TWI805919B

TWI805919B - 半導體裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI805919B
Application number: TW109113692A
Authority: TW
Inventors: 蔡俊雄; 鄭雅云; 柯誌欣; 幸仁萬
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2019-04-23
Filing date: 2020-04-23
Publication date: 2023-06-21
Also published as: TW202107625A

Abstract

本發明實施例係關於一種半導體裝置，其包含一場效電晶體(FET)，該半導體裝置包含：一隔離絕緣層，其安置於基板之一溝渠中；一閘極介電層，其安置於該基板之一通道區域上方；一閘極電極，其安置於該閘極介電層上方；一源極及一汲極，其等安置成相鄰於該通道區域；及一嵌入式絕緣層，其安置於該源極、該汲極及該閘極電極下方，且該嵌入式絕緣層之兩端連接至該隔離絕緣層。

Description

半導體裝置及其製造方法

本發明實施例係有關半導體裝置及其製造方法。

為減少一半導體裝置之功耗，減小寄生電容係一關鍵技術。既有平面互補式金屬氧化物半導體場效電晶體(CMOS FET)具有誘發源極/汲極(S/D)區域與基板之間的寄生電容的擴散S/D。

本發明的一實施例係關於一種製造一半導體裝置之方法，該半導體裝置包含一場效電晶體(FET)，該方法包括：在一基板中形成一犧牲區域；在該基板中形成一溝渠，該犧牲區域之一部分暴露於該溝渠中；藉由至少部分蝕刻該犧牲區域來形成一空間；藉由使用一絕緣材料填充該溝渠來形成一隔離絕緣層且藉由使用該絕緣材料填充該空間來形成一嵌入式絕緣層；及形成一閘極結構及一源極/汲極區域，其中該嵌入式絕緣層定位於該閘極結構之一部分下方。

本發明的一實施例係關於一種半導體裝置，其包含一FET，該半導體裝置包括：一隔離絕緣層，其安置於基板之一溝渠中；一閘極介電層，其安置於該基板之一通道區域上方；一閘極電極，其安置於該閘極介電層上方；一源極及一汲極，其等安置成相鄰於該通道區域；及一嵌入式絕緣層，其安置於該閘極電極下方且在切割該閘極電極之一中心的一橫截面中沿一源極至汲極方向與該隔離絕緣層分離。

本發明的一實施例係關於一種半導體裝置，其包含一FET，該半導體裝置包括：一隔離絕緣層，其安置於基板之一溝渠中；一閘極介電層，其安置於該基板之一通道區域上方；一閘極電極，其安置於該閘極介電層上方；一源極及一汲極，其等安置成相鄰於該通道區域；及一嵌入式絕緣層，其安置於該源極、該汲極及該閘極電極下方，且沿一源極至汲極方向之該嵌入式絕緣層之兩端連接至該隔離絕緣層。

應瞭解，以下揭示提供用於實施本發明實施例之不同特徵的不同實施例或實例。下文將描述組件及配置之特定實施例或實例以簡化本揭示。當然，此等僅為實例且不意在限制。例如，元件之尺寸不受限於所揭示之範圍或值，而是可取決於程序條件及/或裝置之所要性質。再者，在以下描述中，在一第二構件上方或一第二構件上形成一第一構件可包含其中形成直接接觸之該第一構件及該第二構件之實施例，且亦可包含其中可形成插入於該第一構件與該第二構件之額外構件使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。為簡單及清楚起見，可依不同比例任意繪製各種構件。在附圖中，可為了簡化而省略一些層/構件。

此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及其類似者之空間相對術語在本文中可用於描述一元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中所繪示。除圖中所描繪之定向之外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中之不同定向。可依其他方式(旋轉90度或以其他定向)定向設備且亦可因此解譯本文中所使用之空間相對描述詞。另外，術語「由...製成」可意謂「包括」或「由...組成」。此外，在以下製程中，所描述之操作中/所描述之操作之間可存在一或多個額外操作，且可改變操作順序。在本揭示中，除非另有描述，否則片語「A、B及C之一者」意謂「A、B及/或C」(A、B、C、A及B、A及C、B及C或A、B及C)，且不意謂來自A之一元件、來自B之一元件及來自C之一元件。可在其他實施例中採用相同或類似於結合一實施例所描述之材料、組態、尺寸、程序及/或操作的材料、組態、尺寸、程序及/或操作，且可省略詳細解釋。

所揭示之實施例係關於一種半導體裝置及其製造方法，特定言之，一場效電晶體(FET)之源極/汲極區域。實施例(諸如本文中所揭示之實施例)一般不僅適用於一平面FET且亦適用於其他FET。

圖1A展示根據本發明之實施例之一半導體裝置之一平面圖，圖1B展示對應於圖1A之線X1-X1 (沿X (即，源極至汲極)方向)之一橫截面圖，且圖1C、圖1D及圖1E展示對應於圖1A之線Y1-Y1 (沿Y (即，閘極延伸)方向)之橫截面圖。

如圖中所展示，一FET形成於一基板10上方。FET包含安置於基板10之一通道區域12上方之一閘極介電層42及一閘極電極層44。閘極側壁間隔物46安置於閘極電極層44之對置側面上。

基板10係(例如)具有自約1×10¹⁵ cm^-3 至約1×10¹⁶ cm^-3 之一範圍內之一雜質濃度的一p型矽或鍺基板。在一些實施例中，使用一p+矽基板。在其他實施例中，基板係(例如)具有自約1×10¹⁵ cm^-3 至約1×10¹⁶ cm^-3 之一範圍內之一雜質濃度的一n型矽或鍺基板。

替代地，基板10可包括：另一元素半導體，諸如鍺；一化合物半導體，其包含IV-IV族化合物半導體，諸如SiC、SiGe及SiGeSn；或其等之組合。在一實施例中，基板10係一SOI (絕緣體上矽)基板之一矽層。基板10可包含已適當摻雜有雜質(例如p型或n型導電性)之各種區域。

閘極介電層42包含一或多個介電材料層，諸如氧化矽、氮化矽或高k介電材料、其他適合介電材料及/或其等之組合。高k介電材料之實例包含HfO₂ 、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦、二氧化鉿-氧化鋁(HfO₂ -Al₂ O₃ )合金、其他適合高k介電材料及/或其等之組合。藉由(例如)化學汽相沈積(CVD)、物理汽相沈積(PVD)、原子層沈積(ALD)、高密度電漿CVD (HDPCVD)或其他適合方法及/或其等之組合來形成閘極介電層。在一些實施例中，閘極介電層之厚度在自約1 nm至約20 nm之一範圍內，且在其他實施例中可在自約2 nm至約10 nm之一範圍內。

閘極介電層44包含一或多個導電層。在一些實施例中，閘極電極層44由摻雜多晶矽製成。在其他實施例中，閘極電極層44包含金屬材料，諸如鋁、銅、鈦、鉭、鈷、鉬、氮化鉭、矽化鎳、矽化鈷、TiN、WN、TiAl、TiAlN、TaCN、TaC、TaSiN、金屬合金、其他適合材料及/或其等之組合。在一些實施例中，閘極長度(沿X方向)在自約20 nm至約200 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約40 nm至約100 nm之一範圍內。

在本發明之特定實施例中，一或多個功函數調整層插入於閘極介電層42與一主體金屬閘極電極44之間。功函數調整層由一導電材料(諸如TiN、TaN、TaAlC、TiC、TaC、Co、Al、TiAl、HfTi、TiSi、TaSi或TiAlC之一單層或兩個或更多個此等材料之一多層)製成。針對一n通道FET，TaN、TaAlC、TiN、TiC、Co、TiAl、HfTi、TiSi及TaSi之一或多者用作功函數調整層，且針對一p通道FET，TiAlC、Al、TiAl、TaN、TaAlC、TiN、TiC及Co之一或多者用作功函數調整層。當金屬材料用作閘極電極層時，採用一閘極替換技術來製造閘極結構。

閘極側壁間隔物46包含藉由CVD、PVD、ALD、電子束蒸鍍或其他適合程序所形成之一或多個絕緣材料層，諸如SiO₂ 、SiN、SiON、SiOCN或SiCN。一低k介電材料可用作側壁間隔物。藉由在閘極電極層44上方形成絕緣材料之一毯覆層且執行非等向性蝕刻來形成側壁間隔物46。在一實施例中，側壁間隔物層由氮化矽基材料(諸如SiN、SiON、SiOCN或SiCN)製成。

圖1A至圖1C中所展示之FET亦包含源極/汲極擴散區域50及源極/汲極延伸區域55。源極/汲極擴散區域50係藉由(例如)一或多個離子植入操作或熱擴散操作所形成之n+或p+區域。源極/汲極延伸區域55係藉由(例如)一或多個口袋植入所形成之n、n-、p或p-區域。源極/汲極延伸區域55形成於閘極側壁間隔物46下，如圖1B中所展示。在一些實施例中，源極/汲極擴散區域50包含一或多個磊晶半導體層，其形成一凸起源極/汲極結構。

圖1A至圖1C中所展示之FET進一步包含使FET與形成於基板10上之其他電裝置電分離之隔離絕緣區域30，其亦指稱淺溝渠隔離(STI)區域。在一些實施例中，隔離絕緣區域30包含一或多個矽基絕緣層。

圖1A至圖1C中所展示之FET包含源極/汲極擴散區域50下具有一矩形橫截面之空間100中之空氣間隔物(氣隙) 110。在一些實施例中，空氣間隔物110由形成隔離絕緣區域30之絕緣材料圍封。空氣間隔物110可消除或抑制源極/汲極擴散區域50與基板10之間的接面電容。在一些實施例中，無空氣間隔物安置於通道區域下方。

在一些實施例中，空間100之沿X方向之寬度W11在自約100 nm至約500 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約200 nm至約400 nm之一範圍內。在一些實施例中，空氣間隔物110之沿X方向之寬度W12與寬度W11之一比率(W12/W11)在自0.5至0.95之一範圍內，且在其他實施例中在自約0.7至約0.9之一範圍內。

在一些實施例中，空間100之沿Z方向之深度D11在自約10 nm至約200 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約30 nm至約100 nm之一範圍內。在一些實施例中，空氣間隔物100之沿Z方向之深度D12與空間100之深度D11的一比率(D12/D11)在自約0.5至約0.9之一範圍內，且在其他實施例中在自約0.6至約0.8之一範圍內。在一些實施例中，空間100之寬度W11與空間100之深度D11之一縱橫比(W11/D11)在自約1至約10之一範圍內，且在其他實施例中在自約2至約5之一範圍內。

在一些實施例中，空間100之一縱橫比(W11/D11)在自約2至約10之一範圍內，且在其他實施例中在自約3至約8之一範圍內。在一些實施例中，空氣間隔物110之一縱橫比(W12/D12)在自約2至約10之一範圍內，且在其他實施例中在自約3至約8之一範圍內。

當縱橫比W11/D11及縱橫比W12/D12小於上述範圍(例如，W11或W12較小)時，空氣間隔物110及/或一嵌入式絕緣層不足以穿透至源極/汲極擴散區域下，且因此不足以抑制源極/汲極擴散區域下之寄生電容。當縱橫比W11/D11及縱橫比W12/D12大於上述範圍(例如，D11或D12較小)時，嵌入式絕緣層之電容(寄生電容)變大，且難以移除犧牲層20來形成空間100。

如圖1C中所展示，空間100及/或空氣間隔物110在源極/汲極擴散區域50下依一實質上恆定深度D12沿Y方向連續安置。在其他實施例中，空間100及/或空氣間隔物110沿Y方向不連續。在一些實施例中，空間100之深度D11及/或空氣間隔物110之深度D12隨自隔離絕緣區域30朝向中心部分之一距離增大而變小，如圖1D中所展示。在一些實施例中，自左側及右側形成之兩個空間100不交會，而是由基板10之一部分分離，如圖1E中所展示。

圖2A展示根據本發明之實施例之一半導體裝置之對應於圖1A之線X1-X1 (沿X (即，源極至汲極)方向)之一橫截面圖，且圖2B及圖2C展示半導體裝置之對應於圖1A之線Y1-Y1 (沿Y (即，閘極延伸)方向)之一橫截面圖。可在以下實施例中採用相同或類似於結合上述實施例所描述之材料、組態、尺寸、程序及/或操作的材料、組態、尺寸、程序及/或操作，且可省略詳細解釋。

在圖2A至圖2C所展示之實施例中，空間100及空氣間隔物110具有一三角形形狀或一梯形形狀。

在一些實施例中，空間100之沿X方向之寬度W21在自約100 nm至約500 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約200 nm至約400 nm之一範圍內。在一些實施例中，空氣間隔物110之沿X方向之寬度W22與寬度W21之一比率(W22/W21)在自約0.5至約0.95之一範圍內，且在其他實施例中在自約0.7至約0.9之一範圍內。

在一些實施例中，空間100之入口(隔離絕緣層30之一邊緣)處之空間100之沿Z方向之深度D21在自約10 nm至約200 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約30 nm至約100 nm之一範圍內。在一些實施例中，空氣間隔物110之沿Z方向之最大深度D22與空間100之深度D21的一比率(D22/D21)在自約0.5至約0.9之一範圍內，且在其他實施例中在自約0.6至約0.8之一範圍內。當比率D22/D21小於此等範圍時，空氣間隔物110之體積太小而不足以減小寄生電容。在一些實施例中，空氣間隔物110之沿Z方向之最小深度D23與空氣間隔物110之最大深度D22的一比率(D23/D22)在自約0.1至約0.9之一範圍內，且在其他實施例中在自約0.4至約0.8之一範圍內。當比率D23/D22超出此等範圍時，不足以抑制源極/汲極擴散區域下之寄生電容及/或難以移除犧牲層20來形成空間100。在一些實施例中，空間100之寬度W21與空間100之最大深度D21的一比率(W21/D21)在自約1至約10之一範圍內，且在其他實施例中在自約2至約5之一範圍內。當比率W21/D21小於上述範圍(例如，W21較小)時，空氣間隔物110及/或一嵌入式絕緣層不足以穿透至源極/汲極擴散區域下，且因此不足以抑制源極/汲極擴散區域下之寄生電容。當比率W21/D21大於上述範圍(例如，D21較小)時，嵌入式絕緣層之電容(寄生電容)變大，且難以移除犧牲層20來形成空間100。在一些實施例中，空間100之沿Z方向之最小深度D24與空間100之最大深度D21之一比率(D24/D21)在自約0至約0.8之一範圍內，且在其他實施例中在自約0.4至約0.6之一範圍內。當比率D24/D21超出此等範圍時，不足以抑制源極/汲極擴散區域下之寄生電容及/或難以移除犧牲層20來形成空間100。

在一些實施例中，空間100之底面與水平線(其平行於基板10之上表面)之間的角度θ係0度以上至60度或更小。在其他實施例中，角度θ在自約15度至約45度之一範圍內。當角度θ太小時，空氣間隔物110及/或一嵌入式絕緣層不足以穿透至源極/汲極擴散區域下，且因此不足以抑制源極/汲極擴散區域下之寄生電容。

如圖2B中所展示，空間100及/或空氣間隔物110在源極/汲極擴散區域50下沿Y方向連續安置。在一些實施例中，空間100之深度D11及/或空氣間隔物110之深度隨自隔離絕緣區域30朝向源極/汲極區域50之中心部分的一距離增大而變小，如圖2B中所展示。在其他實施例中，空間100及/或空氣間隔物110沿Y方向不連續，如圖2C中所展示。

圖3至圖12展示根據本發明之一實施例之用於製造一FET裝置之各種階段之橫截面圖。應瞭解，可在由圖3至圖12展示之程序之前、圖3至圖12展示之程序期間及圖3至圖12展示之程序之後提供額外操作，且針對方法之額外實施例來替換或消除下文將描述之一些操作。操作/程序之順序可互換。可在以下實施例中採用相同或類似於結合上述實施例所描述之材料、組態、尺寸、程序及/或操作的材料、組態、尺寸、程序及/或操作，且可省略詳細解釋。

如圖3中所展示，在基板10上方形成一覆蓋層15。覆蓋層15包含一單一氧化矽層。在其他實施例中，覆蓋層15包含氧化矽層及形成於氧化矽層上之氮化矽層。可藉由使用熱氧化或一CVD程序來形成氧化矽層。CVD程序包含電漿增強化學汽相沈積(PECVD)、一大氣壓化學汽相沈積(APCVD)、一低壓CVD (LPCVD)及一高密度電漿CVD (HDPCVD)。亦可使用一原子層沈積(ALD)。在一些實施例中，覆蓋層15之厚度在自約5 nm至約50 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約10 nm至約30 nm之一範圍內。

在一些實施例中，在形成覆蓋層15之前或形成覆蓋層15之後，在基板10上形成一或多個對準鍵圖案。

藉由使用一或多個微影操作，在覆蓋層15上方形成一光阻圖案作為一第一遮罩圖案18，如圖4中所展示。第一遮罩圖案18之寬度及位置實質上相同於隨後形成之一閘極電極之寬度及位置。在一些實施例中，使用形成於基板10上之對準鍵圖案來執行微影操作。在一些實施例中，光阻圖案18之厚度在自約100 nm至約1000 nm之一範圍內。

在形成第一遮罩圖案18之後，執行一或多個離子植入操作19以形成含有摻雜物之犧牲區域20，如圖5中所展示。在一些實施例中，將砷(As)離子植入(摻雜)至基板10中。亦可使用其他摻雜物元素(諸如P、As、Sb、Ge、N及/或C)之離子。在一些實施例中，離子植入19之一加速電壓在自約0.5 keV至約10 keV之一範圍內，且在其他實施例中在自約2 keV至約8 keV之一範圍內。在一些實施例中，離子之一劑量在自約5×10¹³ 個離子/cm² 至約5×10¹⁵ 個離子/cm² 之一範圍內，且在其他實施例中在自約1×10¹⁴ 個離子/cm² 至約1×10¹⁵ 個離子/cm² 之一範圍內。在一些實施例中，犧牲區域20具有自約5 nm至約80 nm之一範圍內之一深度，且在其他實施例中，深度在自約20 nm至約50 nm之一範圍內。

在一些實施例中，在離子植入操作及移除遮罩層18之後，執行一熱程序21 (例如一退火程序)，如圖6中所展示。在特定實施例中，藉由在一惰性氣體氛圍(諸如一N₂ 、Ar或He氛圍)中在自約900°C至約1050°C之一範圍內之一溫度使用快速熱退火(RTA) 21達約1秒至約10秒來執行熱程序。

在一些實施例中，犧牲層20之一雜質濃度在自約1×10¹⁹ 個原子/cm³ 至約5×10²¹ 個原子/cm³ 之一範圍內，且在其他實施例中在自約1×10²⁰ 個原子/cm³ 至約1×10²¹ 個原子/cm³ 之一範圍內。

在退火操作21之後，藉由使用濕式及/或乾式蝕刻操作來移除覆蓋層15。

接著，如圖7中所展示，在包含犧牲層20之基板10上方形成一磊晶半導體層25。在一些實施例中，磊晶半導體層25包含Si、SiGe及Ge之一者。在特定實施例中，Si磊晶形成為磊晶半導體層25。可藉由使用一含Si氣體(諸如SiH₄ 、Si₂ H₆ 及/或SiCl₂ H₂ )來在約5托至約50托之一壓力以約600°C至約800°C之一溫度生長磊晶半導體層25。針對SiGe或Ge之情況使用一含Ge氣體，諸如GeH₄ 、Ge₂ H₆ 及/或GeCl₂ H₂ 。在一些實施例中，磊晶半導體層25摻雜有n型或p型雜質。在一些實施例中，磊晶半導體層25之厚度在自約5 nm至約100 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約10 nm至約30 nm之一範圍內。

接著，在磊晶半導體層25上方形成一第二遮罩圖案27，如圖8中所展示。在一些實施例中，第二遮罩圖案27係一光阻圖案。在其他實施例中，第二遮罩圖案27係由氧化矽、氮化矽及SiON之一或多個層製成之一硬遮罩圖案。在一些實施例中，在第二遮罩圖案27與磊晶半導體層25之間形成一或多個覆蓋層。覆蓋層由氧化矽、氮化矽及/或SiON製成。在特定實施例中，覆蓋層包含形成於磊晶半導體層25上之氧化矽層及形成於氧化矽層上之氮化矽層。

隨後，藉由蝕刻磊晶半導體層25、犧牲層20及基板10來形成溝渠35，如圖9中所展示。在一些實施例中，使用電漿乾式蝕刻。在一些實施例中，蝕刻氣體包含一含鹵素氣體，諸如HBr。在一些實施例中，使用一惰性氣體(諸如He及/或Ar)來稀釋HBr氣體。在一些實施例中，HBr氣體與稀釋氣體之一比率在自約0.3至約0.7之一範圍內，且在其他實施例中，比率在自約0.4至約0.6之一範圍內。可使用適合於蝕刻矽之其他氣體。

接著，如圖10中所展示，橫向蝕刻犧牲層20以形成空間100，如圖10中所展示。在一些實施例中，使用電漿乾式蝕刻。在一些實施例中，蝕刻氣體包含一含氯氣體，諸如HCl、Cl₂ 、CF₃ Cl、CCl₄ 或SiCl₄ 。在一些實施例中，使用一惰性氣體(諸如He及/或Ar)來稀釋含氯氣體。在一些實施例中，含氯氣體與稀釋氣體之一比率在自約0.3至約0.7之一範圍內，且在其他實施例中，比率在自約0.4至約0.6之一範圍內。在一些實施例中，添加一或多個額外氣體，諸如O₂ 。可使用適合於蝕刻矽之其他氣體。在一些實施例中，執行使用氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液之一額外濕式蝕刻操作。

蝕刻含有摻雜物(諸如As)之犧牲層20對矽基板10及磊晶半導體層25具選擇性。在一些實施例中，蝕刻選擇率係約10至約100。在一些實施例中，實質上完全蝕刻犧牲層20，如圖10中所展示。在其他實施例中，僅部分蝕刻犧牲層20，且含有摻雜物之犧牲層20之部分因此保留於空間100周圍。在此一情況中，具有高於基板10及/或磊晶半導體層25之一摻雜物濃度的一含雜質層圍繞空間100安置。

在一些實施例中，在形成空間100之後，空間100上方之磊晶半導體層25之端部分向上彎曲以形成一凹形彎曲形狀，如由圖10中之虛線所展示。在其他實施例中，空間100上方之磊晶半導體層25之端部分向下彎曲以形成一凸形彎曲形狀。

在一些實施例中，較少蝕刻氣體到達空間中之一長距離之一端，因此，蝕刻速率隨與溝渠之距離增大而變小。在此一情況中，如圖1D中所展示，沿Z方向之深度及/或沿X方向之寬度隨與溝渠之距離沿Y方向增大而減小，且在一些實施例中，自左側及右側形成之兩個空間不交會，而是由基板之一部分分離，如圖1E中所展示。

在形成空間100之後，在溝渠35及空間100中形成隔離絕緣層30，如圖11中所展示。隔離絕緣層30之一絕緣材料包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽(SiON)、SiOCN、摻氟矽酸鹽玻璃(FSG)或一低k介電材料之一或多個層。藉由LPCVD (低壓化學汽相沈積)、電漿CVD或可流動CVD來形成隔離絕緣層。在可流動CVD中，可沈積可流動介電材料而非氧化矽。顧名思義，可流動介電材料可在沈積期間「流動」以填充具有一高縱橫比之間隙或空間。通常將各種化學物添加至含矽前驅物以允許沈積膜流動。在一些實施例中，添加氮氫鍵。可流動介電前驅物(尤其是可流動氧化矽前驅物)之實例包含矽酸鹽、矽氧烷、甲基矽倍半氧烷(MSQ)、氫矽倍半氧烷(HSQ)、MSQ/HSQ、全氫矽氮烷(TCPS)、全氫聚矽氮烷(PSZ)、正矽酸四乙酯(TEOS)或矽烷基胺(諸如三矽烷基胺(TSA))。在一多操作程序中形成此等可流動氧化矽材料。在沈積可流動膜之後，使其固化及接著退火以移除(若干)非所要元素以形成氧化矽。當移除(若干)非所要元素時，可流動膜增密且收縮。在一些實施例中，進行多個退火程序。使可流動膜固化及退火一次以上。可流動膜可摻雜有硼及/或磷。在其他實施例中，使用一ALD方法。

首先在一厚層中形成絕緣層30，使得覆蓋磊晶半導體層25之整個上表面，且平坦化厚層以暴露磊晶半導體層25之上表面。在一些實施例中，執行一化學機械拋光(CMP)程序作為平坦化程序。在使隔離絕緣層30凹進之後或使隔離絕緣層30凹進之前，可執行一熱程序(例如一退火程序)以提高隔離絕緣層30之品質。在特定實施例中，藉由在一惰性氣體氛圍(諸如一N₂ 、Ar或He氛圍)中在自約900°C至約1050°C之一範圍內之一溫度使用快速熱退火(RTA)達約1.5秒至約10秒來執行熱程序。

如圖11中所展示，在一些實施例中，隔離絕緣層30之絕緣材料未完全填充空間100，使得空氣間隔物110形成於空間100中。在一些實施例中，空氣間隔物110完全包圍隔離絕緣層30之絕緣材料。在一些實施例中，空間100之頂部、底部及橫向端處之絕緣材料之厚度不均勻。在其他實施例中，空間100之內壁之一部分(其係一半導體層)暴露於空氣間隔物110中。在一些實施例中，與溝渠35對置之空氣間隔物110之橫向端包含基板10之一部分。在其他實施例中，與溝渠35對置之空氣間隔物110之橫向端包含含雜質層之一部分。在一些實施例中，空氣間隔物110之上邊界之一部分包含磊晶半導體層25之一部分及/或包含含雜質層之一部分。在其他實施例中，空氣間隔物110之底部邊界之一部分包含基板10之一部分及/或包含含雜質層之一部分。在一些實施例中，空間100由絕緣材料完全填充且不形成空氣間隔物。

在形成絕緣層30及空氣間隔物110之後，在磊晶半導體層25之一通道區域上方形成包含閘極介電層42、閘極電極層44及閘極側壁間隔物46之一閘極結構，如圖12中所展示。此外，形成源極/汲極擴散區域50及源極/汲極延伸區域55，如圖12中所展示。在一些實施例中，源極/汲極擴散區域50之一底部與形成於空間100中之絕緣材料30接觸。在其他實施例中，源極/汲極擴散區域50之底部與形成於空間100中之絕緣材料30由磊晶半導體層25之一部分分離。藉由一或多個離子植入操作或一熱或電漿擴散操作來形成源極/汲極擴散區域50。

圖13至圖15展示根據本發明之一實施例之用於製造一FET裝置之各種階段之橫截面圖。應瞭解，可在由圖13至圖15展示之程序之前、由圖13至圖15展示之程序期間及由圖13至圖15展示之程序之後提供額外操作，且可針對方法之額外實施例來替換或消除下文將描述之一些操作。操作/程序之順序可互換。可在以下實施例中採用相同或類似於結合上述實施例所描述之材料、組態、尺寸、程序及/或操作的材料、組態、尺寸、程序及/或操作，且可省略詳細解釋。

在類似於圖9般形成溝渠35之後，形成具有一三角形或梯形橫截面之空間100，如圖13中所展示。在一些實施例中，執行使用一TMAH水溶液之一濕式蝕刻操作。在濕式蝕刻期間，蝕刻副產物落於所蝕刻之空間之底面上，因此，底面之蝕刻速率變成小於所蝕刻之空間之上表面之蝕刻速率。因此，橫截面形狀包含具有一垂直深度之形狀(諸如一三角形或梯形形狀)，垂直深度隨與空間之入口的一距離增大而變小。

如圖13中所展示，在空間100下方或圍繞空間100安置具有高於基板10及/或磊晶半導體層25之一雜質濃度的一含雜質層(犧牲層20之部分)。

接著，類似於相對於圖11所解釋之操作，溝渠35及空間100由隔離絕緣層30之絕緣材料填充，且形成空氣間隔物110，如圖14中所展示。

在形成絕緣層30及空氣間隔物110之後，在磊晶半導體層25之一通道區域上方形成包含閘極介電層42、閘極電極層44及閘極側壁間隔物46之一閘極結構，如圖15中所展示。此外，形成源極/汲極擴散區域50及源極/汲極延伸區域55，如圖15中所展示。在一些實施例中，源極/汲極擴散區域50之一底部與形成於空間100中之絕緣材料接觸。在其他實施例中，源極/汲極擴散區域50之底部與形成於空間100中之絕緣材料由磊晶半導體層25之一部分分離。

在一些實施例中，界定空間100之至少一表面具有一Z字形形狀，如圖16中所展示。

在一些實施例中，較少蝕刻劑到達或接觸空間中之一長距離之端，因此，蝕刻速率隨與溝渠之距離增大而變小。在此一情況中，如圖2B中所展示，沿Z方向之深度及/或沿X方向之寬度隨與溝渠之距離沿Y方向增大而減小，且在一些實施例中，自左側及右側形成之兩個空間不交會，而是由基板之一部分分離，如圖2C中所展示。

圖17展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一平面圖。可在以下實施例中採用相同或類似於結合上述實施例所描述之材料、組態、尺寸、程序及/或操作的材料、組態、尺寸、程序及/或操作，且可省略詳細解釋。

在一些實施例中，如圖17中所展示，在一個主動區域(其係由一半導體形成且由隔離絕緣層包圍之通道區域及源極/汲極區域)上方安置複數個閘極結構。在一些實施例中，連接複數個閘極電極44之至少兩者，且在其他實施例中，複數個閘極電極44彼此不連接。為了說明，空氣間隔物之各種組態展示於一個圖中，但應瞭解，所有組態未必存在於一個裝置中。在一些實施例中，空氣間隔物之一或多個組態存在於一個裝置中。

在一些實施例中，空氣間隔物安置於源極/汲極擴散區域50下。在一些實施例中，在兩個閘極結構44/46之間安置於源極/汲極擴散區域50下之空氣間隔物110B具有不同於沿左及/或右閘極結構安置於源極/汲極擴散區域50下之空氣間隔物110A的尺寸。在一些實施例中，左端或右端處之源極/汲極擴散區域50下之空氣間隔物110A之寬度W31大於兩個閘極結構之間的源極/汲極擴散區域50下之空氣間隔物110B之寬度W32。在一些實施例中，左端或右端處之源極/汲極擴散區域50下之空氣間隔物110A之長度L31等於或不同於兩個閘極結構之間的源極/汲極擴散區域50下之空氣間隔物110B之長度L32。在一些實施例中，在平面圖中，源極/汲極擴散區域下之空氣間隔物110C及110D具有自隔離絕緣層20處之源極/汲極擴散區域50之邊緣朝向源極/汲極擴散區域50之中心(沿Y方向)的兩個錐形部分。錐形部分由沿Y方向之兩個閘極結構之間的源極/汲極擴散區域下之犧牲層20之不充分橫向蝕刻引起。在一些實施例中，兩個閘極結構之間的源極/汲極擴散區域50下之空氣間隔物110D沿Y方向不連續，而左端或右端處之源極/汲極擴散區域50下之空氣間隔物110C係連續的。

在一些實施例中，犧牲層形成於基板中之一相對較深位置處，使得基板10之表面區域不含摻雜物(例如As)。在此一情況中，不形成半導體磊晶層25，且表面區域用作一通道區域及源極/汲極擴散區域。

圖18A、圖18B、圖18C及圖18D展示根據本發明之各種實施例之半導體裝置之橫截面圖。可在以下實施例中採用相同或類似於結合上述實施例所描述之材料、組態、尺寸、程序及/或操作的材料、組態、尺寸、程序及/或操作，且可省略詳細解釋。

空氣間隔物110或嵌入式絕緣層之位置不限於為在源極/汲極擴散區域下方。

如圖18A中所展示，自隔離絕緣層30連續形成之一嵌入式絕緣層150定位於源極/汲極擴散區域50下方且在一些實施例中延伸於側壁間隔物46下方。在一些實施例中，源極/汲極擴散區域50下之嵌入式絕緣層150之厚度D21在自約10 nm至約200 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約30 nm至約100 nm之一範圍內。在一些實施例中，自嵌入式絕緣層150之端至閘極電極44之一邊緣面的接近量D22係側壁間隔物之厚度之約一半或更多。在一些實施例中，嵌入式絕緣層150之端定位於閘極電極下方，且一穿透量在自約1 nm至約5 nm之一範圍內。在一些實施例中，嵌入式絕緣層150之沿X方向之寬度W21在自約100 nm至約500 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約200 nm至約400 nm之一範圍內。在一些實施例中，嵌入式絕緣層150之寬度W21與深度D21之一縱橫比(W21/D21)在自約1至約10之一範圍內，且在其他實施例中在自約2至約5之一範圍內。在一些實施例中，一縱橫比(W21/D21)在自約2至約10之一範圍內，且在其他實施例中在自約3至約8之一範圍內。當縱橫比W21/D21小於上述範圍(例如，W21較小)時，嵌入式絕緣層150不足以穿透至閘極電極下，且因此不足以抑制閘極電極下之寄生電容。當縱橫比W21/D21大於上述範圍(例如，D21較小)時，嵌入式絕緣層之電容(寄生電容)變大，且難以移除犧牲層20來形成空間100。

在一些實施例中，嵌入式絕緣層150不包含一空氣間隔物，且在其他實施例中，以一虛線展示之一空氣間隔物110形成於嵌入式絕緣層150內，類似於上述實施例。在一些實施例中，空氣間隔物110之端定位於側壁間隔物下方或閘極電極下方。在一些實施例中，矽化物層52形成於源極/汲極擴散區域50上。矽化物層52包含WSi、NiSi、CoSi、TiSi、AlSi、TaS、MoSi或任何其他適合矽化物之一或多者。除嵌入式絕緣層之尺寸(橫向長度)之外，圖18A中所展示之一裝置之製造操作實質上相同於上述圖1A及圖1B中所展示之一裝置之製造操作。

在其他實施例中，如圖18B中所展示，一嵌入式絕緣層152定位於閘極電極44下方且在一些實施例中延伸於側壁間隔物46下方。在一些實施例中，閘極電極44下之嵌入式絕緣層152之厚度D31在自約10 nm至約200 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約30 nm至約100 nm之一範圍內。在一些實施例中，嵌入式絕緣層152之端定位於源極/汲極擴散區域50下方，且一穿透量在自約1 nm至約5 nm之一範圍內。在一些實施例中，嵌入式絕緣層152之端定位於側壁間隔物下方。

在一些實施例中，嵌入式絕緣層152之沿X方向之寬度W31在自約5 nm至約200 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約10 nm至約100 nm之一範圍內，其取決於沿X方向之閘極電極之寬度。在一些實施例中，嵌入式絕緣層152之寬度W31與深度D31之一縱橫比(W31/D31)在自約1至約10之一範圍內，且在其他實施例中在自約2至約5之一範圍內。在一些實施例中，一縱橫比(W31/D31)在自約2至約10之一範圍內，且在其他實施例中在自約3至約8之一範圍內。當縱橫比W31/D31小於上述範圍(例如，W31較小)時，不足以抑制閘極電極下之寄生電容。當縱橫比W31/D31大於上述範圍(例如，D31較小)時，嵌入式絕緣層之電容(寄生電容)變大，且難以移除犧牲層20來形成空間100。

在一些實施例中，嵌入式絕緣層152不包含一空氣間隔物，且在其他實施例中，以一虛線展示之一空氣間隔物110形成於嵌入式絕緣層152內，類似於上述實施例。在一些實施例中，嵌入式絕緣層152延伸於源極/汲極擴散區域50下方。在一些實施例中，空氣間隔物110之端定位於側壁間隔物下方或源極/汲極擴散區域下方。

在其他實施例中，如圖18C中所展示，一嵌入式絕緣層154自隔離絕緣層30連續形成且定位於閘極電極44及源極/汲極擴散區域50下方。如圖18C中所展示，嵌入式絕緣層154與源極/汲極擴散區域50接觸。在一些實施例中，閘極電極44下之嵌入式絕緣層154之厚度D41在自約10 nm至約200 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約30 nm至約100 nm之一範圍內。在一些實施例中，嵌入式絕緣層154不包含一空氣間隔物，且在其他實施例中，以一虛線展示之一空氣間隔物110形成於嵌入式絕緣層154內，類似於上述實施例。

在一些實施例中，如圖18D中所展示，一嵌入式絕緣層156自隔離絕緣層30連續形成且定位於閘極電極44及源極/汲極擴散區域50下方。如圖18D中所展示，嵌入式絕緣層156藉由增大磊晶半導體層25 (通道12)之一厚度來比圖18C之情況形成得更深且因此與源極/汲極擴散區域50分離。在一些實施例中，閘極電極44下之嵌入式絕緣層156之厚度D51在自約10 nm至約200 nm之一範圍內，且在其他實施例中在自約30 nm至約100 nm之一範圍內。在一些實施例中，嵌入式絕緣層156與源極/汲極擴散區域50之底部之間的一間距D52大於0 nm且等於或小於50 nm。在一些實施例中，嵌入式絕緣層156不包含一空氣間隔物，且在其他實施例中，以一虛線展示之一空氣間隔物110形成於嵌入式絕緣層156內，類似於上述實施例。

在圖18A至圖18D之實施例中，犧牲層之一部分保留於嵌入式絕緣層與基板10及/或磊晶半導體層25之間。在一些實施例中，殘留犧牲層之厚度係大於0 nm至小於約5 nm且在自約0.5 nm至約2 nm之一範圍內。

圖19至圖24及圖25A至圖25E展示根據本發明之一實施例之用於製造一半導體裝置之各種階段之視圖。圖19至圖24係沿X方向之橫截面圖，且圖25A至圖25E係平面圖。應瞭解，可在由圖19至圖25E展示之程序之前、圖19至圖25E展示之程序期間及圖19至圖25E展示之程序之後提供額外操作，且針對方法之額外實施例來替換或消除下文將描述之一些操作。操作/程序之順序可互換。可在以下實施例中採用相同或類似於結合上述實施例所描述之材料、組態、尺寸、程序及/或操作的材料、組態、尺寸、程序及/或操作，且可省略詳細解釋。圖19至圖25E中所展示之一半導體裝置之製造操作對應於圖18C或圖18D之半導體裝置。應注意，圖19至圖24係對應於圖25A及圖25E之線X2-X2之x-z平面之橫截面圖。

類似於圖4，藉由使用一或多個微影操作來在覆蓋層15上方形成一光阻圖案作為一第一遮罩圖案18'，如圖19中所展示。不同於圖4之情況，第一遮罩圖案18'之開口對應於隨後形成之一閘極電極及源極/汲極擴散區域之位置。在一些實施例中，形成一對準鍵202。

類似於圖5及圖6，執行一或多個離子植入操作以形成含有摻雜物之犧牲區域20'，如圖20中所展示。圖25A對應於一平面圖(省略覆蓋層15)。在一些實施例中，在離子植入操作及移除遮罩層18'之後執行一熱程序(例如一退火程序)，類似於圖6。

接著，類似於圖7，在包含犧牲層20'之基板10上方形成一磊晶半導體層25，如圖21中所展示。圖25B對應於一平面圖。此外，類似於圖8，接著在磊晶半導體層25上方形成一第二遮罩圖案27'，如圖22中所展示，且藉由蝕刻磊晶半導體層25、犧牲層20'及基板10來形成溝渠35，如圖22中所展示。

接著，類似於圖10，橫向蝕刻犧牲層20'以形成空間100'，如圖23中所展示。圖25C對應於一平面圖。如圖23中所展示，空間100'連接溝渠35。

在形成空間100'之後，類似於圖11，在溝渠35及空間100'中形成隔離絕緣層30 (如圖24中所展示)以藉此形成嵌入式絕緣層154。圖25D對應於一平面圖。

在形成絕緣層30及嵌入式絕緣層154之後，在磊晶半導體層25之一通道區域上方形成包含閘極介電層42、閘極電極層44及閘極側壁間隔物46之一閘極結構，如圖18C或圖18D中所展示。圖25E對應於一平面圖。此外，形成源極/汲極擴散區域50及源極/汲極延伸區域55，如圖18C或圖18D中所展示。當磊晶半導體層25之厚度較大時，源極/汲極擴散區域50與嵌入式絕緣層154分離，如圖18D中所展示。

圖26A至圖31B及圖32A至圖32E展示根據本發明之一實施例之用於製造一半導體裝置之各種階段之視圖。「A」圖(圖26A、...、圖31A)係沿X方向(圖32A之X2-X2)之橫截面圖，且「B」圖(圖26B、...、圖31B)係沿Y方向(圖32A之Y2-Y2)之橫截面圖，且圖32A至圖32E係平面圖。應瞭解，可在由圖26至圖32E展示之程序之前、由圖26至圖32E展示之程序期間及由圖26至圖32E展示之程序之後提供額外操作，且針對方法之額外實施例來替換或消除下文將描述之一些操作。操作/程序之順序可互換。可在以下實施例中採用相同或類似於結合上述實施例所描述之材料、組態、尺寸、程序及/或操作的材料、組態、尺寸、程序及/或操作，且可省略詳細解釋。圖26A至圖32E中所展示之一半導體裝置之製造操作對應於圖18B之半導體裝置。

類似於圖4，藉由使用一或多個微影操作來在覆蓋層15上方形成一光阻圖案作為一第一遮罩圖案18''，如圖26A及圖26B中所展示。不同於圖4之情況，第一遮罩圖案18''之開口對應於隨後形成之一閘極電極及源極/汲極擴散區域之位置。

類似於圖5及圖6，執行一或多個離子植入操作以形成含有摻雜物之犧牲區域20''，如圖27A及圖27B中所展示。圖32A對應於一平面圖(省略覆蓋層15)。在一些實施例中，在離子植入操作及移除遮罩層18''之後執行一熱程序(例如一退火程序)，類似於圖6。

接著，類似於圖7，在包含犧牲層20''之基板10上方形成一磊晶半導體層25，如圖28A及圖28B中所展示。圖32B對應於一平面圖。此外，類似於圖8，接著在磊晶半導體層25上方形成一第二遮罩圖案27''，如圖29A及圖29B中所展示，且藉由蝕刻磊晶半導體層25、犧牲層20''及基板10來形成溝渠35，如圖29A及圖29B中所展示。

接著，類似於圖10，橫向蝕刻犧牲層20''以形成空間100''，如圖30A及圖30B中所展示。圖32C對應於一平面圖。圖32C中之箭頭展示犧牲層20''之橫向蝕刻。如圖30B中所展示，空間100''沿Y方向(閘極延伸方向)連接溝渠35。

在形成空間100''之後，類似於圖11，在溝渠35及空間100''中形成隔離絕緣層30 (如圖31A及圖31B中所展示)以藉此形成嵌入式絕緣層152。圖32D對應於一平面圖。

在形成絕緣層30及嵌入式絕緣層152之後，在磊晶半導體層25之一通道區域上方形成包含閘極介電層42、閘極電極層44及閘極側壁間隔物46之一閘極結構，如圖18B中所展示。圖32E對應於一平面圖。此外，形成源極/汲極擴散區域50及源極/汲極延伸區域55，如圖18B中所展示。

不同於其中氧化物層均勻形成於整個基板上方之一SOI基板，嵌入式絕緣層視情況不連續形成。

圖33A及圖33B展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之各種組態之間的效能比較。在圖33A中，深度D (nm)係通道區域之上表面與嵌入式絕緣層之頂部之間的一距離，厚度T (nm)係嵌入式絕緣層之一厚度，且接近度P (nm)係嵌入式絕緣層之一側邊與閘極電極與閘極側壁間隔物之間的界面之間的一距離。當D、T及/或P增大時，DC效能(例如DIBL (汲極誘發能障降低)、離子脫離及SSsat)使DIBL提高約40%至約60%，使Δ離子脫離提高約25%至約50%，且使ΔSSsat提高約10%至約20%。圖33B展示具有嵌入式絕緣層(D=5 nm)(曲線1及2)及不具有嵌入式絕緣層(曲線3及4)之情況之源極-汲極電流Id。實線展示飽和情況，且虛線展示線性情況。如圖33B中所展示，藉由採用嵌入式絕緣層來提高裝置效能。

在本發明之實施例中，一空氣間隔物及/或一嵌入式絕緣層安置於源極及/或汲極擴散區域及/或閘極電極下方，且因此可抑制或消除源極/汲極擴散區域及/或閘極電極與基板之間的寄生電容，其繼而可減少功耗且提高半導體裝置之速度。因為無需一昂貴絕緣體上矽(SOI)晶圓，所以本發明實施例可提供一半導體裝置之一低成本製造操作。另外，因為可藉由調整(例如)離子植入條件來調整嵌入式絕緣層之位置(深度)及/或厚度，所以可更有效調整或提高裝置效能。

應瞭解，本文中未必討論所有優點，未必所有實施例或實例需要特定優點，且其他實施例或實例可提供不同優點。

根據本發明之一態樣，在一種製造包含一場效電晶體(FET)之一半導體裝置的方法中，在一基板中形成一犧牲區域且在該基板中形成一溝渠。該犧牲區域之一部分暴露於該溝渠中。藉由至少部分蝕刻該犧牲區域來形成一空間，藉由使用一絕緣材料填充該溝渠來形成一隔離絕緣層且藉由使用該絕緣材料填充該空間來形成一嵌入式絕緣層，且形成一閘極結構及一源極/汲極區域。該嵌入式絕緣層定位於該閘極結構之一部分下方。在上述及以下實施例之一或多者中，藉由一離子植入操作來形成該犧牲區域。在上述及以下實施例之一或多者中，藉由該離子植入操作來植入砷離子。在上述及以下實施例之一或多者中，該離子植入操作之一劑量在自5×10¹³ 個離子/cm² 至5×10¹⁵ 個離子/cm² 之一範圍內。在上述及以下實施例之一或多者中，該離子植入操作之一加速電壓在自0.5 keV至10 keV之一範圍內。在上述及以下實施例之一或多者中，該空間具有一矩形形狀。在上述及以下實施例之一或多者中，該至少部分蝕刻該犧牲區域包括使用一含氯氣體之一乾式蝕刻操作。在上述及以下實施例之一或多者中，該嵌入式絕緣層定位於該閘極結構下方。在上述及以下實施例之一或多者中，該至少部分蝕刻該犧牲區域包括使用氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液之一濕式蝕刻操作。在上述及以下實施例之一或多者中，該嵌入式絕緣層連接隔離絕緣層。在上述及以下實施例之一或多者中，在該嵌入式絕緣層中形成該空氣間隔物。在上述及以下實施例之一或多者中，該空氣間隔物由該嵌入式絕緣層之一絕緣材料完全圍封。在上述及以下實施例之一或多者中，含有高於該基板之一量之一雜質的一含雜質區域安置於該空間與該基板之間。

根據本發明之另一態樣，在一種製造包含一FET之一半導體裝置的方法中，在一基板中形成一犧牲區域，在該基板上方形成一磊晶半導體層，且藉由蝕刻該磊晶半導體層、該犧牲區域及該基板之部分來形成一溝渠。該犧牲區域之一部分暴露於該溝渠中。藉由沿一第一方向橫向蝕刻該犧牲區域來形成一空間，藉由使用一絕緣材料填充該溝渠來形成一隔離絕緣層且藉由使用該絕緣材料填充該空間來形成一嵌入式絕緣層，且形成一閘極結構及一源極/汲極區域。該閘極結構沿該第一方向延伸，且該嵌入式絕緣層定位於該閘極結構下方。在上述及以下實施例之一或多者中，藉由一離子植入操作來形成該犧牲區域。在上述及以下實施例之一或多者中，該犧牲區域之一雜質量在自1×10¹⁹ 個原子/cm³ 至5×10²¹ 個原子/cm³ 之一範圍內。在上述及以下實施例之一或多者中，該磊晶半導體層之一厚度在自5 nm至100 nm之一範圍內。在上述及以下實施例之一或多者中，該嵌入式絕緣層包含一空氣間隔物，且該空氣間隔物之一寬度在平面圖中沿第一方向變動。在上述及以下實施例之一或多者中，該嵌入式絕緣層包含一空氣間隔物，且該空氣間隔物在平面圖中沿該第一方向在該源極/汲極區域下不連續。

根據本發明之另一態樣，一種包含一FET之半導體裝置包含：一隔離絕緣層，其安置於基板之一溝渠中；一閘極介電層，其安置於該基板之一通道區域上方；一閘極電極，其安置於該閘極介電層上方；一源極及一汲極，其等安置成相鄰於該通道區域；及一嵌入式絕緣層，其安置於該閘極電極下方且在切割該閘極電極之一中心的一橫截面中沿一源極至汲極方向與該隔離絕緣層分離。在上述及以下實施例之一或多者中，沿一閘極延伸方向之該嵌入式絕緣層之兩端連接至該隔離絕緣層。在上述及以下實施例之一或多者中，一空氣間隔物形成於該嵌入式絕緣層中。在上述及以下實施例之一或多者中，含有高於該基板之一量之一雜質的一含雜質區域安置於該嵌入式絕緣層與該基板之間。根據本發明之另一態樣，一種包含一FET之半導體裝置包含：一隔離絕緣層，其安置於基板之一溝渠中；一閘極介電層，其安置於該基板之一通道區域上方；一閘極電極，其安置於該閘極介電層上方；一源極及一汲極，其等安置成相鄰於該通道區域；及一嵌入式絕緣層，其安置於該源極、該汲極及該閘極電極下方，且該嵌入式絕緣層之兩端連接至該隔離絕緣層。在上述及以下實施例之一或多者中，沿一閘極延伸方向之該嵌入式絕緣層之兩端連接至該隔離絕緣層。在上述及以下實施例之一或多者中，該隔離絕緣層之一底部深於該嵌入式絕緣層之一底部。

上文已概述若干實施例或實例之特徵，使得熟習技術者可較佳理解本發明之態樣。熟悉技術者亦應意識到，此等等效建構不應背離本發明之精神及範疇，且其可在不背離本發明之精神及範疇的情況下對本文作出各種改變、替代及更改。

10:基板 12:通道區域 15:覆蓋層 18:第一遮罩圖案/遮罩層 18':第一遮罩圖案/遮罩層 18'':第一遮罩圖案 19:離子植入操作 20:犧牲區域/犧牲層 20':犧牲區域 20'':犧牲區域/犧牲層 21:熱程序/快速熱退火(RTA)/退火操作 25:磊晶半導體層 27:第二遮罩圖案 27':第二遮罩圖案 27'':第二遮罩圖案 30:隔離絕緣區域/隔離絕緣層/絕緣材料 35:溝渠 42:閘極介電層 44:閘極電極層/閘極電極 46:閘極側壁間隔物 50:源極/汲極擴散區域 52:矽化物層 55:源極/汲極延伸區域 100:空間 100':空間 100'':空間 110:空氣間隔物 110A:空氣間隔物 110B:空氣間隔物 110C:空氣間隔物 110D:空氣間隔物 150:嵌入式絕緣層 152:嵌入式絕緣層 154:嵌入式絕緣層 202:對準鍵 D:深度 D11:深度 D12:深度 D21:深度/厚度 D22:深度/接近量 D23:最小深度 D24:最小深度 D31:厚度/深度 D51:厚度 D52:間距 L31:長度 L32:長度 P:接近度 T:厚度 W11:寬度 W12:寬度 W21:寬度 W22:寬度 W31:寬度 W32:寬度 θ:角度

自結合附圖解讀之以下詳細描述最佳理解本發明之態樣。應強調，根據行業標準做法，各種構件未按比例繪製且僅用於說明。事實上，為使討論清楚，可任意增大或減小各種構件之尺寸。

圖1A展示根據本發明之實施例之一半導體裝置之一平面圖，且圖1B、圖1C、圖1D及圖1E展示半導體裝置之橫截面圖。

圖2A、圖2B及圖2C展示根據本發明之實施例之一半導體裝置之橫截面圖。

圖3展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖4展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖5展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖6展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖7展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖8展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖9展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖10展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖11展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖12展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖13展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖14展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖15展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之一者之一橫截面圖。

圖16展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一橫截面圖。

圖17展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一平面圖。

圖18A、圖18B、圖18C及圖18D展示根據本發明之各種實施例之半導體裝置之橫截面圖。

圖19、圖20、圖21、圖22、圖23及圖24展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之橫截面圖。

圖25A、圖25B、圖25C、圖25D及圖25E展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之平面圖。

圖26A、圖26B、圖27A、圖27B、圖28A、圖28B、圖29A、圖29B、圖30A、圖30B、圖31A及圖31B展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之橫截面圖。

圖32A、圖32B、圖32C、圖32D及圖32E展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之一製造操作之各種階段之平面圖。

圖33A及圖33B展示根據本發明之一實施例之一半導體裝置之各種組態之間的效能比較。

10:基板

12:通道區域

30:隔離絕緣區域/隔離絕緣層/絕緣材料

42:閘極介電層

44:閘極電極層/閘極電極

46:閘極側壁間隔物

50:源極/汲極擴散區域

55:源極/汲極延伸區域

100:空間

110:空氣間隔物

D11:深度

D12:深度

W11:寬度

W12:寬度

Claims

一種製造一場效電晶體(FET)，該方法包括：在一基板中形成一犧牲區域；在該犧牲區域形成後於該基板上方磊晶形成一半導體層；藉由蝕刻該半導體層及該基板形成一溝渠，該犧牲區域之一部分暴露於該溝渠中；藉由至少部分蝕刻該犧牲區域來形成一空間；藉由使用一絕緣材料填充該溝渠來形成一隔離絕緣層且藉由使用該絕緣材料填充該空間來形成一嵌入式絕緣層；及形成一含有閘極介電層及閘極電極之閘極結構及一源極/汲極區域，其中該嵌入式絕緣層定位於該閘極結構之一部分下方。
如請求項1之方法，其中藉由一離子植入操作來形成該犧牲區域。
如請求項1之方法，其中該至少部分蝕刻該犧牲區域包括使用一含氯氣體之一乾式蝕刻操作。
如請求項1之方法，其中該嵌入式絕緣層定位於該閘極結構下方。
如請求項1之方法，其中該嵌入式絕緣層連接隔離絕緣層。
一種半導體裝置，其包含一FET，該FET包括：一隔離絕緣層，其安置於基板之一溝渠中；一閘極介電層，其安置於該基板之一通道區域上方；一閘極電極，其安置於該閘極介電層上方；閘極側壁間隔物，其等安置於該閘極電極之相對側壁上；一源極及一汲極，其等安置成相鄰於該通道區域；及一嵌入式絕緣層，其安置於該閘極電極之中心處下方且在切割該閘極電極之一中心的一橫截面中沿一源極至汲極方向與該隔離絕緣層分離，其中沿一閘極延伸方向之該嵌入式絕緣層之兩端連接至該隔離絕緣層；及該嵌入式絕緣層之一源極側端，相較於該汲極，其較靠近該源極，且位於該側壁間隔物下方但不位於該源極下方，及該嵌入式絕緣層之一汲極側端，相較於該源極，其較靠近該汲極，且位於該側壁間隔物下方但不位於該汲極下方。
如請求項6之半導體裝置，其中一含雜質區域位於該嵌入式絕緣層與該基板之間，該含雜質區域含有之雜質含量高於該基板之雜質含量。
如請求項6之半導體裝置，其中一空氣間隔物形成於該嵌入式絕緣層中。
一種半導體裝置，其包含一FET，該FET包括：一隔離絕緣層，其安置於基板之一溝渠中；一閘極介電層，其安置於該基板之一通道區域上方；一閘極電極，其安置於該閘極介電層上方；一源極擴散區域及一汲極擴散區域，其等安置成相鄰於該通道區域；及一嵌入式絕緣層，其安置於該源極擴散區域、該汲極擴散區域及該閘極電極下方，且沿一源極至汲極方向之該嵌入式絕緣層之兩端連接至該隔離絕緣層，其中一空氣間隔物形成於該嵌入式絕緣層中，其中部分基板設置於該嵌入式絕緣層與該源極擴散區域之底部之間，以及該嵌入式絕緣層與該汲極擴散區域之底部之間。
如請求項9之半導體裝置，其中該隔離絕緣層之一底部深於該嵌入式絕緣層之一底部。