TWI806166B - 半導體反應腔室 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體反應腔室，包括腔室本體、介電質視窗、進氣部件、承載部件、上射頻組件和複數紫外光發生裝置，其中，介電質視窗設置在腔室本體的頂部；承載部件設置在腔室本體內，用於承載待加工晶片；進氣部件設置於介電質視窗的中心位置處，用於向腔室本體內通入製程氣體；上射頻組件設置於腔室本體的上方，用於對通入腔室本體內的製程氣體進行電離，產生電漿和第一紫外光；複數紫外光發生裝置設置在介電質視窗和承載部件之間，且環繞在進氣部件的週圍，各紫外光發生裝置均用於產生朝向承載部件照射的第二紫外光。本發明提供的半導體反應腔室能夠提高待加工晶片各處的蝕刻速率的均勻性，並提高複數待加工晶片之間的蝕刻一致性，從而提高製程效果。

Description

半導體反應腔室
本發明涉及半導體裝置技術領域，具體地，涉及一種半導體反應腔室。
感應耦合電漿（Inductively Coupled Plasma，簡稱ICP）蝕刻製程，是利用電漿對晶片進行轟擊，以對晶片進行蝕刻的製程，其能夠對完成罩幕製程後的晶片進行蝕刻，即，在晶片上的光阻曝光形成有罩幕圖案之後，對晶片未被光阻罩幕覆蓋的部分進行蝕刻，從而實現將罩幕圖案複製在晶片上。
現有的感應耦合電漿蝕刻製程裝置，通常包括腔室本體、介電質視窗、噴嘴、承載部件和上射頻組件，其中，介電質視窗設置在腔室本體的頂部；噴嘴設置在介電質視窗的中心位置處，用於向腔室本體內通入製程氣體；承載部件設置在腔室本體內，並位於介電質視窗的下方，用於承載晶片；上射頻組件設置在腔室本體的外部，並位於介電質視窗的上方，其能夠透過介電質視窗向腔室本體內饋入射頻能量，以激發腔室本體內的製程氣體形成電漿，這些電漿能夠對承載部件上的晶片進行轟擊。
製程氣體在被激發形成電漿時，還會產生紫外光，這些紫外光在對晶片進行蝕刻的過程中，會對晶片上的光阻罩幕起到固化作用，從而可以增強光阻罩幕的抗腐蝕性，但是，由於噴嘴位於介電質視窗的中心位置處，噴嘴噴出的製程氣體會最先進入腔室本體的中心區域，然後向腔室本體的四周擴散，導致由製程氣體離化形成電漿時產生的紫外光也會由中心區域向四周擴散，這使得腔室本體的中心區域與邊緣區域之間的紫外光分佈不均勻，從而導致紫外光照射在晶片表面各處的強度不均勻，進而造成晶片上的光阻罩幕的固化效果不均勻，從而可能影響晶片各處的蝕刻速率均勻性，以及晶片間的蝕刻一致性。
本發明旨在至少解決先前技術中存在的技術問題之一，提出了一種半導體反應腔室，其能夠提高待加工晶片各處的蝕刻速率均勻性，並提高複數待加工晶片之間的蝕刻一致性，從而提高製程效果。
為實現本發明的目的而提供一種半導體反應腔室，包括腔室本體、介電質視窗、進氣部件、承載部件和上射頻組件，其中，該介電質視窗設置在該腔室本體的頂部；該承載部件設置在該腔室本體內，用於承載待加工晶片；該進氣部件設置於該介電質視窗的中心位置處，用於向該腔室本體內通入製程氣體；該上射頻組件設置於該腔室本體的上方，用於對通入該腔室本體內的該製程氣體進行電離，產生電漿和第一紫外光； 該半導體反應腔室還包括複數紫外光發生裝置，複數該紫外光發生裝置設置在該介電質視窗和該承載部件之間，且環繞在該進氣部件的週圍，各紫外光發生裝置均用於產生朝向該承載部件照射的第二紫外光。
較佳的，該半導體反應腔室還包括支撐環體，該支撐環體設置在該腔室本體與該介電質視窗之間，該支撐環體設置有貫穿其自身，並與該腔室本體內部連通的複數安裝孔，各個紫外光發生裝置對應設置於各個安裝孔內。
較佳的，該紫外光發生裝置包括罩體、發光部件和電連接件，其中，該發光部件設置在該罩體中，用於產生該第二紫外光；該電連接件與該發光部件電連接，並用於與供電裝置電連接，以將該供電裝置的電能傳導至該發光部件； 其中，該罩體包括安裝段和發光段，該安裝段設置於該安裝孔中，該發光段與該安裝段連接，且自該安裝孔伸出至該腔室本體內，並且該發光段是透明的。
較佳的，該發光段為拱形罩體。
較佳的，該罩體還包括抵接段，該抵接段與該安裝段連接，且位於該安裝孔的遠離腔室本體內部的一側，並與該支撐環體相抵，以限定該安裝段在該安裝孔中的位置，且該抵接段是不透明的。
較佳的，該抵接段與該支撐環體彼此相抵的表面之間設置有密封件，用以對該安裝孔進行密封。
較佳的，該製程腔室還包括控制單元，該控制單元與用於向複數該紫外光發生裝置供電的供電裝置電連接，用於向該供電裝置發送控制訊號，以開啟或關閉該供電裝置，以及控制該供電裝置的供電時長。
較佳的，該控制單元輸出的該控制訊號包括連續波訊號、同步脈衝訊號和非同步脈衝訊號中的任意一種或多種。
較佳的，該紫外光發生裝置的光軸與該承載部件用於承載該待加工晶片的承載面的垂直方向之間的夾角的取值範圍為大於等於20°，且小於等於70°。
較佳的，該發光部件為短波紫外光源或真空紫外光源。 本發明具有以下有益效果：
本發明提供的半導體反應腔室，在上射頻組件對通入腔室本體內的製程氣體進行電離，產生電漿和第一紫外光的基礎上，在介電質視窗和承載部件之間設置有複數紫外光發生裝置，且環繞在進氣部件的週圍，各紫外光發生裝置均用於產生朝向承載部件照射的第二紫外光。通過配合使用上述第一紫外光和第二紫外光，可以保證腔室本體的中心區域與邊緣區域之間的紫外光分佈均勻，從而可以提高晶片上的光阻罩幕的固化效果均勻性，進而可以提高待加工晶片各處的蝕刻速率均勻性，以及複數待加工晶片之間的蝕刻一致性，從而提高製程效果。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖來對本發明提供的半導體反應腔室進行詳細描述。
如圖1和圖2所示，本實施例提供一種半導體反應腔室，包括腔室本體11、介電質視窗12、進氣部件13、承載部件14、上射頻組件18和複數紫外光發生裝置15，其中，介電質視窗12設置在腔室本體11的頂部；承載部件14設置在腔室本體11內，用於承載待加工晶片20。進氣部件13設置於介電質視窗12的中心位置處，用於向腔室本體11內通入製程氣體。該進氣部件13例如為噴嘴，該噴嘴可以貫通介電質視窗12設置，且噴嘴中的進氣通道的出氣端與腔室本體11的內部相連通，進氣端用於與進氣管路（圖中未示出）相連通。但是，進氣部件13的結構並不以此為限。
上射頻組件18設置於腔室本體11的上方，用於對通入腔室本體11內的製程氣體進行電離，產生電漿和第一紫外光21；複數紫外光發生裝置15設置在介電質視窗12和承載部件14之間，且環繞在進氣部件13的週圍，各紫外光發生裝置15均用於產生朝向承載部件14照射的第二紫外光22。具體來說，如圖1所示，各紫外光發生裝置15的出射方向（即，光軸所在方向）與承載部件14用於承載待加工晶片20的承載面的垂直方向之間呈預設夾角，以保證第二紫外光22能夠朝向承載部件14照射。可選的，複數紫外光發生裝置15沿腔室本體11的周向均勻間隔分佈，以保證第二紫外光22在腔室本體11的周向上分佈的均勻性，從而可以進一步提高照射在承載部件上的第二紫外光22的分佈均勻性。
在本發明一較佳實施例中，上述預設夾角的取值範圍為大於等於20°，且小於等於70°。在該角度範圍內，可以保證第二紫外光22能夠照射在承載部件14上。如圖1所示，較佳的，上述預設夾角為45°（如圖1中角度A所示）。
本實施例提供的半導體反應腔室，在上射頻組件18對通入腔室本體11內的製程氣體進行電離，產生電漿和第一紫外光21的基礎上，在介電質視窗12和承載部件14之間設置有複數紫外光發生裝置15，且環繞在進氣部件13的週圍，各紫外光發生裝置15均用於產生朝向承載部件14照射的第二紫外光22。通過配合使用上述第一紫外光21和第二紫外光22，可以保證腔室本體11的中心區域與邊緣區域之間的紫外光分佈均勻，從而可以提高晶片20上的光阻罩幕的固化效果均勻性，進而可以提高待加工晶片各處的蝕刻速率均勻性，以及複數待加工晶片之間的蝕刻一致性，從而提高製程效果。
如圖1所示，在本發明一較佳實施例中，承載部件14可以包括基座141和卡盤142，其中，基座141固定於腔室本體11中，卡盤142設置在基座141上，並對應設置於設置在腔室本體11頂部的介電質視窗12下方，用於承載待加工晶片20。可選的，卡盤142可以包括靜電卡盤。
上射頻組件18設置在腔室本體11的上方，用於透過介電質視窗12向腔室本體11內饋入射頻能量，以在腔室本體11內產生電磁場，將腔室本體11內的製程氣體激發形成電漿和第一紫外光21。可選的，上射頻組件18可以包括感應耦合電漿線圈，以能夠在腔室本體11內的上方區域產生高頻電磁場，有助於更容易地激發腔室本體11內的製程氣體形成電漿。
下射頻組件19設置在腔室本體11的外部，並依次通過設置在腔室本體11和基座141上的開口延伸至卡盤142的底部，與卡盤142電連接，下射頻組件19用於向卡盤142加載射頻偏壓，以吸引腔室本體11內的電漿加速向卡盤142移動，使電漿對承載於卡盤142上的待加工晶片20進行轟擊，從而實現對待加工晶片20進行蝕刻製程，例如對完成罩幕製程後的待加工晶片20進行蝕刻。
具體來說，如圖1和圖2所示，在對完成罩幕製程後的待加工晶片20進行蝕刻的過程中，首先將該待加工晶片20放置在卡盤142上；然後利用進氣部件13向腔室本體11內通入製程氣體，並利用上射頻組件18透過介電質視窗12向腔室本體11內饋入射頻能量，激發腔室本體11內的製程氣體形成電漿和第一紫外光21；同時，利用複數紫外光發生裝置15朝向卡盤142照射第二紫外光22，以及利用下射頻組件19向卡盤142加載射頻偏壓，吸引腔室本體11內的電漿對卡盤142上的待加工晶片20進行轟擊。
在對完成罩幕製程後的待加工晶片20進行蝕刻的過程中，可以同時向待加工晶片20照射第一紫外光21和第二紫外光22，在這種情況下，如圖2所示，第一紫外光21能夠照射在待加工晶片20的整個表面（包括中心區域和邊緣區域），但是由於電漿主要是在腔室本體11的中心區域產生，這使得第一紫外光21是從中心區域向四周擴散，若單獨使用第一紫外光21照射，則會導致腔室本體11的中心區域與邊緣區域之間的紫外光分佈不均勻，從而造成照射在待加工晶片20的中心區域和邊緣區域上的紫外光強度存在差異，進而造成晶片上的光阻罩幕的固化效果不均勻，為此，借助上述第二紫外光22，可以增加照射在待加工晶片20的邊緣區域上的紫外光強度，從而可以補償照射在待加工晶片20的中心區域和邊緣區域上的紫外光強度差異，進而可以提高晶片上的光阻罩幕的固化效果均勻性，進而可以提高待加工晶片各處的蝕刻速率均勻性，以及複數待加工晶片之間的蝕刻一致性，從而提高製程效果。圖2中的箭頭示出了第一紫外光21和第二紫外光22朝向待加工晶片20照射的效果，由圖2可知，在同時向待加工晶片20照射第一紫外光21和第二紫外光22時，可以均勻地將紫外光照射在待加工晶片20的整個表面上。
當然，在實際應用中，根據實際需要，也可以不同時照射第一紫外光21和第二紫外光22，具體地，可以先照射第一紫外光21，後照射第二紫外光22；或者，也可以先照射第二紫外光22，後照射第一紫外光21，這與單獨使用第一紫外光21相比，同樣可以起到提高晶片上的光阻罩幕的固化效果均勻性的效果。
需要說明的是，通過調整各紫外光發生裝置15的出射方向（即，光軸所在方向），改變其與承載部件14用於承載待加工晶片20的承載面的垂直方向之間的預設夾角，可以調節第二紫外光22分別照射在待加工晶片20的中心區域和邊緣區域上的強度比例，以滿足不同的製程需要。具體來說，若增大上述預設夾角，則可以增加照射在待加工晶片20的中心區域上的紫外光強度，同時減少照射在待加工晶片20的邊緣區域上的紫外光強度；反之，若減小上述預設夾角，則可以增加照射在待加工晶片20的邊緣區域上的紫外光強度，同時相對減少照射在待加工晶片20的中心區域上的紫外光強度。
由於上述蝕刻製程用於僅蝕刻待加工晶片20上未被光阻罩幕覆蓋的部分，以實現將罩幕圖案複製在晶片上，但是，在實際應用中，電漿不可避免地會對光阻罩幕進行蝕刻，導致待加工晶片20上不同位置處的光阻罩幕的厚度可能出現差異，這種差異會導致待加工晶片20上不同位置處的蝕刻速率不同，從而影響蝕刻均勻性。在對複數待加工晶片20進行蝕刻時，由於不同的待加工晶片20上的光阻罩幕被蝕刻的位置和程度不同，這會導致不同的待加工晶片20上形成的圖案不同，從而造成複數待加工晶片20之間的蝕刻不一致。
為瞭解決上述問題，在本實施例中，在對完成罩幕製程後的待加工晶片20進行蝕刻的過程中，在利用上射頻組件產生電漿和第一紫外光21的基礎上，利用複數紫外光發生裝置15向待加工晶片20照射第二紫外光22，可以增強對待加工晶片20上的光阻罩幕的固化作用，這相對於單獨使用第一紫外光21，可以進一步提高待加工晶片20上的光阻罩幕的固化效果，使待加工晶片20上的光阻罩幕更不容易被電漿蝕刻，從而可以實現僅蝕刻待加工晶片20上未被光阻罩幕覆蓋的部分，進而提高待加工晶片各處的蝕刻速率均勻性，以及複數待加工晶片之間的蝕刻一致性，從而提高製程效果。
可選的，紫外光發生裝置15的數量可以是4個至20個。
較佳的，紫外光發生裝置15的數量可以是8個。
在本發明一較佳實施例中，如圖1所示，半導體反應腔室還可以包括支撐環體16，該支撐環體16設置在腔室本體11與介電質視窗12之間，支撐環體16設置有貫穿其自身，並與腔室本體11內部連通的複數安裝孔，支撐環體16上的安裝孔的數量可以與紫外光發生裝置15的數量相同，且各個紫外光發生裝置15對應設置於各個安裝孔內。由紫外光發生裝置15產生的第二紫外光22可以通過上述安裝孔照射進腔室本體11，並到達晶片表面。但是，在實際應用中，支撐環體16以及設置在其上的安裝孔的設置方式並不以此為限。
通過在腔室本體11和介電質視窗12之間設置支撐環體16，便於對腔室本體11、介電質視窗12和複數紫外光發生裝置15進行拆裝，從而便於對複數紫外光發生裝置15進行維護以及更換。
需要說明的是，上述安裝孔的軸線與介電質視窗12的下表面之間呈預設夾角，該預設夾角等於各紫外光發生裝置15的出射方向與介電質視窗12的下表面之間的預設夾角。
在本發明一較佳實施例中，如圖3所示，紫外光發生裝置15可以包括罩體、發光部件152和電連接件153，其中，發光部件152設置在罩體中，用於產生第二紫外光22。在本發明一較佳實施例中，發光部件152可以為短波紫外光源或真空紫外光源。具體的，短波紫外光源會發出短波紫外光，短波紫外光是指波長為100nm至280nm的紫外光，真空紫外光源會發出真空紫外光，真空紫外光是指波長為100nm至200nm的紫外光。
電連接件153與發光部件152電連接，並用於與供電裝置（圖中未示出）電連接，以將供電裝置的電能傳導至發光部件152。可選的，電連接件153可以包括導電線。
具體地，上述罩體包括安裝段1511和發光段1512，該安裝段1511設置於上述安裝孔中，發光段1512與安裝段1511連接，且自該安裝孔伸出至腔室本體11內，並且發光段1512是透明的。可選的，發光段1512的製作材料可以包括透明石英。
當供電裝置開啟時，供電裝置提供的電能通過電連接件153傳導至發光部件152，使發光部件152能夠產生第二紫外光22，第二紫外光22能夠透過罩體的發光段1512出射，即，穿透發光段1512照射至腔室本體11內。
但是，在實際應用中，紫外光發生裝置15並不侷限於通過電連接件153與供電裝置電連接來實現向發光部件152供電，該紫外光發生裝置15也可以為能夠直接產生第二紫外光22的裝置，例如，紫外光發生裝置15還可以為電漿發生器或微波無極紫外光裝置，與上射頻組件18激發製程氣體產生電漿類似的，該電漿發生器是用於激發氣體產生電漿的裝置，且在激發氣體產生電漿時，也會產生紫外光，該紫外光同樣可以作為上述第二紫外光22使用。微波無極紫外光裝置可以包括真空石英管和能夠產生高能微波場的微波源，真空石英管內既沒有燈絲也沒有電極，而是充入發光物質和稀薄的啟動氣體，微波無極紫外光裝置通過微波源產生的高能微波場能夠使稀薄的啟輝氣體電離產生紫外光，該紫外光同樣可以作為第二紫外光22使用。
如圖3所示，在本發明一較佳實施例中，罩體還可以包括抵接段1513，該抵接段1513與上述安裝段1511連接，且位於安裝孔的遠離腔室本體11內部的一側，並與上述支撐環體16相抵。抵接段1513用於限定安裝段1511在安裝孔中的位置，且抵接段1513是不透明的，以避免腔室本體11外的光線透過抵接段1513進入罩體，進而照射至腔室本體11內，對半導體製程造成干擾，從而提高製程效果。
可選的，發光段1512與抵接段1513可以採用相同的材料製作，例如，二者均採用透明石英製作，並對抵接段1513進行磨砂製程處理，以使透明的石英變得不透明，當然，抵接段1513的製作材料也可以包括不透明材料。
在本發明一較佳實施例中，發光段1512為拱形罩體，例如為半球形罩體，這種形狀的罩體有助於紫外光的散射，從而可以提高第二紫外光22在腔室本體11內的照射面積，有利於進一步提高紫外光在腔室本體11內的分佈均勻性。
在本發明一較佳實施例中，如圖3所示，抵接段1513與支撐環體16彼此相抵的表面之間設置有密封件17，用以對上述安裝孔進行密封。該密封件17例如可以為環形密封圈。可選的，上述抵接段1513的外周壁上設置有相對於安裝段1511的外周壁凸出的環形凸部154，該環形凸部154的靠近腔室本體11內部的端面與支撐環體16的與該端面相對的表面相抵，上述密封件17設置在環形凸部154的端面與支撐環體16的與該端面相對的表面之間。借助密封件17，一方面可以避免腔室本體11外的氣體進入腔室本體11內，並與腔室本體11內的製程氣體混合，或者對腔室本體11內的製程壓力造成影響，從而避免對半導體製程造成干擾，另一方面可以避免腔室本體11內的氣體洩漏至腔室本體11外，污染環境或造成安全隱患。
需要說明的是，支撐環體16與環形凸部154的端面相對的表面為斜面，該斜面與上述安裝孔的軸線相互垂直，以在環形凸部154與斜面相抵時，安裝段1511的軸線能夠與安裝孔的軸線平行，從而可以保證安裝段1511能夠順利插入安裝孔內。
在本發明一較佳實施例中，製程腔室還可以包括控制單元（圖中未示出），該控制單元與用於向複數紫外光發生裝置15供電的供電裝置電連接，用於向該供電裝置發送控制訊號，以開啟或關閉供電裝置，以及控制供電裝置的供電時長，從而可以根據半導體製程實際情況，對各紫外光發生裝置15的紫外光照射時段和照射時長進行控制，進而可以實現對複數紫外光發生裝置15控制的自動化，提高控制靈活性。
例如，可以根據上射頻組件18或下射頻組件19的工況對複數紫外光發生裝置15的紫外光照射時段和照射時長進行控制，具體的，例如，控制單元可以在利用上射頻組件18產生第一紫外光21時，控制複數紫外光發生裝置15同步產生第二紫外光22。又如，控制單元也可以在上射頻組件18產生第一紫外光21之後或之前，再控制複數紫外光發生裝置15產生第二紫外光22。再如，控制單元還可以在下射頻組件19向卡盤142加載射頻偏壓時，控制複數紫外光發生裝置15同步產生第二紫外光22。
可選的，控制單元輸出的上述控制訊號包括連續波訊號、同步脈衝訊號和非同步脈衝訊號中的任意一種或多種。
具體的，當控制單元輸出的上述控制訊號為連續波訊號時，控制單元可以控制紫外光發生裝置15持續地產生第二紫外光22。
當控制單元輸出的上述控制訊號為同步脈衝訊號時，控制單元可以在利用上射頻組件18形成電漿和第一紫外光21，及/或利用下射頻組件19向卡盤142加載射頻偏壓時，控制紫外光發生裝置15同步產生第二紫外光22，即，利用同步脈衝訊號，實現紫外光發生裝置15的開啟或關閉與上射頻組件18及/或下射頻組件19的開啟或關閉同步執行，且紫外光發生裝置15開啟時，上射頻組件18及/或下射頻組件19開啟；紫外光發生裝置15關閉時，上射頻組件18及/或下射頻組件19關閉。
當控制單元輸出的上述控制訊號為非同步脈衝控制訊號時，控制單元可以在利用上射頻組件18形成電漿和第一紫外光21，及/或利用下射頻組件19向卡盤142加載射頻偏壓時，控制紫外光發生裝置15同步停止產生第二紫外光22，即，利用非同步脈衝訊號，實現紫外光發生裝置15的開啟或關閉與上射頻組件18及/或下射頻組件19的關閉或開啟同步執行，且紫外光發生裝置15開啟時，上射頻組件18及/或下射頻組件19關閉；紫外光發生裝置15關閉時，上射頻組件18及/或下射頻組件19開啟。
綜上所述，本發明實施例提供的半導體反應腔室，在上射頻組件對通入腔室本體內的製程氣體進行電離，產生電漿和第一紫外光的基礎上，在介電質視窗和承載部件之間設置有複數紫外光發生裝置，且環繞在進氣部件的週圍，各紫外光發生裝置均用於產生朝向承載部件照射的第二紫外光。通過配合使用上述第一紫外光和第二紫外光，可以保證腔室本體的中心區域與邊緣區域之間的紫外光分佈均勻，從而可以提高晶片上的光阻罩幕的固化效果均勻性，進而可以提高待加工晶片各處的蝕刻速率均勻性，以及複數待加工晶片之間的蝕刻一致性，從而提高製程效果。
可以解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的範例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
11:腔室本體 12:介電質視窗 13:進氣部件 14:承載部件 141:基座 142:卡盤 15:紫外光發生裝置 152:發光部件 153:電連接件 154:環形凸部 1511:安裝段 1512:發光段 1513:抵接段 16:支撐環體 17:密封件 18:上射頻組件 19:下射頻組件 20:待加工晶片 21:第一紫外光 22:第二紫外光 A:角度
圖1為本發明實施例提供的半導體反應腔室的結構示意圖；
圖2為本發明實施例提供的半導體反應腔室中第一紫外光和第二紫外光朝向待加工晶片照射的示意圖；
圖3為本發明實施例提供的半導體反應腔室中紫外光發生裝置設置在支撐環體中的結構示意圖。
11:腔室本體
12:介電質視窗
13:進氣部件
14:承載部件
141:基座
142:卡盤
15:紫外光發生裝置
16:支撐環體
18:上射頻組件
19:下射頻組件
20:待加工晶片
21:第一紫外光
22:第二紫外光
A:角度

Claims (10)

  1. 一種半導體反應腔室，包括一腔室本體、一介電質視窗、一進氣部件、一承載部件和一上射頻組件，其中，該介電質視窗設置在該腔室本體的頂部；該承載部件設置在該腔室本體內，用於承載一待加工晶片；該進氣部件設置於該介電質視窗的中心位置處，用於向該腔室本體內通入一製程氣體；該上射頻組件設置於該腔室本體的上方，用於對通入該腔室本體內的該製程氣體進行電離，產生一電漿和一第一紫外光； 其特徵在於，該半導體反應腔室還包括複數紫外光發生裝置，複數該紫外光發生裝置設置在該介電質視窗和該承載部件之間，且環繞在該進氣部件的週圍，各該紫外光發生裝置均用於產生朝向該承載部件照射的一第二紫外光。
  2. 如請求項1所述的半導體反應腔室，其特徵在於，該半導體反應腔室還包括一支撐環體，該支撐環體設置在該腔室本體與該介電質視窗之間，該支撐環體設置有貫穿其自身，並與該腔室本體內部連通的複數安裝孔，各個該紫外光發生裝置對應設置於各個該安裝孔內。
  3. 如請求項2所述的半導體反應腔室，其特徵在於，該紫外光發生裝置包括一罩體、一發光部件和一電連接件，其中，該發光部件設置在該罩體中，用於產生該第二紫外光；該電連接件與該發光部件電連接，並用於與一供電裝置電連接，以將該供電裝置的電能傳導至該發光部件； 其中，該罩體包括一安裝段和一發光段，該安裝段設置於該安裝孔中，該發光段與該安裝段連接，且自該安裝孔伸出至該腔室本體內， 並且該發光段是透明的。
  4. 如請求項3所述的半導體反應腔室，其特徵在於，該發光段為一拱形罩體。
  5. 如請求項3所述的半導體反應腔室，其特徵在於，該罩體還包括一抵接段，該抵接段與該安裝段連接，且位於該安裝孔的遠離腔室本體內部的一側，並與該支撐環體相抵，以限定該安裝段在該安裝孔中的位置，且該抵接段是不透明的。
  6. 如請求項5所述的半導體反應腔室，其特徵在於，該抵接段與該支撐環體彼此相抵的表面之間設置有一密封件，用以對該安裝孔進行密封。
  7. 如請求項1所述的半導體反應腔室，其特徵在於，該半導體反應腔室還包括一控制單元，該控制單元與用於向複數該紫外光發生裝置供電的一供電裝置電連接，用於向該供電裝置發送控制訊號，以開啟或關閉該供電裝置，以及控制該供電裝置的供電時長。
  8. 如請求項7所述的半導體反應腔室，其特徵在於，該控制單元輸出的該控制訊號包括一連續波訊號、一同步脈衝訊號和一非同步脈衝訊號中的任意一種或多種。
  9. 如請求項1所述的半導體反應腔室，其特徵在於，該紫外光發生裝置的光軸與該承載部件用於承載該待加工晶片的承載面的垂直方向之間的夾角的取值範圍為大於等於20°，且小於等於70°。
  10. 如請求項3所述的半導體反應腔室，其特徵在於，該發光部件為一短波紫外光源或一真空紫外光源。
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