機基於第一控制量向晶片清洗機的製程槽內輸入氣體，並控制步進電機基於第二控制量調整排風閥開合度，以控制晶片清洗機的製程槽內氣體的輸出量，以使晶片清洗機的微環境處於穩定狀態。
在對第一控制量和第二控制量進行
Figure 110117095-A0305-02-0019-5
差驗證後，可以控制過濾風機基於第一控制量向晶片清洗機的製程槽內輸入氣體，並控制排步進電機基於第二控制量控制晶片清洗機的製程槽內氣體的輸出量。
此外，在獲取到第一壓差值和第一風速值後，可以對第一壓差值和第一風速值進行檢測，確定晶片清洗機是否發生故障，即在執行S302後，可以繼續執行S316~S318。
在S316中，基於預設壓差閾值對第一壓差值進行檢測，並基於預設風速閾值對第一風速值進行檢測，根據檢測結果確定晶片清洗機是否發生故障。
如果第一壓差值大於預設壓差值，同時，第一風速值大於預設風速值，則可以確定晶片清洗機發生故障。
或者，如果第一壓差值大於預設壓差值，或者，第一風速值大於預設風速值，則也可以確定晶片清洗機發生故障。
在S318中，在確定晶片清洗機發生故障時，輸出預設報警信息。
在確定了晶片清洗機發生故障的情況下，可以向預設機器維護人員輸出預設報警信息，以避免對晶片清洗機以及半導體材料造成損 傷。
本發明實施例提供一種晶片清洗機的控制方法，通過檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，第一壓差值為晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值，根據第一壓差值、第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量，控制過濾風機基於第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制排風閥的步進電機基於第二控制量調整排風閥開合度，以使晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。這樣，可以實時根據晶片清洗機的壓差值和風速值，對過濾風機的轉速和排風閥的開合度進行調整，保證壓力和氣流的平衡，提高設備的穩定性，同時，基於預設的控制模型，確定第一控制量和第二控制量，而不需要人工通過經驗來確定調節量，提高了控制準確性和控制效率。
實施例三
以上為本發明實施例提供的晶片清洗機的控制方法，基於同樣的思路，本發明實施例還提供一種晶片清洗機的控制裝置，如圖5所示。
該晶片清洗機的控制裝置可以為上述實施例中的執行主體晶片清洗機或電子設備，該晶片清洗機配置有過濾風機以及用於控制排風閥開合度的步進電機，該過濾風機用於對輸入到該晶片清洗機的製程槽的氣體進行過濾，該步進電機用於控制該晶片清洗機的製程槽內氣體的輸出量，該裝置包括：數據檢測模塊501、控制量確定模塊502和控制模塊503，其中： 數據檢測模塊501，用於檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，該第一壓差值為該晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值；控制量確定模塊502，用於根據該第一壓差值、該第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整該晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整該晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量；控制模塊503，用於控制該過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制該排風閥的步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度，以使該晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。
在本發明實施例中，該控制模型為通過多個不同的調節函數，並根據該基準壓差值和該基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量進行參數訓練確定的；其中，該多個不同的調節函數包括第一預設比例調節傳遞函數、第二預設比例調節傳遞函數、第一預設單通道增益傳遞函數、第二預設單通道增益傳遞函數、第一預設耦合增益傳遞函數、第二預設耦合增益傳遞函數、第一預設解耦函數和第二預設解耦函數；該第一預設比例調節傳遞函數以及該第一預設單通道增益傳遞函數用於調節該過濾風機轉速與該晶片清洗機內壓與外壓的差值的關聯度，該第二預設比例調節傳遞函數以及該第二預設單通道增益傳遞函數用於調節該步進電機轉動角度與該晶片清洗機排風處的風速之間的關聯度，該第一耦合增益傳遞函數用於調節該步進電機轉動角度與該晶片清洗機內壓與外壓的差值之間的關聯度， 該第二耦合增益傳遞函數用於調節該過濾風機轉速與該晶片清洗機排風處的風速之間的關聯度，該第一預設解耦函數用於引入該過濾風機轉速對該晶片清洗機內壓與外壓的差值的影響度，該第二預設解耦函數用於引入該步進電機轉動角度對該晶片清洗機排風處的風速的影響度。
在本發明實施例中，該控制量確定模塊502，用於：獲取該第一壓差值和該基準壓差值之間的第一差值；將該第一差值輸入該第一預設比例調節傳遞函數，得到該第一控制量；獲取該第二風速值和該基準風速值之間的第二差值；將該第二差值輸入該第二預設比例調節傳遞函數，得到該第二控制量。
在本發明實施例中，該控制模塊503，用於：將該第一控制量和該第二控制量輸入預先構造的驗證函數，以對該第一控制量和該第二控制量進行
Figure 110117095-A0305-02-0022-6
差驗證處理，得到第二壓差值和第二風速值；在該第一壓差值和該第二壓差值之間的差值小於預設第一差值閾值，且該第一風速值和該第二風速值之間的差值小於預設第二差值閾值的情況下，控制該過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機的製程槽內輸入氣體，並控制該步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度。
在本發明實施例中，該預先構造的驗證函數為：CV 1=K 11 * MV 1+K 12 * MV 2
CV 2=K 21 * MV 1+K 22 * MV 2
其中，MV1為該第一控制量，MV2為該第二控制量，K11為該第一調節係數，K12為該第二調節係數，K21為該第三調節係數，K22為該第四調節係數，CV1為該第二壓差值，CV2為該第二風速值，該第一調節係數為預設的該第二壓差值和該第一控制量之間的關聯度，該第二調節係數為預設的該第二壓差值和該第二控制量之間的關聯度，該第三調節係數為預設的該第二風速值與該第一控制量之間的關聯度，該第四調節係數為預設的該第二風速值與該第二控制量之間的關聯度。
在本發明實施例中，該第一調節係數、該第二調節係數、該第三調節係數以及該第四調節係數，是基於該基準壓差值、該基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量，通過該控制模型中的該多個不同的調節函數進行訓練得到的。
在本發明實施例中，該裝置，還包括：故障檢測模塊，用於基於預設壓差閾值對該第一壓差值進行檢測，並基於預設風速閾值對該第一風速值進行檢測，根據檢測結果確定該晶片清洗機是否發生故障；報警模塊，用於在確定該晶片清洗機發生故障時，輸出預設報警信息。
本發明實施例提供一種晶片清洗機的控制裝置，通過檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，第一壓差值為晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值，根據第一壓差值、第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量，控制過濾風機基於第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制排風閥的步進電機基於第二控制量調整排風閥開合度，以使晶片清洗 機內部的氣體環境保持穩定。這樣，可以實時根據晶片清洗機的壓差值和風速值，對過濾風機的轉速和排風閥的開合度進行調整，保證壓力和氣流的平衡，提高設備的穩定性，同時，基於預設的控制模型，確定第一控制量和第二控制量，而不需要人工通過經驗來確定調節量，提高了控制準確性和控制效率。
實施例四
本實施例提供一種晶片清洗機，該晶片清洗機包括：製程槽、過濾風機、步進電機、壓差檢測器、風速檢測器、控制器，其中，製程槽可以用於進行晶片的清洗製程，如圖6所示，在晶片清洗機內可以有多個功能模塊，每個功能模塊都可以對應有一個製程槽、過濾風機、步進電機以及排風閥。其中，功能模塊可以為SPM模塊、QDR模塊、XHFM模塊、XDHF模塊、XAPM模塊以及DRYER模塊等。
過濾風機可以用於對輸入到晶片清洗機的製程槽的氣體進行過濾。
步進電機可以與排風閥相連接，用於通過調整排風閥開合度以控制晶片清洗機的製程槽內氣體的輸出量。
壓差檢測器可以用於檢測晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值。
風速檢測器可以用於檢測晶片清洗機排風處的風速，其中，每個功能模塊的排風處都可以設置有一個壓力檢測器和一個風速檢測器。
控制器可以用於用於檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，第一壓差值為晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值，根 據第一壓差值、第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量，控制過濾風機基於第一控制量向晶片清洗機內輸入氣體，並控制排風閥的步進電機基於第二控制量調整排風閥開合度，以使晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。
此外，如圖6和圖7所示，晶片清洗機可以有5個功能模塊，分別為SPM模塊、QDR模塊、XHFM模塊、XDHF模塊、XAPM模塊以及DRYER模塊，晶片清洗機中的控制器可以分別獲取每個功能模塊排風處的第一壓差值和第一風速值，然後基於預設的控制模型，確定用於調整每個功能模塊的過濾風機轉速的第一控制量，和用於調整每個功能模塊排風閥開合度的第二控制量。然後，控制器可以分別控制每個功能模塊對應的過濾風機基於對應第一控制量輸入氣體，並控制每個功能模塊對應的排風閥的開合度以控制每個功能模塊的氣體輸出量。這樣，可以根據每個功能模塊的實際情況，有針對性的對過濾風機的轉速以及排風閥開合度進行調整，以維持晶片清洗機內部的壓力與氣流的平衡，實現微環境的穩定。
本發明實施例提供一種晶片清洗機，通過檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，第一壓差值為晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值，根據第一壓差值、第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量，控制過濾風機基於第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制排風閥的步進電機基於第二控制量調整排風閥開合度，以使晶片清洗機內部的氣 體環境保持穩定。這樣，可以實時根據晶片清洗機的壓差值和風速值，對過濾風機的轉速和排風閥的開合度進行調整，保證壓力和氣流的平衡，提高設備的穩定性，同時，基於預設的控制模型，確定第一控制量和第二控制量，而不需要人工通過經驗來確定調節量，提高了控制準確性和控制效率。
實施例五
本發明實施例提供又一種晶片清洗機。該晶片清洗機包含了上述實施例四的晶片清洗機的全部功能單元，並在其基礎上，對其進行了改進，改進內容如下：控制器還可以用於：獲取第一壓差值和基準壓差值之間的第一差值，將第一差值輸入第一預設比例調節傳遞函數，得到第一控制量，獲取第二風速值和基準風速值之間的第二差值，將第二差值輸入第二預設比例調節傳遞函數，得到第二控制量。
其中，控制模型可以為通過多個不同的調節函數，並基於基準壓差值和基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量進行參數訓練確定。其中，多個不同的調節函數可以包括第一預設比例調節傳遞函數、第二預設比例調節傳遞函數、第一預設單通道增益傳遞函數、第二預設單通道增益傳遞函數、第一預設耦合增益傳遞函數、第二預設耦合增益傳遞函數、第一預設解耦函數和第二預設解耦函數。第一預設比例調節傳遞函數以及第一預設單通道增益傳遞函數可以用於調節過濾風機轉速與晶片清洗機內壓與外壓的差值的關聯度，第二預設比例調節傳遞函數以及第二預設單通道增益傳遞函數可以用於調節步進電機轉動角度與晶片清洗機排風處的風速之間的關聯度， 第一耦合增益傳遞函數可以用於調節步進電機轉動角度與晶片清洗機內壓與外壓的差值之間的關聯度，第二耦合增益傳遞函數可以用於調節過濾風機轉速與晶片清洗機排風處的風速之間的關聯度，第一預設解耦函數可以用於引入過濾風機轉速對晶片清洗機內壓與外壓的差值的影響度，第二預設解耦函數可以用於引入步進電機轉動角度對晶片清洗機排風處的風速的影響度。
控制器還可以用於：將第一控制量和第二控制量輸入預先構造的驗證函數，得到第二壓差值和第二風速值。在第一壓差值和第二壓差值之間的差值小於預設第一差值閾值，且第一風速值和第二風速值之間的差值預設小於第二差值閾值的情況下，控制過濾風機基於第一控制量為晶片清洗機輸入乾淨的氣體，並控制步進電機基於第二控制量調整排風閥開合度，以控制晶片清洗機的製程槽內氣體的輸出量，以使晶片清洗機的微環境處於穩定狀態；其中，預先構造的驗證函數可以為：CV 1=K 11 * MV 1+K 12 * MV 2
CV 2=K 21 * MV 1+K 22 * MV 2
其中，MV1為第一控制量，MV2為第二控制量，K11為第一調節係數，K12為第二調節係數，K21為第三調節係數，K22為第四調節係數，CV1為第二壓差值，CV2為第二風速值，第一調節係數可以為預設的第二壓差值和第一控制量之間的關聯度，第二調節係數可以為預設的第二壓差值和第二控制量之間的關聯度，第三調節係數可以為預設的第二風速值與第一控制量之間的關聯度，第四調節係數可以為預設的第二風速值與第二控制量之間的關聯度。
第一調節係數、第二調節係數、第三調節係數以及第四調節係數，是基於基準壓差值、基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制量，通過控制模型中的多個不同的調節函數進行訓練得到的。
控制器還可以用於：基於預設壓差閾值和預設風速閾值，分別對第一壓差值和第一風速值進行檢測，並根據檢測結果確定晶片清洗機是否發生故障，在確定晶片清洗機發生故障時，輸出預設報警信息。
本發明實施例提供一種晶片清洗機，通過檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值，第一壓差值為晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值，根據第一壓差值、第一風速值、預設的基準壓差值和預設的基準風速值，基於預設的控制模型，確定用於調整晶片清洗機過濾風機轉速的第一控制量和用於調整晶片清洗機排風閥開合度的第二控制量，控制過濾風機基於第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制排風閥的步進電機基於第二控制量調整排風閥開合度，以使晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。這樣，可以實時根據晶片清洗機的壓差值和風速值，對過濾風機的轉速和排風閥的開合度進行調整，保證壓力和氣流的平衡，提高設備的穩定性，同時，基於預設的控制模型，確定第一控制量和第二控制量，而不需要人工通過經驗來確定調節量，提高了控制準確性和控制效率。
前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此 等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。
S102,S104,S106:步驟

Claims (10)

  1. 一種晶片清洗機的控制方法，包括：檢測一晶片清洗機排風處的一第一壓差值和一第一風速值，該第一壓差值為該晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值；根據該第一壓差值、該第一風速值、一預設的基準壓差值和一預設的基準風速值，基於一預設的控制模型，確定用於調整該晶片清洗機過濾風機轉速的一第一控制量和用於調整該晶片清洗機排風閥開合度的一第二控制量；控制該過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制該排風閥的一步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度，以使該晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。
  2. 如請求項1所述的方法，其中該控制模型為通過多個不同的調節函數，並根據該基準壓差值和該基準風速值，以及一預定時間內的一歷史壓差值、一歷史風速值、一歷史第一控制量和一歷史第二控制量進行參數訓練確定的；其中，該多個不同的調節函數包括一第一預設比例調節傳遞函數、一第二預設比例調節傳遞函數、一第一預設單通道增益傳遞函數、一第二預設單通道增益傳遞函數、一第一預設耦合增益傳遞函數、一第二預設耦合增益傳遞函數、一第一預設解耦函數和一第二預設解耦函數；該第一預設比例調節傳遞函數以及該第一預設單通道增益傳遞函數用於調節該過濾風機轉速與該晶片清洗機內壓與外壓的差值的關聯度，該第二預設比例調 節傳遞函數以及該第二預設單通道增益傳遞函數用於調節該步進電機轉動角度與該晶片清洗機排風處的風速之間的關聯度，該第一預設耦合增益傳遞函數用於調節該步進電機轉動角度與該晶片清洗機內壓與外壓的差值之間的關聯度，該第二預設耦合增益傳遞函數用於調節該過濾風機轉速與該晶片清洗機排風處的風速之間的關聯度，該第一預設解耦函數用於引入該過濾風機轉速對該晶片清洗機內壓與外壓的差值的影響度，該第二預設解耦函數用於引入該步進電機轉動角度對該晶片清洗機排風處的風速的影響度。
  3. 如請求項2所述的方法，其中該根據該第一壓差值、該第一風速值、該預設的基準壓差值和該預設的基準風速值，基於該預設的控制模型，確定用於調整該晶片清洗機過濾風機轉速的該第一控制量和用於調整該晶片清洗機排風閥開合度的該第二控制量，包括：獲取該第一壓差值和該基準壓差值之間的一第一差值；將該第一差值輸入該第一預設比例調節傳遞函數，得到該第一控制量；獲取一第二風速值和該基準風速值之間的一第二差值；將該第二差值輸入該第二預設比例調節傳遞函數，得到該第二控制量。
  4. 如請求項3所述的方法，其中該控制該過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機的製程槽內輸入氣體，並控制該排風閥的步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度，包括： 將該第一控制量和該第二控制量輸入預先構造的驗證函數，以對該第一控制量和該第二控制量進行
    Figure 110117095-A0305-02-0032-7
    差驗證處理，得到一第二壓差值和該第二風速值；在該第一壓差值和該第二壓差值之間的差值小於預設第一差值閾值，且該第一風速值和該第二風速值之間的差值小於預設第二差值閾值的情況下，控制該過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機的製程槽內輸入氣體，並控制該步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度。
  5. 如請求項4所述的方法，其中該預先構造的驗證函數為：CV 1=K 11 * MV 1+K 12 * MV 2 CV 2=K 21 * MV 1+K 22 * MV 2其中，MV1為該第一控制量，MV2為該第二控制量，K11為一第一調節係數，K12為一第二調節係數，K21為一第三調節係數，K22為一第四調節係數，CV1為該第二壓差值，CV2為該第二風速值，該第一調節係數為預設的該第二壓差值和該第一控制量之間的關聯度，該第二調節係數為預設的該第二壓差值和該第二控制量之間的關聯度，該第三調節係數為預設的該第二風速值與該第一控制量之間的關聯度，該第四調節係數為預設的該第二風速值與該第二控制量之間的關聯度。
  6. 如請求項5所述的方法，該第一調節係數、該第二調節係數、該第三調節係數以及該第四調節係數是基於該基準壓差值、該基準風速值，以及預定時間內的歷史壓差值、歷史風速值、歷史第一控制量和歷史第二控制 量，通過該控制模型中的該多個不同的調節函數進行訓練得到的。
  7. 如請求項1所述的方法，其中在該檢測晶片清洗機排風處的第一壓差值和第一風速值之後，還包括：基於預設壓差閾值對該第一壓差值進行檢測，並基於預設風速閾值對該第一風速值進行檢測，根據檢測結果確定該晶片清洗機是否發生故障；在確定該晶片清洗機發生故障時，輸出預設報警信息。
  8. 一種晶片清洗機，包括：一製程槽、一過濾風機、一步進電機、一壓差檢測器、一風速檢測器和一控制器，其中，該製程槽用於進行一晶片的一清洗製程；該過濾風機用於對輸入到該晶片清洗機的該製程槽的氣體進行過濾；該步進電機與一排風閥相連接，用於通過調整排風閥開合度以控制該晶片清洗機的該製程槽內氣體的輸出量；該壓差檢測器用於檢測該晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值；該風速檢測器用於檢測該晶片清洗機排風處的風速；該控制器用於檢測晶片清洗機排風處的一第一壓差值和一第一風速值，該第一壓差值為該晶片清洗機排風處的內壓與外壓的差值；根據該第一壓差值、該第一風速值、一預設的基準壓差值和一預設的基準風速值，基於一預設的控制模型，確定用於調整該晶片清洗機過濾風機轉速的一第一控制量和用於調整該晶片清洗機排風閥開合度的一第二控制量；控制該 過濾風機基於該第一控制量向該晶片清洗機內輸入氣體，並控制該排風閥的一步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度，以使該晶片清洗機內部的氣體環境保持穩定。
  9. 如請求項8所述的晶片清洗機，其中該控制器還用於：獲取該第一壓差值和該基準壓差值之間的一第一差值；將該第一差值輸入一第一預設比例調節傳遞函數，得到該第一控制量；獲取一第二風速值和該基準風速值之間的一第二差值；將該第二差值輸入一第二預設比例調節傳遞函數，得到該第二控制量。
  10. 如請求項9所述的晶片清洗機，其中該控制器還用於：將該第一控制量和該第二控制量輸入一預先構造的驗證函數，得到一第二壓差值和一第二風速值；在該第一壓差值和該第二壓差值之間的差值小於一預設第一差值閾值，且該第一風速值和該第二風速值之間的差值預設小於一第二差值閾值的情況下，控制該過濾風機基於該第一控制量為該晶片清洗機輸入乾淨的氣體，並控制該步進電機基於該第二控制量調整該排風閥開合度，以控制該晶片清洗機的製程槽內氣體的輸出量，以使該晶片清洗機的微環境處於穩定狀態；其中，該預先構造的驗證函數為：CV 1=K 11 * MV 1+K 12 * MV 2 CV 2=K 21 * MV 1+K 22 * MV 2其中，MV1為該第一控制量，MV2為該第二控制量，K11為一第一調節係數，K12為一第二調節係數，K21為一第三調節係數，K22為一第四調節係數，CV1為該第二壓差值，CV2為該第二風速值，該第一調節係數為預設的該第二壓差值和該第一控制量之間的關聯度，該第二調節係數為預設的該第二壓差值和該第二控制量之間的關聯度，該第三調節係數為預設的該第二風速值與該第一控制量之間的關聯度，該第四調節係數為預設的該第二風速值與該第二控制量之間的關聯度。
TW110117095A 2020-05-15 2021-05-12 晶片清洗機的控制方法及晶片清洗機 TWI809388B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010413273.4 2020-05-15
CN202010413273.4A CN111604324A (zh) 2020-05-15 2020-05-15 晶片清洗机的控制方法及晶片清洗机

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202144092A TW202144092A (zh) 2021-12-01
TWI809388B true TWI809388B (zh) 2023-07-21

Family

ID=72200310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110117095A TWI809388B (zh) 2020-05-15 2021-05-12 晶片清洗機的控制方法及晶片清洗機

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN111604324A (zh)
TW (1) TWI809388B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113394132B (zh) * 2021-04-29 2024-08-23 北京北方华创微电子装备有限公司 一种晶片清洗设备和一种晶片清洗设备的控制方法
CN115501718B (zh) * 2022-10-13 2024-07-16 南京中科煜宸激光技术有限公司 用于激光选区熔化设备的循环过滤系统及过滤方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200400586A (en) * 2002-06-04 2004-01-01 Rorze Corp Sheet shape electronic device clean transfer apparatus and manufacturing system for sheet shape electronic device
TW201704721A (zh) * 2015-06-19 2017-02-01 東京威力科創股份有限公司 流量測定裝置及處理裝置
CN108231625A (zh) * 2016-12-21 2018-06-29 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5475889A (en) * 1994-07-15 1995-12-19 Ontrak Systems, Inc. Automatically adjustable brush assembly for cleaning semiconductor wafers
KR100583730B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-26 삼성전자주식회사 기판 이송 시스템 및 상기 시스템의 프레임 내 압력을조절하는 방법
CN100408927C (zh) * 2005-04-27 2008-08-06 杭州科锐净化工程有限公司 生物洁净系统及其压力控制方法
US9080576B2 (en) * 2011-02-13 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling a processing system
CN102974588B (zh) * 2012-09-27 2015-11-18 北京七星华创电子股份有限公司 一种工艺腔室排风系统及排风方法
CN103008312B (zh) * 2012-11-29 2015-01-21 北京七星华创电子股份有限公司 一种空气调节监测系统
CN103041660B (zh) * 2012-12-20 2015-01-21 北京七星华创电子股份有限公司 一种腔室气流控制系统及方法
US20150003010A1 (en) * 2013-06-28 2015-01-01 Silicon Graphics International Corp. Pressure-activated server cooling system
JP6080723B2 (ja) * 2013-08-06 2017-02-15 日東工器株式会社 可搬型除塵装置
KR101540799B1 (ko) * 2013-12-18 2015-07-31 (주)시스윈일렉트로닉스 실리콘 웨이퍼 재사용을 위한 웨이퍼 클리닝 장치 및 클리닝 방법
CN105509223A (zh) * 2015-12-17 2016-04-20 安徽华盛科技控股股份有限公司 Cit可调压力的净化通风系统
JP2017147263A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体
CN105928164B (zh) * 2016-06-12 2019-01-29 华中科技大学 一种适用于区域空气净化的正压控制系统
CN106225249B (zh) * 2016-08-31 2020-04-24 芜湖美的厨卫电器制造有限公司 燃气热水器及其安全控制系统和方法
KR102385366B1 (ko) * 2017-09-20 2022-04-08 삼성전자주식회사 반도체 제조 설비의 제어 시스템 및 방법과, 이를 이용한 집적 회로의 제조 방법 및 프로세서의 제조 방법
JP6864705B2 (ja) * 2018-03-29 2021-04-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、制御システム及び半導体装置の製造方法
CN111069192A (zh) * 2018-10-22 2020-04-28 北京北方华创微电子装备有限公司 原位清洗装置和半导体处理设备
CN209857308U (zh) * 2019-03-08 2019-12-27 李玲燕 自动抗墙壁迎面风压排气装置
CN110108123B (zh) * 2019-04-08 2020-04-10 厦门理工学院 一种窑炉温度-压力解耦控制方法、装置、设备及系统

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200400586A (en) * 2002-06-04 2004-01-01 Rorze Corp Sheet shape electronic device clean transfer apparatus and manufacturing system for sheet shape electronic device
TW201704721A (zh) * 2015-06-19 2017-02-01 東京威力科創股份有限公司 流量測定裝置及處理裝置
CN108231625A (zh) * 2016-12-21 2018-06-29 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111604324A (zh) 2020-09-01
TW202144092A (zh) 2021-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI809388B (zh) 晶片清洗機的控制方法及晶片清洗機
JP6482979B2 (ja) 液処理装置
JP2001099462A (ja) クリーンルームまたはクリーンブース内の特定領域環境の最適制御解析値表示システム
TWI609567B (zh) 定風量風扇控制方法
CN207922391U (zh) 一种高精度恒温恒湿控制监测装置
WO2018188519A1 (zh) 空调制热能效比及制热量在线检测方法
TWI775275B (zh) 半導體處理裝置、方法與系統
CN103041660A (zh) 一种腔室气流控制系统及方法
CN1837696A (zh) 一种变风量空调系统总风量法控制方法
CN110925979B (zh) 一种洁净空调箱的控制方法和控制装置
CN111023422B (zh) 自清洁控制方法、多联机自清洁控制装置和多联机
CN102974588A (zh) 一种工艺腔室排风系统及排风方法
CN117396675A (zh) 用于真空泵送系统的流体路由
JPH0581809B2 (zh)
US20190203966A1 (en) Flow Device and Control System and Methods for HVAC System Monitoring
JPH10312952A (ja) 基板処理装置
CN115127268A (zh) 一种热泵机组压缩机频率的控制方法、控制器及热泵系统
CN211697409U (zh) 一种增湿器和去离子过滤器的性能测试系统
JPH02192537A (ja) 室内の絶対圧力制御装置
Li et al. A novel min-consensus-based distributed control method for multi-zone ventilation systems
TWI838859B (zh) 基板處理裝置排氣方法
US20220146129A1 (en) System and method for humidification control with fan delay
KR20240053164A (ko) 기판 처리 장치 및 그 배기 방법
Liu et al. Investigation on the performance of the chilled water system with the key sensor fault
CN215955239U (zh) 一种空气压力控制装置