CN110892292B - 辐射检测器和用于从该辐射检测器输出数据的方法 - Google Patents

辐射检测器和用于从该辐射检测器输出数据的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110892292B
CN110892292B CN201780093160.7A CN201780093160A CN110892292B CN 110892292 B CN110892292 B CN 110892292B CN 201780093160 A CN201780093160 A CN 201780093160A CN 110892292 B CN110892292 B CN 110892292B
Authority
CN
China
Prior art keywords
bits
memory
subset
radiation
electronic system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780093160.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110892292A (zh
Inventor
曹培炎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
Publication of CN110892292A publication Critical patent/CN110892292A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110892292B publication Critical patent/CN110892292B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/247—Detector read-out circuitry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/244—Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32—Transforming X-rays

Abstract

本文公开了一种适用于检测辐射的装置，该装置包括：多个像素(150)，其被配置为在暴露于辐射时产生电信号；电子系统(121)，其被配置为读取所述电信号；其中，所述电子系统(121)包括第一存储器(510)和第二存储器(520)；其中所述第一存储器(510)被配置成存储多个数据位，所述多个数据位代表与所述第一存储器(510)相关联的像素(150)所产生的电信号；其中，所述电子系统(121)被配置成将所述多个数据位中的位子集从所述第一存储器(510)传送所述第二存储器(520)；其中，所述电子系统(121)被配置成将所述位子集从所述第二存储器(520)传送到总线(530)。

Description

辐射检测器和用于从该辐射检测器输出数据的方法
技术领域
本发明涉及适于检测辐射的装置，以及用于从该装置输出数据的方法。
背景技术
辐射检测器是测量辐射特性的装置。所述辐射特性的示例可以包括辐射强度的空间分布、相位、偏振。所述辐射可以是与主体相互作用的辐射。例如，由辐射检测器测量的辐射可以是穿透主体或从主体反射的辐射。辐射可以是电磁辐射，比如红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射还可以是其它类型的辐射，比如α射线和β射线。
一种类型的辐射检测器基于辐射与半导体之间的相互作用。例如，这种辐射检测器可以吸收辐射并产生载流子(例如，电子和空穴)，载流子的总量与辐射能量成比例。载流子由电子系统收集并计数以确定辐射的能量，该过程对下一入射辐射重复进行。可以通过对被检测的辐射计数(作为其能量的函数)来编纂光谱。
发明内容
本文公开了一种适于检测辐射的装置，其包括：多个像素，其被配置成在暴露于辐射时产生电信号；电子系统，其被配置成读取所述电信号；其中，所述电子系统包括第一存储器和第二存储器；其中所述第一存储器被配置为存储多个数据位，所述多个数据位代表由与所述第一存储器相关联的像素所产生的电信号；其中，所述电子系统被配置成将所述多个数据位中的位子集从所述第一存储器传送到所述第二存储器；其中，所述电子系统被配置成将所述位子集从所述第二存储器传输到总线。
根据实施例，第二存储器的位宽小于第一存储器的位宽。
根据实施例，位子集的位宽等于或小于第二存储器的位宽。
根据实施例，所述电子系统被配置成通过逐位地移位将所述位子集从所述第一存储器传送到所述第二存储器，再到总线。
根据实施例，电子系统被配置成将位子集的所有位同时由第一存储器发送到第二存储器，再到总线。
根据实施例，所述电子系统被配置成传送位子集，但不改变位子集的次序。
根据实施例，所述电子系统被配置成通过将位子集的次序反转来传送位子集。
根据实施例，所述位子集是多个数据位中的最高有效位(MSBs)。
根据实施例，所述电子系统被配置成将所述多个数据位中的最低有效位(LSBs)移至所述第一位子集的位置。
根据实施例，所述位子集为所述多个数据位中的最低有效位(LSBs)。
根据实施例，所述电子系统被配置成将所述多个数据位中的最高有效位(MSBs)移至第一位子集的位置。
根据实施例，所述电子系统被配置成将传送到第二存储器的位子集比对第一存储器的内容进行验证。
根据实施例，所述电子系统被配置成当位子集的验证失败时，将所述位子集从第一存储器再发送到第二存储器。
根据实施例，所述电子系统被配置成当位子集的验证成功时，从第一存储器删除所述位子集。
根据实施例，所述电子系统被配置成将传送到总线的位子集比对第二存储器的内容进行验证。
根据实施例，所述电子系统被配置成当所述位子集的验证失败时，将所述位子集从第二存储器再次发送到总线。
根据实施例，所述电子系统被配置成当所述位子集的验证成功时，从第二存储器删除所述位子集。
根据实施例，所述电子系统还包括：第一电压比较器，其被配置为将第二电触点的电压与第一阈值进行比较；第二电压比较器，其被配置为将电压与第二阈值进行比较；计数器，其被配置为记录到达所述吸收层的辐射粒子数目；控制器；其中所述控制器被配置成从所述第一电压比较器确定电压的绝对值大于等于所述第一阈值的绝对值的时刻起开始时间延迟；其中所述控制器被配置成在所述时间时延期间启动所述第二电压比较器；其中所述控制器被配置成如果第二电压比较器确定所述电压的绝对值大于等于所述第二阈值的绝对值，则使由所述计数器记录的数字增加1。
根据实施例，电子系统还包括电连接到电极的电容器模块，其中，所述电容模块配置为从所述电极收集载流子。
根据实施例，控制器被配置为将所述电极连接到电接地。
根据实施例，控制器被配置为在时间延迟的开始处停用电压比较器。
根据实施例，第一阈值是单个辐射粒子在电极上产生的电压的5-10％。
根据实施例，辐射吸收层包括二极管。
根据实施例，辐射吸收层包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。
根据实施例，所述装置不包括闪烁体。
本文公开了一种包括任何上述辐射检测器和辐射源的系统，其中，所述系统配置成用于对人体胸部或腹部进行辐射照相。
本文公开了一种包括任何上述辐射检测器和辐射源的系统，其中，所述系统配置成用于对人的嘴部进行辐射照相。
本文公开了一种货物扫描或非侵入性检查(NII)系统，其包括任何上述辐射检测器和辐射源，其中，所述货物扫描或非侵入性检查(NII)系统被配置成基于背散射辐射形成图像。
本文公开了一种货物扫描或非侵入性检查(NII)系统，其包括任何上述辐射检测器和辐射源，其中，所述货物扫描或非侵入性检查(NII)系统被配置成基于通过穿过被检查的物体的辐射形成图像。
本文公开了一种包括任何上述辐射检测器和辐射源的全身扫描系统。
本文公开了一种辐射计算机断层扫描(CT)系统，其包括任何上述辐射检测器和辐射源。
本文公开了一种包括电子显微镜，其包括任何所述辐射检测器、电子源和电子光学系统。
本文公开了一种包括任何上述辐射检测器的系统，其中所述系统为辐射望远镜或辐射显微镜，或者其中，所述系统被配置成进行乳房摄影、工业缺陷检测、微成像、铸造检查、焊接检查或数字减影血管摄影。
本文公开了一种包括下述各项的方法：将多个数据位子集传送到适于检测辐射的装置的电子系统的第一存储器中；从第一存储器到电子系统的第二存储器，其中所述多个数据位代表由所述装置的像素在暴露于辐射时产生的电信号；将所述位子集从第二存储器传输到总线。
根据实施例，所述方法还包括：第二存储器的位宽小于第一存储器的位宽；位子集的位宽等于或小于第二存储器的位宽；将位子集从所述第一存储器传输到所述第二存储器包括：将所述位子集逐位地移位；将所述位子集从所述第一存储器传输到所述第二存储器包括将位子集的所有位移同时移位；位子集是多个数据位的最高有效位(MSBs)；位子集是多个数据位的最低有效位(LSBs)。
根据实施例，所述方法还包括：比对第一存储器的内容验证被传送到第二存储器的位子集；当所述位子集的验证失败时，将所述位子集从所述第一存储器再传送到所述第二存储器；比对第二存储器内容验证被传送到总线的位子集；当所述位子集的验证失败时，将所述位子集从所述第二存储器再传送到所述总线；当储存于第一存储器的多个所有数据位经由第二存储器传送到总线时，重复位子集的传送。
附图说明
图1示意性地示出了根据实施例的辐射检测器。
图2A示意性地示出了辐射检测器的横截面图。
图2B示意性地示出了辐射检测器的详细横截面视图。
图2C示意性地示出了辐射检测器的备选详细横截面视图。
图3A和图3B各自示出了根据实施例的图2B或图2C中的检测器电子系统的部件图。
图4示意性地示出了根据实施例的由入射在二极管或电阻器上的一个或多个辐射粒子产生的载流子所引起的电极或电触点电压的时间变化。
图5示意性地示出了根据实施例的在第一存储器、第二存储器以及总线之间传送位子集(a subset of bits)的功能框图。
图6A示意性地示出了根据实施例的按相同的位顺序在第一存储器、第二存储器以及总线之间进行的位子集串行传送。
图6B示意性地示出了根据实施例的按相反的位顺序在第一存储器、第二存储器以及总线之间进行的位子集串行传送。
图7示意性地示出了根据实施例的按相同的位顺序在第一存储器、第二存储器以及总线之间进行的位子集并行传送。
图8示意性地示出了根据实施例的适于使用诸如如图4所示操作的电子系统来检测辐射以及适于如图6和图7所示方式读取数据的方法的流程图。
图9示意性地示出了根据实施例的包括本文所述辐射检测器的系统，该系统适于医学成像，例如胸部辐射照相、腹部辐射照相等。
图10示意性地示出了根据实施例的包括本文描述辐射检测器的适于牙科辐射照相的系统。
图11示意性地示出了根据实施例的包括本文所述辐射检测器的货物扫描或非侵入性检查(NII)系统。
图12示意性地示出了根据实施例的包括本文所述辐射检测器的另一货物扫描或非侵入性检查(NII)系统。
图13示意性地示出了根据实施例的包括本文所述辐射检测器的全身扫描系统。
图14示意性地示出了根据实施例的包括本文所述辐射检测器的电脑断层扫描(X射线CT)系统。
图15示意性地示出了根据实施例的包括本文所述辐射检测器的电子显微镜。
具体实施方式
图1示意性地示出了作为示例的辐射检测器100。该辐射检测器100具有像素像素150的阵列。该阵列可以是矩形阵列、蜂窝阵列、六边形阵列或任意其它合适的阵列。每个像素像素150被配置成检测来自辐射源并入射在该像素上的辐射，并且可以被配置成测量该辐射的特征(例如，粒子的能量、波长、以及频率)。例如，每个像素像素150被配置成对一时间段内入射于其上的、能量落入多个仓中的辐射粒子进行计数。所有像素像素150可被配置成对在同一时间段内入射在其上的、在多个能量仓内的辐射粒子数量进行计数。当辐射粒子具有相似的能量时，像素像素150可被简单地配置成对一段时间内入射于其上的辐射粒子进行计数，而不需要测量单个辐射粒子的能量。每个像素像素150可以具有自己的模数转换器(ADC)，该模数转换器被配置成将代表入射光子能量的模拟信号数字化为数字信号，或将代表多个入射光子总能量的模拟信号数字化为数字信号。像素像素150可被配置成并行地操作。例如，当一个像素像素150测量入射光子时，另一像素像素150可等待光子到达。像素像素150可不必单独寻址。
图2A示意性地示出了根据实施例的辐射检测器100的横截面视图。辐射检测器100可包括辐射吸收层110和用于处理或分析入射辐射在辐射吸收层110中产生的电信号的电子层120(例如，ASIC)。辐射检测器100可以包括闪烁体，也可以不包括闪烁体。辐射吸收层110可以包括半导体材料，例如，硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或它们的组合。所述半导体对感兴趣的辐射可具有高质量衰减系数。
如图2B中的辐射检测器100的详细横截面图所示中根据实施例的的辐射吸收层110可以包括一个或多个二极管(例如，p-i-n或p-n)(由第一掺杂区111、数个第二掺杂区113中的一个掺杂区或多个离散区114形成)。第二掺杂区113和第一掺杂区111可被可选的本征区112隔开。离散区114相互之间被第一掺杂区111或本征区112隔开。第一掺杂区111和第二掺杂区113具有相反类型的掺杂(例如，区111为p型且区113为n型，或者区111为n型且区113为p型)。在图2B的例子中，第二掺杂区113的数个离散区114中的每一个离散区与第一掺杂区111以及可选的本征区112形成二极管。即，在图2B的例子中，辐射吸收层110具有多个二极管，所述多个二极管以第一掺杂区111作为共享电极。第一掺杂区111也可具有离散部分。
当来自辐射源的辐射击中包括二极管的辐射吸收层110时，辐射粒子可以通过多个机制被吸收，并产生出一个或多个载流子。载流子可以在电场下漂移到数个二极管中的一个二极管的电极。该电场可以是外部电场。电触点119B可包括离散部分，每一个离散部分与离散区114电接触。术语“电触点”可与词“电极”互换使用。在实施例中，载流子可以沿各个方向漂移，以至于由单个辐射粒子产生的载流子基本上不被两个不同的离散区114共享(这里“基本上不被共享”意味着，小于2％、小于0.5％、小于0.1％、或小于0.01％的这些载流子流到与其余载流子不同的数个离散区114中的一个离散区)。在这些离散区114中的一个离散区的足迹区域周围入射的辐射粒子所产生的载流子
基本上不与这些离散区114中的另一个离散区相共享。与离散区114相关联的像素像素150是这样一个区域：该区域大致位于该离散区114周围，入射到该离散区中的辐射粒子所产生的载流子基本上全部(大于98％、大于99.5％、大于99.9％、或大于99.99％)流至该离散区114。即，这些载流子中小于2％、小于1％、小于0.1％、或小于0.01％的载流子流到该像素像素之外。
如图2C中的辐射检测器100的备选详细横截面图所示，根据实施例的辐射吸收层110可以包括由诸如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合的半导体材料制成的电阻器，但不包括二极管。所述半导体对感兴趣的辐射可具有高质量衰减系数。
当辐射撞击包括电阻器但不包括二极管的辐射吸收层110时，它可通过多种机制被吸收，并产生出一个或多个载流子。一个辐射粒子可以产生10至100000个载流子。这些载流子可在电场下漂移到电触点119A和119B。该电场可以是外部电场。电触点119B包括离散部分。在实施例中，载流子可以沿各个方向漂移，以至于由单个辐射粒子产生的载流子基本上不被电触点119B的两个不同的离散部分共享(在本文中，“基本上不被共享”意味着这些载流子中小于2％、小于0.5％、小于0.1％、或小于0.01％的载流子流至不同于其余载流子的数个离散部分中的一个离散部分)。在电触点119B的这些离散部分中的一个离散部分的足迹周围入射的辐射粒子所产生的载流子基本上不与电触点119B的这些离散部分的另一个离散部分共享。与电触点119B的离散部分相关联的像素像素150可以是这样的区域，该区域大致位于该离散部分周围，入射到该区域中的辐射粒子所产生的载流子基本上全部(大于98％、大于99.5％、大于99.9％或大于99.99％)流到电触点119B的该离散部分。即，这些载流子流中小于2％、小于0.5％、小于0.1％、或小于0.01％的载流子流到与电触点119B的该离散部分相关联的像素像素之外。
电子层120可包括电子系统121，该电子系统适于处理或解释由入射到辐射吸收层110上的辐射产生的信号。电子系统121可以包括：模拟电路，例如滤波网络、放大器、积分器以及比较器；或者数字电路，例如微处理器以及存储器。电子系统121可包括一个或更多的ADC。电子系统121可以包括由数个像素像素共享的部件或专用于单个像素像素的部件。例如，电子系统121可以包括专用于每个像素像素的放大器和在所有像素像素之间共享的微处理器。所述电子系统121可以通过通孔131与像素像素电连接。所述通孔中的空间可以被填充材料130填充，这可增加电子层120与辐射吸收层110连接的机械稳定性。还可以使用其他结合技术将电子系统121连接到像素像素(不使用通孔)。
图3A和图3B各自示出了根据实施例的电子系统121的部件图。电子系统121可包括电压比较器301、计数器320、开关305、电压计306和控制器310。
电压比较器301被配置成将二极管电极的电压与第一阈值比较。该二极管可由第一掺杂区111、第二掺杂区113的数个离散区114中的一个离散区和可选的本征区112形成。备选地，电压比较器301被配置成将电触点(例如，电触点119B的离散部分)的电压与第一阈值比较。电压比较器301可配置成直接监测电压，或通过对一段时间内流过二极管或电触点的电流整合来计算电压。电压比较器301可由控制器310可控地启动或停用。电压比较器301可以是连续比较器。即，电压比较器301可配置成被连续启动，并且连续监测电压。配置为连续比较器的电压比较器301使电子系统121错过由入射辐射粒子产生的信号的机会减少。配置为连续比较器的电压比较器301在入射辐射强度相对高时尤其适合。电压比较器301可以是钟控比较器，其具有较低功耗的益处。配置为钟控比较器的第一电压比较器301可导致系统121错过由一些入射辐射粒子产生的信号。在入射辐射强度低时，错过入射辐射粒子的机会因为两个连续辐射粒子之间的间隔相对长而低。因此，配置为钟控比较器的第一电压比较器301在入射辐射强度相对低时尤其适合。第一阈值可以是单个辐射粒子可在二极管的电极或电阻器的电触点上产生的电压的5-10％、10％-20％、20-30％、30-40％或40-50％。最大电压可取决于入射辐射粒子的能量、辐射吸收层110的材料和其它因素。例如，第一阈值可以是50mV、100mV、150mV或200mV。
电压比较器301可包括一个或多个运算放大器或任何其他适合的电路。电压比较器301可具有高速度，以允许系统121在高入射辐射通量下操作。然而，具有高速度通常以功耗为代价。
计数器320被配置成记录到达二极管或电阻器的辐射粒子数目。计数器320可以是软件部件(例如，电脑存储器中存储的数字)或硬件部件(例如，4017IC和7490IC)。
控制器310可以是例如微控制器和微处理器等硬件部件。控制器310配置成从电压比较器301确定电压的绝对值大于等于第一阈值的绝对值(例如，电压的绝对值从第一阈值的绝对值以下增加到大于等于第一阈值的绝对值)的时刻起启动时间延迟。在本文中，因为电压可以是负的或正的而使用绝对值，这取决于是使用二极管的阴极还是阳极的电压或使用哪个电触点。控制器310可配置成在第一电压比较器301确定电压的绝对值大于等于第一阈值的绝对值的时间之前，保持停用计数器320、以及电压比较器301的操作不需要的任何其他电路。时间延迟可在电压变稳定(即，电压的变化率大致为零)之前或之后终止。短语“电压的变化率大致为零”意指电压的时间变化小于0.1％/ns。短语“电压的变化率大致为非零”意指电压的时间变化是至少0.1％/ns。
术语“启动”意指促使部件进入操作状态(例如，通过发送例如电压脉冲或逻辑电平等信号、通过提供电力等)。术语“停用”意指促使部件进入非操作状态(例如，通过发送例如电压脉冲或逻辑电平等信号、通过切断电力等)。操作状态可具有比非操作状态更高的功耗(例如，高10倍、高100倍、高1000倍)。控制器310本身可被停用，直到电压比较器301的输出在电压的绝对值大于等于第一阈值的绝对值时启动控制器310。
控制器310可配置成使电压表306在时间延迟终止时测量电压。控制器310可配置成使电极或电触点连接到电接地，以便使电压复位，并使电极或电触点上累积的任何载流子放电。在一实施例中，电极或电触点在时间延迟终止后连接到电接地。在一实施例中，电极或电触点在有限复位期间连接到电接地。控制器310可通过控制开关305使电极或电触点连接到电接地。开关可以是晶体管，例如场效应晶体管(FET)。
在一实施例中，系统121没有模拟滤波器网路(例如，RC网路)。在一实施例中，系统121没有模拟电路。
电压表306可将它测量的电压作为模拟或数字信号馈送给控制器310。
系统121可包括电容器模块309，该电容器模块电连接到二极管的电极或电触点，其中电容器模块配置成从电极或电触点收集载流子。电容器模块可包括放大器回馈路径中的电容器。如此配置的放大器叫作电容跨阻放大器(CTIA)。CTIA通过防止放大器饱和而具有高的动态范围，并且通过限制信号路径中的带宽来提高信噪比。来自电极或电触点的载流子在一段时间(“整合期”)(例如如在图4中示出的，在t0至t1之间)内在电容器上累积。在整合期终止后，对电容器电压采样，然后由复位开关将其复位。电容器模块可以包括直接连接到电极或电触点的电容器。
图4示意示出了根据实施例的由入射到二极管或电阻器上的辐射粒子产生的载流子所引起的流经电极的电流的时间变化(上曲线)，以及相应的电极的电压的时间变化(下曲线)。电压可以是电流关于时间的整合。在时间t0开始，辐射粒子撞击二极管或电阻器，载流子开始在二极管或电阻器中产生，电流开始流过二极管或电阻器的电极，并且电极或电触点的电压的绝对值开始增加。在时间t1，电压比较器301确定电压的绝对值大于等于第一阈值V1的绝对值，控制器310启动时间延迟TD1，并且控制器310可在TD1开始时停用电压比较器301。如果控制器310在t1之前被停用，那么在t1启动控制器310。在TD1期间，控制器310启动第二电压比较器302。如本文使用的术语在时间延迟“期间”意指开始和终止(即，结束)及其之间的任何时间。例如，控制器310可在TD1终止时启动第二电压比较器302。如果在TD1期间，第二电压比较器302确定在时间t2电压的绝对值大于等于第二阈值的绝对值V2，那么控制器310引起计数器320记录的数增加1。在时间te，辐射粒子产生的所有载流子漂移出X射线吸收层110。在时间ts，时间延迟TD1终止。在图4的例子中，时间ts在时间te之后；即TD1在辐射粒子产生的所有载流子漂移出X射线吸收层110之后终止。由此，电压的变化率在ts大致为零。控制器310可配置成在TD1终止时或在t2或其之间的任何时间停用第二电压比较器302。
控制器310可配置成使电压计306在时间延迟TD1期满时测量电压。由电压计306测量的电压Vt与从t0到ts的入射辐射粒子所产生的载流子的总量成比例，而该载流子的总量又与入射辐射粒子总能量相关。当入射辐射粒子具有类似的能量时，控制器310可配置成：通过将Vt除以单个辐射粒子将在电极或电触点上引起的电压，来确定从t0到ts的入射辐射粒子数目。控制器310可以将计数器320增加所述辐射粒子数目。
在TD1终止后，控制器310在复位期RST使电极连接到电接地，以允许电极或电触点上累积的载流子流到地并且使电压复位。在RST之后，电子系统121准备检测另一个入射辐射粒子。隐含地，电子系统121在图4的示例中可以应对的入射辐射粒子的速率受限于1/(TD1+RST)。如果电压比较器301被停用，那么控制器310可以在RST终止之前的任何时间启动它。如果控制器310被停用，那么可在RST终止之前启动它。
可以以多种方式读出来自辐射检测器100的像素像素的信号。图5示意性地示出：根据实施例，电子系统121可以具有与辐射检测器100的像素像素150相关联的第一存储器510，以及与像素像素150相关联的第二存储器520。第一存储器510配置成存储代表像素像素150所产生电信号的多个数据位(data bits)。例如，所述电信号可以是关于整合期间由像素像素检测到的辐射粒子计数和能量级别的信息。第一存储器510可以是易失性存储器例如RAM，或者非易失性存储器例如闪存。第一存储器510可具有8、16、32、64或128个可寻址位。电子系统121可读取或写入存储器151的内容，例如，使用第一存储器控制模块511。例如，当计数器320记录的数发生变化时，电子系统121可以更新第一存储器510的内容。或者，电子系统121可以仅在整合期间结束时更新第一存储器510的内容。
根据实施例，电子系统121可将存储在第一存储器510中的数据位经由第二存储器520传送到总线530。第二存储器520可以是易失性存储器，例如随机存取存储器(RAM)或数字寄存器。第二存储器520可具有比第一存储器510的位宽更小的位宽(bit width)。术语存储器的“位宽”是该存储器可寻址位的数量。电子系统121例如可以使用第二存储器控制模块521将存储在第一存储器中的数据位中的位位子集发送到第二存储器，。位位子集的位宽可以不大于第二存储器520的位宽。例如，如图6A和图6B所示，位位子集可从第一地址读取，该位子集可以位于所述第一存储器510的开头、或末尾、或中间。位位子集可以在第一存储器510中是接续的，但不必如此。
根据实施例，可从第一存储器的多个位中的最高有效位(MSBs)读取位位子集。在读取第一位位子集后，电子系统121可将多个位中的最低有效位(LSBs)移到第一存储器的位位子集的地址。根据实施例，可从第一存储器多个位中的最低有效位(LSBs)读取位位子集。在读取第一位位子集之后，电子系统121可将多个位中的最高有效位(MSBs)移到第一存储器的位位子集的地址。电子系统121例如可以使用第二存储器控制模块521将传送至第二存储器520的位子集与第一存储器510的内容比对验证位子集。若验证失败，则电子系统121可从第一存储器510再次读取位子集，并将该位子集再次写到第二存储器520。该传送被重复，直到写入到第二存储器520中的位位子集与从第一存储器510读取的位位子集相匹配。在验证成功之后，例如可以通过第一存储器控制模块511删除存储在第一存储器510的第一地址处的位位子集。在验证成功后，电子系统121可以将传送到第二存储器520的位位子集进一步发送到总线530并可选地验证。如果传送到总线530的位位子集被验证，则第二存储器520的内容可以被删除，并且第二存储器520可准备从第一存储器510的第二地址接受新的位位子集。该过程可以重复，直到存储在第一存储器510中的所有数据位都已经被传送到总线530。
诸如图6A、图6B、和图7所示，可以在第一存储器510、第二存储器520和总线530之间使用不同的传送机制。根据实施例，图6A、图6B示出了串行数据传送机制。在图6A中，在不改变位位子集次序的情况下传送位位子集。例如，位位子集可以在同一方向上逐位地移位。在图6B的图表中，根据实施例，通过反转位子集的次序来传送位位子集。例如，在第一存储器510和第二存储器520中，子集中位的顺序可以沿相反的方向逐位地移位来反转；例如，第一存储器510的最低有效位(“LSB”)可被移位到第二存储器520的最高有效位("MSB")。总线530中接收的位位子集可以与从第一存储器510读取的位位子集有不同的次序。
图7示出了根据实施例的并行数据传送机制。在并行传送中，子集数据中的所有位可同时并行地从第一存储器510的开头、中间、结尾读取。子集的所有位可以并行地传送到第二存储器520。子集数据的所有位可并行地传送到总线530。在图7中，子集的位次序可在传送之后相同。通过将第一存储器中的位位子集的MSB传送到第二存储器的LSB，位次序可以不同。所描述的位传送机制可以由诸如511和521的存储器控制模块来实现。在数据传送期间可以使用一个或多个机制。
图8的流程图示出了传送辐射检测器100电子系统121的第一存储器510中存储的多个数据位之间的位位子集的传送方法，其中多个数据位代表由辐射检测器100的像素像素在暴露于辐射时而产生的电信号。
在步骤1021中，存储在第一存储器510的多个位之间的位位子集被传送到第二存储器520。在可选的步骤1022中，例如使用第一存储器控制模块511将传送到第二存储器520的位位子集与存储在第一存储器510的内容进行比对验证。如果验证失败(即，发送到第二存储器520的位位子集不与第一存储器510的内容相匹配)，该方法重复步骤1021；即，将位位子集从第一存储器510再次传送到第二存储器520。如果验证成功(即，传送到第二存储器520的位位子集与第一存储器510的内容相匹配)，该方法继续到步骤1023。在步骤1023中，位位子集从第二存储器520传送到总线530。在可选的步骤1024中，例如使用第二存储器控制模块521将传送至总线530的位位子集比对第二存储器520的内容进行验证。若验证失败(即，传送至总线530的位位子集不与第二存储器520的内容相匹配)，该方法重复步骤1023；即，将位位子集从第二存储器520再次传送到总线530。如果验证成功(即，发送到总线530的位位子集与第二存储器520的内容匹配)，该方法结束或回到步骤1021。
图9示意性地示出了包括本文所述的辐射检测器100的系统。该系统可用于医学成像，例如胸部辐射照相、腹部辐射照相等。该系统包括辐射源1201。从辐射源1201发射的X射线穿透物体1202(例如，人体部位如胸部、肢体、腹部)，被物体1202的内部结构(例如，骨骼、肌肉、脂肪以及器官等)不同程度衰减，并被投射到辐射检测器100。辐射检测器100通过检测辐射的强度分布而形成图像。
图10示意性地示出了包括本文所述的辐射检测器100的系统。该系统可用于医疗成像，例如牙科辐射照相。该系统包括辐射源1301。从辐射源1301发射的辐射穿透物体1302，该物体是哺乳动物(例如，人)的嘴巴的一部分。物体1302可包括上颌骨，腭骨、牙齿、下颌或舌。辐射被物体1302的不同结构不同程度衰减，并被投射到辐射检测器100。辐射检测器100通过检测辐射的强度分布形成图像。牙齿比龋牙、感染部位、牙周韧带更多地吸收辐射。牙科患者接收的辐射的剂量典型地是小的(对全嘴系列约0.150mSv)。
图11示意性地示了出包括本文所述的辐射检测器100的货物扫描或非侵入性检查(NII)系统。该系统可用于检查和识别例如集装箱，车辆、船舶、行李等运输系统中的货物。该系统包括辐射源1401。从辐射源1401发射的辐射可以从物体1402(例如，集装箱、车辆、船舶等)背散射，并被投射到辐射检测器100。物体1402的不同内部结构可以不同地背散射所述辐射。辐射检测器100通过检测背散射辐射的强度分布和/或背散射辐射的能量来形成图像。
图12示意性地示出了包括本文所述的辐射检测器100的另一货物扫描或非侵入性检查(NII)系统。该系统可用于公共运输站和机场的行李筛选。该系统包括辐射源1501。从辐射源1501发射的辐射可穿透行李1502，被行李的内容不同地衰减，并被投射到辐射检测器100。所述辐射检测器100通过检测透射辐射的强度分布而形成图像。该系统可以揭示行李的内容，并识别在公共交通上的违禁品，例如枪支、毒品、锋利武器、易燃物。
图13示意性地示出了包括本文所述的辐射检测器100的全身扫描系统。全身扫描系统可以为了安全筛选目的检测人身体上的物体，不需要从身体移去衣物或进行身体接触。全身扫描系统能检测非金属物体。全身扫描系统包括辐射源1601。从辐射源1601发射的辐射可从被筛选的人1602和其身上的物体背散射，并被投射到辐射检测器100。物体和人体可以不同地背散射辐射。辐射检测器100通过检测背散射辐射的强度分布来形成图像。辐射检测器100和辐射源1601可被配置为沿直线或旋转方向扫描人。
图14示意性地示出了辐射电脑断层摄影(辐射CT)系统。该辐射CT系统使用电脑处理的辐射来产生被扫描对象的特定区域的断层图像(虚拟“切片”)。断层图像可用于各种医学学科中的诊断和治疗目的，或用于探伤、故障分析、计量、组装分析和反向工程。辐射CT系统包括在此描述的辐射检测器100和辐射源1701。辐射检测器100和辐射源1701可被配置成沿一个或多个圆形或螺旋路径同步旋转。
图15示意性地示出了电子显微镜。电子显微镜包括被配置为发射电子的电子源1801(也称为电子枪)。电子源1801可具有各种发射机制，例如热离子、光电阴极、冷发射或等离子体源。被发射的电子通过电子光学系统1803，该电子光学系统可被配置成影响、加速或聚焦电子。然后，电子到达样品1802，并且图像检测器可形成该样品的图像。电子显微镜可以包括本文所述的辐射检测器100，用于进行能量色散X射线分光镜检查(EDS)。EDS是用于样品的元素分析或化学表征的分析技术。当电子入射到样品上时，可从样品发射特征X射线。入射电子可以激发样品中的原子内壳中的电子，将其从所述内壳中逐出，并同时在该电子原先的位置处形成电子空穴。来自外部的高能壳层的电子填充所述空穴，较高能量壳层与较低能量壳层之间的能量差可以按X射线的形式释放。通过辐射检测器100可以测量从样品发射的X射线的数量和能量。
这里描述的辐射检测器100可具有其它应用，比如在辐射望远镜、辐射乳房摄影、工业辐射缺陷检测、辐射显微或微成像、辐射铸造检查、辐射无损检测、辐射焊接检查、辐射数字减影血管摄影等中。使用该辐射检测器100适合于代替摄影板、摄影胶片、PSP板、辐射图像增强器、闪烁体或另一个半导体辐射检测器。
尽管本文公开各种方面和实施例，其它方面和实施例对于本领域内技术人员将变得明显。本文公开的各种方面和实施例是为了说明目的而不意在为限制性的，其真正范围和精神由下列权力要求指示。

Claims (41)

1.一种适于检测辐射的装置，该装置包括：
多个像素，所述多个像素被配置成在暴露于辐射时产生电信号；
电子系统，该电子系统被配置成读取所述电信号；
其中，所述电子系统包括第一存储器和第二存储器；
其中，所述第一存储器被配置成存储多个数据位，所述多个数据位代表与所述第一存储器相关联的像素产生的电信号；
其中，所述电子系统被配置成将所述多个数据位中的位子集从所述第一存储器传送到所述第二存储器；
其中，所述电子系统被配置成将所述位子集从所述第二存储器传送到总线；
其中，所述电子系统被配置成将传送到所述第二存储器的位子集比对所述第一存储器的内容进行验证，并且/或者，将传送到所述总线的所述位子集比对所述第二存储器的内容进行验证。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二存储器的位宽小于所述第一存储器的位宽。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述位子集的位宽等于或小于所述第二存储器的位宽。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子系统被配置成通过对数据位逐位地移位将所述位子集由所述第一存储器发送到所述第二存储器，再传送到所述总线。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子系统被配置成将所述位子集同时从所述第一存储器传送到所述第二存储器，再到所述总线。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子系统被配置成传送所述位子集，但不改变所述位子集的次序。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子系统被配置成通过反转所述位子集的次序来传送所述位子集。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述位子集是所述多个数据位中的最高有效位。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述电子系统被配置成将所述多个数据位中的最低有效位移位到所述位子集的位置。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述位子集是所述多个数据位中的最低有效位。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述电子系统被配置成将所述多个数据位中的最高有效位移位到所述位子集的位置。
12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子系统被配置成当所述位子集的验证失败时，将所述位子集从所述第一存储器再传送到所述第二存储器。
13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子系统被配置成当所述位子集的验证成功时，从所述第一存储器删除所述位子集。
14.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子系统被配置成当所述位子集的验证失败时，将所述位子集从所述第二存储器再次传送到所述总线。
15.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子系统被配置成当所述位子集的验证成功时，从所述第二存储器删除所述位子集。
16.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个像素中的每个像素包括具有电极的辐射吸收层；
其中，所述电子系统还包括：
第一电压比较器，该第一电压比较器被配置成将所述电极上的电压与第一阈值进行比较；
第二电压比较器，该第二电压比较器被配置成将所述电压与第二阈值进行比较；
计数器，该计数器被配置成记录由所述辐射吸收层吸收的辐射粒子数目，所述电信号为所述数目；
控制器；
其中，所述控制器被配置成从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值大于等于所述第一阈值的绝对值的时刻起开始时间延迟；
其中，所述控制器被配置成在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器；
其中，所述控制器被配置成如果所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值大于等于所述第二阈值的绝对值，使由所述计数器记录的数字增加1。
17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述电子系统还包括电连接到所述电极的电容器模块，其中，所述电容器模块被配置成从所述电极收集载流子。
18.根据权利要求16所述的装置，其中，所述控制器被配置成将所述电极连接到电接地。
19.根据权利要求16所述的装置，其中，所述控制器被配置成在所述时间延迟的开始时停用所述第一电压比较器或所述第二电压比较器。
20.根据权利要求16所述的装置，其中，所述第一阈值是单个辐射粒子在所述电极上产生的电压的5-10％。
21.根据权利要求16所述的装置，其中，所述辐射吸收层包括二极管。
22.根据权利要求16所述的装置，其中，所述辐射吸收层包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或它们的组合。
23.根据权利要求16所述的装置，其中，所述装置不包括闪烁体。
24.一种包括根据权利要求1所述的装置和辐射源的系统，其中，所述系统被配置成对人体胸部或腹部进行辐射摄影。
25.一种包括根据权利要求1所述的装置和辐射源的系统，其中所述系统被配置成对人的嘴部进行辐射射线摄影。
26.一种包括根据权利要求1所述的装置和辐射源的货物扫描或非侵入式检查系统，其中，所述货物扫描或非侵入性检查系统被配置成使用背散射辐射形成图像。
27.一种包括根据权利要求1所述的装置和辐射源的货物扫描或非侵入式检查系统，其中，所述货物扫描或非侵入性检查系统被配置成使用穿过被检查的物体的辐射来形成图像。
28.一种包括根据权利要求1所述的装置和辐射源的全身扫描系统。
29.一种包括根据权利要求1所述的装置和辐射源的辐射计算机断层扫描系统。
30.一种包括根据权利要求1所述的装置、电子源和电子光学系统的电子显微镜。
31.一种包括根据权利要求1所述的装置的系统，其中所述系统是辐射望远镜或辐射显微镜，或者其中，所述系统被配置成执行乳房射线摄影、工业缺陷检测、微成像、铸造检查、焊接检查、或数字减影血管摄影。
32.一种用于检测辐射的方法，包括：
将存储在适于检测辐射的装置的电子系统的第一存储器中的多个数据位中的位子集从所述电子系统的第一存储器传送到第二存储器，其中，所述多个数据位代表由所述装置的像素在暴露于辐射时产生的电信号；
将所述位子集从所述第二存储器传送到总线；
将传送到所述第二存储器的所述位子集比对所述第一存储器的内容进行验证，并且/或者将传送到所述总线的位子集比对所述第二存储器的内容进行验证。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述第二存储器的位宽小于所述第一存储器的位宽。
34.根据权利要求32所述的方法，其中，所述位子集的位宽等于或小于所述第二存储器的位宽。
35.根据权利要求32所述的方法，其中，将所述位子集从所述第一存储器传送到所述第二存储器包括逐位地移位所述位子集。
36.根据权利要求32所述的方法，其中，将所述位子集从所述第一存储器传送到所述第二存储器包括同时移位所述位子集的所有位。
37.根据权利要求32所述的方法，其中，所述位子集是所述多个数据位中的最高有效位。
38.根据权利要求32所述的方法，其中，所述位子集是所述多个数据位中的最低有效位。
39.根据权利要求37所述的方法，还包括：当所述位子集的验证失败时，将所述子集为从所述第一存储器再传送到所述第二存储器。
40.根据权利要求38所述的方法，还包括：当所述位子集的验证失败时，将所述位子集从所述第二存储器再传送到所述总线。
41.根据权利要求32所述的方法，还包括重复所述位子集的传送，直到存储在所述第一存储器中的多个所有数据位被传送到所述总线。
CN201780093160.7A 2017-07-26 2017-07-26 辐射检测器和用于从该辐射检测器输出数据的方法 Active CN110892292B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2017/094455 WO2019019047A1 (en) 2017-07-26 2017-07-26 RADIATION DETECTOR AND METHODS OF PRODUCING DATA THEREFROM

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110892292A CN110892292A (zh) 2020-03-17
CN110892292B true CN110892292B (zh) 2023-09-22

Family

ID=65041062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780093160.7A Active CN110892292B (zh) 2017-07-26 2017-07-26 辐射检测器和用于从该辐射检测器输出数据的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11782173B2 (zh)
EP (1) EP3658961B1 (zh)
CN (1) CN110892292B (zh)
TW (1) TWI802580B (zh)
WO (1) WO2019019047A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110892292B (zh) * 2017-07-26 2023-09-22 深圳帧观德芯科技有限公司 辐射检测器和用于从该辐射检测器输出数据的方法
EP3743738A4 (en) * 2018-01-24 2021-07-28 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. STRIPE PIXEL DETECTOR
CN112817028B (zh) * 2020-12-29 2024-02-13 上海工物高技术产业发展有限公司 多道分析仪清零方法、装置、系统和存储介质

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435874A (zh) * 2007-11-12 2009-05-20 佳能株式会社 放射线成像装置和放射线成像装置的驱动方法
CN102124378A (zh) * 2008-07-14 2011-07-13 Icx科技有限责任公司 用于辐射测量的检测器系统
CN103126695A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 富士胶片株式会社 放射线照相图像检测器及其控制方法
CN104967763A (zh) * 2015-06-09 2015-10-07 联想(北京)有限公司 一种图像采集器件、图像采集方法及电子设备
JP2016176731A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 株式会社日立製作所 産業用ｘ線ｃｔ装置及びデータ収集装置
WO2016161542A1 (en) * 2015-04-07 2016-10-13 Shenzhen Xpectvision Technology Co.,Ltd. Semiconductor x-ray detector
CN106104302A (zh) * 2014-01-07 2016-11-09 三星电子株式会社 辐射检测器及其断层扫描成像设备和辐射检测设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3656566B2 (ja) * 2001-04-17 2005-06-08 株式会社島津製作所 放射線検査装置
US7818047B2 (en) * 2001-11-09 2010-10-19 Nova R&D, Inc. X-ray and gamma ray detector readout system
JP2005127983A (ja) * 2003-09-30 2005-05-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 硬Ｘ線又はγ線を利用した埋没物評価方法、地下資源評価方法、地下廃棄物評価方法、地下貯蔵物評価方法、地層構造評価方法及び建造物内監視方法
JP5058517B2 (ja) * 2005-06-14 2012-10-24 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及びその制御方法並びに放射線撮像システム
EP2348704A1 (en) * 2010-01-26 2011-07-27 Paul Scherrer Institut A single photon counting readout chip with neglibible dead time
WO2012077217A1 (ja) * 2010-12-09 2012-06-14 株式会社リガク 放射線検出器
KR101932664B1 (ko) * 2012-08-27 2018-12-26 삼성전자 주식회사 리던던시 셀을 포함하는 반도체 메모리 장치 및 시스템
US8680474B2 (en) * 2012-03-02 2014-03-25 Luxen Technologies, Inc. Parallel readout integrated circuit architecture for X-ray image sensor
US9554759B2 (en) * 2013-09-18 2017-01-31 Carestream Health, Inc. Digital radiography detector image readout process
KR101635980B1 (ko) * 2013-12-30 2016-07-05 삼성전자주식회사 방사선 디텍터 및 그에 따른 컴퓨터 단층 촬영 장치
JP6385591B2 (ja) * 2015-04-07 2018-09-05 シェンゼン・エクスペクトビジョン・テクノロジー・カンパニー・リミテッド 半導体ｘ線検出器
EP3362819A4 (en) * 2015-10-14 2019-06-05 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. X-RAY DETECTORS TO LIMIT DIFFUSION OF CHARGE CARRIER
CN110892292B (zh) * 2017-07-26 2023-09-22 深圳帧观德芯科技有限公司 辐射检测器和用于从该辐射检测器输出数据的方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435874A (zh) * 2007-11-12 2009-05-20 佳能株式会社 放射线成像装置和放射线成像装置的驱动方法
CN102124378A (zh) * 2008-07-14 2011-07-13 Icx科技有限责任公司 用于辐射测量的检测器系统
CN103126695A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 富士胶片株式会社 放射线照相图像检测器及其控制方法
CN106104302A (zh) * 2014-01-07 2016-11-09 三星电子株式会社 辐射检测器及其断层扫描成像设备和辐射检测设备
JP2016176731A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 株式会社日立製作所 産業用ｘ線ｃｔ装置及びデータ収集装置
WO2016161542A1 (en) * 2015-04-07 2016-10-13 Shenzhen Xpectvision Technology Co.,Ltd. Semiconductor x-ray detector
CN104967763A (zh) * 2015-06-09 2015-10-07 联想(北京)有限公司 一种图像采集器件、图像采集方法及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW201910809A (zh) 2019-03-16
EP3658961A4 (en) 2021-01-13
EP3658961B1 (en) 2022-08-17
TWI802580B (zh) 2023-05-21
US20200150290A1 (en) 2020-05-14
WO2019019047A1 (en) 2019-01-31
US11782173B2 (en) 2023-10-10
CN110892292A (zh) 2020-03-17
EP3658961A1 (en) 2020-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10955570B2 (en) X-ray detectors capable of managing charge sharing
TW201640142A (zh) 半導體ｘ射線檢測器
US11782173B2 (en) Radiation detector and methods of data output from it
US10838086B2 (en) Radiation detector with dynamically allocated memory for particle counting
US11520064B2 (en) X-ray detectors capable of identifying and managing charge sharing
US10989820B2 (en) Radiation detector
CN113286546A (zh) 一种具有不同方向辐射检测器的成像系统
TW201932874A (zh) 具有量子點閃爍器的輻射檢測器
CN110914713B (zh) 能够管理周边电荷共享的x射线检测器
CN113287299A (zh) 一种具有不同方向辐射检测器的图像传感器
WO2020047834A1 (en) A radiation detector with subpixels operating in different modes
US11289300B2 (en) Integrated X-ray source
CN112470038A (zh) 辐射检测器
CN111226137A (zh) 用于x射线荧光的检测器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 518000 B507, blocks a and B, Nanshan medical device Industrial Park, No. 1019, Nanhai Avenue, Yanshan community, merchants street, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong

Applicant after: SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 518071 Room 201, building 52, jiyuecheng Zhongchuang Industrial Park, Tanglang industrial zone B, No. 13, Xinyi 5th Road, Tanglang community, Taoyuan Street, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant before: SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant