TWI806296B

TWI806296B - 表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板

Info

Publication number: TWI806296B
Application number: TW110147726A
Authority: TW
Inventors: 石野裕士; 坂東慎介; 宮本宣明
Original assignee: 日商Ｊｘ金屬股份有限公司
Priority date: 2020-12-23
Filing date: 2021-12-20
Publication date: 2023-06-21
Also published as: CN116669948A; KR20230109728A; JP7014884B1; JP2022100020A; WO2022138513A1; TW202233898A

Abstract

本發明之目的在於提供一種表面處理銅箔，其能夠減少自基板之剝離並形成細間距化之電路圖案。本發明之表面處理銅箔具有銅箔、形成於上述銅箔之一面的第1表面處理層及形成於上述銅箔之另一面的第2表面處理層；上述第1表面處理層之Ni附著量相對於上述第2表面處理層之Ni附著量的比為0.01～2.0，上述表面處理銅箔之拉伸強度為235～290 MPa，上述銅箔由99.0質量%以上之Cu及其餘不可避免之雜質所構成。

Description

表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板

本發明係關於一種表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板。

近年來，隨著電子機器之小型化、高性能化等需求之增加，而對搭載於電子機器之印刷配線板要求電路圖案（亦稱為「導體圖案」）之細間距化（微細化）。

針對上述細間距化之要求，例如，於專利文獻1，揭示有「一種表面處理銅箔，其具有銅箔、形成於上述銅箔之一面的第1表面處理層及形成於上述銅箔之另一面的第2表面處理層，上述第1表面處理層之Ni附著量相對於上述第2表面處理層之Ni附著量的比為0.01～2」，並記載有藉由該表面處理銅箔，能夠形成適於細間距化之高蝕刻因子的電路圖案。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2019-81913號公報

且說，於如上述般電路圖案已細間距化之印刷配線板中，由於該電路圖案為細間距，故可知所形成之電路與細間距化前之電路相比會變得容易自基材剝離。尤其是具有可撓性之撓性印刷配線板（以下，亦稱為「FPC」），由於在其製造時及使用時等會伴有印刷配線板之變形，故會變得更加容易剝離。因此，對於印刷配線板，需要電路圖案之細間距化之同時，亦需要提升耐剝離性。

因此，本發明係為了解決如上述之問題而完成者，目的在於提供一種能夠減少自基板之剝離並形成細間距化之電路圖案的表面處理銅箔及覆銅積層板。又，本發明之目的在於提供一種減少自基板之剝離且具有細間距化之電路圖案的印刷配線板。

本發明人等為了解決上述問題，經進行潛心研究後，結果發現於電路圖案已細間距化之印刷配線板中，藉由提高銅箔之強度，可減少所形成之電路自基材之剝離，從而完成本發明。即，本發明如下。

本發明之表面處理銅箔於一實施態樣中，具有銅箔、形成於上述銅箔之一面的第1表面處理層及形成於上述銅箔之另一面的第2表面處理層；上述第1表面處理層之Ni附著量相對於上述第2表面處理層之Ni附著量的比為0.01～2.0，上述表面處理銅箔之拉伸強度為235～290 MPa，上述銅箔由99.0質量%以上之Cu及其餘不可避免之雜質所構成。

本發明之覆銅積層板於一實施態樣中，具備上述表面處理銅箔及接著於上述表面處理銅箔之上述第1表面處理層的基材。

本發明之印刷配線板於一實施態樣中，具備對上述覆銅積層板之上述表面處理銅箔進行蝕刻而形成之電路圖案。

若根據本發明，可提供一種能夠減少自基板之剝離並形成細間距化之電路圖案的表面處理銅箔及覆銅積層板。又，若根據本發明，可提供一種減少自基板之剝離且具有細間距化之電路圖案的印刷配線板。

以下，對本發明之實施形態（以下，稱為「本實施形態」）詳細地進行說明，但本發明並不限定於本實施形態。＜表面處理銅箔＞圖1係表示已將本實施形態之表面處理銅箔接著於基材之狀態的剖視圖（覆銅積層板10之剖視圖）。本實施形態之表面處理銅箔1具有銅箔2、形成於銅箔2之一面的第1表面處理層3及形成於銅箔2之另一面的第2表面處理層4。又，覆銅積層板10具有表面處理銅箔1及接著於表面處理銅箔1之第1表面處理層3的基材11。本實施形態之表面處理銅箔1可用作搭載於電子機器等之印刷配線板，尤其是撓性印刷配線板用之銅箔，並無特別限定。

第1表面處理層3及第2表面處理層4至少含有Ni作為附著元素。於表面處理銅箔1中，第1表面處理層3之Ni附著量相對於第2表面處理層4之Ni附著量的比為0.01～2.0，較佳為0.8～1.5。由於Ni係難以溶解於蝕刻液之成分，故藉由使Ni附著量之比為上述範圍內，可於對覆銅積層板10進行蝕刻時，促進成為電路圖案底側之第1表面處理層3的溶解，且減緩成為電路圖案頂側之第2表面處理層4的溶解。因此，能夠獲得頂部寬與底部寬之差小，蝕刻因子高的電路圖案。

關於第1表面處理層3之Ni附著量，若Ni附著量之比為上述範圍內，則無特別限定，較佳為20～200 μg/dm ²，更佳為20～100 μg/dm ²。藉由使第1表面處理層3之Ni附著量為上述範圍內，可穩定地提高電路圖案之蝕刻因子。

第1表面處理層3除Ni以外，還可含有Zn、Co、Cr等元素作為附著元素。關於第1表面處理層3之Zn附著量，由於取決於第1表面處理層3之種類，故無特別限定，但於第1表面處理層3含有Zn之情形時，較佳為20～1000 μg/dm ²，更佳為400～500 μg/dm ²。藉由使第1表面處理層3之Zn附著量為上述範圍內，可穩定地提高電路圖案之蝕刻因子。

關於第1表面處理層3之Co附著量，由於取決於第1表面處理層3之種類，故無特別限定，較佳為1500 μg/dm ²以下，更佳為0.1～500 μg/dm ²，進而較佳為0.5～100 μg/dm ²。藉由使第1表面處理層3之Co附著量為上述範圍內，可穩定地提高電路圖案之蝕刻因子。又，由於Co係磁性金屬，故藉由將第1表面處理層3之Co附著量控制在尤其是100 μg/dm ²以下，較佳為0.5～100 μg/dm ²，可獲得能夠製作高頻特性優異之印刷配線板的表面處理銅箔1。

關於第1表面處理層3之Cr附著量，由於取決於第1表面處理層3之種類，故無特別限定，較佳為500 μg/dm ²以下，更佳為0.5～300 μg/dm ²，進而較佳為1～100 μg/dm ²。藉由使第1表面處理層3之Cr附著量為上述範圍內，可穩定地提高電路圖案之蝕刻因子。

第1表面處理層3之Rzjis並無特別限定，較佳為0.3～1.5，更佳為0.5～0.8。藉由使第1表面處理層3之Rzjis為上述範圍內，可提升與基材11之接著性。此處，於本說明書中，「Rzjis」係指JIS B 0601:2001所規定之十點平均粗糙度。

關於第1表面處理層3之種類，若Ni附著量之比為上述範圍內，則無特別限定，可使用該技術領域中周知之各種表面處理層。作為表面處理層之例，可舉粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層等。該等層可使用單獨一種，或將2種以上組合而使用。於其中，就與基材11之接著性的觀點，第1表面處理層3較佳具有粗化處理層。此處，於本說明書中，「粗化處理層」係指藉由粗化處理而形成之層，包含粗化粒子層。又，於粗化處理，有時會進行通常之鍍銅等作為前處理，或為了防止粗化粒子脫落而進行通常之鍍銅等作為完工處理，本說明書中之「粗化處理層」包含藉由該等前處理及完工處理而形成之層。

作為粗化粒子，並無特別限定，可由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中之任一單質或含有其中任1種以上之合金形成。又，形成粗化粒子後，亦可進而進行用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等設置二次粒子或三次粒子的粗化處理。

作為耐熱層及防銹層，並無特別限定，可由該技術領域中周知之材料形成。再者，由於耐熱層有時亦作為防銹層發揮功能，故亦可形成具有耐熱層及防銹層兩者之功能的1個層作為耐熱層及防銹層。作為耐熱層及/或防銹層，可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑系元素、鐵、鉭之群中1種以上元素（亦可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一形態）之層。作為耐熱層及/或防銹層之例，可舉含有鎳-鋅合金之層。

作為鉻酸鹽處理層，並無特別限定，可由該技術領域中周知之材料形成。此處，於本說明書中，「鉻酸鹽處理層」係指使用含有鉻酸酐、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽之液體而形成之層。鉻酸鹽處理層可為含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷、鈦等元素（亦可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一形態）之層。作為鉻酸鹽處理層之例，可舉經鉻酸酐或重鉻酸鉀水溶液處理之鉻酸鹽處理層、經含有鉻酸酐或重鉻酸鉀及鋅之處理液處理之鉻酸鹽處理層等。

作為矽烷偶合處理層，並無特別限定，可由該技術領域中周知之材料形成。此處，於本說明書中，「矽烷偶合處理層」係指由矽烷偶合劑形成之層。作為矽烷偶合劑，並無特別限定，可使用該技術領域中周知者。作為矽烷偶合劑之例，可舉胺基系矽烷偶合劑、環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑等。該等可使用單獨一種，或將2種以上組合而使用。

關於第2表面處理層4之種類，若Ni附著量之比為上述範圍內，則無特別限定，可與第1表面處理層3同樣地使用該技術領域中周知之各種表面處理層。又，第2表面處理層4之種類與第1表面處理層3可相同，亦可不同。

關於第2表面處理層4之Ni附著量，若Ni附著量之比為上述之範圍內，則無特別限定，較佳為0.1～500 μg/dm ²，更佳為0.5～200 μg/dm ²，進而較佳為1.0～100 μg/dm ²。藉由使第2表面處理層4之Ni附著量為上述範圍內，可穩定地提高電路圖案之蝕刻因子。

第2表面處理層4除Ni以外，還可含有Zn、Cr等元素作為附著元素。關於第2表面處理層4之Zn附著量，由於取決於第2表面處理層4之種類，故無特別限定，但於第2表面處理層4含有Zn之情形時，較佳為10～1000 μg/dm ²，更佳為50～500 μg/dm ²，進而較佳為100～300 μg/dm ²。藉由使第2表面處理層4之Zn附著量為上述範圍內，可穩定地提高電路圖案之蝕刻因子。

關於第2表面處理層4之Cr附著量，由於取決於第2表面處理層4之種類，故無特別限定，但於第2表面處理層4含有Cr之情形時，較佳超過0 μg/dm ²但在500 μg/dm ²以下，更佳為0.1～100 μg/dm ²，進而較佳為1～50 μg/dm ²。藉由使第2表面處理層4之Cr附著量為上述範圍內，可穩定地提高電路圖案之蝕刻因子。

銅箔2由99.0質量%以上之Cu及其餘不可避免之雜質所構成，製成表面處理銅箔時之拉伸強度為235～290 MPa。藉由銅箔2具有此種構成，可於電路圖案已細間距化之印刷配線板中，減少所形成之電路自基材的剝離。更具體而言，於提升電路圖案之耐久性（進行防剝離）的情形時，一般為調整鍍覆組成或表面粗糙度來探討與樹脂之接著性提升。然而，於本實施形態中，藉由使銅箔2為如上述之組成，且使製成表面處理銅箔時之拉伸強度為特定範圍，即便是細間距化之印刷配線板，亦可減少電路圖案之剝離。

更詳而言，於本實施形態中，作為提升銅箔（進而為表面處理銅箔）之拉伸強度的方法，並無限定，可舉使銅箔再結晶後之晶粒微細化的方法。於如銅箔2般之純銅系之組成的情形時，晶粒難以微細化，但在冷軋時之初期進行再結晶退火，之後不進行再結晶退火，藉此利用冷軋大量導入加工應變而產生動態再結晶，而可實現晶粒之微細化。

又，相對於上述組成，若銅箔含有總計0.002～0.825質量%之選自P、Ti、Sn、Ni、Be、Zn、In及Mg之群中之1種以上添加元素作為使晶粒微細化的添加元素，則可更容易地實現晶粒之微細化。由於該等添加元素會於冷軋時增加差排密度，故可更容易地實現晶粒之微細化。

再者，作為使銅箔再結晶後之晶粒微細化的方法，除加入添加元素之方法以外，還可舉進行疊軋之方法、利用電解銅箔進行電沉積時使用脈衝電流之方法或利用電解銅箔適量添加硫脲或膠等於電解液之方法。

本實施形態之銅箔，亦可為由符合JIS-H3100（C1100）標準之精銅（TPC）或JIS-H3100（C1011）之無氧銅（OFC）所構成的組成。又，亦可為使上述TPC或OFC含有上述添加元素而成之組成。

於本實施形態中，銅箔之平均晶粒徑較佳為0.5～4.0 μm。若平均晶粒徑未達0.5 μm，則拉伸強度會變得大於期望之值。具體而言，由於強度變得過高，則抗彎剛度會變大，故尤其是於將表面處理銅箔用於撓性印刷配線板之情形時，具有彈回量變大而不適於撓性印刷配線板用途之傾向。若平均晶粒徑超過4.0 μm，則無法實現晶粒之微細化，拉伸強度會變得小於期望之值。具體而言，變得難以充分提高強度，且蝕刻因子及電路直線性劣化，蝕刻性降低。為了避免誤差，平均晶粒徑之測定係以15 μm×15 μm之視域對箔表面觀察10視域以上而進行。箔表面之觀察可使用SIM（Scanning Ion Microscope）或SEM（Scanning Electron Microscope），並根據JIS H 0501所記載之切斷法求得平均晶粒徑。其中，將雙晶視為分開之晶粒進行測定。

於本實施形態中，表面處理銅箔之拉伸強度為235～290 MPa。如上述，藉由使晶粒微細化而提升拉伸強度。於印刷配線板之製造步驟及構裝於製品時等，因承受外力而引起之電路剝離伴有電路之變形。於伴有此種變形之剝離的情形時，外力於界面上集中之範圍會根據剝離對象之變形容易度而變化。於容易變形之情形時，外力集中於界面上之狹窄範圍，另一方面，於難以變形之情形時，則外力於界面上之寬廣範圍分散。即，藉由採用強度高且不易變形之表面處理銅箔作為電路，可於界面上之寬廣範圍分散外力，而可抑制電路剝離。本發明人等發現尤其是於細間距電路中，由於電路寬度窄，故外力容易集中，取決於剝離對象之變形困難度的外力之分散變得更為重要。於表面處理銅箔之拉伸強度未達235 MPa之情形時，界面上承受之外力無法充分分散從而無法抑制電路剝離。又，若表面處理銅箔之拉伸強度超過290 MPa，則雖然可充分抑制電路剝離，但強度變得過高，抗彎剛度變大。尤其是於將表面處理銅箔用於撓性印刷配線板之情形時，具有彈回量變大而不適於撓性印刷配線板用途之傾向。拉伸強度係藉由以IPC-TM-650為標準之拉伸試驗，以試驗片寬12.7 mm、室溫（15～35℃）、拉伸速度50.8 mm/min、標距50 mm，於與銅箔之軋壓方向（或MD方向）平行的方向上進行拉伸試驗。

於本實施形態中，對表面處理銅箔於300℃進行30分鐘熱處理後之拉伸強度亦可為235～290 MPa（換言之，拉伸強度為235～290 MPa之表面處理銅箔亦可為於300℃經進行30分鐘熱處理時者）。本實施形態之表面處理銅箔可用於印刷配線板，將表面處理銅箔與作為基材之樹脂積層而成的覆銅積層板，係於200～400℃進行熱處理以使樹脂固化，故存在晶粒因再結晶而粗大化之可能性。另一方面，本實施形態之表面處理銅箔亦可為對表面處理銅箔於300℃進行30分鐘熱處理後之拉伸強度為235～290 MPa，其物性係著眼於對與樹脂積層前之表面處理銅箔進行了上述熱處理時之狀態而規定。該於300℃進行30分鐘之熱處理，係模擬了於覆銅積層板積層時對樹脂進行固化熱處理之溫度條件者。

銅箔之厚度無特別限定，例如可設為1～1000 μm，或者1～500 μm，或者1～300 μm，或者3～100 μm，或者5～70 μm，或者6～35 μm，或者9～18 μm。

本實施形態之銅箔，例如可以下述方式製造。首先，於銅鑄錠添加上述添加物並使其溶解，進行鑄造，然後進行熱軋、冷軋及退火，並進行上述最終冷軋，藉此可製造箔。

又，本實施形態之表面處理銅箔1可使用上述銅箔2，並依照該技術領域中周知之方法而製造。此處，第1表面處理層3及第2表面處理層4之Ni附著量、Ni附著量之比，例如可藉由改變所形成之表面處理層的種類、厚度等而控制。又，第1表面處理層3之Rzjis可藉由調整第1表面處理層3之形成條件等而控制。

＜覆銅積層板＞本實施形態之覆銅積層板10，具備上述表面處理銅箔1及接著於表面處理銅箔1之第1表面處理層3的基材11。作為基材11，並無特別限定，可使用該技術領域中周知者。作為基材11之例，可舉紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂、玻璃布基材環氧樹脂、聚酯（聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等）膜、聚醯亞胺膜、液晶聚合物、氟樹脂等，又，較佳具有絕緣性。

作為覆銅積層板10之製造方法，並無特別限定，可依照該技術領域中周知之方法，藉由將表面處理銅箔1與基材11接著而製造。例如，使表面處理銅箔1與基材11積層並熱壓接合即可。

又，於本實施形態之覆銅積層板為用於撓性印刷配線板之情形時，可使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二酯、液晶聚合物之膜作為基材11，作為基材11與表面處理銅箔1之積層方法，亦可將成為基材11之材料塗佈於表面處理銅箔1之表面並加熱成膜。又，亦可使用樹脂膜作為基材11，並於樹脂膜與表面處理銅箔1之間使用以下接著劑，亦可不使用接著劑而將樹脂膜熱壓接合於表面處理銅箔1。惟，就不對樹脂膜施加多餘之熱量的觀點，較佳使用接著劑。於使用膜作為基材11之情形時，可將該膜透過接著劑層積層於表面處理銅箔1。於此情形時，較佳使用與膜為同成分之接著劑。例如，於使用聚醯亞胺膜作為基材11之情形時，較佳為接著劑層亦使用聚醯亞胺系接著劑。再者，此處所謂聚醯亞胺系接著劑，係指含有醯亞胺鍵之接著劑，亦包含聚醚醯亞胺等。

＜印刷配線板＞本實施形態之印刷配線板具備對上述覆銅積層板10之表面處理銅箔1進行蝕刻而形成的電路圖案。作為印刷配線板之製造方法，並無特別限定，可藉由周知之方法製造，可使用光蝕刻技術將電路形成於覆銅積層板10。又，亦可視需要對電路實施鍍覆，並對覆蓋層膜進行層疊，而獲得撓性印刷配線板（撓性配線板）。

以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明之表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板並不限定於上述例，可施加適當之變更。 [實施例]

以下，藉由實施例對本實施形態進一步具體地進行說明，但本實施形態完全不受該等實施例之限定。

探討了是否能夠製造表面處理銅箔，並將該表面處理銅箔接著於基板而獲得覆銅積層板，形成自基板之剝離減少且細間距化之電路圖案。

以下述方式獲得各實施例及各比較例之表面處理銅箔。＜實施例：表面處理銅箔1＞使用電解銅於非氧化性環境下製作鑄錠。鑄錠所含有之銅的比率為99.99質量%。將該鑄錠於900℃以上均質化退火後，進行熱軋，並進行冷軋與退火。最終退火後，進行最終冷軋而最終獲得厚度為12 μm之箔。然後，藉由在上述銅箔樣品之一面依序形成粗化處理層、耐熱層及鉻酸鹽處理層作為第1表面處理層，並於上述銅箔樣品之另一面依序形成耐熱層及鉻酸鹽處理層作為第2表面處理層，而獲得表面處理銅箔。用以形成各層之條件如下。再者，表面處理銅箔1之各物性係利用後述之方法進行評估，其結果如表1所示。・第1表面處理層之粗化處理層藉由電鍍而形成粗化處理層。鍍覆液組成：10～20 g/L之Cu，50～100 g/L之硫酸鍍覆液溫度：25～50℃ 電鍍條件：分為2階段施加電流第1階段：電流密度45.0 A/dm ²，時間1.4秒，庫侖量60.8 As/dm ²第2階段：電流密度4.1 A/dm ²，時間2.8秒、庫侖量11.8 As/dm ²・第1表面處理層之耐熱層藉由電鍍而形成耐熱層。鍍覆液組成：1～30 g/L之Ni，1～30 g/L之Zn 鍍覆液pH：2～5 鍍覆液溫度：30～50℃ 電鍍條件：電流密度2.1 A/dm ²，時間0.7秒，庫侖量1.4 As/dm ²・第1表面處理層之鉻酸鹽處理層藉由電鍍而形成鉻酸鹽處理層。鍍覆液組成：1～10 g/L之K ₂Cr ₂O ₂，0.01～10 g/L之Zn 鍍覆液pH：2～5 鍍覆液溫度：30～50℃ 電鍍條件：電流密度2.1 A/dm ²，時間1.4秒，庫侖量2.9 As/dm ²・第2表面處理層之耐熱層藉由電鍍而形成耐熱層。鍍覆液組成：1～30 g/L之Ni，1～30 g/L之Zn 鍍覆液pH：2～5 鍍覆液溫度：30～50℃ 電鍍條件：電流密度2.1 A/dm ²，時間0.7秒，庫侖量1.4 As/dm ²・第2表面處理層之鉻酸鹽處理層藉由浸漬鉻酸鹽處理而形成鉻酸鹽處理層。鉻酸鹽液組成：1～10 g/L之K ₂Cr ₂O ₂，0.01～10 g/L之Zn 鉻酸鹽液pH：2～5 鉻酸鹽液溫度：30～50℃

＜比較例：表面處理銅箔2＞表面處理銅箔2係降低了表面處理銅箔1之拉伸強度的銅箔。表面處理銅箔2之各物性，係利用後述之方法進行評估，將其結果示於表1。

[表1]

	厚度（μm）	第1表面處理層	第2表面處理層	Ni附著量之比*	拉伸強度（MPa）
Ni附著量（μg/dm ²）	Zn附著量（μg/dm ²）	Co附著量（μg/dm ²）	Cr附著量（μg/dm ²）	Ni附著量（μg/dm ²）	Zn附著量（μg/dm ²）	Cr附著量（μg/dm ²）
實施例表面處理銅箔1	12	64	470	-	67	63	361	17	1.02	251
比較例表面處理銅箔2	12	65	453	-	63	64	299	19	1.01	153

*：第1表面處理層之Ni附著量相對於第2表面處理層之Ni附著量的比

對於上述表面處理銅箔1、2，接著下述基材。＜基材＞使用FR-4基材（玻璃布基材環氧樹脂之一種）作為基材。

使用上述表面處理銅箔及基材，以下述方式獲得覆銅積層板。＜實施例1＞於表面處理銅箔1之第1表面處理層的表面接著基材，獲得覆銅積層板1。具體而言，於銅箔之第1表面處理層的表面積層基材，並藉由加熱壓製（4 MPa）施加300℃×30分鐘之熱處理而貼合，獲得覆銅積層板1。

＜比較例1＞將表面處理銅箔1變更為表面處理銅箔2，除此以外以與實施例1同樣之方法獲得覆銅積層板2。對上述覆銅積層板1、2進行後述之剝離強度評估，將其結果示於表2。

以下述方法進行各物性、各評估。

＜表面處理銅箔之拉伸強度＞對上述表面處理銅箔施加300℃×30分鐘之熱處理，獲得表面處理銅箔樣品。對各表面處理銅箔樣品，藉由以IPC-TM-650為標準之拉伸試驗，以上述條件測定拉伸強度。

＜第1表面處理層及第2表面處理層中之各元素附著量的測定＞ Ni、Zn及Co之附著量，係藉由將各表面處理層溶解於濃度20質量%之硝酸，並使用VARIAN公司製造之原子吸光分光光度計（型號：AA240FS），以原子吸光法進行定量分析而進行測定。又，Cr之附著量係藉由將各表面處理層溶解於濃度7質量%之鹽酸，並與上述同樣地以原子吸光法進行定量分析而進行測定。

＜剝離強度＞上述覆銅積層板1、2之剝離強度（剝離容易度）係以JIS C 6471 8.1為標準進行測定。測定用之試驗片，係使用氯化銅電路蝕刻液製作10 mm寬之電路於覆銅積層板。又，測定係將銅箔自基板剝離，並於90°方向持續地拉伸，將10 mm以上之測定長度內負載穩定之範圍內的最低值作為剝離強度。再者，於剝離強度為0.80 kgf/cm以上之情形時，可評估為電路圖案難以剝離。

[表2]

	表面處理銅箔	基材	剝離強度（kgf/cm）
實施例1	表面處理銅箔1	FR-4	0.90
比較例1	表面處理銅箔2	FR-4	0.68

[產業上之可利用性]

1:表面處理銅箔 2:銅箔 3:第1表面處理層 4:第2表面處理層 10:覆銅積層板 11:基材

[圖1]係表示已將本實施形態之表面處理銅箔接著於基材之狀態的剖視圖。

1:表面處理銅箔

2:銅箔

3:第1表面處理層

4:第2表面處理層

10:覆銅積層板

11:基材

Claims

一種表面處理銅箔，該表面處理銅箔具有銅箔、形成於該銅箔之一面的第1表面處理層及形成於該銅箔之另一面的第2表面處理層，該第1表面處理層之Ni附著量相對於該第2表面處理層之Ni附著量的比為0.01～2.0，該表面處理銅箔之拉伸強度為235～290 MPa，該銅箔由99.0質量%以上之Cu及其餘不可避免之雜質所構成。
如請求項1之表面處理銅箔，其中，該Ni附著量之比為0.8～1.5。
如請求項1或2之表面處理銅箔，其中，該第1表面處理層之Ni附著量為20～200 μg/dm ²。
如請求項1或2之表面處理銅箔，其中，該第1表面處理層之Zn附著量為20～1000 μg/dm ²。
如請求項1或2之表面處理銅箔，其中，該第1表面處理層之Rzjis為0.3～1.5。
如請求項1或2之表面處理銅箔，其中，該銅箔由符合JIS-H3100（C1100）標準之精銅或JIS-H3100（C1011）之無氧銅所構成。
如請求項1或2之表面處理銅箔，其中，該銅箔進而含有總計0.002～0.825質量%之選自P、Ti、Sn、Ni、Be、Zn、In及Mg之群中之1種以上的添加元素而成。
如請求項1或2之表面處理銅箔，其中，拉伸強度為235～290 MPa之該表面處理銅箔係於300℃進行了30分鐘熱處理時之該表面處理銅箔。
如請求項1或2之表面處理銅箔，其中，該第1表面處理層接著於基材。
一種覆銅積層板，其具備如請求項1或2之表面處理銅箔及接著於該表面處理銅箔之該第1表面處理層的基材。
一種印刷配線板，其具備對如請求項10之覆銅積層板之該表面處理銅箔進行蝕刻而形成的電路圖案。