TWI805129B - 印刷基板中利用雷射加工形成切取部或切除部的方法 - Google Patents
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Abstract
一種印刷基板中利用雷射加工形成切取部或切除部的方法,該方法為:在一印刷基板的設計位置上,設定用以顯示符合設計尺寸的一切取部的形狀的一目標加工線,並以該目標加工線為基準設定複數輔助加工線,將雷射光由該等輔助加工線往該目標加工線依序照射而形成複數溝,該等溝由複數錐狀面形成,將相鄰的該等錐狀面重疊的範圍設定為等同於一平移量。藉由重覆地進行上述雷射光加工,並在將加工粉末或蒸汽從該切取部一側排出的同時,切斷該印刷基板,可使該印刷基板的切斷面平滑,並達到可在該印刷基板的切取部正確地安裝半導體等之功效。
Description
本發明是有關於一種印刷基板中形成切取部或切除部的方法,特別是指一種在單層或多層的印刷基板(以下稱為「印刷基板」)中,利用雷射加工形成用於在該印刷基板安裝具焊球端子的半導體或其他電子零件(以下稱為「半導體等」)的切取部或切除部的方法。
近年來,行動電話或個人電腦等電子製品的高性能化、薄型化以及小型化都有進展。
因此,安裝於該電子製品內的印刷基板也同樣需要高性能化、薄型化以及小型化。如此,在該印刷基板安裝半導體等等時,需要利用可進行更精密加工的雷射加工方法來形成切取部或切除部(參閱專利文獻1:日本特開2003-17828號公報)。
特別是,安裝於印刷基板的半導體等,會影響安裝有該半導體等的印刷基板全體的薄型化及小型化,因此該切取部及切除部特別需要高度的位置精度及尺寸精度。
然而,欲在印刷基板中以雷射加工在預定位置形成預定尺寸的切取部或切除部時,即使對該預定位置上設定為預定尺寸的預定切割線,照射多次具有低能量強度的雷射光以形成該切取部或切除部,也無法加工超過一定深度,從而無法形成切取部或切除部。因此,只能使用能量強度較高的雷射光。
然而,若是照射能量強度較高的雷射光,則其所照射的雷射光的熱,會在印刷基板的切割部,爆炸性地產生印刷基板的基材的加工粉末或蒸汽。
因此,在印刷基板的切割部的切割面會粗糙而失去平滑性,而且加工粉末或蒸汽會附著在印刷基板表面。
如此,由於上述雷射加工造成切割部的切割面不平滑,因此若要在該切取部或切除部安裝半導體等,也難以安裝在準確的位置,造成無法確保對該半導體等所要求的高位置精度或尺寸精度。
此外,在對上述印刷基板進行雷射加工時,若雷射光不只到達印刷基板,更到達下板,則其所產生的加工粉末或蒸汽會附著在印刷基板表面,更有導致印刷基板或安裝在該印刷基板上的電子製品故障的問題。
發明欲解決的課題:
本發明欲解決的課題,是解決在印刷基板中,以雷射加工形成用於安裝半導體等的切取部及切除部時,因雷射光的熱使切割部中的切割面不平滑,而造成不能確保在印刷基板的切取部或切除部安裝半導體等時所需要的高位置精度或尺寸精度的問題,以及印刷基板及載置該印刷基板的下板所產生的加工粉末或蒸汽附著於印刷基板表面,造成印刷基板及安裝於該印刷基板的電子製品本身發生故障的問題。
因此,本發明之目的,即在提供一種可解決上述課題的印刷基板中利用雷射加工形成切取部或切除部的方法。
為解決上述課題,本發明的第一個特徴,是:
在該印刷基板中,以雷射加工形成一切取部或一切除部(以下稱為「切取部等」)時。
在該印刷基板上的設計位置,設定用以顯示設計尺寸的該切取部或該切除部的一目標加工線S1。
以該目標加工線為基準,在雷射加工後成為製品之側的相反側,設定複數輔助加工線S2、…、Sn,n是該目標加工線與該等輔助加工線的合計數量。
將於該目標加工線S1及該等輔助加工線S2、…、Sn中,相互鄰接的該目標加工線S1及該等輔助加工線S2、…、Sn-1、Sn的各間隔距離,設定為等同於從該等輔助加工線Sn、Sn-1、…、S2往該目標加工線S1,依序照射雷射光而形成的複數縱截面大致呈V字形狀的溝中,由複數錐狀面所形成相鄰的縱截面大致呈V字形狀的該等溝中,相鄰的該等錐狀面間重疊的範圍。
藉由重覆地進行從該等輔助加工線S2、…、Sn-1、Sn中,離該目標加工線S1最遠的該輔助加工線Sn的位置開始,朝向該目標加工線S1的位置依序進行雷射加工(以下稱為「一個加工周期」),而最終地在該目標加工線S1的位置切斷該印刷基板,以形成該切取部或該切除部。
藉此,從離該目標加工線S1最遠的該輔助加工線Sn的位置開始,依序進行雷射加工時,由於照射的雷射光的中心的能量強度最高,使該輔助加工線Sn的位置處形成縱截面大致呈V字形狀的該溝。
接著,將下一條該輔助加工線Sn-1設定在一個平移量的位置,該平移量等同於,對該輔助加工線Sn-1照射雷射光所形成的縱截面大致呈V字形狀的該溝,與之前在該輔助加工線Sn處照射雷射光所形成的構成縱截面大致呈V字形狀的該溝的該等錐狀面中,相鄰的該等錐狀面所重疊的範圍。
因此,對該輔助加工線Sn-1的位置照射雷射光時,對該輔助加工線Sn-1的位置照射雷射光而形成的構成縱截面大致呈V字形狀的該溝的該等錐狀面,會與對該輔助加工線Sn的位置照射雷射光而形成的構成縱截面大致呈V字形狀的該溝當中的相鄰的該等錐狀面重疊並合體,而雖在約略同等的深度位置具有連續的頂點,但藉由重覆複數次上述加工周期,可使該印刷基板內的底面形成出一約略平坦且縱截面大致呈倒梯形的溝。
並且,從該輔助加工線Sn-2的位置往該目標加工線S1的位置同樣地依序照射雷射光,就會依序地形成出在約略同等的深度位置上具有頂点的縱截面大致呈倒梯形的該溝,而在該輔助加工線Sn處相反於該輔助加工線Sn-1之一側的該錐狀面、與在該目標加工線S1處相反於該輔助加工線S2的一側的該錐狀面,形成縱截面大致呈倒梯形的寬廣的溝。
由於形成此縱截面大致呈倒梯形的寬廣的溝,而可藉由重複地進行複數次上述從該輔助加工線Sn的位置開始往該目標加工線S1的位置的雷射加工的加工周期,在各加工線Sn、…S1的位置處所形成的縱截面大致呈V字形狀的該等溝會加深,最終可在該目標加工線S1的位置切斷該印刷基板。此時,視情況也可能在該等輔助加工線Sn、…、S2的位置發生該印刷基板的截斷,但該等截斷位置會導致該切取部等具有不必要的部分,因此,藉由最終在該目標加工線S1的位置處切斷該印刷基板,可以在該印刷基板預定的設計位置上,形成符合設計尺寸的該切取部等。
藉此,該印刷基板的該切取部等的切割,是對於該等輔助加工線Sn、…、S2及該目標加工線S1依序照射雷射光,並重複地進行此加工周期來達成。因此,可以藉由降低單次照射的雷射光的能量強度,以確保該印刷基板作為切斷面的該錐狀面之平滑度。
在該目標加工線S1的位置的雷射加工,是在藉由於該等輔助加工線Sn~S2的位置進行雷射加工,而於該印刷基板形成縱截面大致呈倒梯形狀的該溝的該等錐狀面中,在與相鄰的該等錐狀面重疊的範圍內進行的加工。而在此時,對該等加工線Sn至S1的位置照射雷射光所分別形成的連續的縱截面大致呈V字形狀的該等溝,構成了縱截面大致呈倒梯形狀的該溝,從該目標加工線S1一側來看,該倒梯形狀的該溝是偏向該輔助加工線Sn方面開口。因此,因雷射光的照射而產生於該印刷基板的加工粉末或蒸汽,大多會從該輔助加工線Sn側(也就是該印刷基板的該切取部等不作為製品的一側)排出,而在該印刷基板作為製品的一側則會較少,所以,該印刷基板作為製品一側不易產生咬邊,並可防止加工粉末或蒸汽附著於該印刷基板表面。
此外,該等輔助加工線的數量雖然會隨著該印刷基板的板厚或材質等而改變,但是主要是考慮雷射加工所需的作業時間與能量等要素的平衡,總計的數量(包含該目標加工線)以5~10條較合適。
也就是,當該目標加工線及該等輔助加工線合計未滿5條時,雷射加工的作業時間會縮短,但是在從該輔助加工線Sn往該目標加工線S1依序照射雷射光所形成的縱截面大致呈V字形狀的該等溝中的頂点的位置必須要更深,即雷射光的能量強度須提高,如此,會降低切割面的品質,而會造成作為製品的該印刷基板發生故障。
相對地,若該目標加工線及該等輔助加工線合計超過10條時,該目標加工線及該等輔助加工線間的平移量會較小,如此,雖然可降低雷射加工中雷射光的能量強度,但是會有加工周期的重複次數增加而延長作業時間的缺點。
此外,為了使從該輔助加工線Sn的位置往該目標加工線S1的位置依序照射雷射光所形成的縱截面大致呈倒梯形狀的該溝的底面因重複多次加工周期而成為約略平坦狀,該平移量必須要設定為等同於從該等輔助加工線Sn、Sn-1、…、S2往該目標加工線S1依序照射雷射光所形成的各縱截面大致呈V字形狀的該等溝中,構成相鄰的縱截面大致呈V字形狀的該等溝的該等錐狀面當中,相鄰的該等錐狀面間的重疊的範圍。
也就是,各加工線Sn至S1的該平移量,若是在從該等輔助加工線Sn、Sn-1、…、S2往該目標加工線S1依序照射雷射光所形成的各縱截面大致呈V字形狀的該等溝中,構成相鄰的縱截面大致呈V字形狀的該等溝的該等錐狀面當中,相鄰的該等錐狀面間重疊的範圍之外,則即便依序對該等輔助加工線及該目標加工線的各位置照射雷射光,也只是單純地對該印刷基板表面的各加工線位置照射雷射光,而在各加工線的位置加工同樣的形狀、深度的縱截面大致呈V字形狀的溝而已,如此,無法以照射雷射光來切割該印刷基板。
此外,該平移量是以占雷射光能量強度的通常86%的雷射光的點徑為基準,相當於±30%左右的數值。在此,該平移量是隨著加工材料的材質而改變,例如,若該加工材料的材質較硬,則該平移量調整為較窄(負向調整),而若為較軟,則平移量調整為較寬(正向調整)。
而且,雷射加工中的加工周期雖然是隨著該印刷基板的板厚或材質等而改變,但是主要考慮雷射加工所需的能量、作業時間、及該印刷基板的切割面的品質等要素的平衡,以20~100周期較妥當。
也就是,若加工周期未滿20周期,則雷射加工所需的作業時間會縮短,但是就必須提高雷射光的能量強度,而提高雷射光的能量強度會降低切割面的品質,就導致作為製品的該印刷基板發生故障。相對地,若加工周期超過100周期時,雷射光的能量強度可降低,雖然可防止切割面的品質低落,但是有過度地增加作業時間而提高製造成本的缺點。
根據第一特徴,其第二特徴是:
在載置該印刷基板的一下板的表面配設一排出溝,該排出溝是對應設置在該印刷基板所設定的該目標加工線S1及該等輔助加工線S2、…、Sn-1、Sn的位置的正下方。
如上,在載置該印刷基板的該下板的表面,在設置於該印刷基板的該目標加工線S1及該等輔助加工線S2、…、Sn的位置的正下方配設有該排出溝,因此當雷射光最終地在該目標加工線S1的位置切斷該印刷基板時,或是在該等輔助加工線Sn、…、S2的位置也發生該印刷基板的截斷時,因照射該下板而產生的大量的加工粉末或蒸汽,可收容在該排出溝內,而可抑制其從該印刷基板的切斷部噴出。
如此,可防止該加工粉末或蒸汽附著於該印刷基板表面,故可防止該印刷基板以及安裝在該印刷基板的電子製品發生故障。
在此,關於配設於該下板表面的該排出溝的深度及寬度的尺寸,考慮其與用於吸附並固定載置於該下板的該印刷基板的吸入口的干涉、因照射雷射光而產生於該下板的加工粉末或蒸汽的量、以及在將該印刷基板載置於該下板時所發生的誤差等要素之間的平衡,以各為1mm左右較妥當。
也就是,若該排出溝的深度及寬度的尺寸遠小於1mm,則其與用於吸附、固定載置於該下板的該印刷基板的吸入口的干涉會較小,而可提高設計該排出溝時的自由度,但是會有無法確實地收容加工粉末或蒸汽,以及難以對應將該印刷基板載置於該下板時該印刷基板與該下板之間所發生的誤差的狀況。相對地,若該排出溝的深度及寬度的尺寸遠大於1mm,則雖然可確實地收容加工粉末或蒸汽,且可確實地對應該印刷基板與該下板之間所發生的誤差,但是其與用於吸附、固定載置於該下板的該印刷基板的吸入口的干涉會增大,而有設計該排出溝時的自由度降低的缺點。
此外,配置於該下板的該排出溝的寬度或深度,相對於設定在該印刷基板的該目標加工線及該等輔助加工線的該平移量,可以視為很大的空間,因此有可能充分地收容因照射雷射光而產生於該下板的加工粉末或蒸汽,所以不必積極地另外特別設置用於將加工粉末或蒸汽排出到外部的機構。
不過,在該印刷基板形成該切除部時,該切除部的一面也會成為該印刷基板的端面,因此該排出溝的兩端必然地會形成開口,因此可將收容在該排出溝內的加工粉末或蒸汽從該排出溝兩端的開口自然地排出到外部。
本發明之功效在於:
本發明於切割印刷基板時,在目標加工線的位置因雷射加工所產生的縱截面大致呈V字形狀的溝的錐狀面,是與在複數條輔助加工線的位置照射雷射光所連續地形成的縱截面大致呈V字形狀的溝合體,結果形成為縱截面大致呈倒梯形狀的溝的一部分,因此可藉由多次照射能量強度低的雷射光,利用雷射光形成印刷基板的切取部等,而得到平滑的切斷面。而且,對各加工線的位置照射雷射光而從該印刷基板產生的加工粉末或蒸汽,是大多會從不作為製品的一側,也就是輔助加工線側排出,因此形成在印刷基板作為製品一側的切割面上的錐狀面可維持平滑,且可防止加工粉末或蒸汽附著於印刷基板表面,故印刷基板的切取部等可符合設計地形成於設計位置上,從而防止印刷基板故障。如此,能以高位置精度及高尺寸精度安裝半導體等,並且具有提高於印刷基板中以雷射加工形成切取部等的良率的優異效果。
並且,在對下板照射雷射光時,即使下板產生大量的加工粉末或蒸汽,此大量的加工粉末或蒸汽會收容在下板的排出溝內,因此可抑制該加工粉末或蒸汽從印刷基板的切斷部噴出。如此,可防止加工粉末或蒸汽附著於印刷基板的切斷面或印刷基板的表面,而具有可防止印刷基板或電子製品發生故障的優異效果。
在本發明被詳細描述前,應當注意在以下的說明內容中,類似的元件是以相同的編號來表示。
實施發明的形態:
本發明是對印刷基板以雷射加工形成用於安裝半導體等的切取部或切除部時,以設定在該印刷基板的設計位置上,用於形成符合設計尺寸的切取部等的目標加工線作為基準,在上述雷射加工後作為製品部分的相反側,從輔助加工線往目標加工線依序照射雷射光所形成的各縱截面大致呈V字形狀的溝中,是由錐狀面形成相鄰的縱截面大致呈V字形狀的溝,其中,相鄰的錐狀面會有重疊的範圍,以該重疊的範圍作為平移量來設定複數輔助加工線。然後,藉重覆地進行從離該目標加工線最遠的輔助加工線往目標加工線依序進行的雷射加工,並將該雷射加工所產生的加工粉末或蒸汽往輔助加工側排出,而最終地在目標加工線處切斷印刷基板,以在印刷基板的設計位置上形成符合設計尺寸的切取部及切除部。
實施例:
參閱圖1、圖3及圖4,圖1說明利用本發明的印刷基板中利用雷射加工形成切取部或切除部的方法,對板厚0.8mm的玻璃繊維強化環氧樹脂製的一印刷基板1,形成用於安裝半導體等的一切取部2。
在對於上述印刷基板1實施本發明時,在雷射加工機(未圖示)內的加工台(未圖示)上預先將該印刷基板1載置並固定於一下板9上,再進行雷射光的照射。
並且,上述下板9的表面上,配設有形狀相同的寬度及深度都是1mm的一排出溝10,此排出溝10對應位於後述配置於該印刷基板1的長方形狀的一目標加工線S1及複數輔助加工線S2、…、S5的正下方。
實施本發明的印刷基板中利用雷射加工形成切取部或切除部的方法,以在上述印刷基板1的設計位置上形成符合設計尺寸的該切取部2時,須進行以下程序:
首先,在上述印刷基板1上設定該目標加工線S1,該目標加工線S1指示形成符合設計尺寸的該切取部2的形狀。
接著,以上述目標加工線S1為基準,在利用雷射加工切取掉該切取部2的一側,也就是該印刷基板1不作為製品的一側,設定4條輔助加工線S2、…、S5。此時,總計為5條的該目標加工線S1與該等輔助加工線S2、…、S5,其各自的間隔距離(也就是一平移量的數值)是與從該等輔助加工線S5、S4、…、S2往該目標加工線S1依序照射雷射光而形成的後述各縱截面大致呈V字形狀的溝3、4、5、6、7中,由複數錐狀面3a’、3 a”、…、7a’、7a”形成相鄰的該等縱截面大致呈V字形狀的溝3、4、5、6、7,其中,相鄰的該等錐狀面3a”與4a’、4a”與5a’、…、6a”與7a’所重疊的範圍一致。換言之,該平移量的數值是設定為等同於上述重疊的範圍。在本實施例中,該平移量是設定為7µm。此外,該平移量可以全部為相同的數值或為不同數值,但在本實施例中是全部相同。
在此前提下,在設定於上述印刷基板1的合計五條該目標加工線S1及該等輔助加工線S2、…、S5中,是從離該目標加工線S1最遠的該輔助加工線S5的位置,開始朝向該目標加工線S1的位置依序進行雷射加工。此外,照射的雷射是UV(Ultraviolet)雷射(未圖示),其照射條件是雷射光的點徑為15µm,雷射頻率為50kHz,能量為100µj,而加工節距是10µm,且將加工周期定為50次。
因此,在該輔助加工線S5的位置,會因雷射光的熱而從該印刷基板1產生加工粉末或蒸汽。並且,因為雷射光的能量強度最高的中心,也就是雷射光中心,會到達該印刷基板1的最深位置,而形成一縱截面大致呈V字形狀的溝3,該溝3是由以到達的雷射光中心為頂點的2個錐狀面3a’、3a”所構成。
之後,對上述輔助加工線S4、S3、S2及該目標加工線S1的位置依序進行雷射加工。因為對上述輔助加工線S4、S3、S2及該目標加工線S1的位置分別照射雷射光,該雷射光的中心到達約略相同的深度位置,而以此到達的雷射光的中心為頂點,同樣地形成縱截面大致呈V字形狀的複數溝4、5、6、7。此時,因為該等輔助加工線S5~S2及該目標加工線S1間的各平移量,是設定為等同於從該等輔助加工線S5、S4、S3、S2往該目標加工線S1依序照射雷射光而形成的該等縱截面大致呈V字形狀的溝3、4、5、6、7中,由該等錐狀面3a’、3a”、…、7a’、7a”所形成的相鄰的縱截面大致呈V字形狀的該等溝3、4、5、6、7中,相鄰的該等錐狀面3a”與4a’、4a”與5a’、…、6a”與7a’間重疊的範圍一致。如此一來,因照射雷射光所形成的各縱截面大致呈V字形狀的該等溝4、…、7會與相鄰的該等溝合體。從該目標加工線S1一側來看,通過執行複數次的加工周期,形成一底面大致呈平坦狀且縱截面為倒梯形狀的溝8,朝向該輔助加工線S5側寬廣地開口。
而在從該印刷基板1切取該切取部2時,對上述輔助加工線S5、…、S2及該目標加工線S1,重覆地進行50次依序照射雷射光的加工周期。因此,可藉由降低單次照射雷射光的能量強度,以確保成為製品的該印刷基板1的切割面(也就是該錐狀面7a”)的平滑度。
此外,因對該印刷基板1照射雷射光而產生的加工粉末或蒸汽,大多會從該輔助加工線S5一側方向排出,而在其相反側的量會減少。如此一來,從該輔助加工線S5的位置開始往該目標加工線S1的位置依序進行雷射加工時,因對該印刷基板1照射雷射光而產生的加工粉末或蒸汽會主要從該輔助加工線S5一側,也就是主要會從該印刷基板1的該切取部2等的不會被使用作為製品的一側排出,而在該印刷基板1會被使用作為製品的一側上則會極為減少,因此該印刷基板1被使用作為製品的一側的切割面或表面不會附著加工粉末或蒸汽,且因其所產生的錐狀面的咬邊12也大部分形成在不會被使用作為製品的一側的該錐狀面3a’。因此,當最後該印刷基板1在該目標加工線S1的位置被切斷時,就可以在該印刷基板1的設計位置上形成符合設計尺寸而具有以該錐狀面7a”作為切斷面的該切取部2,並可以防止該印刷基板1本身或安裝在其上的半導體等發生故障。
如此,當最後該印刷基板1在該目標加工線S1的位置被切割時,就可以在該印刷基板1的設計位置上形成符合設計尺寸而具有以該錐狀面7a”作為切斷面的該切取部2,而且該切取部2的切斷面仍然維持平滑,所以可以在此切取部2正確地安裝半導體。
並且,在利用雷射照射切割該印刷基板1時,即便雷射光照射到該下板9而產生大量的加工粉末或蒸汽時,由於該下板9的表面配設有該排出溝10,此排出溝10是設置在合計有五條的該目標加工線S1及該等輔助加工線S2、…、S5的正下方。
因此,上述加工粉末或蒸汽將會收容在該排出溝10內,不會從該印刷基板1的切割部噴出,所以可以確實地防止其附著在該印刷基板1的切割部或表面上。
此外,配設於該下板9的該排出溝10的寬度及深度是1mm,比合計有五條的該目標加工線S1及該等輔助加工線S2~S5的寬度大很多,所以可以將該排出溝10本身視為很大的空間,所以不必另外增設用於將加工粉末或蒸汽排出到外部的機構。
參閱圖2,在該印刷基板1形成一切除部2’時,其構造上,配設於一下板9’的一排出溝10’的兩端必然地會形成朝向外部開口的二排出口11,因此可將收容在該排出溝10’內的加工粉末或蒸汽從該等排出口11自然地排出到外部。
產業上的利用可能性:
藉由重覆地進行從設定在印刷基板的輔助加工線朝向目標加工線依序進行雷射加工的加工周期,來切割印刷基板,可在正確的位置形成正確尺寸的切取部等,且可確保其切斷部的錐狀面平滑。因此,可以在任何材質的印刷基板的設計位置上形成符合設計尺寸的切取部及切除部,所以可以在該切取部及切除部正確地安裝半導體等,故可以適用於對安裝在任何電子製品上的印刷基板進行雷射加工的装置。
綜上所述,本發明印刷基板中利用雷射加工形成切取部或切除部的方法,確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者,僅為本發明之實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1:印刷基板
2:切取部
2’:切除部
3,4,5,6,7:縱截面大致呈V字形狀的溝
3a’,3a”:錐狀面
4a’,4a”:錐狀面
5a’,5a”:錐狀面
6a’,6a”:錐狀面
7a’,7a”:錐狀面
8:縱截面大致呈倒梯形狀的溝
9,9’:下板
10,10’:排出溝
11:排出口
12:咬邊
S1:目標加工線
S2,S3,S4,S5:輔助加工線
本發明之其他的特徵及功效,將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現,其中:
圖1是進行切取加工的一印刷基板的正面圖;
圖2是進行切除加工的一印刷基板的正面圖;
圖3是圖1中A-A線處的部分放大截面圖;
圖4是顯示該印刷基板的加工周期的示意圖;及
圖5是顯示對該印刷基板形成一切取部的最終加工周期的示意圖。
1:印刷基板
3,4,5,6,7:縱截面大致呈V字形狀的溝
3a’,3a”:錐狀面
4a’,4a”:錐狀面
5a’,5a”:錐狀面
6a’,6a”:錐狀面
7a’,7a”:錐狀面
8:縱截面大致呈倒梯形狀的溝
9:下板
10:排出溝
12:咬邊
S1:目標加工線
S2,S3,S4,S5:輔助加工線
Claims (2)
- 一種印刷基板中利用雷射加工形成切取部或切除部的方法,其特徵在於: 在該印刷基板中,以雷射加工形成一切取部或一切除部時; 在該印刷基板上的設計位置,設定用以顯示設計尺寸的該切取部或該切除部的一目標加工線S1; 以該目標加工線為基準,在雷射加工後成為製品之側的相反側,設定複數輔助加工線S2、…、Sn,n是該目標加工線與該等輔助加工線的合計數量; 將於該目標加工線S1及該等輔助加工線S2、…、Sn中,相互鄰接的該目標加工線S1及該等輔助加工線S2、…、Sn-1、Sn的各間隔距離,設定為等同於從該等輔助加工線Sn、Sn-1、…、S2往該目標加工線S1,依序照射雷射光而形成的複數縱截面大致呈V字形狀的溝中,由複數錐狀面所形成相鄰的縱截面大致呈V字形狀的該等溝中,相鄰的該等錐狀面間重疊的範圍; 藉由重覆地進行從該等輔助加工線S2、…、Sn-1、Sn中,離該目標加工線S1最遠的該輔助加工線Sn的位置開始,朝向該目標加工線S1的位置依序進行雷射加工,而最終地在該目標加工線S1的位置切斷該印刷基板,以形成該切取部或該切除部。
- 如請求項1所述的印刷基板中利用雷射加工形成切取部或切除部的方法,其中,在載置該印刷基板的一下板的表面配設一排出溝,該排出溝是對應設置在該印刷基板所設定的該目標加工線S1及該等輔助加工線S2、…、Sn-1、Sn的位置的正下方。
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---|---|---|---|---|
WO2011052207A1 (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | パナソニック電工株式会社 | 回路基板、及び前記回路基板の製造方法 |
TW202020074A (zh) * | 2018-11-15 | 2020-06-01 | 日商東京應化工業股份有限公司 | 電漿切割用保護膜形成劑及半導體晶片之製造方法 |
TW202113471A (zh) * | 2015-02-03 | 2021-04-01 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 雷射用遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法、蒸鍍遮罩製造裝置及有機半導體元件之製造方法 |
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2022
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- 2022-03-24 KR KR1020220036521A patent/KR20220142345A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
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