TWI802580B - 適用於檢測輻射的裝置、包括其的系統及電子顯微鏡和用於檢測輻射的方法 - Google Patents

適用於檢測輻射的裝置、包括其的系統及電子顯微鏡和用於檢測輻射的方法 Download PDF

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Abstract

本文公開適用於檢測輻射的裝置，其包括：多個圖元，其被配置為基於暴露於輻射產生電信號；電子系統，其被配置為讀出所述電信號；其中，所述電子系統包括第一記憶體和第二記憶體；其中所述第一記憶體被配置為：存儲代表由與所述第一記憶體相關聯的圖元所產生的電信號的多個數據位；其中，所述電子系統被配置為：將所述多個數據位中的子集位，從所述第一記憶體傳送所述第二記憶體；其中，所述電子系統被配置為：將所述子集位從所述第二記憶體傳送到總線。

Description

適用於檢測輻射的裝置、包括其的系統及電子顯微鏡和用於檢測輻射的方法
本發明涉及適於檢測輻射的裝置，以及從所述裝置輸出數據的方法。
輻射檢測器是測量輻射特性的裝置。所述屬性的例子可包括所述輻射的強度的空間分布、相位、偏振。所述輻射可以是與主體相互作用的輻射。例如，由輻射檢測器測量的輻射可以是穿透主體或從主體反射的輻射。輻射可以是電磁輻射，比如紅外光，可見光，紫外光，X射線或γ射線。輻射可以是其它類型，比如α射線和β射線。
一種類型的輻射檢測器是基於輻射和半導體之間的相互作用。例如，這種類型的輻射檢測器可以具有吸收輻射並產生載荷子(例如，電子和空穴)，其總量與輻射能量成比例。載荷子由電子系統收集並計數，以確定輻射的能 量，並且對下一入射輻射重復該過程。可以通過對被檢測的輻射的計數(作為其能量的函數)來編纂光譜。
本文公開適於檢測輻射的裝置，其包括：多個圖元，其被配置為基於對輻射的暴露產生電信號；電子系統，其被配置為讀取所述電信號；其中，所述電子系統包括第一記憶體和第二記憶體；其中所述第一記憶體被配置為存儲代表由與所述第一記憶體相關聯的圖元所產生的電信號的多個數據位；其中，所述電子系統被配置為將所述多個數據位中子集位，從所述第一記憶體傳送到所述第二記憶體；其中，所述電子系統被配置為將所述子集位從所述第二記憶體傳輸到總線。
根據實施例，第二記憶體的位寬小於第一記憶體的位寬。
根據實施例，子集位的位寬等於或小於第二記憶體的位寬。
根據實施例，所述電子系統被配置為：通過逐位移位將所述子集位從所述第一記憶體傳送到所述第二記憶體，再到總線。
根據實施例，電子系統被配置為：將子集位的所有位同時由第一記憶體發送到第二記憶體，再到總線。
根據實施例，所述電子系統被配置為：傳送子集位，不改變子集位的順序。
根據實施例，所述電子系統被配置為：通過將子集位倒序傳送子集位。
根據實施例，所述子集位是多個數據位中的最高有效位(MSBs)。
根據實施例，所述電子系統被配置為：將所述多個數據位中的最低有效位(LSBs)移至所述第一子集位的位置。
根據實施例，所述子集位為所述多個數據位中的最低有效位(LSBs)。
根據實施例，所述電子系統被配置為：將所述多個數據位中的最高有效位(MSBs)移至第一子集位的位置。
根據實施例，所述電子系統被配置為：針對第一記憶體內容驗證被傳送到第二記憶體的子集位。
根據實施例，所述電子系統被配置為：當子集位的驗證失敗時，將所述子集位從第一記憶體再發送到第二記憶體。
根據實施例，所述電子系統被配置為：當子集位的驗證成功是，從第一記憶體刪除所述子集位。
根據實施例，所述電子系統被配置為：針對第二記憶體的內容驗證被傳送到總線的子集位。
根據實施例，所述電子系統被配置為：當所述子集位的驗證失敗時，將所述子集位從第二記憶體再次發送到總線。
根據實施例，所述電子系統被配置為：當所述子集位的驗證成功時，從第二記憶體刪除所述子集位。
根據實施例，所述電子系統還包括：第一電壓比較器，其被配置為將第二電觸點的電壓與第一閾值進行比較；第二電壓比較器，其被配置為將電壓與第二閾值進行比較；計數器，其被配置為記錄到達所述吸收層的輻射粒子數；控制器；其中所述控制器被配置為從所述第一電壓比較器確定電壓的絕對值等於或超過所述第一閾值的絕對值的時刻開始時間延遲；其中所述控制器被配置為在所述時間時延期間激活所述第二電壓比較器；其中所述控制器被配置為：如果第二電壓比較器確定所述電壓的絕對值等於或超過所述第二閾值的絕對值，那麽，使由所述計數器記錄的數字增加1。
根據實施例，電子系統還包括電連接到電極的電容器模塊，其中，所述電容模塊配置為從所述電極收集載荷子。
根據實施例，控制器被配置為將所述電極連接到電接地。
根據實施例，控制器被配置為在時間延遲的開始處停用電壓比較器。
根據實施例，第一閾值是單個輻射粒子在電極上產生的電壓的5-10%。
根據實施例，輻射吸收層包括二極體。
根據實施例，輻射吸收層包括矽，鍺，GaAs，CdTe，CdZnTe或其組合。
根據實施例，所述裝置不包括閃爍體。
本文公開包括任何上述輻射檢測器和輻射源的系統，其中，所述系統配置用於對人體胸部或腹部進行輻射照相。
本文公開包括任何上述輻射檢測器和輻射源的系統，其中，所述系統配置用於對人的嘴巴進行輻射照相。
本文公開貨物掃描或非侵入性檢查(NII)系統，其包括任何上述輻射檢測器和輻射源，其中，所述貨物掃描或非侵入性檢查(NII)系統被配置成基於背散射輻射形成圖像。
本文公開貨物掃描或非侵入性檢查(NII)系統，其包括任何上述輻射檢測器和輻射源，其中，所述貨物掃描或非侵入性檢查(NII)系統被配置成基於通過穿過被檢查的物體的輻射形成圖像。
本文公開包括任何上述輻射檢測器和輻射源的全身掃描系統。
本文公開輻射電腦斷層掃描(CT)系統，其包括任何上述輻射檢測器和輻射源。
本文公開包括電子顯微鏡，其包括任何所述輻射檢測器、電子源和電子光學系統。
本文公開包括任何上述輻射檢測器的系統，其中所述系統為輻射望遠鏡，或輻射顯微鏡，或其中所述系統被配置成進行乳房攝影，工業缺陷檢測，微成像，鑄造檢查，焊接檢查，或數位減影血管攝影。
本文公開包括下述各項的方法：將多個數據子集位傳送到適於檢測輻射的裝置的電子系統的第一記憶體中；從第一記憶體到電子系統的第二記憶體，其中所述多個數據位代表由所述裝置的圖元基於暴露於輻射產生的電信號；將所述子集位從第二記憶體傳輸到總線。
根據實施例，所述方法還包括：第二記憶體的位寬小於第一記憶體的位寬；子集位的位寬等於或小於第二記憶體的位寬；將子集位從所述第一記憶體傳輸到所述第二記憶體包括：將所述子集位逐位移位；將所述子集位從所述第一記憶體傳輸到所述第二記憶體包括將子集位的所有位移同時移位；子集位是多個數據位的最高有效位(MSBs)；子集位是多個數據位的最低有效位(LSBs)。
根據實施例，所述方法還包括：針對第一記憶體的內容驗證被傳送到第二記憶體的子集位；當所述子集位的驗證失敗時，將所述子集位從所述第一記憶體再傳送到所述第二記憶體；針對第二記憶體內容驗證被傳送到總線的子集位；當所述子集位的驗證失敗時，將所述子集位從所述第二記憶體再傳送到所述總線；當儲存於第一記憶體的多個所有數據位，經由第二記憶體，傳送到總線時，重復所述子集位的傳輸。
100:輻射檢測器
110:輻射吸收層
111:第一摻雜區
112:本征區
113:第二摻雜區
114:離散區
119A:電觸點
119B:電觸點
120:電子層
121:電子系統
130:填充材料
131:通孔
150:圖元
151:記憶體
301:電壓比較器
302:第二電壓比較器
305:開關
306:電壓表
309:電容器模塊
310:控制器
320:計數器
510:第一記憶體
511:第一記憶體控制模塊
520:第二記憶體
521:第二記憶體控制模塊
530:總線
1021:步驟
1022:步驟
1023:步驟
1024:步驟
1201:輻射源
1202:物體
1301:輻射源
1302:物體
1401:輻射源
1402:物體
1501:輻射源
1502:行李
1601:輻射源
1602:人
1701:輻射源
1801:電子源
1802:樣品
1803:電子光學系統
RST:復位期
t0:時間
t1:時間
t2:時間
te:時間
ts:時間
TD1:時間延遲
V1:第一閾值
V2:第二閾值
圖1示意性地示出根據實施例的輻射檢測器。
圖2A示意性地示出輻射檢測器的截面圖。
圖2B示意性地示出輻射檢測器的詳細橫截面視圖。
圖2C示意性地示出了輻射檢測器的可供替代的詳細橫截面視圖。
圖3A和圖3B各自示出：根據實施例，圖2B或圖2C中的檢測器的電子系統的部件圖。
圖4示意性地示出：根據實施例，由入射在二極體或電阻器上的一個或多個輻射粒子產生的載荷子引起的電極或電觸點的電壓的時間變化。
圖5示意性地示出：根據實施例，在第一記憶體、第二記憶體以及總線之間傳輸子集位的功能框圖。
圖6A示意性地示出：根據實施例，按相同的位的順序，在第一記憶體、第二記憶體以及總線之間子集位的串行傳輸。
圖6B示意性地示出：根據實施例，按位的逆序，在第一記憶體、第二記憶體以及總線之間子集位的串行傳輸。
圖7示意性地示出：根據實施例，按相同的位的順序，在第一記憶體、第二記憶體以及的線之間子集位的並行傳輸。
圖8示出：根據實施例，適於使用諸如如圖4所示操作的電子系統來檢測輻射，以及如圖6和圖7所示讀取數據的方法的流程圖。
圖9示意性地示出：根據實施例的包括本文所述的輻射檢測器的系統，其適於醫學成像，例如胸部輻射照相，腹部輻射照相等。
圖10示意性地示出根據實施例的包括本文描述的輻射檢測器的適於牙科輻射照相的系統。
圖11示意性地示出：根據實施例，包括本文所述的輻射檢測器的貨物掃描或非侵入性檢查(NII)系統。
圖12示意性地示出：根據實施例，包括本文所述的輻射檢測器的另一貨物掃描或非侵入性檢查(NII)系統。
圖13示意性地示出：根據實施例，包括本文所述的輻射檢測器的全身掃描系統。
圖14示意性地示出：根據實施例，包括本文所述的輻射檢測器的電腦斷層掃描(X射線CT)系統。
圖15示意性地示出：根據實施例，包括本文所述的輻射檢測器的電子顯微鏡。
圖1示意性地示出作為例子的輻射檢測器100。輻射檢測器100具有圖元150陣列。陣列可以是矩形陣列，蜂窩陣列，六邊形陣列或任意其它合適的陣列。每個圖元150被配置為檢測入射於其上的來自輻射源的輻射，並且可以被配置為測量輻射的特征(例如，粒子的能量，波長，以及頻率)。例 如，每個圖元150被配置成對入射於其上的，在時間段內能量落入多個箱中的輻射粒子數進行計數。所有圖元150可被配置為對在同一時間段內入射在其上的，在多個能量箱內的輻射粒子數量進行計數。當輻射粒子具有相似的能量時，圖元150可被簡單第配置為將一段時間內入射其上的輻射粒子進行計數，而不需要測量單個輻射粒子的能量。每個圖元150可以具有自己的模數轉換器(ADC)，其被配置成將代表入射光子能量的類比信號數字化為數位信號，或將代表多個入射光子總能量的類比信號數字化為數位信號。圖元150可被配置成並行操作。例如，當一個圖元150測量入射光子時，另一圖元150可等待光子到達。圖元150可不必單獨尋址。
圖2A示意性地示出：根據實施例，輻射檢測器100的橫截面視圖。輻射檢測器100可包括輻射吸收層110和用於處理或分析入射輻射在輻射吸收層110中產生的電信號的電子層120(例如，ASIC)。輻射檢測器100可以包括閃爍體，或可以不包括閃爍體。輻射吸收層110可以包括半導體材 料，例如，矽，鍺，GaAs，CdTe，CdZnTe或它們的組合。所述半導體對感興趣的輻射可具有高的質量衰減系數。
如圖2B中的輻射檢測器100的詳細橫截面圖所示，根據實施例，輻射吸收層110可以包括一個或多個二極體(例如，p-i-n或p-n)(由第一摻雜區111，第二摻雜區113的一個或多個離散區114形成)。第二摻雜區113和第一摻雜區111可被可選的本征區112隔開。離散部分114相互之間被第一摻雜區111或本征區112隔開。第一摻雜區111和第二摻雜區113具有相反類型的摻雜(例如，區域111為p型並且區域113為n型，或者，區域111為n型並且區域113為p型)。在圖2B的例子中，第二摻雜區113的離散區域114的每一個與第一摻雜區111以及可選本征區112形成二極體。即，在圖2B的例子中，輻射吸收層110具有多個二極體，所述多個二極體具有第一摻雜區域111作為共享電極。第一摻雜區域111也可具有離散部分。
當來自輻射源的輻射擊中包括二極體的輻射吸收層110時，輻射粒子可以通過多個機制被吸收並產生一個或多個載荷子。載荷子可以在電場下漂移到所述二極體中的一個的電極。該場可以是外部電場。電觸點119B可包括離散部分，其每一個與離散區114電接觸。術語“電觸點”可與詞“電極”互換使用。在實施例中，載荷子可以沿各方向這樣漂移，以至於由輻射的單個粒子產生的載荷子基本上不被兩個不同的離散區域114共享(這裏“基本上不被共享”意味著，小於2%，小於0.5%，小於0.1%，或小於0.01%的這些載荷子流到與其余載荷子不同的離散區域114中的一個)。在這些離散區域114中的一個的足跡區域周圍入射的輻射粒子產生的載荷子基本上不與這些離散區域114的另一個相共享。與離散區域114相關聯的圖元150是這樣一個區域：該區域大致位於所述離散區域114處，在這裏入射的輻射粒子產生的載荷子，基本上全部(大於98%，大於99.5%，大於99.9%，或大於99.99%)流至所述離散區域114。即，這些載荷子中，小於2%，小於1%，小於0.1%，或小於0.01%流到該圖元之外。
如圖2C中的輻射檢測器100的可供替代的詳細橫截面圖所示，根據實施例，輻射吸收層110可以包括諸如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或它們的組合的半導體材料的電阻器，但不包括二極體。所述半導體對感興趣的輻射可具有高的質量衰減系數。
當輻射撞擊包括電阻器但不包括二極體的輻射吸收層110時，它可通過多種機制被吸收並產生一個或多個載荷子。一個輻射粒子可以產生10至100000個載荷子。載荷子可在電場下漂移到電觸點119A和119B。該場可以是外部電場。電觸點119B包括離散部分。在實施例中，載荷子可以這樣沿各方向漂移，以至於由單個輻射粒子產生的載荷子基本上不被電觸點119B的兩個不同的離散部分共用(在這裏“基本上不被共用”意味著小於2%，小於0.5%，小於0.1%，或小於0.01%的這些載荷子流至不同於其余載荷子的離散部分中的一個)。在電觸點119B的這些離散部分中的一個的足跡周圍入射的輻射粒子產生的載荷子基本上不與電觸點119B的這些離散部分的另一個相共享。與電觸點119B的離散部分相關聯的圖元150可以是 這樣的區域，該區域大致位於所述離散部分處，入射於其中的輻射粒子產生的載荷子基本上全部(大於98%，大於99.5%，大於99.9%或大於99.99%)流到電觸點119B的所述離散部分。即，這些載荷子流中，小於2%，小於0.5%，小於0.1%，或小於0.01%流到與電觸點119B的一個離散部分相關聯的圖元之外。
電子層120可包括電子系統121，其適於處理或解釋由入射到輻射吸收層110上的輻射產生的信號。電子系統121可以包括類比電路，例如濾波網絡，放大器，積分器以及比較器，或數位電路例如微處理器，以及記憶體。電子系統121可包括一個或更多的ADC。電子系統121可以包括由圖元共享的部件或專用於單個圖元的部件。例如，電子系統121可以包括專用於每個圖元的放大器和在所有圖元之間共享的微處理器。所述電子系統121可以通過通孔131與圖元電連接。所述通孔中的空間可以被填充材料130填充，這可增加電子層120與輻射吸收層110的連接的機械穩定性。其他結合技術將電子系統121連接到圖元(不使用通孔)是可能的。
圖3A和圖3B各自示出根據實施例的電子系統121的部件圖。電子系統121可包括電壓比較器301、計數器320、開關305、電壓表306和控制器310。
電壓比較器301被配置成將二極體的電極的電壓與第一閾值比較。二極體可由第一摻雜區111、第二摻雜區113的離散區114中的一個和可選本征區112形成。備選地，電壓比較器301配置成將電觸點(例如，電觸點119B的離散部分)的電壓與第一閾值比較。電壓比較器301可配置成直接監測電壓，或通過對一段時間內流過二極體或電觸點的電流整合來計算電壓。電壓比較器301可由控制器310可控地啟動或停用。電壓比較器301可以是連續比較器。即，電壓比較器301可配置成被連續啟動，並且連續監測電壓。配置為連續比較器的電壓比較器301使電子系統121錯過由入射輻射粒子產生的信號的機會減少。配置為連續比較器的電壓比較器301在入射輻射強度相對高時尤其適合。電壓比較器301可以是鐘控比較器，其具有較低功耗的益處。配置為鐘控比較器的第一電壓比較器301可導致系統121錯 過由一些入射輻射粒子產生的信號。在入射輻射強度低時，錯過入射輻射粒子的機會因為兩個連續輻射粒子之間的間隔相對長而低。因此，配置為鐘控比較器的第一電壓比較器301在入射輻射強度相對低時尤其適合。第一閾值可以是單個輻射粒子可在二極體的電極或電阻器的電觸點上產生的電壓的5-10%、10%-20%、20-30%、30-40%或40-50%。最大電壓可取決於入射輻射粒子的能量，輻射吸收層110的材料和其它因素。例如，第一閾值可以是50mV、100mV、150mV或200mV。
電壓比較器301可包括一個或多個運算放大器或任何其他適合的電路。電壓比較器301可具有高的速度以允許系統121在高的入射輻射通量下操作。然而，具有高的速度通常以功耗為代價。
計數器320被配置成記錄到達二極體或電阻器的輻射粒子的數目。計數器320可以是軟體部件(例如，電腦記憶體中存儲的數字)或硬體部件(例如，4017 IC和7490 IC)。
控制器310可以是例如微控制器和微處理器等硬體部件。控制器310配置成從電壓比較器301確定電壓的絕對值等於或超出第一閾值的絕對值(例如，電壓的絕對值從第一閾值的絕對閾值以下增加到等於或超過第一閾值的絕對值的值)的時刻啟動時間延遲。在這裏因為電壓可以是負的或正的而使用絕對值，這取決於是使用二極體的陰極還是陽極的電壓或使用哪個電觸點。控制器310可配置成在第一電壓比較器301確定電壓的絕對值等於或超出第一閾值的絕對值的時間之前，保持停用計數器320和電壓比較器301的操作不需要的任何其他電路。時間延遲可在電壓變穩定(即，電壓的變化率大致為零)之前或之後終止。短語“電壓的變化率大致為零”意指電壓的時間變化小於0.1%/ns。短語“電壓的變化率大致為非零”意指電壓的時間變化是至少0.1%/ns。
術語“啟動”意指促使部件進入操作狀態(例如，通過發送例如電壓脈沖或邏輯電平等信號、通過提供電力等)。術語“停用”意指促使部件進入非操作狀態(例如，通過發送例如電壓脈沖或邏輯電平等信號、通過切斷電力等)。操作狀態可具有比非操作狀態更高的功耗(例如，高10倍、高 100倍、高1000倍)。控制器310本身可被停用直到電壓比較器301的輸出在電壓的絕對值等於或超出第一閾值的絕對值時啟動控制器310。
控制器310可配置成使電壓表306在時間延遲終止時測量電壓。控制器310可配置成使電極或電觸點連接到電接地，以便使電壓重定並且使電極或電觸點上累積的任何載荷子放電。在實施例中，電極或電觸點在時間延遲終止後連接到電接地。在實施例中，電極或電觸點在有限復位期間連接到電接地。控制器310可通過控制開關305而使電極或電觸點連接到電接地。開關可以是電晶體，例如場效應電晶體(FET)。
在實施例中，系統121沒有類比濾波器網路(例如，RC網路)。在實施例中，系統121沒有類比電路。
電壓表306可將它測量的電壓作為類比或數位信號饋送給控制器310。
系統121可包括電容器模塊309，其電連接到二極體的電極或電觸點，其中電容器模塊配置成從電極或電觸點收集載荷子。電容器模塊可包括放大 器的回饋路徑中的電容器。如此配置的放大器叫作電容跨阻放大器(CTIA)。CTIA通過防止放大器飽和而具有高的動態範圍並且通過限制信號路徑中的帶寬來提高信噪比。來自電極或電觸點的載荷子在一段時間(“整合期”)(例如，如在圖4中示出的，在t0至t1之間)內在電容器上累積。在整合期終止後，對電容器電壓采樣並且然後由重定開關將其重定。電容器模塊可以包括直接連接到電極或電觸點的電容器。
圖4示意示出：根據實施例，由二極體或電阻器上入射的輻射粒子產生的載荷子引起的流經電極的電流的時間變化(上曲線)以及相應的電極的電壓的時間變化(下曲線)。電壓可以是電流關於時間的整合。在時間t0開始，輻射粒子撞擊二極體或電阻器，載荷子開始在二極體或電阻器中產生，電流開始流過二極體或電阻器的電極，並且電極或電觸點的電壓的絕對值開始增加。在時間t1，電壓比較器301確定電壓的絕對值等於或超出第一閾值V1的絕對值，控制器310啟動時間延遲TD1並且控制器310可在TD1開始時停用電壓比較器301。如果控制器310在t1之前被停用，在t1啟動控制器310。在TD1期間，控制器310啟動第二電壓比較器302。如這裏使用的 術語在時間延遲“期間”意指開始和終止(即，結束)和中間的任何時間。例如，控制器310可在TD1終止時啟動第二電壓比較器302。如果在TD1期間，第二電壓比較器302確定在時間t2電壓的絕對值等於或超出第二閾值的絕對值V2，控制器310引起計數器320記錄的數增加1。在時間te，輻射粒子產生的所有載荷子漂移出X射線吸收層110。在時間ts，時間延遲TD1終止。在圖4的例子中，時間ts在時間te之後；即TD1在輻射粒子產生的所有載荷子漂移出X射線吸收層110之後終止。電壓的變化率因此在ts大致為零。控制器310可配置成在TD1終止時或在t2或中間的任何時間停用第二電壓比較器302。
控制器310可被配置為使電壓表306在時間延遲TD1期滿時測量電壓。由電壓表306測量的電壓Vt與從t0到ts的入射輻射粒子所產生的載荷子的總量成比例，其與入射輻射粒子總能量相關。當入射輻射粒子具有類似的能量時，控制器310可被配置為：通過將V+除以單個輻射粒子將在電極或電 觸點上引起的電壓，確定從t0到ts的入射輻射粒子數。控制器310可以將計數器320增加所述輻射粒子數。
在TD1終止後，控制器310在復位期RST使電極連接到電接地以允許電極或電觸點上累積的載荷子流到地並且使電壓重定。在RST之後，電子系統121準備檢測另一個入射輻射粒子。電子系統121在圖4的示例中可以應對的入射輻射粒子的速率隱式地受限於1/(TD1+RST)。如果電壓比較器301被停用，控制器310可以在RST終止之前的任何時間啟動它。如果控制器310被停用，可在RST終止之前啟動它。
可以以多種方式讀出來自輻射檢測器100的圖元的信號。圖5示意性地示出：根據實施例，電子系統121可以具有與輻射檢測器100的圖元150相關聯的第一記憶體510，以及與圖元150相關聯的第二記憶體520。第一記憶體510被配置為存儲代表由圖元150產生的電信號的多個數據位。例如，所述電信號可以是在整合期間由圖元檢測到的輻射粒子的計數和能量級 別信息。第一記憶體510可以是易失性記憶體，例如RAM，或非易失性記憶體，例如閃存。第一記憶體510可具有8，16，32，64或128個可尋址位。電子系統121可讀取或寫入記憶體151的內容，例如，使用第一記憶體控制模塊511。例如，當計數器320記錄的數發生變化時，電子系統121可以更新第一記憶體511的內容。或者，電子系統121可以僅在整合期間結束時更新第一記憶體510的內容。
根據實施例，電子系統121可將存儲在第一記憶體510中的數據位經由第二記憶體520傳輸到總線530。第二記憶體520可以是易失性記憶體，例如隨機存取記憶體(RAM)或數位寄存器。第二記憶體520可具有比所述第二記憶體520的位寬更小的位寬。記憶體的術語“位寬”是該記憶體的可尋址位的數量。電子系統121可以將存儲在第一記憶體中的數據位中子集位發送到第二記憶體，例如，使用第二記憶體控制模塊521。子集位的位寬可以等於或小於第二記憶體520的位寬。例如，如圖6A和圖6B所示，子 集位可從第一地址讀取，其可以位於所述第一記憶體510的開始，或尾端，或中間。子集位可以在第一記憶體510中連續，但不必如此。
根據實施例，可從第一記憶體的多個位中最高有效位(MSBs)讀取子集位。在讀取第一子集位後，電子系統121可移位多個位中最低有效位(LSBs)到第一記憶體的子集位的地址。根據實施例，可從第一記憶體的所述多個位中最低有效位(LSBs)讀取子集位。在讀取第一子集位之後，電子系統121可移位所述多個位中最高有效位(MSBs)到第一記憶體的子集位。電子系統121可以針對第一記憶體510的內容驗證被傳送到第二記憶體520的子集位，例如，使用第二記憶體控制模塊521。若驗證失敗，則電子系統121可再次從所述第一記憶體510讀取所述子集，並將所述子集再次寫到所述第二記憶體520。該傳送被重復，直到寫入到第二記憶體520中的子集位與從第一記憶體510讀取的子集位相匹配。在驗證成功之後，可刪除存儲在第一記憶體510的第一地址處的子集位，例如，通過第一記憶體控制 模塊511。在所述驗證成功後，電子系統121可以進一步發送，並可選地驗證，被傳送到第二記憶體520的子集位到總線530。如果子集位被傳送到530被驗證，第二記憶體520的內容可以被刪除，並且第二記憶體520可準備從第一記憶體510的第二地址接受新的子集位。該過程可以重復，直到存儲在第一記憶體510中的所有數據位已經被傳送到總線530。
諸如圖6A，圖6B，和圖7所示，在第一記憶體510、第二記憶體520和總線530之間不同的傳送機制可被使用。根據實施例，圖6A，圖6B示出串行數據傳輸機制。在圖6A中，在不改變子集位的次序的情況下傳輸子集位。例如，子集位可以在同一方向上逐位移位。在圖6B中，根據實施例，通過反轉所述子集中的位的次序來傳輸所述子集位。例如，在第一記憶體510和第二記憶體520中，可以通過沿相反方向移位來反轉子集中位的順序；例如，第一記憶體510最低有效位(“LSB”)可被移位到第二記憶體520的最高有效位("MSB")。總線530接收的子集位可以與從第一記憶體510讀取的子集位有不同的次序。
圖7示出根據實施例的並行數據傳送機制。在並行傳送中，子集位的所有位可同時從第一記憶體510的開始、中部、尾部讀取，即並行。子集的所有位可以並行傳送到第二記憶體520。子集數據的所有位可並行傳送到總線530。在圖7中，子集的位的順序可在傳輸之後相同。通過將第一記憶體中的子集位的MSB傳送到第二記憶體的LSB，所述位次序可以不同。所提到的位傳輸機制可以由諸如511和521的記憶體控制模塊來實現。在數據傳輸期間可以使用一個或多個機制。
圖8示出傳送輻射檢測器100的電子系統121的第一記憶體510中存儲的多個數據位中子集位的方法的流程圖，其中所述多個數據位代表由所述輻射檢測器100的圖元基於暴露於輻射所產生的電信號。
在步驟1021中，存儲在第一記憶體510的所述多個位中子集位被傳送到第二記憶體520。在可選步驟1022中，被傳送到第二記憶體520的子集位被針對存儲在第一記憶體510的內容進行驗證，例如，使用第一記憶體控制模塊511。如果驗證失敗(即，發送到第二記憶體520的子集位不與第一 記憶體510的內容相匹配)，所述方法重復步驟1021；即，將子集位從所述第一記憶體510再次傳送到第二記憶體520。如果所述驗證成功(即，傳送到第二記憶體520的子集位與第一記憶體510的內容相匹配)，所述方法繼續到步驟1023。在步驟1023，子集位被從第二記憶體520傳送到總線530。在可選步驟1024中，傳送至總線530的子集位被針對第二記憶體520的內容進行驗證，例如，使用第二記憶體控制模塊521。若驗證失敗(即，傳輸至總線530的子集位不與第二記憶體520的內容相匹配)，所述方法重復步驟1023；即，將所述子集位從所述第二記憶體520再次傳送到所述總線530。如果驗證成功(即，發送到總線530的子集位與第二記憶體520的內容匹配)，所述方法結束或回到步驟1021。
圖9示意性地示出了包括本文所述的輻射檢測器100的系統。該系統可用於醫學成像，例如胸部輻射照相，腹部輻射照相等。系統包括輻射源1201。從輻射源1201發射的X射線穿透物體1202(例如，人體部位如胸部、肢體、腹部)，被物體1202的內部結構(例如，骨骼、肌肉、脂肪以 及器官等)不同程度衰減，並且被投射到輻射檢測器100。輻射檢測器100通過檢測輻射的強度分布而形成圖像。
圖10示意性地示出包括本文所述的輻射檢測器100的系統。該系統可用於醫療成像，例如牙科輻射照相。該系統包括輻射源1301。從輻射源1301發射的輻射穿透物體1302，其是哺乳動物(例如，人)的嘴巴的部分。物體1302可包括上頜骨，腭骨，牙齒，下頜或舌。輻射被物體1302的不同結構不同程度衰減，並被投射到輻射檢測器100。輻射檢測器100通過檢測輻射的強度分布形成圖像。牙齒比齲牙，感染，牙周韌帶更多地吸收輻射。牙科患者接收的輻射的劑量典型地是小的(對全嘴系列約0.150mSv)。
圖11示意性地示出包括本文所述的輻射檢測器100的貨物掃描或非侵入性檢查(NII)系統。該系統可用於檢查和識別例如集裝箱，車輛，船舶，行李等運輸系統中的貨物。該系統包括輻射源1401。從輻射源1401發射的輻射可以從物體1402(例如，集裝箱、車輛、船舶等)背散射並被投射到輻射檢測器100。物體1402的不同內部結構可以不同地背散射所述輻射。 輻射檢測器100通過檢測背散射輻射的強度分布和/或背散射輻射的能量來形成圖像。
圖12示意性地示出包括本文所述的輻射檢測器100的另一貨物掃描或非侵入性檢查(NII)系統。該系統可用於公共運輸站和機場的行李篩選。該系統包括輻射源1501。從輻射源1501發射的輻射可穿透行李1502，被行李的內容不同地衰減，並被投射到輻射檢測器100。所述輻射檢測器100通過檢測透射輻射的強度分布而形成圖像。該系統可以揭示行李的內容，並識別在公共交通上禁止的物品，例如槍支、毒品、鋒利武器、易燃物。
圖13示意性地示出包括本文所述的輻射檢測器100的全身掃描系統。全身掃描系統可以為了安全篩選目的檢測人身體上的物體，不需要物理地移去衣物或進行物理接觸。全身掃描系統能檢測非金屬物體。全身掃描系統包括輻射源1601。從輻射源1601發射的輻射可從被篩選的人1602和其身上的物體背散射，並被投射到輻射檢測器100。所述物體和所述人體可以不同 地背散射輻射。輻射檢測器100通過檢測背散射輻射的強度分布來形成圖像。輻射檢測器100和輻射源1601可被配置為沿直線或旋轉方向掃描人。
圖14示意性地示出輻射電腦斷層攝影(輻射CT)系統。輻射CT系統使用電腦處理的輻射來產生被掃描對象的特定區域的斷層圖像(虛擬“切片”)。斷層圖像可用於各種醫學學科中的診斷和治療目的，或用於探傷，故障分析，計量，組裝分析和反向工程。輻射CT系統包括在此描述的輻射檢測器100和輻射源1701。輻射檢測器100和輻射源1701可被配置成沿一個或多個圓形或螺旋路徑同步旋轉。
圖15示意性地示出電子顯微鏡。電子顯微鏡包括被配置為發射電子的電子源1801(也稱為電子槍)。電子源1801可具有各種發射機制，例如熱離子，光電陰極，冷發射或等離子體源。被發射的電子通過電子光學系統1803，其可被配置為影響、加速或聚焦電子。然後電子到達樣品1802，並且圖像檢測器可從那裏形成圖像。電子顯微鏡可以包括本文所述的輻射檢測器100，用於進行能量色散X射線分光鏡檢查(EDS)。EDS是用於樣品的 元素分析或化學表征的分析技術。當電子入射到樣品上時，可從樣品發射特征X射線。入射電子可以激發樣品中的原子的內殼中的電子，從所述殼中將其排出，同時在所述電子原先的位置形成電子空穴。來自外部的高能殼層的電子填充所述空穴，較高能量殼層與較低能量殼層之間的能量差可以按X射線的形式釋放。通過輻射檢測器100可以測量從樣品發射的X射線的數量和能量。
這裏描述的輻射檢測器100可具有其它應用，比如在輻射望遠鏡、輻射乳房攝影、工業輻射缺陷檢測、輻射顯微或微成像、輻射鑄造檢查、輻射無損檢測、輻射焊接檢查、輻射數位減影血管攝影等中。使用該輻射檢測器100適合於代替攝影板、攝影膠片、PSP板、輻射圖像增強器、閃爍體或另一個半導體輻射檢測器。
盡管本文公開各種方面和實施例，其它方面和實施例對於本領域內技術人員將變得明顯。本文公開的各種方面和實施例是為了說明目的而不意在為限制性的，其真正範圍和精神由下列權力要求指示。
150:圖元
510:第一記憶體
511:第一記憶體控制模塊
520:第二記憶體
521:第二記憶體控制模塊
530:總線

Claims (41)

  1. 一種適於檢測輻射的裝置，其包括：多個圖元，其被配置為基於暴露於輻射產生電信號；電子系統，其被配置為讀出所述電信號；其中，所述電子系統包括第一記憶體和第二記憶體；其中，所述第一記憶體被配置為存儲代表由與第一記憶體相關聯的圖元所產生的電信號的多個數據位；其中，所述電子系統被配置為將所述多個數據位中子集位從所述第一記憶體傳送到所述第二記憶體；其中，所述電子系統被配置為將所述子集位從所述第二記憶體傳送到總線；其中，所述電子系統被配置為：針對所述第一記憶體的內容驗證被傳送到所述第二記憶體的子集位或針對所述第二記憶體的內容驗證被傳送到總線的所述子集位。
  2. 如請求項1之裝置，其中，所述第二記憶體的位寬小於所述第一記憶體的位寬。
  3. 如請求項1之裝置，其中，所述子集位的位寬等於或小於第二記憶體的位寬。
  4. 如請求項1之裝置，其中，所述電子系統被配置為：通過對數據位逐位移位將所述子集位由所述第一記憶體發送到所述第二記憶體，再到所述總線。
  5. 如請求項1之裝置，其中，所述電子系統被配置為將所述子集位同時從所述第一記憶體傳送到所述第二記憶體，再到所述總線。
  6. 如請求項1之裝置，其中，所述電子系統被配置為：傳送所述子集位，不改變所述子集位的次序。
  7. 如請求項1之裝置，其中，所述電子系統被配置為：通過反轉所述子集位的次序來傳送所述子集位。
  8. 如請求項1之裝置，其中，所述子集位是所述多個數據位中的最高有效位(MSBs)。
  9. 如請求項8之裝置，其中，所述電子系統被配置為：將所述多個數據位中最低有效位(LSBs)移位到所述子集位的位置。
  10. 如請求項1之裝置，其中，所述子集位是所述多個數據位中最低有效位(LSBs)。
  11. 如請求項9之裝置，其中，所述電子系統被配置為：將所述多個數據位中最高有效位(MSBs)移位到所述子集位的位置。
  12. 如請求項1之裝置，其中，所述電子系統被配置為：當所述子集位的驗證失敗時，將所述子集位從所述第一記憶體再傳送到所述第二記憶體。
  13. 如請求項1之裝置，其中，所述電子系統被配置為：當所述子集位的驗證成功時，從所述第一記憶體刪除所述子集位。
  14. 如請求項1之裝置，其中，所述電子系統被配置為：當所述子集位的驗證失敗時，將所述子集位從所述第二記憶體再次傳送到所述總線。
  15. 如請求項1之裝置，其中，所述電子系統被配置為：當所述子集位的驗證成功時，從所述第二記憶體刪除所述子集位。
  16. 如請求項1之裝置，其中所述圖元的每個包括具有電極的輻射吸收層；其中所述電子系統還包括：第一電壓比較器，其被配置為將電極上的電壓與第一閾值進行比較；第二電壓比較器，其被配置為將電壓與第二閾值進行比較； 計數器，其被配置為記錄由所述輻射吸收層吸收的輻射粒子數，所述電信號為所述數；控制器；其中，所述控制器被配置為：從所述第一電壓比較器確定所述電壓的絕對值等於或超過所述第一閾值的絕對值的時刻開始時間延遲；其中，所述控制器被配置為在所述時延期間激活所述第二電壓比較器；其中，所述控制器被配置為：如果所述第二電壓比較器確定電壓的絕對值等於或超過所述第二閾值的絕對值，使由所述計數器記錄的數增加1。
  17. 如請求項16之裝置，其中，所述電子系統還包括電連接到所述電極的電容器模塊，其中，所述電容模塊配置為從所述電極收集載荷子。
  18. 如請求項16之裝置，其中，所述控制器被配置為將所述電極連接到電接地。
  19. 如請求項16之裝置，其中，所述控制器被配置為：在所述時間延遲的開始，停用第一電壓比較器或第二電壓比較器。
  20. 如請求項16之裝置，其中，所述第一閾值是單個輻射粒子在所述電極上產生的電壓的5-10%。
  21. 如請求項16之裝置，其中，所述輻射吸收層包括二極體。
  22. 如請求項16之裝置，其中，所述輻射吸收層包括矽，鍺，GaAs，CdTe，CdZnTe或它們的組合。
  23. 如請求項16之裝置，其中，所述裝置不包括閃爍體。
  24. 一種輻射系統，其包括請求項1之裝置和輻射源，其中，所述系統被配置為對人體胸部或腹部進行輻射攝影。
  25. 一種輻射系統，其包括請求項1之裝置和輻射源，其中所述系統被配置為對人的嘴巴進行輻射射線攝影。
  26. 一種貨物掃描或非侵入式檢查(NII)系統，其包括請求項1之裝置和輻射源的，其中，所述貨物掃描或非侵入性檢查(NII)系統被配置成使用背散射輻射形成圖像。
  27. 一種貨物掃描或非侵入式檢查(NII)系統，其包括請求項1之裝置和輻射源，其中，所述貨物掃描或非侵入性檢查(NII)系統被配置成使用穿過被檢查的物體的輻射來形成圖像。
  28. 一種全身掃描系統，其包括請求項1之裝置和輻射源，其中，所述全身掃描系統被配置成為了安全篩選目的檢測人身體上的物體，不需要物理地移去衣物或進行物理接觸。
  29. 一種輻射電腦斷層掃描系統(輻射CT系統)，其包括請求項1之裝置和輻射源，其中，所述輻射CT系統被配置成使用電腦處理的輻射來產生被掃描對象的特定區域的斷層圖像。
  30. 一種電子顯微鏡，其包括請求項1之裝置、電子源和電子光學系統，其中，所述電子光學系統被配置為塑形(shape)、加速或聚焦電子。
  31. 一種輻射系統，其包括請求項1之裝置，其中所述輻射系統是輻射望遠鏡或輻射顯微鏡，或其中所述系統被配置成執行乳房射線攝影、工業缺陷檢測、微成像、鑄造檢查、焊接檢查、或數位減影血管攝影。
  32. 一種用於檢測輻射的方法，其包括下述各項：將適於檢測輻射的裝置的電子系統的第一記憶體中存儲的多個數據位中的子集位從所述電子系統的第一記憶體傳送到第二記憶體，其中所述多個數據位代表由所述裝置的圖元基於暴露於輻射產生的電信號；將所述子集位從所述第二記憶體傳輸到總線；及針對所述第一記憶體的內容驗證被傳送到所述第二記憶體的所述子集位或針對所述第二記憶體的內容驗證被傳送到所述總線的子集位。
  33. 如請求項32之方法，其中，所述第二記憶體的位寬小於所述第一記憶體的位寬。
  34. 如請求項32之方法，其中，所述子集位的位寬等於或小於所述第二記憶體的位寬。
  35. 如請求項32之方法，其中，將所述子集位從所述第一記憶體傳送到所述第二記憶體包括逐位移位所述子集位。
  36. 如請求項32之方法，其中，將所述子集位從所述第一記憶體傳送到所述第二記憶體包括同時移位所述子集位的所有位。
  37. 如請求項32之方法，其中，所述子集位是所述多個數據位中的最高有效位(MSBs)。
  38. 如請求項32之方法，其中，所述子集位是所述多個數據位中的最低有效位(LSBs)。
  39. 如請求項38之方法，還包括：當所述子集位的驗證失敗時，將所述子集為從所述第一記憶體再傳送到所述第二記憶體。
  40. 如請求項39之方法，還包括：當所述子集位的驗證失敗時，將所述子集位從所述第二記憶體再傳送到所述總線。
  41. 如請求項32之方法，還包括重復所述子集位的傳輸直到存儲在所述第一記憶體中的多個所有數據位被傳送到所述總線。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110892292B (zh) * 2017-07-26 2023-09-22 深圳帧观德芯科技有限公司 辐射检测器和用于从该辐射检测器输出数据的方法
WO2019144323A1 (en) * 2018-01-24 2019-08-01 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Strip pixel detector
CN112817028B (zh) * 2020-12-29 2024-02-13 上海工物高技术产业发展有限公司 多道分析仪清零方法、装置、系统和存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130228693A1 (en) * 2012-03-02 2013-09-05 Luxen Technologies, Inc. Parallel readout integrated circuit architecture for x-ray image sensor
WO2016161544A1 (en) * 2015-04-07 2016-10-13 Shenzhen Xpectvision Technology Co.,Ltd. Semiconductor x-ray detector
EP2651119B1 (en) * 2010-12-09 2017-02-22 Rigaku Corporation Radiation detector
TW201713966A (en) * 2015-10-14 2017-04-16 Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd X-ray detectors capable of limiting diffusion of charge carriers

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3656566B2 (ja) * 2001-04-17 2005-06-08 株式会社島津製作所 放射線検査装置
US7818047B2 (en) * 2001-11-09 2010-10-19 Nova R&D, Inc. X-ray and gamma ray detector readout system
JP2005127983A (ja) * 2003-09-30 2005-05-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 硬Ｘ線又はγ線を利用した埋没物評価方法、地下資源評価方法、地下廃棄物評価方法、地下貯蔵物評価方法、地層構造評価方法及び建造物内監視方法
JP5058517B2 (ja) * 2005-06-14 2012-10-24 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及びその制御方法並びに放射線撮像システム
JP5038101B2 (ja) * 2007-11-12 2012-10-03 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その駆動方法及びプログラム
EP2146226A1 (en) * 2008-07-14 2010-01-20 ICx Technologies GmbH Detector system for the measurement of radiation
EP2348704A1 (en) * 2010-01-26 2011-07-27 Paul Scherrer Institut A single photon counting readout chip with neglibible dead time
KR101932664B1 (ko) * 2012-08-27 2018-12-26 삼성전자 주식회사 리던던시 셀을 포함하는 반도체 메모리 장치 및 시스템
JP5583191B2 (ja) * 2011-11-25 2014-09-03 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置およびその作動方法
US9554759B2 (en) * 2013-09-18 2017-01-31 Carestream Health, Inc. Digital radiography detector image readout process
KR101635980B1 (ko) * 2013-12-30 2016-07-05 삼성전자주식회사 방사선 디텍터 및 그에 따른 컴퓨터 단층 촬영 장치
KR101684448B1 (ko) * 2014-01-07 2016-12-08 삼성전자주식회사 방사선 디텍터, 그에 따른 단층 촬영 장치, 및 x 선 촬영 장치
JP6393637B2 (ja) * 2015-03-19 2018-09-19 株式会社日立製作所 産業用ｘ線ｃｔ装置及びデータ収集装置
EP3281040B1 (en) * 2015-04-07 2021-11-24 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Semiconductor x-ray detector
CN104967763B (zh) * 2015-06-09 2019-04-26 联想(北京)有限公司 一种图像采集器件、图像采集方法及电子设备
CN110892292B (zh) * 2017-07-26 2023-09-22 深圳帧观德芯科技有限公司 辐射检测器和用于从该辐射检测器输出数据的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2651119B1 (en) * 2010-12-09 2017-02-22 Rigaku Corporation Radiation detector
US20130228693A1 (en) * 2012-03-02 2013-09-05 Luxen Technologies, Inc. Parallel readout integrated circuit architecture for x-ray image sensor
WO2016161544A1 (en) * 2015-04-07 2016-10-13 Shenzhen Xpectvision Technology Co.,Ltd. Semiconductor x-ray detector
TW201713966A (en) * 2015-10-14 2017-04-16 Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd X-ray detectors capable of limiting diffusion of charge carriers

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