CN112151364A - 半导体反应腔室 - Google Patents

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韦刚
王伟
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Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种半导体反应腔室，包括腔室本体、进气部件、承载部件、上射频组件、多个紫外光发生装置和设置在腔室本体顶部的介质窗，承载部件设置在腔室本体内，并对应设置于介质窗下方；进气部件贯穿于介质窗中心；上射频组件设置于腔室本体的上方，用于对通入腔室本体内的工艺气体进行电离，生成等离子体和第一紫外光；多个紫外光发生装置设置在介质窗和承载部件之间，并环绕在进气部件的周围，且沿腔室本体的周向均匀间隔分布；紫外光发生装置与介质窗之间具有预设夹角，用于产生朝向承载部件照射的第二紫外光。本发明提供的半导体反应腔室能够提高单一待加工晶片刻蚀速率的均匀性，并提高多个待加工晶片之间的刻蚀一致性，从而提高工艺效果。

Description

半导体反应腔室
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体反应腔室。
背景技术
感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，简称ICP)刻蚀工艺，是利用等离子体对晶片进行轰击，以对晶片进行刻蚀的工艺，其能够对完成掩膜工艺后的晶片进行刻蚀，即，能够对晶片上的光刻胶已经经过曝光形成有掩膜图案的晶片进行刻蚀，在对完成掩膜工艺后的晶片进行刻蚀的过程中，等离子体会对晶片进行轰击，晶片上未被光刻胶掩膜保护的区域会被等离子体刻蚀，以实现对晶片的刻蚀。
现有的感应耦合等离子体刻蚀工艺设备，通常包括腔室本体、介质窗、喷嘴、承载部件和上射频组件，其中，介质窗设置在腔室本体的顶部，喷嘴设置在介质窗的中心，用于向腔室本体内通入工艺气体，承载部件设置在腔室本体内，并位于介质窗的下方，用于承载晶片，上射频组件设置在腔室本体外，并位于介质窗的上方，其能够透过介质窗向腔室本体内馈入射频，以激发腔室本体内的工艺气体形成等离子体，这些等离子体就能够对承载部件上的晶片进行轰击。
工艺气体在被激发形成等离子体时，还会产生紫外光，在对完成掩膜工艺后的晶片进行刻蚀的过程中，这些紫外光对光刻胶掩膜具有固化作用，使光刻胶掩膜更不容易被刻蚀，但是，由于喷嘴位于介质窗的中心，因此，腔室本体中的紫外光会由喷嘴所在的中心区域向四周扩散，导致紫外光照射在晶片表面各处的强度不均匀，使得晶片上光刻胶掩膜的固化效果不均匀，从而导致单一晶片的刻蚀速率不均匀，且多个晶片之间的刻蚀一致性较差，进而导致工艺效果较差。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体反应腔室，其能够提高单一待加工晶片刻蚀速率的均匀性，并提高多个待加工晶片之间的刻蚀一致性，从而提高工艺效果。
为实现本发明的目的而提供一种半导体反应腔室，包括腔室本体、介质窗、进气部件、承载部件和上射频组件，所述介质窗设置在所述腔室本体的顶部；所述承载部件设置在所述腔室本体内，并对应设置于所述介质窗下方，所述承载部件用于承载待加工晶片；所述进气部件贯穿于所述介质窗中心，用于向所述腔室本体内通入工艺气体；所述上射频组件设置于所述腔室本体的上方，用于对通入所述腔室本体内的所述工艺气体进行电离，生成等离子体和第一紫外光；
所述工艺腔室还包括多个紫外光发生装置，多个所述紫外光发生装置设置在所述介质窗和所述承载部件之间；
所述紫外光发生装置与所述介质窗之间具有预设夹角；
多个所述紫外光发生装置环绕在所述进气部件的周围，且沿所述腔室本体的周向均匀间隔分布，各所述紫外光发生装置均用于产生朝向所述承载部件照射的第二紫外光。
优选的，所述半导体反应腔室还包括支撑环体，所述支撑环体设置在所述腔室本体与所述介质窗之间，所述支撑环体设置有贯穿其自身，并与所述腔室本体内部连通的多个安装孔，所述紫外光发生装置设置于所述安装孔内。
优选的，所述紫外光发生装置包括罩体、发光部件和电连接件，所述发光部件设置在所述罩体中，用于产生所述第二紫外光，所述电连接件与所述发光部件连接，并用于与供电装置连接，以向所述发光部件导电；
其中，所述罩体包括安装段和发光段，所述安装段设置于所述安装孔中，所述发光段位于所述腔室本体内，且所述发光段为透明。
优选的，所述发光段的端部表面呈球面。
优选的，所述罩体还包括抵接段，所述抵接段位于所述腔室本体的外侧，且所述抵接段不透明。
优选的，所述抵接段与所述安装孔之间设置有密封件，所述密封件包括环形密封圈，所述抵接段的外周壁上设置有环形凸部，所述环形凸部能够与所述安装孔的位于所述腔室本体外的一侧端面相抵，所述环形密封圈设置在所述环形凸部与所述安装孔的位于所述腔室本体外的一侧端面之间。
优选的，所述工艺腔室还包括控制单元，所述控制单元与多个所述紫外光发生装置电连接，用于对各所述紫外光发生装置产生所述第二紫外光的时间进行控制。
优选的，所述控制单元对所述紫外光发生装置产生所述第二紫外光的时间进行控制的方式包括连续波控制、同步脉冲控制和异步脉冲控制中的任意一种或多种。
优选的，所述紫外光发生装置的光轴与所述承载部件用于承载所述待加工晶片的承载面水平方向之间的夹角的取值范围为20°-70°。
优选的，所述发光部件为短波紫外光源或真空紫外光源。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的半导体反应腔室，通过在介质窗和承载部件之间设置与介质窗之间具有预设角度的多个紫外光发生装置，并使多个紫外光发生装置环绕在进气部件的周围，且沿腔室本体的周向均匀间隔分布，以能够借助用于产生第二紫外光的各紫外光发生装置，朝向承载部件照射第二紫外光，并使照射向承载部件的第二紫外光能够在承载部件上均匀分布，通过各紫外光发生装置照射向承载部件，并在承载部件上均匀分布的第二紫外光与上射频组件电离工艺气体生成的第一紫外光配合，以提高半导体工艺过程中朝向承载于承载部件上的待加工晶片照射的紫外光的强度，并使照射向待加工晶片的紫外光能够在待加工晶片上均匀分布，以在对完成掩膜工艺后的待加工晶片进行刻蚀时，可以提高待加工晶片上的光刻胶掩膜的固化效果，并提高光刻胶掩膜固化效果的均匀性，从而能够提高单一待加工晶片刻蚀速率的均匀性，并提高多个待加工晶片之间的刻蚀一致性，以提高工艺效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的半导体反应腔室的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的半导体反应腔室中第一紫外光和第二紫外光朝向待加工晶片照射的示意图；
图3为本发明实施例提供的半导体反应腔室中紫外光发生装置设置在支撑环体中的结构示意图；
附图标记说明：
11-腔室本体；12-介质窗；13-进气部件；14-承载部件；141-基座；142-卡盘；15-紫外光发生装置；1511-安装段；1512-发光段；1513-抵接段；152-发光部件；153-电连接件；154-环形凸部；16-支撑环体；17-环形密封圈；18-上射频组件；19-下射频组件；20-待加工晶片；21-第一紫外光；22-第二紫外光。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体反应腔室进行详细描述。
如图1和图2所示，本实施例提供一种半导体反应腔室，包括腔室本体11、介质窗12、进气部件13、承载部件14、上射频组件18和多个紫外光发生装置15，其中，介质窗12设置在腔室本体11的顶部，承载部件14设置在腔室本体11内，并对应设置于介质窗12下方，承载部件14用于承载待加工晶片20，进气部件13贯穿于介质窗12中心，用于向腔室本体11内通入工艺气体，上射频组件18设置于腔室本体11的上方，用于对通入腔室本体11内的工艺气体进行电离，生成等离子体和第一紫外光21，多个紫外光发生装置15设置在介质窗12和承载部件14之间，紫外光发生装置15与介质窗12之间具有预设夹角，多个紫外光发生装置15环绕在进气部件13的周围，且沿腔室本体11的周向均匀间隔分布，各紫外光发生装置15均用于产生朝向承载部件14照射的第二紫外光22。
本实施例提供的半导体反应腔室，通过在介质窗12和承载部件14之间设置与介质窗12之间具有预设角度的多个紫外光发生装置15，并使多个紫外光发生装置15环绕在进气部件13的周围，且沿腔室本体11的周向均匀间隔分布，以能够借助用于产生第二紫外光22的各紫外光发生装置15，朝向承载部件14照射第二紫外光22，并使照射向承载部件14的第二紫外光22能够在承载部件14上均匀分布，通过各紫外光发生装置15照射向承载部件14，并在承载部件14上均匀分布的第二紫外光22与上射频组件18电离工艺气体生成的第一紫外光21配合，以提高半导体工艺过程中朝向承载于承载部件14上的待加工晶片20照射的紫外光的强度，并使照射向待加工晶片20的紫外光能够在待加工晶片20上均匀分布，以在对完成掩膜工艺后的待加工晶片20进行刻蚀时，可以提高待加工晶片20上的光刻胶掩膜的固化效果，并提高光刻胶掩膜固化效果的均匀性，从而能够提高单一待加工晶片20刻蚀速率的均匀性，并提高多个待加工晶片20之间的刻蚀一致性，以提高工艺效果。
如图1所示，在本发明一优选实施例中，承载部件14可以包括基座141和卡盘142，工艺腔室外可以设置有上射频组件18和下射频组件19，其中，基座141固定于腔室本体11中，卡盘142设置在基座141上，并对应设置于设置在腔室本体11顶部的介质窗12下方，用于承载待加工晶片20，上射频组件18设置在腔室本体11的上方，上射频组件18用于透过介质窗12向腔室本体11内馈入射频，以在腔室本体11内的上方区域产生电磁场，将贯穿于介质窗12中心的进气部件13通入至腔室本体11内的工艺气体激发形成等离子体和第一紫外光21，下射频组件19设置在腔室本体11外，并贯穿基座141与卡盘142连接，下射频组件19用于向基座141和卡盘142加载射频偏压，以吸引腔室本体11内由上射频组件18激发工艺气体形成的等离子体加速向卡盘142运动，使等离子体对承载于卡盘142上的待加工晶片20进行轰击。
如图1和图2所示，在对完成掩膜工艺后的待加工晶片20进行刻蚀的过程中，待加工晶片20放置在卡盘142上，进气部件13向腔室本体11内通入工艺气体，上射频组件18透过介质窗12向腔室本体11内馈入射频，激发腔室本体11内的工艺气体形成等离子体和第一紫外光21，下射频组件19向基座141和卡盘142加载射频偏压，吸引腔室本体11内由上射频组件18激发工艺气体形成的等离子体对卡盘142上的待加工晶片20进行轰击，多个紫外光发生装置15产生朝向卡盘142照射的第二紫外光22，并且，由于多个紫外光发生装置15环绕在进气部件13的周围，且沿腔室本体11的周向均匀间隔分布，使得多个紫外光发生装置15朝向卡盘142照射的第二紫外光22，能够在承载部件上均匀分布，以使向承载于卡盘142上的待加工晶片20照射的第二紫外光22在待加工晶片20上均匀分布。
本实施例提供的半导体反应腔室，在对完成掩膜工艺后的待加工晶片20进行刻蚀的过程中，可以同时向承载于卡盘142上的待加工晶片20照射第一紫外光21和能够均匀分布在待加工晶片20上的第二紫外光22，也可以不同时向承载于卡盘142上的待加工晶片20照射第一紫外光21和能够均匀分布在待加工晶片20上的第二紫外光22，这两种方式与仅向承载于卡盘142上的待加工晶片20照射第一紫外光21相比，通过各紫外光发生装置15向待加工晶片20照射能够均匀分布在待加工晶片20上的第二紫外光22，与上射频组件18激发工艺气体形成的第一紫外光21配合，以提高半导体工艺过程中朝向承载于承载部件14上的待加工晶片20照射的紫外光的强度，并使照射向待加工晶片20的紫外光能够在待加工晶片20上均匀分布。
由于待加工晶片20已经完成了掩膜工艺，因此，待加工晶片20上会覆盖有经过曝光后留下的光刻胶掩膜图案，光刻胶掩膜可以对待加工晶片20进行保护，避免等离子体对其所覆盖的待加工晶片20区域进行刻蚀，即，在实际应用中，期望的是等离子体仅对待加工晶片20上未覆盖有光刻胶掩膜的区域进行刻蚀。但是，在实际应用中，等离子体不可避免的会对光刻胶掩膜进行刻蚀，导致对单一的待加工晶片20进行刻蚀时，待加工晶片20上各处的刻蚀速率不同，且对多个待加工晶片20进行刻蚀时，由于各待加工晶片20上被刻蚀的光刻胶掩膜的位置不同，导致在刻蚀后各待加工晶片20上所形成的图案不同，造成多个待加工晶片20之间的刻蚀不一致。
而在本实施例中，在对完成掩膜工艺后的待加工晶片20进行刻蚀的过程中，由于多个紫外光发生装置15照射向待加工晶片20的第二紫外光22，以及上射频组件18激发工艺气体形成等离子体时所产生的第一紫外光21都会对待加工晶片20上的光刻胶掩膜具有固化作用，图1和图2中的箭头表示第一紫外光21和第二紫外光22朝向待加工晶片20照射的效果，因此，可以提高待加工晶片20上的光刻胶掩膜的固化效果，使待加工晶片20上的光刻胶掩膜更不容易被等离子体刻蚀，且由于多个紫外光发生装置15环绕在进气部件13的周围，并沿腔室本体11的周向均匀间隔分布，使得照射向待加工晶片20的第二紫外光22能够在待加工晶片20上均匀分布，以提高待加工晶片20上的光刻胶掩膜的固化效果均匀性，这样既可以提高单一待加工晶片20上的光刻胶掩膜的固化效果的均匀性，又可以提高多个待加工晶片20上的光刻胶掩膜的固化效果的一致性，从而使得等离子体对单一待加工晶片20的刻蚀速率能够得到提高，并使得等离子体对多个待加工晶片20之间的刻蚀一致性能够得到提高，进而使得工艺效果能够得到提高。
可选的，卡盘142可以包括静电卡盘。
可选的，紫外光发生装置15的数量可以是4个-20个。
优选的，紫外光发生装置15的数量可以是8个。
可选的，上射频组件18可以包括感应耦合等离子体线圈，以能够在腔室本体11内的上方区域产生高频电磁场，更容易的激发腔室本体11内的工艺气体形成等离子体。
如图1所示，在本发明一优选实施例中，进气部件13可以包括一个喷嘴，且该喷嘴位于介质窗12的中心。但是，进气部件13并不以此为限。
如图1所示，在本发明一优选实施例中，半导体反应腔室可以还包括支撑环体16，支撑环体16设置在腔室本体11与介质窗12之间，支撑环体16设置有贯穿其自身，并与腔室本体11内部连通的多个安装孔，紫外光发生装置15设置于安装孔内。
通过在腔室本体11和介质窗12之间设置支撑环体16，并将多个紫外光发生装置15设置在支撑环体16上，以便于对腔室本体11、介质窗12和多个紫外光发生装置15进行拆装，从而便于对腔室本体11、介质窗12和多个紫外光发生装置15进行维护以及更换。通过将紫外光发生装置15设置于安装孔内，由于各安装孔均贯穿支撑环体16，并与腔室本体11内部连通，因此，设置在安装孔内的紫外光发生装置15可以使其产生的第二紫外光22照射进腔室本体11内。
可选的，支撑环体16可以与腔室本体11同轴设置，即，支撑环体16的轴线与腔室本体11的轴线共线，支撑环体16上的安装孔的数量可以与紫外光发生装置15的数量相同，多个安装孔可以沿支撑环体16的周向均匀间隔分布，各紫外光发生装置15一一对应的设置于各安装孔内，这样的设计可以使多个紫外光发生装置15沿腔室本体11的周向均匀间隔分布。但是，在实际应用中，支撑环体16以及设置在其上的安装孔的设置方式并不以此为限。
如图3所示，在本发明一优选实施例中，紫外光发生装置15可以包括罩体、发光部件152和电连接件153，发光部件152设置在罩体中，用于产生第二紫外光22，电连接件153与发光部件152连接，并用于与供电装置(图中未示出)连接，以向发光部件152导电，其中，罩体包括安装段1511和发光段1512，安装段1511设置于安装孔中，发光段1512位于腔室本体11内，且发光段1512为透明。
具体的，罩体包括安装段1511和发光段1512，其中安装段1511设置于安装孔中，发光段1512位于腔室本体内，发光部件152设置在罩体中，电连接件153与发光部件152连接，以实现紫外光发生装置15设置于安装孔内，电连接件153还用于与供电装置连接，供电装置提供的电能通过电连接件153传导至发光部件152，使发光部件152能够产生第二紫外光22，通过将罩体的发光段1512设计为透明，以使发光部件152产生的第二紫外光22能够穿透罩体的发光段1512照射至腔室本体11内，以使发光部件152产生的第二紫外光22能够照射向腔室本体11内的承载部件14。
可选的，电连接件153可以包括导电线。
可选的，发光段1512的制作材料可以包括透明石英。
但是，在实际应用中，紫外光发生装置15并不限于通过电连接件153向发光部件152导电，使发光部件152直接产生第二紫外光22的装置，例如，紫外光发生装置15还可以为等离子体发生器或微波无极紫外光装置，等离子体发生器是用于激发气体产生等离子体的装置，且在激发气体产生等离子体时，与上射频组件18激发工艺气体产生等离子体类似的，也会同时产生紫外光，该紫外光同样可以作为第二紫外光22使用，因此，紫外光发生装置15也可以为等离子体发生器，微波无极紫外光装置可以包括真空石英管和能够产生高能微波场的微波源，真空石英管内既没有灯丝也没有电极，而是充入发光物质和稀薄的起辉气体，微波无极紫外光装置通过微波源产生的高能微波场能够使稀薄的起辉气体电离产生紫外光，该紫外光同样可以作为第二紫外光22使用，因此，紫外光发生装置15也可以为微波无极紫外光装置。
如图3所示，在本发明一优选实施例中，罩体可以还包括抵接段1513，抵接段1513位于腔室本体11的外侧，且抵接段1513不透明，以避免腔室本体11外的光线透过抵接段1513进入罩体，而照射至腔室本体11内，对半导体工艺造成干扰，从而提高工艺效果。
可选的，当发光段1512的制作材料包括透明石英时，抵接段1513的制作材料也可以包括透明石英，并对抵接段1513进行磨砂工艺处理，以使透明的石英变得不透明，当然，抵接段1513的制作材料也可以包括不透明材料。
在本发明一优选实施例中，发光段1512的端部表面可以呈弧面。这样可以使发光部件152产生的第二紫外光22在穿透发光段1512后散射扩大，从而提高第二紫外光22在腔室本体11内的照射面积，并提高第二紫外光22在腔室本体11内的照射均匀性。
如图3所示，在本发明一优选实施例中，发光段1512的端部表面可以呈球面，以能够进一步提高第二紫外光22在腔室本体11内的照射面积，并进一步提高第二紫外光22在腔室本体11内的照射均匀性。
如图3所示，在本发明一优选实施例中，抵接段1513与安装孔之间可以设置有密封件，密封件可以包括环形密封圈17，抵接段1513的外周壁上设置有环形凸部154，环形凸部154能够与安装孔的位于腔室本体11外的一侧端面相抵，环形密封圈17设置在环形凸部154与安装孔的位于腔室本体11外的一侧端面之间。
借助密封件对抵接部与安装孔之间的间隙进行密封，一方面可以避免腔室本体11外的气体进入腔室本体11内，与腔室本体11内的工艺气体混合，或者对腔室本体11内的工艺压力造成影响，从而避免对半导体工艺造成干扰，另一方面可以避免腔室本体11内的气体泄漏至腔室本体11外，污染环境或造成安全隐患，或者对腔室本体11内的工艺压力造成影响，从而避免对半导体工艺造成干扰。
具体的，抵接段1513的外周壁上可以设置有环形凸部154，密封件可以包括环形密封圈17，环形凸部154与安装孔的位于腔室本体11外的一侧端面相抵，以将环形密封圈17夹紧在环形凸部154与安装孔的位于腔室本体11外的一侧端面之间，从而借助环形密封圈17对抵接部与安装孔之间的间隙进行密封。
在本发明一优选实施例中，工艺腔室还可以包括控制单元，控制单元(图中未示出)与多个紫外光发生装置15电连接，用于对各紫外光发生装置15产生第二紫外光22的时间进行控制。通过控制单元对多个紫外光发生装置15产生第二紫外光22的时间进行控制，以能够根据半导体工艺实际情况，控制多个紫外光发生装置15在半导体工艺过程中产生第二紫外光22的时刻及时长，从而可以灵活的对多个紫外光发生装置15进行控制。
可选的，例如可以根据上射频组件18或下射频组件19的工况对多个紫外光发生装置15进行控制，具体的，例如控制单元可以是在上射频组件18透过介质窗12向腔室本体11内馈入射频，激发腔室本体11内的工艺气体形成等离子体和第一紫外光21时，控制多个紫外光发生装置15同时产生第二紫外光22，以借助紫外光发生装置15产生的第二紫外光22，与激发工艺气体形成等离子体产生的第一紫外光21同时向承载部件14上的待加工晶片20照射紫外光，使待加工晶片20上的光刻胶掩膜固化。
控制单元也可以是在上射频组件18透过介质窗12向腔室本体11内馈入射频，激发腔室本体11内的工艺气体形成等离子体和第一紫外光21之后，控制多个紫外光发生装置15同时产生第二紫外光22，以单独借助紫外光发生装置15产生的第二紫外光22向承载部件14上的待加工晶片20照射紫外光，使待加工晶片20上的光刻胶掩膜固化。
控制单元还可以是在下射频组件19向基座141和卡盘142加载射频偏压，吸引腔室本体11内的等离子体对卡盘142上的待加工晶片20进行轰击时，控制多个紫外光发生装置15同时产生第二紫外光22，以在等离子体对待加工晶片20进行轰击，以对待加工晶片20进行刻蚀时，借助紫外光发生装置15产生的第二紫外光22，向承载部件14上的待加工晶片20照射紫外光，使待加工晶片20上的光刻胶掩膜固化。
可选的，控制单元对紫外光发生装置15产生第二紫外光22的时间进行控制的方式包括连续波控制、同步脉冲控制和异步脉冲控制中的任意一种或多种。
具体的，当控制单元对紫外光发生装置15产生第二紫外光22的时间进行控制的方式为连续波控制时，控制单元可以控制紫外光发生装置15持续的产生第二紫外光22。
当控制单元对紫外光发生装置15产生第二紫外光22的时间进行控制的方式为同步脉冲控制时，控制单元可以在例如上射频组件18透过介质窗12向腔室本体11内馈入射频，激发腔室本体11内的工艺气体形成等离子体和第一紫外光21时，或者，下射频组件19向基座141和卡盘142加载射频偏压，吸引腔室本体11内的等离子体对卡盘142上的待加工晶片20进行轰击时，同步的控制紫外光发生装置15产生第二紫外光22，即，控制单元可以控制紫外光发生装置15产生第二紫外光22的时刻及时长与上射频组件18透过介质窗12向腔室本体11内馈入射频，激发腔室本体11内的工艺气体形成等离子体和第一紫外光21的时刻及时长相同，或者，与下射频组件19向基座141和卡盘142加载射频偏压，吸引腔室本体11内的等离子体对卡盘142上的待加工晶片20进行轰击的时刻及时长相同。
当控制单元对紫外光发生装置15产生第二紫外光22的时间进行控制的方式为异步脉冲控制时，控制单元可以在例如上射频组件18透过介质窗12向腔室本体11内馈入射频，激发腔室本体11内的工艺气体形成等离子体和第一紫外光21时，或者，下射频组件19向基座141和卡盘142加载射频偏压，吸引腔室本体11内的等离子体对卡盘142上的待加工晶片20进行轰击时，控制紫外光发生装置15不产生第二紫外光22，即，控制单元可以控制紫外光发生装置15产生第二紫外光22的时刻及时长与上射频组件18透过介质窗12向腔室本体11内馈入射频，激发腔室本体11内的工艺气体形成等离子体和第一紫外光21的时刻及时长相错，即，第一紫外光21与第二紫外光22不同时产生，或者，与下射频组件19向基座141和卡盘142加载射频偏压，吸引腔室本体11内的等离子体对卡盘142上的待加工晶片20进行轰击的时刻及时长相错，即，等离子体对待加工晶片20进行轰击时，不产生等二紫外光。
在本发明一优选实施例中，紫外光发生装置15的光轴与承载部件14用于承载待加工晶片20的承载面的垂直方向之间的夹角的取值范围为20°-70°。
如图1所示，可选的，紫外光发生装置15的光轴与承载部件14用于承载待加工晶片20的承载面的垂直方向之间的夹角为45°(如图1中角度A所示)。
在本发明一优选实施例中，发光部件152可以为短波紫外光源或真空紫外光源。
具体的，短波紫外光源会发出短波紫外光，短波紫外光是指波长为100nm-280nm的紫外光，真空紫外光源会发出真空紫外光，真空紫外光是指波长为100nm-200nm的紫外光。
综上所述，本发明实施例提供的半导体反应腔室，能够提高单一待加工晶片20刻蚀速率的均匀性，并提高多个待加工晶片20之间的刻蚀一致性，从而提高工艺效果。
可以解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体反应腔室，包括腔室本体、介质窗、进气部件、承载部件和上射频组件，所述介质窗设置在所述腔室本体的顶部；所述承载部件设置在所述腔室本体内，并对应设置于所述介质窗下方，所述承载部件用于承载待加工晶片；所述进气部件贯穿于所述介质窗中心，用于向所述腔室本体内通入工艺气体；所述上射频组件设置于所述腔室本体的上方，用于对通入所述腔室本体内的所述工艺气体进行电离，生成等离子体和第一紫外光；
其特征在于，所述工艺腔室还包括多个紫外光发生装置，多个所述紫外光发生装置设置在所述介质窗和所述承载部件之间；
所述紫外光发生装置与所述介质窗之间具有预设夹角；
多个所述紫外光发生装置环绕在所述进气部件的周围，且沿所述腔室本体的周向均匀间隔分布，各所述紫外光发生装置均用于产生朝向所述承载部件照射的第二紫外光。
2.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述半导体反应腔室还包括支撑环体，所述支撑环体设置在所述腔室本体与所述介质窗之间，所述支撑环体设置有贯穿其自身，并与所述腔室本体内部连通的多个安装孔，所述紫外光发生装置设置于所述安装孔内。
3.根据权利要求2所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述紫外光发生装置包括罩体、发光部件和电连接件，所述发光部件设置在所述罩体中，用于产生所述第二紫外光，所述电连接件与所述发光部件连接，并用于与供电装置连接，以向所述发光部件导电；
其中，所述罩体包括安装段和发光段，所述安装段设置于所述安装孔中，所述发光段位于所述腔室本体内，且所述发光段为透明。
4.根据权利要求3所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述发光段的端部表面呈球面。
5.根据权利要求3所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述罩体还包括抵接段，所述抵接段位于所述腔室本体的外侧，且所述抵接段不透明。
6.根据权利要求5所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述抵接段与所述安装孔之间设置有密封件，所述密封件包括环形密封圈，所述抵接段的外周壁上设置有环形凸部，所述环形凸部能够与所述安装孔的位于所述腔室本体外的一侧端面相抵，所述环形密封圈设置在所述环形凸部与所述安装孔的位于所述腔室本体外的一侧端面之间。
7.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括控制单元，所述控制单元与多个所述紫外光发生装置电连接，用于对各所述紫外光发生装置产生所述第二紫外光的时间进行控制。
8.根据权利要求7所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述控制单元对所述紫外光发生装置产生所述第二紫外光的时间进行控制的方式包括连续波控制、同步脉冲控制和异步脉冲控制中的任意一种或多种。
9.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述紫外光发生装置的光轴与所述承载部件用于承载所述待加工晶片的承载面的垂直方向之间的夹角的取值范围为20°-70°。
10.根据权利要求3所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述发光部件为短波紫外光源或真空紫外光源。
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