TWI803934B - 雷射處理系統及其方法 - Google Patents

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TWI803934B TW110129516A TW110129516A TWI803934B TW I803934 B TWI803934 B TW I803934B TW 110129516 A TW110129516 A TW 110129516A TW 110129516 A TW110129516 A TW 110129516A TW I803934 B TWI803934 B TW I803934B
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柳相吉
俞成周
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Abstract

根據本發明之一實施例之雷射處理系統包括：雷射單元，該雷射單元發射雷射光束；光學單元，該光學單元安置在該雷射光束之傳播路徑上且將該入射雷射光束調變成貝塞爾光束；載物台，將要以自該光學單元發射的該貝塞爾光束處理的工件安裝在該載物台上；以及控制單元，該控制單元用於控制該雷射單元、該光學單元，及該載物台之操作，其中該光學單元經組配來將該發射的貝塞爾光束之焦線定位在該工件上且使定位在該工件上的該焦線以預定範圍移動。

Description

雷射處理系統及其方法
發明領域
本發明係關於用於使用雷射處理工件之處理系統及處理方法。
發明背景
雷射廣泛地使用於處理，諸如使用於切割處理物件或形成孔。
一般而言，在使用雷射的處理中，諸如透鏡的光學元件用來形成適合於處理工件的所要形狀之雷射光束，且形成的雷射光束經照射至工件。
具體而言，雷射光束可有效地使用於處理，該處理諸如難以處理的諸如透明玻璃基板之易碎材料之切割，或孔之鑽孔。然而，在玻璃基板之切割操作期間，裂縫藉由雷射產生於工件中且裂縫傳播，藉此切割工件。因此，存在裂縫可非均勻地產生且切開表面不平的問題。
另外，因為準確過程在使用雷射的大區域之玻璃基板之切割中為困難的，且花費大量工作時間，所以在自由形狀處理中存在困難。
發明概要
本發明之一個態樣將提供能夠藉由使用雷射光束來以高速度處理 工件(將要處理的物件)的系統及方法。
根據本發明之一實施例之雷射處理系統包括：雷射單元，該雷射單元發射雷射光束；光學單元，該光學單元安置在該雷射光束之傳播路徑上且將該入射雷射光束調變為貝塞爾光束；載物台，將要以自該光學單元發射的該貝塞爾光束處理的工件安裝在該載物台上；以及控制單元，該控制單元用於控制該雷射單元、該光學單元，及該載物台之操作，其中該光學單元經組配來將該發射的貝塞爾光束之焦線定位在該工件上且使定位在該工件上的該焦線在預定範圍內移動。
該光學單元可將該發射的貝塞爾光束之該焦線與該工件之該已處理的表面之間的角度維持在80度至100度之範圍內。
該光學單元可包括第一光學單元，該第一光學單元將該入射雷射光束調變成該貝塞爾光束；及第二光學單元，該第二光學單元使該發射的貝塞爾光束之該焦線在與該工件上的該焦線相交之方向上移動。
該第一光學單元可包括第一光學元件及第二光學元件，該第一光學元件將該入射雷射光束調變成貝塞爾光束，及該第二光學元件使通過該第一光學元件的該貝塞爾光束之光軸平行地前進。
該第二光學單元可包括掃描器及聚焦透鏡，該掃描器使已通過該第一光學單元的該貝塞爾光束之路徑移動，及該聚焦透鏡將自該掃描器發射的該貝塞爾光束之該焦線定位在該工件上。
該控制單元可驅動該掃描器，使得該發射的貝塞爾光束之該焦線在至少兩個軸線方向上移動，且同時在該等至少兩個軸線方向上驅動該載物台。
進入該掃描器的該貝塞爾光束之直徑可為3mm至30mm。
該聚焦透鏡之焦距可為10mm至300mm。
自該掃描器發射的該貝塞爾光束之該焦線在該工件上移動的距離可為1μm至30mm。
該掃描器可包括多個鏡，該等鏡的角度藉由該控制單元調節。
該工件可呈平板之形式。
另一方面，根據本發明之一實施例，作為藉由照射雷射光束來處理工件之方法的雷射處理方法包括下列步驟：將具有垂直於該雷射光束之方向的橫截面的該雷射光束調變成具有環形橫截面的貝塞爾光束；以及將該貝塞爾光束照射至該工件且在該貝塞爾光束之焦線係定位在將要處理的該工件上時處理該工件，且在該處理中，定位在該工件上的該貝塞爾光束之該焦線移動。
在該處理中，該工件可移動且該貝塞爾光束之該焦線可同時移動。
該處理可包括設定對應於用以處理工件之形狀的處理路徑，將處理路徑分離成一第一路徑和一第二路徑，該貝塞爾光束之該焦線透過該第一路徑移動而該工件透過該第二路徑移動，及使該貝塞爾光束之該焦線移動至該第一路徑且同時使該工件移動至該第二路徑，藉此沿該處理路徑處理該工件。
在該處理中，該貝塞爾光束之該焦線與該工件之該已處理的表面之間的角度係可維持在80度至100度之範圍內。
在該處理中，定位在該工件上的該貝塞爾光束之該焦線移動的距離可為1μm至30mm。
該處理可包括使藉由調整定位在該貝塞爾光束之路徑上的該鏡之該角度所反射的該貝塞爾光束之路徑移動以供掃描用，及將該反射的貝塞爾光束聚焦至該工件上。
在該掃描中，入射至該鏡的該貝塞爾光束之直徑可為3mm至30 mm。
在該聚焦中，焦距可為10mm至300mm。
根據本發明之一實施例，藉由將雷射光束調變成貝塞爾光束，有可能精密地處理工件。
另外，工件可藉由使該貝塞爾光束掃描以擴充照射區域來以高速度加以處理。
另外，藉由將掃描貝塞爾光束入射在已處理表面上的角度維持為接近於垂直，處理品質可經改良。
此外，藉由同時控制貝塞爾光束及工件之移動，可處理精確形狀且可節約處理時間。
另外，藉由掃描器與載物台之間的同步化技術，有可能處理，而不考慮工件之大小。
10:雷射處理系統
50:工件
100:雷射單元
200:光學單元
210:第一光學單元
211:第一光學元件
212:第二光學元件
220:第二光學單元
221:掃描器
222:聚焦透鏡
300:載物台
400:控制單元
LB:雷射光束
BB:貝塞爾光束
FL:焦線
IV:部分
BL:已處理表面
PL:處理路徑
PL1:第一處理路徑
PL2:第一處理路徑
圖1為根據本發明之一實施例之雷射處理系統的示意圖。
圖2為示出根據本發明之一實施例之雷射處理系統之光學單元的視圖。
圖3為示出貫穿根據本發明之一實施例之雷射處理系統之中的光學單元掃描的狀態的視圖。
圖4為圖3之部分IV的放大視圖。
圖5為例示根據本發明之一實施例的藉由雷射處理方法處理工件(將要處理的物件)的過程的視圖。
較佳實施例之詳細說明
在下文中，本發明之實施例將參考伴隨圖式予以詳細描述，使得熟習本發明所屬之技術的技術者可實現本發明。如熟習此項技術者將實現，所描述的實施例可以各種不同方式加以修改，而全部不脫離本發明之範疇。
圖式及描述將被視為本質上說明性的且非限制性的。相同元件符號貫穿說明書指定相同元件。
此外，因為伴隨圖式中所示之構成構件之大小及厚度係出於更好的理解及描述之容易性而任意給出，所以本發明不限於所例示之大小及厚度。
遍及本說明書及以下申請專利範圍，當描述元件「耦接」至另一元件時，元件可「直接耦接」至另一元件或藉由第三元件「電氣地耦接」至另一元件。另外，除非明確地相反描述，否則字語「包含(comprise)」及諸如包含(「comprises」或「comprising」)之變化將理解為隱含所述元件之包括而非任何其他元件之排除。
在本說明書中，「前」及「後」係基於光束傳播方向加以命名，且存取工件之方向界定為「後」。
圖1為根據本發明之一實施例之雷射處理系統的示意圖。
參考圖1，根據本發明之一實施例之雷射處理系統10包括雷射單元100、光學單元200、載物台300，及控制單元400。
在雷射處理系統10中，自雷射單元100發射的雷射光束LB藉由光學單元200調變成貝塞耳(Bessel)光束BB形狀，且貝塞爾光束BB經照射至固定至載物台300的工件50以處理工件50。此時，根據本發明之一實施例，照射至工件50的貝塞爾光束BB可在掃描工件50之預定範圍時以高速度處理工件50。另外，藉由控制單元400，光束BB掃描且載物台300同時經驅動，使得高速及精確處理為可能的。在下文中，詳細描述根據本發明之一實施例之雷射處理系統10之每個 組態。
雷射單元100經組配以發射用於處理工件50之雷射光束LB，且可產生具有將以一形式的光束發射的預定脈衝的雷射光束。在此狀況下，發射的雷射光束LB可具有一脈衝(例如，超短脈衝)或一叢發脈衝，該脈衝或該叢發脈衝具有適合於處理工件50的波長、能量，及持續時間。另外，當在行進方向(垂直於行進方向的橫截面)上觀察時，雷射光束LB可具有圓形形狀或高斯光束形狀。
在此，工件50可具有平板形狀，例如，透明玻璃基板。然而，工件50不限於透明玻璃基板，且可包括諸如不透明基板、金屬材料，及半導體晶圓的各種材料。
圖2為示出根據本發明之一實施例之雷射處理系統之光學單元的視圖，且圖3為示出貫穿根據本發明之一實施例之雷射處理系統之中的光學單元掃描的狀態的視圖。另外，圖4為圖3之部分IV的放大視圖。
光學單元200安置在自雷射單元100發射的雷射光束LB之傳播路徑上且經組配來將入射雷射光束LB調變至貝塞爾光束BB。根據本發明之一實施例，光學單元200可經組配來藉由預定範圍移動定位在工件50上的焦線FL，而將發射的光束BB之焦線FL定位在工件50上。參考圖3及圖4，本說明書中之「焦線FL」意味入射在工件上的貝塞爾光束之聚光長度或聚焦深度。
參考圖1及圖2，光學單元200可包括第一光學單元210及第二光學單元220。
第一光學單元210為將雷射光束LB調變成貝塞爾光束BB的光學單元，且可包括第一光學元件211及第二光學元件212，該第二光學元件安置至第一光學元件211後方。
第一光學元件211可為用於將雷射光束LB調變成貝塞爾光束BB的 繞射元件，例如圓錐形稜鏡或旋轉三稜鏡透鏡。因此，在雷射光束LB在通過第一光學元件211時經繞射時(當在光束傳播方向，或垂直於光束傳播方向的橫截面上觀察時)，該雷射光束可經調變成環形(環狀)貝塞爾光束BB。然而，第一光學元件211不限於圓錐形稜鏡或旋轉三稜鏡透鏡，且能夠將雷射光束LB調變成貝塞爾光束BB的各種光學元件可經使用。
參考圖2，在雷射光束LB通過第一光學元件211且經調變成貝塞爾光束BB之後，能夠限制適合於加工工件50的貝塞爾光束BB之區域之擴大的第二光學元件212可經提供在第一光學元件211背後。亦即，第二光學元件212可為用於使自第一光學元件211發射的貝塞爾光束BB之光軸平行地前進的光學元件，例如一準直透鏡。通過第二光學元件212的貝塞爾光束BB之光軸可經平行地配置，且然後入射至第二光學單元220。
根據本發明之一實施例，以上所述第一光學元件211及第二光學元件212可關於各自光學性質、佈置間隔等適當地選擇或調節，藉此將要入射至第二光學單元220或掃描器221的通過第二光學元件212的貝塞爾光束BB之直徑可在3mm至30mm之範圍內。
第二光學單元220經組配以移動工件50上的發射光束BB之焦線FL，且可包括掃描器221及聚焦透鏡222。根據本發明之一實施例，藉由第二光學單元220發射的貝塞爾光束BB之焦線FL可經定位在工件50上，且焦線FL可在與焦線FL相交的方向上移動而保持定位在工件50上，且因此，工件50可在使貝塞爾光束BB在工件50上的預定範圍內掃描時經加工。
參考圖2，掃描器221可使通過第一光學單元210的貝塞爾光束BB之路徑移動。更詳細地，掃描器221可在預定角度範圍內連續地改變入射貝塞爾光束BB之光軸方向，且藉此，掃描器221可使發射的貝塞爾光束BB在預定範圍 內掃描。
根據本發明之一實施例，掃描器221可包括角度經調節的多個鏡。因此，入射至掃描器221的貝塞爾光束BB藉由多個鏡反射，且藉由調節鏡之角度，反射貝塞爾光束BB之反射角度可經調節。例如，掃描器221可包括至少兩個鏡，該等至少兩個鏡為分別沿在至少兩個軸線方向上佈置的旋轉軸線可旋轉的，且可經組配為例如電鏡(galvano mirror)。然而，掃描器221之組態不限於電流計，且可包括能夠使發射貝塞爾光束BB在預定區域範圍內掃描的各種裝置。
路徑藉由掃描器221改變的貝塞爾光束BB可藉由聚焦透鏡222聚焦在工件50上。聚焦透鏡222可安置在掃描器221與工件50之間，且自掃描器221發射的貝塞爾光束BB之焦線FL可定位在工件50上。如稍後將描述，聚焦透鏡222可保持貝塞爾光束BB之焦線FL儘可能垂直於工件之已處理表面BL。
參考圖2至圖4，貝塞爾光束BB藉由聚焦透鏡222聚焦，使得貝塞爾光束BB之焦線FL可定位在工件50之已處理表面BL上。根據本發明之一實施例，聚焦透鏡222之焦距可經組配在10mm至300mm之範圍內。因此，工件50可經定位且加工為藉由對應於聚焦透鏡222之焦距的距離間隔開。
在圖2至圖4中，工件50之已處理表面藉由元件符號BL指示。在此，已處理表面BL並不意味工件50之處理開始的外側，但該已處理表面意味包括將要在工件50上處理的部分之中的任意點的虛擬表面。工件50可具有預定厚度，且取決於處理方法，定位在工件50上的貝塞爾光束BB之焦線FL可定位在工件50之整體厚度或工件50之厚度之僅一部分上。
根據本發明之一實施例，在自光學單元200發射的貝塞爾光束BB之焦線FL定位在工件50上的狀態中，藉由移動定位在工件50上的貝塞爾光束BB之焦線FL，工件50之預定範圍可經掃描。在此狀況下，貝塞爾光束BB之焦線FL 定位在工件50上的狀態可經維持，且貝塞爾光束BB之焦線FL在工件50上(或在已處理表面上)移動的距離可為1μm至30mm之範圍。在此，移動距離為在一個方向(例如，圖5中之x軸方向或y軸方向)上的移動距離。例如，當貝塞爾光束BB之焦線FL在兩個軸線方向(x方向及y軸方向)上移動時，貝塞爾光束BB可在掃描工件50之x軸線及y軸線上的預定範圍時處理。
參考圖3及圖4，定位在工件50上的光束BB之焦線FL與工件之已處理表面BL之間的角度θ可接近於90度。更具體而言，根據本發明之一實施例，在貝塞爾光束BB之焦線FL在工件50上的預定範圍內移動(掃描)時，光束BB之焦線FL與工件之已處理表面BL之間的角度θ可經維持在80度至100度之範圍內。
亦即，儘管貝塞爾光束BB之焦線FL藉由掃描器221在工件之已處理表面BL上掃描，但貝塞爾光束BB之焦線FL與工件之已處理表面BL之間的角度θ可經維持在80度至100度之範圍內。亦即，通過聚焦透鏡222的貝塞爾光束BB以接近於垂直的角度入射在工件之已處理表面BL上，且偏離垂直方向的角度可經維持在10度或更小之範圍內。在根據本發明之一實施例之雷射處理系統10中，藉由為繞射元件的第一光學元件211產生的貝塞爾光束BB在預定處理位置及範圍內引起干涉效應，且維持特性均勻地影響處理品質。因此，出於優良的及均勻的處理品質，如何維持入射在工件50之已處理表面上的干涉光束之垂直角度為重要的。根據本發明之一實施例，在定位在工件50上的貝塞爾光束BB之焦線FL掃描工件之已處理表面時，因為與工件之已處理表面BL形成的角度θ經維持在80度至100度之範圍內，所以可能在執行高速處理時維持優良的及均勻的處理品質。
根據本發明之一實施例，工件50可固定至載物台300。亦即，載物台300為工件50經安裝以固定工件50之位置的部分。
參考圖1，以上所述雷射單元100、光學單元200，及載物台300可藉由控制單元400控制。
控制單元400可調節藉由雷射單元100產生的雷射光束LB之脈衝之波長、能量，及持續時間，以匹配工件50之特性。
另外，控制單元400可驅動掃描器221以使入射在工件50上的貝塞爾光束BB移動。根據本發明之一實施例，控制單元400可驅動掃描器221以使貝塞爾光束BB之焦線FL在已處理表面BL上的至少兩個軸線(x軸及y軸)方向上移動。例如，當掃描器221包括繞佈置在至少兩個軸線方向上的旋轉軸線可樞轉地旋轉的多個鏡時，控制單元400可控制用於使多個鏡中之每一個在預定角度範圍內旋轉的驅動構件(例如，驅動馬達)。藉此，貝塞爾光束BB之焦線FL沿已處理表面BL上的x軸及y軸移動，使得預定範圍可經掃描。
另外，控制單元400可使工件50所固定到的載物台300移動。根據本發明之一實施例，控制單元400可驅動掃描器221且同時驅動載物台300。例如，控制單元400可使鏡在預定角度範圍內以高速度旋轉使得掃描器221之鏡之角度經連續地調節，且同時在至少兩個軸線(x軸及y軸)方向上以低速度驅動載物台300。在此，載物台300(與掃描器相比)具有緩慢回應且以低速度驅動且可具有寬處理區域，而掃描器221(與載物台相比)具有快速回應且以高速度驅動且可具有窄處理區域。因此，本發明之一實施例與藉由僅移動載物台300來處理工件之習知方法相比，藉由同時控制載物台300及掃描器221致能更精密的過程且節約處理時間。另外，藉由同時同步化及控制載物台300及掃描器221，處理可經執行，而不考慮工件之大小。
接下來，描述藉由使用根據本發明之一實施例之以上所述雷射處理系統來處理工件之方法。
圖5為示出根據本發明之一實施例的藉由雷射處理方法處理工件的過程的視圖。圖5示出處理形狀之過程，且示出處理自左向右進行。
參考圖5，為處理工件50中的最終四角形處理路徑PL，藉由掃描器221之驅動的第一處理路徑PL1及藉由載物台300之驅動的第二處理路徑PL2可經同時執行。亦即，當僅載物台300經移動以用於最終四角形之處理路徑PL時，即使控制信號經自控制單元400(參考圖1)傳輸至載物台300，由於回應及移動速度(加速度)之限制，處理品質可在諸如最終四角形處理路徑PL之邊緣的區域中劣化。然而，根據本發明之一實施例，控制單元400控制在寬處理區域中移動的載物台300且同時控制在相對窄的處理區域中移動時具有回應性及快速移動速度(加速度)的掃描器221(例如，圍繞旋轉軸線樞轉且旋轉的鏡)，藉此具有改良之品質而降低處理時間的最終處理路徑PL可經處理。
例如，為實現x軸及y軸之二維最終處理路徑PL，自控制單元400傳輸至載物台300及掃描器221的電氣控制信號可藉由濾波器分離成高頻分量及低頻分量。在此，高頻分量可為第一處理路徑PL1之信號，且可傳輸至掃描器221，該第一處理路徑為高速移動路徑。另外，低頻分量可為第二處理路徑PL2之信號，且可傳輸至載物台300，該第二處理路徑為低速移動路徑。如以上所述，根據本發明之一實施例，因為控制單元400同時控制掃描器221及載物台300，所以藉由掃描器221之第一處理路徑PL1及藉由載物台300之第二處理路徑PL2可經組合以處理最終處理路徑PL。
同時，因為掃描器221及載物台300經同時同步化且控制，所以處理可經執行，而不限於掃描器221之視場(field of view，FOV)。所以，根據本發明之一實施例，藉由同步化及同時控制載物台300及掃描器221，可能精密地處理工件，而不考慮工件之大小。
如以上所述，根據本發明之一實施例，藉由將雷射光束LB調變至貝塞爾光束BB，諸如玻璃基板之工件50可經精密地處理。此時，工件50可藉由使照射至工件50的貝塞爾光束BB掃描且擴充照射區域來以高速度加以處理。另外，藉由同時控制貝塞爾光束BB及工件50之移動，可加工精確形狀且可節約處理時間。
雖然本發明已關於目前視為實際實施例的事物予以描述，但應理解，本發明不限於所揭示之實施例。相反，意欲涵蓋包括在所附申請專利範圍之範疇內的各種修改及等效佈置。
10:雷射處理系統
50:工件
100:雷射單元
200:光學單元
300:載物台
400:控制單元
LB:雷射光束
BB:貝塞爾光束

Claims (16)

  1. 一種雷射處理系統，包含：一雷射單元，該雷射單元發射一雷射光束；一光學單元，該光學單元安置在該雷射光束之一傳播路徑上且將入射雷射光束調變成一貝塞爾光束；一載物台，將要以自該光學單元發射的該貝塞爾光束處理的一工件安裝在該載物台上；以及一控制單元，該控制單元用於控制該雷射單元、該光學單元，及該載物台之操作，其中該光學單元經組配來將該發射的貝塞爾光束之一焦線定位在該工件上且使定位在該工件上的該焦線在一預定範圍內移動，其中該光學單元經組配來將發射的貝塞爾光束之該焦線與該工件之該已處理的表面之間的角度維持在80度至100度之範圍內，其中該控制單元經組配來同步化該載物台及該光學單元，俾以驅動該光學單元，使得該發射的貝塞爾光束之該焦線在至少兩個軸線方向上掃描，且同時在該等至少兩個軸線方向上驅動該載物台。
  2. 如請求項1之雷射處理系統，其中，該光學單元包括：一第一光學單元，該第一光學單元將該入射雷射光束調變成該貝塞爾光束，及一第二光學單元，該第二光學單元使該發射的貝塞爾光束之該焦線在與該工件上的該焦線相交之一方向上移動。
  3. 如請求項2之雷射處理系統，其中： 該第一光學單元包括一第一光學元件及一第二光學元件，該第一光學元件將該入射雷射光束調變成一貝塞爾光束，及該第二光學元件使通過該第一光學元件的該貝塞爾光束之光軸平行地前進。
  4. 如請求項2之雷射處理系統，其中：該第二光學單元包括一掃描器及一聚焦透鏡，該掃描器使已通過該第一光學單元的該貝塞爾光束之路徑移動，及該聚焦透鏡將自該掃描器發射的該貝塞爾光束之該焦線定位在該工件上。
  5. 如請求項4之雷射處理系統，其中：該控制單元驅動該掃描器，使得該發射的貝塞爾光束之該焦線在該等至少兩個軸線方向上移動，且同時在該等至少兩個軸線方向上驅動該載物台。
  6. 如請求項4之雷射處理系統，其中：進入該掃描器的該貝塞爾光束之直徑為3mm至30mm。
  7. 如請求項4之雷射處理系統，其中：該聚焦透鏡之焦距為10mm至300mm。
  8. 如請求項4之雷射處理系統，其中：自該掃描器發射的該貝塞爾光束之該焦線在該工件上移動的距離為1μm至30mm。
  9. 如請求項4之雷射處理系統，其中：該掃描器包括多個鏡，該等鏡的角度藉由該控制單元調節。
  10. 如請求項1之雷射處理系統，其中：該工件為一平板之一形式。
  11. 一種雷射處理方法，該雷射處理方法作為藉由照射一雷射光束來處理一工件之一方法，該雷射處理方法包含下列步驟： 將具有垂直於該雷射光束之一方向的一圓形橫截面之該雷射光束調變成具有一環形橫截面之一貝塞爾光束；以及將該貝塞爾光束照射至該工件，且在該貝塞爾光束之一焦線係定位在將要處理的該工件上時處理該工件，且在該處理中，藉由同步化該工件的一移動和該貝塞爾光束之該焦線的一移動，該工件移動而同時定位在該工件上的該貝塞爾光束之該焦線移動，以及該貝塞爾光束之該焦線與該工件之已處理的表面之間的角度維持在80度至100度之範圍內。
  12. 如請求項11之雷射處理方法，其中，該處理包括：設定對應於用以處理該工件之形狀的一處理路徑，將預定的該處理路徑分離成一第一路徑和一第二路徑，該貝塞爾光束之該焦線透過該第一路徑移動，而該工件透過該第二路徑移動，及使該貝塞爾光束之該焦線移動至該第一路徑且同時使該工件移動至該第二路徑，藉此沿該處理路徑處理該工件。
  13. 如請求項11之雷射處理方法，其中，在該處理中，定位在該工件上的該貝塞爾光束之該焦線在該工件上移動的該距離為1μm至30mm。
  14. 如請求項11之雷射處理方法，其中，該處理包括：使藉由調整定位在該貝塞爾光束之該路徑上的該鏡之該角度所反射的該貝塞爾光束之該路徑移動以供掃描用，及 將反射的該貝塞爾光束聚焦至該工件上。
  15. 如請求項14之雷射處理方法，其中：在該掃描中，入射至該鏡的該貝塞爾光束之直徑為3mm至30mm。
  16. 如請求項14之雷射處理方法，其中：在該聚焦中，一焦距為10mm至300mm。
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